CN113703238A - 阵列基板及电子装置 - Google Patents

阵列基板及电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113703238A
CN113703238A CN202111057223.8A CN202111057223A CN113703238A CN 113703238 A CN113703238 A CN 113703238A CN 202111057223 A CN202111057223 A CN 202111057223A CN 113703238 A CN113703238 A CN 113703238A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
substrate
layer
insulating layer
orthographic projection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111057223.8A
Other languages
English (en)
Inventor
唐维
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN202111057223.8A priority Critical patent/CN113703238A/zh
Priority to US17/607,875 priority patent/US20240030237A1/en
Priority to PCT/CN2021/119340 priority patent/WO2023035318A1/zh
Publication of CN113703238A publication Critical patent/CN113703238A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits

Abstract

本申请提供一种阵列基板及电子装置,该电子装置包括显示面板,所述显示面板包括阵列基板,阵列基板包括依次层叠设置的基板、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、第一电极层以及第二电极层,第一绝缘层上设有多个第一过孔,第二绝缘层上设有多个第二过孔,第二电极层包括第二电极,第二过孔和第二电极中的至少一个在基板上的正投影与形成于第一绝缘层上的第一过孔在第一基板上的正投影错开设置,以此避免第一电极层和第二电极层之间的绝缘层发生破裂或者使得通过第一电极层和第二电极层之间的绝缘层的裂缝析出的第一电极上方不存在第二电极,从而避免第一电极与第二电极短接。

Description

阵列基板及电子装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及电子装置。
背景技术
近年来随着电子技术的发展,手机、平板等移动式显示电子装置已成为人们日常生活中必不可少的社交媒介与信息存储载体。对于大尺寸的电子装置,由于显示面板的横向宽度较大,导致显示区中间与四周容易出现显示不均的问题。现有电子装置会在阵列基板上增加设计公共信号线,并通过设置在显示区内的多条公共信号线与公共电极连接,以使公共电极能够及时并均匀的接收到公共电极信号,以此改善显示面板的显示不均的问题。
如图1a和图1b所示,图1a和图1b均为现有阵列基板的结构示意图,包括依次设置的阻挡层11、栅极绝缘层12、公共信号线13、层间介电层14、导电电极15、平坦层16、公共电极17、钝化层18以及像素电极19,公共信号线13通过设置于层间介电层14上的第一过孔141与导电电极15连接,公共电极17通过设置于平坦层16上的第二过孔161与导电电极15连接,第二过孔161套设在第一过孔141上,并暴露出第一过孔141以及形成于第一过孔141内的导电电极15。第一过孔141的侧壁至层间介电层14的表面之间的衔接处a会形成具有一定角度的台阶角,后续制程过程中的静电释放可能会导致位于该衔接处a的台阶角上方的导电电极15熔化,熔化后的导电电极15向公共电极17以及公共电极17上方的钝化层18挤压,并顶破钝化层18,导致位于该衔接处a的钝化层18产生如图1b所示的裂缝。位于钝化层18下方的公共电极17通过钝化层18的裂缝析出,并与位于钝化层18上方的像素电极19短接,导致阵列基板及电子装置在点灯测试时会出现群暗点或水平线等显示异常。
综上所述,现有阵列基板及电子装置存在公共电极和像素电极短接的问题。故,有必要提供一种阵列基板及电子装置来改善这一缺陷。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及电子装置,用于解决现有阵列基板及电子装置存在的公共电极和像素电极短接的问题。
本申请实施例提供一种阵列基板,包括:
基板;
第一金属层,设置在所述基板上,所述第一金属层包括多条公共信号线;
第一绝缘层,覆盖所述第一金属层,所述第一绝缘层上设有多个第一过孔;
第二金属层,设置于所述第一绝缘层背离所述第一金属层的一侧,所述第二金属层包括多个导电电极,所述导电电极通过所述第一过孔与所述公共信号线连接;
第二绝缘层,设置于所述第一绝缘层背离所述第一金属层的一侧并覆盖所述第二金属层,所述第二绝缘层上设有多个第二过孔;
第一电极层,设置于所述第二绝缘层背离所述第二金属层的一侧,所述第一电极层包括第一电极,所述第一电极通过所述第二过孔与所述导电电极连接;以及
第二电极层,设置于所述第一电极层背离所述第二绝缘层的一侧,所述第二电极层包括第二电极;
其中,所述第二过孔和所述第二电极中的至少一个在基板上的正投影与所述第一过孔在基板上的正投影错开设置。
根据本申请一实施例,所述第一过孔在所述基板上的正投影与所述第二过孔在所述基板上的正投影完全错开设置,所述第一过孔在所述基板上的正投影与所述第二电极在所述基板上的正投影至少部分重叠。
根据本申请一实施例,所述第一过孔在所述基板上的正投影与所述第二过孔在所述基板上的正投影完全错开设置,所述第一过孔在所述基板上的正投影与所述第二电极在所述基板上的正投影完全错开设置。
根据本申请一实施例,所述第二过孔在所述基板上的正投影与所述第二电极在所述基板上的正投影完全错开设置或者至少部分重叠。
根据本申请一实施例,所述导电电极包括:
本体部,所述本体部形成于所述第一过孔内并与所述公共信号线连接,所述第二绝缘层覆盖所述本体部并填充所述第一过孔;以及
延伸部,所述延伸部形成于所述第一绝缘层背离所述第一金属层的一侧,所述第二过孔暴露出所述延伸部,所述第一电极连接于所述延伸部。
根据本申请一实施例,所述第一过孔在所述基板上的正投影与所述第二过孔在所述基板上的正投影至少部分重叠,所述第一过孔在所述基板上的正投影与所述第二电极在所述基板上的正投影完全错开设置。
根据本申请一实施例,所述第二过孔在所述基板上的正投影与所述第二电极在所述基板上的正投影完全错开设置或者部分重叠。
根据本申请一实施例,所述阵列基板包括第一区,所述第二电极阵列排布于所述第一区内;
其中,所述第二金属层包括公共电压信号线,所述公共电压信号线环绕所述第一区的外周缘,并通过贯穿所述第一绝缘层的第三过孔与所述公共信号线连接。
根据本申请一实施例,所述阵列基板还包括多条栅极信号线和多条数据信号线;
其中,所述公共信号线与所述栅极信号线设置于同一层,所述公共电压信号线与所述数据信号线设置于同一层。
本申请实施例还提供一种电子装置,所述电子装置包括显示面板,所述显示面板包括如上述的阵列基板。
本申请实施例的有益效果:本申请实施例提供一种阵列基板及电子装置,所述电子装置包括显示面板,所述显示面板包括阵列基板,所述阵列基板包括依次层叠设置的基板、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、第一电极层以及第二电极层,第一金属层包括多条公共信号线,第一绝缘层覆盖所述第一金属层,所述第一绝缘层上设有多个第一过孔,第二金属层设置于所述第一绝缘层背离所述第一金属层的一侧,所述第二金属层包括多个导电电极,所述导电电极通过所述第一过孔与所述公共信号线连接,第二绝缘层设置于所述第一绝缘层背离所述第一金属层的一侧并覆盖所述第二金属层,所述第二绝缘层上设有多个第二过孔,第一电极层设置于所述第二绝缘层背离所述第二金属层的一侧,所述第一电极层包括第一电极,所述第一电极通过所述第二过孔与所述导电电极连接,第二电极层设置于所述第一电极层背离所述第二绝缘层的一侧,所述第二电极层包括第二电极,所述第二过孔和所述第二电极中的至少一个在所述基板上的正投影与所述第一过孔在所述基板上的正投影错开设置,以此避免第一电极层和第二电极层之间的绝缘层发生破裂或者使得通过第一电极层和第二电极层之间的裂缝析出的第一电极上方不存在第二电极,从而避免第一电极与第二电极短接。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a为现有阵列基板的结构示意图;
图1b为现有阵列基板的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的阵列基板的平面结构示意图;
图3为本申请实施例提供的第一种阵列基板沿A-A方向的截面示意图;
图4为本申请实施例提供的第一种阵列基板的局部放大示意图;
图5为本申请实施例提供的第二种阵列基板的局部放大示意图;
图6为本申请实施例提供的第三种阵列基板的局部放大示意图;
图7为本申请实施例提供的第四种阵列基板的局部放大示意图;
图8为本申请实施例提供的第四种阵列基板沿A-A方向的截面示意图;
图9为本申请实施例提供的第五种阵列基板的局部放大示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本申请,而非用以限制本申请。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
下面结合附图和具体实施例对本申请做进一步的说明。
本申请实施例提供一种阵列基板及电子装置,所述电子装置包括显示面板,所述显示面板包括阵列基板。所述电子装置可以车载显示终端,例如车载显示器、行车记录仪等,所述电子装置也可以是移动终端,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,或者是可穿戴式终端,例如智能手表、智能手环、智能眼镜、增强现实设备等,所述电子装置还可以是固定终端,如台式电脑、电视等,也可以是车载显示终端,如车载显示器或行车记录仪等。
如图2所述,图2为本申请实施例提供的阵列基板的平面结构示意图,阵列基板200包括基板20和阵列排布于基板20上并呈多行和多列排布的子像素单元P,每一个子像素单元P对应具有一个薄膜晶体管T和一个第二电极310,第二电极310为像素电极。阵列基板200还具有多条沿第一方向x延伸的栅极信号线253以及沿第二方向y延伸的数据信号线272,栅极信号线253与对应的一行子像素单元P的薄膜晶体管T的栅极连接,数据信号线272与对应的一列自像素单元P的薄膜晶体管T的漏极连接。
如图3所示,图3为本申请实施例提供的第一种阵列基板沿A-A方向的截面示意图,所述阵列基板200包括基板20和依次层叠设置于基板20上的遮光层21、阻挡层22、有源层23、栅极绝缘层24。
遮光层21具有多个图案化的遮光图案211,遮光层21的材料包括金属材料或不透光、吸光的非金属材料中的任意一种。遮光图案211与有源层23对位设置,遮光图案211用于遮挡有源层23,防止环境光线或内部光线通过基板20一侧照射至有源层23导致有源层23的电学性能下降,从而保证有源层23的电学性能。
阻挡层22设置于基板20上并覆盖遮光层21,用于防止外界水汽或氧通过基板20一侧侵蚀阵列基板200中的薄膜晶体管等器件。
有源层23设置于阻挡层22背离所述基板20的一侧上,有源层23具有沟道部分231和连接于沟道部分231的相对端的导体化部分232。栅极绝缘层24设置于阻挡层22背离所述基板20的一侧上,并覆盖所述有源层23。
所述阵列基板200还包括依次层叠设置于栅极绝缘层24上的第一金属层25、第一绝缘层26、第二金属层27、第二绝缘层28、第一电极层29、第三绝缘层30以及第二电极层31。
结合图2和图3所示,第一金属层25包括多条公共信号线250,每一条公共信号线250均包括主体部251和多个连接部252,主体部251呈长条状且沿第一方向x延伸,多条公共信号线250的主体部251在第二方向y上间隔排布。连接部252呈块状电极,多个连接部252分别连接于所述本体部251的同一侧,并在第一方向x上间隔排布。
在本申请实施例中,栅极信号线253、栅极254与公共信号线250设置于同一层,即栅极信号线253与公共信号线250均设置于第一金属层25,并且可以通过同一道工艺制备形成。公共信号线250与栅极信号线253均沿第一方向x延伸,并且在第二方向y上间隔开。在实际应用中,栅极信号线253和栅极254不仅限设置于第一金属层25,也可以设置于第一金属层25靠近或远离基板20一侧的其他金属层中,此处不做限制。
第一绝缘层26设置于栅极绝缘层24背离所述基板20的一侧上,并且覆盖所述第一金属层25。第一绝缘层26为层间介电层(interlayer dielectric layer,ILD),第一绝缘层26由层叠设置的氧化硅层和氮化硅层构成。在实际应用中,第一绝缘层26也可以由氮化硅或氧化硅中的任意一种或其他绝缘材料形成的单层或多层结构。
第一绝缘层26上设置有多个第一过孔261,第一过孔261第三方向z上贯穿第一绝缘层26,并且暴露出位于第一绝缘层26底部的公共信号线250的连接部252。
第二金属层27设置于第一绝缘层26背离第一金属层25的一侧。第二金属层27包括多个导电电极271,所述导电电极271通过所述第一过孔261与所述公共信号线250连接。
具体的,导电电极271呈块状电极,导电电极271在基板20上的正投影面积大于第一过孔261在基板20上的正投影面积,导电电极271通过第一过孔261与公共信号线250的连接部252连接,用于接收公共信号线250传输的公共电压信号。
在本申请实施例中,数据信号线272、源极273和漏极274可以与导电电极271设置于同一层,即数据信号线272、源极273、漏极274和导电电极271均设置于第二金属层27。导电电极271可以与数据信号线272、源极273以及漏极274通过同一道工艺制备形成。在实际应用中,数据信号线272、源极273和漏极274不仅限设置于第二金属层27,也可以设置于第二金属层27靠近或远离基板20一侧的其他金属层中,此处不做限制。
第二绝缘层28为平坦层,第二绝缘那层28设置于第一绝缘层26背离第一金属层25的一侧上,第二绝缘层28覆盖第二金属层27。第二绝缘层28上设置有多个第二过孔281,第二过孔281在第三方向z上贯穿第二绝缘层28,并且暴露出位于第二绝缘层28底部的导电电极271。
第二绝缘层28上还设置有多个第四过孔282,第四过孔282在第三方向z上贯穿第二绝缘层28,并且暴露出位于第二绝缘层28底部的源极273。
第一电极层29设置于第二绝缘层28背离第二金属层27的一侧,第一电极层29包括第一电极291。第一电极291为公共电极,第一电极291可以整面平铺设置于第二绝缘层28上,并且通过第二绝缘层28上的第二过孔281与导电电极271连接,从而接收由公共信号线250传递的公共电压信号。第一电极层29上还设置有第五过孔292,第五过孔292套设于第四过孔282上,以暴露出所述源极273。
第三绝缘层30为钝化层(passivation layer,PV),第三绝缘层30设置于第一电极层29背离第二绝缘层28的一侧上,并且覆盖所述第一电极层29,第三绝缘层30同时还填充第四过孔282和第五过孔292。第三绝缘层30上设置有多个第六过孔301,第六过孔301套设于第五过孔292和第四过孔282上,并且在第三方向z上贯穿所述第三绝缘层30,以暴露被第三绝缘层30覆盖的源极273。
第二电极层31,设置于所述第一电极层29背离所述第二绝缘层28的一侧。在本申请实施例中,第二电极层31设置于第三绝缘层30上。所述第二电极层31包括多个图案化的第二电极310,第二电极310为像素电极,第二电极310通过第六过孔301与源极273连接,以通过源极273和数据信号线272为第二电极310充电,并与第一电极291之间形成电场从而驱动显示面板中的液晶发生偏转。
结合图2和图3所示,在申请实施例中,阵列基板200还包括第一区A1和环绕所述第一区A1的第二区A2,第一区A1为显示区,所述子像素单元P均设置于所述第一区A1内,第二区A2为非显示区。阵列基板200还包括公共电压信号线275,公共电压信号线275设置于第一区A1的外周缘并环绕所述第一区A1。
在本申请实施例中,所述公共电压信号线275设置于第二金属层27,用于传递第一电极291所需的公共电压信号。第一绝缘层26上还设置有多个在第三方向z上贯穿所述第一绝缘层26的第三过孔262,第三过孔262同样分部于第一区A1的相对侧,公共信号线250的相对端分别通过第三过孔262与公共电压信号线275连接,以使公共电压信号能够快速且均匀地传递至第一电极291。
进一步的,第二绝缘层28上还设置有多个在第三方向z上贯穿所述第二绝缘层28的第七过孔283,第七过孔283暴露出所述公共电压信号线275。多个第七过孔283设置于第一区A1的外周缘,第一电极293可以通过第七过孔283与公共电压信号线275,如此可以使公共电压信号能够进一步快速且均匀地传递至第一电极291,从而改善中大尺寸显示面板存在的显示不均的问题。
所述第二过孔281和所述第二电极310中的至少一个在所述基板20上的正投影与所述第一过孔261在所述基板20上的正投影错开设置,如此可以避免第一电极层29和第二电极层31之间的第三绝缘层30发生破裂;或者,即使第一电极层29和第二电极层31之间的第三绝缘层发生裂缝,通过该裂缝析出的第一电极291上方也不存在第二电极310,以此避免第一电极291与第二电极310发生短接,从而解决阵列基板及电子装置在点灯测试时会出现群暗点或水平线等显示异常的问题,并提高阵列基板的良品率。
所述第一过孔261在所述基板20上的正投影与所述第二过孔281在所述基板20上的正投影完全错开设置。
在一实施例中,如图3所示,所述导电电极271包括本体部271a和延伸部271b。本体部271a形成于第一过孔261内,并且分布于所述第一过孔261的底部以及内壁上。延伸部271b连接于所述本体部271a,延伸部271b形成于第一绝缘层26背离所述第一金属层25的一侧上。由于第二过孔281在所述基板20上的正投影不与第一过孔261在所述基板20上的正投影相交叠,使得第二绝缘层28可以覆盖所述本体部271a,并且填充第一过孔261所形成的凹陷的区域。第二绝缘层28还可以覆盖所述延伸部271b,并且填充第一过孔261,第二绝缘层28上的第二过孔281暴露出部分所述延伸部271b,以便于第一电极291通过第二过孔281与延伸部271b连接。
在本申请实施例中,所述第二绝缘层28的厚度为2.5微米。在实际应用中,所述第二绝缘层28的厚度不仅限于2.5微米,也可以为2微米、2.3微米、2.7微米或3微米等。
需要说明的是,利用第二绝缘层28对第一过孔261所形成的凹陷区域进行填充,可使得后续形成在第二绝缘层28上方的第一电极层29、第三绝缘层30与第一过孔261对应的区域都可以获得平整的表面,避免第一电极层29和第三绝缘层30直接与第一绝缘层26在第一过孔261处的台阶角直接接触,如此可以减小由于静电释放导致的熔化后的导电电极271对第一电极层29以及第三绝缘层30造成的挤压,使得第三绝缘层30产生裂缝的风险降低,从而有效防止第一电极291与第二电极310发生短接。
进一步的,所述第一过孔261在所述基板20上的正投影与所述第二电极310在所述基板20上的正投影至少部分重叠。
在一实施例中,结合图3和图4所示,图4为本申请实施例提供的第一种阵列基板的局部放大示意图,第一过孔261在所述基板20上的正投影不与第二过孔281在所述基板20上的正投影相交叠,且第一过孔261在所述基板20上的正投影与第二电极310在所述基板20上的正投影部分重叠。第二过孔281在所述基板20上的正投影与所述第二电极310在所述基板20上的正投影部分重叠。在实际应用中,第二电极310在所述基板20上的正投影也可以完全覆盖第二过孔281在所述基板20上的正投影。
在一实施例中,如图5所示,图5为本申请实施例提供的第二种阵列基板的局部放大示意图,第一过孔261在所述基板20上的正投影不与第二过孔281在所述基板20上的正投影相交叠,所述第二电极310在所述基板20上的正投影完全覆盖所述第一过孔261在所述基板20上的正投影,并且第二电极310在所述基板20上的正投影同时也完全覆盖第二过孔281在所述基板20上的正投影。在实际应用中,第二过孔281在所述基板20上的正投影也可以与所述第二电极310在所述基板20上的正投影部分重叠。
在一实施例中,如图6所示,图6为本申请实施例提供的第三种阵列基板的局部放大示意图,第一过孔261在所述基板20上的正投影不与第二过孔281在所述基板20上的正投影相交叠,所述第一过孔261在所述基板20上的正投影与第二电极310在所述基板20上的正投影完全错开设置,两者并不相交叠,且第二过孔281在所述基板20上的正投影与第二电极310在所述基板20上的正投影同样完全错开设置。在实际应用中,第二电极310在所述基板20上的正投影也可以与第二过孔281在所述基板20上的正投影部分重叠,或者完全覆盖第二过孔281在第三方向z上的正投影。
可以理解的是,上述各实施例中,由于第一过孔261和第二过孔281在所述基板上的正投影完全错开设置,可以利用第二绝缘层28对第一过孔261形成的凹陷的区域进行填充,使得第一过孔261上方的各膜层具有平坦表面,因此即使第一过孔261和第二过孔281上方并未设置有第二电极310、或者设置有部分第二电极310、或者完全覆盖有第二电极310,也不会造成第一电极291与第二电极310短接的问题。若将第二电极310的正投影与第一过孔261和/或第二过孔281的正投影部分重叠或完全覆盖,如此不会由于将第一过孔261和第二过孔281错开设置导致第二电极310的面积减小,从而保证阵列基板200中各子像素的开口率。
在另一实施例中,所述第一过孔261在所述基板上的正投影与所述第二过孔281在所述基板上的正投影至少部分重叠,所述第一过孔在所述基板上的正投影与所述第二电极在所述基板上的正投影完全错开设置。
具体的,结合图7所示,图7为本申请实施例提供的第四种阵列基板的局部放大示意图,第二电极310在所述基板20上的正投影与第一过孔261在所述基板20上的正投影完全错开设置,两者之间并不相交叠,第二电极310在所述基板20上的正投影与第二过孔281在所述基板20上的正投影也完全错开设置。如此可以利用第二绝缘层28填充第一过孔261,从而降低位于第一过孔261上方的第三绝缘层30发生裂缝的风险,避免第一电极291与第二电极310发生短接。
如图8所示,图8为本申请实施例提供的第四种阵列基板沿A-A方向的截面示意图,所述第二过孔281套设在第一过孔261上,且第二过孔281在第三方向z上的正投影完全覆盖第一过孔261在第三方向z上的正投影。相较于将第一过孔261和第二过孔281错开设计,通过将第二过孔281套设在第一过孔261上,可以减少第一过孔261和第二过孔281所占据的平面面积。
在另一实施例中,如图9所示,图9为本申请实施例提供的第五种阵列基板的局部放大示意图,为避免开设第一过孔261和第二过孔281导致第二电极310的面积被压缩,可以使第二电极310在所述基板20上的正投影与第二过孔281在所述基板20上的正投影部分重叠,且第二过孔281在所述基板20上的正投影与第一过孔261在所述基板20上的正投影完全错开设置。如此,既可以避免第一电极291与第二电极310发生短接,又可以避免第一过孔261和第二过孔281压缩第二电极310的面积。
本申请实施例的有益效果:本申请实施例提供一种阵列基板及电子装置,所述电子装置包括显示面板,所述显示面板包括阵列基板,所述阵列基板包括依次层叠设置的基板、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、第一电极层以及第二电极层,第一金属层包括多条公共信号线,第一绝缘层覆盖所述第一金属层,所述第一绝缘层上设有多个第一过孔,第二金属层设置于所述第一绝缘层背离所述第一金属层的一侧,所述第二金属层包括多个导电电极,所述导电电极通过所述第一过孔与所述公共信号线连接,第二绝缘层设置于所述第一绝缘层背离所述第一金属层的一侧并覆盖所述第二金属层,所述第二绝缘层上设有多个第二过孔,第一电极层设置于所述第二绝缘层背离所述第二金属层的一侧,所述第一电极层包括第一电极,所述第一电极通过所述第二过孔与所述导电电极连接,第二电极层设置于所述第一电极层背离所述第二绝缘层的一侧,所述第二电极层包括第二电极,所述第二过孔和所述第二电极中的至少一个在所述基板上的正投影与所述第一过孔在所述基板上的正投影错开设置,以此避免第一电极层和第二电极层之间的绝缘层发生破裂或者使得通过第一电极层和第二电极层之间的裂缝析出的第一电极上方不存在第二电极,从而避免第一电极与第二电极短接。
综上所述,虽然本申请以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本申请,本领域的普通技术人员,在不脱离本申请的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为基准。

Claims (10)

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
第一金属层,设置在所述基板上,所述第一金属层包括多条公共信号线;
第一绝缘层,覆盖所述第一金属层,所述第一绝缘层上设有多个第一过孔;
第二金属层,设置于所述第一绝缘层背离所述第一金属层的一侧,所述第二金属层包括多个导电电极,所述导电电极通过所述第一过孔与所述公共信号线连接;
第二绝缘层,设置于所述第一绝缘层背离所述第一金属层的一侧并覆盖所述第二金属层,所述第二绝缘层上设有多个第二过孔;
第一电极层,设置于所述第二绝缘层背离所述第二金属层的一侧,所述第一电极层包括第一电极,所述第一电极通过所述第二过孔与所述导电电极连接;以及
第二电极层,设置于所述第一电极层背离所述第二绝缘层的一侧,所述第二电极层包括第二电极;
其中,所述第二过孔和所述第二电极中的至少一个在基板上的正投影与所述第一过孔在所述基板上的正投影错开设置。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一过孔在所述基板上的正投影与所述第二过孔在所述基板上的正投影完全错开设置,所述第一过孔在所述基板上的正投影与所述第二电极在所述基板上的正投影至少部分重叠。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一过孔在所述基板上的正投影与所述第二过孔在所述基板上的正投影完全错开设置,所述第一过孔在所述基板上的正投影与所述第二电极在所述基板上的正投影完全错开设置。
4.如权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,所述第二过孔在所述基板上的正投影与所述第二电极在所述基板上的正投影完全错开设置或者至少部分重叠。
5.如权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,所述导电电极包括:
本体部,所述本体部形成于所述第一过孔内并与所述公共信号线连接,所述第二绝缘层覆盖所述本体部并填充所述第一过孔;以及
延伸部,连接于所述本体部,所述延伸部形成于所述第一绝缘层背离所述第一金属层的一侧,所述第二过孔暴露出所述延伸部,所述第一电极连接于所述延伸部。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一过孔在所述基板上的正投影与所述第二过孔在所述基板上的正投影至少部分重叠,所述第一过孔在所述基板上的正投影与所述第二电极在所述基板上的正投影完全错开设置。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第二过孔在所述基板上的正投影与所述第二电极在所述基板上的正投影完全错开设置或者部分重叠。
8.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括第一区,所述第二电极阵列排布于所述第一区内;
其中,所述第二金属层包括公共电压信号线,所述公共电压信号线环绕所述第一区的外周缘,并通过贯穿所述第一绝缘层的第三过孔与所述公共信号线连接。
9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括多条栅极信号线和多条数据信号线;
其中,所述公共信号线与所述栅极信号线设置于同一层,所述公共电压信号线与所述数据信号线设置于同一层。
10.一种电子装置,其特征在于,所述电子装置包括显示面板,所述显示面板包括如权利要求1至9任一项所述的阵列基板。
CN202111057223.8A 2021-09-09 2021-09-09 阵列基板及电子装置 Pending CN113703238A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111057223.8A CN113703238A (zh) 2021-09-09 2021-09-09 阵列基板及电子装置
US17/607,875 US20240030237A1 (en) 2021-09-09 2021-09-18 Array substrate and electronic device
PCT/CN2021/119340 WO2023035318A1 (zh) 2021-09-09 2021-09-18 阵列基板及电子装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111057223.8A CN113703238A (zh) 2021-09-09 2021-09-09 阵列基板及电子装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113703238A true CN113703238A (zh) 2021-11-26

Family

ID=78660869

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111057223.8A Pending CN113703238A (zh) 2021-09-09 2021-09-09 阵列基板及电子装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240030237A1 (zh)
CN (1) CN113703238A (zh)
WO (1) WO2023035318A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114360384A (zh) * 2022-01-13 2022-04-15 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及显示面板

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008064954A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置及びその製造方法
US20100002178A1 (en) * 2008-07-03 2010-01-07 Toshiba Mobile Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of producing the same
CN105161505A (zh) * 2015-09-28 2015-12-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN106855670A (zh) * 2017-02-28 2017-06-16 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN111430373A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN111505877A (zh) * 2020-06-17 2020-08-07 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及电子设备
CN111916464A (zh) * 2020-09-15 2020-11-10 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN112882295A (zh) * 2021-02-05 2021-06-01 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9720295B2 (en) * 2011-09-27 2017-08-01 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US10074344B2 (en) * 2015-04-30 2018-09-11 Lg Display Co., Ltd. Touch recognition enabled display device with asymmetric black matrix pattern
CN105807523B (zh) * 2016-05-27 2020-03-20 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、包含其的显示面板和显示装置
CN110034131B (zh) * 2019-04-17 2022-01-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008064954A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置及びその製造方法
US20100002178A1 (en) * 2008-07-03 2010-01-07 Toshiba Mobile Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of producing the same
CN105161505A (zh) * 2015-09-28 2015-12-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN106855670A (zh) * 2017-02-28 2017-06-16 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN111430373A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN111505877A (zh) * 2020-06-17 2020-08-07 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及电子设备
CN111916464A (zh) * 2020-09-15 2020-11-10 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN112882295A (zh) * 2021-02-05 2021-06-01 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114360384A (zh) * 2022-01-13 2022-04-15 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023035318A1 (zh) 2023-03-16
US20240030237A1 (en) 2024-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7817227B2 (en) Array substrate, display panel having the same and method of manufacturing the same
KR100838652B1 (ko) 표시장치
US7692754B2 (en) Liquid crystal display and fabricating method thereof
CN100454122C (zh) 能够减小漏电流的液晶显示装置及其制造方法
CN107577099B (zh) 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置
CN105355633A (zh) 制作阵列基板的方法和阵列基板
US20220208910A1 (en) Display panel and fabrication method thereof, and display device
US20100296016A1 (en) Array substrate, liquid crystal display panel and method for manufacturing the same
KR20200002040A (ko) 표시 장치
CN112735262A (zh) 显示基板及其制作方法、和显示装置
CN210271564U (zh) 显示基板和显示装置
CN110568655B (zh) 一种显示面板及显示装置
US7755735B2 (en) Pixel structure of liquid crystal display panel and method having first and second patterned conductive layers having respectively first and second data line sections and with second patterned conductive layer additionally including source, drain, and a floating light-shielding pattern disposed over the first data line section
CN113703238A (zh) 阵列基板及电子装置
CN107797352B (zh) 阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板的制作方法
CN112071206B (zh) 显示面板及显示装置
CN109270754B (zh) 阵列基板和显示装置
US20190146293A1 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, and display panel
CN113257879B (zh) 一种阵列基板及显示面板
CN112700724A (zh) 显示面板
KR20110105893A (ko) 더블 레이트 드라이브 타입 액정표시장치용 어레이 기판
CN105206616B (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示装置
CN111508369A (zh) 显示面板和显示装置
CN114578624B (zh) 阵列基板及显示面板
CN110120410B (zh) 一种显示单元、显示面板及其制作方法和显示设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20211126

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication