JP5408914B2 - 液晶表示パネル - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 85
- 239000010408 film Substances 0.000 description 76
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 25
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 24
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
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Description
また、近年、多結晶シリコン(ポリシリコンともいう)や非結晶シリコン(アモルファスシリコンともいう)はCVD(Chemical Vapor Deposition)法などにより透明基板上に製膜が可能であることから、液晶表示パネルへの応用が盛んに行われている。
まず、無アルカリガラス基板上に非結晶シリコン膜をCVD法にて成膜する。その後、エキシマレーザを用いて非結晶シリコン膜を瞬時溶融させ、多結晶シリコンからなる半導体膜を形成する。半導体膜をCDE法(Chemical Dry Etching)によりパターニングすることによって、p型TFT用の半導体層を形成する。その後、半導体層を被覆するようにCVD法を用い、無アルカリガラス基板全面に、ゲート絶縁膜と、スパッタ法により金属膜とを成膜する。続いて、RIE(Reactive Ion Etching)法により、金属膜をパターニングすることにより、ゲート電極を形成する。
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、表示品位に優れ、製品歩留まりの高い液晶表示パネルを提供することにある。
第1基板と、
第2基板と、
前記第1基板及び第2基板間に保持された液晶層と、を備え、
前記第1基板は、
各画素の行方向に延在した走査線と、
各画素の列方向に延在した信号線と、
画素毎に配置された薄膜トランジスタと、
前記走査線、信号線及び薄膜トランジスタ上に形成され、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に重なったコンタクトホールを有した第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に形成された共通電極と、
前記コンタクトホール内部のみに位置し、前記ドレイン電極上に形成され、前記ドレイン電極に電気的に接続された接続部と、
前記第1絶縁層、共通電極及び接続部上に形成され、前記接続部に重なった他のコンタクトホールを有した第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に形成され、前記共通電極と対向し、前記他のコンタクトホールを介して前記接続部に電気的に接続された画素電極と、を備えている。
絶縁基板20上に、アンダーコート絶縁膜1が成膜されている。アンダーコート絶縁膜1上には、ポリシリコンからなる半導体層SCが形成され、アンダーコート絶縁膜及び半導体層上に、ゲート絶縁膜2が成膜されている。ゲート絶縁膜2上に、走査線Y、ゲート電極WG及び第1電極3が配設されている。ゲート電極WGは、走査線Yに電気的に接続され、ゲート絶縁膜2を介して半導体層SCに対向している。
まず、絶縁基板20を用意する。用意した絶縁基板20上には、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により、アンダーコート絶縁膜1及びアモルファスシリコンからなる膜厚30乃至100nmの半導体膜を順に成膜する。成膜された半導体膜は、エキシマレーザアニール(ELA)により瞬時加熱が行われ、多結晶化され、さらに、PEP(Photo Engraving Process)によりパターニングされる。これによりポリシリコンからなる半導体層SCが形成される。
上記したことから、表示品位に優れ、製品歩留まりの高い液晶表示パネル及び液晶表示パネルを備えた液晶表示装置を得ることができる。
この発明は、液晶表示パネル及び液晶表示パネルを備えた液晶表示装置に限定されるものではなく、第1導電部(ドレイン電極WD)と、第1絶縁層11と、接続部13と、第2絶縁層14と、第2導電部(画素電極EP)とを備えた多層配線基板であれば適用することができる。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1]第1基板と、
第2基板と、
前記第1基板及び第2基板間に保持された液晶層と、を備え、
前記第1基板は、
各画素の行方向に延在した走査線と、
各画素の列方向に延在した信号線と、
画素毎に配置されたスイッチング素子と、
前記走査線、信号線及びスイッチング素子上に形成され、前記スイッチング素子に重なったコンタクトホールを有した第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に形成された共通電極と、
前記コンタクトホールに形成され、前記スイッチング素子に電気的に接続された接続部と、
前記第1絶縁層、共通電極及び接続部上に形成され、前記接続部に重なった他のコンタクトホールを有した第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に形成され、前記共通電極と対向し、前記他のコンタクトホールを介して前記接続部に電気的に接続された画素電極と、を備えている液晶表示パネル。
[2]前記接続部は、前記共通電極と同一の材料で形成されている[1]に記載の液晶表示パネル。
Claims (2)
- 第1基板と、
第2基板と、
前記第1基板及び第2基板間に保持された液晶層と、を備え、
前記第1基板は、
各画素の行方向に延在した走査線と、
各画素の列方向に延在した信号線と、
画素毎に配置された薄膜トランジスタと、
前記走査線、信号線及び薄膜トランジスタ上に形成され、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に重なったコンタクトホールを有した第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に形成された共通電極と、
前記コンタクトホール内部のみに位置し、前記ドレイン電極上に形成され、前記ドレイン電極に電気的に接続された接続部と、
前記第1絶縁層、共通電極及び接続部上に形成され、前記接続部に重なった他のコンタクトホールを有した第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に形成され、前記共通電極と対向し、前記他のコンタクトホールを介して前記接続部に電気的に接続された画素電極と、を備えている液晶表示パネル。 - 前記接続部は、前記共通電極と同一の材料で形成されている請求項1に記載の液晶表示パネル。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008174895A JP5408914B2 (ja) | 2008-07-03 | 2008-07-03 | 液晶表示パネル |
US12/494,527 US8294863B2 (en) | 2008-07-03 | 2009-06-30 | Liquid crystal display device and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008174895A JP5408914B2 (ja) | 2008-07-03 | 2008-07-03 | 液晶表示パネル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010014975A JP2010014975A (ja) | 2010-01-21 |
JP5408914B2 true JP5408914B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=41464091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008174895A Active JP5408914B2 (ja) | 2008-07-03 | 2008-07-03 | 液晶表示パネル |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8294863B2 (ja) |
JP (1) | JP5408914B2 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI613489B (zh) * | 2008-12-03 | 2018-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
TWI418903B (zh) * | 2009-09-30 | 2013-12-11 | Au Optronics Corp | 陣列基板及其製造方法 |
JP5284538B2 (ja) * | 2010-04-16 | 2013-09-11 | シャープ株式会社 | 電子基板の製造方法、液晶表示装置の製造方法、電子基板、及び、液晶表示装置 |
JP5318302B2 (ja) | 2011-03-25 | 2013-10-16 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
JP5417383B2 (ja) | 2011-06-13 | 2014-02-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP5450516B2 (ja) | 2011-06-20 | 2014-03-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
JP2013007769A (ja) | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Japan Display Central Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP5677580B2 (ja) * | 2011-08-10 | 2015-02-25 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネル |
KR20130032743A (ko) * | 2011-09-23 | 2013-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
US20140340607A1 (en) * | 2011-11-18 | 2014-11-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, method for fabricating the semiconductor device and display device |
CN103988288B (zh) * | 2011-12-05 | 2016-10-12 | 夏普株式会社 | 半导体装置 |
US20130162938A1 (en) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Liquid Crystal Display Device, Low Temperature Poly-Silicon Display Device, and Manufacturing Method Thereof |
KR101971594B1 (ko) | 2012-02-16 | 2019-04-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
JP5947650B2 (ja) | 2012-07-27 | 2016-07-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置および電子機器 |
JP6037753B2 (ja) * | 2012-10-02 | 2016-12-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
KR102093903B1 (ko) | 2013-02-15 | 2020-03-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
US9530801B2 (en) * | 2014-01-13 | 2016-12-27 | Apple Inc. | Display circuitry with improved transmittance and reduced coupling capacitance |
KR102153002B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2020-09-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
CN107564920A (zh) * | 2017-07-31 | 2018-01-09 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
CN107561793B (zh) * | 2017-09-26 | 2020-11-06 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及液晶显示面板 |
JP7096718B2 (ja) * | 2018-07-09 | 2022-07-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102666532B1 (ko) * | 2018-09-27 | 2024-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN113703238A (zh) * | 2021-09-09 | 2021-11-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及电子装置 |
CN114137771B (zh) | 2021-12-08 | 2023-08-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970000359B1 (ko) * | 1991-09-26 | 1997-01-08 | 가부시기가이샤 도오시바 | 액정표시장치 |
KR100627649B1 (ko) * | 2000-10-30 | 2006-09-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반투과 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
US6833883B2 (en) * | 2001-02-13 | 2004-12-21 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for reflective and transflective liquid crystal display devices and manufacturing method for the same |
JP3880568B2 (ja) | 2002-10-25 | 2007-02-14 | 鹿児島日本電気株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2006317962A (ja) | 2002-10-25 | 2006-11-24 | Nec Kagoshima Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4907245B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2012-03-28 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 半透過型液晶表示装置 |
JP4866703B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2012-02-01 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
-
2008
- 2008-07-03 JP JP2008174895A patent/JP5408914B2/ja active Active
-
2009
- 2009-06-30 US US12/494,527 patent/US8294863B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8294863B2 (en) | 2012-10-23 |
US20100002178A1 (en) | 2010-01-07 |
JP2010014975A (ja) | 2010-01-21 |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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