CN101211080B - 用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。在基板上形成用于液晶显示(LCD)装置的阵列基板，使第一选通线和第二选通线与数据线交叉以限定第一像素区和第二像素区。薄膜晶体管包括源极和漏极。金属图案与公共线重叠并构成所述漏极的一部分。将钝化层布置在所述源极和所述漏极以及所述金属图案上。第一像素电极与所述金属图案相连接并且公共电极与所述公共线相连接。形成各种修复图案以限定一个或更多个修复部分，如果在第一像素电极无法显示图像的情况下将切断线切断，那么所述一个或更多个修复部分能够将所述漏极或金属图案连接到所述第二像素区的第二像素电极。

Description

用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法

技术领域

本发明涉及用于液晶显示(LCD)装置的阵列基板，更具体地说，涉及用于具有修复图案的LCD装置的阵列基板。

背景技术

常规LCD装置利用液晶分子的光学各向异性性质和偏振性质来显示图像。液晶分子由于其细长的形状而使其排列具有定向特性。因此，可通过向液晶分子施加电场来控制液晶分子的排列方向。因此，当向液晶分子施加电场时，光的偏振性质根据液晶分子的排列而发生改变，从而LCD装置显示图像。

LCD装置包括第一基板、第二基板以及插入第一基板和第二基板之间的液晶层。在第一基板和第二基板上分别形成有公共电极和像素电极。第一基板和第二基板可被分别称为滤色器基板和阵列基板。利用在公共电极和像素电极之间感应出的垂直电场来驱动液晶层。LCD装置通常具有出色的透光率和孔径比。

在已知类型的LCD装置中，具有以阵列形式布置的薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵LCD(AM-LCD)装置由于其高分辨率和显示运动图像的较强能力而成为着重研究和开发的对象。

图1是LCD装置的常规液晶板的分解立体图。如图1所示，该液晶板包括阵列基板10、滤色器基板80和液晶层70。阵列基板10和滤色器基板80彼此面对。在阵列基板10和滤色器基板80之间插入有液晶层70。

阵列基板10包括第一基板12、选通线13、数据线30、薄膜晶体管(TFT)Tr和像素电极60。选通线13和数据线30形成在第一基板12上并且彼此交叉以限定像素区P。TFT Tr形成在选通线13和数据线30的交叉部处。像素电极60形成在像素区P中并与TFT Tr相连接。

滤色器基板80包括第二基板82、黑底85、滤色器层89和公共电极92。黑底85形成在第二基板82上并且呈网格形。黑底85与第一基板12的非显示区相对应。第一基板12的非显示区还包括选通线13、数据线30以及TFT Tr。滤色器层89对应于像素区“P”并具有红色(R)89a、绿色(G)89b和蓝色(B)89c之一。公共电极92形成在黑底85和滤色器层89上。公共电极92与像素电极60产生电场，从而液晶层70被该电场驱动。

尽管未示出，但是可以在第一基板12和第二基板82的外表面上形成第一偏振板和第二偏振板。第一偏振板和第二偏振板分别具有第一光轴和第二光轴，并且与第一光轴和第二光轴中的每一个都平行的光可以分别穿过第一偏振板和第二偏振板。并且，在第一基板12的背面上形成有背光组件，用于将光施加到液晶板中。

图2是示出了根据现有技术的LCD装置的阵列基板的平面图。如图2所示，在第一基板12上形成有多条选通线13和多条个数据线30。该多条选通线13和多条数据线30彼此交叉从而限定了多个像素区P。在各选通线13的一端形成有选通焊盘(未示出)。各选通线13经由该选通焊盘连接到选通驱动电路(未示出)。在各数据线30的一端形成有数据焊盘(未示出)。各数据线30经由该数据焊盘连接到数据驱动电路(未示出)。

在各像素区P中形成有薄膜晶体管(TFT)Tr。该TFT Tr与选通线13和数据线30相连接。栅极15、半导体层23、源极33以及漏极36构成TFT Tr。栅极15与选通线13相连接，源极33与数据线30相连接。漏极36与源极33分隔开。在各像素区P中形成有像素电极60。像素电极60通过漏极接触孔47与漏极36相连接。此外，在选通线13之上形成有存储电容器StgC。存储图案15与选通线13重叠并通过存储接触孔49与像素电极60相连接。选通线13的重叠部分充当第一电极，并且存储图案15充当第二电极。插入选通线13的重叠部分与存储图案15之间的绝缘层(未示出)充当介电材料。第一电极、第二电极和绝缘层构成存储电容器StgC。

阵列基板是通过复杂的工艺制造的，从而在加工过程中可能产生缺陷。在加工过程中会产生静电。此外，TFT可能由于杂质而劣化，从而使TFT不具有所期望的功能。在这种情况下，可以通过断开像素区P中的像素电极60和漏极36之间的连接来修复缺陷。结果，在使像素电极60和漏极36之间的连接断开的像素区P中，LCD装置在正常白模式下仅显示白色并且在正常黑模式下仅显示黑色。在正常白模式下，在未施加信号的像素区P中显示白色。相反，在正常黑模式下，在未施加信号的像素区中显示黑色。

根据液晶板的尺寸或分辨率，LCD装置可以具有数万个至数千万个像素区P。如果仅当所有像素区P都工作良好时才认为该LCD装置可用于销售，那么产量就会变得过低。因此，虽然一些像素区P没有显示所期望的图像，但该LCD装置仍被视为可用于销售并被认为没有缺陷。通过在一些像素区P中断开像素电极60和漏极36之间的连接来进行修复的方法不会对显示图像的质量产生影响。

然而，存在某些问题。当LCD装置处于正常黑模式并显示亮图像时，其中正常显示黑色的经修复像素区P可能较明显。相反，当LCD装置处于正常白模式并显示暗图像时，其中正常显示白色的经修复像素区可能较明显。

发明内容

因此，本发明旨在提供一种用于面内切换型液晶装置(IPS-LCD)的阵列基板及其制造方法，该阵列基板在对有一个或更多个像素区P的期望图像未被显示的LCD装置进行修复时提供了优于现有技术的一个或更多个优点。

在第一方面中，提供了一种用于液晶显示装置的阵列基板，该基板包括：位于基板上的第一选通线和第二选通线；数据线，其与所述第一选通线和所述第二选通线分别交叉从而限定了第一像素区和第二像素区；第一薄膜晶体管，其与所述第一选通线和所述数据线相连接；分别位于所述第一像素区和所述第二像素区中的第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极与所述第一薄膜晶体管相连接；和横跨所述第一选通线的第一修复图案，所述第一修复图案与所述第一薄膜晶体管和所述第二像素电极之一电连接。

在第二方面中，提供了一种用于液晶显示(LCD)装置的阵列基板，该阵列基板包括：第一选通线和第二选通线，其在基板上与数据线交叉从而限定了第一像素区和第二像素区；薄膜晶体管(TFT)，该薄膜晶体管包括从所述数据线延伸的源极、与所述源极隔开的漏极、在位于栅极与所述源极和漏极之间的绝缘层上的半导体层；位于所述半导体层上的金属图案，该金属图案与公共线重叠并构成所述漏极的一部分；布置在所述源极和所述漏极以及所述金属图案上的钝化层；位于所述钝化层上并与所述金属图案相连接的第一像素电极；位于所述钝化层上并与所述公共线相连接的公共电极；和位于所述半导体层上的修复图案，该修复图案的一端与所述漏极相连接，并且该修复图案的另一端重叠在所述第二像素区的第二像素电极下方从而限定了修复部分。

在第三方面中，提供了一种用于液晶显示(LCD)装置的阵列基板，该阵列基板包括：第一选通线和第二选通线，其在基板上与数据线交叉从而限定了第一像素区和第二像素区；薄膜晶体管(TFT)，该薄膜晶体管包括从所述数据线延伸的源极、与所述源极隔开的漏极、在位于栅极与所述源极和漏极之间的绝缘层上的半导体层；位于所述半导体层上的第一金属图案，该第一金属图案从所述漏极延伸并与公共线重叠；第二金属图案，该第二金属图案从所述第一金属图案向所述第二像素区延伸；布置在所述源极和所述漏极以及所述第一金属图案和所述第二金属图案上的钝化层；位于所述钝化层上并与所述公共线相连接的公共电极；位于所述钝化层上并与所述第一金属图案相连接的第一像素电极；和位于所述钝化层上的修复图案，该修复图案的一端从所述第二像素区的第二像素电极延伸，并且该修复图案的另一端与所述第二金属图案重叠从而限定了修复部分。

在第四方面中，提供了一种用于液晶显示(LCD)装置的阵列基板，该阵列基板包括：第一选通线和第二选通线，其在基板上与数据线交叉从而限定了第一像素区和第二像素区；薄膜晶体管(TFT)，该薄膜晶体管包括从所述数据线延伸的源极、与所述源极隔开的漏极、在位于栅极与所述源极和漏极之间的绝缘层上的半导体层；位于所述半导体层上的金属图案，该金属图案与公共线重叠并构成所述漏极的一部分；布置在所述源极和所述漏极以及所述金属图案上的钝化层；位于所述钝化层上并与所述公共线相连接的公共电极；位于所述钝化层上并与所述金属图案相连接的第一像素电极，其中所述第一像素电极包括向所述第二像素区延伸的突起；位于所述钝化层上的第一修复图案，该第一修复图案从所述第二像素区的第二像素电极延伸；和位于所述半导体层上的第二修复图案，该第二修复图案的一端重叠在所述突起下方从而限定了第一修复部分，并且该第二修复图案的另一端重叠在所述第一修复图案下方从而限定了第二修复部分。

应当理解，上文对本发明的概述与下文对本发明的详述都是示例性和解释性的，旨在提供对如权利要求所述发明的进一步解释。

附图说明

包括附图以提供对本发明的进一步理解，并且附图并入并构成说明书的一部分，例示了本发明的实施方式并与描述一起用来解释本发明的原理。

图1是LCD装置的常规液晶板的分解立体图。

图2是示出了根据现有技术的用于LCD装置的阵列基板的平面图。

图3是示出了根据本发明第一实施方式的用于面内切换型液晶装置(IPS-LCD)的阵列基板的平面图。

图4是沿图3中的IV-IV线截取的截面图。

图5是沿图3中的V-V线截取的截面图。

图6是示出了根据本发明第二实施方式的用于IPS-LCD装置的阵列基板的平面图。

图7是沿图6中的VII-VII线截取的截面图。

图8是示出了根据本发明第三实施方式的用于IPS-LCD装置的阵列基板的平面图。

图9是沿图8中的IX-IX线截取的截面图。

具体实施方式

LCD装置的阵列基板具有修复图案。当在一像素区中产生了缺陷时，可通过修复图案将该像素区中的像素电极电连接到另一像素区中的另一像素电极。虽然本发明针对用于面内切换型液晶装置(IPS-LCD)的阵列基板(其中在同一基板上形成像素电极和公共电极以获得宽视角)给出教导，但是本发明能够同等地适用于扭曲向列(TN)型LCD装置(TN-LCD)。

图3是示出了根据本发明第一实施方式的用于IPS-LCD的阵列基板101的平面图。图4是沿图3的IV-IV线截取的截面图。图5是沿图3的V-V线截取的截面图。下面的描述将共同参照图3至图5。

在基板101上限定有多个像素区P。由于所述多个像素区P中的每一个都具有相同的结构，因此将以两个相邻像素区为例进行讨论。阵列基板101包括形成在其上的第一选通线104和数据线125。尽管在图3中未示出，但是在基板101上还形成有与第一选通线104平行且隔开的第二选通线。第一选通线104和第二选通线分别与数据线125交叉从而限定了第一像素区P1和第二像素区P2。具有相同结构的第一像素区P1和第二像素区P2构成了基板101的多个像素区P。在基板101上形成有与第一选通线104大致平行且隔开的公共线110。

第一公共电极连接图案113a和第二公共电极连接图案113b分别从公共线110的两端延伸并形成在第一像素区P1中。第一公共电极连接图案113a和第二公共电极连接图案113b平行于数据线125。此外，第三公共电极连接图案113c联结第一公共电极连接图案113a与第二公共电极连接图案113b并形成在像素区P中。即，第一公共电极连接图案113a和第二公共电极连接图案113b中的每一个的一端与公共线110相连接，并且第一公共电极连接图案113a和第二公共电极连接图案113b中的每一个的另一端与第三公共电极连接图案113c相连接。结果，公共线110和第一公共电极连接图案113a至第三公共电极连接图案113c在第一像素区P1中形成了一正方形或矩形。

在图3中，公共线110和第三公共电极连接图案113c都具有较宽部和较窄部。然而，公共线110和第三公共电极连接图案113c可以呈其它形状。公共线110的较宽部与第二公共电极连接图案113b相连接，公共线110的较窄部与第一公共电极连接图案113a相连接。相反，第三公共电极连接图案113c的较宽部与第一公共电极连接图案113a相连接，第三公共电极连接图案113c的较窄部与第二公共电极连接图案113b相连接。

源极128从数据线125延伸，漏极130与源极128隔开并与第一选通线104重叠。第一选通线104与源极128和漏极130重叠的部分被限定为栅极107。在栅极107上形成有栅绝缘层115，在栅绝缘层115上形成有半导体层120。在半导体层120上形成有源极128和漏极130。漏极130可以平行于第一选通线104。源极128可以呈“U”形，并且漏极130布置在该“U”形内。栅极107、栅绝缘层115、半导体层120、源极128和漏极130构成第一薄膜晶体管(TFT)Tr。第一TFT Tr与第一选通线104以及数据线125相连接。虽然在图3至图5中未示出，但是第二像素区P2中的第二TFT与第二选通线以及数据线125相连接。

在第一像素区P1中形成有包括第一像素图案153a、第二像素图案153b和第三像素图案153c以及多个第四像素图案155的第一像素电极。第一像素图案153a、第二像素图案153b、第三像素图案153c以及所述多个第四像素图案155与第一TFT Tr电连接。第一像素图案153a将所述多个第四像素图案155的一端结合。第二像素图案153b和第三像素图案153c从第一像素图案153a的相应端部延伸。在图3中，第二像素图案153b和第三像素图案153c具有较宽部和较窄部。然而，第二像素图案153b和第三像素图案153c可以呈其它形状。第二像素图案153b的较窄部比第二像素图案153b的较宽部更靠近第一像素图案153a。相反，第三像素图案153c的较宽部比第三像素图案153c的较窄部更靠近第一像素图案153a。即，第二像素图案153b和第三像素图案153c分别具有与第三公共电极连接图案113c和公共线110大致相同的形状。所述多个第四像素图案155、第二像素图案153b和第三像素图案153c基本上彼此平行并且相对于第一像素图案153a形成一角度。

所述多个第四像素图案155彼此隔开。所述多个第四像素图案155可以包括透明导电材料，例如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)。

第三像素图案153c通过漏极接触孔143与构成漏极130的一部分的金属图案131相连接。金属图案131从TFT Tr的漏极130延伸。信号经由漏极130、金属图案131、第三像素图案153c和第一像素图案153a施加给所述多个第四像素图案155。

金属图案131与公共线110重叠。公共线110的重叠部分、与第三像素图案153c相连接的金属图案131、以及插入公共线110的重叠部分与金属图案131之间的栅绝缘层115构成第一存储电容器Stg1。第二公共电极连接图案113b与第一像素图案153a重叠。第二公共电极连接图案113b的重叠部分、第一像素图案153a的重叠部分、以及插入第二公共电极连接图案113b的重叠部分与第一像素图案153a的重叠部分之间的介入栅绝缘层115和介入钝化层140构成第二存储电容器Stg2。此外，第三公共电极连接图案113c与第二像素图案153b重叠。第三公共电极连接图案113c的重叠部分、第二像素图案153b的重叠部分、以及插入第三公共电极连接图案113c的重叠部分和第二像素图案153b的重叠部分之间的介入栅绝缘层115和介入钝化层140构成第三存储电容器Stg3。

在第一像素区P1中形成有包括第一公共图案156和多个第二公共图案157的公共电极。第一公共图案156与第一公共电极连接图案113a重叠。第一公共图案156通过公共接触孔141与第一公共电极连接图案113a相连接，第一公共图案156包括透明导电材料，例如ITO和IZO。所述多个第二公共图案157从第一公共图案156延伸并且彼此隔开。所述多个第二公共图案157与所述多个第四像素图案155平行地交替排列。所述多个第二公共图案157和所述多个第四像素图案155可以由同一层以及相同的透明导电材料形成。在图3中，所述多个第二公共图案157和所述多个第四像素图案155相对于第一选通线104形成一角度。然而，在另一实施方式中，所述多个第二公共图案157和所述多个第四像素图案155可以平行于第一选通线104。另选的是，可将所述多个第二公共图案157和所述多个第四像素图案155分成呈不同角度的两个组，从而在第一像素区P1中形成两个域。多域结构改善了视角。

此外，在基板101上形成有修复图案132。所述多个像素区包括彼此垂直相邻的第一像素区P1和第二像素区P2。修复图案132横跨第一选通线104并与第一TFT Tr的漏极130电连接。因此，修复图案132从第一像素区P1中的漏极130延伸到第二像素区P2中的第二像素电极的第二像素图案183b，从而与第二像素区P2中的第二像素图案183b重叠。修复图案132可以由与漏极130相同的材料形成在与漏极130相同的层。由于在修复图案132和第二像素区P2中的第二像素电极的第二像素图案183b之间形成有钝化层140，因此在修复之前，修复图案132和第二像素电极的第二像素图案183b彼此是电断接的。修复图案132和第二像素区P2中的第二像素电极的第二像素图案183b的重叠部分被限定为修复部分RP。

当第一像素区P1中的第一TFT Tr由于杂质而不起作用时，沿着切断线CL将漏极130切断，从而包括第一像素图案153a、第二像素图案153b、第三像素图案153c以及多个第四像素图案155的第一像素电极与第一像素区P1中的第一TFT Tr断开。接着，利用修复方法将修复图案132连接到第二像素区P2中的第二像素电极的第二像素图案183b。例如，可将激光束照射到修复部分RP以将修复图案132与第二像素区P2中的第二像素电极的第二像素图案183b相连接。

结果，第一像素区P1中的第一像素电极通过第二像素区P2中的第二像素电极、修复图案132以及第一像素区P1中的漏极130而与第二像素区P2中的第二TFT(未示出)电连接。可将施加给第二像素区P2中的第二像素电极的信号施加给第一像素区P1中的第一像素电极，从而第一像素区P1中所显示的图像具有与第二像素区P2中所显示的图像相同的灰度级。因此，能够克服现有技术中的上述问题。

此外参照图4和图5，其中形成有第一TFT Tr的区域被限定为切换区TrA。在基板101上形成有第一选通线104；栅极107在形成在第一像素区P1的切换区TrA中时与第一选通线104相连接。公共线110与第一选通线104隔开并形成在基板101上的第一像素区P1中。图5示出了形成在第二像素区P2中的第三公共电极图案连接113c。在第二像素区P2中，第三公共电极连接图案113c通过第一公共电极连接图案和第二公共电极连接图案(结构未示出)与公共线相连接。该第一公共电极连接图案和第二公共电极连接图案可以由与第二像素区P2中的第三公共电极连接图案113c相同的材料形成在与该第三公共电极连接图案113c相同的层。

在包括第一选通线104、栅极107、公共线110和第二像素区P2的第三公共电极连接图案113c的基板101上形成有栅绝缘层115。栅绝缘层115可以包括无机绝缘材料。在栅绝缘层115上形成有半导体层120，该半导体层120包括由本征非晶硅制成的有源层120a以及由掺杂非晶硅制成的欧姆接触层120b。欧姆接触层120b形成在有源层120a上。源极128和漏极130间隔开地形成在半导体层120上。此外，修复图案132形成在栅绝缘层115上。修复图案132横跨第一选通线104并电连接到漏极130。因此，修复图案132从第一像素区P1中的漏极130延伸到第二像素区P2。修复图案132可以由与漏极130相同的材料形成在与漏极130相同的层。(图3的)数据线125与第一选通线104和第二选通线(未示出)交叉从而限定了第一像素区P1和第二像素区P2。(图3的)数据线125连接到源极128。

从漏极130延伸的金属图案131形成在栅绝缘层115上并与公共线110重叠。如上所述，公共线110的作为第一电极的重叠部分、作为第二电极的金属图案131、以及插入公共线110的该重叠部分和金属图案131之间的作为介电材料的栅绝缘层115构成第一存储电容器Stg1。

半导体层120布置在(图3的)数据线125、修复图案132和金属图案131下方并具有与这三者大致相同的形状。这是因为半导体层120、(图3的)数据线125、修复图案132和金属图案131是采用单一掩模工艺同时进行构图的。如果半导体层120是采用与数据线125、修复图案132和金属图案131不同的掩模工艺进行构图的，那么半导体层120就不会位于数据线125、修复图案132和金属图案131下方。

在源极128、漏极130、修复图案132和金属图案131上形成有钝化层140。对钝化层140进行构图以形成(图3的)公共接触孔141和漏极接触孔143。漏极接触孔143和公共接触孔141分别暴露出(图3的)第一公共电极连接图案113a和金属图案131。

在钝化层140上由透明导电材料形成有第二像素图案153b、第三像素图案153c、所述多个第四像素图案155和所述多个第二公共图案157。此外，在钝化层140上形成有(图3的)第一像素图案153a和(图3的)第一公共图案156。

第一像素图案153a与第二公共电极连接图案113b重叠，并且第二像素图案153b和第三像素图案153c从第一像素图案153a的各端部延伸。第二像素图案153b和第三像素图案153c分别与第三公共电极连接图案113c以及公共线110重叠。此外，第二像素区P2中的第二像素电极的第二像素图案183b与从第一像素区P1中的漏极130延伸的修复电极132重叠。所述多个第四像素图案155从第一像素图案153a延伸。第二像素图案153b和第三像素图案153c以及所述多个第四像素图案155彼此大致平行并且相对于第一像素图案153a成一角度。第三像素图案153c通过漏极接触孔143与金属图案131相连接。

(图3的)第一公共图案156通过公共接触孔141与第一公共电极连接图案113a相连接，并且还与第一公共电极连接图案113a重叠。所述多个第二公共图案157从第一公共图案156延伸并与之成一角度。所述多个第二公共图案157与所述多个第四像素图案155平行地交替排列。

当第一像素区P1中的第一TFT Tr不起作用时，通过修复将第一像素区P1中的所述多个第四像素图案155与第一像素区P1中的第一TFTTr电断接，并且将其电连接到第二像素区P2中的第二TFT。即，沿着切断线CL将第一像素区P1中的第一TFT Tr的漏极130切断，并可将激光束照射到修复部分RP，从而使修复图案132与第二像素区P2中的第二像素电极的第二像素图案183b相连接。结果，第一像素区P1中的第一像素电极接收到与第二像素区P2中的第二像素电极相同的信号。

图6是示出了根据本发明第二实施方式的用于IPS-LCD装置的阵列基板的平面图。在第二实施方式中，漏极平行于数据线。不对与在图3至图5中已说明的元件类似的元件进行说明。

如图6所示，第一选通线204和第二选通线(未示出)分别与数据线225交叉从而限定了第一像素区P1和第二像素区P2。源极228从数据线225延伸并且呈“U”形。第一像素区P1中的漏极230与数据线225平行并布置在“U”形源极228内。源极228和漏极230与选通线204重叠。选通线204的重叠部分被限定为栅极207。第一像素区P1中的第一金属图案231从漏极230延伸，第二金属图案233平行于漏极230地从第一金属图案231延伸。第一金属图案231和第二金属图案233构成第一TFTTr的漏极230的部分。在钝化层(未示出)上形成有修复图案254。修复图案254可以横跨第一选通线204并与第二像素区P2中的第二像素电极的第二像素图案283b电连接。本领域的技术人员应理解，修复图案254可以在未达到与第一选通线204交叉时停止，而第二金属图案233可以延伸横跨第一选通线204从而与修复图案254重叠。

总之，修复图案254从第二像素区P2中的第二像素图案283b延伸到第一像素区P1并与构成第一像素区P1中的漏极230的一部分的第二金属图案233重叠。修复部分RP布置在修复图案254和第二金属图案233的重叠部分。

图7是沿图6的VII-VII线截取的截面图。如图7所示，在基板201上形成有第一选通线204、公共线210和第三公共电极连接图案213c。在第一选通线204、公共线210和第三公共电极连接图案213c上形成有栅绝缘层215。在栅绝缘层215上形成有包括有源层220a和欧姆接触层220b的半导体层220。从(图6的)漏极230延伸的第一金属图案231布置在半导体层220上并与公共线210重叠。公共线210的重叠部分、第一金属图案231、以及插入公共线210的重叠部分和第一金属图案231之间的栅绝缘层215构成第一存储电容器Stg1。在栅绝缘层215上形成有从第一金属图案231延伸的第二金属图案233。在第一金属图案231和第二金属图案233上形成有钝化层240。在钝化层240上形成有多个第四像素图案255、多个第二公共图案257、第二像素电极的第二像素图案283b和修复图案254。

在图7中，在第一像素区P1中形成有多个第四像素图案255和多个第二公共图案257。在第二像素区P2中，第二像素电极的第二像素图案283b与第二像素区P2中的第三公共电极连接图案213c重叠。重叠的第三公共电极连接图案213c、第二像素电极的第二像素图案283b、以及插入重叠的第三公共电极连接图案213c和第二像素电极的第二像素图案283b之间的栅绝缘层215和钝化层240构成第三存储电容器Stg3。修复图案254从第二像素区P2中的第二像素电极的第二像素图案283b延伸到第一像素区P1中，从而与构成漏极230的一部分的第二金属图案233重叠。由于在修复图案254和第二金属图案233之间插入有钝化层240，因此在修复之前，修复图案254和第二金属图案233彼此没有电连接。

当第一像素区P1中的第一TFT Tr不起作用时，沿着切断线CL切断第一像素区P1中的漏极230以断开第一像素区P1中的第一像素电极与第一像素区P1中的第一TFT Tr之间的连接。然后，通过向修复部分RP照射激光束将修复图案254和第二金属图案233相连接，从而将第一像素区P1中的第一像素电极连接到第二像素区P2中的第二像素电极。通过将第二像素区P2中的第二像素图案283b、修复图案254、第一像素区P1中的漏极230连接在一起，将像素区P1和像素区P2相连接。结果，施加给第二像素区P2中的第二像素电极的信号被施加给第一像素区P1中的第一像素电极。从而第一像素区P1中所显示的图像具有与第二像素区P2中所显示的图像相同的灰度级。

图8是示出了根据本发明第三实施方式的用于IPS-LCD装置的阵列基板的平面图。图9是沿图8的IX-IX线截取的截面图。除修复图案外，第三实施方式中的元件与第二实施方式中的元件大致相同，因此不对相同的元件进行说明。

在基板301上方，第一选通线304和第二选通线(未示出)分别与数据线325交叉从而限定了第一像素区P1和第二像素区P2。公共线310与第一选通线304隔开。源极328从数据线325延伸并且可呈“U”形。漏极330布置在“U”形源极328内但与源极328隔开。漏极330与数据线325大致平行。

构成漏极330的一部分的金属图案331从漏极330延伸并与公共线310重叠。在基板301上方形成有第一修复图案354和第二修复图案333。第一像素区P1中的第一像素电极包括突出部352。突出部352从第一像素区P1中的第三像素图案353c延伸并与第二修复图案333的一端重叠。第一修复图案354横跨第一选通线304并与第二像素区P2中的第二像素电极的第二像素图案383b电连接。因此，第一修复图案354从第二像素区P2中的第二像素电极的第二像素图案383b延伸到第一像素区P1并与第二修复图案333的另一端重叠。

可将第二修复图案333布置在第一选通线304与第一像素区P1中的公共线310之间。本领域的技术人员应理解，可将第二修复图案333布置在第二像素图案383b和第一选通线304之间，其中第一修复图案354不与第一选通线304交叉。第二修复图案333由与漏极330和金属图案331相同的材料形成在与漏极330和金属图案331相同的层。然而，第二修复图案333与漏极330和金属图案331分离开并且呈岛形。

第二修复图案333形成在栅绝缘层315上并布置在第一选通线304和公共线310之间。在第二修复图案333上形成有钝化层340。突出部352形成在钝化层340上并从第一像素区P1中的第三像素图案353c延伸从而与第二修复图案333的一端重叠。第一修复图案354形成在钝化层340上并从第二像素区P2中的第二像素电极的第二像素图案383b延伸从而与第二修复图案333的另一端重叠。突出部352和第二修复图案333的重叠部分被限定为第一修复部分RP1，并且第一修复图案354和第二修复图案333的重叠部分被限定为第二修复部分RP2。由于在第二修复图案333和突出部352之间以及在第二修复图案333和第一修复图案354之间插入有钝化层340，所以第一像素电极的突出部352和第一修复图案354与第二修复图案333之间是电断接的。

当第一像素区P1中的第一TFT Tr不起作用时，沿着切断线CL切断第一像素区P1中的漏极330以断开第一像素区P1中的第一像素电极和第一像素区P1中的第一TFT Tr之间的连接。然后，通过向第一修复部分RP1照射激光束将第一像素区P1中的第一像素电极的突出部352与第二修复图案333电连接，通过向第二修复部分RP2照射激光束将第一修复图案354和第二修复图案333电连接。因此，经由第二修复图案333将第一像素区P1中的第一像素电极的突出部352与第一修复图案354彼此电连接。结果，通过第一修复图案354、第二修复图案333和突出部352，将第一像素区P1中的第一像素电极与第二像素区P2中的第二像素电极相连接。因此，在修复后，第一像素区P1中的第一像素电极开始接收与第二像素区P2中的第二像素电极相同的信号。

下面简要说明制造根据第一实施方式的用于IPS-LCD装置的阵列基板的方法。首先，在基板上形成第一金属材料层。然后，采用掩模工艺对第一金属材料层进行构图以形成第一选通线、第二选通线、栅极、公共线以及第一公共电极连接图案至第三公共电极连接图案。该掩模工艺包括：形成光刻胶(PR)层的步骤、采用掩模对该PR层进行曝光的步骤、对该PR层进行显影以形成PR图案的步骤、以及清除暴露在PR图案之间的第一金属材料层的步骤。如上所述，将公共线与第一选通线隔开。第一公共电极连接图案和第二公共电极连接图案从公共线的各端部延伸。第三公共电极连接图案联结第一公共电极连接图案和第二公共电极连接图案。即，公共线和第一公共电极连接图案至第三公共电极连接图案形成一正方形或矩形。

接着，通过淀积诸如硅氧化物和硅氮化物的无机绝缘材料，在第一选通线、第二选通线、栅极、公共线和第一公共电极连接图案至第三公共电极连接图案上形成栅绝缘层。

接着，在栅绝缘层上依次形成非晶硅层、掺杂非晶硅层和第二金属材料层。可以采用衍射掩模工艺或半色调(half-tone)掩模工艺之一对非晶硅层、掺杂非晶硅层和第二金属材料层进行构图，以形成数据线、源极、漏极、有源层和欧姆接触层。数据线与第一选通线以及第二选通线交叉从而限定了第一像素区和第二像素区。源极从数据线延伸并与漏极隔开。源极和漏极与栅极重叠。漏极平行于第一选通线。将包括有源层和欧姆接触层的半导体层布置在源极、漏极和数据线下方。

同时，使修复图案跨第一选通线并与第一薄膜晶体管的漏极电连接。修复图案从第一像素区中的漏极延伸到第二像素区中以与第二像素电极的第三公共电极连接图案重叠。此外，构成漏极的一部分的金属图案从第一像素区中的漏极延伸并与公共线重叠。修复图案和金属图案可以相对地延伸。

接着，在数据线、源极、漏极、修复图案和金属图案上形成钝化层。对钝化层进行构图以形成漏极接触孔和公共接触孔。漏极接触孔和公共接触孔分别暴露出金属图案和第一公共电极连接图案。

接着，在钝化层上形成透明导电材料层。对该透明导电材料层进行构图以形成第一像素图案至第三像素图案、多个第四像素图案、第一公共图案和多个第二公共图案。按使第一像素图案与数据线大致平行的方式使第一像素图案与第二公共图案重叠。第二像素图案从第一像素图案的一端延伸并与第三公共连接图案和修复图案重叠。第三像素图案从第

一像素图案的另一端延伸并与金属图案重叠且通过漏极接触孔连接到金属图案。所述多个第四像素图案从第一像素图案延伸并与第二像素图案和第三像素图案大致平行。第一公共图案与第一公共连接图案重叠且通过公共接触孔连接到第一公共连接图案。将所述多个第四像素图案布置在第二像素图案和第三像素图案之间。所述多个第二公共图案从第一公共图案延伸并与所述多个第四像素图案交替排列。

在第二实施方式中，漏极平行于数据线而不是平行于第一选通线。此外，第二金属图案从第一金属图案延伸，并且修复图案从第二像素图案延伸以与第二金属图案重叠。在第三实施方式中，在公共线和第一选通线之间布置第二修复图案。该第二修复图案由与漏极和金属图案相同的材料形成在与漏极和金属图案相同的层。然而，第二修复图案呈岛形并且与漏极和金属图案都是电断接的。第一修复图案从第二像素图案延伸并与第二修复图案的一端重叠。第一像素电极的突出部从第三像素图案延伸并与第二修复图案的另一端重叠。

当一个像素区中的TFT损坏或不起作用时，能够将与损坏的TFT相连的像素电极连接到可用的相邻TFT。因此，改善了LCD装置的显示质量。

对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明的有机场致发光装置及其制造方法作出各种修改和变型。因此，只要对本发明所作的这些修改和变型落入所附权利要求及其等同物的范围内，本发明就涵盖这些修改和变型。

本申请要求于2006年12月29日在韩国提交的韩国专利申请第2006-0137829号的优先权，通过引用将其合并于此。

Claims (13)

1.一种用于液晶显示装置的阵列基板，该基板包括：

位于基板上的第一选通线和第二选通线；

数据线，其与所述第一选通线和所述第二选通线分别交叉从而限定了第一像素区和第二像素区；

第一薄膜晶体管，其与所述第一选通线和所述数据线相连接；

分别位于所述第一像素区和所述第二像素区中的第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极与所述第一薄膜晶体管相连接；

从所述第一薄膜晶体管的漏极延伸并连接到所述第一像素电极的第一金属图案，所述第一金属图案与公共线重叠，所述公共线与所述第一选通线平行且隔开；

从所述第一金属图案朝向所述第二像素区延伸的第二金属图案，其中，所述第一金属图案和所述第二金属图案构成所述漏极的一部分，并且所述第一金属图案与所述漏极和所述第二金属图案形成为一体；

位于所述第一像素区中的第一到第三公共电极连接图案，所述第一和第二公共电极连接图案从所述公共线的两端延伸，所述第三公共电极连接图案联结所述第一公共电极连接图案和所述第二公共电极连接图案，所述第一和第二公共电极连接图案与所述数据线平行；

公共电极，其位于所述第一像素区中并连接到所述公共线；

从所述第二像素电极延伸的修复图案，该修复图案横跨所述第一选通线，并与所述第二金属图案重叠以限定修复部分，其中，所述修复图案与所述第二像素电极形成为一体；

其中，所述第一像素电极和所述第二像素电极中的每一个都包括第一像素图案至第三像素图案以及多个第四像素图案，所述第一像素图案联结所述多个第四像素图案的一个端部，所述第二像素图案和所述第三像素图案从所述第一像素图案的各端部延伸，所述多个第四像素图案彼此隔开，

其中，所述多个第四像素图案、所述第二像素图案和所述第三像素图案彼此平行并相对于所述第一像素图案形成一角度，

其中，所述公共电极包括第一公共图案和从所述第一公共图案延伸的多个第二公共图案，并且所述多个第二公共图案与所述多个第四像素图案交替地排列，并且

其中，所述第一公共图案与所述第一公共电极连接图案重叠。

2.根据权利要求1所述的基板，其中所述第一薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和所述漏极，并且所述第一像素电极与所述漏极相连接。

3.根据权利要求1所述的基板，其中所述修复图案与所述第二像素电极电连接。

4.根据权利要求3所述的基板，其中所述修复图案由与所述第二像素电极相同的材料形成在与所述第二像素电极相同的层。

5.根据权利要求1所述的基板，其中所述公共电极与所述第一公共电极连接图案相连接。

6.根据权利要求5所述的基板，该基板还包括：

位于所述公共线上的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层上的所述第一金属图案；和

位于所述第一金属图案上的钝化层，

其中所述第三像素图案与所述第一金属图案相连接，并且所述公共线、所述第一金属图案以及这二者之间的所述栅绝缘层构成第一存储电容器。

7.根据权利要求6所述的基板，其中所述栅绝缘层和所述钝化层布置在所述第二公共电极连接图案和所述第一像素图案之间，并且其中所述第二公共电极连接图案和所述第一像素图案以及插入这二者之间的所述栅绝缘层和所述钝化层构成第二存储电容器。

8.根据权利要求7所述的基板，其中所述栅绝缘层和所述钝化层布置在所述第三公共电极连接图案和所述第二像素图案之间，并且其中所述第三公共电极连接图案和所述第二像素图案以及插入这二者之间的所述栅绝缘层和所述钝化层构成第三存储电容器。

9.一种用于液晶显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：

第一选通线和第二选通线，该第一选通线和第二选通线在基板上与数据线交叉从而限定了第一像素区和第二像素区；

薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：从所述数据线延伸的源极、与所述源极隔开的漏极、在位于栅极与所述源极和漏极之间的绝缘层上的半导体层；

位于所述半导体层上的金属图案，该金属图案与公共线重叠并构成所述漏极的一部分，所述公共线与所述第一选通线平行且隔开，其中，所述金属图案从所述漏极延伸，并且与所述漏极形成为一体；

位于所述第一像素区中的第一到第三公共电极连接图案，所述第一和第二公共电极连接图案从所述公共线的两端延伸，所述第三公共电极连接图案联结所述第一公共电极连接图案和所述第二公共电极连接图案，所述第一和第二公共电极连接图案与所述数据线平行；

布置在所述源极和所述漏极以及所述金属图案上的钝化层；

位于所述钝化层上并与所述金属图案相连接的第一像素电极；

位于所述钝化层上并与所述公共线相连接的公共电极；和

位于所述半导体层上的修复图案，该修复图案的一端与所述漏极相连接，并且该修复图案的另一端重叠在所述第二像素区的第二像素电极下方从而限定了修复部分，其中所述修复图案从所述漏极延伸并横跨所述第一选通线，并且所述修复图案与所述漏极形成为一体，

其中，所述第一像素电极和所述第二像素电极中的每一个都包括第一像素图案至第三像素图案以及多个第四像素图案，所述第一像素图案联结所述多个第四像素图案的一个端部，所述第二像素图案和所述第三像素图案从所述第一像素图案的各端部延伸，所述多个第四像素图案彼此隔开，

其中，所述多个第四像素图案、所述第二像素图案和所述第三像素图案彼此平行并相对于所述第一像素图案形成一角度，

其中，所述公共电极包括第一公共图案和从所述第一公共图案延伸的多个第二公共图案，并且所述多个第二公共图案与所述多个第四像素图案交替地排列，并且

其中，所述第一公共图案与所述第一公共电极连接图案重叠。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其中所述修复图案由与所述漏极相同的材料形成在与所述漏极相同的层。

11.根据权利要求9所述的阵列基板，其中所述金属图案的一部分延伸成与所述漏极成为一体，并且该部分还与所述修复图案成为一体并与所述修复图案形成在同一层。

12.一种用于液晶显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：

第一选通线和第二选通线，该第一选通线和第二选通线在基板上与数据线交叉从而限定了第一像素区和第二像素区；

薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：从所述数据线延伸的源极、与所述源极隔开的漏极、在位于栅极与所述源极和漏极之间的绝缘层上的半导体层；

位于所述半导体层上的第一金属图案，该第一金属图案从所述漏极延伸并与公共线重叠，所述公共线与所述第一选通线平行且隔开；

第二金属图案，该第二金属图案从所述第一金属图案向所述第二像素区延伸，其中所述第一金属图案和所述第二金属图案构成所述漏极的一部分，并且所述第一金属图案与所述漏极和所述第二金属图案形成为一体；

位于所述第一像素区中的第一到第三公共电极连接图案，所述第一和第二公共电极连接图案从所述公共线的两端延伸，所述第三公共电极连接图案联结所述第一公共电极连接图案和所述第二公共电极连接图案，所述第一和第二公共电极连接图案与所述数据线平行；

布置在所述源极和所述漏极以及所述第一金属图案和所述第二金属图案上的钝化层；

位于所述钝化层上并与所述公共线相连接的公共电极；

位于所述钝化层上并与所述第一金属图案相连接的第一像素电极；和

位于所述钝化层上的修复图案，该修复图案的一端从所述第二像素区的第二像素电极延伸，该修复图案横跨所述第一选通线，并且该修复图案的另一端与所述第二金属图案重叠从而限定了修复部分，其中所述修复图案与所述第二像素电极形成为一体，

其中，所述第一像素电极和所述第二像素电极中的每一个都包括第一像素图案至第三像素图案以及多个第四像素图案，所述第一像素图案联结所述多个第四像素图案的一个端部，所述第二像素图案和所述第三像素图案从所述第一像素图案的各端部延伸，所述多个第四像素图案彼此隔开，

其中，所述多个第四像素图案、所述第二像素图案和所述第三像素图案彼此平行且相对于所述第一像素图案形成一角度，

其中，所述公共电极包括第一公共图案和从所述第一公共图案延伸的多个第二公共图案，并且所述多个第二公共图案与所述多个第四像素图案交替地排列，并且

其中，所述第一公共图案与所述第一公共电极连接图案重叠。

13.一种用于液晶显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：

第一选通线和第二选通线，该第一选通线和第二选通线在基板上与数据线交叉从而限定了第一像素区和第二像素区；

薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：从所述数据线延伸的源极、与所述源极隔开的漏极、在位于栅极与所述源极和漏极之间的绝缘层上的半导体层；

位于所述半导体层上的金属图案，该金属图案与公共线重叠并构成所述漏极的一部分，所述公共线与所述第一选通线平行且隔开，其中所述金属图案从所述漏极延伸并且与所述漏极形成为一体；

位于所述第一像素区中的第一到第三公共电极连接图案，所述第一和第二公共电极连接图案从所述公共线的两端延伸，所述第三公共电极连接图案联结所述第一公共电极连接图案和所述第二公共电极连接图案，所述第一和第二公共电极连接图案与所述数据线平行；

布置在所述源极和所述漏极以及所述金属图案上的钝化层；

位于所述钝化层上并与所述公共线相连接的公共电极；

位于所述钝化层上并与所述金属图案相连接的第一像素电极，其中所述第一像素电极包括向所述第二像素区延伸的突起，其中所述突起与所述第一像素电极形成为一体；

位于所述钝化层上的第一修复图案，该第一修复图案从所述第二像素区的第二像素电极延伸并横跨所述第一选通线，其中所述第一修复图案与所述第二像素电极形成为一体；和

位于所述半导体层上的第二修复图案，该第二修复图案的一端重叠在所述突起下方从而限定了第一修复部分，并且该第二修复图案的另一端重叠在所述第一修复图案下方从而限定了第二修复部分，

其中，所述第一像素电极和所述第二像素电极中的每一个都包括第一像素图案至第三像素图案以及多个第四像素图案，所述第一像素图案联结所述多个第四像素图案的一个端部，所述第二像素图案和所述第三像素图案从所述第一像素图案的各端部延伸，所述多个第四像素图案彼此隔开，

其中，所述多个第四像素图案、所述第二像素图案和所述第三像素图案彼此平行且相对于所述第一像素图案形成一角度，

其中，所述公共电极包括第一公共图案和从所述第一公共图案延伸的多个第二公共图案，并且所述多个第二公共图案与所述多个第四像素图案交替地排列，并且

其中，所述第一公共图案与所述第一公共电极连接图案重叠。

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