JP2004226967A - 誘導されたトポグラフィおよび導波路効果を減少させるための位相シフト・マスクおよびプレーナ位相シフト・マスク用の埋め込み型エッチング停止部 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】位相差を形成するためのエッチングスマスク300はガラスもしくは石英の層310、エッチング停止層380、ポリマー層330、ハードマスク320より構成される。レジストプロセスをした後、ハードマスク320をパターニングし、ポリマー層330をエッチングした後、エッチング停止層380を除去する。このエッチングマスクを用いてガラスもしくは石英の層310をエッチングして180°の位相差を形成する。
【選択図】図4
Description
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMTは基本的に定位置に保たれ、マスクの画像全体が一度に(すなわち1回の「フラッシュ」で)ターゲット部分Cの上に投影される。その後、異なるターゲット部分CがビームPBによって照射可能となるように基板テーブルWTがxおよび/またはy方向に移される。
2.スキャン・モードでは、所定のターゲット部分Cが1回の「フラッシュ」で露光されないことを除いて基本的に同じ筋書きが適用される。その代わりに、マスク・テーブルMTが速度vで所定の方向(「スキャン方向」と称され、例えばy方向)に可動性であり、それにより、投影ビームPBがマスクの画像にわたってスキャンさせられる。それと共に、基板テーブルWTが速度V=Mvで同じまたは逆の方向で同時に移動させられ、ここでMはレンズPLの倍率(通常、M=1/4または1/5)である。この方式で、解像度を譲歩することなく比較的大きなターゲット部分Cが露光されることが可能となる。
Claims (26)
- リソグラフ投影装置に使用するためのパターニング・デバイスであって、
ガラスもしくは石英の層、
樹脂製ポリマーの層、および
ガラスもしくは石英の層と樹脂製ポリマー層の間のエッチング停止層を含み、樹脂製ポリマー層にパターンが形成され、かつパターンに相当する領域でガラスもしくは石英の層と樹脂製ポリマー層の間にエッチング停止層が設けられないパターニング・デバイス。 - 樹脂製ポリマー層がシルセスキオキサン水素で形成される、請求項1に記載のパターニング・デバイス。
- エッチング停止層がクロムで形成される、請求項1に記載のパターニング・デバイス。
- 樹脂製ポリマー層の上にさらに不透明材料の層を含み、樹脂製ポリマー層内のパターンに対応して不透明材料の層がパターン化される、請求項1に記載のパターニング・デバイス。
- 不透明材料の層がクロムである、請求項4に記載のパターニング・デバイス。
- フォトリソグラフ投影装置に使用するためのパターニング・デバイスを製造する方法であって、
ガラスもしくは石英の層とエッチング停止層を含むブランクを供給する工程、
エッチング停止層の上に樹脂製ポリマーの層を形成する工程、
樹脂製ポリマー層の上に不透明材料の層を形成する工程、
不透明材料層の上に放射感応材料の層を塗布する工程、
放射感応材料の層をパターン化された放射の投影ビームに露光する工程、
パターンに対応する不透明材料層の部分を除去する工程、
樹脂製ポリマー層内のパターンを現像する工程、および
パターンに対応するエッチング停止層の部分を除去する工程を含む方法。 - 樹脂製ポリマー層がシルセスキオキサン水素であり、スピン・コーティングによって形成される、請求項6に記載の方法。
- 不透明材料の層がスパッタリングによって形成される、請求項6に記載の方法。
- パターンがウェット・エッチングによって現像される、請求項6に記載の方法。
- パターンが、プラズマ・ツールによるエッチングによって現像される、請求項6に記載の方法。
- リソグラフ投影装置に使用するためのパターニング・デバイスであって、
ガラスもしくは石英の層、
減衰材料の層、および
ガラスもしくは石英の層と樹脂製無機ポリマー層の間のエッチング停止層を含み、減衰材料の層にパターンが形成され、かつパターンに相当する領域でガラスもしくは石英の層と減衰材料の層の間にエッチング停止層が設けられないパターニング・デバイス。 - 減衰材料の層がモリブデンとシリコンで形成される、請求項11に記載のパターニング・デバイス。
- エッチング停止層がクロムで形成される、請求項11に記載のパターニング・デバイス。
- 減衰材料の層の上にさらに不透明材料の層を含み、減衰材料の層内のパターンに対応して不透明材料の層がパターン化される、請求項11に記載のパターニング・デバイス。
- 不透明材料の層がクロムである、請求項14に記載のパターニング・デバイス。
- フォトリソグラフ投影装置に使用するためのパターニング・デバイスを製造する方法であって、
ガラスもしくは石英の層とエッチング停止層を含むブランクを供給する工程、
エッチング停止層の上に減衰材料の層を形成する工程、
減衰材料の層の上に不透明材料の層を形成する工程、
不透明材料層の上に放射感応材料の層を塗布する工程、
放射感応材料の層をパターン化された放射の投影ビームに露光する工程、
パターンに対応する不透明材料層の部分を除去する工程、
減衰材料の層内のパターンを現像する工程、および
パターンに対応するエッチング停止層の部分を除去する工程を含む方法。 - 減衰材料の層がスパッタリングによって形成される、請求項16に記載の方法。
- 不透明材料の層がスパッタリングによって形成される、請求項16に記載の方法。
- パターンがウェット・エッチングによって現像される、請求項16に記載の方法。
- パターンが、プラズマ・ツールを伴なうエッチングによって現像される、請求項16に記載の方法。
- リソグラフ投影装置に使用するためのパターニング・デバイスであって、
中に形成されたパターンを有するガラスもしくは石英の層を含み、パターンが、光学的に透明の材料、光学的に半透明の材料、および不透明材料のうちの1つで充填され、その材料がガラスもしくは石英の層の屈折率と誘電係数とは異なる屈折率と誘電係数を有するパターニング・デバイス。 - ガラスもしくは石英の層の上にさらに不透明材料の層を含み、不透明材料の層がガラスもしくは石英の層内のパターンに対応したパターンを有する、請求項21に記載のパターニング・デバイス。
- フォトリソグラフ投影装置に使用するためのパターニング・デバイスを製造する方法であって、
ガラスもしくは石英のブランクを供給する工程、
ブランクの上に放射感応材料の層を塗布する工程、
放射感応材料の層をパターン化された放射の投影ビームに露光する工程、
ブランク内のパターンを現像する工程、
現像されたパターンを光学的に透明の材料、光学的に半透明の材料および不透明材料のうちの1つで充填する工程を含み、その材料がガラスもしくは石英のブランクとは異なる屈折率と誘電係数を有し、
パターンが形成されていないブランクの部分から材料をエッチングする工程を含む方法。 - 放射感応材料の層を塗布する前にガラスもしくは石英のブランクに不透明材料の層を設ける工程をさらに含む、請求項23に記載の方法。
- 材料をエッチングする工程が化学的機械的研磨法を含む、請求項23に記載の方法。
- 集積回路、集積光学システム、磁区メモリ用のパターン、液晶ディスプレイ・パネル、および薄膜磁気ヘッドに使用するためのデバイスであって、
放射感応材料の層によって少なくとも部分的に覆われている基板を供給する工程、
放射の投影ビームを供給する工程、
請求項1、11および21のうちの1つによるパターニング・デバイスを使用して投影ビームにその断面のパターンを与える工程、
パターン化された放射ビームを放射感応材料の層のターゲット部分の上に投影する工程を含む方法によって製造されるデバイス。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007271720A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
JP2015507227A (ja) * | 2012-05-14 | 2015-03-05 | エスアンドエス テック カンパニー リミテッド | ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7049034B2 (en) * | 2003-09-09 | 2006-05-23 | Photronics, Inc. | Photomask having an internal substantially transparent etch stop layer |
US7312004B2 (en) * | 2004-03-18 | 2007-12-25 | Photronics, Inc. | Embedded attenuated phase shift mask with tunable transmission |
US7246424B2 (en) * | 2004-04-13 | 2007-07-24 | Seagate Technology Llc | Magnetic devices having magnetic features with CMP stop layers |
US20060051681A1 (en) * | 2004-09-08 | 2006-03-09 | Phototronics, Inc. 15 Secor Road P.O. Box 5226 Brookfield, Conecticut | Method of repairing a photomask having an internal etch stop layer |
TWI375114B (en) | 2004-10-22 | 2012-10-21 | Shinetsu Chemical Co | Photomask-blank, photomask and fabrication method thereof |
JP4509050B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2010-07-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP4883278B2 (ja) | 2006-03-10 | 2012-02-22 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
JP4737426B2 (ja) | 2006-04-21 | 2011-08-03 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
JP5126370B2 (ja) * | 2008-12-16 | 2013-01-23 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール |
US20110159411A1 (en) * | 2009-12-30 | 2011-06-30 | Bennett Olson | Phase-shift photomask and patterning method |
KR20130067332A (ko) | 2011-11-16 | 2013-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광용 마스크 및 그 마스크를 사용한 기판 제조 방법 |
TWI609233B (zh) * | 2013-04-17 | 2017-12-21 | 阿爾貝克成膜股份有限公司 | 相位移光罩之製造方法及相位移光罩 |
KR102286886B1 (ko) * | 2014-11-18 | 2021-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토 마스크 및 이의 제조 방법 |
JP6601245B2 (ja) * | 2015-03-04 | 2019-11-06 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法 |
CN105044837A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-11-11 | 湖南晶图科技有限公司 | 一种数组波导光栅的加工方法 |
JP2017022343A (ja) * | 2015-07-15 | 2017-01-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置、ウエハリフトピン穴清掃治具 |
KR102173439B1 (ko) * | 2016-03-03 | 2020-11-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 및 리소그래피 방법, 리소그래피 셀 및 컴퓨터 프로그램 |
US10394114B2 (en) * | 2016-08-25 | 2019-08-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chromeless phase shift mask structure and process |
US10816891B2 (en) | 2016-12-14 | 2020-10-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photomask and fabrication method therefor |
EP3486721A1 (en) * | 2017-11-17 | 2019-05-22 | IMEC vzw | Mask for extreme-uv lithography and method for manufacturing the same |
KR102462030B1 (ko) * | 2018-06-14 | 2022-11-01 | 인테벡, 인코포레이티드 | 멀티 칼라 절연 코팅 및 uv 잉크젯 프린팅 |
US10859905B2 (en) | 2018-09-18 | 2020-12-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Photomask and method for forming the same |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5260150A (en) * | 1987-09-30 | 1993-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-mask with light shielding film buried in substrate |
US6132908A (en) | 1990-10-26 | 2000-10-17 | Nikon Corporation | Photo mask and exposure method using the same |
JP3036085B2 (ja) * | 1990-12-28 | 2000-04-24 | 富士通株式会社 | 光学マスクとその欠陥修正方法 |
KR950002172B1 (ko) * | 1991-06-13 | 1995-03-14 | 금성일렉트론주식회사 | 편광자를 사용한 편광노광장치 및 편광마스크 제조방법 |
US5288569A (en) | 1992-04-23 | 1994-02-22 | International Business Machines Corporation | Feature biassing and absorptive phase-shifting techniques to improve optical projection imaging |
JP3204798B2 (ja) * | 1992-07-17 | 2001-09-04 | 株式会社東芝 | 露光用マスク |
US5411824A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-02 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging |
JP3257130B2 (ja) | 1993-03-30 | 2002-02-18 | 凸版印刷株式会社 | エッジ強調型位相シフトマスクの製造方法 |
JP3322284B2 (ja) * | 1993-08-31 | 2002-09-09 | 凸版印刷株式会社 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
JPH08123010A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-17 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクおよびそれに用いるマスクブランク |
US5536606A (en) * | 1995-05-30 | 1996-07-16 | Micron Technology, Inc. | Method for making self-aligned rim phase shifting masks for sub-micron lithography |
TW354392B (en) | 1996-07-03 | 1999-03-11 | Du Pont | Photomask blanks |
JP3335092B2 (ja) * | 1996-12-20 | 2002-10-15 | シャープ株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
US5958630A (en) * | 1997-12-30 | 1999-09-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase shifting mask and method of manufacturing the same |
US6616394B1 (en) | 1998-12-30 | 2003-09-09 | Silicon Valley Group | Apparatus for processing wafers |
KR100353406B1 (ko) * | 2000-01-25 | 2002-09-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법 |
WO2002044812A2 (en) | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Unaxis Usa Inc. | Embedded attenuated phase shift mask and method of making embedded attenuated phase shift mask |
JP2002258458A (ja) | 2000-12-26 | 2002-09-11 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク及びマスクブランク |
US20030044695A1 (en) * | 2001-09-06 | 2003-03-06 | Mordechai Rothschild | Attenuating phase shift mask for photolithography |
KR20040022636A (ko) * | 2002-09-09 | 2004-03-16 | 주식회사 기프택 | 음료용 컵 뚜껑 |
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2003
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007271720A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
JP2015507227A (ja) * | 2012-05-14 | 2015-03-05 | エスアンドエス テック カンパニー リミテッド | ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法 |
Also Published As
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