CN110320739B

CN110320739B - 相移掩模坯料、相移掩模的制造方法及显示装置的制造方法

Info

Publication number: CN110320739B
Application number: CN201910216524.7A
Authority: CN
Inventors: 田边胜; 浅川敬司; 安森顺一
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 2018-03-28
Filing date: 2019-03-21
Publication date: 2024-06-04
Anticipated expiration: 2039-03-21

Abstract

本发明提供一种高透过率的相移掩模坯料，其可以将相移膜构图成能够充分发挥相移效果的截面形状。该相移掩模坯料在透明基板上具有相移膜，且在该相移膜上具有蚀刻掩模膜，是用于形成相移掩模的原版，以蚀刻掩模膜形成规定图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模，通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模，所述相移膜含有过渡金属、硅、氧、氮，所述相移膜包含的氧的含有率为5原子％以上70原子％以下，所述相移膜包含的过渡金属和硅的比例为1:1.5以上1:6以下，所述相移膜的膜应力为0.35GPa以下。

Description

相移掩模坯料、相移掩模的制造方法及显示装置的制造方法

技术领域

本发明涉及相移掩模坯料、使用该相移掩模坯料的相移掩模的制造方法以及显示装置的制造方法。

背景技术

近年来，在以LCD(液晶显示装置，Liquid Crystal Display)为代表的FPD(平板显示装置，Flat Panel Display)等显示装置中，与大屏幕化、宽视角化一同，高清晰化、高速显示化正在迅速发展。该高清晰化、高速显示化所需的要素之一便是微细且尺寸精度高的元件和配线等电子电路图案的制作。在这些显示装置用电子电路的构图中多使用光刻法。因此，需要微细且可形成高精度图案的显示装置制造用相移掩模。

例如，专利文献1公开了一种平板显示器用掩模坯料及使用该掩模坯料的光掩模，在对包含硅化钼的薄膜进行湿式蚀刻时，利用将磷酸、过氧化氢、氟化铵稀释于水中的蚀刻溶液对包含硅化钼的薄膜进行湿式蚀刻，以使透明基板的损伤最小化。

另外，专利文献2公开了一种相位反转掩模坯料及光掩模，以提高图案的精密度为目的，相位反转膜104由可在同一蚀刻溶液中蚀刻的相互不同的组成的膜构成，不同组成的各膜分别以层叠一次以上的至少两层以上的多层膜或连续膜的形态形成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：韩国专利申请公开公报第10－2016－0024204号

专利文献2：日本特开2017－167512号公报

发明内容

近年来，作为这种显示装置制造用相移掩模坯料，为了可靠地转印小于2.0μm的微细图案，作为具有相移膜对曝光光的透过率为10％以上、进而20％以上的光学特性的相移膜，研究过使用含有以一定以上的比例(5原子％以上、进而10原子％以上)的氧的相移膜。但是，在通过湿式蚀刻对这种氧含有率为5原子％以上、进而10原子％以上的相移膜进行构图的情况下，湿式蚀刻液会浸入到相移膜和形成于其上的蚀刻掩模膜的界面，界面部分的蚀刻快速进行。其结果，在以蚀刻掩模膜图案作为掩模形成相移膜图案的过程中，蚀刻掩模膜图案会从相移膜剥离而不能形成相移膜图案，或者，在形成了相移膜图案的情况下，所形成的相移膜图案的边缘部分的截面形状会发生倾斜，成为拉出下摆的锥形。

在相移膜图案的边缘部分的截面形状为锥形的情况下，随着相移膜图案的边缘部分的膜厚减小，相移效果降低。因此，不能充分发挥相移效果，无法稳定地转印小于2.0μm的微细图案。如果将相移膜中的氧的含有率设为5原子％以上、进而10原子％以上，将会难以严格控制相移膜图案的边缘部分的截面形状，控制线宽(CD)非常困难。

因此，本发明是鉴于上述问题而做出的，其目的在于提供一种高透过率的相移掩模坯料，其通过湿式蚀刻可以将相移膜构图成能够充分发挥相移效果的截面形状，并且提供一种具有能够充分发挥相移效果的相移膜图案的相移掩模的制造方法、以及使用该相移掩模的显示装置的制造方法。

为了解决这些问题，本发明人等对于将相移膜图案的边缘部分的截面形状垂直化的方法进行了认真研究。以往认为湿式蚀刻速率和构图特性由组成比决定。但是，在对含有过渡金属、硅、氧、氮的相移膜和蚀刻掩模膜进行实验及考察的结果，查明了存在于相移膜和蚀刻掩模膜之间的界面的过渡金属的氧化物是浸入的主要原因。而且，本发明人通过进一步研究查明：即使相移膜的组成没有大的区别，通过将相移膜的膜应力设为0.35GPa以下，能够设定出在受到界面浸入的影响之前就使湿式蚀刻对相移膜的构图结束的快速的蚀刻速率，在以蚀刻掩模膜图案作为掩模通过湿式蚀刻形成相移膜图案时，能够使蚀刻掩模膜图案不在中途剥离，从而可靠地形成相移膜图案，进而，能够使相移膜图案获得可充分发挥相移效果的截面形状。特别是，查明了湿式蚀刻液从上述相移膜和蚀刻掩模膜之间的界面的浸入在蚀刻掩模膜具有柱状结构的情况下特别容易发生。这里所说的柱状结构是指，构成蚀刻掩模膜的材料的粒子具有朝向蚀刻掩模膜的膜厚方向(上述粒子堆积的方向)延伸的柱状的粒子结构的状态。本发明是基于上述研究的结果而做出的，具有如下技术方案。

(技术方案1)一种相移掩模坯料，其在透明基板上具有相移膜，且在该相移膜上具有蚀刻掩模膜，其特征在于，

所述相移掩模坯料是用于形成相移掩模的原版，以所述蚀刻掩模膜形成规定图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模，通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模，

所述相移膜含有过渡金属、硅、氧、氮，

所述相移膜包含的氧的含有率为5原子％以上70原子％以下，

所述相移膜包含的过渡金属和硅的比例为1:1.5以上1:6以下，

所述相移膜的膜应力为0.35GPa以下。

(技术方案2)根据技术方案1所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述相移膜的氮的含有率为2原子％以上60原子％以下。

(技术方案3)根据技术方案1或2所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述相移膜包含的氧的含有率比氮的含有率大。

(技术方案4)根据技术方案1至3中任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述相移膜由多层或单层构成。

(技术方案5)根据技术方案1至4中任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述蚀刻掩模膜由铬系材料构成。

(技术方案6)根据技术方案1至5中任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述蚀刻掩模膜具有柱状结构。

(技术方案7)根据技术方案1至6中任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述蚀刻掩模膜含有氮、氧、碳中的至少任一种。

(技术方案8)根据技术方案1至7中任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述透明基板为矩形的基板，该透明基板的短边的长度为300mm以上。

(技术方案9)一种相移掩模的制造方法，其特征在于，包含如下工序：

准备技术方案1至8中任一项所述的相移掩模坯料；

在所述相移掩模坯料上形成抗蚀剂膜；

通过在所述抗蚀剂膜上将希望的图案进行绘制、显影而形成抗蚀剂膜图案，以该抗蚀剂膜图案作为掩模，通过湿式蚀刻对所述蚀刻掩模膜进行构图而形成所述蚀刻掩模膜图案；

以所述蚀刻掩模膜图案作为掩模，对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成相移膜图案。

(技术方案10)一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

使用通过技术方案1至8中任一项所述的相移掩模坯料制造的相移掩模或通过技术方案9所述的相移掩模的制造方法制造的相移掩模，将转印图案曝光转印到显示装置上的抗蚀剂膜。

根据本发明的相移掩模坯料，即使在相移膜含有过渡金属、硅、氧、氮，并且氧的含有率为一定程度以上的含量的情况下，在以蚀刻掩模膜图案作为掩模通过湿式蚀刻形成相移膜图案时，也能够使蚀刻掩模膜图案在中途不被剥离地可靠地形成相移膜图案，进而，能够得到通过湿式蚀刻可将相移膜构图成能够充分发挥相移效果的截面形状且透过率高的相移掩模坯料。另外，能够得到通过湿式蚀刻可将相移膜构图成CD偏差小的截面形状的相移掩模坯料。

另外，根据本发明的相移掩模的制造方法，使用上述的相移掩模坯料制造相移掩模。因此，能够制造出具有可充分发挥相移效果的相移膜图案的相移掩模。另外，能够制造出具有CD偏差小的相移膜图案的相移掩模。该相移掩模可以应对线和空间图案(line-and-space pattern)或接触孔的微细化。

另外，根据本发明的显示装置的制造方法，使用通过上述的相移掩模坯料制造的相移掩模或通过上述的相移掩模的制造方法得到的相移掩模制造显示装置。因此，能够制造出具有微细的线和空间图案或接触孔的显示装置。

附图说明

图1是表示相移掩模坯料的膜结构的示意图。

图2的(a)～(e)是表示相移掩模的制造工序的示意图。

图3是实施例4的相移掩模的截面照片。

符号说明

10相移掩模坯料

20透明基板

30相移膜

30a相移膜图案

40蚀刻掩模膜

40a第一蚀刻掩模膜图案

40b第二蚀刻掩模膜图案

50第一抗蚀剂膜图案

60第二抗蚀剂膜图案

100相移掩模

具体实施方式

实施方式1

在实施方式1中，对相移掩模坯料进行说明。该相移掩模坯料是用于形成相移掩模的原版，以蚀刻掩模膜形成希望的图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模，通过对相移膜进行湿式蚀刻而在透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模。

图1是表示相移掩模坯料10的膜结构的示意图。

图1所示的相移掩模坯料10具备透明基板20、形成于透明基板20上的相移膜30、形成于相移膜30上的蚀刻掩模膜40。

透明基板20对于曝光光为透明。在不计表面反射损失时，透明基板20对于曝光光具有85％以上的透过率，优选具有90％以上的透过率。透明基板20由含有硅和氧的材料构成，可以由合成石英玻璃、石英玻璃、铝硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、低热膨胀玻璃(SiO₂－TiO₂玻璃等)等玻璃材料构成。在透明基板20由低热膨胀玻璃构成的情况下，能够抑制透明基板20的热变形引起的相移膜图案的位置变化。另外，用于显示装置的相移掩模坯料用透明基板20一般为矩形的基板，该透明基板的短边的长度可以为300mm以上。即使透明基板的短边长度是300mm以上的大尺寸，本发明的相移掩模坯料也可以提供能够稳定地转印形成于透明基板上的例如小于2.0μm的微细相移膜图案的相移掩模。

相移膜30由含有过渡金属、硅、氧、氮的过渡金属硅化物系材料构成。作为过渡金属，优选钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)、锆(Zr)等。就相移膜30包含的氧的含有率而言，从对曝光光的透过率和蚀刻速度的方面考虑，相移膜30包含的氧的含有率设为5原子％以上70原子％以下。理想的是，优选相移膜30包含的氧的含有率设为10原子％以上70原子％以下，更优选设为20原子％以上60原子％以下，进一步优选设为25原子％以上50原子％以下。

另外，通过使相移膜30包含的氧的含有率比氮的含有率大，能够有效提高相移膜对曝光光的透过率。另外，能够使通过湿式蚀刻进行构图时的湿式蚀刻速度加快，因此，在以蚀刻掩模膜图案作为掩模通过湿式蚀刻形成相移膜图案时，能够使蚀刻掩模膜图案在湿式蚀刻中途不被剥离地可靠地形成相移膜图案。而且，可以使相移膜图案成为能够充分发挥相移效果的良好的截面形状。

另外，从相移膜30的湿式蚀刻速度和耐药性的方面考虑，将相移膜30包含的过渡金属和硅的比例设为1:1.5以上1:6以下。在相移膜30包含的过渡金属和硅的比例低于1:1.5的情况下，在相移掩模坯料或相移掩模的清洗工序中使用的清洗液(硫酸过氧化氢水、氨过氧化氢水、臭氧水等)会发生恶化，因此不优选。另外，在相移膜30包含的过渡金属和硅的比例超过1:6的情况下，通过湿式蚀刻进行构图时的湿式蚀刻速度变慢，因此不优选。相移膜30包含的过渡金属和硅的比例优选为1:1.5以上1:4以下，更优选为1:1.6以上1:3.8以下，进一步优选为1:1.7以上3.6以下。

如果使相移膜30中含有氮，折射率会提高，因此能够使用于得到相位差的膜厚变薄，在这一点上是优选的。但是，如果使相移膜30含有很多氮，则会使湿式蚀刻速度变慢。考虑到使相移膜30具有希望的光学特性(透过率、相位差)且考虑到湿式蚀刻速度，相移膜30包含的氮的含有率优选为2原子％以上60原子％以下，更优选为2原子％以上50原子％以下，进一步优选为3原子％以上30原子％以下，更进一步优选为5原子％以上25原子％以下。

作为过渡金属硅化物系材料，例如可举出过渡金属硅化物的氧氮化物、过渡金属硅化物的氧氮碳化物。另外，如果过渡金属硅化物系材料为硅化钼系材料(MoSi系材料)、硅化锆系材料(ZrSi系材料)、硅化钼锆系材料(MoZrSi系材料)，则容易得到湿式蚀刻下的优异图案截面形状，在这一点上是优选的。

相移膜30具有调整对从透明基板20侧入射的光的反射率(下面，有时记载为背面反射率)的功能和调整对曝光光的透过率和相位差的功能。

相移膜30可通过溅射法形成。

相移膜30对曝光光的透过率满足作为相移膜30所需的值。相移膜30的透过率对于曝光光中包含的规定波长的光(下面，称为代表波长)，优选为10％～70％，更优选为15％～65％，进一步优选为20％～60％。即，在曝光光是包含313nm以上436nm以下的波长范围的光的复合光的情况下，相移膜30对于该波长范围中包含的代表波长的光具有上述的透过率。例如，在曝光光是包含i线、h线及g线的复合光的情况下，相移膜30对于i线、h线及g线中的任一种具有上述的透过率。

透过率可使用相移量测定装置等进行测定。

相移膜30对曝光光的相位差满足作为相移膜30所需的值。相移膜30的相位差对于曝光光中包含的代表波长的光，优选为160°～200°，更优选为170°～190°。利用该性质，能够将曝光光中包含的代表波长的光的相位改变160°～200°。因此，在透过了相移膜30的代表波长的光和仅透过了透明基板20的代表波长的光之间产生160°～200°的相位差。即，在曝光光是包含313nm以上436nm以下的波长范围的光的复合光的情况下，相移膜30对于该波长范围中包含的代表波长的光具有上述的相位差。例如，在曝光光是包含i线、h线及g线的复合光的情况下，相移膜30对于i线、h线及g线中的任一种具有上述的相位差。

相位差可使用相移量测定装置等进行测定。

该相移膜30可以由多层构成，也可以由单层构成。由单层构成的相移膜30在相移膜30中难以形成界面，容易控制截面形状，在这一点上是优选的。另一方面，由多层构成的相移膜30在容易成膜等方面是优选的。

另外，就相移膜30的膜应力而言，如果在0.35GPa以下，可获得在受到与蚀刻掩模膜40的界面处的浸入影响之前就能够结束通过湿式蚀刻的相移膜构图的快速的蚀刻速率，由此能够形成可充分发挥相移效果的截面形状，在这一点上是优选的。另外，从耐药性的方面考虑，相移膜30的膜应力优选为0.2GPa以上。从相移膜图案的截面形状和耐药性的方面考虑，相移膜30的膜应力优选为0.2GPa以上0.35GPa以下，更优选为0.22GPa以上0.35GPa以下。

蚀刻掩模膜40配置于相移膜30的上侧，由对蚀刻相移膜30的蚀刻液具有耐蚀刻性的材料构成。另外，蚀刻掩模膜40可以具有阻挡曝光光透过的功能，进而可以具有使相移膜30对从相移膜30侧入射的光的膜面反射率在350nm～436nm的波段成为15％以下的降低膜面反射率的功能，该蚀刻掩模膜40例如由铬系材料构成。作为铬系材料，更具体而言，可举出铬(Cr)、或含有铬(Cr)和氧(O)、氮(N)、碳(C)中的至少一种的材料。或者，还可举出包含铬(Cr)和氧(O)、氮(N)、碳(C)中的至少一种，且还包含氟(F)的材料。例如，作为构成蚀刻掩模膜40的材料，可举出Cr、CrO、CrN、CrF、CrC、CrCO、CrCN、CrON、CrCON、CrCONF。

蚀刻掩模膜40可通过溅射法形成。

另外，如果蚀刻掩模膜40具有柱状结构，能够使通过湿式蚀刻构图的蚀刻掩模膜图案的截面形状良好。由此，以蚀刻掩模膜图案作为掩模对相移膜30通过湿式蚀刻进行构图的相移膜图案的截面形状也会更加良好，因此优选具有柱状结构。此外，就柱状结构而言，能够通过对形成蚀刻掩模膜40的相移掩模坯料进行截面SEM观察进行确认。在此，柱状结构是指，构成蚀刻掩模膜的材料的粒子具有朝向蚀刻掩模膜的膜厚方向(上述粒子堆积的方向)延伸的柱状的粒子结构的状态。

在蚀刻掩模膜40具有阻挡曝光光透过的功能的情况下，在相移膜30和蚀刻掩模膜40层叠的部分，对曝光光的光学浓度优选为3以上，更优选为3.5以上，进一步优选为4以上。

光学浓度可使用分光光度计或OD计等进行测定。

根据功能，蚀刻掩模膜40可以由组成均匀的单一膜构成，也可以由组成不同的多个膜构成，还可以由组成在厚度方向上连续变化的单一膜构成。

此外，图1所示的相移掩模坯料10在相移膜30上具备蚀刻掩模膜40，但对于在相移膜30上具备蚀刻掩模膜40、在蚀刻掩模膜40上具备抗蚀剂膜的相移掩模坯料，本发明也适用。

接下来，对本实施方式的相移掩模坯料10的制造方法进行说明。图1所示的相移掩模坯料10通过执行以下相移膜形成工序和蚀刻掩模膜形成工序而制造。

下面，对各工序进行详细说明。

1.相移膜形成工序

首先，准备透明基板20。透明基板20只要对曝光光透明，可以由合成石英玻璃、石英玻璃、铝硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、低热膨胀玻璃(SiO₂－TiO₂玻璃等)等中的任意玻璃材料构成。

接着，在透明基板20上通过溅射法形成相移膜30。

相移膜30的成膜使用包含过渡金属和硅的溅射靶材、或包含过渡金属、硅、氧和/或包含氮的溅射靶材，例如在由包含选自由氦气、氖气、氩气、氪气及氙气构成的组中的至少一种惰性气体构成的溅射气体气氛、或由上述惰性气体和包含选自由氧气、二氧化碳气体、一氧化氮气体、二氧化氮气体构成的组中的至少一种活性气体的混合气体构成的溅射气体气氛进行。活性气体中也可以含有氮气。

就相移膜30的组成及厚度而言，可以调整为相移膜30具有上述相位差及透过率。相移膜30的组成可通过构成溅射靶材的元素的含有比例(例如，过渡金属的含有率和硅的含有率的比)、溅射气体的组成及流量等控制。相移膜30的厚度可通过溅射功率、溅射时间等控制。另外，在溅射装置为内置(inline)式溅射装置的情况下，通过基板的搬送速度也能够控制相移膜30的厚度。这样，控制成相移膜30的氧的含有率为5原子％以上70原子％以下。

另外，对溅射成膜时的真空度、溅射功率、溅射气体的压力等进行调整，使相移膜30具有上述希望的膜应力。

在相移膜30由各组成均匀的单一膜构成情况下，以不改变溅射气体的组成及流量的方式仅进行一次上述的成膜工序。在相移膜30由组成不同的多个膜构成的情况下，以针对每一成膜工序改变溅射气体的组成及流量的方式进行多次上述的成膜工序。也可以使用构成溅射靶材的元素的含有比例不同的靶材对相移膜30进行成膜。在相移膜30由在厚度方向上组成连续变化的单一膜构成的情况下，在使溅射气体的组成及流量随着成膜工序的经过时间变化的同时，仅进行一次上述的成膜工序。在进行多次成膜工序的情况下，可以减小施加于溅射靶材的溅射功率。

2.蚀刻掩模膜形成工序

形成相移膜30后，通过溅射法在相移膜30上形成蚀刻掩模膜40。

由此，可得到相移掩模坯料10。

蚀刻掩模膜40的成膜使用包含铬或铬化合物(氧化铬，氮化铬，碳化铬，氧氮化铬，氧氮碳化铬等)的溅射靶材，在例如由包含选自由氦气、氖气、氩气、氪气及氙气构成的组中的至少一种惰性气体构成的溅射气体气氛、或由包含选自由氦气、氖气、氩气、氪气及氙气构成的组中的至少一种的惰性气体和包含选自由氧气、氮气、一氧化氮气体、二氧化氮气体、二氧化碳气体、烃系气体、氟系气体构成的组中的至少一种活性气体的混合气体构成的溅射气体气氛进行。作为烃系气体，例如可举出甲烷气体、丁烷气体、丙烷气体、苯乙烯气体等。

另外，通过蚀刻掩模膜40的材料、组成、溅射成膜时的真空度、溅射功率、溅射气体的压力等，能够使蚀刻掩模膜40成为具有柱状结构的状态。

在蚀刻掩模膜40由组成均匀的单一膜构成的情况下，以不改变溅射气体的组成及流量的方式仅进行一次上述的成膜工序。在蚀刻掩模膜40由组成不同的多个膜构成的情况下，以针对每一成膜工序改变溅射气体的组成及流量的方式进行多次上述的成膜工序。在蚀刻掩模膜40由在厚度方向上组成连续变化的单一膜构成的情况下，在使溅射气体的组成及流量随着成膜工序的经过时间变化的同时，仅进行一次上述的成膜工序。

此外，图1所示的相移掩模坯料10在相移膜30上具备蚀刻掩模膜40，因此，在制造相移掩模坯料10时，进行蚀刻掩模膜形成工序。另外，在制造在相移膜30上具备蚀刻掩模膜40且在蚀刻掩模膜40上具备抗蚀剂膜的相移掩模坯料时，在蚀刻掩模膜形成工序后，在蚀刻掩模膜40上形成抗蚀剂膜。

在本实施方式1的相移掩模坯料10中，相移膜30含有过渡金属、硅、氧、氮，氧的含有率为5原子％以上70原子％以下，过渡金属和硅的比例为1:1.5以上1:6以下，膜应力为0.35GPa以下。由此，能够设定出在受到相移膜30和蚀刻掩模膜40的界面处蚀刻液浸入的影响之前就使湿式蚀刻对相移膜的构图结束的快速的蚀刻速率，在以蚀刻掩模膜图案作为掩模通过湿式蚀刻形成相移膜图案时，能够使蚀刻掩模膜图案不在中途剥离，从而可靠地形成相移膜图案。进而，能够使相移膜图案获得可充分发挥相移效果的截面形状，可得到形成了具有优异的CD均匀性的相移膜图案的相移掩模。另外，在相移掩模中，在相移膜图案上残留有蚀刻掩模膜图案的情况下，可抑制与贴到相移掩模的蒙版或显示装置基板的反射的影响。另外，本实施方式1的相移掩模坯料10能够通过湿式蚀刻形成截面形状良好且CD偏差小、透过率高的相移膜图案。因此，可得到能够制造出以高精度转印高精细的相移膜图案的相移掩模的相移掩模坯料。

实施方式2

在实施方式2中，对相移掩模的制造方法进行说明。

图2的(a)～(e)是表示相移掩模的制造方法的示意图。

图2的(a)～(e)所示的相移掩模的制造方法使用图1所示的相移掩模坯料10制造相移掩模，包含如下工序：在上述相移掩模坯料10上形成抗蚀剂膜；通过在抗蚀剂膜上将希望的图案进行绘制、显影，形成第一抗蚀剂膜图案50(第一抗蚀剂膜图案形成工序)，以该第一抗蚀剂膜图案50作为掩模，通过湿式蚀刻对蚀刻掩模膜40进行构图而形成第一蚀刻掩模膜图案40a(第一蚀刻掩模膜图案形成工序)；以第一蚀刻掩模膜图案40a作为掩模，对相移膜30进行湿式蚀刻而在透明基板20上形成相移膜图案30a(相移膜图案形成工序)。而且，还包含第二抗蚀剂膜图案形成工序和第二蚀刻掩模膜图案形成工序。

下面，对各工序进行详细说明。

1.第一抗蚀剂膜图案形成工序

在第一抗蚀剂膜图案形成工序中，首先，在实施方式1的相移掩模坯料10的蚀刻掩模膜40上形成抗蚀剂膜。对所使用的抗蚀剂膜材料没有特别限定。例如，只要是对具有选自后述的350nm～436nm的波段的任意波长的激光感光的材料即可。另外，抗蚀剂膜可以为正型、负型中的任一种。

然后，使用具有选自350nm～436nm的波段的任意波长的激光，将希望的图案绘制到抗蚀剂膜上。抗蚀剂膜上绘制的图案为相移膜30上形成的图案。作为抗蚀剂膜上绘制的图案，可举出线和空间图案或孔图案。

然后，通过规定的显影液对抗蚀剂膜进行显影，如图2的(a)所示，在蚀刻掩模膜40上形成第一抗蚀剂膜图案50。

2.第一蚀刻掩模膜图案形成工序

在第一蚀刻掩模膜图案形成工序中，首先，以第一抗蚀剂膜图案50作为掩模对蚀刻掩模膜40进行蚀刻，形成第一蚀刻掩模膜图案40a。蚀刻掩模膜40由包含铬(Cr)的铬系材料形成。对蚀刻掩模膜40进行蚀刻的蚀刻液只要是能够对蚀刻掩模膜40进行选择性蚀刻的液体即可，没有特别限定。具体而言，可举出包含硝酸铈铵和高氯酸的蚀刻液。

然后，使用抗蚀剂剥离液或通过灰化，如图2的(b)所示，将第一抗蚀剂膜图案50剥离。根据情况，也可以不将第一抗蚀剂膜图案50剥离，进行下面的相移膜图案形成工序。

3.相移膜图案形成工序

在第一相移膜图案形成工序中，以第一蚀刻掩模膜图案40a作为掩模对相移膜30进行蚀刻，如图2的(c)所示，形成相移膜图案30a。作为相移膜图案30a，可举出线和空间图案或孔图案。对相移膜30进行蚀刻的蚀刻液只要是能够对相移膜30进行选择性蚀刻的液体即可，没有特别限定。例如，可举出包含氟化铵、磷酸和过氧化氢的蚀刻液、和包含氟化氢铵和氯化氢的蚀刻液。

4.第二抗蚀剂膜图案形成工序

在第二抗蚀剂膜图案形成工序中，首先，形成覆盖第一蚀刻掩模膜图案40a的抗蚀剂膜。对所使用的抗蚀剂膜材料没有特别限定。例如，只要是对具有选自后述的350nm～436nm的波段的任意波长的激光感光的材料即可。另外，抗蚀剂膜可以是正型、负型中的任一种。

然后，使用具有选自350nm～436nm的波段的任意波长的激光，将希望的图案绘制到抗蚀剂膜上。抗蚀剂膜上绘制的图案是对相移膜30上形成图案的区域的外周区域进行遮光的遮光带图案、以及对相移膜图案的中央部进行遮光的遮光带图案。此外，根据相移膜30对曝光光的透过率，抗蚀剂膜上绘制的图案有时是没有对相移膜图案30a的中央部进行遮光的遮光带图案的图案。

然后，使用规定的显影液对抗蚀剂膜进行显影，如图2的(d)所示，在第一蚀刻掩模膜图案40a上形成第二抗蚀剂膜图案60。

5.第二蚀刻掩模膜图案形成工序

在第二蚀刻掩模膜图案形成工序中，以第二抗蚀剂膜图案60作为掩模对第一蚀刻掩模膜图案40a进行蚀刻，如图2的(e)所示，形成第二蚀刻掩模膜图案40b。第一蚀刻掩模膜图案40a由包含铬(Cr)的铬系材料形成。对第一蚀刻掩模膜图案40a进行蚀刻的蚀刻液只要是能够对第一蚀刻掩模膜图案40a进行选择性蚀刻的液体即可，没有特别限定。例如，可举出包含硝酸铈铵和高氯酸的蚀刻液。

然后，使用抗蚀剂剥离液或通过灰化，将第二抗蚀剂膜图案60剥离。

由此，可得到相移掩模100。

此外，在上述说明中对蚀刻掩模膜40具有阻挡曝光光透过的功能的情况进行了说明，但在蚀刻掩模膜40仅具有对相移膜30进行蚀刻时的硬掩膜的功能的情况下，在上述说明中，不进行第二抗蚀剂膜图案形成工序和第二蚀刻掩模膜图案形成工序，而是在相移膜图案形成工序后将第一蚀刻掩模膜图案剥离，由此制作相移掩模100。

根据本实施方式2的相移掩模的制造方法，因为使用实施方式1的相移掩模坯料，所以能够形成截面形状良好且CD偏差小的相移膜图案。因此，可制造出能够以高精度转印高精细的相移膜图案的相移掩模。这样制造的相移掩模能够应对与线和空间图案或接触孔的微细化。

实施方式3

在实施方式3中，对显示装置的制造方法进行说明。显示装置使用通过上述的相移掩模坯料10制造的相移掩模100来制造，或通过执行使用由上述的相移掩模100的制造方法制造出的相移掩模100的工序(掩模载置工序)和将转印图案曝光转印到显示装置上的抗蚀剂膜的工序(图案转印工序)来制造。

下面，对各工序进行详细说明。

1.载置工序

在载置工序中，将实施方式2制造的相移掩模载置于曝光装置的掩模台。在此，相移掩模被配置为经由曝光装置的投影光学系统与形成于显示装置基板上的抗蚀剂膜相对。

2.图案转印工序

在图案转印工序中，将曝光光照射到相移掩模100上，将相移膜图案转印到形成于显示装置基板上的抗蚀剂膜。曝光光是包含选自365nm～436nm的波段的多个波长的光的复合光、或从365nm～436nm的波段中通过滤光器等将某波段除去而选择的单色光。例如，曝光光是包含i线、h线及g线的复合光或i线的单色光。如果使用复合光作为曝光光，可增加曝光光强度而提高生产性，因此，能够降低显示装置的制造成本。

根据本实施方式3的显示装置的制造方法，能够抑制CD误差，制造出具有高分辨率、微细的线和空间图案或接触孔的高精细的显示装置。

实施例

相移膜的膜应力、蚀刻速度、相移膜图案截面形状的确认

为了确认相移膜的膜应力、蚀刻速度、相移膜图案的截面形状，进行如下实验。

首先，准备由对两个主表面进行了镜面研磨的6025尺寸(152mm×152mm)的合成石英玻璃基板构成的透明基板20，将该透明基板20以纵横5×5个的方式铺设并搬入到在内置式溅射装置中。此外，在内置式溅射装置上设置有对相移膜30进行成膜的第一腔室、对蚀刻掩模膜40进行成膜的第二、第三、第四腔室。

对配置于第一腔室内的硅化钼靶材(Mo：Si＝1：4)施加规定的溅射功率，一边将Ar气体、N₂气体和CO₂气体的混合气体导入到第一腔室内，一边搬送透明基板20，在透明基板20通过硅化钼靶材附近时，在透明基板20上形成由包含Mo、Si、O、N和C的硅化钼系材料(MoSiONC)构成的相移膜30。此外，适当地调整第一腔室内的真空度、溅射功率、溅射气体的压力，在透明基板20上形成膜应力不同的七种相移膜30。

膜应力通过使用UltraFLAT 200M(Corning TROPEL社制)对成膜的相移膜30测定平坦度变化而算出。

另外，对于膜应力不同的七种相移膜30，通过X线光电子能谱法(XPS)进行组成分析。其结果，七种(样品1～7)相移膜30在膜深度方向上均匀含有组成，各元素的平均含有率为Mo：11原子％、Si：25原子％、O：34原子％、N：18原子％、C：12原子％，Mo和Si的比例为1：2.3、相移膜30包含的氧的含有率比氮的含有率大。

接着，将带相移膜30的透明基板20导入到第二腔室内，在将第二腔室内设为规定的真空度的状态下，导入氩(Ar)气和氮(N₂)气的混合气体(Ar：65sccm、N₂：15sccm)。然后，对由铬构成的溅射靶材施加1.5kW的溅射功率，通过反应性溅射在相移膜30上形成含有铬和氮的铬氮化物(CrN)(膜厚15nm)。接着，在将第三腔室内设为规定的真空度的状态下，导入氩(Ar)气和甲烷(CH₄：4.9％)气体的混合气体(30sccm)，对由铬构成的溅射靶材施加8.5kW的溅射功率，通过反应性溅射在CrN上形成含有铬和碳的碳化铬(CrC)(膜厚60nm)。最后，在将第四腔室内设为规定的真空度的状态下，导入氩(Ar)气和甲烷(CH₄：5.5％)气体的混合气体和氮(N₂)气和氧(O₂)气的混合气体(Ar+CH₄：30sccm、N₂：8sccm、O₂：3sccm)，对由铬构成的溅射靶材施加2.0kW的溅射功率，通过反应性溅射在CrC上形成含有铬、碳、氧和氮的铬碳氧氮化物(CrCON)(膜厚30nm)。如上所述，在相移膜30上形成CrN层、CrC层和CrCON层的叠层结构的蚀刻掩模膜40。此外，在透明基板20上，通过对形成相移膜30和蚀刻掩模膜40的相移掩模坯料10进行截面SEM观察，可以确认蚀刻掩模膜40具有柱状结构。

接着，使用抗蚀剂涂布装置在蚀刻掩模膜40上涂布光致抗蚀剂，然后，进过加热、冷却工序，形成520nm膜厚的光致抗蚀剂膜。然后，使用激光绘制装置对光致抗蚀剂膜进行绘制，经过显影、洗净工序，在蚀刻掩模膜上形成具有线图案的宽度为1.8μm、空间图案的宽度为1.8μm的线和空间图案的抗蚀剂膜图案。

然后，以抗蚀剂膜图案作为掩模，通过包含硝酸铈铵和高氯酸的铬蚀刻液对蚀刻掩模膜进行湿式蚀刻，形成第一蚀刻掩模膜图案40a。

然后，以蚀刻第一掩模膜图案40a作为掩模，通过以纯水稀释氟化氢铵和过氧化氢的混合溶液后的硅化钼蚀刻液(温度：22℃)对相移膜30进行湿式蚀刻，形成相移膜图案30a。

然后，通过抗蚀剂剥离液将抗蚀剂膜图案剥离后，最后，通过铬蚀刻液将第一蚀刻掩模膜图案40a剥离。

由此，在透明基板20上形成相移膜图案30a。通过扫描电子显微镜对所得的相移膜图案30a的截面进行观察。在相移膜图案的截面上，相移膜图案的截面形状通过上表面和侧面相接的部位(上边)、和侧面和下表面相接的部位(下边)形成的角度进行定义，对样品1～7的截面形状进行了评价。

将样品1～7的相移膜30的膜应力、对硅化钼蚀刻液的蚀刻速度、截面形状的结果示于表1。

表1

样品No	样品1	样品2	样品3	样品4	样品5	样品6	样品7
								膜应力GPa	0.5	0.45	0.39	0.35	0.28	0.22	0.18
蚀刻速度(nm/min)	13.8	18.5	26.7	40.4	59.2	87.5	106.1
								截面形状(°)	－	10	30	45	47	48	50

如表1所示，可以确认，随着相移膜30的膜应力变小，硅化钼蚀刻液的蚀刻速度变快。可以确认，通过将相移膜30的膜应力设为0.45GPa以下，在蚀刻液向相移膜30和蚀刻掩模膜40的界面发生浸入之前，相移膜图案30a的形成结束，因此，能够使蚀刻掩模膜图案不在中途剥离地形成相移膜图案。另外，可以确认，通过将相移膜30的膜应力设为0.35GPa以下，所得的相移膜图案的截面形状为45°以上，通过进行后述的过蚀刻，成为能够充分发挥相移效果的截面形状。另外，膜应力变低会使截面形状变得良好，但就相移膜30的膜应力低于0.2GPa的样品7(参考例)而言，结果表明硫酸过氧化氢水或氨过氧化氢水的耐药性评价并非良好。根据上述结果可知，为了使通过湿式蚀刻形成的相移膜图案的截面形状为良好，相移膜30的膜应力优选为0.35GPa以下，而从相移膜的耐药性方面考虑，相移膜30的膜应力优选0.2GPa以上0.35GPa以下。

实施例1～3

A.相移掩模坯料及其制造方法

为了制造实施例1的相移掩模坯料，首先，作为透明基板20，准备1214尺寸(1220mm×1400mm)的合成石英玻璃基板。

然后，将合成石英玻璃基板以主表面朝向下侧的方式搭载于托盘(未图示)，搬入内置式溅射装置的第一腔室内。

在透明基板20的主表面上，在上述样品4(实施例1)、样品5(实施例2)、样品6(实施例3)的成膜条件下进行溅射而形成相移膜30。

接着，与上述同样地，得到在相移膜30上形成CrN层、CrC层和CrCON层的叠层结构的蚀刻掩模膜40的相移掩模坯料10。

对于所得的相移掩模坯料10的相移膜30，通过激光科技社制MPM－100对透过率、相位差进行了测定。在相移膜30的透过率、相位差的测定中，使用安置于同一托盘而制作的在合成石英玻璃基板的主表面上形成有相移膜30的带相移膜的基板(假(dummy)基板)。相移膜30的透过率、相位差在形成蚀刻掩模膜40前将带相移膜的基板(假基板)从腔室取出而测定。其结果，透过率为22.1％(波长：365nm)，相位差为161度(波长：365nm)。

另外，使用UltraFLAT 200M(Corning TROPEL社制)对相移膜30测定平坦度变化，算出了膜应力，其结果与表1的评价结果相同。此外，就该相移膜30而言，对于在相移掩模的清洗中使用的药液(硫酸过氧化氢水、氨过氧化氢水、臭氧水)的透过率变化量、相位差变化量均小，具有高的耐药性、耐清洗性。

另外，关于相移膜30的膜应力，可以确认，通过能够测定大型的玻璃基板或大型相移掩模坯料的平坦度的平整度测定仪，对1214尺寸的透明基板20的平坦度和在透明基板20上形成相移膜30的带相移膜的基板的平坦度进行测定，测定了平坦度变化，算出的膜应力的结果与表1的评价结果相同。

另外，对于所得的相移掩模坯料，通过岛津制作所制的分光光度计SolidSpec－3700对膜面反射率、光学浓度进行了测定。相移掩模坯料(蚀刻掩模膜40)的膜面反射率为8.3％(波长：436nm)，光学浓度OD为4.0(波长：436nm)。可知，该蚀刻掩模膜作为在膜表面的反射率低的遮光膜发挥作用。

B.相移掩模及其制造方法

为了使用以上述方法制造的相移掩模坯料10制作相移掩模100，首先，使用抗蚀剂涂布装置在相移掩模坯料10的蚀刻掩模膜40上涂布光致抗蚀剂膜。

然后，经过加热、冷却工序，形成520nm膜厚的光致抗蚀剂膜。

然后，使用激光绘制装置绘制光致抗蚀剂膜，经过显影、洗净工序，在蚀刻掩模膜上形成具有线图案的宽度为1.8μm、空间图案的宽度为1.8μm的线和空间图案的抗蚀剂膜图案。

然后，以第一蚀刻掩模膜图案40a作为掩模，通过以纯水稀释氟化氢铵和过氧化氢的混合溶液后的硅化钼蚀刻液对相移膜30进行湿式蚀刻，形成相移膜图案30a。

然后，将抗蚀剂膜图案剥离。

然后，使用抗蚀剂涂布装置，以覆盖第一蚀刻掩模膜图案40a的方式涂布光致抗蚀剂膜。

然后，进过加热、冷却工序，形成520nm膜厚的光致抗蚀剂膜。

然后，使用激光绘制装置绘制光致抗蚀剂膜，经过显影、洗净工序，在第一蚀刻掩模膜图案40a上形成用于形成遮光带的第二抗蚀剂膜图案60。

然后，以第二抗蚀剂膜图案60作为掩模，通过包含硝酸铈铵和高氯酸的铬蚀刻液，对形成于转印图案形成区域的第一蚀刻掩模膜图案40a进行湿式蚀刻。

然后，将第二抗蚀剂膜图案60剥离。

由此，在透明基板20上，在转印图案形成区域形成相移膜图案30a，得到在转印图案形成区域的外侧形成由相移膜图案30a和第二蚀刻掩模膜图案40b的叠层结构构成的遮光带的相移掩模100。

通过扫描电子显微镜对所得的相移掩模的相移膜图案的截面形状进行观察。

形成于实施例1～3的相移掩模的相移膜图案的截面形状(角度)与上述表1的结果相同，均满足可通过过蚀刻进行截面控制的下限的45度以上。因此，在形成实施例1～3的相移膜图案时，通过进行过蚀刻，在包含300nm以上500nm以下的波长范围的光的曝光光中，更具体而言，在包含i线、h线及g线的复合光的曝光光中，可得到具有优异的相移效果的相移掩模。

通过精工电子科技社制SIR8000对相移掩模的相移膜图案的CD偏差进行了测定。就CD偏差的测定而言，对于基板的除周缘区域外的1100mm×1300mm的区域，在11×11的地点进行了测定。CD偏差为自作为目标的线和空间图案(线图案的宽度：1.8μm，空间图案的宽度：1.8μm)的偏离宽度。在实施例1～3及比较例1中，在CD偏差的测定中使用相同的装置。

CD偏差为0.098μm，属于良好。

因此可以说，在将实施例1～3的相移掩模安置于曝光装置的掩模台并曝光转印到显示装置上的抗蚀剂膜的情况下，能够高精度地转印小于2.0μm的微细图案。

比较例1～3

为了制造比较例1～3的相移掩模坯料，与实施例1～3同样地，作为透明基板准备1214尺寸(1220mm×1400mm)的合成石英玻璃基板。

在透明基板20的主表面上，在上述样品1(比较例1)、样品2(比较例2)、样品3(比较例3)的成膜条件下进行溅射而形成相移膜30。

接着，与上述同样地，得到在相移膜30上形成有CrN层、CrC层和CrCON层的叠层结构的蚀刻掩模膜40的相移掩模坯料10。使用UltraFLAT 200M(Corning TROPEL社制)对所得的相移膜30测定平坦度变化，算出膜应力，其结果与表1的评价结果相同。此外，就该相移膜30而言，对相移掩模的清洗中使用的药液(硫酸过氧化氢水、氨过氧化氢水、臭氧水)的透过率变化量、相位差变化量均小，具有高的耐药性、耐清洗性。

接着，通过与实施例1～3同样的方法，制作相移掩模。

通过扫描电子显微镜对所得的相移掩模的相移膜图案的截面形状进行观察。其结果，在比较例1中，蚀刻掩模膜图案在形成相移膜图案前就已剥离，未能形成相移膜图案。另外，在比较例2中，形成相移膜图案前蚀刻掩模膜图案虽未剥离，但所得的相移膜图案的截面形状(角度)为10°，与上述表1的结果相同，低于可通过过蚀刻进行截面控制的下限的45度。

因此，在所得的相移掩模中，在包含300nm以上500nm以下的波长范围的光的曝光光中，更具体而言，在包含i线、h线及g线的复合光的曝光光中，未能得到充分的相移效果。

另外，比较例2的相移膜图案的CD偏差为0.313μm，比较例3的相移膜图案的CD偏差为0.283μm。

因此，可以预测，在将比较例1～3的相移掩模安置于曝光装置的掩模台并向显示装置上的抗蚀剂膜曝光转印的情况下，无法转印小于2.0μm的微细图案。

实施例4

为了制造实施例4的相移掩模坯料，与实施例1～3同样地，作为透明基板准备1214尺寸(1220mm×1400mm)的合成石英玻璃基板。

接着，在透明基板20的主表面上，在如下的成膜条件下进行溅射而形成相移膜30。

对配置于内置式溅射装置的第一腔室内的硅化钼靶材(Mo：Si＝1：9)施加规定的溅射功率，一边将Ar气体、氦(He)气体和氮(N₂)气体的混合气体(Ar：18sccm、He：50sccm、N₂：13sccm)导入第一腔室内，一边搬送透明基板20，在透明基板20通过硅化钼靶材附近时，在透明基板20上形成由包含Mo、Si、O和N的硅化钼系材料(MoSiON)构成的相移膜30。

关于膜应力，与实施例1同样地，对成膜的相移膜30测定平坦度变化而算出。相移膜30的膜应力为0.22Pa。此外，就该相移膜30而言，对相移掩模的清洗中使用的药液(硫酸过氧化氢水、氨过氧化氢水、臭氧水)的透过率变化量及相位差变化量均小，具有高的耐药性、耐清洗性。

另外，就相移膜30的组成而言，通过X线光电子能谱法(XPS)进行组成分析。其结果，就相移膜30而言，在膜的深度方向上均匀地含有元素，且各元素的平均含有率为Mo：8原子％、Si：40原子％、O：6原子％、N：46原子％，Mo和Si的比例为Mo：Si＝1：5。

接着，将带相移膜30的透明基板20导入到第二腔室内，与上述实施例同样地，在相移膜30上形成CrN层、CrC层和CrCON层的叠层结构的蚀刻掩模膜40。

关于所得的相移掩模坯料10的相移膜30，与上述实施例同样地，通过激光科技社制的MPM－100对透过率、相位差进行了测定。相移膜30的透过率为27.0％(波长405nm)，相位差为178度(波长：405nm)。

与上述实施例同样地，在透明基板20上，通过对形成有相移膜30、蚀刻掩模膜40的相移掩模坯料10进行截面SEM观察可以确认蚀刻掩模膜40具有柱状结构。

接着，与上述实施例同样地，使用相移掩模坯料10制造相移掩模100。

通过扫描电子显微镜对所得的相移掩模的相移膜图案的截面形状进行观察。图3是实施例4的相移掩模的截面照片。

如图3所示，形成于实施例4的相移掩模的相移膜图案的截面形状(角度)为74度。因此，在包含300nm以上500nm以下的波长范围的光的曝光光中，更具体而言，在包含i线、h线及g线的复合光的曝光光中，可得到具有优异相移效果的相移掩模。

进而，与上述实施例同样地，对相移掩模的相移膜图案的CD偏差进行了测定，CD偏差为0.092μm，属于良好。

因此，可以说，在将实施例4的相移掩模安置于曝光装置的掩模台并向显示装置上的抗蚀剂膜曝光转印的情况下，能够高精度地转印小于2.0μm的微细图案。

此外，在上述实施例中，对使用钼作为过渡金属的情况进行了说明，但其它的过渡金属也可得到与上述同等的效果。

另外，在上述实施例中，对显示装置制造用相移掩模坯料或显示装置制造用相移掩模的例子进行了说明，但不限于此。本发明的相移掩模坯料或相移掩模也可以应用于半导体装置制造、MEMS制造、印制电路板等。

另外，在上述实施例中，对透明基板的尺寸为1214尺寸(1220mm×1400mm)的例子进行了说明，但不限于此。在显示装置制造用相移掩模坯料的情况下，可以使用大型(LargeSize)的透明基板，就该透明基板的尺寸而言，一边的长度为300mm以上。用于显示装置制造用相移掩模坯料的透明基板的尺寸例如为330mm×450mm以上2280mm×3130mm以下。

另外，在半导体装置制造用、MEMS制造用、印制电路板用相移掩模坯料的情况下，可以使用小型(Small Size)的透明基板，就该透明基板的尺寸而言，一边的长度为9英寸以下。用于上述用途的相移掩模坯料的透明基板的尺寸例如为63.1mm×63.1mm以上228.6mm×228.6mm以下。通常，用于半导体制造、MEMS制造时使用6025尺寸(152mm×152mm)或5009尺寸(126.6mm×126.6mm)，用于印制电路板时使用7012尺寸(177.4mm×177.4mm)或9012尺寸(228.6mm×228.6mm)。

Claims

1.一种相移掩模坯料，其在透明基板上具有相移膜，且在该相移膜上具有蚀刻掩模膜，其特征在于，

所述相移膜含有过渡金属、硅、氧、氮，

所述相移膜包含的氧的含有率为5原子%以上70原子%以下，

所述相移膜包含的硅的含有率为过渡金属的含有率的1.5倍以上6倍以下，

所述相移膜的膜应力为0.28GPa以上0.35GPa以下。

2.根据权利要求1所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述相移膜的氮的含有率为2原子%以上60原子%以下。

3.根据权利要求1或2所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述相移膜包含的氧的含有率比氮的含有率大。

4.根据权利要求1或2所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述相移膜由多层或单层构成。

5.根据权利要求1或2所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述蚀刻掩模膜由铬系材料构成。

6.根据权利要求1或2所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述蚀刻掩模膜具有柱状结构。

7.根据权利要求1或2所述的相移掩模坯料，其特征在于，

所述蚀刻掩模膜含有氮、氧、碳中的至少任一种。

8.根据权利要求1或2所述的相移掩模坯料，其特征在于，

9.一种相移掩模的制造方法，其特征在于，包含如下工序：

准备权利要求1至8中任一项所述的相移掩模坯料；

在所述相移掩模坯料上形成抗蚀剂膜；

10.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

使用通过权利要求1至8中任一项所述的相移掩模坯料制造的相移掩模或通过权利要求9所述的相移掩模的制造方法制造的相移掩模，将转印图案曝光转印到显示装置上的抗蚀剂膜。