JPH11337973A - アクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH11337973A JPH11337973A JP14801498A JP14801498A JPH11337973A JP H11337973 A JPH11337973 A JP H11337973A JP 14801498 A JP14801498 A JP 14801498A JP 14801498 A JP14801498 A JP 14801498A JP H11337973 A JPH11337973 A JP H11337973A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- organic insulating
- resin
- plasma treatment
- interlayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 絵素電極と有機絶縁膜との密着性をより良好
にする高開口率アクティブマトリクス基板の製造方法を
提供する。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板の製造方法
は、スイッチング素子と配線とを覆う有機絶縁膜を形成
した後、絵素電極を形成する前に、有機絶縁膜の表面を
Ｎ2ガスを用いてプラズマ処理する工程を包含する。
にする高開口率アクティブマトリクス基板の製造方法を
提供する。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板の製造方法
は、スイッチング素子と配線とを覆う有機絶縁膜を形成
した後、絵素電極を形成する前に、有機絶縁膜の表面を
Ｎ2ガスを用いてプラズマ処理する工程を包含する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置などに
用いられるアクティブマトリクス基板の製造方法に関す
る。
用いられるアクティブマトリクス基板の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ノート型パーソナルコンピュータなどの
液晶表示装置として、絵素毎にスイッチング素子を有す
るアクティブマトリクス型液晶表示装置が、広く利用さ
れている。このアクティブマトリクス型液晶表示装置の
スイッチング素子およびこのスイッチング素子によって
制御される絵素電極が形成されている基板をアクティブ
マトリクス基板と呼ぶ。スイッチング素子としては、例
えばアモルファスＳｉを用いた薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）或いはＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）素子等が用い
られている。
液晶表示装置として、絵素毎にスイッチング素子を有す
るアクティブマトリクス型液晶表示装置が、広く利用さ
れている。このアクティブマトリクス型液晶表示装置の
スイッチング素子およびこのスイッチング素子によって
制御される絵素電極が形成されている基板をアクティブ
マトリクス基板と呼ぶ。スイッチング素子としては、例
えばアモルファスＳｉを用いた薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）或いはＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）素子等が用い
られている。
【０００３】アクティブマトリクス基板に用いられる絶
縁膜としては、従来ＳｉＮなどの無機材料が用いられて
きた。最近、液晶表示装置の開口率を向上するために、
スイッチング素子と絵素電極との間に形成される層間絶
縁膜の材料として、感光性透明アクリル樹脂などの有機
材料も用いられるようになってきた。これら有機材料に
よる層間絶縁膜（層間有機絶縁膜）を用いた、高開口率
構造を有するアクティブマトリスク型液晶表示装置は、
例えば、特開昭58-172685号公報や特開平4-257826号公
報に開示されている。
縁膜としては、従来ＳｉＮなどの無機材料が用いられて
きた。最近、液晶表示装置の開口率を向上するために、
スイッチング素子と絵素電極との間に形成される層間絶
縁膜の材料として、感光性透明アクリル樹脂などの有機
材料も用いられるようになってきた。これら有機材料に
よる層間絶縁膜（層間有機絶縁膜）を用いた、高開口率
構造を有するアクティブマトリスク型液晶表示装置は、
例えば、特開昭58-172685号公報や特開平4-257826号公
報に開示されている。
【０００４】従来の高開口率アクティブマトリクス基板
の製造方法を図７を参照しながら説明する。図７は、図
１から図３のＡ−Ａ’断面図に相当する。まず、絶縁性
基板６上に、ゲート配線１、データ配線２（図７中不図
示）、スイッチング素子としてのＴＦＴ３（図７中不図
示）、ドレイン電極４、補助容量配線５、ゲート絶縁膜
７を形成する。これらは、公知の方法を広く用いること
ができる（図７（ａ））。
の製造方法を図７を参照しながら説明する。図７は、図
１から図３のＡ−Ａ’断面図に相当する。まず、絶縁性
基板６上に、ゲート配線１、データ配線２（図７中不図
示）、スイッチング素子としてのＴＦＴ３（図７中不図
示）、ドレイン電極４、補助容量配線５、ゲート絶縁膜
７を形成する。これらは、公知の方法を広く用いること
ができる（図７（ａ））。
【０００５】その後、これらを覆う層間有機絶縁膜９と
なる有機絶縁膜を形成する。有機絶縁膜としては、感光
性樹脂または非感光性樹脂等が用いられる。感光性樹脂
を用いる場合には、樹脂をスピンコーター等で塗布し、
その後、これを露光、現像してパターニングを行う。さ
らに熱処理などを施して樹脂を硬化させることにより層
間有機絶縁膜９を形成する。また、非感光性樹脂を用い
る場合には、樹脂をスピンコーター等で塗布し、これを
硬化する。その後、フォトリソ工程によりフォトレジス
トを樹脂上にパターニングする。これにＯ2ガスを用い
たドライエッチング（例えばpower=3000W、pressure=10
mTorr、SF6/O2=45/300sccm）などを施して樹脂をパター
ニングし、その後レジストを剥離することにより層間有
機絶縁膜９を形成する。感光性樹脂および非感光性樹脂
のいずれの樹脂を用いる場合にも、層間絶縁膜となる樹
脂のパターニング工程において、コンタクトホール８を
同時に形成してもよい（図７（ｂ））。
なる有機絶縁膜を形成する。有機絶縁膜としては、感光
性樹脂または非感光性樹脂等が用いられる。感光性樹脂
を用いる場合には、樹脂をスピンコーター等で塗布し、
その後、これを露光、現像してパターニングを行う。さ
らに熱処理などを施して樹脂を硬化させることにより層
間有機絶縁膜９を形成する。また、非感光性樹脂を用い
る場合には、樹脂をスピンコーター等で塗布し、これを
硬化する。その後、フォトリソ工程によりフォトレジス
トを樹脂上にパターニングする。これにＯ2ガスを用い
たドライエッチング（例えばpower=3000W、pressure=10
mTorr、SF6/O2=45/300sccm）などを施して樹脂をパター
ニングし、その後レジストを剥離することにより層間有
機絶縁膜９を形成する。感光性樹脂および非感光性樹脂
のいずれの樹脂を用いる場合にも、層間絶縁膜となる樹
脂のパターニング工程において、コンタクトホール８を
同時に形成してもよい（図７（ｂ））。
【０００６】次に、Ｏ2ガスを含むガスによるＯ2プラズ
マ処理を行い、形成された層間有機絶縁膜９（樹脂）の
表面を改質する（図７（ｃ））。このＯ2プラズマ処理
は、例えば、power=3000W、pressure=100mTorr、O2=400
sccm、樹脂を10nm〜300nmアッシングするという条件で
行われる。
マ処理を行い、形成された層間有機絶縁膜９（樹脂）の
表面を改質する（図７（ｃ））。このＯ2プラズマ処理
は、例えば、power=3000W、pressure=100mTorr、O2=400
sccm、樹脂を10nm〜300nmアッシングするという条件で
行われる。
【０００７】Ｏ2プラズマ処理後の樹脂表面層１２上
に、絵素電極１０となるＩＴＯ（インジウム錫酸化物）
膜１３を成膜する（図７（ｄ））。
に、絵素電極１０となるＩＴＯ（インジウム錫酸化物）
膜１３を成膜する（図７（ｄ））。
【０００８】このＩＴＯ膜１３上にフォトリソ工程によ
りフォトレジスト１４をパターニングする（図７
（ｅ））。この後、フォトレジスト１４をマスクとして
ＩＴＯ膜１３をウェットエッチングすることによって絵
素電極１０を形成する（図７（ｆ））。ウェットエッチ
ングのためのエッチャントとしては、ＦｅＣｌ3＋ＨＣ
ｌ等を用いることが出来る。
りフォトレジスト１４をパターニングする（図７
（ｅ））。この後、フォトレジスト１４をマスクとして
ＩＴＯ膜１３をウェットエッチングすることによって絵
素電極１０を形成する（図７（ｆ））。ウェットエッチ
ングのためのエッチャントとしては、ＦｅＣｌ3＋ＨＣ
ｌ等を用いることが出来る。
【０００９】層間有機絶縁膜９の表面に行ったＯ2プラ
ズマ処理は、層間有機絶縁膜９の耐熱性および絵素電極
１０と層間有機絶縁膜９との密着性を向上させることを
目的としている。層間有機絶縁膜９の表面に何のプラズ
マ処理も施さない場合には、ＩＴＯ膜１３を成膜する際
に層間有機絶縁膜９の表面に凹凸が発生し、その結果、
絵素電極１０がひび割れてしまうおそれがある。また、
絵素電極１０を形成するためにウェットエッチングした
後に、絵素電極１０の一部が剥がれてしまうおそれもあ
る。
ズマ処理は、層間有機絶縁膜９の耐熱性および絵素電極
１０と層間有機絶縁膜９との密着性を向上させることを
目的としている。層間有機絶縁膜９の表面に何のプラズ
マ処理も施さない場合には、ＩＴＯ膜１３を成膜する際
に層間有機絶縁膜９の表面に凹凸が発生し、その結果、
絵素電極１０がひび割れてしまうおそれがある。また、
絵素電極１０を形成するためにウェットエッチングした
後に、絵素電極１０の一部が剥がれてしまうおそれもあ
る。
【００１０】Ｏ2プラズマ処理後、絵素電極１０となる
ＩＴＯ膜１３を成膜した後、必要であればアニール処理
を行い、絵素電極１０と有機絶縁膜９との密着性を更に
向上させることもできる。
ＩＴＯ膜１３を成膜した後、必要であればアニール処理
を行い、絵素電極１０と有機絶縁膜９との密着性を更に
向上させることもできる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来技術には以下の問題があった。上述したように、Ｏ
2ガスを含むガスによるＯ2プラズマ処理を層間有機絶縁
膜９の表面に対して行い、その表面を改質することによ
って、絵素電極１０と層間有機絶縁膜９との間の密着性
を向上させることができる。しかしながら、この密着性
は、層間有機絶縁膜９の表面に何のプラズマ処理も施し
ていない場合に比べれば向上してはいるものの、十分で
はなかった。例えば、絵素電極を形成するＩＴＯ膜の膜
厚を、液晶表示装置の透過率を向上させるのに最適な膜
厚にした場合、絵素電極の一部が剥がれてしまうという
問題が生じていた。さらに、剥がれた絵素電極の一部が
絵素電極間に再付着することによる絵素電極間リーク等
により、良品率が低下、製造コストが増すという問題も
あった。このため、最適膜厚よりも薄い膜厚、すなわち
内部応力が小さく剥がれにくい膜厚で生産を行わざるを
得なかった。このことは、液晶表示装置の透過率を低下
させる原因となっていた。
従来技術には以下の問題があった。上述したように、Ｏ
2ガスを含むガスによるＯ2プラズマ処理を層間有機絶縁
膜９の表面に対して行い、その表面を改質することによ
って、絵素電極１０と層間有機絶縁膜９との間の密着性
を向上させることができる。しかしながら、この密着性
は、層間有機絶縁膜９の表面に何のプラズマ処理も施し
ていない場合に比べれば向上してはいるものの、十分で
はなかった。例えば、絵素電極を形成するＩＴＯ膜の膜
厚を、液晶表示装置の透過率を向上させるのに最適な膜
厚にした場合、絵素電極の一部が剥がれてしまうという
問題が生じていた。さらに、剥がれた絵素電極の一部が
絵素電極間に再付着することによる絵素電極間リーク等
により、良品率が低下、製造コストが増すという問題も
あった。このため、最適膜厚よりも薄い膜厚、すなわち
内部応力が小さく剥がれにくい膜厚で生産を行わざるを
得なかった。このことは、液晶表示装置の透過率を低下
させる原因となっていた。
【００１２】また、特開平4-257826号公報に開示されて
いるＨｅなどの不活性ガス（希ガス）を用いて有機絶縁
膜にプラズマ処理を行った場合にも、十分な密着性が得
られなかった。
いるＨｅなどの不活性ガス（希ガス）を用いて有機絶縁
膜にプラズマ処理を行った場合にも、十分な密着性が得
られなかった。
【００１３】本発明は上記課題を鑑みてなされたもので
あり、絵素電極と有機絶縁膜との密着性をより良好にす
る、アクティブマトリクス基板の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
あり、絵素電極と有機絶縁膜との密着性をより良好にす
る、アクティブマトリクス基板の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス基板の製造方法は、基板上に複数のスイッチング
素子を形成する工程と、該スイッチング素子に信号を印
加するための配線を形成する工程と、該スイッチング素
子と該配線とを覆う有機絶縁膜を形成する工程と、該有
機絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、該有機
絶縁膜の表面をＮ2ガスを用いてプラズマ処理する工程
と、該プラズマ処理された該有機絶縁膜の表面上に、該
コンタクトホールを介して該スイッチング素子と電気的
に接続される該絵素電極を形成する工程と、を包含し、
そのことによって上記目的が達成される。
リクス基板の製造方法は、基板上に複数のスイッチング
素子を形成する工程と、該スイッチング素子に信号を印
加するための配線を形成する工程と、該スイッチング素
子と該配線とを覆う有機絶縁膜を形成する工程と、該有
機絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、該有機
絶縁膜の表面をＮ2ガスを用いてプラズマ処理する工程
と、該プラズマ処理された該有機絶縁膜の表面上に、該
コンタクトホールを介して該スイッチング素子と電気的
に接続される該絵素電極を形成する工程と、を包含し、
そのことによって上記目的が達成される。
【００１５】前記プラズマ処理工程の前に、前記有機絶
縁膜の表面をＯ2ガスを用いてプラズマ処理する工程を
さらに包含してもよい。
縁膜の表面をＯ2ガスを用いてプラズマ処理する工程を
さらに包含してもよい。
【００１６】前記プラズマ処理工程の前に、前記有機絶
縁膜の表面を不活性ガスを用いてプラズマ処理する工程
をさらに包含してもよい。
縁膜の表面を不活性ガスを用いてプラズマ処理する工程
をさらに包含してもよい。
【００１７】前記絵素電極はインジウム錫酸化物を用い
て形成されてもよい。前記絵素電極は、５０ｎｍ〜３０
０ｎｍの厚みを有することが好ましい。
て形成されてもよい。前記絵素電極は、５０ｎｍ〜３０
０ｎｍの厚みを有することが好ましい。
【００１８】前記不活性ガスはＨｅガスであってもよ
い。
い。
【００１９】前記有機絶縁膜は感光性アクリル樹脂、ベ
ンゾシクロブテン、あるいはパーフルオロシクロブテン
を用いて形成してもよい。
ンゾシクロブテン、あるいはパーフルオロシクロブテン
を用いて形成してもよい。
【００２０】以下作用について説明する。
【００２１】本発明によると、層間有機絶縁膜の表面を
予めＮ2プラズマ処理してから絵素電極を形成するの
で、層間有機絶縁膜と絵素電極との密着性が大幅に改善
される。その結果、絵素電極を形成するためのウェット
エッチング工程のパターニング制御性が向上する。ま
た、絵素電極の剥がれがなくなるので、はがれた絵素電
極の一部が再付着することによる絵素電極間リークなど
がなくなる。
予めＮ2プラズマ処理してから絵素電極を形成するの
で、層間有機絶縁膜と絵素電極との密着性が大幅に改善
される。その結果、絵素電極を形成するためのウェット
エッチング工程のパターニング制御性が向上する。ま
た、絵素電極の剥がれがなくなるので、はがれた絵素電
極の一部が再付着することによる絵素電極間リークなど
がなくなる。
【００２２】また、絵素電極を形成する導電膜の密着性
が高いので、十分な電気伝導性を有する膜厚の導電膜を
形成しても剥がれない。
が高いので、十分な電気伝導性を有する膜厚の導電膜を
形成しても剥がれない。
【００２３】また、Ｎ2プラズマ処理に先だってＯ2プラ
ズマ処理または不活性ガスプラズマ処理することによっ
て、層間有機絶縁膜中に形成されたコンタクトホール中
に有機絶縁膜が残存することを防止し、且つ、絵素電極
と層間有機絶縁膜との密着性を向上させることができ
る。
ズマ処理または不活性ガスプラズマ処理することによっ
て、層間有機絶縁膜中に形成されたコンタクトホール中
に有機絶縁膜が残存することを防止し、且つ、絵素電極
と層間有機絶縁膜との密着性を向上させることができ
る。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を示す。
なお、添付の図面において、同じ参照符号は同じ部材を
指すものとする。
なお、添付の図面において、同じ参照符号は同じ部材を
指すものとする。
【００２５】（実施形態１）図１、図２および図３を参
照しながら、本願発明を好適に適用することができる高
開口率型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の構
造と製造方法を説明する。但し、本発明の製造方法は、
以下の実施形態で例示する構造以外のアクティブマトリ
クス基板にも用いることが出来る。また、有機絶縁膜の
表面を処理する工程以外の工程は、公知の方法を用いて
実施することが出来る。
照しながら、本願発明を好適に適用することができる高
開口率型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の構
造と製造方法を説明する。但し、本発明の製造方法は、
以下の実施形態で例示する構造以外のアクティブマトリ
クス基板にも用いることが出来る。また、有機絶縁膜の
表面を処理する工程以外の工程は、公知の方法を用いて
実施することが出来る。
【００２６】図１、図２および図３に示すように、本実
施形態のアクティブマトリクス基板は、絶縁性基板６上
に形成されたゲート配線１、データ配線２、スイッチン
グ素子としてのＴＦＴ３、ドレイン電極４、補助容量配
線５およびゲート絶縁膜７を覆うように、層間有機絶縁
膜９を形成し、その層間有機絶縁膜９上に絵素電極１０
が形成されている。ここでは、ドレイン電極４を延長
し、絵素の中央部に形成された補助容量配線５と、ゲー
ト絶縁膜７を介して、補助容量を形成する例を示す。補
助容量の一方の電極として機能するドレイン電極４（接
続電極と呼ばれることもある）と絵素電極１０とを層間
有機絶縁膜９に形成したコンタクトホール８を介して接
続している。ドレイン電極４、補助容量配線５およびコ
ンタクトホール８の配置はこれに限られないことは言う
までもない。
施形態のアクティブマトリクス基板は、絶縁性基板６上
に形成されたゲート配線１、データ配線２、スイッチン
グ素子としてのＴＦＴ３、ドレイン電極４、補助容量配
線５およびゲート絶縁膜７を覆うように、層間有機絶縁
膜９を形成し、その層間有機絶縁膜９上に絵素電極１０
が形成されている。ここでは、ドレイン電極４を延長
し、絵素の中央部に形成された補助容量配線５と、ゲー
ト絶縁膜７を介して、補助容量を形成する例を示す。補
助容量の一方の電極として機能するドレイン電極４（接
続電極と呼ばれることもある）と絵素電極１０とを層間
有機絶縁膜９に形成したコンタクトホール８を介して接
続している。ドレイン電極４、補助容量配線５およびコ
ンタクトホール８の配置はこれに限られないことは言う
までもない。
【００２７】図２に示すように、層間有機絶縁膜９がド
レイン電極４の上に基板全体にわたって形成される。こ
の層間有機絶縁膜９を設けることにより、この下に設け
られたドレイン電極４およびデータ配線２と、この上に
設けられる絵素電極１０（図３に図示）とを絶縁する。
層間有機絶縁膜９は、ＴＦＴ３や配線等を配設したこと
に起因する基板表面上での凹凸を埋め、基板表面を平ら
な状態にする。層間有機絶縁膜９中にはコンタクトホー
ル８が形成される。コンタクトホール８は、層間有機絶
縁膜９の下に配設されたドレイン電極４と層間絶縁膜９
の上に配設される絵素電極（図３に図示）との電気的接
触をとるために設けられている。層間有機絶縁膜９は、
例えば、感光性アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン（Ｂ
ＣＢ:benzocyclobutene）、あるいはパーフルオロシク
ロブテン（ＰＦＣＢ：perfluorocyclobutene）を用いて
形成することができる。ＢＣＢおよびＰＦＣＢは通常非
感光性であるが、感光性を付与したものであってもよ
い。
レイン電極４の上に基板全体にわたって形成される。こ
の層間有機絶縁膜９を設けることにより、この下に設け
られたドレイン電極４およびデータ配線２と、この上に
設けられる絵素電極１０（図３に図示）とを絶縁する。
層間有機絶縁膜９は、ＴＦＴ３や配線等を配設したこと
に起因する基板表面上での凹凸を埋め、基板表面を平ら
な状態にする。層間有機絶縁膜９中にはコンタクトホー
ル８が形成される。コンタクトホール８は、層間有機絶
縁膜９の下に配設されたドレイン電極４と層間絶縁膜９
の上に配設される絵素電極（図３に図示）との電気的接
触をとるために設けられている。層間有機絶縁膜９は、
例えば、感光性アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン（Ｂ
ＣＢ:benzocyclobutene）、あるいはパーフルオロシク
ロブテン（ＰＦＣＢ：perfluorocyclobutene）を用いて
形成することができる。ＢＣＢおよびＰＦＣＢは通常非
感光性であるが、感光性を付与したものであってもよ
い。
【００２８】図３に示すように、層間有機絶縁膜９上に
さらに絵素電極１０が設けられる。平面図（ａ）の太線
で示される領域内が絵素電極１０の配設されている領域
である。図に示されるように、絵素電極１０はゲート配
線１およびデータ配線２の上に重なって形成されてい
る。絵素電極１０のこのような配置は、層間有機絶縁膜
９が設けられていることにより可能である。なぜなら、
層間有機絶縁膜９の誘電率は比較的小さく、かつ、その
膜厚は比較的大いため、ゲート配線１およびデータ配線
２と絵素電極１０との間に形成される容量が小さく、ゲ
ート配線１およびデータ配線２に与えられる信号が絵素
電極１０に与える影響は比較的小さいからである。この
ように絵素電極１０をゲート配線１およびデータ配線２
上にも配置することができるので、絵素電極１０の面積
を従来よりも大きくすることができる。従って、上記の
層間有機絶縁膜９を有するアクティブマトリクス基板を
用いることによって、液晶表示装置の開口率を向上する
ことができる。
さらに絵素電極１０が設けられる。平面図（ａ）の太線
で示される領域内が絵素電極１０の配設されている領域
である。図に示されるように、絵素電極１０はゲート配
線１およびデータ配線２の上に重なって形成されてい
る。絵素電極１０のこのような配置は、層間有機絶縁膜
９が設けられていることにより可能である。なぜなら、
層間有機絶縁膜９の誘電率は比較的小さく、かつ、その
膜厚は比較的大いため、ゲート配線１およびデータ配線
２と絵素電極１０との間に形成される容量が小さく、ゲ
ート配線１およびデータ配線２に与えられる信号が絵素
電極１０に与える影響は比較的小さいからである。この
ように絵素電極１０をゲート配線１およびデータ配線２
上にも配置することができるので、絵素電極１０の面積
を従来よりも大きくすることができる。従って、上記の
層間有機絶縁膜９を有するアクティブマトリクス基板を
用いることによって、液晶表示装置の開口率を向上する
ことができる。
【００２９】図４に本実施形態１のアクティブマトリク
ス基板の製造方法のフローを示す。本実施形態の製造方
法においても、図７に示す従来の製造方法と同様に、絶
縁性基板６上に、ゲート配線１、データ配線２（図４中
不図示）、スイッチング素子としてのＴＦＴ３（図４中
不図示）、ドレイン電極４、補助容量配線５、ゲート絶
縁膜７を形成する（図４（ａ））。
ス基板の製造方法のフローを示す。本実施形態の製造方
法においても、図７に示す従来の製造方法と同様に、絶
縁性基板６上に、ゲート配線１、データ配線２（図４中
不図示）、スイッチング素子としてのＴＦＴ３（図４中
不図示）、ドレイン電極４、補助容量配線５、ゲート絶
縁膜７を形成する（図４（ａ））。
【００３０】その後、これらを覆う層間有機絶縁膜９と
なる有機絶縁膜を形成する。有機絶縁膜としては、感光
性樹脂または非感光性樹脂等が用いられる。感光性樹脂
を用いる場合には、樹脂をスピンコーター等で塗布し、
その後、これを露光、現像してパターニングを行う。さ
らに熱処理などを施して樹脂を硬化させることにより層
間有機絶縁膜９を形成する。また、非感光性樹脂を用い
る場合には、樹脂をスピンコーター等で塗布し、これを
硬化する。その後、フォトリソ工程によりフォトレジス
トを樹脂上にパターニングする。これにＯ2ガスを用い
たドライエッチング（例えばpower=3000W、pressure=10
mTorr、SF6/O2=45/300sccm）などを施して樹脂をパター
ニングし、その後レジストを剥離することにより層間有
機絶縁膜９を形成する。感光性樹脂および非感光性樹脂
のいずれの樹脂を用いる場合にも、層間絶縁膜となる樹
脂のパターニング工程において、コンタクトホール８を
同時に形成してもよい（図４（ｂ））。どちらのタイプ
の樹脂を用いる場合にも、コンタクトホール部の樹脂を
完全に取り除くことが重要である。
なる有機絶縁膜を形成する。有機絶縁膜としては、感光
性樹脂または非感光性樹脂等が用いられる。感光性樹脂
を用いる場合には、樹脂をスピンコーター等で塗布し、
その後、これを露光、現像してパターニングを行う。さ
らに熱処理などを施して樹脂を硬化させることにより層
間有機絶縁膜９を形成する。また、非感光性樹脂を用い
る場合には、樹脂をスピンコーター等で塗布し、これを
硬化する。その後、フォトリソ工程によりフォトレジス
トを樹脂上にパターニングする。これにＯ2ガスを用い
たドライエッチング（例えばpower=3000W、pressure=10
mTorr、SF6/O2=45/300sccm）などを施して樹脂をパター
ニングし、その後レジストを剥離することにより層間有
機絶縁膜９を形成する。感光性樹脂および非感光性樹脂
のいずれの樹脂を用いる場合にも、層間絶縁膜となる樹
脂のパターニング工程において、コンタクトホール８を
同時に形成してもよい（図４（ｂ））。どちらのタイプ
の樹脂を用いる場合にも、コンタクトホール部の樹脂を
完全に取り除くことが重要である。
【００３１】その後、層間有機絶縁膜９の表面に対し
て、従来のようにＯ2ガスを用いるのではなく、Ｎ2ガス
を用いてプラズマ処理を行う（例えばpower=600W、pres
sure=300mTorr、N2=400sccm、time=240sec）。本実施形
態のＮ2プラズマ処理により改質された層間有機絶縁膜
９の表面を、Ｎ2プラズマ処理後の樹脂表面層１１とし
て図に示す（図４（ｃ））。
て、従来のようにＯ2ガスを用いるのではなく、Ｎ2ガス
を用いてプラズマ処理を行う（例えばpower=600W、pres
sure=300mTorr、N2=400sccm、time=240sec）。本実施形
態のＮ2プラズマ処理により改質された層間有機絶縁膜
９の表面を、Ｎ2プラズマ処理後の樹脂表面層１１とし
て図に示す（図４（ｃ））。
【００３２】その後、Ｎ2プラズマ処理後の樹脂表面層
１１上に、絵素電極１０となるＩＴＯ膜１３を成膜する
（図４（ｄ））。
１１上に、絵素電極１０となるＩＴＯ膜１３を成膜する
（図４（ｄ））。
【００３３】その後、ＩＴＯ膜１３上にフォトリソ工程
によりフォトレジスト１４をパターニングした後、フォ
トレジスト１４をマスクとしてＩＴＯ膜１３をウェット
エッチングすることによって絵素電極１０を形成する。
ウェットエッチングのためのエッチャントとしては、Ｆ
ｅＣｌ3＋ＨＣｌ等を用いることができる。
によりフォトレジスト１４をパターニングした後、フォ
トレジスト１４をマスクとしてＩＴＯ膜１３をウェット
エッチングすることによって絵素電極１０を形成する。
ウェットエッチングのためのエッチャントとしては、Ｆ
ｅＣｌ3＋ＨＣｌ等を用いることができる。
【００３４】また、上述の製造方法において、Ｎ2プラ
ズマ処理後、絵素電極１０となるＩＴＯ膜１３を成膜し
た後、必要であればアニール処理を行い、絵素電極１０
と有機絶縁膜９との密着性を更に向上させてもよい。
ズマ処理後、絵素電極１０となるＩＴＯ膜１３を成膜し
た後、必要であればアニール処理を行い、絵素電極１０
と有機絶縁膜９との密着性を更に向上させてもよい。
【００３５】上述のように、従来のようにＯ2ガスを用
いるのではなく、Ｎ2ガスを用いてプラズマ処理を行っ
たところ、剥離工程（SPX480sec）通過後のヒーリング
テストにおいてＩＴＯ膜の剥離が抑えられるという効果
が認められた。この効果は、Ｏ 2プラズマ処理では化学
的に樹脂自身も分解してしまうため樹脂にダメージが残
るのに対して、Ｎ2プラズマ処理では物理的に樹脂表面
の変質層を取り除くことができるのでより密着性が高め
られることによると考えられる。また、従来のＨｅガス
を用いたプラズマ処理を行うよりも密着性が向上するこ
とも確認された。
いるのではなく、Ｎ2ガスを用いてプラズマ処理を行っ
たところ、剥離工程（SPX480sec）通過後のヒーリング
テストにおいてＩＴＯ膜の剥離が抑えられるという効果
が認められた。この効果は、Ｏ 2プラズマ処理では化学
的に樹脂自身も分解してしまうため樹脂にダメージが残
るのに対して、Ｎ2プラズマ処理では物理的に樹脂表面
の変質層を取り除くことができるのでより密着性が高め
られることによると考えられる。また、従来のＨｅガス
を用いたプラズマ処理を行うよりも密着性が向上するこ
とも確認された。
【００３６】従って、本実施形態の製造方法によれば、
従来のＯ2プラズマ処理を含む製造方法に比べて、有機
層間有機絶縁膜９と絵素電極１０との密着性をより向上
することができる。本実施形態のＮ2プラズマ処理を含
む製造方法により、約５０〜３００ｎｍの厚みの絵素電
極を基板全体にわたって均一に得ることができた。この
絵素電極の厚みは、液晶表示装置の透過率を従来より向
上させ得る値である。
従来のＯ2プラズマ処理を含む製造方法に比べて、有機
層間有機絶縁膜９と絵素電極１０との密着性をより向上
することができる。本実施形態のＮ2プラズマ処理を含
む製造方法により、約５０〜３００ｎｍの厚みの絵素電
極を基板全体にわたって均一に得ることができた。この
絵素電極の厚みは、液晶表示装置の透過率を従来より向
上させ得る値である。
【００３７】また、従来のＯ2プラズマ処理によって得
られた層間有機絶縁膜９の耐熱性の向上効果は、本実施
形態のＮ2プラズマ処理によっても得られる。この理由
としては、樹脂表面の変質層に耐熱性がなく、この変質
層をＮ2プラズマ処理により取り除くことができること
による、あるいは、樹脂表面をＮ2プラズマで荒らすこ
とにより、樹脂表面の応力が緩和され、熱による樹脂表
面の収縮が起こりにくくなることによる、等が考えられ
る。
られた層間有機絶縁膜９の耐熱性の向上効果は、本実施
形態のＮ2プラズマ処理によっても得られる。この理由
としては、樹脂表面の変質層に耐熱性がなく、この変質
層をＮ2プラズマ処理により取り除くことができること
による、あるいは、樹脂表面をＮ2プラズマで荒らすこ
とにより、樹脂表面の応力が緩和され、熱による樹脂表
面の収縮が起こりにくくなることによる、等が考えられ
る。
【００３８】（実施形態２）本実施形態２の製造方法が
実施形態１の製造方法と異なる点は、実施形態１のＮ2
プラズマ処理工程の前に、層間有機絶縁膜９の表面に対
してＯ2プラズマ処理を行う工程をさらに含んでいる点
である。図５を参照しながら本実施形態２のアクティブ
マトリクス基板製造方法のフローを説明する。図５
（ａ）および図５（ｂ）の工程は実施形態１の図４
（ａ）および図４（ｂ）と同様である。
実施形態１の製造方法と異なる点は、実施形態１のＮ2
プラズマ処理工程の前に、層間有機絶縁膜９の表面に対
してＯ2プラズマ処理を行う工程をさらに含んでいる点
である。図５を参照しながら本実施形態２のアクティブ
マトリクス基板製造方法のフローを説明する。図５
（ａ）および図５（ｂ）の工程は実施形態１の図４
（ａ）および図４（ｂ）と同様である。
【００３９】従来の製造方法においてＯ2プラズマ処理
を行う主な理由は、層間有機絶縁膜９と絵素電極１０と
の密着性を改善することであった。しかし、Ｏ2プラズ
マ処理には、コンタクトホール部において不要な樹脂が
残っている場合に、この不要な樹脂を除去できるという
作用もある。従って、Ｏ2プラズマ処理によって表面の
樹脂をある程度エッチングしておけば、コンタクトホー
ル部の樹脂残りに起因する点欠陥の発生を抑え得る。不
要な樹脂は、例えば、層間有機絶縁膜９を形成する工程
が不安定で、所望の形状に層間有機絶縁膜９が形成され
なかった場合に生じ得る。
を行う主な理由は、層間有機絶縁膜９と絵素電極１０と
の密着性を改善することであった。しかし、Ｏ2プラズ
マ処理には、コンタクトホール部において不要な樹脂が
残っている場合に、この不要な樹脂を除去できるという
作用もある。従って、Ｏ2プラズマ処理によって表面の
樹脂をある程度エッチングしておけば、コンタクトホー
ル部の樹脂残りに起因する点欠陥の発生を抑え得る。不
要な樹脂は、例えば、層間有機絶縁膜９を形成する工程
が不安定で、所望の形状に層間有機絶縁膜９が形成され
なかった場合に生じ得る。
【００４０】Ｎ2プラズマ処理はＯ2プラズマ処理に比べ
ると、樹脂を除去する作用が低いので、実施形態１のよ
うに層間有機絶縁膜９に対してＮ2プラズマ処理を行う
だけでは、層間有機絶縁膜９のコンタクトホール部での
樹脂残りが発生してしまう可能性がある。
ると、樹脂を除去する作用が低いので、実施形態１のよ
うに層間有機絶縁膜９に対してＮ2プラズマ処理を行う
だけでは、層間有機絶縁膜９のコンタクトホール部での
樹脂残りが発生してしまう可能性がある。
【００４１】この問題を解決するために、本実施形態で
は、コンタクトホール８を形成した後、層間有機絶縁膜
９に対してＮ2プラズマ処理を行う前にＯ2プラズマ処理
を行う。このＯ2プラズマ処理は従来の処理条件で行っ
てよい。このＯ2プラズマ処理工程において、コンタク
トホール部に残り得る樹脂が取り除かれる。層間有機絶
縁膜９の表面は改質され、Ｏ2プラズマ処理後の樹脂表
面層１２が形成される（図５（ｃ））。
は、コンタクトホール８を形成した後、層間有機絶縁膜
９に対してＮ2プラズマ処理を行う前にＯ2プラズマ処理
を行う。このＯ2プラズマ処理は従来の処理条件で行っ
てよい。このＯ2プラズマ処理工程において、コンタク
トホール部に残り得る樹脂が取り除かれる。層間有機絶
縁膜９の表面は改質され、Ｏ2プラズマ処理後の樹脂表
面層１２が形成される（図５（ｃ））。
【００４２】その後、実施形態１と同様に、Ｎ2プラズ
マ処理を行い樹脂の表面を改質する（図５（ｄ））。こ
のＮ2プラズマ処理工程によって形成されたＮ2プラズマ
処理後の樹脂表面層１１の上に、ＩＴＯ膜１３を形成す
る。その後、フォトレジスト１４を用いて、絵素電極１
０を形成する工程は、実施形態１で示した工程と同様で
ある（図５（ｅ）および（ｆ））。
マ処理を行い樹脂の表面を改質する（図５（ｄ））。こ
のＮ2プラズマ処理工程によって形成されたＮ2プラズマ
処理後の樹脂表面層１１の上に、ＩＴＯ膜１３を形成す
る。その後、フォトレジスト１４を用いて、絵素電極１
０を形成する工程は、実施形態１で示した工程と同様で
ある（図５（ｅ）および（ｆ））。
【００４３】また、本実施形態２の製造方法において
も、Ｎ2プラズマ処理後、絵素電極１０となるＩＴＯ膜
１３を成膜した後、必要であればアニール処理を行い、
絵素電極１０と有機絶縁膜９との密着性を更に向上させ
てもよい。
も、Ｎ2プラズマ処理後、絵素電極１０となるＩＴＯ膜
１３を成膜した後、必要であればアニール処理を行い、
絵素電極１０と有機絶縁膜９との密着性を更に向上させ
てもよい。
【００４４】従って、本実施形態２によれば、層間有機
絶縁膜の表面をＯ2プラズマ処理した後にＮ2プラズマ処
理する工程を経るので、コンタクトホール部での樹脂残
りを除去することができ、且つ、層間有機絶縁膜９と絵
素電極１０との密着性を向上させるという利点が得られ
る。
絶縁膜の表面をＯ2プラズマ処理した後にＮ2プラズマ処
理する工程を経るので、コンタクトホール部での樹脂残
りを除去することができ、且つ、層間有機絶縁膜９と絵
素電極１０との密着性を向上させるという利点が得られ
る。
【００４５】（実施形態３）本実施形態３の製造方法が
実施形態１の製造方法と異なる点は、実施形態１のＮ2
プラズマ処理工程の前に、層間有機絶縁膜９の表面に対
してＨｅ等の不活性ガス（希ガス）を用いたプラズマ処
理を行う工程をさらに含んでいる点である。図６を参照
しながら、本実施形態３のアクティブマトリクス基板製
造方法のフローを説明する。図６（ａ）および図６
（ｂ）の工程は実施形態１の図４（ａ）および図４
（ｂ）と同様である。ここでは、不活性ガスとして、Ｈ
ｅガスを用いた場合のＨｅプラズマ処理工程を含む製造
方法を説明するが、他の不活性ガスを用いても同様の効
果が得られる。
実施形態１の製造方法と異なる点は、実施形態１のＮ2
プラズマ処理工程の前に、層間有機絶縁膜９の表面に対
してＨｅ等の不活性ガス（希ガス）を用いたプラズマ処
理を行う工程をさらに含んでいる点である。図６を参照
しながら、本実施形態３のアクティブマトリクス基板製
造方法のフローを説明する。図６（ａ）および図６
（ｂ）の工程は実施形態１の図４（ａ）および図４
（ｂ）と同様である。ここでは、不活性ガスとして、Ｈ
ｅガスを用いた場合のＨｅプラズマ処理工程を含む製造
方法を説明するが、他の不活性ガスを用いても同様の効
果が得られる。
【００４６】実施形態２において説明したように、層間
有機絶縁膜９に対して、Ｎ2プラズマ処理を行う前にＯ2
プラズマ処理を行うことで、コンタクトホール部におけ
る不要な樹脂を取り除くことができる。しかしＯ2プラ
ズマ処理は、有機絶縁膜の結合を切りやすいので、層間
有機絶縁膜９の表面に悪影響を及ぼす場合がある。層間
有機絶縁膜９の表面がＯ2プラズマによって過度に荒さ
れると、その上に配設されるＩＴＯ膜１３との密着性が
低下してしまう場合がある。また、絵素電極１０を形成
するためにＩＴＯ膜１３をウェットエッチングした時
に、パターン制御性が低下してしまうこともある。
有機絶縁膜９に対して、Ｎ2プラズマ処理を行う前にＯ2
プラズマ処理を行うことで、コンタクトホール部におけ
る不要な樹脂を取り除くことができる。しかしＯ2プラ
ズマ処理は、有機絶縁膜の結合を切りやすいので、層間
有機絶縁膜９の表面に悪影響を及ぼす場合がある。層間
有機絶縁膜９の表面がＯ2プラズマによって過度に荒さ
れると、その上に配設されるＩＴＯ膜１３との密着性が
低下してしまう場合がある。また、絵素電極１０を形成
するためにＩＴＯ膜１３をウェットエッチングした時
に、パターン制御性が低下してしまうこともある。
【００４７】この問題を解決するために、本実施形態で
は層間有機絶縁膜９に対してＮ2プラズマ処理を行う前
にＨｅプラズマ処理を行う。このＨｅプラズマ処理工程
において、コンタクトホール部に残り得る樹脂が取り除
かれる。層間有機絶縁膜９の表面は改質され、Ｈｅプラ
ズマ処理後の樹脂表面層１５が形成される（図６
（ｃ））。その後、実施形態１と同様にＮ2プラズマ処
理を行い樹脂の表面を改質する（図６（ｄ））。このＮ
2プラズマ処理工程によって形成されたＮ2プラズマ処理
後の樹脂表面層１１の上に、ＩＴＯ膜１３が形成され
る。その後、フォトレジスト１４を用いて、絵素電極１
０を形成する工程は、実施形態１で示した工程と同様で
ある（図６（ｅ）および（ｆ））。
は層間有機絶縁膜９に対してＮ2プラズマ処理を行う前
にＨｅプラズマ処理を行う。このＨｅプラズマ処理工程
において、コンタクトホール部に残り得る樹脂が取り除
かれる。層間有機絶縁膜９の表面は改質され、Ｈｅプラ
ズマ処理後の樹脂表面層１５が形成される（図６
（ｃ））。その後、実施形態１と同様にＮ2プラズマ処
理を行い樹脂の表面を改質する（図６（ｄ））。このＮ
2プラズマ処理工程によって形成されたＮ2プラズマ処理
後の樹脂表面層１１の上に、ＩＴＯ膜１３が形成され
る。その後、フォトレジスト１４を用いて、絵素電極１
０を形成する工程は、実施形態１で示した工程と同様で
ある（図６（ｅ）および（ｆ））。
【００４８】また、本実施形態３の製造方法において
も、Ｎ2プラズマ処理後、絵素電極１０となるＩＴＯ膜
１３を成膜した後、必要であればアニール処理を行い、
絵素電極１０と有機絶縁膜９との密着性を更に向上させ
てもよい。
も、Ｎ2プラズマ処理後、絵素電極１０となるＩＴＯ膜
１３を成膜した後、必要であればアニール処理を行い、
絵素電極１０と有機絶縁膜９との密着性を更に向上させ
てもよい。
【００４９】Ｈｅなどの不活性ガスを用いる場合、Ｏ2
ガスを用いる場合ほどエッチングレートは大きくはない
が、Ｎ2ガスを用いる場合よりも大きく、しかもＯ2の場
合ほど容易には樹脂に対して悪影響を与えない。その後
Ｎ2ガスにより樹脂の表面を改質してやれば、密着性及
び加工精度も改善される。
ガスを用いる場合ほどエッチングレートは大きくはない
が、Ｎ2ガスを用いる場合よりも大きく、しかもＯ2の場
合ほど容易には樹脂に対して悪影響を与えない。その後
Ｎ2ガスにより樹脂の表面を改質してやれば、密着性及
び加工精度も改善される。
【００５０】従って、本実施形態３の製造方法によれ
ば、層間有機絶縁膜の表面を、不活性ガスによるプラズ
マ処理した後にＮ2プラズマ処理する工程を経るので、
層間有機絶縁膜の形成工程が不安定な場合にもコンタク
トホール部の樹脂残りによる点欠陥を発生させることな
く、かつ、樹脂表面に与える悪影響を最小限に抑えて、
絵素電極と樹脂との密着性を向上させることができる。
ば、層間有機絶縁膜の表面を、不活性ガスによるプラズ
マ処理した後にＮ2プラズマ処理する工程を経るので、
層間有機絶縁膜の形成工程が不安定な場合にもコンタク
トホール部の樹脂残りによる点欠陥を発生させることな
く、かつ、樹脂表面に与える悪影響を最小限に抑えて、
絵素電極と樹脂との密着性を向上させることができる。
【００５１】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、層間
有機絶縁膜と絵素電極との間に十分な密着性および加工
精度を得ることができる、高開口率アクティブマトリク
ス基板の製造方法が提供される。本発明の製造方法によ
れば、絵素電極の膜厚を最適化することができるため、
液晶表示装置の透過率を向上することができる。これに
より液晶表示装置の高輝度化もしくは低消費電力化が可
能となる。また、剥がれた絵素電極に起因する絵素電極
間リークを防止できるので、高開口率化と良品率の向上
による低コスト化を実現できる。
有機絶縁膜と絵素電極との間に十分な密着性および加工
精度を得ることができる、高開口率アクティブマトリク
ス基板の製造方法が提供される。本発明の製造方法によ
れば、絵素電極の膜厚を最適化することができるため、
液晶表示装置の透過率を向上することができる。これに
より液晶表示装置の高輝度化もしくは低消費電力化が可
能となる。また、剥がれた絵素電極に起因する絵素電極
間リークを防止できるので、高開口率化と良品率の向上
による低コスト化を実現できる。
【図１】ドレイン電極形成後の高開口率アクティブマト
リクス基板を示す図である。（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
リクス基板を示す図である。（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図２】層間有機絶縁膜形成後の高開口率アクティブマ
トリクス基板を示す図である。（ａ）は平面図、（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
トリクス基板を示す図である。（ａ）は平面図、（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】絵素電極形成後の高開口率アクティブマトリク
ス基板を示す図である。（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
ス基板を示す図である。（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図４】本願発明の実施形態１のアクティブマトリクス
基板製造方法のフローを示す断面図である（図１から図
３のＡ−Ａ’断面図に対応）。
基板製造方法のフローを示す断面図である（図１から図
３のＡ−Ａ’断面図に対応）。
【図５】本願発明の実施形態２のアクティブマトリクス
基板製造方法のフローを示す断面図である（図１から図
３のＡ−Ａ’断面図に対応）。
基板製造方法のフローを示す断面図である（図１から図
３のＡ−Ａ’断面図に対応）。
【図６】本願発明の実施形態３のアクティブマトリクス
基板製造方法のフローを示す断面図である（図１から図
３のＡ−Ａ’断面図に対応）。
基板製造方法のフローを示す断面図である（図１から図
３のＡ−Ａ’断面図に対応）。
【図７】従来のアクティブマトリクス基板製造方法のフ
ローを示す断面図である（図１から図３のＡ−Ａ’断面
図に対応）。
ローを示す断面図である（図１から図３のＡ−Ａ’断面
図に対応）。
１ ゲート配線 ２ データ配線 ３ ＴＦＴ ４ ドレイン電極 ５ 補助容量配線 ６ 絶縁性基板 ７ ゲート絶縁膜 ８ コンタクトホール ９ 層間有機絶縁膜 １０ 絵素電極 １１ Ｎ2プラズマ処理後の樹脂表面層 １２ Ｏ2プラズマ処理後の樹脂表面層 １３ ＩＴＯ膜 １４ フォトレジスト １５ Ｈｅプラズマ処理後の樹脂表面層
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に複数のスイッチング素子を形成
する工程と、 該スイッチング素子に信号を印加するための配線を形成
する工程と、 該スイッチング素子と該配線とを覆う有機絶縁膜を形成
する工程と、 該有機絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、 該有機絶縁膜の表面をＮ2ガスを用いてプラズマ処理す
る工程と、 該プラズマ処理された該有機絶縁膜の表面上に、該コン
タクトホールを介して該スイッチング素子と電気的に接
続される該絵素電極を形成する工程と、 を包含する、アクティブマトリクス基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記プラズマ処理工程の前に、前記有機
絶縁膜の表面をＯ2ガスを用いてプラズマ処理する工程
をさらに包含する、請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項３】 前記プラズマ処理工程の前に、前記有機
絶縁膜の表面を不活性ガスを用いてプラズマ処理する工
程をさらに包含する、請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項４】 前記絵素電極はインジウム錫酸化物を用
いて形成される、請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項５】 前記絵素電極は、５０ｎｍ〜３００ｎｍ
の厚みを有する、請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項６】 前記不活性ガスはＨｅガスである、請求
項３に記載の製造方法。 - 【請求項７】 前記有機絶縁膜は感光性アクリル樹脂、
ベンゾシクロブテン、あるいはパーフルオロシクロブテ
ンを用いて形成される、請求項１に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14801498A JPH11337973A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14801498A JPH11337973A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11337973A true JPH11337973A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15443186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14801498A Withdrawn JPH11337973A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11337973A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6300152B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-10-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a panel for a liquid crystal display with a plasma-treated organic insulating layer |
| JP2002280186A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| JP2002334790A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| KR20030058615A (ko) * | 2001-12-31 | 2003-07-07 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| JP2004095865A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2005135929A (ja) * | 2001-02-19 | 2005-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| US7075603B2 (en) | 2001-10-30 | 2006-07-11 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Method of fabricating a semi-transmission LCD by plasma processing and washing organic film, and LCD fabricated thereby |
| US7902740B2 (en) | 2001-03-19 | 2011-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
| JP2012059843A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光デバイスの製造方法 |
| US8866184B2 (en) | 2001-02-19 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
-
1998
- 1998-05-28 JP JP14801498A patent/JPH11337973A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6300152B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-10-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a panel for a liquid crystal display with a plasma-treated organic insulating layer |
| US8866184B2 (en) | 2001-02-19 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2002334790A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| US9954196B2 (en) | 2001-02-19 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9768405B2 (en) | 2001-02-19 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2005135929A (ja) * | 2001-02-19 | 2005-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| US9502679B2 (en) | 2001-02-19 | 2016-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2002280186A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| US7902740B2 (en) | 2001-03-19 | 2011-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
| US8651911B2 (en) | 2001-03-19 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
| US7075603B2 (en) | 2001-10-30 | 2006-07-11 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Method of fabricating a semi-transmission LCD by plasma processing and washing organic film, and LCD fabricated thereby |
| KR20030058615A (ko) * | 2001-12-31 | 2003-07-07 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 박막 트랜지스터 제조 방법 |
| JP2004095865A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2012059843A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光デバイスの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4458563B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置の製造方法 | |
| JP3463006B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 | |
| US6339230B1 (en) | Method for manufacturing a liquid crystal display | |
| US6927105B2 (en) | Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof | |
| KR100271043B1 (ko) | 액정표시장치의 기판 및 그 제조방법(liquid crystal display and method of manufacturing the same) | |
| KR100314201B1 (ko) | 박막트랜지스터형액정표시장치및그제조방법 | |
| JP3152193B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法 | |
| JPH11202365A (ja) | 液晶表示パネル及びその製造方法 | |
| JP3975014B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH11337973A (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法 | |
| JP4800236B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置 | |
| JP3600112B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH11352515A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH1082997A (ja) | アクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法及びアクティブマトリクス液晶表示装置 | |
| JP3724787B2 (ja) | 電極基板およびその作製方法、ならびに、電極基板を備える液晶表示装置 | |
| JP2001127303A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法 | |
| CN111710727A (zh) | 一种阵列基板及其制备方法以及显示面板 | |
| KR20070102384A (ko) | 픽셀 구조체 제조방법 | |
| JP3947515B2 (ja) | アクティブマトリクス基板のコンタクトホール形成方法 | |
| US7625823B1 (en) | Method of patterning a metal layer in a semiconductor device | |
| JP2004170724A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| KR101002470B1 (ko) | 액정표시장치 제조방법 | |
| KR101023323B1 (ko) | 액정표시장치 및 액정표시장치 제조방법 | |
| JPH08236777A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100372305B1 (ko) | 액정표시장치의박막트랜지스터기판및그제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050802 |