JP2015507227A - ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015507227A JP2015507227A JP2014556463A JP2014556463A JP2015507227A JP 2015507227 A JP2015507227 A JP 2015507227A JP 2014556463 A JP2014556463 A JP 2014556463A JP 2014556463 A JP2014556463 A JP 2014556463A JP 2015507227 A JP2015507227 A JP 2015507227A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light shielding
- phase inversion
- film pattern
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
Claims (26)
- 透明基板と、
前記透明基板の上部に形成された位相反転膜と、
前記位相反転膜の上部に形成されたハードマスク膜と、を備えるブランクマスク。 - 前記透明基板の縁部に、ブラインド領域が定義されるように前記透明基板の上部や下部に形成される遮光膜パターン、または前記透明基板の下部に形成される遮光膜をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記透明基板の縁部に、ブラインド領域が定義されるように前記透明基板の上部に形成される遮光膜パターンをさらに備え、前記位相反転膜は、前記遮光膜パターンを覆うように形成されることを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記透明基板の縁部に、ブラインド領域が定義されるように前記位相反転膜上に形成される遮光膜パターンをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、200nm以下の露光波長で0.1%ないし40%の透過率を持つことを特徴とする請求項1または2に記載のブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、200nm以下の露光波長で170゜ないし190゜の位相反転量を持つことを特徴とする請求項1または2に記載のブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、100Åないし1,000Åの厚さを持つことを特徴とする請求項1または2に記載のブランクマスク。
- 前記ハードマスク膜は、10Åないし100Åの厚さを持つことを特徴とする請求項1または2に記載のブランクマスク。
- 前記位相反転膜及びハードマスク膜は、単層または複数層の形態を持ち、深さ方向に組成の均一な単一膜または組成の変わる連続膜の形態を持つことを特徴とする請求項1または2に記載のブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、シリコン(Si)を含み、チタン(Ti)、バナジウム(V)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、パラジウム(Pd)、亜鉛(Zn)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、マンガン(Mn)、カドミウム(Cd)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、セレン(Se)、銅(Cu)、モリブデン(Mo)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タングステン(W)のうち1種以上の金属物質を含み、選択的に窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)のうち1種以上の物質をさらに含むことを特徴とする請求項1または2に記載のブランクマスク。
- 前記ハードマスク膜上に備えられたレジスト膜をさらに備え、前記レジスト膜は300Åないし2,000Åの厚さを持つことを特徴とする請求項1または2に記載のブランクマスク。
- 前記レジスト膜は、酸を含む物質で構成されたことを特徴とする請求項11に記載のブランクマスク。
- 前記ブラインド領域の光学密度は、露光波長に対して2.0ないし4.0であることを特徴とする請求項2に記載のブランクマスク。
- 前記遮光膜パターンまたは遮光膜は、単層または複数層の形態を持ち、深さ方向に組成の均一な単一膜または組成の変わる連続膜の形態を持つことを特徴とする請求項2に記載のブランクマスク。
- 前記遮光膜パターンまたは遮光膜は、200Åないし1,500Åの厚さを持つことを特徴とする請求項2に記載のブランクマスク。
- 前記遮光膜パターン上に備えられた反射防止膜パターンまたは前記遮光膜上に備えられた反射防止膜をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載のブランクマスク。
- 前記遮光膜パターン、遮光膜及びハードマスク膜のうち少なくとも一つは、チタン(Ti)、バナジウム(V)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、パラジウム(Pd)、亜鉛(Zn)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、マンガン(Mn)、カドミウム(Cd)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、セレン(Se)、銅(Cu)、モリブデン(Mo)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タングステン(W)及びシリコン(Si)のうち1種以上の金属物質を含み、選択的に窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)のうち1種以上の物質をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のブランクマスク。
- 請求項1または2に記載のブランクマスクで製造され、
透明基板に、遮光領域及び透光領域が備えられたブラインド領域と、位相反転領域及び透光領域が備えられたメイン領域とを持つフォトマスクであり、
前記透光領域は、前記透明基板が露出された領域であり、
前記位相反転領域は、前記透明基板のメイン領域に位相反転膜パターンが備えられた領域であり、
前記遮光領域は、前記透明基板のブラインド領域に遮光膜パターンが形成された領域であり、露光光に対する光学密度が2.0ないし4.0になるように前記遮光膜パターンが200Åないし1,500Åの厚さを持つフォトマスク。 - 前記遮光領域は、前記透明基板の上部に順次に積層された遮光膜パターン及び位相反転膜パターンで形成されるか、前記透明基板の上部に順次に積層された位相反転膜パターン及び遮光膜パターンで形成されるか、または、前記透明基板の下部に形成された遮光膜パターン及び前記透明基板の上部に形成された位相反転膜パターンで形成されることを特徴とする請求項18に記載のフォトマスク。
- 前記遮光膜パターン上に備えられた反射防止膜パターンをさらに備えることを特徴とする請求項18に記載のフォトマスク。
- 前記位相反転膜パターン上に備えられたハードマスク膜パターンをさらに備えることを特徴とする請求項18に記載のフォトマスク。
- 透明基板に、遮光領域及び透光領域が備えられたブラインド領域と、位相反転領域及び透光領域が備えられたメイン領域とを持つフォトマスクの製造方法であり、
(a)前記遮光領域と対応する前記透明基板の上部や下部に遮光膜パターンを形成する段階と、
(b)前記透明基板の上部に位相反転膜を形成する段階と、
(c)前記位相反転膜の上部にハードマスク膜を形成する段階と、
(d)前記ハードマスク膜上に前記透光領域と対応する部分を露出させるハードマスク膜パターニング用レジスト膜パターンを形成する段階と、
(e)前記ハードマスク膜パターニング用レジスト膜パターンをエッチングマスクとして用いて、露出されたハードマスク膜をエッチングしてハードマスク膜パターンを形成する段階と、
(f)前記ハードマスク膜パターンをエッチングマスクとして用いて、露出された位相反転膜をエッチングして前記位相反転領域に位相反転膜パターンを形成する段階と、を含むフォトマスクの製造方法。 - 前記(b)段階を先に行った後、前記(a)段階、(c)段階、(d)段階、(e)段階及び(f)段階を順次に行うことを特徴とする請求項22に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記(b)段階、(c)段階、(d)段階、(e)段階及び(f)段階順に先に行った後、前記(a)段階を行うことを特徴とする請求項22に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記(a)段階の実行時にレジスト膜を用いたパターニングまたはリフトオフ方法を用いることを特徴とする請求項24に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記(f)段階後、前記ハードマスク膜パターンを除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項22ないし25のうちいずれか一項に記載のフォトマスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20120050634 | 2012-05-14 | ||
KR10-2012-0050634 | 2012-05-14 | ||
KR1020120115190A KR101407230B1 (ko) | 2012-05-14 | 2012-10-17 | 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법 |
KR10-2012-0115190 | 2012-10-17 | ||
PCT/KR2012/008852 WO2013172515A1 (ko) | 2012-05-14 | 2012-10-26 | 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015507227A true JP2015507227A (ja) | 2015-03-05 |
JP6008991B2 JP6008991B2 (ja) | 2016-10-19 |
Family
ID=49854974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014556463A Active JP6008991B2 (ja) | 2012-05-14 | 2012-10-26 | ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9389500B2 (ja) |
EP (1) | EP2851750A4 (ja) |
JP (1) | JP6008991B2 (ja) |
KR (1) | KR101407230B1 (ja) |
CN (1) | CN104160335B (ja) |
TW (1) | TWI567480B (ja) |
WO (1) | WO2013172515A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017227824A (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
WO2022124192A1 (ja) * | 2020-12-09 | 2022-06-16 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104111581A (zh) * | 2014-07-09 | 2014-10-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制造方法、薄膜晶体管的制造方法 |
WO2016152212A1 (ja) * | 2015-03-24 | 2016-09-29 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
FR3043495A1 (fr) * | 2015-11-09 | 2017-05-12 | St Microelectronics Crolles 2 Sas | Capteur d'images a obturation globale |
KR20180041042A (ko) * | 2016-10-13 | 2018-04-23 | 주식회사 에스앤에스텍 | 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크 |
TWI615668B (zh) * | 2016-11-18 | 2018-02-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 相位移光罩的形成方法 |
JPWO2020235612A1 (ja) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | ||
US20220390827A1 (en) * | 2021-06-07 | 2022-12-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography mask and methods |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0950112A (ja) * | 1995-08-04 | 1997-02-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相シフトマスク |
JP2000131824A (ja) * | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2002107911A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Toshiba Corp | 露光用マスクの製造方法 |
JP2004226967A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-12 | Asml Netherlands Bv | 誘導されたトポグラフィおよび導波路効果を減少させるための位相シフト・マスクおよびプレーナ位相シフト・マスク用の埋め込み型エッチング停止部 |
JP2005062884A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | ブランクフォトマスク及びそれを使用したフォトマスクの製造方法 |
JP2007292824A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク |
JP2009063638A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Fujitsu Microelectronics Ltd | フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2010009038A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法 |
JP2010008868A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Hoya Corp | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
JP2011013283A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスク |
JP2011164566A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | S&S Tech Corp | ハーフトーン型位相反転ブランクマスク、ハーフトーン型位相反転フォトマスク及びその製造方法 |
JP2012073326A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク、フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100278645B1 (ko) * | 1993-12-22 | 2001-01-15 | 윤종용 | 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 |
KR100213250B1 (ko) | 1996-10-10 | 1999-08-02 | 윤종용 | 위상 쉬프트 마스크 및 그 제조방법 |
KR101384111B1 (ko) | 2009-01-09 | 2014-04-10 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크, 이를 이용하는 포토 마스크 및 이를 제조하는 방법 |
KR20110059510A (ko) * | 2009-11-27 | 2011-06-02 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법 |
-
2012
- 2012-10-17 KR KR1020120115190A patent/KR101407230B1/ko active IP Right Grant
- 2012-10-26 JP JP2014556463A patent/JP6008991B2/ja active Active
- 2012-10-26 CN CN201280069965.5A patent/CN104160335B/zh active Active
- 2012-10-26 US US14/377,941 patent/US9389500B2/en active Active
- 2012-10-26 EP EP12876938.7A patent/EP2851750A4/en not_active Withdrawn
- 2012-10-26 WO PCT/KR2012/008852 patent/WO2013172515A1/ko active Application Filing
-
2013
- 2013-01-15 TW TW102101543A patent/TWI567480B/zh active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0950112A (ja) * | 1995-08-04 | 1997-02-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相シフトマスク |
JP2000131824A (ja) * | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2002107911A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Toshiba Corp | 露光用マスクの製造方法 |
JP2004226967A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-12 | Asml Netherlands Bv | 誘導されたトポグラフィおよび導波路効果を減少させるための位相シフト・マスクおよびプレーナ位相シフト・マスク用の埋め込み型エッチング停止部 |
JP2005062884A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | ブランクフォトマスク及びそれを使用したフォトマスクの製造方法 |
JP2007292824A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク |
JP2009063638A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Fujitsu Microelectronics Ltd | フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2010009038A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法 |
JP2010008868A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Hoya Corp | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
JP2011013283A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスク |
JP2011164566A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | S&S Tech Corp | ハーフトーン型位相反転ブランクマスク、ハーフトーン型位相反転フォトマスク及びその製造方法 |
JP2012073326A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク、フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017227824A (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
WO2022124192A1 (ja) * | 2020-12-09 | 2022-06-16 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6008991B2 (ja) | 2016-10-19 |
US9389500B2 (en) | 2016-07-12 |
CN104160335B (zh) | 2017-12-26 |
CN104160335A (zh) | 2014-11-19 |
TWI567480B (zh) | 2017-01-21 |
KR101407230B1 (ko) | 2014-06-13 |
KR20130127351A (ko) | 2013-11-22 |
EP2851750A4 (en) | 2015-09-09 |
WO2013172515A1 (ko) | 2013-11-21 |
EP2851750A1 (en) | 2015-03-25 |
TW201346429A (zh) | 2013-11-16 |
US20150212403A1 (en) | 2015-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6008991B2 (ja) | ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法 | |
KR100947166B1 (ko) | 포토마스크 블랭크와 포토마스크 제조 방법 | |
JP4509050B2 (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスク | |
JP4764214B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 | |
KR102195696B1 (ko) | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크 | |
KR101383470B1 (ko) | 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크 블랭크 및 드라이 에칭 방법 | |
TWI479257B (zh) | 光罩基板、光罩及其製造方法 | |
TW201535039A (zh) | 光罩毛胚 | |
JP2007292824A (ja) | フォトマスクブランク | |
KR20130128337A (ko) | 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크 및 하프톤 위상 시프트 마스크의 제조 방법 | |
KR20130132787A (ko) | 마스크 블랭크 및 그 제조 방법과 전사용 마스크 | |
JP5317310B2 (ja) | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 | |
KR101923272B1 (ko) | 포토마스크 블랭크, 그의 제조 방법 및 포토마스크 | |
KR20210042878A (ko) | 포토마스크 블랭크 | |
KR20180026766A (ko) | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
JP2018116269A (ja) | 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 | |
JP2012032823A (ja) | フォトマスクブランク及びバイナリーマスクの製造方法 | |
KR20190047671A (ko) | 포토마스크 블랭크의 설계 방법 및 포토마스크 블랭크 | |
TWI758382B (zh) | 相移光罩基底、相移光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法 | |
JP4930736B2 (ja) | フォトマスクの製造方法及びフォトマスク | |
JP4697495B2 (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 | |
TW201115644A (en) | Etching method and photomask blank processing method | |
KR20180000552A (ko) | 블랭크 마스크, 위상반전 포토마스크 및 그의 제조 방법 | |
KR20150094509A (ko) | 위상 반전 포토마스크 및 그의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140812 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151102 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160603 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160913 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6008991 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |