JP4907245B2 - 半透過型液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、半透過型液晶表示装置に係り、特に、ＩＰＳ（Ｉn Ｐlane Ｓwitching）方式及び縦電界方式の半透過型液晶表示装置に関するものである。

１サブピクセル内に、透過部と反射部とを有する半透過型液晶表示装置が携帯機器用のディスプレイとして使用されている。
これらの半透過型液晶表示装置においては、一対の基板間に挟持される液晶に対して、一対の基板の基板平面に垂直な方向に電界を印加して、液晶を駆動する縦電界方式が用いられている。この場合に、透過部と反射部との特性を合わせるために、透過部と反射部とで段差を設け、さらに偏光板と液晶層との間に位相差板を設置している。
一方、液晶表示装置として、ＩＰＳ方式の液晶表示装置が知られており、このＩＰＳ方式の液晶表示装置では、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）とを同じ基板上に形成し、その間に電界を印加させ液晶を基板平面内で回転させることにより、明暗のコントロールを行っている。そのため、斜めから画面を見た際に表示像の濃淡が反転しないという特徴を有する。この特徴を活かすために、ＩＰＳ方式の液晶表示装置を用いて、半透過型液晶表示装置を構成することが提案されている。
しかしながら、ＩＰＳ方式の液晶表示装置を用いて、半透過型液晶表示装置を構成した場合に、例えば、透過部がノーマリブラックの場合、反射部がノーマリホワイトとなり、透過部と反射部で明暗が逆転するという問題点（１）があった。
そこで、前述の問題点（１）を解決するために、本出願人は、新規な画素構造を有する半透過型液晶表示装置を、既に出願済みである（下記、特許文献１参照）。
この既に出願済みの半透過型液晶表示装置では、各サブピクセルの画素構造として、透過部と反射部とで共通する画素電極に対して、対向電極を透過部と反射部とでそれぞれ独立させ、それぞれ異なる基準電圧（対向電圧またはコモン電圧）を印加することにより、透過部と反射部で明暗が逆転するのを防止している。

ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、画素電極（ＰＩＸ）は、一対の基板の一方の基板の液晶側に設けられる。この場合、対向電極（ＣＴ）に穴を開けて、その中にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを介して画素電極（ＰＩＸ）に駆動電圧が印加されるようにしている。
しかしながら、前述の特許文献１に記載の半透過型液晶表示装置において、一方の基板の液晶側に配置される画素電極（ＰＩＸ）に駆動電圧を印加するために、対向電極（ＣＴ）に穴を開けて、その中にコンタクトホールを形成する場合には、非表示部が増えてしまい、透過率が低下するという問題点（２）があった。
そこで、このような問題点（２）を解決するため、本出願人は、新規な画素構造を有する半透過型液晶表示装置を、既に出願済みである（下記特許文献２参照）。
この既に出願済みの半透過型液晶表示装置では、相対向する対向電極（ＣＴ）の隙間を、コンタクトホールの形成に必要な対向電極（ＣＴ）の開口として使用することにより、透過率が低下するのを防止している。

なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
特願２００５−３２２０４９ 特願２００６−１０９６５９ 特開平５−１２７１９５号公報

本発明者は、前述の特許文献２に記載の半透過型液晶表示装置について検討した結果、以下の問題点を見出した。
図２３は、特許文献２の半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの画素部において、アクティブ素子の電極に画素電極が接続された接続部の構成を示す断面図であり、図２４は、特許文献２の構造に適用することを検討中の半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの周辺回路部において、アクティブ素子の電極にＩＴＯ膜を介して画素電極が接続された接続部の構成を示す断面図である。
図２３及び図２４において、１５，１６，１７は層間絶縁膜、ＣＴは対向電極、ＤＤ，ＤＤ１は薄膜トランジスタ（アクティブ素子）のドレイン電極として機能する電極、ＰＩＸは画素電極、ＲＡＬは反射電極、ＣＨ２，ＣＨ３，ＣＨ４はコンタクトホールである。
特許文献２に記載の半透過型液晶表示装置では、図２３に示すように、コンタクトホールＣＨ３を介して、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）に画素電極（ＰＩＸ）を直接コンタクトする構造になっている。この構造は、層間絶縁膜１６のコンタクトホールＣＨ２の内側にも層間絶縁膜１７を形成し、この層間絶縁膜１７に孔を開け、そのパターンを利用して下層の層間絶縁膜１５を加工してコンタクトホールＣＨ３を形成することによって実現される。
しかしながら、コンタクトホールＣＨ３を形成する際、層間絶縁膜１５と層間絶縁膜１７との膜質の違いから一括加工に不具合が生じることがあり、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）に画素電極（ＰＩＸ）が電気的に接続されない接続不良が発生することがある。
そこで、本発明者は、層間絶縁膜１７を加工する前に、層間絶縁膜１５を加工することを検討した。しかしながら、この場合、反射電極（ＲＡＬ）のパターニング時に薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）が溶解してしまい、この場合においても薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）に画素電極（ＰＩＸ）が電気的に接続されない接続不良が発生してしまう。この接続不良は、半透過型液晶表示装置の製造歩留まり低下の要因となる。

周辺回路部において、対向電極（ＣＴ）に供給する電位を薄膜トランジスタで制御する場合、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ１）と対向電極（ＣＴ）との電気的な接続が必要である。図２３で説明した製造プロセスを用いた場合、図２４に示すように、最上層のＩＴＯ膜２０（画素電極（ＰＩＸ）と同一工程で加工）を使って薄膜トランジスタの電極（ＤＤ１）と対向電極（ＣＴ）とを電気的に接続する必要があり、高抵抗ＩＴＯのチェーン抵抗による接続抵抗の高抵抗化が問題となる。接続抵抗が高くなると、対向電極（ＣＴ）に印加される駆動電圧が変動して表示むら等が発生し、結果として表示品質が劣化することが想定される。
本発明の目的は、半透過型液晶表示装置の製造歩留まり向上を図ることが可能な技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、半透過型液晶表示装置の表示品質向上を図ることが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶層とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、各々が透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有する半透過型液晶表示装置であって、前記一対の基板のうちの一方の基板は、アクティブ素子と、前記アクティブ素子の電極よりも上層に設けられ、第１のコンタクトホールを有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられた対向電極と、前記対向電極よりも上層で、前記反射部に設けられた反射電極と、前記対向電極および前記反射電極よりも上層に設けられ、第２のコンタクトホールを有する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた画素電極と、前記第１のコンタクトホールに形成され、前記アクティブ素子の電極と電気的に接続される導電体とを有し、前記画素電極は、前記第２のコンタクトホールを介して前記導電体と電気的に接続されている。
（２）前記（１）において、前記導電体は、前記第１のコンタクトホールの内外にわたって形成されている。

（３）前記（１）又は（２）において、前記一方の基板は、前記アクティブ素子の前記電極よりも上層であって、前記第１の絶縁膜よりも下層に第３の絶縁膜を有し、前記第３の絶縁膜は、第３のコンタクトホールを有し、前記導電体は、前記第１及び前記第３のコンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記電極と電気的に接続されている。
（４）前記（１）乃至（３）の何れかにおいて、前記導電体は、前記対向電極と同一工程で、かつ前記対向電極と電気的に分離して形成されている。
（５）前記（１）乃至（４）の何れかにおいて、前記アクティブ素子の前記電極は、その表面に前記反射電極の材料を１％以上含む。
（６）前記（１）乃至（５）の何れかにおいて、前記アクティブ素子の前記電極は、前記反射電極のエッチング液又はエッチングガスでエッチングされる材料からなる。
（７）前記（１）乃至（６）の何れかにおいて、前記画素電極は、前記対向電極に重畳して配置されており、前記画素電極と、前記第２の絶縁膜と、前記対向電極とで保持容量が形成されている。
（８）前記（１）乃至（７）の何れかにおいて、前記複数のサブピクセルの各々のサブピクセルは、前記画素電極が、前記透過部と前記反射部とで共通であり、前記対向電極が、前記透過部と前記反射部とで夫々独立しており、前記対向電極に印加される駆動電圧は、前記透過部と前記反射部とで異なっている。
（９）前記（１）乃至（７）の何れかにおいて、前記反射部には、位相差板が設けられている。

（１０）一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶層とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、各々が透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有する半透過型液晶表示装置であって、前記一対の基板のうちの一方の基板は、アクティブ素子と、前記アクティブ素子の電極よりも上層に設けられ、第１のコンタクトホールを有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられたコモン電極と、前記コモン電極よりも上層で、前記反射部に設けられた反射電極と、前記コモン電極および前記反射電極よりも上層に設けられ、第２のコンタクトホールを有する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた画素電極と、前記第１のコンタクトホールに形成され、前記アクティブ素子の電極と電気的に接続される導電体とを有し、前記画素電極は、前記第２のコンタクトホールを介して前記導電体と電気的に接続されている。
（１１）前記（１０）において、前記導電体は、前記第１のコンタクトホールの内外にわたって形成されている。

（１２）前記（１０）又は（１１）において、前記一方の基板は、前記アクティブ素子の前記電極よりも上層であって、前記第１の絶縁膜よりも下層に第３の絶縁膜を有し、前記第３の絶縁膜は、第３のコンタクトホールを有し、前記導電体は、前記第１及び前記第３のコンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記電極と電気的に接続されている。
（１３）前記（１０）乃至（１２）の何れかにおいて、前記導電体は、前記コモン電極と同一工程で、かつ前記コモン電極と電気的に分離して形成されている。
（１４）前記（１０）乃至（１３）の何れかにおいて、前記アクティブ素子の電極は、その表面に前記反射電極の材料を１％以上含む。
（１５）前記（１０）乃至（１４）の何れかにおいて、前記アクティブ素子の電極は、前記反射電極のエッチング液又はエッチングガスでエッチングされる材料からなる。
（１６）前記（１０）乃至（１５）の何れかにおいて、前記画素電極は、前記コモン電極に重畳して配置されており、前記画素電極と、前記第２の絶縁膜と、前記コモン電極とで保持容量が形成されている。
（１７）前記（１０）乃至（１６）の何れかにおいて、前記一対の基板のうちの他方の基板は、対向電極を有する。

（１８）一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶層とを有する液晶表示パネルを備え、前記液晶表示パネルは、各々が透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有する半透過型液晶表示装置であって、前記一対の基板のうちの一方の基板は、対向電極に駆動電位を供給するアクティブ素子と、前記アクティブ素子の電極よりも上層に設けられ、第１のコンタクトホールを有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられた前記対向電極とを有し、前記対向電極は、前記第１のコンタクトホールを介して前記アクティブ素子の電極と電気的に接続されている。
（１９）前記（１８）において、前記サブピクセルは、前記反射部に反射電極を有し、前記反射電極と同一工程で形成された金属膜が、前記第１のコンタクトホールの内外にわたって前記対向電極と電気的に接続されている。

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
本発明によれば、半透過型液晶表示装置の製造歩留まり向上を図り、かつ、半透過型液晶表示装置の表示品質向上を図ることが可能となる。

以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
［実施例１］
図１１及び図１２は、本発明の実施例１の半透過型液晶表示装置に係る図であり、
図１１は、サブピクセルの電極構造を示す平面図、
図１２は、透過部の対向電極と反射部の対向電極に印加する基準電圧を示す図である。
図１１において、３０は、透過型液晶表示パネルを構成する透過部、３１は、反射型液晶表示パネルを構成する反射部である。但し、透過部３０は、ノーマリブラックであり、反射部３１は、ノーマリホワイトである。
本実施例では、１サブピクセル内で、画素電極（ＰＩＸ）は共通であるが、対向電極（ＣＴ）が、透過部３０と、反射部３１とでそれぞれ独立している。即ち、対向電極（ＣＴ）が、透過部用と、反射部用に２分割される。そして、反射部３１の対向電極（ＣＴ）上には反射電極（ＲＡＬ）が形成される。
なお、図１１では、隣接する２つの表示ラインの、一方の表示ライン（図１１のＡで示すサブピクセルを有する表示ライン）における反射部３１の対向電極（ＣＴ）と、他方の表示ライン（図１１のＢで示すサブピクセルを有する表示ライン）における透過部３０の対向電極（ＣＴ）とを共通の電極で構成した場合を図示している。また、図１１の矢印Ｃが走査方向を示す。

そして、図１２に示すように、１サブピクセル内で、透過部３０の対向電極（ＣＴ）と、反射部３１の対向電極（ＣＴ）には異なる基準電圧が印加される。
例えば、図１１のＡで示すサブピクセルでは、透過部３０の対向電極（ＣＴ）には、Ｈｉｇｈレベル（以下、Ｈレベル）の基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｈ）が印加され、反射部３１の対向電極（ＣＴ）には、Ｌｏｗレベル（以下、Ｌレベル）の基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｌ）が印加される。
また、この図１１のＡで示すサブピクセルでは、画素電極（ＰＩＸ）に、透過部３０で見た場合には負極性で、反射部３１で見た場合には正極性の映像電圧（Ｖ−ＰＸ）が印加されている。尚、ここでいう負極性とは、画素電極（ＰＩＸ）の電位が対向電極（ＣＴ）の電位よりも低いことを意味しており、画素電極（ＰＩＸ）の電位が０Ｖよりも大きいか小さいかは問わない。同様に、ここでいう正極性とは、画素電極（ＰＩＸ）の電位が対向電極（ＣＴ）の電位よりも高いことを意味しており、画素電極（ＰＩＸ）の電位が０Ｖよりも大きいか小さいかは問わない。

同様に、図１１のＢで示すサブピクセルでは、透過部３０の対向電極（ＣＴ）には、Ｌレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｌ）が印加され、反射部３１の対向電極（ＣＴ）には、Ｈレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｈ）が印加される。また、この図１１のＢで示すサブピクセルでは、画素電極（ＰＩＸ）に、透過部３０で見た場合には正極性で、反射部３１で見た場合には負極性の映像電圧（Ｖ−ＰＸ）が印加されている。
ここで、画素電極（ＰＩＸ）に印加される映像電圧（Ｖ−ＰＸ）は、Ｈレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｈ）と、Ｌレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｌ）との間の電位である。
したがって、図１１のＡ、Ｂで示すサブピクセルにおいては、透過部３０では、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差（図１２のＶａ）が大きくなり、反射部３１では、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差（図１２のＶｂ）が小さくなる。
そのため、図１２に示した電位が印加されている場合は、透過部３０では、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖａが大きいので明るくなる。このとき、反射部３１では、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖｂが小さいので、同様に明るくなる。
そして、透過部３０において、画素電極（ＰＩＸ）の電位（映像信号の電位）を図１２とは異なる電位に変化させ、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖａをさらに大きくすると、反射部３１において、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖｂがさらに小さくなるので、透過部３０および反射部３１は、ともに、より明るくなる。

逆に、透過部３０において、画素電極（ＰＩＸ）の電位（映像信号の電位）を図１２とは異なる電位に変化させ、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖａを小さくすると、反射部３１において、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖｂが大きくなるので、透過部３０および反射部３１は、ともに暗くなる。
このように、１サブピクセル内で、対向電極（ＣＴ）を、透過部用と、反射部用に２分割し、透過部３０の対向電極（ＣＴ）と、反射部３１の対向電極（ＣＴ）とに、それぞれ逆極性の基準電圧（尚、ここでいう逆極性とは、一方がＨレベルの時に他方がＬレベルとなることを意味している。）を印加するようにしたので、透過部３０と反射部３１で明暗が逆転するのを防止することができる。すなわち、透過部３０がノーマリブラックで、反射部３１がノーマリホワイトであるにもかかわらず、反射部３１の対向電極（ＣＴ）に印加される電圧を工夫することにより、明暗逆転の問題を解決している。

図１−１は、本発明の実施例１の半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。
図１−２は、図１−１に示す画素電極、対向電極、反射電極のみを取り出して示す図である。また、図１−２において、Ａ，Ｂの点線枠で示す部分がそれぞれ１サブピクセルを示す。
図１−２に示すように、本実施例１でも、１サブピクセル内で、画素電極（ＰＩＸ）は共通であるが、対向電極（ＣＴ）が、透過部３０と、反射部３１とでそれぞれ独立している。即ち、対向電極（ＣＴ）が、透過部用と、反射部用に２分割される。そして、反射部３１の対向電極（ＣＴ）上には反射電極（ＲＡＬ）が形成される。
なお、図１−２では、隣接する２つの表示ラインの、一方の表示ライン（図１−２のＡで示すサブピクセルを有する表示ライン）における反射部３１の対向電極（ＣＴ）と、他方の表示ライン（図１−２のＢで示すサブピクセルを有する表示ライン）における透過部３０の対向電極（ＣＴ）とを共通の電極で構成した場合を図示している。また、図１−２の矢印Ｃが走査方向を示す。
画素電極（ＰＩＸ）は、連結部５３と、連結部５３の両側に形成される透過部用の櫛歯電極（複数の線状部分）５１と、反射部用の櫛歯電極（複数の線状部分）５２とで構成される。そして、連結部５３の領域に後述するコンタクトホールが形成される。
また、対向電極（ＣＴ）の相対向する辺には、コンタクトホールを形成するための凹部５４が設けられる。

図２は、図１−１のＡ−Ａ'線に沿った断面構造を示す要部断面図、
図３は、図１−１のＢ−Ｂ'線に沿った断面構造を示す要部断面図、
図４は、図１−１のＣ−Ｃ'線に沿った断面構造を示す要部断面図、
図５は、サブピクセルの透過部及び反射部の断面構造を示す要部断面図である。
図５において、（ａ）は透過部３０の断面構造を示し、（ｂ）は反射部３１の断面構造を示す。
以下、図２乃至図５を用いて、本実施例１の半透過型液晶表示装置の全体構造について説明する。
本実施例１では、図５に示すように、多数の液晶分子を含む液晶層（ＬＣ）を挟んで、一対のガラス基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）が設けられる。ここで、ガラス基板（ＳＵＢ２）の主表面側が観察側となっている。
透過部３０（図５の（ａ））のガラス基板（ＳＵＢ２）側には、ガラス基板（ＳＵＢ２）から液晶層（ＬＣ）に向かって順に、ブラックマトリクス（図示せず）およびカラーフィルタ（ＦＩＲ）、絶縁膜１８、配向膜（ＯＲ２）が形成される。
なお、反射部３１（図５の（ｂ））のガラス基板（ＳＵＢ２）側の構成は、絶縁膜１８と配向膜（ＯＲ２）との間に、段差形成層（ＭＲ）が形成される以外は、透過部３０と同じである。ここで、ガラス基板（ＳＵＢ２）の外側には偏光板（ＰＯＬ２）が形成される。

また、透過部３０（図５の（ａ））のガラス基板（ＳＵＢ１）側には、ガラス基板（ＳＵＢ１）から液晶層（ＬＣ）に向かって順に、層間絶縁膜（１１〜１６）、対向電極（ＣＴ）、層間絶縁膜１７、画素電極（ＰＩＸ）、配向膜（ＯＲ１）が形成される。
なお、反射部３１（図５の（ｂ））のガラス基板（ＳＵＢ１）側の構成は、対向電極（ＣＴ）と層間絶縁膜１７の間に反射電極（ＲＡＬ）が形成される以外は、透過部３０と同じである。ここで、ガラス基板（ＳＵＢ１）の外側にも偏光板（ＰＯＬ１）が形成される。
なお、図１−１〜図５において、Ｄは映像線（ソース線ともいう）、Ｇは走査線（ゲート線ともいう）、Ｐｏｌｙ−Ｓｉは半導体層、ＤＤは薄膜トランジスタ（アクティブ素子）のドレイン電極として機能する電極、ＣＨ１，ＣＨ２ａ，ＣＨ３ａ，ＣＨ４ａはコンタクトホール、ＥＦＳは電気力線である。
画素電極（ＰＩＸ）および対向電極（ＣＴ）は、例えば、ＩＴＯ（Ｉndium Ｔin Ｏxide）等の透明導電膜で構成される。
また、対向電極（ＣＴ）は面状に形成され、さらに、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）とが、層間絶縁膜１７を介して重畳しており、これによって保持容量を形成している。
段差形成層（ＭＲ）は、反射部３１における光の光路長が、λ／４波長相当の光路長となるように、反射部３１の液晶層（ＬＣ）のセルギャップ長（ｄ）を調整するためのものである。また、反射電極（ＲＡＬ）は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）の金属膜で構成されるが、これに限らず、例えば、下層のモリブデン（Ｍｏ）と、上層のアルミニウム（Ａｌ）の２層構造であってもよい。
薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）は、例えば、上からチタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）の３層構造で構成される。
本実施例のように、１サブピクセル内で、透過部３０と反射部３１とで対向電極（ＣＴ）を分割すると、互いに印加される電圧が異なるため、相対向する対向電極（ＣＴ）の隙間（あるいは、切れ目）１０には、画素電極（ＰＩＸ）では制御できない電界が発生する。
これは、例えば、黒表示時において、相対向する対向電極（ＣＴ）の隙間１０の近傍の透過部３０に光漏れ箇所を作り、結果として、透過部３０のコントラストを低下させる。
そこで、相対向する対向電極（ＣＴ）の隙間１０の上に、画素電極（ＰＩＸ）をオーバーラップさせることで、相対向する対向電極（ＣＴ）の隙間１０においても、液晶の駆動は画素電極（ＰＩＸ）と、相対向する対向電極（ＣＴ）との間の電界で制御でき、光漏れを抑制することができる。
また、対向電極（ＣＴ）より下側に位置する薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）と、対向電極（ＣＴ）より上側に位置する画素電極（ＰＩＸ）とを電気的に接続するには、対向電極（ＣＴ）に開口を作り、その中に、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）と画素電極（ＰＩＸ）とを接続するコンタクトホールを形成する必要がある。
そこで、相対向する対向電極（ＣＴ）の隙間１０を、コンタクトホールの形成に必要な対向電極（ＣＴ）の開口として使用することにより、液晶駆動効率が低い箇所の占有面積を減らすことができ、実質的に開口率を向上させることができる。

図３に示すように、画素電極（ＰＩＸ）は、コンタクトホールに形成された導電体（ＰＤ）を介して薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）と電気的に接続されている。本実施例１において、層間絶縁膜１５はコンタクトホールＣＨ２ａを有し、層間絶縁膜１６はコンタクトホールＣＨ３ａを有し、層間絶縁膜１７はコンタクトホールＣＨ４ａを有しており、導電体（ＰＤ）はコンタクトホールＣＨ２ａ及びＣＨ３ａを介して薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）と電気的に接続され、画素電極（ＰＩＸ）はコンタクトホールＣＨ４ａを介して導電体（ＰＤ）と電気的に接続されている。
また、導電体（ＰＤ）は、対向電極（ＣＴ）と同一工程で、かつ対向電極（ＣＴ）と電気的に分離して形成されている。更に導電体（ＰＤ）は、コンタクトホールＣＨ３ａの内外にわたって形成されている。

図２〜図５における各部の製造方法について、図６ａ〜図６ｆを用いて説明する。なお、（１）より前の工程は通常と同じなので省略する。
（１）映像線（Ｄ）、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）、及び層間絶縁膜１５（図６ａ参照）；
映像線（Ｄ）及び薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）を形成するために、下層Ｔｉ、中間層Ａｌ、上層Ｔｉの材料を形成、パターン加工して映像線（Ｄ）、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）を形成する。その後に、ＣＶＤによりＳｉＮ膜を２００ｎｍの厚さに形成する。
（２）コンタクトホール（ＣＨ２ａ）（図６ａ参照）；
層間絶縁膜１５を成膜した後に、感光性レジストを塗布し、所望のパターンが描かれたホトマスクをマスクに露光し、アルカリ現像液で部分的にレジストを除去する（ポジ型のレジストの場合は、露光された部分が除去される）。レジストのパターンをマスクに、ＳＦ_６＋Ｏ_２、又はＣＦ_２のガスでドライエッチングして層間絶縁膜１５の一部を除去する。
画素部に注目すると、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）と、以下のプロセスで形成する画素電極（ＰＩＸ）とを接続するため、電極（ＤＤ）部にコンタクトホール（ＣＨ２ａ）を形成する。
コンタクトホールＣＨ２ａを形成した後、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）の下層に配置されているＰoly-Ｓｉの欠陥を水素で終端させるため、Ｈ２雰囲気下で４００℃、１時間のアニール処理を施した。
（３）層間絶縁膜１６及びコンタクトホール（ＣＨ３ａ）（図６ｂ参照）；
コンタクトホールＣＨ２ａを形成した後に、感光性樹脂を塗布し、所望のパターンが描かれたホトマスクをマスクに露光し、アルカリ現像液で部分的にレジストを除去する。このとき、コンタクトホール（ＣＨ３ａ）に相当する箇所のレジストを除去する。
樹脂の焼成条件により、基板表面の凹凸を制御でき、本実施例１ではコンタクトホール部を除く基板表面が概略平坦になるように焼成条件を２３０℃、６０分とした。
さらに、層間絶縁膜１６の膜厚は、焼成後で約１．８μｍ（画素電極表面平坦部（コンタクトホール部以外））としている。
なお、ハーフトーン露光などを利用して、反射部に凹凸を形成してもよい。こうすることで、ＲＡＬが凹凸形状となり拡散反射が可能となる。

（４）対向電極（ＣＴ）及び導電体（ＰＤ）（図６ｃ参照）；
アモルファスＩＴＯ（７７ｎｍ）をスパッタ形成した後、感光性レジストを塗布する。所望のパターンが描かれたホトマスクをマスクに露光し、アルカリ現像液で部分的にレジストを除去する（ポジ型のレジストの場合は、露光された部分が除去される）。レジストのパターンをマスクに、ＩＴＯをエッチングするエッチング液（例えば、蓚酸）で除去する。本実施例１においては、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）と画素電極（ＰＩＸ）とを接続するためのコンタクトホールが位置する箇所に、導電体（ＰＤ）が残るようにパターンは工夫されている。
その後、レジスト剥離液（例えば、ＭＥＡ（モノエタノールアミン））でレジストを除去する。最後に、次の工程で形成する反射電極（ＲＡＬ；上層ＡｌＳｉ／下層ＭｏＷ）の加工時に使用する酸液により、アモルファスＩＴＯが溶解されないように、２３０℃、６０分の熱処理を実施し、結晶化させた。
パネル駆動において、上述した導電体（ＰＤ）は、その周辺にある対向電極（ＣＴ）とは電位が異なるため、一定以上の間隔を空けている（対向電極（ＣＴ）と導電体（ＰＤ）との間隔：１μｍ以上）。

（５）反射電極（ＲＡＬ）（図６ｄ参照）；
Ｍｏ（５０ｎｍ）、Ａｌ（１５０ｎｍ）の順に、スパッタ形成したのち、感光性レジストを塗布する。所望のパターンが描かれたホトマスクをマスクに露光し、アルカリ現像液で部分的にレジストを除去する（ポジ型のレジストの場合は、露光された部分が除去される）。レジストのパターンをマスクに、Ｍｏ及びＡｌを一括して加工できるエッチング液（例えば、りん酸と硝酸の混合液）で除去する。
その後、レジスト剥離液（例えば、ＭＥＡ（モノエタノールアミン））でレジストを除去する。
（６）層間絶縁膜１７及びコンタクトホール（ＣＨ４ａ）（図６ｅ参照）；
層間絶縁膜１６と同じ方法で形成される。但し、本実施例１においては、導電体（ＰＤ）上の層間絶縁膜１７を開口してコンタクトホール（ＣＨ４ａ）を形成した。
なお、反射電極（ＲＡＬ）に拡散反射のための凹凸を形成した場合でも、塗布型の絶縁膜を用いているので、層間絶縁膜１７の表面は平坦にできる。

（７）画素電極（ＰＩＸ）（図６ｆ参照）；
ＩＴＯ（７７ｎｍ）をスパッタ形成したのち、感光性レジストを塗布し、所望のパターンが描かれたホトマスクをマスクに露光し、アルカリ現像液で部分的にレジストを除去する（ポジ型のレジストの場合は、露光された部分が除去される）。レジストのパターンをマスクに、ＩＴＯをエッチングするエッチング液（例えば、蓚酸）で除去する。その後、レジスト剥離液（例えば、ＭＥＡ（モノエタノールアミン））でレジストを除去する。画素電極（ＰＩＸ）は、対向電極（ＣＴ）の上に櫛歯状のパターンで形成した。

図７は、本実施例１の半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの等価回路を示す。
図７において、Ｄｎ、Ｄｎ＋１、Ｄｎ＋２は、それぞれｎ番目、（ｎ＋１）番目、（ｎ＋２）番目の映像線、Ｇｍ、Ｇｍ＋１は、それぞれｍ番目、（ｍ＋１）番目の走査線、ＣＴｋ、ＣＴｋ＋１、ＣＴｋ＋２は、それぞれｋ番目、（ｋ＋１）番目、（ｋ＋２）番目の対向電極、Ａは１サブピクセル、ＣＬＣＴは、透過部３０の液晶容量、ＣＬＣＲは、反射部３１の液晶容量である。
映像線（Ｄ）が延在する方向と、走査線（Ｇ）、対向電極（ＣＴ）が延在する方向は交差または直交する。また、対向電極（ＣＴ）は、ストライプ状に配置される。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極は映像線（Ｄ）に接続され、ドレイン電極（電極（ＤＤ））は画素電極（ＰＩＸ）に接続され、画素電極（ＰＩＸ）には、映像線（Ｄ）の電圧が、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を介して供給される。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極は、走査線（Ｇ）に接続され、走査線（Ｇ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオン、オフする。
本実施例では、１サブピクセル内において、透過部３０と反射部３１とで画素電極（ＰＩＸ）は共通ではあるが、対向電極（ＣＴ）は異なり、また、その電位も異なる。

走査線（Ｇｍ）の電圧が、Ｈｉｇｈレベルとなることにより、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がオンし、画素電極（ＰＩＸ（ｎ，ｋ））に映像電位が書き込まれる。
走査線（Ｇｍ）の電圧が、Ｌｏｗレベルとなった後も、Ｈｉｇｈレベルの間に書き込まれた電圧は、サブピクセル（ＰＸＬ）内に設けられた保持容量によって、次のフレームに、走査線（Ｇｍ）が、Ｈｉｇｈレベルとなるまで保持される。前述したように、保持容量は、面状に形成された対向電極（ＣＴ）と、画素電極（ＰＩＸ）と、対向電極（ＣＴ）と画素電極（ＰＩＸ）との間に形成される層間絶縁膜１７で構成される。
対向電極（ＣＴｋ）と、対向電極（ＣＴｋ＋１）の電圧レベルは、それぞれ異なっており、例えば、対向電極（ＣＴｋ）がＨレベルのとき、対向電極（ＣＴｋ＋１）はＬｏｗレベルとなる（但し、走査線（Ｇｍ）がＨレベルになる直前を除く）。
透過部３０の液晶層（ＬＣ）は、対向電極（ＣＴｋ）と、画素電極（ＰＩＸ（ｎ，ｋ））の電位差により駆動され、反射部３１の液晶層（ＬＣ）は、対向電極（ＣＴｋ＋１）と画素電極（ＰＩＸ（ｎ，ｋ））により駆動される。
本実施例１では、このようにして、透過部３０と反射部３１それぞれの液晶分子に印加する電圧を制御する。
映像線（Ｄ）と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のドレイン電極との間に形成される寄生容量（Ｃｄｓ）の存在は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がオフの時に画素電極電位が映像線（Ｄ）の電位変化に連動することに起因する表示むらの原因となる。サブピクセル間で寄生容量（Ｃｄｓ）がばらついている時には、その表示むらが顕著に発生する。上記説明では、寄生容量（Ｃｄｓ）を十分に小さく設計することで、画素電極電位の変動はないものとした。
図７に示すサブピクセル（（ＰＸＬ）（ｎ，ｋ））の電圧波形を図８に示す。図８において、Ｖａは、透過部３０の画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差であり、Ｖｂは、反射部３１の画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差である。また、Ｈは１水平走査期間、Ｖは１垂直走査期間（フレーム期間）、Ｇｍは走査信号、Ｄｎは映像信号、ＰＩＸ（ｎ，ｋ）は画素電極の電圧である。

ここで、本実施例１の製造プロセスにおいて、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）は、反射電極（ＲＡＬ）の加工時に、対向電極（ＣＴ）と同じ材料からなる導電体（ＰＤ）で覆われているため、反射電極（ＲＡＬ）のパターニング時に溶解されない。
本来、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）の最上層にあるＴｉは、反射電極（ＲＡＬ）の加工時に用いるりん酸と硝酸の混合液には溶解しない。従って、導電体（ＰＤ）は不要ではないかと考えられるかもしれない。しかしながら、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）を形成した後のプロセスによっては、Ｔｉ内に下地のＡｌが拡散し、その表面に１％以上のＡｌが到達するため、導電体（ＰＤ）がなく、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）が露出している場合は、反射電極（ＲＡＬ）のエッチングの際に電極（ＤＤ）の表面に存在するＡｌの溶解とともに電極（ＤＤ）がダメージを受ける、またはＴｉがリフトオフする場合がある。
具体的には、基板（ＳＵＢ１）の形成工程においては、層間絶縁膜１５を形成した後に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉの欠陥を終端するために、Ｈ２雰囲気中でアニールを４００℃で実施するが、その際にＴｉはＨを吸蔵し脆くなる。その為、電極（ＤＤ）の下地のＡｌは、電極（ＤＤ）の最上層のＴｉ内を容易に拡散して表面に到達するため、表面のＡｌの濃度が１％以上だと、反射電極（ＲＡＬ）の加工時に薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）が露出していると電極（ＤＤ）が溶解する。
上記の理由から、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）の表面に、反射電極（ＲＡＬ）を構成する主材料であるＡｌ又はＭｏが存在するかどうかが、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）と画素電極（ＰＩＸ）とを接続するためのコンタクトホールに、導電体（ＰＤ）が必要かどうかの判断基準となる。特に、１％以上あると溶解し易いので、導電体（ＰＤ）を設けることが望ましい。
このように、コンタクトホールに形成された導電体（ＰＤ）を介して薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）と画素電極（ＰＩＸ）とを電気的に接続することにより、反射電極（ＲＡＬ）の加工時に、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）は対向電極（ＣＴ）と同じ材料からなる導電体（ＰＤ）で覆われているため、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）は反射電極（ＲＡＬ）のパターニング時に溶解されない。この結果、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）と画素電極（ＰＩＸ）との接続不良を抑制することができるため、半透過型液晶表示装置の製造歩留まり向上を図ることができる。
なお、Ａｌと、ＩＴＯを直接接続すると、その界面にＡｌとＩＴＯ中の酸素からなる絶縁性の酸化アルミニウムが形成され、接続抵抗が不安定になる（接続信頼性低下）。よって、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）と導電体（ＰＤ）との接続は、ＴｉとＩＴＯとで行っている。同じ理由で、導電体（ＰＤ）をアルミニウムで形成することは好ましくない。画素電極（ＰＩＸ）のＩＴＯとの接続が不安定になるからである。

周辺回路部において、対向電極（ＣＴ）に供給する電位を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ２）で制御するならば、対向電極（ＣＴ）と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ２）の電極（ＤＤ１）との接続（コンタクトホール）が必要である。
図９は、本実施例１の半透過型液晶表示装置において、液晶表示パネルの周辺回路部の等価回路を示す図であり、図１０は、図９に示す破線Ｓで囲まれた接続部の断面構造を示す要部断面図である。
図９において、外部から入力される固定電位ＶcomＨ，ＶcomＬは、２値ある対向電極（ＣＴ）のＨｉｇｈレベルの電位と、Ｌｏｗレベルの電位を示す。対向電極（ＣＴ）に供給される電位は、ＶＨあるいはＶＬの電圧でＯＮ／ＯＦＦする薄膜トランジスタ（ＴＦＴ２）により制御される。なお、ＶＨ，ＶＬともに外部より供給される。
周辺回路部において、図１０に示すように、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ１）と対向電極（ＣＴ）との接続は、層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホール（ＣＨ２ｂ）、並びに層間絶縁膜１６に形成されたコンタクトホール（ＣＨ３ｂ）を介して行われている。コンタクトホール（ＣＨ２ｂ）は、画素部のコンタクトホール（ＣＨ２ａ）と同一工程で形成され、コンタクトホール（ＣＨ３ｂ）は、画素部のコンタクトホール（ＣＨ３ａ）と同一工程で形成される。
このように、本実施例１の製造プロセスを適用すれば、歩留まり向上を図ることができることに加えて、図２４に示すように、対向電極と薄膜トランジスタの電極とを高抵抗のＩＴＯ膜を使って接続する必要もないため、接続抵抗の上昇を抑制することができる。この結果、対向電極（ＣＴ）に印加される駆動電圧が変動して発生する表示むら等を抑制できるため、半透過型液晶表示装置の表示品質向上を図ることができる。
また、接続に必要なエリア増大（つまり非表示部の拡大）を抑制することができる。
なお、図１０において、配線抵抗を減らすために反射電極（ＲＡＬ）と同一工程で形成された金属膜（ＲＡＬ２）は、コンタクトホール（ＣＨ３ｂ）の内外にわたって対向電極（ＣＴ）と電気的に接続されているが、金属膜（ＲＡＬ２）は、必ずしもコンタクトホール（ＣＨ３ｂ）内において対向電極（ＲＡＬ）と接続しなくともよい。

［実施例２］
図１３乃至図１７は、本発明の実施例２の半透過型液晶表示装置に係る図であり、
図１３は、半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図、
図１４は、図１３のＤ−Ｄ'線に沿った断面構造を示す要部断面図、
図１５は、図１３のＥ−Ｅ'線に沿った断面構造を示す要部断面図、
図１６は、図１３のＦ−Ｆ'線に沿った断面構造を示す要部断面図、
図１７は、半透過型液晶表示装置において、サブピクセルの透過部及び反射部の断面構造を示す要部断面図である。
図１７において、（ａ）は透過部３０の断面構造を示し、（ｂ）は反射部３１の断面構造を示す。
本実施例の半透過型液晶表示装置は、各サブピクセルの画素構造として、透過部と反射部とにおいて、画素電極と対向電極をそれぞれ共通とするものである。即ち、本実施例では、対向電極が、透過部と反射部とでそれぞれ独立しておらず、それぞれ異なる基準電圧も印加されない。
そのため、本実施例の半透過型液晶表示装置では、例えば、透過部がノーマリブラックの場合、反射部がノーマリホワイトとなり、透過部と反射部で明暗が逆転する。
そこで、本実施例の半透過型液晶表示装置では、反射部に位相差板（１／２波長板）（ＲＥＴ）を挿入し、透過部と反射部で明暗が逆転するのを防止している。
そのため、図１３乃至図１７に示すように、基本的に前述の実施例１と同様の構成になっているが、以下の点が異なっている。
即ち、本実施例２の半透過型液晶表示装置は、図１３に示すように、１サブピクセル毎に対向電極（ＣＴ）が形成されているとともに、図１７に示すように、反射部３１に位相差板（ＲＥＴ）が設けられている。本実施例２において、位相差板（ＲＥＴ）は、ガラス基板（ＳＵＢ２）の液晶層側に設けられている。
このように構成された本実施例２においても、前述の実施例１と同様に、半透過型液晶表示装置の製造歩留まり向上、並びに半透過型液晶表示装置の表示品質向上を図ることができる。
隣の行の対向電極（ＣＴ）と基準電位を異ならせる場合は、実施例１と同様に周辺回路では図１０の構造を適用できる。
なお、本発明は、位相差板（ＲＥＴ）が透過部及び反射部の両方又はどちらか一方に配置された半透過型液晶表示装置に適用できる。
位相差板（ＲＥＴ）は、ガラス基板（ＳＵＢ１）側に設けても良い。また、位相差板（ＲＥＴ）をガラス基板（ＳＵＢ１）又は（ＳＵＢ２）の液晶層（ＬＣ）の反対側に設けても良い。

［実施例３］
図２２は、従来のＶＡ方式の半透過型液晶表示装置における、サブピクセルの透過部及び反射部の断面構造を示す要部断面図であり、図２２の３０が透過部、３１が反射部を示す。
従来のＶＡ方式の半透過型液晶表示装置では、液晶層（ＬＣ）を挟んで、一対のガラス基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）が設けられる。図２２に示す半透過型液晶表示装置では、ガラス基板（ＳＵＢ２；ＣＦ基板ともいう。）の主表面側が観察側となっている。
ガラス基板（ＳＵＢ２）の液晶層側には、ガラス基板（ＳＵＢ２）から液晶層（ＬＣ）に向かって順に、遮光膜（ＢＭ）および赤・緑・青のカラーフィルタ層（ＣＦＲ）、保護膜（ＯＣ）、段差形成層（ＭＲ）および配向制御突起（ＤＰＲ）、対向電極（ＣＴ）、配向膜（ＯＲ２）が形成される。なお、ガラス基板（ＳＵＢ２）の外側には、位相差板（ＲＥＴ１）と、偏光板（ＰＯＬ２）が形成される。
また、ガラス基板（ＳＵＢ１；ＴＦＴ基板ともいう。）の液晶層側には、ガラス基板（ＳＵＢ１）から液晶層（ＬＣ）に向かって順に、絶縁膜（ＰＡＳ４）、ゲート絶縁膜（ＧＩ）、走査線（Ｇ）、層間絶縁膜（ＰＡＳ３）、映像線、層間絶縁膜（ＰＡＳ１）、画素電極（ＰＩＸ）、配向膜（ＯＲ１）、反射電極（ＲＡＬ）が形成される。なお、ガラス基板（ＳＵＢ１）の外側には、位相差板（ＲＥＴ１）、偏光板（ＰＯＬ１）が形成される。
本実施例では、基板（ＳＵＢ１）側に、平面状の画素電極（ＰＩＸ）が形成され、ガラス基板（ＳＵＢ２）側に、対向電極（ＣＴ）が平面状に共通に形成されており、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）との間に形成される縦電界により液晶層（ＬＣ）を配向変化させる。液晶層（ＬＣ）は初期配向は垂直配向であり、縦電界により基板に対して平行になるように液晶分子が倒れて配列する。なお、液晶分子が倒れる方向は配向方向を制御するための手段、例えば、配向制御突起（ＤＰＲ）により制御する。

図１８乃至図２２は、本発明の実施例３の半透過型液晶表示装置に係る図であり、
図１８は、半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図、
図１９は、図１８のＧ−Ｇ’線に沿った断面構造を示す要部断面図、
図２０は、図１８のＨ−Ｈ’線に沿った断面構造を示す要部断面図、
図２１は、図１８のＩ−Ｉ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。
本実施例３の半透過型液晶表示装置は、本発明を、ＴＮ方式、ＥＣＢ方式、あるいは、ＶＡ方式などの縦電界方式の半透過型液晶表示装置に適用した実施例である。
なお、本実施例において、ガラス基板（ＳＵＢ２）側の構成は図２２に示す半透過型液晶表示装置と同じ、又は類似するので図示は省略するが、本実施例では、画素電極（ＰＩＸ）が形成されたガラス基板（ＳＵＢ１）と対向するガラス基板（ＳＵＢ２）側に対向電極（ＣＴ）が配置される。なお、対向電極（ＣＴ）は１表示ライン毎に分割されていても、あるいは、１枚の面上に形成されていてもよい。
本実施例３の半透過型液晶表示装置が通常の縦電界方式と異なる点は、以下の２点である。
（１）画素電極（ＰＩＸ）下にコモン電極（ＣＯＭ）を配置して保持容量を形成している。
（２）画素電極（ＰＩＸ）下のコモン電極（ＣＯＭ）が画素毎に分割されていないことで、コモン電極（ＣＯＭ）下で発生する電界（例えば映像線（Ｄ）からの電界）をコモン電極（ＣＯＭ）でシールドしている。
なお、コモン電極（ＣＯＭ）上には反射電極（ＲＡＬ）が重畳しており、コモン電極（ＣＯＭ）と反射電極（ＲＡＬ）との間には膜が存在しない。
このように構成された本実施例３においても、前述の実施例１と同様に、半透過型液晶表示装置の製造歩留まり向上、並びに半透過型液晶表示装置の表示品質向上を図ることができる。
なお、先の特許文献３には、縦電界方式の液晶表示装置において、透明導電膜から成るシールド電極を配置し、画素電極との間で容量素子を形成することが記載されているが、この特許文献３には、半透過型液晶表示装置についての記載はなく、しかも、前述の各実施例の特徴とするアクティブ素子の電極と画素電極とを導電体（ＰＤ）を介して接続する構成は開示されていない。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
例えば、前述の実施例１〜３では、薄膜トランジスタの電極（ＤＤ）と対向電極（ＣＴ）又はコモン電極（ＣＯＭ）との間に、層間絶縁膜１５および１６が設けられた例について説明したが、本発明は、層間絶縁膜１５が設けられてない場合、即ち層間絶縁膜１６のみの場合においても適用することができる。

本発明の実施例１である半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。 図１−１に示す画素電極、対向電極、反射電極のみを取り出して示す図である。 図１−１のＡ−Ａ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。 図１−１のＢ−Ｂ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。 図１−１のＣ−Ｃ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。 実施例１の半透過型液晶表示装置において、サブピクセルの透過部及び反射部の断面構造を示す要部断面図である。 本発明の実施例１である半透過型液晶表示装置の製造工程を示す要部断面図である。 図６ａに続く半透過型液晶表示装置の製造工程を示す要部断面図である。 図６ｂに続く半透過型液晶表示装置の製造工程を示す要部断面図である。 図６ｃに続く半透過型液晶表示装置の製造工程を示す要部断面図である。 図６ｄに続く半透過型液晶表示装置の製造工程を示す要部断面図である。 図６ｅに続く半透過型液晶表示装置の製造工程を示す要部断面図である。 本発明の実施例１である半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの画素部の等価回路を示す図である。 図７に示すサブピクセル（（ＰＸＬ）（ｎ，ｋ））の電圧波形を示す図である。 実施例１の半透過型液晶表示装置において、液晶表示パネルの周辺回路部の等価回路を示す図である。 図９に示す破線で囲まれた接続部の断面構造を示す要部断面図である。 本発明の実施例１の半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。 本発明の実施例１の半透過型液晶表示装置において、透過部の対向電極と反射部の対向電極に印加する基準電圧を示す図である。 本発明の実施例２である半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。 図１３のＤ−Ｄ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。 図１３のＥ−Ｅ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。 図１３のＦ−Ｆ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。 本発明の実施例２の半透過型液晶表示装置において、サブピクセルの透過部及び反射部の断面構造を示す要部断面図である。 本発明の実施例３である半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。 図１８のＧ−Ｇ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。 図１８のＨ−Ｈ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。 図１８のＩ−Ｉ’線に沿った断面構造を示す要部断面図である。 従来のＶＡ方式の半透過型液晶表示装置における、サブピクセルの透過部及び反射部の断面構造を示す要部断面図である。 特許文献２の半透過型液晶表示装置において、薄膜トランジスタの電極と画素電極とを電気的に接続する接続部の断面構造を示す要部断面図である。 特許文献２の構造に適用することを検討中の半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの周辺回路部において、薄膜トランジスタの電極と対向電極とを電気的に接続する接続部の断面構造を示す要部断面図である。

符号の説明

１０ 隙間
１１〜１７ 層間絶縁膜
１８，ＰＡＳ１〜ＰＡＳ４ 絶縁膜
２０ ＩＴＯ膜
３０ 透過部
３１ 反射部
５１、５２ 櫛歯電極
５３ 連結部
ＧＩ ゲート絶縁膜
ＢＭ 遮光膜
ＣＴ 対向電極
ＣＨ１〜ＣＨ４ コンタクトホール
ＣＨ２ａ、ＣＨ３ａ、ＣＨ４ａ コンタクトホール
ＣＨ２ｂ ＣＨ３ｂ コンタクトホール
Ｄ 映像線（ドレイン線またはソース線）
ＤＰＲ 配向制御突起
ＤＤ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の電極
ＥＦＳ 電気力線
ＦＩＲ カラーフィルタ
Ｇ 走査線（またはゲート線）
ＬＣ 液晶層
ＭＲ 段差形成層
ＯＲ１，ＯＲ２ 配向膜
ＰＤ 導電体
ＰＯＬ１、ＰＯＬ２ 偏光板
ＰＩＸ 画素電極
Ｐｏｌｙ−Ｓｉ 半導体層
ＲＡＬ 反射電極
ＲＥＴ，ＲＥＴ１，ＲＥＴ２ 位相差板
ＣＦＲ カラーフィルタ
ＯＣ 保護膜
ＣＯＭ コモン電極
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２ ガラス基板

Claims (17)

1. 一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶層とを有する液晶表示パネルを備え、
   前記液晶表示パネルは、各々が透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有する半透過型液晶表示装置であって、
   前記一対の基板のうちの一方の基板は、
   アクティブ素子と、
   前記アクティブ素子の電極よりも上層に設けられ、第１のコンタクトホールを有する第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられた対向電極と、
   前記対向電極よりも上層で、前記反射部に設けられた反射電極と、
   前記対向電極および前記反射電極よりも上層に設けられ、第２のコンタクトホールを有する第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた画素電極と、
   前記第１のコンタクトホールに形成され、前記アクティブ素子の電極と電気的に接続される導電体とを有し、
   前記画素電極は、前記第２のコンタクトホールを介して前記導電体と電気的に接続されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
2. 前記導電体は、前記第１のコンタクトホールの内外にわたって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
3. 前記一方の基板は、前記アクティブ素子の前記電極よりも上層であって、前記第１の絶縁膜よりも下層に第３の絶縁膜を有し、
   前記第３の絶縁膜は、第３のコンタクトホールを有し、
   前記導電体は、前記第１及び前記第３のコンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半透過型液晶表示装置。
4. 前記導電体は、前記対向電極と同一工程で、かつ前記対向電極と電気的に分離して形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうち何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
5. 前記アクティブ素子の前記電極は、その表面に前記反射電極の材料を１％以上含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４のうち何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
6. 前記アクティブ素子の前記電極は、前記反射電極のエッチング液又はエッチングガスでエッチングされる材料からなることを特徴とする請求項１乃至請求項５のうち何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
7. 前記画素電極は、前記対向電極に重畳して配置されており、前記画素電極と、前記第２の絶縁膜と、前記対向電極とで保持容量が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のうち何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
8. 前記複数のサブピクセルの各々のサブピクセルは、前記画素電極が、前記透過部と前記反射部とで共通であり、前記対向電極が、前記透過部と前記反射部とで夫々独立しており、
   前記対向電極に印加される駆動電圧は、前記透過部と前記反射部とで異なっていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のうち何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
9. 前記反射部には、位相差板が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のうち何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
10. 一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶層とを有する液晶表示パネルを備え、
    前記液晶表示パネルは、各々が透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有する半透過型液晶表示装置であって、
    前記一対の基板のうちの一方の基板は、
    アクティブ素子と、
    前記アクティブ素子の電極よりも上層に設けられ、第１のコンタクトホールを有する第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられたコモン電極と、
    前記コモン電極よりも上層で、前記反射部に設けられた反射電極と、
    前記コモン電極および前記反射電極よりも上層に設けられ、第２のコンタクトホールを有する第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた画素電極と、
    前記第１のコンタクトホールに形成され、前記アクティブ素子の電極と電気的に接続される導電体とを有し、
    前記画素電極は、前記第２のコンタクトホールを介して前記導電体と電気的に接続されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
11. 前記導電体は、前記第１のコンタクトホールの内外にわたって形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の半透過型液晶表示装置。
12. 前記一方の基板は、前記アクティブ素子の前記電極よりも上層であって、前記第１の絶縁膜よりも下層に第３の絶縁膜を有し、
    前記第３の絶縁膜は、第３のコンタクトホールを有し、
    前記導電体は、前記第１及び前記第３のコンタクトホールを介して前記アクティブ素子の前記電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の半透過型液晶表示装置。
13. 前記導電体は、前記コモン電極と同一工程で、かつ前記コモン電極と電気的に分離して形成されていることを特徴とする請求項１０乃至請求項１２のうち何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
14. 前記アクティブ素子の電極は、その表面に前記反射電極の材料を１％以上含むことを特徴とする請求項１０乃至請求項１３のうち何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
15. 前記アクティブ素子の電極は、前記反射電極のエッチング液又はエッチングガスでエッチングされる材料からなることを特徴とする請求項１０乃至請求項１４のうち何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
16. 前記画素電極は、前記コモン電極に重畳して配置されており、
    前記画素電極と、前記第２の絶縁膜と、前記コモン電極とで保持容量が形成されていることを特徴とする請求項１０乃至請求項１５のうち何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
17. 前記一対の基板のうちの他方の基板は、対向電極を有することを特徴とする請求項１０乃至請求項１６のうち何れか１項に記載の半透過型液晶表示装置。

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