JPH0996898A - 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 酸素、モリブデン及びシリコンを主たる構成
要素とする物質からなる薄膜で構成した光半透過膜のエ
ッチング加工性、パターンエッジ形状を良好にし、内部
応力を小さくする。 【解決手段】 ハーフトーン形位相シフトマスクの光半
透過部を、酸素、モリブデン（Ｍｏ）及びシリコン（Ｓ
ｉ）を主たる構成要素とする物質からなる薄膜で構成す
る。このとき、薄膜中のモリブデンシリサイド（ＭｏＳ
ｉ）の含有量を５０原子％以下、好ましくは２５原子％
以下にする。これにより、非晶質のＭｏ−Ｏ、Ｓｉ−
Ｏ、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ等が多く含まれるようにして、薄膜全
体がモリブデンシリサイドとなるのを防ぐ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マスクを通過する
露光光間に位相差を与えることにより、転写パターンの
解像度を向上できるようにした位相シフトマスク及びそ
の素材としての位相シフトマスクブランクに関し、特
に、いわゆるハーフトーン型の位相シフトマスク及びそ
の素材としての位相シフトマスクブランクに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ＬＳＩ製造の際等においては、微
細パターン転写のマスクたるフォトマスクの１つとして
位相シフトマスクが用いられる。この位相シフトマスク
は、マスクを通過する露光光間に位相差を与えることに
より、転写パターンの解像度を向上できるようにしたも
のである。この位相シフトマスクの１つに、いわゆるハ
ーフトーン型位相シフトマスクと称されているものが知
られている。これは、光半透過部が、露光光を実質的に
遮断する遮光機能と光の位相をシフトさせる位相シフト
機能との２つの機能を兼ねるものである。

【０００３】このハーフトーン形位相シフトマスクは、
透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光
に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実質的に露
光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構
成し、かつ、この光半透過部を通過する光の位相をシフ
トさせて該光半透過部を通過した光の位相が上記光透過
部を通過した光の位相に対して実質的に反転する関係に
なるようにすることにより、前記光透過部と光半透過部
との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあうよう
にして境界部のコントラストを良好に保持できるように
したものである。

【０００４】ハーフトーン形位相シフトマスクは、光半
透過部が、光透過率及び位相シフト性能の双方につい
て、要求される最適な値を有している必要がある。従
来、この最適な値を有している光半透過部を実現できる
位相シフトマスクとして、特開平６−３３２１５２号公
報に記載されたものが提案されている。これは、光半透
過部を、酸素、金属及びシリコンを主たる構成要素とす
る物質からなる薄膜で構成したものである。この物質
は、例えば酸化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯ）、
あるいは窒素をも構成要素とする酸化窒化モリブデンシ
リサイド（ＭｏＳｉＯＮ）である。これらをまとめて単
にモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）という。これによ
れば、酸素含有率又は、酸素と窒素の含有率を選定する
ことにより透過率が制御でき、また、薄膜の厚さで位相
シフト量を制御できる。また、光半透過部を、このよう
な物質の薄膜で構成することにより、光半透過部を１種
類の材料からなる１層の膜で構成することができ、異な
る種類の多層の膜で構成する場合に比して、単一のエッ
チング媒質を用いることができ、製造工程を単純にでき
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＭｏＳｉＯ
またはＭｏＳｉＯＮからなる光半透過膜は、次のように
形成する。ＭｏＳｉＯの場合は、モリブデン（Ｍｏ）と
シリコン（珪素；Ｓｉ）との混合ターゲットを用い、ア
ルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ₂ ）との混合ガス雰囲気で、
反応性スパッタにより、透明基板上に所定膜厚の薄膜を
成膜することにより行う。また、ＭｏＳｉＯＮの場合
は、ＭｏとＳｉとの混合ターゲットを用い、Ａｒと亜酸
化窒素（Ｎ₂ Ｏ）との混合ガス雰囲気で、反応性スパッ
タにより、透明基板上に所定膜厚の薄膜を成膜すること
により行う。

【０００６】このようにＭｏＳｉＯまたはＭｏＳｉＯＮ
を光半透過膜とする場合には、スパッタ室内の雰囲気
を、不活性ガスに活性ガスを加えた混合ガスとしている
が、活性ガスの混合量が少ないと、成膜温度が高くな
る。成膜温度が高くなると、シリサイドが良好に形成さ
れるため、薄膜中に結晶であるＭｏＳｉが形成されやす
い。現に、半導体製造装置でＭｏＳｉ膜を製造する場合
には、成膜温度が５００℃〜６００℃と高いので、薄膜
の大半はＭｏＳｉになる。

【０００７】薄膜中のＭｏＳｉが多いと、結晶グレイン
が成長して柱状の結晶構造になり、かつグレインのサイ
ズも１μｍ程度と大きくなる。このためマスクパターン
を形成するために前記光半透過膜のエッチングを行う
際、エッチング加工性が悪くなり、それに伴ってパター
ンのエッジ形状も悪くなる。さらに、結晶質であること
に起因して膜の内部応力も大きくなるので、マスクの歪
みが多くなると共に、石英基板等の透明基板に対する密
着性がよくない。したがって、光半透過部をＭｏＳｉＯ
またはＭｏＳｉＯＮ膜で構成した位相シフトマスクにお
いては、薄膜中のＭｏＳｉ含有量は重要である。しか
し、光半透過膜のエッチング性等が向上する薄膜中の金
属シリサイドの含有量についての検討は未解決の状態で
ある。

【０００８】本発明は、上述の背景のもとでなされたも
のであり、その目的は、パターンのエッチングの際、エ
ッチング加工性が良好で、かつパターンのエッジ形状も
良好な位相シフトマスク及びその素材たる位相シフトマ
スクブランクを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明にかかる位相シフトマスクは、次のように構
成したものである。

【００１０】構成１の位相シフトマスクは、微細パター
ン露光を施すためのマスクであって、透明基板上に形成
するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の
光を透過させる光透過部と実質的に露光に寄与しない強
度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつ、この
光半透過部を通過する光の位相をシフトさせて該光半透
過部を通過した光の位相と前記光透過部を通過した光の
位相とを異ならしめることにより、前記光透過部と光半
透過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあ
うようにして境界部のコントラストを良好に保持できる
ようにした位相シフトマスクであって、前記光半透過部
を、酸素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする物
質からなる薄膜で構成し、該薄膜を構成する物質のう
ち、構成要素たる金属とシリコンとが結合した金属シリ
サイド含有量が５０原子％以下である構成としたもので
ある。

【００１１】薄膜中の金属シリサイドの含有量が５０原
子％以下だと、非晶質が多くなり、パターンのエッチン
グの際、加工性が良好になるとともに、パターンのエッ
ジ形状も良好になる。また、非晶質であることに起因し
て膜の内部応力も結晶質が多い場合に比べて小さくな
る。

【００１２】構成２の位相シフトマスクは、構成１の位
相シフトマスクにおいて、前記金属シリサイド含有量が
２５原子％以下である構成としたものである。これによ
れば、構成１よりもエッチング性等の優れた特性の光半
透過部を得ることができる。

【００１３】構成３の位相シフトマスクは、構成１又は
２の位相シフトマスクにおいて、前記薄膜を構成する物
質のうち、構成要素たる金属がモリブデンであることを
特徴とする構成としたものである。これによれば構成１
又は２の特徴を最もよく出すことができる。

【００１４】構成４の位相シフトマスクは、構成１ない
し３の位相シフトマスクにおいて、前記薄膜を構成する
物質は、その構成要素に窒素も含むものであることを特
徴とする構成としたものである。これによれば、光半透
過部を構成する薄膜の耐酸性を向上させることができる
と同時に、薄膜をドライエッチングにおける選択性に富
むものとすることができるので、製造を容易にするとい
う効果も得られる。

【００１５】構成５の位相シフトマスクブランクは、構
成１ないし４のいずれかの位相シフトマスクの素材とし
て用いられる位相シフトマスクブランクであって、透明
基板上に、酸素、金属及びシリコンを主たる構成要素と
する物質からなる薄膜を形成し、該薄膜を構成する物質
のうち、構成要素たる金属とシリコンとが結合した金属
シリサイド含有量が５０原子％以下であることを特徴と
する構成としたものである。

【００１６】構成６の位相シフトマスクブランクは、構
成５の位相シフトマスクブランクにおいて、金属シリサ
イド含有量が２５原子％以下である構成としたものであ
る。

【００１７】構成７の位相シフトマスクブランクは、構
成５または６の位相シフトマスクブランクにおいて、前
記薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属がモリ
ブデンであることを特徴とする構成としたものである。

【００１８】構成５〜７によれば、構成１ないし４の位
相シフトマスクの素材として用いることができる位相シ
フトマスクブランクを得ることができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】図５は本発明の実施の形態にかか
る位相シフトマスクを示す部分断面図、図６は本発明の
実施の形態にかかる位相シフトマスクブランクを示す部
分断面図である。以下、これらの図を参照にしながら本
実施の形態にかかる位相シフトマスク及び位相シフトマ
スクブランクを説明する。

【００２０】図５において、符号１は透明基板、符号２
はこの透明基板１の上に形成された光半透過部、符号４
は光透過部である。

【００２１】透明基板１は、主表面（表裏の面）を鏡面
研磨した石英ガラス基板（寸法；縦５インチ、横５イン
チ、厚さ０．０９インチ）である。

【００２２】光半透過部２は、酸素、金属及びシリコン
を主たる構成要素とする物質、例えば、ＭｏＳｉＯ、あ
るいは、酸素、金属及びシリコンの他に窒素をも構成要
素とするＭｏＳｉＯＮの薄膜で構成されている。この実
施の形態では、露光光として水銀ランプのｉ線（波長λ
＝３６５ｎｍ）を用いることとし、この露光光に対して
光半透過部２が所定の位相シフト量と所定の遮光性能と
を同時に得られるようにするため、酸素含有率（原子
％）、窒素含有率（原子％）、膜厚ｄ（オングストロー
ム）、光透過率を選定する。

【００２３】図４は、光半透過部を構成する薄膜中のＭ
ｏＳｉ含有量を変えたものを比較例および実施例１〜５
として表にして掲げたものである。光半透過部を構成す
る薄膜中のＭｏＳｉ含有量を変えるには、混合ガス雰囲
気中のＯ₂ またはＮ₂ Ｏの割合を変える。なお、図４に
おいて、エッチング加工性は、エッチング加工性が劣っ
ている場合を△、良かった場合を○、より良かった場合
を◎とした。また、パターンのエッジ形状も、エッジ形
状が悪かった場合を×、良かった場合を○、より良かっ
た場合を◎とした。

【００２４】上述の構成の位相シフトマスクの製造手順
を図６を参照にしながら説明する。

【００２５】図６に示されるように、まず、透明基板１
の表面にＭｏＳｉＯの薄膜（実施例１〜３）、又はＭｏ
ＳｉＯＮの薄膜（実施例４〜５）からなる光半透過膜２
ａを形成して位相シフトマスクブランクを得る。

【００２６】光半透過膜２ａの形成は、該光半透過膜２
ａをＭｏＳｉＯの薄膜で構成する実施例１〜３の場合は
次のようにして行う。

【００２７】ＭｏとＳｉとの混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓ
ｉ＝１：２ｍｏｌ％）を用い、ＡｒとＯ₂ との混合ガス
雰囲気（Ａｒ；９０〜８０％、Ｏ₂ ；１０〜２０％、圧
力；１．５×１０^-3Torr）で、反応性スパッタにより、
透明基板１上に膜厚１４００〜２０００オングストロー
ムの薄膜を成膜することにより行う。この場合、膜厚
は、位相差が１８０°になるように選定される。

【００２８】また、光半透過膜２ａをＭｏＳｉＯＮの薄
膜で構成する実施例４〜５の場合は次のようにして行
う。ＭｏとＳｉとの混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：
２ｍｏｌ％）を用い、ＡｒとＮ₂ Ｏとの混合ガス雰囲気
（Ａｒ；９０〜７０％、Ｎ₂ Ｏ；１０〜３０％、圧力；
１．５×１０^-3Torr）で、反応性スパッタにより、透明
基板１上に膜厚１４００〜２０００オングストロームの
薄膜を成膜することにより行う。この場合、Ｎ₂ Ｏガス
の代わりに、ＮＯガス、あるいは、Ｏ₂ ＋Ｎ₂ ガスを用
いてもよい。

【００２９】なお、比較例の場合は、ＭｏとＳｉとの混
合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２ｍｏｌ％）を用い、
ＡｒとＯ₂ との混合ガス雰囲気（Ａｒ；９８〜９１％、
Ｏ₂；２〜９％、圧力；１．５×１０^-3Torr）で、反応
性スパッタにより、透明基板１上に膜厚１４００〜２０
００オングストロームの薄膜を成膜することにより行
う。

【００３０】前記実施例では、所定量以上のＯ₂ あるい
はＮ₂ ＯガスをＡｒガスに加えた混合ガス雰囲気でスパ
ッタリングするので、成膜温度が２００℃程度と低く、
その結果、ＭｏＳｉが膜中に形成されにくい。これに対
して比較例では、所定量より少ないＯ₂ ガスをＡｒガス
に加えた混合ガス雰囲気でスパッタリングするので、成
膜温度が５００℃〜６００℃と高く、その結果、ＭｏＳ
ｉが膜中に形成されやすくなる。図４から、エッチング
加工性等を向上させるためには、光半透過部を構成する
薄膜中のＭｏＳｉ含有量が５０原子％以下、より好まし
くは２０％以下であることがわかる。

【００３１】図２は、実施例４の光半透過膜の膜表面か
ら深さ方向への原子の分布をＥＳＣＡ（Electron Spect
roscopy for Chemical Analysis ）によって分析した結
果を示す図である。図のＸ軸が結合エネルギー（ｅ
Ｖ）、Ｙ軸が原子数に対応する量、Ｚ軸がサイクル数
（膜表面からの深さに対応し、数字が小さいほど初期の
膜表面に近い）。

【００３２】図中、ＳｉＯ（Ｎ）と示されたピークは、
ＳｉにＯ、Ｎが直接結合しているＳｉ原子の相対的な個
数を表す。Ｓｉメタルと示されたピークは、ＳｉにＭｏ
が直接結合しているＳｉ原子の相対的な個数を表す。そ
の他は、ＳｉにＯ、Ｎが結合し、そのＯ、ＮにＭｏが結
合している場合等を表す。これらの面積強度比より、層
毎に結合状態に対するＳｉ存在比を算出する。

【００３３】図１は、このようにして算出したＳｉ存在
比を示す図である。図の横軸はスパッタリング時間
（分）、すなわち、厚さ方向の位置を表し、縦軸はＳｉ
存在比（原子％）としての分布を示す。これより、膜内
の全Ｓｉのうち、ＳｉにＯ、Ｎが直接結合したもの（酸
化物、窒化物）が約８割、シリサイド等の金属的な結合
が約１割あることが分かる。すなわち、ＭｏＳｉのター
ゲットをＯ₂ あるいはＮ₂ Ｏガス雰囲気下でスパッタす
ると、ＭｏＳｉが膜中に形成されにくいことが裏付けら
れる。

【００３４】なお、図３は実施例４の光半透過膜の組成
をオージェ分析装置によって分析した結果を示す図であ
る。図の縦軸が各元素の含有率（％）、横軸がスパッタ
リング時間（分）、すなわち、厚さ方向の位置を表すも
のである。

【００３５】次に、こうして得た位相シフトマスクブラ
ンクの光半透過膜２ａの上にレジスト膜を形成し、パタ
ーン露光、現像、エッチング、洗浄等の一連の周知のパ
ターン形成処理を施して、光半透過膜２ａの一部を除去
し、光透過部４と光半透過部２とでホールあるいはドッ
ト等のパターンを形成した位相シフトマスクを得る。こ
の場合、ＭｏＳｉＯ膜、又は、ＭｏＳｉＯＮ膜のエッチ
ングは、ドライエッチングによる場合はエッチングガス
として、ＣＦ₄ ＋Ｏ₂ 混合ガスを用いればよい。

【００３６】このＣＦ₄ ＋Ｏ₂ 混合ガスによるエッチン
グにおいて、ＭｏＳｉ含有量が高い（５０原子％を超え
る）比較例のものはエッチング加工性が劣っていた。し
かし、ＭｏＳｉ含有量が低い（５０原子％以下）実施例
１〜５のものは、いずれもエッチング加工性が良好であ
った。また、パターンのエッジ形状も比較例に比べて実
施例１〜５の方が良好であった。

【００３７】この位相シフトマスクは、図５に示される
ように、露光光Ｌ₀ が照射された場合、この露光光Ｌ₀
は、光半透過部２を通過して図示しない非転写体に達す
る光Ｌ₁ と光透過部４を通過して非転写体に達する光Ｌ
₂ とに分かれる。この場合、光半透過部２を通過した光
Ｌ₁ の強度は、実質的に露光に寄与しない程度の弱い光
である。一方、光透過部４を通過した光Ｌ₂ は実質的に
露光に寄与する強い光である。したがって、これによ
り、パターン露光が行われる。その際、回折現象によっ
て光半透過部２と光透過部４との境界部を通過する光が
互いに相手の領域に回り込むが、両者の光の位相がほぼ
反転した関係にあるので、互いに相殺される。これによ
って境界領域での非転写体上における光強度はほぼ０に
なる。したがって、境界が極めて明確になり、解像度が
向上する。本実施例ではパターンのエッジ形状が良好に
なっていることにより、前記解像度はさらに向上する。

【００３８】上述したように、光半透過部２を、酸素、
窒素、モリブデン及びシリコンを主たる構成要素とする
物質からなる薄膜で構成する場合、その形成は反応性ス
パッタによるが、そのスパッタに際して雰囲気中に酸素
または酸素及び窒素が混入することになる。酸素または
酸素及び窒素が混入する場合には、混入する度合いに応
じてシリサイド形成量が変る。したがって、酸素または
酸素及び窒素の量を調整すると、薄膜を構成する物質の
モリブデンシリサイド含有量を制御できる。本実施例に
よる検討結果では、酸素または酸素及び窒素の量が少な
すぎないようにして、モリブデンシリサイド含有量を５
０原子％以下となるようにしたものである。このため薄
膜を構成する物質が完全なモリブデンシリサイドとなっ
たり、モリブデンシリサイドリッチ（５０原子％よりも
大）となる場合に比して、薄膜を構成する非晶質（Ｍｏ
−Ｏ、Ｓｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｏ−Ｎ等）が多くなり、その結
果パターンをドライエッチングする際、エッチング加工
性が良好になり、しかもエッチング選択性の向上が図れ
るので、パターンのエッジ形状も良好になった。

【００３９】また、非晶質が多くなると、薄膜の膜応力
も小さくなるので、マスクの歪みを少なくできると共
に、石英基板等の透明基板に対する優れた密着性を確保
することができる。

【００４０】なお、上記実施例では、光半透過部を構成
する物質の構成要素としての金属としてモリブデンを用
いる例を掲げたが、これは、タンタルもしくはタングス
テンを用いてもよい。

【００４１】また、前記実施例では、露光光として水銀
ランプのｉ線（３６５ｎｍ）を用い例を掲げたが、本発
明は、露光光として、他の波長のもの、例えば、ｇ線
（４３６ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎ
ｍ）等を用いた場合にも適用できることは勿論である。
この時は、それぞれの露光波長に対する薄膜の屈折率や
吸収率を検討して、ＭｏＳｉ含有量の規定値の範囲内で
酸素や窒素の含有率、膜厚を調整すればよい。

【００４２】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
光半透過部または光半透過膜中の金属シリサイドの含有
量を５０原子％以下にすることにより、パターンエッチ
ングの際、加工性が良好になるとともに、パターンのエ
ッジ形状を良好にすることができる。また非晶質が多い
ので、結晶質が多い場合に比べて薄膜の内部応力が小さ
くなり、その結果、マスクの歪みが小さくなると共に、
石英基板等の透明基板に対する密着性が良くなる。特
に、金属シリサイドの含有量を２５原子％以下にする
と、エッチング加工性やエッジ形状等が一層良好にな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例のＥＳＣＡによって分析した
各面積強度比から層毎に結合状態に対するＳｉ存在比を
算出した図である。

【図２】実施例４の光半透過膜の膜表面から深さ方向へ
の原子の分布をＥＳＣＡによって分析した結果を示す図
である。

【図３】実施例４の光半透過膜の組成をオージェ分析装
置で分析した結果を示した図である。

【図４】比較例及び実施例１〜５の説明図である。

【図５】本発明の実施の形態にかかる位相シフトマスク
の構成を示す部分断面図である。

【図６】本発明の実施の形態にかかる位相シフトマスク
ブランクの構成を示す部分断面図である。

【符号の説明】

１…透明基板、２…光半透過部、２ａ…光半透過膜、４
…光透過部。

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【手続補正書】

【提出日】平成７年１０月３日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】全図

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

【図３】

【図２】

【図４】

【図５】

【図６】

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 微細パターン露光を施すためのマスクで
   あって、透明基板上に形成するマスクパターンを、実質
   的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実
   質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過
   部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過する光の位
   相をシフトさせて該光半透過部を通過した光の位相と前
   記光透過部を通過した光の位相とを異ならしめることに
   より、前記光透過部と光半透過部との境界部近傍を通過
   した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコント
   ラストを良好に保持できるようにした位相シフトマスク
   であって、 前記光半透過部を、酸素、金属及びシリコンを主たる構
   成要素とする物質からなる薄膜で構成し、 該薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属とシリ
   コンとが結合した金属シリサイド含有量が５０原子％以
   下であることを特徴とする位相シフトマスク。
2. 【請求項２】 微細パターン露光を施すためのマスクで
   あって、透明基板上に形成するマスクパターンを、実質
   的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実
   質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過
   部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過する光の位
   相をシフトさせて該光半透過部を通過した光の位相と前
   記光透過部を通過した光の位相とを異ならしめることに
   より、前記光透過部と光半透過部との境界部近傍を通過
   した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコント
   ラストを良好に保持できるようにした位相シフトマスク
   であって、 前記光半透過部を、酸素、金属及びシリコンを主たる構
   成要素とする物質からなる薄膜で構成し、 該薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属とシリ
   コンとが結合した金属シリサイド含有量が２５原子％以
   下であることを特徴とする位相シフトマスク。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の位相シフトマ
   スクにおいて、 前記薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属がモ
   リブデンであることを特徴とする位相シフトマスク。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の位
   相シフトマスクにおいて、 前記薄膜を構成する物質は、その構成要素に窒素も含む
   ものであることを特徴とする位相シフトマスク。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の位
   相シフトマスクの素材として用いられる位相シフトマス
   クブランクであって、透明基板上に、酸素、金属及びシ
   リコンを主たる構成要素とする物質からなる薄膜を形成
   し、 該薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属とシリ
   コンとが結合した金属シリサイド含有量が５０原子％以
   下であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
6. 【請求項６】 請求項１ないし４のいずれかに記載の位
   相シフトマスクの素材として用いられる位相シフトマス
   クブランクであって、透明基板上に、酸素、金属及びシ
   リコンを主たる構成要素とする物質からなる薄膜を形成
   し、 該薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属とシリ
   コンとが結合した金属シリサイド含有量が２５原子％以
   下であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の位相シフトマスクブラ
   ンクにおいて、 前記薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属がモ
   リブデンであることを特徴とする位相シフトマスクブラ
   ンク。