JPH11282150A - ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びその製造方法 - Google Patents
ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びその製造方法Info
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- JPH11282150A JPH11282150A JP7943498A JP7943498A JPH11282150A JP H11282150 A JPH11282150 A JP H11282150A JP 7943498 A JP7943498 A JP 7943498A JP 7943498 A JP7943498 A JP 7943498A JP H11282150 A JPH11282150 A JP H11282150A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光波長及び検査波長での透過率を容易に制
御でき、且つ洗浄工程の耐薬品性を満足するハーフトー
ンブランク及びその製造法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 ＳｉとＺｒの２種類のターゲットを用い
て、同時に反応性スパッタリングすることでＳｉ及びＺ
ｒの化合物薄膜を成膜してハーフトーンブランクを得る
もので、このとき各々のターゲットに加える電力を制御
することで、成膜後のハーフトーンブランク中に含まれ
るＳｉやＺｒの元素組成比を制御する。または、Ｓｉと
Ｚｒを粉末の状態で混ぜた後プレス成形して得た混合物
ターゲットを用いて、スパッタリングしてＳｉ及びＺｒ
の化合物薄膜を成膜してハーフトーンブランクを得るも
のである。
御でき、且つ洗浄工程の耐薬品性を満足するハーフトー
ンブランク及びその製造法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 ＳｉとＺｒの２種類のターゲットを用い
て、同時に反応性スパッタリングすることでＳｉ及びＺ
ｒの化合物薄膜を成膜してハーフトーンブランクを得る
もので、このとき各々のターゲットに加える電力を制御
することで、成膜後のハーフトーンブランク中に含まれ
るＳｉやＺｒの元素組成比を制御する。または、Ｓｉと
Ｚｒを粉末の状態で混ぜた後プレス成形して得た混合物
ターゲットを用いて、スパッタリングしてＳｉ及びＺｒ
の化合物薄膜を成膜してハーフトーンブランクを得るも
のである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
ス中のフォトリソグラフィ工程においてパターンを形成
する際の露光転写用フォトマスクを製造するためのフォ
トマスクブランクに関するものであり、特にハーフトー
ン型位相シフトフォトマスクブランクに関する。
ス中のフォトリソグラフィ工程においてパターンを形成
する際の露光転写用フォトマスクを製造するためのフォ
トマスクブランクに関するものであり、特にハーフトー
ン型位相シフトフォトマスクブランクに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体の微細化に伴い、Ｓｉウエ
ハ上にパターンを転写する際に解像度を向上させる技術
を施したフォトマスクの利用は盛んになりつつある。位
相シフト法はこの解像度向上技術の１つであり、隣接す
る開口部の片側に位相シフト部を設け隣接するパターン
を透過する投影光の位相差を互いに１８０度とすること
により、透過光が回折し干渉し合う際に境界部の光強度
を弱め、その結果として転写パターンの解像度を向上さ
せるものである。
ハ上にパターンを転写する際に解像度を向上させる技術
を施したフォトマスクの利用は盛んになりつつある。位
相シフト法はこの解像度向上技術の１つであり、隣接す
る開口部の片側に位相シフト部を設け隣接するパターン
を透過する投影光の位相差を互いに１８０度とすること
により、透過光が回折し干渉し合う際に境界部の光強度
を弱め、その結果として転写パターンの解像度を向上さ
せるものである。
【０００３】上記のような位相シフト法はＩＢＭのLeve
nsonらによって提唱され、特開昭５８−１７３７４４号
公報や、原理では特公昭６２−５０８１１号公報に記載
されており、レベンソン型やハーフトーン型などが公知
となっている。レベンソン型はパターンを遮光層で形成
し、遮光パターンに隣接する開孔部の片側に位相シフト
部を設けて位相反転させるもので解像性能と焦点深度は
大きく向上するが、３つ以上のパターンが隣接する場合
には必ず位相が等しくなる部分が生じ、設計等での工夫
が必要となる。また、完全な遮光性を持たない半透明遮
光層によって露光光をレジスト感度以下で透過させ、且
つ位相を反転させるものをハーフトーン型と呼び、同様
な解像度向上効果を得ることが可能となる。この場合は
特に孤立パターンの解像度向上に有効である。ハーフト
ーン型位相シフトマスクブランク（以下ハーフトーンブ
ランクと称す）の膜材料としては現在までにＭｏＳｉ、
ＷＳｉ、ＺｒＳｉ、Ｃｒ等の化合物を主要構成材料とす
るものが提案されている。
nsonらによって提唱され、特開昭５８−１７３７４４号
公報や、原理では特公昭６２−５０８１１号公報に記載
されており、レベンソン型やハーフトーン型などが公知
となっている。レベンソン型はパターンを遮光層で形成
し、遮光パターンに隣接する開孔部の片側に位相シフト
部を設けて位相反転させるもので解像性能と焦点深度は
大きく向上するが、３つ以上のパターンが隣接する場合
には必ず位相が等しくなる部分が生じ、設計等での工夫
が必要となる。また、完全な遮光性を持たない半透明遮
光層によって露光光をレジスト感度以下で透過させ、且
つ位相を反転させるものをハーフトーン型と呼び、同様
な解像度向上効果を得ることが可能となる。この場合は
特に孤立パターンの解像度向上に有効である。ハーフト
ーン型位相シフトマスクブランク（以下ハーフトーンブ
ランクと称す）の膜材料としては現在までにＭｏＳｉ、
ＷＳｉ、ＺｒＳｉ、Ｃｒ等の化合物を主要構成材料とす
るものが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような化合物で
構成されたハーフトーンブランクはこれまで化合物ター
ゲットを使用して成膜されている。化合物ターゲットは
ターゲットを作製する段階で２種類以上の材料を化合さ
せた後、更に粉砕し再びプレスを行いターゲットとして
加工する。
構成されたハーフトーンブランクはこれまで化合物ター
ゲットを使用して成膜されている。化合物ターゲットは
ターゲットを作製する段階で２種類以上の材料を化合さ
せた後、更に粉砕し再びプレスを行いターゲットとして
加工する。
【０００５】このような従来までの化合物ターゲットを
用いて成膜を行う製造方法にはいくつかの問題点があげ
られる。第一には上記の様な化合物ターゲットを用いて
ハーフトーンブランクを成膜する場合にはハーフトーン
ブランクの元素組成比は任意にはならず、その組成比は
ターゲットの組成比によって決定されるという制約を受
ける。例えばＺｒとＳｉを主要構成材料とするハーフト
ーンブランクを成膜する場合のターゲットとしては、Ｚ
ｒとＳｉの化合物は極まれであり、一般的なものとして
はＺｒＳｉ2 等の組成に限られてしまう。この場合、Ｚ
ｒに対するＳｉの結合の比率（化学量論比）は予め定ま
っているため、成膜後のハーフトーンブランクにおける
ＺｒやＳｉの組成比を細かく制御することは困難であっ
た。
用いて成膜を行う製造方法にはいくつかの問題点があげ
られる。第一には上記の様な化合物ターゲットを用いて
ハーフトーンブランクを成膜する場合にはハーフトーン
ブランクの元素組成比は任意にはならず、その組成比は
ターゲットの組成比によって決定されるという制約を受
ける。例えばＺｒとＳｉを主要構成材料とするハーフト
ーンブランクを成膜する場合のターゲットとしては、Ｚ
ｒとＳｉの化合物は極まれであり、一般的なものとして
はＺｒＳｉ2 等の組成に限られてしまう。この場合、Ｚ
ｒに対するＳｉの結合の比率（化学量論比）は予め定ま
っているため、成膜後のハーフトーンブランクにおける
ＺｒやＳｉの組成比を細かく制御することは困難であっ
た。
【０００６】ウエハへのパターン転写時の露光光がエキ
シマレーザー等の短波長になると、位相シフトマスクで
は露光光領域で５〜１５％程度の分光透過率を有すると
きに、３６５ｎｍ及び４８８ｎｍといった検査波長域の
分光特性は、検査時のコントラストを得る為に分光透過
率を出来る限り低く抑える必要がある。また、洗浄工程
で用いられる薬液耐性を考えると従来のＺｒＳｉ2 化合
物ターゲットを用いて成膜を行ったハーフトーンブラン
クは熱硫酸には高い耐性を有するが、ＫＯＨ水溶液（３
０ｗｔ％）のアルカリ洗浄液に対しては若干の溶解性を
示す事が確認されており、この点も改良をすることが望
まれていた。
シマレーザー等の短波長になると、位相シフトマスクで
は露光光領域で５〜１５％程度の分光透過率を有すると
きに、３６５ｎｍ及び４８８ｎｍといった検査波長域の
分光特性は、検査時のコントラストを得る為に分光透過
率を出来る限り低く抑える必要がある。また、洗浄工程
で用いられる薬液耐性を考えると従来のＺｒＳｉ2 化合
物ターゲットを用いて成膜を行ったハーフトーンブラン
クは熱硫酸には高い耐性を有するが、ＫＯＨ水溶液（３
０ｗｔ％）のアルカリ洗浄液に対しては若干の溶解性を
示す事が確認されており、この点も改良をすることが望
まれていた。
【０００７】上記のハーフトーンブランクに要求される
分光特性や薬液耐性といった諸特性は殆どが成膜材料に
起因する物であり、改良には膜組成比からの変更が不可
欠であるが現状の化合物ターゲットでは膜組成比の制御
が思いどうりにいかず難かしい問題であった。
分光特性や薬液耐性といった諸特性は殆どが成膜材料に
起因する物であり、改良には膜組成比からの変更が不可
欠であるが現状の化合物ターゲットでは膜組成比の制御
が思いどうりにいかず難かしい問題であった。
【０００８】また、化合物ターゲットは化合物をプレス
成形したときに内部に空隙が生じ易いためターゲット密
度を高められない。このため成膜後の膜にピンホールや
パーティクルといった欠陥が生じやすいなどの問題点も
指摘されている。
成形したときに内部に空隙が生じ易いためターゲット密
度を高められない。このため成膜後の膜にピンホールや
パーティクルといった欠陥が生じやすいなどの問題点も
指摘されている。
【０００９】本発明は上記問題点に鑑みなされたもの
で、露光波長及び検査波長での透過率を容易に制御で
き、且つ洗浄工程の耐薬品性を満足するハーフトーンブ
ランク及びその製造法を提供することを目的とする。
で、露光波長及び検査波長での透過率を容易に制御で
き、且つ洗浄工程の耐薬品性を満足するハーフトーンブ
ランク及びその製造法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を解決するために、まず請求項１においてはＳｉを構成
要素として含むハーフトーン型位相シフトブランクにお
いて、Ｓｉ及びＺｒのターゲットを同時に使用した反応
性スパッタリングにより透明性基板上に形成されたＺｒ
及びＳｉの化合物薄膜からなることを特徴とするハーフ
トーン型位相シフトマスクブランクとしたものである。
を解決するために、まず請求項１においてはＳｉを構成
要素として含むハーフトーン型位相シフトブランクにお
いて、Ｓｉ及びＺｒのターゲットを同時に使用した反応
性スパッタリングにより透明性基板上に形成されたＺｒ
及びＳｉの化合物薄膜からなることを特徴とするハーフ
トーン型位相シフトマスクブランクとしたものである。
【００１１】また、請求項２においては、Ｓｉを構成要
素として含むハーフトーン型位相シフトマスクブランク
において、ＳｉとＺｒの混合物ターゲットを用いてスパ
ッタリングにより透明性基板上に形成されたＺｒ及びＳ
ｉの化合物薄膜からなることを特徴とするハーフトーン
型位相シフトブランクとしたものである。
素として含むハーフトーン型位相シフトマスクブランク
において、ＳｉとＺｒの混合物ターゲットを用いてスパ
ッタリングにより透明性基板上に形成されたＺｒ及びＳ
ｉの化合物薄膜からなることを特徴とするハーフトーン
型位相シフトブランクとしたものである。
【００１２】また、請求項３においては、請求項１又は
２記載のＺｒ及びＳｉの化合物薄膜は少なくとも１層以
上で、ＺｒとＳｉの組成比（ａｔｏｍｉｃ％）が０．１
＜Ｚｒ／Ｓｉ＜２．０であることを特徴とするハーフト
ーン型位相シフトマスクブランクとしたものである。
２記載のＺｒ及びＳｉの化合物薄膜は少なくとも１層以
上で、ＺｒとＳｉの組成比（ａｔｏｍｉｃ％）が０．１
＜Ｚｒ／Ｓｉ＜２．０であることを特徴とするハーフト
ーン型位相シフトマスクブランクとしたものである。
【００１３】また、請求項４においては、Ｓｉ及びＺｒ
のターゲットを同時に使用した反応性スパッタリングに
より、透明性基板上にＺｒ及びＳｉの化合物薄膜をスパ
ッタリング成膜することを特徴とする請求項１記載のハ
ーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法とし
たものである。
のターゲットを同時に使用した反応性スパッタリングに
より、透明性基板上にＺｒ及びＳｉの化合物薄膜をスパ
ッタリング成膜することを特徴とする請求項１記載のハ
ーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法とし
たものである。
【００１４】さらにまた、請求項５においては、Ｓｉと
Ｚｒの混合物ターゲットを用いて透明性基板上にＺｒ及
びＳｉの化合物薄膜をスパッタリング成膜することを特
徴とする請求項２記載のハーフトーン型位相シフトマス
クブランクの製造方法としたものである。
Ｚｒの混合物ターゲットを用いて透明性基板上にＺｒ及
びＳｉの化合物薄膜をスパッタリング成膜することを特
徴とする請求項２記載のハーフトーン型位相シフトマス
クブランクの製造方法としたものである。
【００１５】本発明のハーフトーンブランクを使用した
ハーフトーンマスクは、露光光での透過率及び屈折率の
制御はもちろんのこと、検査時のコントラストを得る為
に検査波長域での分光透過率を低く抑えるといった分光
特性の制御や薬液に対する耐性等を容易に達成できる。
さらに、本発明の方法でハーフトーンブランクを作製し
た場合膜中の元素組成比を容易に制御できる。
ハーフトーンマスクは、露光光での透過率及び屈折率の
制御はもちろんのこと、検査時のコントラストを得る為
に検査波長域での分光透過率を低く抑えるといった分光
特性の制御や薬液に対する耐性等を容易に達成できる。
さらに、本発明の方法でハーフトーンブランクを作製し
た場合膜中の元素組成比を容易に制御できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。本発明のハーフトーンブランクはスパッタリン
グ成膜の方法を工夫することにより、膜中の元素組成比
を制御してハーフトーンブランクに要求される物性、例
えば所定波長での透過率及び屈折率の制御及び薬液に対
する耐性等を制御できるようにしたものである。
明する。本発明のハーフトーンブランクはスパッタリン
グ成膜の方法を工夫することにより、膜中の元素組成比
を制御してハーフトーンブランクに要求される物性、例
えば所定波長での透過率及び屈折率の制御及び薬液に対
する耐性等を制御できるようにしたものである。
【００１７】具体的には、ＳｉとＺｒの２種類のターゲ
ットを用いて、同時に反応性スパッタリングすることで
Ｓｉ及びＺｒの化合物薄膜を成膜するものであり、この
とき各々のターゲットに加える電力を制御することで、
成膜後のハーフトーンブランク中に含まれるＳｉやＺｒ
の元素組成比を制御する。または、ＳｉとＺｒを粉末の
状態で混合した後プレス成形して得た混合物ターゲット
を用いて、スパッタリングしてＳｉ及びＺｒの化合物薄
膜を成膜するものである。この場合ＳｉとＺｒの混合物
ターゲットはＺｒとＳｉが結合しシリサイド化していな
いためターゲットの組成は制約を受けず、成膜後のハー
フトーンブランクはターゲット作製の段階のＺｒとＳｉ
の混合比率によって、任意の元素組成比を有する膜を成
膜することが可能となる。
ットを用いて、同時に反応性スパッタリングすることで
Ｓｉ及びＺｒの化合物薄膜を成膜するものであり、この
とき各々のターゲットに加える電力を制御することで、
成膜後のハーフトーンブランク中に含まれるＳｉやＺｒ
の元素組成比を制御する。または、ＳｉとＺｒを粉末の
状態で混合した後プレス成形して得た混合物ターゲット
を用いて、スパッタリングしてＳｉ及びＺｒの化合物薄
膜を成膜するものである。この場合ＳｉとＺｒの混合物
ターゲットはＺｒとＳｉが結合しシリサイド化していな
いためターゲットの組成は制約を受けず、成膜後のハー
フトーンブランクはターゲット作製の段階のＺｒとＳｉ
の混合比率によって、任意の元素組成比を有する膜を成
膜することが可能となる。
【００１８】上記のハーフトーンブランクは単層膜でも
ハーフトーン位相シフトマスクとしての諸特性は達成で
きるが２層以上の多層膜でも適用可能である。
ハーフトーン位相シフトマスクとしての諸特性は達成で
きるが２層以上の多層膜でも適用可能である。
【００１９】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【００２０】＜実施例１＞透明性基板として合成石英ガ
ラス、成膜方法はＤＣスパッタリングとＲＦスパッタリ
ング法を用いた。Ｚｒ及びＳｉターゲットを使用した２
源同時・反応性スパッタリングにより成膜を行った。膜
中のＺｒ及びＳｉの元素組成比はターゲットに印加され
る電力で決定されるため、本実施例ではＳｉターゲット
の印加電力を一定とし、Ｚｒターゲットの印加電力を変
化させることで組成比を制御した。また、反応性スパッ
タリング時の導入ガスはＡｒとＯ2 の混合ガスを用い、
総流量は３０ＳＣＣＭとした。 成膜条件：Ｓｉターゲットの印加電力：ＲＦ４００Ｗ（固定） Ｚｒターゲットの印加電力：ＤＣ２００、１５０、１００Ｗ 使用ガス：ＡｒとＯ2 の混合ガス 総流量３０ＳＣＣＭ（内Ｏ2 ガス流量：２ＳＣＣＭ）
ラス、成膜方法はＤＣスパッタリングとＲＦスパッタリ
ング法を用いた。Ｚｒ及びＳｉターゲットを使用した２
源同時・反応性スパッタリングにより成膜を行った。膜
中のＺｒ及びＳｉの元素組成比はターゲットに印加され
る電力で決定されるため、本実施例ではＳｉターゲット
の印加電力を一定とし、Ｚｒターゲットの印加電力を変
化させることで組成比を制御した。また、反応性スパッ
タリング時の導入ガスはＡｒとＯ2 の混合ガスを用い、
総流量は３０ＳＣＣＭとした。 成膜条件：Ｓｉターゲットの印加電力：ＲＦ４００Ｗ（固定） Ｚｒターゲットの印加電力：ＤＣ２００、１５０、１００Ｗ 使用ガス：ＡｒとＯ2 の混合ガス 総流量３０ＳＣＣＭ（内Ｏ2 ガス流量：２ＳＣＣＭ）
【００２１】今回得られた２層膜ハーフトーンブランク
の分光特性の結果を図１（ａ）〜（ｃ）に示す。図１
（ａ）〜（ｃ）はＫｒＦ用ハーフトーン位相シフトブラ
ンクとしてＺｒＳｉＯ膜を２層で成膜した場合のシミュ
レーション結果の一例である。シミュレーション条件は
ＫｒＦエキシマレーザの露光波長２４８ｎｍでの透過
率：５％、位相差：180 度とし、以下に示した上層膜、
下層膜を組み合わせた２層膜とし、成膜後の膜の屈折率
・消衰係数を測定することにより算出した。 上層膜（半透明性膜）Ｚｒ／Ｓｉ= ＤＣ２００／ＲＦ４００（Ｗ） Ｚｒ／Ｓｉ= ＤＣ１５０／ＲＦ４００（Ｗ） Ｚｒ／Ｓｉ= ＤＣ１００／ＲＦ４００（Ｗ） 導入ガス：Ａｒ／Ｏ2 ＝２８／２（ＳＣＣＭ） 下層膜（透明性膜） Ｚｒ／Ｓｉ= ＤＣ２００／ＲＦ４００（Ｗ） 導入ガス：Ａｒ／Ｏ2 ＝２４／６（ＳＣＣＭ）
の分光特性の結果を図１（ａ）〜（ｃ）に示す。図１
（ａ）〜（ｃ）はＫｒＦ用ハーフトーン位相シフトブラ
ンクとしてＺｒＳｉＯ膜を２層で成膜した場合のシミュ
レーション結果の一例である。シミュレーション条件は
ＫｒＦエキシマレーザの露光波長２４８ｎｍでの透過
率：５％、位相差：180 度とし、以下に示した上層膜、
下層膜を組み合わせた２層膜とし、成膜後の膜の屈折率
・消衰係数を測定することにより算出した。 上層膜（半透明性膜）Ｚｒ／Ｓｉ= ＤＣ２００／ＲＦ４００（Ｗ） Ｚｒ／Ｓｉ= ＤＣ１５０／ＲＦ４００（Ｗ） Ｚｒ／Ｓｉ= ＤＣ１００／ＲＦ４００（Ｗ） 導入ガス：Ａｒ／Ｏ2 ＝２８／２（ＳＣＣＭ） 下層膜（透明性膜） Ｚｒ／Ｓｉ= ＤＣ２００／ＲＦ４００（Ｗ） 導入ガス：Ａｒ／Ｏ2 ＝２４／６（ＳＣＣＭ）
【００２２】上記条件で成膜した膜の元素組成比をＥＳ
ＣＡ（Electron Spectroscopy forChemical Analysis
）によって膜中定常層の組成比（ａｔｏｍｉｃ％）を
決定したところ、上記条件の、Ｚｒ／Ｓｉ＝ＤＣ２００
／ＲＦ４００（Ｗ）の場合ＺｒとＳｉの比率Ｚｒ／Ｓｉ
＝０．８３、Ｚｒ／Ｓｉ＝ＤＣ１００／ＲＦ４００
（Ｗ）の場合Ｚｒ／Ｓｉ＝０．１４となった。以上のよ
うにＺｒとＳｉのターゲットに印加される電力を制御す
ることで、膜中の元素組成比を制御することが可能であ
る。また、分光特性もＺｒの割合（組成比）を高めるこ
とで長波長側の検査波長領域での分光透過率を制御する
ことが可能である。
ＣＡ（Electron Spectroscopy forChemical Analysis
）によって膜中定常層の組成比（ａｔｏｍｉｃ％）を
決定したところ、上記条件の、Ｚｒ／Ｓｉ＝ＤＣ２００
／ＲＦ４００（Ｗ）の場合ＺｒとＳｉの比率Ｚｒ／Ｓｉ
＝０．８３、Ｚｒ／Ｓｉ＝ＤＣ１００／ＲＦ４００
（Ｗ）の場合Ｚｒ／Ｓｉ＝０．１４となった。以上のよ
うにＺｒとＳｉのターゲットに印加される電力を制御す
ることで、膜中の元素組成比を制御することが可能であ
る。また、分光特性もＺｒの割合（組成比）を高めるこ
とで長波長側の検査波長領域での分光透過率を制御する
ことが可能である。
【００２３】今回得られたハーフトーンブランクスの薬
液に対する耐性は下記の及びの条件で行い、位相差
減少を測定した。その結果を表１に示す。 Ｈ2 ＳＯ4 ＣＯＮＣ ７０℃１時間 ＫＯＨ（３０ｗｔ％）５０℃１時間
液に対する耐性は下記の及びの条件で行い、位相差
減少を測定した。その結果を表１に示す。 Ｈ2 ＳＯ4 ＣＯＮＣ ７０℃１時間 ＫＯＨ（３０ｗｔ％）５０℃１時間
【００２４】
【表１】
【００２５】表１の結果よりこの成膜方法を用いること
により薬液浸漬に対する耐性について、洗浄条件により
必要な範囲で調整をすることができることが確認され
た。
により薬液浸漬に対する耐性について、洗浄条件により
必要な範囲で調整をすることができることが確認され
た。
【００２６】＜実施例２＞ＺｒとＳｉの混合物ターゲッ
トを使用して成膜を行った場合にも、ターゲット作製時
のＺｒとＳｉの混合比をＺｒとＳｉの結合したときの原
子数比と異なるものを使用することにより成膜を行っ
た。ここでは混合物のターゲットをＲＦ４００（Ｗ）、
アルゴンガス流量２８（ＳＣＣＭ）、酸素ガス流量２
（ＳＣＣＭ）条件下で反応性スパッタリングを行った結
果、成膜後の膜のＺｒとＳｉの元素組成比（ａｔｏｍｉ
ｃ％）は、Ｚｒ／Ｓｉ＝１．３のハーフトーンブランク
を得た。
トを使用して成膜を行った場合にも、ターゲット作製時
のＺｒとＳｉの混合比をＺｒとＳｉの結合したときの原
子数比と異なるものを使用することにより成膜を行っ
た。ここでは混合物のターゲットをＲＦ４００（Ｗ）、
アルゴンガス流量２８（ＳＣＣＭ）、酸素ガス流量２
（ＳＣＣＭ）条件下で反応性スパッタリングを行った結
果、成膜後の膜のＺｒとＳｉの元素組成比（ａｔｏｍｉ
ｃ％）は、Ｚｒ／Ｓｉ＝１．３のハーフトーンブランク
を得た。
【００２７】このように本実施例の方法によれば、２つ
以上のターゲットに加える各々の電力を制御すること
や、予めターゲットでの金属の混合比率を変えておくこ
とにより、分光特性や薬液に対する耐性を変えることが
可能である。また、このことは本実施例以外でも同様な
効果が認められ、特にＳｉを含んだハーフトーンブラン
クの場合に有効であり、Ｓｉと、ＭｏやＷやＴａ等の化
合物を主体とするものへの適用も可能である。
以上のターゲットに加える各々の電力を制御すること
や、予めターゲットでの金属の混合比率を変えておくこ
とにより、分光特性や薬液に対する耐性を変えることが
可能である。また、このことは本実施例以外でも同様な
効果が認められ、特にＳｉを含んだハーフトーンブラン
クの場合に有効であり、Ｓｉと、ＭｏやＷやＴａ等の化
合物を主体とするものへの適用も可能である。
【００２８】
【発明の効果】本発明のハーフトーンブランクは露光波
長及び検査波長域での分光透過率を制御し、且つ洗浄工
程で使用される薬液に耐性をもたすことができる。本方
法によれば、２つ以上のターゲットに加える各々の電力
を制御する、もしくは２つ以上の金属が結合していない
状態で混合されている混合物のターゲットを用いること
で任意の組成比の膜を得ることが可能となり、従来の化
合物ターゲットでは化合物の結合する際の原子数比の制
約を受けるために得ることの出来なかった組成比の膜を
成膜することができる。この結果として膜中に含まれる
金属の組成比により、検査時のコントラストを得る為に
検査波長域での分光透過率を低く抑えるといった分光特
性の制御や、薬液に対する耐性の調整も可能となる。ま
た混合物ターゲットの場合、化合物ターゲットよりも密
度が高くなるため、成膜後の膜の欠陥数でも低減を計る
ことができる。
長及び検査波長域での分光透過率を制御し、且つ洗浄工
程で使用される薬液に耐性をもたすことができる。本方
法によれば、２つ以上のターゲットに加える各々の電力
を制御する、もしくは２つ以上の金属が結合していない
状態で混合されている混合物のターゲットを用いること
で任意の組成比の膜を得ることが可能となり、従来の化
合物ターゲットでは化合物の結合する際の原子数比の制
約を受けるために得ることの出来なかった組成比の膜を
成膜することができる。この結果として膜中に含まれる
金属の組成比により、検査時のコントラストを得る為に
検査波長域での分光透過率を低く抑えるといった分光特
性の制御や、薬液に対する耐性の調整も可能となる。ま
た混合物ターゲットの場合、化合物ターゲットよりも密
度が高くなるため、成膜後の膜の欠陥数でも低減を計る
ことができる。
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のハーフトーンブラ
ンクの一実施例の分光特性を示す説明図である。
ンクの一実施例の分光特性を示す説明図である。
Claims (5)
- 【請求項１】Ｓｉ（シリコン）を構成要素として含むハ
ーフトーン型位相シフトブランクにおいて、Ｓｉ（シリ
コン）及びＺｒ（ジルコニウム）のターゲットを同時に
使用した反応性スパッタリングにより透明性基板上に形
成されたＺｒ及びＳｉの化合物薄膜からなることを特徴
とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。 - 【請求項２】Ｓｉを構成要素として含むハーフトーン型
位相シフトマスクブランクにおいて、ＳｉとＺｒの混合
物ターゲットを用いたスパッタリングにより透明性基板
上に形成されたＺｒ及びＳｉの化合物薄膜からなること
を特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブラン
ク。 - 【請求項３】請求項１又は２記載のＺｒ及びＳｉの化合
物薄膜は少なくとも１層以上で、ＺｒとＳｉの組成比
（ａｔｏｍｉｃ％）が０．１＜Ｚｒ／Ｓｉ＜２．０であ
ることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブ
ランク。 - 【請求項４】Ｓｉ及びＺｒのターゲットを同時に使用し
た反応性スパッタリングにより、透明性基板上にＺｒ及
びＳｉの化合物薄膜を形成することを特徴とする請求項
１記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製
造方法。 - 【請求項５】ＳｉとＺｒの混合物ターゲットを用いて透
明性基板上にＺｒ及びＳｉの化合物薄膜をスパッタリン
グ成膜することを特徴とする請求項２記載のハーフトー
ン型位相シフトマスクブランクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7943498A JPH11282150A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7943498A JPH11282150A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11282150A true JPH11282150A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13689784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7943498A Pending JPH11282150A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11282150A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010095837A (ko) * | 2000-04-12 | 2001-11-07 | 윤종용 | 에너지 트랩을 이용하여 소정 파장의 빛에 대한 투과율을조절한 위상 쉬프트 마스크 및 그 제조방법 |
| JP2003322947A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
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| JP2005234209A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法、ハーフトーン位相シフトマスクブランク、ハーフトーン位相シフトマスク及びパターン転写方法 |
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| KR101155415B1 (ko) | 2010-05-19 | 2012-06-14 | 주식회사 에스앤에스텍 | 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크 및 그 제조방법 |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP7943498A patent/JPH11282150A/ja active Pending
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