JP2000252550A - スイッチング素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置 - Google Patents
スイッチング素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置Info
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- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
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- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
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- H10K85/311—Phthalocyanine
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機薄膜スイッチング素子を提供すること、
並びに有機薄膜スイッチング素子を共通の基板上に形成
した有機ＥＬ素子表示装置を提供する。 【解決手段】 複数の発光部からなる表示配列を有して
いる有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置であっ
て、発光部に対応する複数の第１表示電極が表面上に形
成された基板と、第１表示電極の各々上に形成され、少
くとも１層の電子及び又は正孔の注入によって発光する
有機エレクトロルミネッセンス材料層を含む有機材料層
と、有機材料層上に共通に形成された第２表示電極と、
基板上に形成されかつ第１及び２表示電極の少なくとも
一方に接続された有機薄膜スイッチング素子と、からな
る。有機薄膜スイッチング素子は、互いに積層された絶
縁膜及び有機物からなる薄膜を挟む一対の対向するゲー
ト電極、並びに、ゲート電極間の薄膜及び絶縁膜間の界
面に配置された中間電極からなる。
並びに有機薄膜スイッチング素子を共通の基板上に形成
した有機ＥＬ素子表示装置を提供する。 【解決手段】 複数の発光部からなる表示配列を有して
いる有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置であっ
て、発光部に対応する複数の第１表示電極が表面上に形
成された基板と、第１表示電極の各々上に形成され、少
くとも１層の電子及び又は正孔の注入によって発光する
有機エレクトロルミネッセンス材料層を含む有機材料層
と、有機材料層上に共通に形成された第２表示電極と、
基板上に形成されかつ第１及び２表示電極の少なくとも
一方に接続された有機薄膜スイッチング素子と、からな
る。有機薄膜スイッチング素子は、互いに積層された絶
縁膜及び有機物からなる薄膜を挟む一対の対向するゲー
ト電極、並びに、ゲート電極間の薄膜及び絶縁膜間の界
面に配置された中間電極からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機物からなる有
機薄膜を利用したスイッチング素子に関し、また、電子
及び正孔の注入によって発光する有機化合物材料のエレ
クトロルミネッセンス（以下、ＥＬともいう）を利用し
たかかる有機ＥＬ材料の薄膜からなる発光層を備えた有
機ＥＬ素子、並びに、該スイッチング素子、の複数をマ
トリクス状に配置した有機ＥＬ素子表示装置に関する。
機薄膜を利用したスイッチング素子に関し、また、電子
及び正孔の注入によって発光する有機化合物材料のエレ
クトロルミネッセンス（以下、ＥＬともいう）を利用し
たかかる有機ＥＬ材料の薄膜からなる発光層を備えた有
機ＥＬ素子、並びに、該スイッチング素子、の複数をマ
トリクス状に配置した有機ＥＬ素子表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】低消費電力及び高表示品質並びに薄型化
が可能なディスプレイとして、有機ＥＬ素子の複数をマ
トリクス状に配列して構成される有機ＥＬ素子ディスプ
レイが注目されている。図１に示すように、各々の有機
ＥＬ素子２００は、例えばインジウム錫酸化物いわゆる
ＩＴＯからなる透明電２０１が形成されたガラス板など
の透明基板１上に、電子輸送層、発光層、正孔輸送層な
どからなる少なくとも１層の有機材料層２０２、及び金
属電極２０３が積層されたものである。透明電２０１の
陽極にプラス、金属電極２０３の陰極にマイナスの電圧
を加え、すなわち、透明電極及び金属電極間に直流を印
加することにより、有機材料層２０２の中の発光層が発
光する。
が可能なディスプレイとして、有機ＥＬ素子の複数をマ
トリクス状に配列して構成される有機ＥＬ素子ディスプ
レイが注目されている。図１に示すように、各々の有機
ＥＬ素子２００は、例えばインジウム錫酸化物いわゆる
ＩＴＯからなる透明電２０１が形成されたガラス板など
の透明基板１上に、電子輸送層、発光層、正孔輸送層な
どからなる少なくとも１層の有機材料層２０２、及び金
属電極２０３が積層されたものである。透明電２０１の
陽極にプラス、金属電極２０３の陰極にマイナスの電圧
を加え、すなわち、透明電極及び金属電極間に直流を印
加することにより、有機材料層２０２の中の発光層が発
光する。
【０００３】有機ＥＬ素子において、金属陰極から注入
された電子と透明陽極から発光層へ注入された正孔との
再結合によって励起子が生じ、この励起子が放射失活す
る過程で光を放つ。よって、有機ＥＬ素子２００は、電
気的には、図２のような等価回路にて表すことができ
る。図から分かるように、素子は、容量成分Ｃと、該容
量成分に並列に結合する非対称導電性の発光ダイオード
成分Ｅとによる構成に置き換えることができる。よっ
て、有機ＥＬ素子は、容量性の発光素子であると考えら
れる。有機ＥＬ素子は、直流の発光駆動電圧が電極間に
印加されると、電荷が容量成分Ｃに蓄積され、続いて当
該素子固有の障壁電圧または発光閾値電圧を越えると、
透明電極（ダイオード成分Ｅの陽極側）から発光層を担
う有機材料層に電流が流れ初め、この電流に比例した強
度で発光する。かかる素子の電圧Ｖ−電流Ｉ−輝度Ｌの
特性は、ダイオードの特性に類似しており、発光閾値Ｖ
th以下の電圧では電流Ｉはきわめて小さく、発光閾値Ｖ
th以上の電圧になると電流Ｉは急激に増加する特性であ
る。また、電流Ｉと輝度Ｌはほぼ比例する。このような
有機ＥＬ素子は、発光閾値Ｖthを超える駆動電圧を素子
に印加すれば当該駆動電圧に応じた電流に比例した発光
輝度を呈し、印加される駆動電圧が発光閾値Ｖth以下で
あれば駆動電流が流れず発光輝度もゼロのままである。
された電子と透明陽極から発光層へ注入された正孔との
再結合によって励起子が生じ、この励起子が放射失活す
る過程で光を放つ。よって、有機ＥＬ素子２００は、電
気的には、図２のような等価回路にて表すことができ
る。図から分かるように、素子は、容量成分Ｃと、該容
量成分に並列に結合する非対称導電性の発光ダイオード
成分Ｅとによる構成に置き換えることができる。よっ
て、有機ＥＬ素子は、容量性の発光素子であると考えら
れる。有機ＥＬ素子は、直流の発光駆動電圧が電極間に
印加されると、電荷が容量成分Ｃに蓄積され、続いて当
該素子固有の障壁電圧または発光閾値電圧を越えると、
透明電極（ダイオード成分Ｅの陽極側）から発光層を担
う有機材料層に電流が流れ初め、この電流に比例した強
度で発光する。かかる素子の電圧Ｖ−電流Ｉ−輝度Ｌの
特性は、ダイオードの特性に類似しており、発光閾値Ｖ
th以下の電圧では電流Ｉはきわめて小さく、発光閾値Ｖ
th以上の電圧になると電流Ｉは急激に増加する特性であ
る。また、電流Ｉと輝度Ｌはほぼ比例する。このような
有機ＥＬ素子は、発光閾値Ｖthを超える駆動電圧を素子
に印加すれば当該駆動電圧に応じた電流に比例した発光
輝度を呈し、印加される駆動電圧が発光閾値Ｖth以下で
あれば駆動電流が流れず発光輝度もゼロのままである。
【０００４】有機ＥＬ素子表示装置は、交差している行
と列において配置されたいわゆるマトリクス状に配置さ
れた複数の発光画素すなわち有機ＥＬ素子からなる画像
表示配列を有している発光装置である。この有機ＥＬ素
子表示装置の駆動方法の一例には、単純マトリクス駆動
方式と呼ばれるものがある。単純マトリクス駆動方式の
表示装置は、複数の陽極線と陰極線とをマトリクス（格
子）状に配置し、このマトリクス状に配置した陽極線と
陰極線の各交点位置毎に有機ＥＬ素子を接続し、この陽
極線と陰極線のいずれか一方を一定の時間間隔で順次選
択して走査すると共に、この走査に同期して他方の線を
駆動源で駆動することにより、任意の交点位置の有機Ｅ
Ｌ素子を発光させるようにしたものである。この方式で
はアクセス時間だけ各有機ＥＬ素子が点灯するので、大
型画面にするには、大電流及び高電圧が必要となる。
と列において配置されたいわゆるマトリクス状に配置さ
れた複数の発光画素すなわち有機ＥＬ素子からなる画像
表示配列を有している発光装置である。この有機ＥＬ素
子表示装置の駆動方法の一例には、単純マトリクス駆動
方式と呼ばれるものがある。単純マトリクス駆動方式の
表示装置は、複数の陽極線と陰極線とをマトリクス（格
子）状に配置し、このマトリクス状に配置した陽極線と
陰極線の各交点位置毎に有機ＥＬ素子を接続し、この陽
極線と陰極線のいずれか一方を一定の時間間隔で順次選
択して走査すると共に、この走査に同期して他方の線を
駆動源で駆動することにより、任意の交点位置の有機Ｅ
Ｌ素子を発光させるようにしたものである。この方式で
はアクセス時間だけ各有機ＥＬ素子が点灯するので、大
型画面にするには、大電流及び高電圧が必要となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】表示装置の大型画面化
には、単純マトリクス駆動方式有機ＥＬ素子表示装置の
他に、アクティブマトリクス駆動方式のものが考えられ
る。これは、上記の陽極線及び陰極線を走査信号ライン
及びデータ信号ラインに置き換え各交点位置毎にスイッ
チング素子に薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transi
stor)を用いてスイッチングによって画素毎に電流を供
給して有機ＥＬ素子を発光させるようにしたものであ
る。ＴＦＴにはｐ−Ｓｉ、ａ−Ｓｉからなる素子が採用
され得、また代わりにＭＯＳ−ＦＥＴ(Metal Oxide Sem
iconductor Field Effect Transistor)を用い構成する
こともできる。
には、単純マトリクス駆動方式有機ＥＬ素子表示装置の
他に、アクティブマトリクス駆動方式のものが考えられ
る。これは、上記の陽極線及び陰極線を走査信号ライン
及びデータ信号ラインに置き換え各交点位置毎にスイッ
チング素子に薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transi
stor)を用いてスイッチングによって画素毎に電流を供
給して有機ＥＬ素子を発光させるようにしたものであ
る。ＴＦＴにはｐ−Ｓｉ、ａ−Ｓｉからなる素子が採用
され得、また代わりにＭＯＳ−ＦＥＴ(Metal Oxide Sem
iconductor Field Effect Transistor)を用い構成する
こともできる。
【０００６】例えば、スイッチング素子のMOS-FETで
は、半導体例えばＳｉ基板上に２つの反転伝導領域を形
成し、該反転伝導領域間の基板表面上に酸化物ＳｉＯ2
薄膜、金属ゲート電極を順に設け、金属ゲートから印加
される電界により、基板表面の伝導性を制御するもので
ある。したがって、ディスプレイ基板にＳｉウエハ、ポ
リシリコン基板になど半導体基板が必要であり、その上
に無機材料の成膜が必要であるので、高温プロセスがそ
の製造に用いられる。
は、半導体例えばＳｉ基板上に２つの反転伝導領域を形
成し、該反転伝導領域間の基板表面上に酸化物ＳｉＯ2
薄膜、金属ゲート電極を順に設け、金属ゲートから印加
される電界により、基板表面の伝導性を制御するもので
ある。したがって、ディスプレイ基板にＳｉウエハ、ポ
リシリコン基板になど半導体基板が必要であり、その上
に無機材料の成膜が必要であるので、高温プロセスがそ
の製造に用いられる。
【０００７】表示装置のディスプレイとしては大型のも
のに対する需要が多いが、高温プロセスを製造に必要と
する無機材料スイッチング素子をアクティブマトリクス
駆動方式の有機ＥＬ素子表示装置の大型ディスプレイに
用いると、表示装置の高価格化は避けられない。そこ
で、本発明の目的は、比較的低温で作成できる有機薄膜
スイッチング素子を提供すること、並びに有機薄膜スイ
ッチング素子を共通の基板上に形成した有機ＥＬ素子表
示装置を提供することにある。
のに対する需要が多いが、高温プロセスを製造に必要と
する無機材料スイッチング素子をアクティブマトリクス
駆動方式の有機ＥＬ素子表示装置の大型ディスプレイに
用いると、表示装置の高価格化は避けられない。そこ
で、本発明の目的は、比較的低温で作成できる有機薄膜
スイッチング素子を提供すること、並びに有機薄膜スイ
ッチング素子を共通の基板上に形成した有機ＥＬ素子表
示装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の有機薄膜スイッ
チング素子は、互いに積層された絶縁膜と有機物からな
る有機薄膜とからなる積層体を挟む一対の対向するゲー
ト電極と、前記有機薄膜と前記絶縁膜との間に配置され
た中間電極と、からなることを特徴とする。本発明の有
機薄膜スイッチング素子においては、前記有機物は絶縁
性有機化合物であることを特徴とする。
チング素子は、互いに積層された絶縁膜と有機物からな
る有機薄膜とからなる積層体を挟む一対の対向するゲー
ト電極と、前記有機薄膜と前記絶縁膜との間に配置され
た中間電極と、からなることを特徴とする。本発明の有
機薄膜スイッチング素子においては、前記有機物は絶縁
性有機化合物であることを特徴とする。
【０００９】本発明の有機薄膜スイッチング素子におい
ては、前記有機物は少なくとも電子輸送性及び正孔輸送
性の一方の材料であることを特徴とする。本発明の有機
薄膜スイッチング素子においては、前記中間電極は前記
ゲート電極間の前記有機薄膜及び前記絶縁膜間の界面に
配置された互いに離間する一対の対向電極からなること
を特徴とする。
ては、前記有機物は少なくとも電子輸送性及び正孔輸送
性の一方の材料であることを特徴とする。本発明の有機
薄膜スイッチング素子においては、前記中間電極は前記
ゲート電極間の前記有機薄膜及び前記絶縁膜間の界面に
配置された互いに離間する一対の対向電極からなること
を特徴とする。
【００１０】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素
子表示装置は、複数の発光部からなる表示配列を有して
いる有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置であっ
て、前記発光部に対応する複数の第１表示電極が表面上
に形成された基板と、前記第１表示電極の各々上に形成
され、少くとも１層の電子及び又は正孔の注入によって
発光する有機エレクトロルミネッセンス材料層を含む有
機材料層と、前記有機材料層上に共通に形成された第２
表示電極と、前記基板上に形成されかつ前記第１及び２
表示電極の少なくとも一方に接続されかつ、互いに積層
された絶縁膜及び有機物からなる有機薄膜を挟む一対の
対向するゲート電極、並びに、前記ゲート電極間の前記
有機薄膜及び前記絶縁膜間の界面に配置された中間電極
からなる有機薄膜スイッチング素子と、からなることを
特徴とする。
子表示装置は、複数の発光部からなる表示配列を有して
いる有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置であっ
て、前記発光部に対応する複数の第１表示電極が表面上
に形成された基板と、前記第１表示電極の各々上に形成
され、少くとも１層の電子及び又は正孔の注入によって
発光する有機エレクトロルミネッセンス材料層を含む有
機材料層と、前記有機材料層上に共通に形成された第２
表示電極と、前記基板上に形成されかつ前記第１及び２
表示電極の少なくとも一方に接続されかつ、互いに積層
された絶縁膜及び有機物からなる有機薄膜を挟む一対の
対向するゲート電極、並びに、前記ゲート電極間の前記
有機薄膜及び前記絶縁膜間の界面に配置された中間電極
からなる有機薄膜スイッチング素子と、からなることを
特徴とする。
【００１１】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素
子表示装置においては、前記有機薄膜スイッチング素子
の前記有機物からなる有機薄膜は前記有機材料層の一部
からなることを特徴とする。本発明の有機エレクトロル
ミネッセンス素子表示装置においては、前記発光部はマ
トリクス状に配置されたことを特徴とする。
子表示装置においては、前記有機薄膜スイッチング素子
の前記有機物からなる有機薄膜は前記有機材料層の一部
からなることを特徴とする。本発明の有機エレクトロル
ミネッセンス素子表示装置においては、前記発光部はマ
トリクス状に配置されたことを特徴とする。
【００１２】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素
子表示装置においては、前記基板上に形成されかつ前記
第１及び２表示電極並びに前記有機薄膜スイッチング素
子の少なくとも一方に接続されたコンデンサを有するこ
とを特徴とする。本発明の有機エレクトロルミネッセン
ス素子表示装置においては、前記基板及び前記第１表示
電極が透明であることを特徴とする。
子表示装置においては、前記基板上に形成されかつ前記
第１及び２表示電極並びに前記有機薄膜スイッチング素
子の少なくとも一方に接続されたコンデンサを有するこ
とを特徴とする。本発明の有機エレクトロルミネッセン
ス素子表示装置においては、前記基板及び前記第１表示
電極が透明であることを特徴とする。
【００１３】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素
子表示装置においては、前記有機薄膜スイッチング素子
の前記中間電極は前記ゲート電極間の前記有機薄膜及び
前記絶縁膜間の界面に配置された互いに離間する一対の
対向電極からなることを特徴とする。本発明の有機エレ
クトロルミネッセンス素子表示装置においては、前記有
機薄膜スイッチング素子の前記中間電極及びキャリア注
入用の前記ゲート電極は、キャリアが正孔の場合は高仕
事関数を有する材料からなり、キャリアが電子の場合は
低仕事関数を有する材料からなることを特徴とする。
子表示装置においては、前記有機薄膜スイッチング素子
の前記中間電極は前記ゲート電極間の前記有機薄膜及び
前記絶縁膜間の界面に配置された互いに離間する一対の
対向電極からなることを特徴とする。本発明の有機エレ
クトロルミネッセンス素子表示装置においては、前記有
機薄膜スイッチング素子の前記中間電極及びキャリア注
入用の前記ゲート電極は、キャリアが正孔の場合は高仕
事関数を有する材料からなり、キャリアが電子の場合は
低仕事関数を有する材料からなることを特徴とする。
【００１４】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素
子表示装置においては、前記有機薄膜スイッチング素子
の前記中間電極は、前記有機薄膜と略等しい仕事関数を
有する材料からなる第１層とこれより高い仕事関数を有
する材料からなる第２層とからなる積層体、或いはこれ
より低い仕事関数を有する材料からなる第２層とからな
る積層体からなることを特徴とする。
子表示装置においては、前記有機薄膜スイッチング素子
の前記中間電極は、前記有機薄膜と略等しい仕事関数を
有する材料からなる第１層とこれより高い仕事関数を有
する材料からなる第２層とからなる積層体、或いはこれ
より低い仕事関数を有する材料からなる第２層とからな
る積層体からなることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】発明者は、有機ＥＬ素子の導電機
構を詳細に検討する過程において、対向する陰極及び陽
極から有機薄膜すなわち有機材料層に２０ＫＨｚのパル
ス電圧を加えると、電圧に応じて電荷を有機薄膜の一定
の深さまで注入できることを知見し、本発明に到った。
有機薄膜の厚さ方向に電圧を加えると有機薄膜に電荷が
存在できるので、有機薄膜内に別のソースやドレインな
どの中間電極を配置し、その電極に電流を流すことが可
能になる。すなわち、有機ＥＬ素子に用いられ得る材料
の導電機構を用いて、有機薄膜の厚さ方向に電圧を印加
し、膜厚又は面方向の電流をスイッチングできることに
なる。
構を詳細に検討する過程において、対向する陰極及び陽
極から有機薄膜すなわち有機材料層に２０ＫＨｚのパル
ス電圧を加えると、電圧に応じて電荷を有機薄膜の一定
の深さまで注入できることを知見し、本発明に到った。
有機薄膜の厚さ方向に電圧を加えると有機薄膜に電荷が
存在できるので、有機薄膜内に別のソースやドレインな
どの中間電極を配置し、その電極に電流を流すことが可
能になる。すなわち、有機ＥＬ素子に用いられ得る材料
の導電機構を用いて、有機薄膜の厚さ方向に電圧を印加
し、膜厚又は面方向の電流をスイッチングできることに
なる。
【００１６】以下に、本発明による実施例を図面を参照
しつつ説明する。図３に示すように、第１の実施例の有
機薄膜スイッチング素子１０は、ガラスなどの基板１上
に形成された電界印加用のゲート電極２上にポリイミド
などの有機化合物からなる絶縁層３を形成して、その上
に形成されている。有機薄膜スイッチング素子１０は、
ゲート電極２が埋め込まれた絶縁層３の上に形成された
有機化合物からなる有機薄膜４と、有機薄膜４中に離間
して配置されるように形成された中間電極すなわち一対
の対向する金属電極５及び６と、金属電極５及び６並び
にそれらの間隙上の有機薄膜４に接触するように形成さ
れたゲート電極７と、からなる。ゲート電極７は対向す
るゲート電極２と協働して金属電極５及び６並びにそれ
らの間隙の有機薄膜４に電界を印加する。ゲート電極７
は、金属電極５及び６間を結ぶ直線に対して交差する電
気力線の電界を印加するように配置されている。有機薄
膜４は、電子輸送性及び又は正孔輸送性の絶縁性有機化
合物である。有機薄膜４は、例えば、ポリチオフェンな
どがある。
しつつ説明する。図３に示すように、第１の実施例の有
機薄膜スイッチング素子１０は、ガラスなどの基板１上
に形成された電界印加用のゲート電極２上にポリイミド
などの有機化合物からなる絶縁層３を形成して、その上
に形成されている。有機薄膜スイッチング素子１０は、
ゲート電極２が埋め込まれた絶縁層３の上に形成された
有機化合物からなる有機薄膜４と、有機薄膜４中に離間
して配置されるように形成された中間電極すなわち一対
の対向する金属電極５及び６と、金属電極５及び６並び
にそれらの間隙上の有機薄膜４に接触するように形成さ
れたゲート電極７と、からなる。ゲート電極７は対向す
るゲート電極２と協働して金属電極５及び６並びにそれ
らの間隙の有機薄膜４に電界を印加する。ゲート電極７
は、金属電極５及び６間を結ぶ直線に対して交差する電
気力線の電界を印加するように配置されている。有機薄
膜４は、電子輸送性及び又は正孔輸送性の絶縁性有機化
合物である。有機薄膜４は、例えば、ポリチオフェンな
どがある。
【００１７】本発明では、有機薄膜に直接設けたゲート
電極７に正又は負の電圧を印加したとき、有機薄膜に直
接電荷が注入できることに着目して、素子のチャネルと
なる正孔輸送性又は電子輸送性の有機薄膜を挟むように
ゲート電極に設けてあり、ゲート電極７直下の有機薄膜
のチャネルに正孔又は電子を注入する。有機薄膜スイッ
チング素子１０においては、正孔輸送性の有機薄膜４
に、正の電圧を印加し、電界を生ぜしめると、正孔が有
機薄膜４に注入され、金属電極５及び６の間にて正孔輸
送性の有機薄膜がチャネルとなる。または、電子輸送性
の有機薄膜４に、負の電圧を印加し、電界を生ぜしめる
と、電子が有機薄膜４に注入され、金属電極５及び６の
間の電子輸送性の有機薄膜がチャネルとなる。この状態
で金属電極５及び６すなわちソース電極とドレイン電極
に電位差を与えて、有機薄膜に注入された正孔又は電子
をキャリアとし電流を流すことにより、ゲート電圧をOn
／Offすることでソース電極５からドレイン電極６への
電流をスイッチングできる。
電極７に正又は負の電圧を印加したとき、有機薄膜に直
接電荷が注入できることに着目して、素子のチャネルと
なる正孔輸送性又は電子輸送性の有機薄膜を挟むように
ゲート電極に設けてあり、ゲート電極７直下の有機薄膜
のチャネルに正孔又は電子を注入する。有機薄膜スイッ
チング素子１０においては、正孔輸送性の有機薄膜４
に、正の電圧を印加し、電界を生ぜしめると、正孔が有
機薄膜４に注入され、金属電極５及び６の間にて正孔輸
送性の有機薄膜がチャネルとなる。または、電子輸送性
の有機薄膜４に、負の電圧を印加し、電界を生ぜしめる
と、電子が有機薄膜４に注入され、金属電極５及び６の
間の電子輸送性の有機薄膜がチャネルとなる。この状態
で金属電極５及び６すなわちソース電極とドレイン電極
に電位差を与えて、有機薄膜に注入された正孔又は電子
をキャリアとし電流を流すことにより、ゲート電圧をOn
／Offすることでソース電極５からドレイン電極６への
電流をスイッチングできる。
【００１８】図３に示すように、有機薄膜スイッチング
素子において、有機薄膜チャネルに直接接合したゲート
電極7にＯＮ電圧をかけて有機薄膜チャネルに電荷を注
入すると、注入された電荷により対向金属電極５及び６
間に電流が流れる。また、ゲート電極7の電圧をＯＦＦ
すると注入電荷がなくなり電流が流れなくなる。アクテ
ィブマトリクス駆動における有機ＥＬ素子の制御は、ゲ
ート電圧による電流の細かい制御は必要ないので、電流
のＯＮ／ＯＦＦができる有機薄膜スイッチング素子が２
個あれば実現できる。
素子において、有機薄膜チャネルに直接接合したゲート
電極7にＯＮ電圧をかけて有機薄膜チャネルに電荷を注
入すると、注入された電荷により対向金属電極５及び６
間に電流が流れる。また、ゲート電極7の電圧をＯＦＦ
すると注入電荷がなくなり電流が流れなくなる。アクテ
ィブマトリクス駆動における有機ＥＬ素子の制御は、ゲ
ート電圧による電流の細かい制御は必要ないので、電流
のＯＮ／ＯＦＦができる有機薄膜スイッチング素子が２
個あれば実現できる。
【００１９】この有機薄膜スイッチング素子では、有機
薄膜の上下に酸化珪素などの無機電気絶縁性の薄膜を設
けておらず、有機薄膜にゲート電極を直接つける構造に
なっている。本発明により、スイッチング素子のゲート
電圧は、絶縁膜を介さずに直接印加できるので、ゲート
電圧を大幅に低下できる、また素子が容量性でなくなる
ためにスイッチングの応答が速くなる。さらに、本発明
のスイッチング素子は、一般に高温プロセスを必要とす
る無機質絶縁材料を用いないために、比較的低温で素子
を作成でき、有機ＥＬ素子の電流制御などの有機機能素
子の制御に最適である。
薄膜の上下に酸化珪素などの無機電気絶縁性の薄膜を設
けておらず、有機薄膜にゲート電極を直接つける構造に
なっている。本発明により、スイッチング素子のゲート
電圧は、絶縁膜を介さずに直接印加できるので、ゲート
電圧を大幅に低下できる、また素子が容量性でなくなる
ためにスイッチングの応答が速くなる。さらに、本発明
のスイッチング素子は、一般に高温プロセスを必要とす
る無機質絶縁材料を用いないために、比較的低温で素子
を作成でき、有機ＥＬ素子の電流制御などの有機機能素
子の制御に最適である。
【００２０】さらに、図４に示すように、有機薄膜スイ
ッチング素子において、図３に示す対向金属電極の一方
の電極５を省略することもできる。すなわち、本発明の
第２の実施例では少なくとも１つの中間電極があればよ
い。この有機薄膜スイッチング素子１１は、電界を印加
するゲート電極の一方７から電荷を有機薄膜４へ注入
し、さらにドレイン電極６へ流す構成である。
ッチング素子において、図３に示す対向金属電極の一方
の電極５を省略することもできる。すなわち、本発明の
第２の実施例では少なくとも１つの中間電極があればよ
い。この有機薄膜スイッチング素子１１は、電界を印加
するゲート電極の一方７から電荷を有機薄膜４へ注入
し、さらにドレイン電極６へ流す構成である。
【００２１】図５に、アクティブマトリクス駆動方式に
よる第３の実施例の有機ＥＬ素子表示装置における表示
パネルの一部を示す。この表示パネル１０９は、マトリ
クス状に配置されかつ各々が赤色Ｒ、緑色Ｇ及び青色Ｂ
の３つの発光部（有機ＥＬ素子）からなる発光画素１１
１の複数からなる画像表示配列を有している。画素１つ
の発光部当たり、２個の有機薄膜スイッチング素子１
０、１１及びコンデンサ３００からなる有機薄膜スイッ
チング回路と、有機ＥＬ素子２００とから構成される。
このような発光部組合せユニットが各画素ごとに全画素
数の数だけ集積され、マトリクス状に配置された複数の
発光画素からなる画像表示配列の有機ＥＬ素子表示装置
の基板が形成されている。
よる第３の実施例の有機ＥＬ素子表示装置における表示
パネルの一部を示す。この表示パネル１０９は、マトリ
クス状に配置されかつ各々が赤色Ｒ、緑色Ｇ及び青色Ｂ
の３つの発光部（有機ＥＬ素子）からなる発光画素１１
１の複数からなる画像表示配列を有している。画素１つ
の発光部当たり、２個の有機薄膜スイッチング素子１
０、１１及びコンデンサ３００からなる有機薄膜スイッ
チング回路と、有機ＥＬ素子２００とから構成される。
このような発光部組合せユニットが各画素ごとに全画素
数の数だけ集積され、マトリクス状に配置された複数の
発光画素からなる画像表示配列の有機ＥＬ素子表示装置
の基板が形成されている。
【００２２】この有機ＥＬ素子表示装置のガラス基板上
には、有機ＥＬ素子２００及びコンデンサ３００を挟ん
で平行に伸長するアノードライン１２及びデータ信号ラ
イン１３が設けられ、さらにこれらラインから電気的に
離間して直交する位置に配列され伸長するカソードライ
ン１５及び走査信号ライン１６が設けられている。デー
タ信号ライン１３へのＲＧＢ信号に応じて走査信号ライ
ン１６を順次走査して、交点画素の有機ＥＬ素子２００
を選択発光させる。
には、有機ＥＬ素子２００及びコンデンサ３００を挟ん
で平行に伸長するアノードライン１２及びデータ信号ラ
イン１３が設けられ、さらにこれらラインから電気的に
離間して直交する位置に配列され伸長するカソードライ
ン１５及び走査信号ライン１６が設けられている。デー
タ信号ライン１３へのＲＧＢ信号に応じて走査信号ライ
ン１６を順次走査して、交点画素の有機ＥＬ素子２００
を選択発光させる。
【００２３】図６は第３の実施例に表示パネルの単位画
素に対応する１つの発光部の回路構成を示す。有機薄膜
スイッチング素子１１のゲートＧ１は、走査回路からの
行を走査する走査信号が供給される走査信号ライン１６
に接続され、一方、有機薄膜スイッチング素子１１のソ
ースＳは、フレームメモリのデータに対応した書込み回
路からの信号が供給されるデータ信号ライン１３にゲー
トＧ２とともに接続されている。
素に対応する１つの発光部の回路構成を示す。有機薄膜
スイッチング素子１１のゲートＧ１は、走査回路からの
行を走査する走査信号が供給される走査信号ライン１６
に接続され、一方、有機薄膜スイッチング素子１１のソ
ースＳは、フレームメモリのデータに対応した書込み回
路からの信号が供給されるデータ信号ライン１３にゲー
トＧ２とともに接続されている。
【００２４】有機薄膜スイッチング素子１１のドレイン
Ｄは有機薄膜スイッチング素子１０のゲートＧ２及びコ
ンデンサ３００に接続され、コンデンサ３００を通じて
カソードライン１５に接続されている。有機薄膜スイッ
チング素子１０のソースＳはアノードライン１２に接続
され、有機薄膜スイッチング素子１１のドレインＤは有
機ＥＬ素子２００のＩＴＯ陽極すなわち第１表示電極に
接続され、一方、有機ＥＬ素子２００の金属陰極を通じ
てカソードライン１５に接続されている。有機薄膜スイ
ッチング素子１０のゲートＧ１もカソードライン１５に
接続されている。アノードライン１２及びカソードライ
ン１５は電源回路に接続されそれぞれ制御される。
Ｄは有機薄膜スイッチング素子１０のゲートＧ２及びコ
ンデンサ３００に接続され、コンデンサ３００を通じて
カソードライン１５に接続されている。有機薄膜スイッ
チング素子１０のソースＳはアノードライン１２に接続
され、有機薄膜スイッチング素子１１のドレインＤは有
機ＥＬ素子２００のＩＴＯ陽極すなわち第１表示電極に
接続され、一方、有機ＥＬ素子２００の金属陰極を通じ
てカソードライン１５に接続されている。有機薄膜スイ
ッチング素子１０のゲートＧ１もカソードライン１５に
接続されている。アノードライン１２及びカソードライ
ン１５は電源回路に接続されそれぞれ制御される。
【００２５】このような回路が行及び列に複数配列され
た表示パネル１０９の単位画素の発光制御動作は、つぎ
の通りである。有機薄膜スイッチング素子１１のゲート
電極間にオン電位差が供給されると、有機薄膜スイッチ
ング素子１１はソースＳに供給されるデータの電圧に対
応した電流をソースＳからドレインＤへ流す。有機薄膜
スイッチング素子１１のゲート電極間がオフ電位差であ
ると有機薄膜スイッチング素子１１はいわゆるカットオ
フとなり、有機薄膜スイッチング素子１１のドレインＤ
は開状態となる。従って、有機薄膜スイッチング素子１
１のゲート電極間がオン電位差の期間に、ソースＳの電
圧に基づいた電流でコンデンサ３００が充電され、その
電圧が有機薄膜スイッチング素子１０のゲートＧ２に供
給される。有機薄膜スイッチング素子１０はそのゲート
電圧に基づき閉状態となり、電流がアノードライン１２
を通じてソースＳからドレインＤ、有機ＥＬ素子２００
のＩＴＯ陽極へ流れ、有機ＥＬ素子２００を発光せしめ
る。
た表示パネル１０９の単位画素の発光制御動作は、つぎ
の通りである。有機薄膜スイッチング素子１１のゲート
電極間にオン電位差が供給されると、有機薄膜スイッチ
ング素子１１はソースＳに供給されるデータの電圧に対
応した電流をソースＳからドレインＤへ流す。有機薄膜
スイッチング素子１１のゲート電極間がオフ電位差であ
ると有機薄膜スイッチング素子１１はいわゆるカットオ
フとなり、有機薄膜スイッチング素子１１のドレインＤ
は開状態となる。従って、有機薄膜スイッチング素子１
１のゲート電極間がオン電位差の期間に、ソースＳの電
圧に基づいた電流でコンデンサ３００が充電され、その
電圧が有機薄膜スイッチング素子１０のゲートＧ２に供
給される。有機薄膜スイッチング素子１０はそのゲート
電圧に基づき閉状態となり、電流がアノードライン１２
を通じてソースＳからドレインＤ、有機ＥＬ素子２００
のＩＴＯ陽極へ流れ、有機ＥＬ素子２００を発光せしめ
る。
【００２６】有機薄膜スイッチング素子１１のゲート電
極間がオフ電位差になると、有機薄膜スイッチング素子
１１は開状態となり、有機薄膜スイッチング素子１０は
コンデンサ３００に蓄積された電荷によりゲートＧ２の
電圧が保持され、次の走査まで電流を維持し、有機ＥＬ
素子２００の発光も維持される。次に、有機ＥＬ素子表
示装置の表示パネル１０９の製造工程を説明する。
極間がオフ電位差になると、有機薄膜スイッチング素子
１１は開状態となり、有機薄膜スイッチング素子１０は
コンデンサ３００に蓄積された電荷によりゲートＧ２の
電圧が保持され、次の走査まで電流を維持し、有機ＥＬ
素子２００の発光も維持される。次に、有機ＥＬ素子表
示装置の表示パネル１０９の製造工程を説明する。
【００２７】図７に示すように、まず、それぞれＩＴＯ
からなるアノードライン１２、データ信号ライン１３、
コンデンサの一方の電極３０１及び第１表示電極の透明
電極（陽極）２０１をガラス基板１上に形成する。デー
タ信号ライン１３の電極３０１に対向する部分に有機薄
膜スイッチング素子１１のソースＳ及びゲートＧ２とな
る領域７ａが存在し、コンデンサ用電極３０１のアノー
ドライン１２に対向する部分に有機薄膜スイッチング素
子１０のゲートＧ２となる領域２ａが存在する。ＩＴＯ
からなるラインを示しているが、ラインの上にＡｌなど
の低い抵抗率の金属を更に積層してもよい。
からなるアノードライン１２、データ信号ライン１３、
コンデンサの一方の電極３０１及び第１表示電極の透明
電極（陽極）２０１をガラス基板１上に形成する。デー
タ信号ライン１３の電極３０１に対向する部分に有機薄
膜スイッチング素子１１のソースＳ及びゲートＧ２とな
る領域７ａが存在し、コンデンサ用電極３０１のアノー
ドライン１２に対向する部分に有機薄膜スイッチング素
子１０のゲートＧ２となる領域２ａが存在する。ＩＴＯ
からなるラインを示しているが、ラインの上にＡｌなど
の低い抵抗率の金属を更に積層してもよい。
【００２８】図８に示すように、ＩＴＯの各導電部を備
えている基板１の上に、発光する有機エレクトロルミネ
ッセンス材料層を含む有機材料層を積層させるために第
１表示電極の透明電極２０１を露出させる開口を有した
感光性ポリイミド等の絶縁層３を成膜する。ここで、有
機薄膜スイッチング素子１１のコンデンサに接続するた
めのドレイン用のコンタクトホール１１ａ及び有機薄膜
スイッチング素子１０のアノードライン１２に接続する
ためのソース用のコンタクトホール１２ａを形成してお
く。
えている基板１の上に、発光する有機エレクトロルミネ
ッセンス材料層を含む有機材料層を積層させるために第
１表示電極の透明電極２０１を露出させる開口を有した
感光性ポリイミド等の絶縁層３を成膜する。ここで、有
機薄膜スイッチング素子１１のコンデンサに接続するた
めのドレイン用のコンタクトホール１１ａ及び有機薄膜
スイッチング素子１０のアノードライン１２に接続する
ためのソース用のコンタクトホール１２ａを形成してお
く。
【００２９】次に、図９に示すように、有機薄膜スイッ
チング素子１１のドレイン電極６及びこれをコンデンサ
にコンタクトホール１１ａを介して接続する導電部６ａ
のＡｌの帯状体と、有機薄膜スイッチング素子１０のゲ
ートＧ２となる領域２ａ上にソース電極５となる端部を
有するＡｌの帯状体５ａと、同じ領域２ａ上にソース電
極６となる端部を有するＡｌの帯状体６ａと、を絶縁層
３上に真空蒸着などで成膜する。Ａｌの帯状体５ａ及び
６ａは、有機薄膜スイッチング素子１０電極となる側の
反対の他端部はアノードライン１２及び第１表示電極の
透明電極２０１にそれぞれ接続されるように、成膜す
る。
チング素子１１のドレイン電極６及びこれをコンデンサ
にコンタクトホール１１ａを介して接続する導電部６ａ
のＡｌの帯状体と、有機薄膜スイッチング素子１０のゲ
ートＧ２となる領域２ａ上にソース電極５となる端部を
有するＡｌの帯状体５ａと、同じ領域２ａ上にソース電
極６となる端部を有するＡｌの帯状体６ａと、を絶縁層
３上に真空蒸着などで成膜する。Ａｌの帯状体５ａ及び
６ａは、有機薄膜スイッチング素子１０電極となる側の
反対の他端部はアノードライン１２及び第１表示電極の
透明電極２０１にそれぞれ接続されるように、成膜す
る。
【００３０】次に、図１０に示すように、正孔輸送層４
ａを基板全面に成膜する。次に、図１１に示すように、
正孔輸送層４ａ上の第１表示電極の透明電極２０１に対
応する上に、所定のＥＬ媒体成膜用マスクを用い、Ｒ、
Ｇ及びＢの発光有機ＥＬ媒体４を所定膜厚に成膜する。
マスク開口が１つの第１表示電極２０１上からその隣接
する第１表示電極上へ配置されるようにマスクを順次移
動せしめ、成膜する。なお、基板表面の平坦化をなすた
めや、コンデンサの容量調整のために、２つの有機薄膜
スイッチング素子、有機ＥＬ媒体以外に、他の誘電体を
その対応部分に成膜することもできる。
ａを基板全面に成膜する。次に、図１１に示すように、
正孔輸送層４ａ上の第１表示電極の透明電極２０１に対
応する上に、所定のＥＬ媒体成膜用マスクを用い、Ｒ、
Ｇ及びＢの発光有機ＥＬ媒体４を所定膜厚に成膜する。
マスク開口が１つの第１表示電極２０１上からその隣接
する第１表示電極上へ配置されるようにマスクを順次移
動せしめ、成膜する。なお、基板表面の平坦化をなすた
めや、コンデンサの容量調整のために、２つの有機薄膜
スイッチング素子、有機ＥＬ媒体以外に、他の誘電体を
その対応部分に成膜することもできる。
【００３１】次に、図１２に示すように、成膜用マスク
を取り除き、Ａｌ−Ｌｉ等の低仕事関数の金属を、成膜
された３種類の有機ＥＬ媒体の上に蒸着、あるいはスパ
ッタ等の手段を用いて陰極の第２表示電極２０３として
成膜する。この金属膜の膜厚は支障のない限り厚く被着
させても構わない。この第２表示電極形成工程では、下
層のアノードライン１２及びデータ信号ライン１３に交
差するように、隣接する第２表示電極２０３を接続する
カソードライン１５や、走査信号ライン１６を同時に成
膜し、更に同時にカソードライン１５に接続するコンデ
ンサの対向電極３０２や、有機薄膜スイッチング素子１
１のゲート電極Ｇ１も成膜する。
を取り除き、Ａｌ−Ｌｉ等の低仕事関数の金属を、成膜
された３種類の有機ＥＬ媒体の上に蒸着、あるいはスパ
ッタ等の手段を用いて陰極の第２表示電極２０３として
成膜する。この金属膜の膜厚は支障のない限り厚く被着
させても構わない。この第２表示電極形成工程では、下
層のアノードライン１２及びデータ信号ライン１３に交
差するように、隣接する第２表示電極２０３を接続する
カソードライン１５や、走査信号ライン１６を同時に成
膜し、更に同時にカソードライン１５に接続するコンデ
ンサの対向電極３０２や、有機薄膜スイッチング素子１
１のゲート電極Ｇ１も成膜する。
【００３２】作製された有機ＥＬ素子表示装置における
有機薄膜スイッチング素子１１及び１０の断面図をそれ
ぞれ図１３及び１４に示す。有機薄膜スイッチング素子
１１、１０及び有機ＥＬ素子２００が略同一平面に形成
されている。このように、本発明によれば有機薄膜スイ
ッチング素子と有機ＥＬ素子アレイを同時に作製するこ
とが可能となり、高精彩なフルカラーディスプレイが実
現できる。
有機薄膜スイッチング素子１１及び１０の断面図をそれ
ぞれ図１３及び１４に示す。有機薄膜スイッチング素子
１１、１０及び有機ＥＬ素子２００が略同一平面に形成
されている。このように、本発明によれば有機薄膜スイ
ッチング素子と有機ＥＬ素子アレイを同時に作製するこ
とが可能となり、高精彩なフルカラーディスプレイが実
現できる。
【００３３】次に、図１５は、第４の実施例における有
機ＥＬ表示装置を示し、有機薄膜スイッチング素子及び
有機ＥＬ素子アレイを搭載した表示パネルを用いた表示
装置のブロック図である。図において、１０１はＡ／Ｄ
変換回路、１０２は演算回路、１０３はフレームメモ
リ、１０４はコントローラ、１０５は走査回路、１０６
は書き込み回路、１０７は電源回路、１０８は電流値メ
モリ、１０９は表示パネルを示す。
機ＥＬ表示装置を示し、有機薄膜スイッチング素子及び
有機ＥＬ素子アレイを搭載した表示パネルを用いた表示
装置のブロック図である。図において、１０１はＡ／Ｄ
変換回路、１０２は演算回路、１０３はフレームメモ
リ、１０４はコントローラ、１０５は走査回路、１０６
は書き込み回路、１０７は電源回路、１０８は電流値メ
モリ、１０９は表示パネルを示す。
【００３４】Ａ／Ｄ変換回路１０１は、アナログ映像信
号入力を受けてデジタル映像信号データに変換する。変
換されたデジタル映像信号はＡ／Ｄ変換回路１０１から
演算回路１０２へ供給され、電流値メモリ１０８からの
データを基にコントローラ１０４の制御により演算処理
をされてフレームメモリ１０３へ供給され、コントロー
ラ１０４の制御により書き込み蓄積される。この演算処
理については後述する。コントローラ１０４は、入力映
像信号の水平及び垂直同期信号に同期してフレームメモ
リ１０３ほか電源回路１０７までの各回路を制御する。
号入力を受けてデジタル映像信号データに変換する。変
換されたデジタル映像信号はＡ／Ｄ変換回路１０１から
演算回路１０２へ供給され、電流値メモリ１０８からの
データを基にコントローラ１０４の制御により演算処理
をされてフレームメモリ１０３へ供給され、コントロー
ラ１０４の制御により書き込み蓄積される。この演算処
理については後述する。コントローラ１０４は、入力映
像信号の水平及び垂直同期信号に同期してフレームメモ
リ１０３ほか電源回路１０７までの各回路を制御する。
【００３５】フレームメモリ１０３に蓄積されたデジタ
ル映像信号データは、コントローラ１０４によって読み
出され、書き込み回路１０６に送られる。また、表示パ
ネルの行及び列すなわち走査信号ライン１６及びデータ
信号ライン１３に接続された走査回路１０５及び書き込
み回路１０６をコントローラ１０４で順次制御すること
により、フレームメモリに蓄積されていた画像に対応し
た表示パネル１０９の有機ＥＬ素子の発光時間を例えば
サブフィールド法等により制御して所望の画像表示が得
られる。電源回路１０７は、表示パネル１０９の全有機
ＥＬ素子への電源をアノードライン１２及びカソードラ
イン１５を介し供給し、コントローラ１０４によって制
御される。また、電流値メモリ１０８は、表示パネル１
０９の各有機ＥＬ素子である有機ＥＬ素子の駆動電流に
対応した値を記憶しておき、コントローラ１０４によっ
て制御される。
ル映像信号データは、コントローラ１０４によって読み
出され、書き込み回路１０６に送られる。また、表示パ
ネルの行及び列すなわち走査信号ライン１６及びデータ
信号ライン１３に接続された走査回路１０５及び書き込
み回路１０６をコントローラ１０４で順次制御すること
により、フレームメモリに蓄積されていた画像に対応し
た表示パネル１０９の有機ＥＬ素子の発光時間を例えば
サブフィールド法等により制御して所望の画像表示が得
られる。電源回路１０７は、表示パネル１０９の全有機
ＥＬ素子への電源をアノードライン１２及びカソードラ
イン１５を介し供給し、コントローラ１０４によって制
御される。また、電流値メモリ１０８は、表示パネル１
０９の各有機ＥＬ素子である有機ＥＬ素子の駆動電流に
対応した値を記憶しておき、コントローラ１０４によっ
て制御される。
【００３６】ここで上記演算処理について説明する。上
述したように電流値メモリ１０８には各有機ＥＬ素子の
駆動電流に対応した値がコントローラ１０４により指示
されたときに記憶される。例えば、表示装置の電源を断
とする前に表示パネル１０９の全有機ＥＬ素子に対しコ
ントローラ１０４から同一輝度データに対応する発光制
御を行う。
述したように電流値メモリ１０８には各有機ＥＬ素子の
駆動電流に対応した値がコントローラ１０４により指示
されたときに記憶される。例えば、表示装置の電源を断
とする前に表示パネル１０９の全有機ＥＬ素子に対しコ
ントローラ１０４から同一輝度データに対応する発光制
御を行う。
【００３７】これは、表示パネル１０９の全有機ＥＬ素
子を同一の定電圧で駆動することを意味する。各有機Ｅ
Ｌ素子はそれぞれ駆動電流に対する発光輝度特性が異な
れば同一電圧の駆動でも異なった発光電流を示す。通常
頻繁に高輝度で発光される有機ＥＬ素子は発光輝度特性
の劣化が他の有機ＥＬ素子よりも進行し、この定電圧駆
動の場合の発光電流が他の有機ＥＬ素子よりも少なくな
る。
子を同一の定電圧で駆動することを意味する。各有機Ｅ
Ｌ素子はそれぞれ駆動電流に対する発光輝度特性が異な
れば同一電圧の駆動でも異なった発光電流を示す。通常
頻繁に高輝度で発光される有機ＥＬ素子は発光輝度特性
の劣化が他の有機ＥＬ素子よりも進行し、この定電圧駆
動の場合の発光電流が他の有機ＥＬ素子よりも少なくな
る。
【００３８】従って、発光輝度特性の劣化が最大の有機
ＥＬ素子の発光電流を基準に他の有機ＥＬ素子の駆動電
流を補正し、補正された発光階調データに基づいて有機
ＥＬ素子の発光時間を制御することにより表示パネル１
０９の全有機ＥＬ素子の発光状態を入力映像信号に正確
に比例した画像表示を得ることが可能となる。上述した
ような方法でコントローラ１０４の制御に従って電流値
メモリ１０８には補正用の電流値が記憶されており、次
に演算回路１０２はコントローラ１０４の制御に従って
所定の記憶された電流値を読み込み、例えば前述した各
有機ＥＬ素子の発光電流が最小の値の基準値によって除
することで基準値に対するレシオを輝度データの補正値
として演算により求める。
ＥＬ素子の発光電流を基準に他の有機ＥＬ素子の駆動電
流を補正し、補正された発光階調データに基づいて有機
ＥＬ素子の発光時間を制御することにより表示パネル１
０９の全有機ＥＬ素子の発光状態を入力映像信号に正確
に比例した画像表示を得ることが可能となる。上述した
ような方法でコントローラ１０４の制御に従って電流値
メモリ１０８には補正用の電流値が記憶されており、次
に演算回路１０２はコントローラ１０４の制御に従って
所定の記憶された電流値を読み込み、例えば前述した各
有機ＥＬ素子の発光電流が最小の値の基準値によって除
することで基準値に対するレシオを輝度データの補正値
として演算により求める。
【００３９】求められた補正値は、発光電流の最小値を
基準値とすることにより１以上の値となる。この求めら
れた各画素に対する補正値で演算回路１０２への入力デ
ジタル映像信号データを除することによって補正された
デジタル映像信号データとしてフレームメモリ１０３へ
供給する。電流値メモリ１０８へ値を送るための電流検
出器は、有機ＥＬ素子２００と直列に接続され、有機Ｅ
Ｌ素子２００に流れる電流を検出する。Ａ／Ｄ変換回路
によりデジタルデータとされた値は電流値メモリ１０８
に記憶される。電流検出器は、有機薄膜スイッチング素
子１０のソースと接地の間に設けても良い。
基準値とすることにより１以上の値となる。この求めら
れた各画素に対する補正値で演算回路１０２への入力デ
ジタル映像信号データを除することによって補正された
デジタル映像信号データとしてフレームメモリ１０３へ
供給する。電流値メモリ１０８へ値を送るための電流検
出器は、有機ＥＬ素子２００と直列に接続され、有機Ｅ
Ｌ素子２００に流れる電流を検出する。Ａ／Ｄ変換回路
によりデジタルデータとされた値は電流値メモリ１０８
に記憶される。電流検出器は、有機薄膜スイッチング素
子１０のソースと接地の間に設けても良い。
【００４０】次に、上記第４の実施例の有機ＥＬ表示装
置に用いられる表示パネル１０９の単位画素及びその１
つの発光部の対応する回路構成をそれぞれ図１６及び図
１７に示す。第４の実施例の表示パネルは、上記第３の
実施例と基本的に同様であるので、図において既述の同
一符号にて示す部材の説明及び発光制御動作は省略す
る。第４の実施例の表示パネルにおいて、カソードライ
ン１５ａ及び１５ｂは、アノードライン１２及びデータ
信号ライン１３と平行になるように設けられている。ま
たカソードライン１５ａ及び１５ｂは、画素アレイの外
部で接続されている。カソードライン１５ａは走査信号
ライン１６と交差するので、走査信号ライン１６の交差
部分を埋め込む構成としてある。カソードライン１５ｂ
は、有機ＥＬ素子２００とアノードライン１２との間に
設けられている。
置に用いられる表示パネル１０９の単位画素及びその１
つの発光部の対応する回路構成をそれぞれ図１６及び図
１７に示す。第４の実施例の表示パネルは、上記第３の
実施例と基本的に同様であるので、図において既述の同
一符号にて示す部材の説明及び発光制御動作は省略す
る。第４の実施例の表示パネルにおいて、カソードライ
ン１５ａ及び１５ｂは、アノードライン１２及びデータ
信号ライン１３と平行になるように設けられている。ま
たカソードライン１５ａ及び１５ｂは、画素アレイの外
部で接続されている。カソードライン１５ａは走査信号
ライン１６と交差するので、走査信号ライン１６の交差
部分を埋め込む構成としてある。カソードライン１５ｂ
は、有機ＥＬ素子２００とアノードライン１２との間に
設けられている。
【００４１】図１７に示すように、コンデンサ３００ｂ
が追加されており、有機薄膜スイッチング素子１０のゲ
ートＧ２に接続されている有機薄膜スイッチング素子１
１のドレインＤが、コンデンサ３００及び３００ｂを通
じてカソードライン１５ａ及び１５ｂにそれぞれ接続さ
れている。コンデンサ３００及び３００ｂを積層して構
成することにより、容量素子をコンパクトにでき、有機
ＥＬ素子２００の表示電極の面積を増やすことができ
る。
が追加されており、有機薄膜スイッチング素子１０のゲ
ートＧ２に接続されている有機薄膜スイッチング素子１
１のドレインＤが、コンデンサ３００及び３００ｂを通
じてカソードライン１５ａ及び１５ｂにそれぞれ接続さ
れている。コンデンサ３００及び３００ｂを積層して構
成することにより、容量素子をコンパクトにでき、有機
ＥＬ素子２００の表示電極の面積を増やすことができ
る。
【００４２】このように構成することにより、赤色Ｒ、
緑色Ｇ及び青色Ｂの３つの発光部の有機ＥＬ素子２００
が別々の走査時に信号が送れるようになる。さらに、
Ｒ、Ｇ及びＢの３つの有機ＥＬ素子の特性の差を補正し
やすくなる。アノードライン１２並びにカソードライン
１５ａ及び１５ｂを介して、別々に順方向電圧及びバイ
アス電圧を供給できるからである。
緑色Ｇ及び青色Ｂの３つの発光部の有機ＥＬ素子２００
が別々の走査時に信号が送れるようになる。さらに、
Ｒ、Ｇ及びＢの３つの有機ＥＬ素子の特性の差を補正し
やすくなる。アノードライン１２並びにカソードライン
１５ａ及び１５ｂを介して、別々に順方向電圧及びバイ
アス電圧を供給できるからである。
【００４３】さらに、有機薄膜スイッチング素子１０及
び１１のキャリア注入用のゲート電極及び中間電極に
は、移動電荷が正孔の場合は電極と有機薄膜の間を正孔
が移動しやすい高仕事関数の良電導性の材料を用い、移
動電荷が電子の場合は電極と有機薄膜の間を電子が移動
しやすい低仕事関数の良電導性の材料を用いる。さら
に、中間電極についてはキャリア注入用の電極と相対す
る側に電荷の逆流を阻止する目的で、移動電荷が正孔の
場合は低仕事関数の材料を、また、移動電荷が電子の場
合は高仕事関数の材料を配置した２層構造の電極とする
こともできる。この構造による有機薄膜と電極との仕事
関数の差により、有機薄膜スイッチング素子のゲート及
びドレインの電位が逆電位になったとしても、コンデン
サからの電荷の漏洩が防止できる。
び１１のキャリア注入用のゲート電極及び中間電極に
は、移動電荷が正孔の場合は電極と有機薄膜の間を正孔
が移動しやすい高仕事関数の良電導性の材料を用い、移
動電荷が電子の場合は電極と有機薄膜の間を電子が移動
しやすい低仕事関数の良電導性の材料を用いる。さら
に、中間電極についてはキャリア注入用の電極と相対す
る側に電荷の逆流を阻止する目的で、移動電荷が正孔の
場合は低仕事関数の材料を、また、移動電荷が電子の場
合は高仕事関数の材料を配置した２層構造の電極とする
こともできる。この構造による有機薄膜と電極との仕事
関数の差により、有機薄膜スイッチング素子のゲート及
びドレインの電位が逆電位になったとしても、コンデン
サからの電荷の漏洩が防止できる。
【００４４】次に、有機ＥＬ素子表示装置の第４の実施
例の表示パネル１０９の製造工程を説明する。図１８に
示すように、まず、それぞれＩＴＯからなるアノードラ
イン１２と、カソードライン１５ａと、カソードライン
１５ａに接続されるコンデンサ３００ｂの一方の電極３
０２ｂと、走査信号ライン１６と、走査信号ライン１６
に接続される有機薄膜スイッチング素子１１のゲート電
極７と、データ信号ライン１３と、第１表示電極の透明
電極（陽極）２０１とを、ガラス基板１上に形成する。
電極３０２ｂ上には有機薄膜スイッチング素子１０のソ
ース電極及びゲート電極が形成されるべき領域５５ａ及
び６６ａが存在する。各ライン上には必要に応じてＡｌ
などの低い抵抗率の金属を更に積層してもよい。
例の表示パネル１０９の製造工程を説明する。図１８に
示すように、まず、それぞれＩＴＯからなるアノードラ
イン１２と、カソードライン１５ａと、カソードライン
１５ａに接続されるコンデンサ３００ｂの一方の電極３
０２ｂと、走査信号ライン１６と、走査信号ライン１６
に接続される有機薄膜スイッチング素子１１のゲート電
極７と、データ信号ライン１３と、第１表示電極の透明
電極（陽極）２０１とを、ガラス基板１上に形成する。
電極３０２ｂ上には有機薄膜スイッチング素子１０のソ
ース電極及びゲート電極が形成されるべき領域５５ａ及
び６６ａが存在する。各ライン上には必要に応じてＡｌ
などの低い抵抗率の金属を更に積層してもよい。
【００４５】次に、図１９に示すように、ＩＴＯの各導
電部を備えている基板１の上に、発光する有機エレクト
ロルミネッセンス材料層を含む有機材料層を積層させる
ために第１表示電極の透明電極２０１を露出させる開口
を有した感光性ポリイミド等の絶縁層３を成膜する。こ
こで、有機薄膜スイッチング素子１１をデータ信号ライ
ン１３へ接続するためのゲート及びソース用のコンタク
トホール１３ｂと、有機薄膜スイッチング素子１０のア
ノードライン１２に接続するためのソース用のコンタク
トホール１２ｂと、走査信号ライン１６をアノードライ
ン１２、カソードライン１５ａ及びデータ信号ライン１
３を絶縁層３を介して跨いで交差させるための接続用コ
ンタクトホール１６ａ及び１６ｂとを絶縁層３に形成し
ておく。
電部を備えている基板１の上に、発光する有機エレクト
ロルミネッセンス材料層を含む有機材料層を積層させる
ために第１表示電極の透明電極２０１を露出させる開口
を有した感光性ポリイミド等の絶縁層３を成膜する。こ
こで、有機薄膜スイッチング素子１１をデータ信号ライ
ン１３へ接続するためのゲート及びソース用のコンタク
トホール１３ｂと、有機薄膜スイッチング素子１０のア
ノードライン１２に接続するためのソース用のコンタク
トホール１２ｂと、走査信号ライン１６をアノードライ
ン１２、カソードライン１５ａ及びデータ信号ライン１
３を絶縁層３を介して跨いで交差させるための接続用コ
ンタクトホール１６ａ及び１６ｂとを絶縁層３に形成し
ておく。
【００４６】次に、図２０に示すように、有機薄膜スイ
ッチング素子１１のドレイン電極６と、これをコンデン
サ３００ｂに接続するための導電部６ａとからなるＡｌ
などの積層帯状体６６を、電極３０２ｂ及びゲート電極
７上にフォトエッチングなどにより成膜する。同時に、
有機薄膜スイッチング素子１０のための領域５５ａ及び
６６ａ上に、それぞれソース電極５となる端部を有する
Ａｌなどの帯状体５ａと、同じくソース電極６となる端
部を有するＡｌなどの帯状体６ａと、を絶縁層３上に真
空蒸着などで成膜する。Ａｌなどの帯状体５ａにおける
有機薄膜スイッチング素子１０の電極となる側の反対の
他端部はコンタクトホール１２ａを介してアノードライ
ン１２に接続され、帯状体６ａの有機薄膜スイッチング
素子１０の電極となる側の反対の他端部は第１表示電極
の透明電極２０１にそれぞれ接続される。これら電極の
成膜工程において、接続用のコンタクトホール１３ｂ
と、コンタクトホール１６ａ及び１６ｂとをＡｌなどの
蒸着により埋め込み、それぞれ接続部１３３ｂ、１６６
ａ及び１６６ｂを同時に形成しておく。
ッチング素子１１のドレイン電極６と、これをコンデン
サ３００ｂに接続するための導電部６ａとからなるＡｌ
などの積層帯状体６６を、電極３０２ｂ及びゲート電極
７上にフォトエッチングなどにより成膜する。同時に、
有機薄膜スイッチング素子１０のための領域５５ａ及び
６６ａ上に、それぞれソース電極５となる端部を有する
Ａｌなどの帯状体５ａと、同じくソース電極６となる端
部を有するＡｌなどの帯状体６ａと、を絶縁層３上に真
空蒸着などで成膜する。Ａｌなどの帯状体５ａにおける
有機薄膜スイッチング素子１０の電極となる側の反対の
他端部はコンタクトホール１２ａを介してアノードライ
ン１２に接続され、帯状体６ａの有機薄膜スイッチング
素子１０の電極となる側の反対の他端部は第１表示電極
の透明電極２０１にそれぞれ接続される。これら電極の
成膜工程において、接続用のコンタクトホール１３ｂ
と、コンタクトホール１６ａ及び１６ｂとをＡｌなどの
蒸着により埋め込み、それぞれ接続部１３３ｂ、１６６
ａ及び１６６ｂを同時に形成しておく。
【００４７】次に、図２１に示すように、電子輸送性及
び又は正孔輸送性の有機物いわゆる有機半導体４１を、
有機薄膜スイッチング素子１０及び１１の電極５及び６
上に薄膜として、成膜する。同時に、同じ材料の有機半
導体４１ａを第２の絶縁膜として、所望の部位に成膜す
る。有機半導体４１の一部はコンデンサ３００ｂの誘電
体層の機能をも果たす。
び又は正孔輸送性の有機物いわゆる有機半導体４１を、
有機薄膜スイッチング素子１０及び１１の電極５及び６
上に薄膜として、成膜する。同時に、同じ材料の有機半
導体４１ａを第２の絶縁膜として、所望の部位に成膜す
る。有機半導体４１の一部はコンデンサ３００ｂの誘電
体層の機能をも果たす。
【００４８】次に、図２２に示すように、コンデンサ３
００及び３００ｂの共通の陽極側となるＡｌなどの電極
３０１を成膜する。電極３０１の有機薄膜スイッチング
素子１０側はそのゲートＧ２の電極７となる。また、電
極３０１の反対側の端部は導電部６ａに接続される。同
時に、有機薄膜スイッチング素子１１となるべき部分に
はＡｌなどからなるソース電極２を、データ信号ライン
１３の接続部１３３ｂに接続させて有機半導体４１の膜
の上に成膜する。
００及び３００ｂの共通の陽極側となるＡｌなどの電極
３０１を成膜する。電極３０１の有機薄膜スイッチング
素子１０側はそのゲートＧ２の電極７となる。また、電
極３０１の反対側の端部は導電部６ａに接続される。同
時に、有機薄膜スイッチング素子１１となるべき部分に
はＡｌなどからなるソース電極２を、データ信号ライン
１３の接続部１３３ｂに接続させて有機半導体４１の膜
の上に成膜する。
【００４９】次に、図２３に示すように、正孔輸送層な
ど有機ＥＬ素子に必要な有機材料の薄膜４の１層又はそ
れ以上を基板全面に成膜する。なお、ここで、埋められ
ている第１表示電極の透明電極２０１に対応する有機材
料薄膜４上に、所定のＥＬ媒体成膜用マスクを用い、
Ｒ、Ｇ及びＢの発光有機ＥＬ媒体４をそれぞれ所定膜厚
に成膜する。なお、基板表面の平坦化をなすためや、コ
ンデンサの容量調整のために、２つの有機薄膜スイッチ
ング素子、有機ＥＬ媒体以外に、他の誘電体をその対応
部分に成膜することもできる。
ど有機ＥＬ素子に必要な有機材料の薄膜４の１層又はそ
れ以上を基板全面に成膜する。なお、ここで、埋められ
ている第１表示電極の透明電極２０１に対応する有機材
料薄膜４上に、所定のＥＬ媒体成膜用マスクを用い、
Ｒ、Ｇ及びＢの発光有機ＥＬ媒体４をそれぞれ所定膜厚
に成膜する。なお、基板表面の平坦化をなすためや、コ
ンデンサの容量調整のために、２つの有機薄膜スイッチ
ング素子、有機ＥＬ媒体以外に、他の誘電体をその対応
部分に成膜することもできる。
【００５０】次に、図２４に示すように、成膜用マスク
を取り除き、Ａｌ−Ｌｉ等の低仕事関数の金属を、成膜
された３種類の有機ＥＬ媒体の上に蒸着、あるいはスパ
ッタ等の手段を用いて陰極の第２表示電極２０３として
成膜する。この金属膜の膜厚は支障のない限り厚く被着
させても構わない。この第２表示電極形成工程では、図
２５に示すように、下層のアノードライン１２及びデー
タ信号ライン１３に交差するように、隣接する第２表示
電極２０３を接続するカソードライン１５ａを同時に成
膜し、更に同時にカソードライン１５に接続するコンデ
ンサの対向電極３０２や、有機薄膜スイッチング素子１
１のゲート電極Ｇ１も成膜する。
を取り除き、Ａｌ−Ｌｉ等の低仕事関数の金属を、成膜
された３種類の有機ＥＬ媒体の上に蒸着、あるいはスパ
ッタ等の手段を用いて陰極の第２表示電極２０３として
成膜する。この金属膜の膜厚は支障のない限り厚く被着
させても構わない。この第２表示電極形成工程では、図
２５に示すように、下層のアノードライン１２及びデー
タ信号ライン１３に交差するように、隣接する第２表示
電極２０３を接続するカソードライン１５ａを同時に成
膜し、更に同時にカソードライン１５に接続するコンデ
ンサの対向電極３０２や、有機薄膜スイッチング素子１
１のゲート電極Ｇ１も成膜する。
【００５１】作製された有機ＥＬ素子表示装置における
有機薄膜スイッチング素子１１及び１０の断面図をそれ
ぞれ図２６に示す。有機薄膜スイッチング素子１１、１
０及び有機ＥＬ素子２００が略同一平面に形成されてい
る。具体的に本実施例及び比較例の有機薄膜スイッチン
グ素子を作製した。まず、比較例として、有機薄膜ＦＥ
Ｔを作製した。ガラス基板上にＡｕのゲート電極を形成
し絶縁層Ｓｉ3Ｎ4で埋め込み、絶縁層の上にＡｕのソー
ス電極とドレイン電極を蒸着し、有機薄膜として１００
〜２００Å膜厚のポリヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）
をメピンコートで成膜する。チャネル長を５μｍチャネ
ル巾を１０００μｍとした時にゲート電圧が−５０Ｖ、
ドレインとソース間電圧が−４０Ｖで２８０μＡの電流
をスイッチングできた。この時、ポリヘキシルチオフェ
ンの導電率は１０-8Ｓ／ｃｍ以下、移動度は０．０５〜
０．１ｃｍ2／Ｖｓ、電流のＯｎ／Ｏｆｆ比は１０6以上
であった。
有機薄膜スイッチング素子１１及び１０の断面図をそれ
ぞれ図２６に示す。有機薄膜スイッチング素子１１、１
０及び有機ＥＬ素子２００が略同一平面に形成されてい
る。具体的に本実施例及び比較例の有機薄膜スイッチン
グ素子を作製した。まず、比較例として、有機薄膜ＦＥ
Ｔを作製した。ガラス基板上にＡｕのゲート電極を形成
し絶縁層Ｓｉ3Ｎ4で埋め込み、絶縁層の上にＡｕのソー
ス電極とドレイン電極を蒸着し、有機薄膜として１００
〜２００Å膜厚のポリヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）
をメピンコートで成膜する。チャネル長を５μｍチャネ
ル巾を１０００μｍとした時にゲート電圧が−５０Ｖ、
ドレインとソース間電圧が−４０Ｖで２８０μＡの電流
をスイッチングできた。この時、ポリヘキシルチオフェ
ンの導電率は１０-8Ｓ／ｃｍ以下、移動度は０．０５〜
０．１ｃｍ2／Ｖｓ、電流のＯｎ／Ｏｆｆ比は１０6以上
であった。
【００５２】有機ＥＬ素子フルカラーディスプレイでは
サブピクセルの寸法が０．１ｍｍ×０．３ｍｍの時に、
１０μＡ以上の電流が流せれば必要な輝度がとれること
から、比較例の有機ＦＥＴはＯｎ／Ｏｆｆ比で１０6を
超えており、チャネル長が５μｍ、チャネル巾が１００
μｍの時に２０μＡ以上の電流が制御できるので性能的
には充分といえるが、駆動電圧が高いのが難点であっ
た。
サブピクセルの寸法が０．１ｍｍ×０．３ｍｍの時に、
１０μＡ以上の電流が流せれば必要な輝度がとれること
から、比較例の有機ＦＥＴはＯｎ／Ｏｆｆ比で１０6を
超えており、チャネル長が５μｍ、チャネル巾が１００
μｍの時に２０μＡ以上の電流が制御できるので性能的
には充分といえるが、駆動電圧が高いのが難点であっ
た。
【００５３】次に、本実施例の具体的な有機薄膜スイッ
チング素子ではゲート電極下に無機絶縁膜を使わずに、
直接キャリアをチャネルに注入する構造になるので、ゲ
ート電圧を低く設定できた。また、チャネル長は有機薄
膜の膜厚方向にとれるので、０．１μｍ以下となり、チ
ャネル巾を２８μｍとし、キャリア注入時の有機薄膜の
キャリア移動度を０．１ｃｍ2／Ｖｓとしたとき、ゲー
ト電圧が７Ｖで１０μＡの電流を流すのに必要なソース
とドレイン間の電圧は０．３６Ｖと極めて低い電圧にな
った。なお、ＥＬ発光部の開口率は約５４％、データ信
号保持用のコンデンサーの容量は０．５８ｐＦとなり、
ライン巾はフォトプロセスの部分が５μｍ以上、蒸着プ
ロセスの部分が１０μｍ以上で構成できた。
チング素子ではゲート電極下に無機絶縁膜を使わずに、
直接キャリアをチャネルに注入する構造になるので、ゲ
ート電圧を低く設定できた。また、チャネル長は有機薄
膜の膜厚方向にとれるので、０．１μｍ以下となり、チ
ャネル巾を２８μｍとし、キャリア注入時の有機薄膜の
キャリア移動度を０．１ｃｍ2／Ｖｓとしたとき、ゲー
ト電圧が７Ｖで１０μＡの電流を流すのに必要なソース
とドレイン間の電圧は０．３６Ｖと極めて低い電圧にな
った。なお、ＥＬ発光部の開口率は約５４％、データ信
号保持用のコンデンサーの容量は０．５８ｐＦとなり、
ライン巾はフォトプロセスの部分が５μｍ以上、蒸着プ
ロセスの部分が１０μｍ以上で構成できた。
【００５４】
【発明の効果】以上の如く本発明によれば、従来の有機
ＥＬ素子表示装置製造方法より工程が少なく、低温プロ
セスを製造を可能とする有機薄膜スイッチング素子を得
ることができる。有機ＥＬ素子とこの有機薄膜スイッチ
ング素子を組み合わせ、さらにメモリー用の容量も有機
薄膜で形成することで、有機薄膜成膜プロセスだけでデ
ィスプレイパネルが作成できる。シリコン基板を使わず
に有機薄膜でスイッチング素子を作成できるので、有機
ＥＬパネルの単純な製造プロセスで、アクティブマトリ
クス駆動方式の有機ＥＬ素子表示装置の大型フルカラー
ディスプレイが作成可能になる。
ＥＬ素子表示装置製造方法より工程が少なく、低温プロ
セスを製造を可能とする有機薄膜スイッチング素子を得
ることができる。有機ＥＬ素子とこの有機薄膜スイッチ
ング素子を組み合わせ、さらにメモリー用の容量も有機
薄膜で形成することで、有機薄膜成膜プロセスだけでデ
ィスプレイパネルが作成できる。シリコン基板を使わず
に有機薄膜でスイッチング素子を作成できるので、有機
ＥＬパネルの単純な製造プロセスで、アクティブマトリ
クス駆動方式の有機ＥＬ素子表示装置の大型フルカラー
ディスプレイが作成可能になる。
【００５５】スイッチング素子により有機ＥＬ素子を個
別に制御できるので、数Ｖの直流での高速スイッチン
グ、低電圧駆動が可能になり、高効率、高輝度、長寿命
のフルカラーディスプレイができる。デジタル駆動方式
なので、今後拡大するデジタルソースに容易に対応でき
るフルカラーディスプレイになる。有機ＥＬ素子は光電
変換機能を持っているので、デジタル駆動方式と合わせ
てインテリジェントなフルカラーディスプレイに展開で
きる可能性がある。
別に制御できるので、数Ｖの直流での高速スイッチン
グ、低電圧駆動が可能になり、高効率、高輝度、長寿命
のフルカラーディスプレイができる。デジタル駆動方式
なので、今後拡大するデジタルソースに容易に対応でき
るフルカラーディスプレイになる。有機ＥＬ素子は光電
変換機能を持っているので、デジタル駆動方式と合わせ
てインテリジェントなフルカラーディスプレイに展開で
きる可能性がある。
【図１】有機ＥＬ素子表示装置の部分拡大断面図。
【図２】有機ＥＬ素子の等価回路を示す図。
【図３】本発明による実施例の有機薄膜スイッチング素
子の概略断面図。
子の概略断面図。
【図４】本発明による他の実施例の有機薄膜スイッチン
グ素子の概略断面図。
グ素子の概略断面図。
【図５】本発明による実施例のアクティブマトリクス駆
動方式の有機ＥＬ素子表示装置における表示パネルの一
部を示す平面図。
動方式の有機ＥＬ素子表示装置における表示パネルの一
部を示す平面図。
【図６】本発明による実施例の有機ＥＬ素子表示装置の
表示パネル上に形成された有機薄膜スイッチング素子及
び有機ＥＬ素子を示す回路図。
表示パネル上に形成された有機薄膜スイッチング素子及
び有機ＥＬ素子を示す回路図。
【図７】本発明による実施例の有機ＥＬ素子表示装置の
表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平面
図。
表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平面
図。
【図８】本発明による実施例の有機ＥＬ素子表示装置の
表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平面
図。
表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平面
図。
【図９】本発明による実施例の有機ＥＬ素子表示装置の
表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平面
図。
表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平面
図。
【図１０】本発明による実施例の有機ＥＬ素子表示装置
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
【図１１】本発明による実施例の有機ＥＬ素子表示装置
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
【図１２】本発明による実施例の有機ＥＬ素子表示装置
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
【図１３】図５の線ＡＡの断面図。
【図１４】図５の線ＢＢの断面図。
【図１５】本発明による実施例の有機ＥＬ素子表示装置
を示すブロック図。
を示すブロック図。
【図１６】本発明による他の実施例のアクティブマトリ
クス駆動方式の有機ＥＬ素子表示装置における表示パネ
ルの一部を示す平面図。
クス駆動方式の有機ＥＬ素子表示装置における表示パネ
ルの一部を示す平面図。
【図１７】本発明による他の実施例の有機ＥＬ素子表示
装置の表示パネル上に形成された有機薄膜スイッチング
素子及び有機ＥＬ素子を示す回路図。
装置の表示パネル上に形成された有機薄膜スイッチング
素子及び有機ＥＬ素子を示す回路図。
【図１８】図１６に示す実施例の有機ＥＬ素子表示装置
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
【図１９】図１６に示す実施例の有機ＥＬ素子表示装置
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
【図２０】図１６に示す実施例の有機ＥＬ素子表示装置
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
【図２１】図１６に示す実施例の有機ＥＬ素子表示装置
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
【図２２】図１６に示す実施例の有機ＥＬ素子表示装置
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
【図２３】図１６に示す実施例の有機ＥＬ素子表示装置
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
【図２４】図１６に示す実施例の有機ＥＬ素子表示装置
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
【図２５】図１６に示す実施例の有機ＥＬ素子表示装置
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
の表示パネルの製造工程における基板の概略部分拡大平
面図。
【図２６】図２５の線ＣＣの断面図。
１ 基板 ２、７ ゲート電極 ３ 絶縁層 ４ 有機薄膜 ５、６ 金属電極 １０、１１ 有機薄膜スイッチング素子 １２ アノードライン １３ データ信号ライン １５ カソードライン １６ 走査信号ライン １０１ Ａ／Ｄ変換回路 １０２ 演算回路 １０３ フレームメモリ １０４ コントローラ １０５ 走査回路 １０６ 書き込み回路 １０７ 電源回路 １０８ 電流値メモリ １０９ 表示パネル ２００ 有機ＥＬ素子 ３００、３００ｂ コンデンサ
Claims (12)
- 【請求項１】 互いに積層された絶縁膜と有機物からな
る有機薄膜とからなる積層体を挟む一対の対向するゲー
ト電極と、前記有機薄膜と前記絶縁膜との間に配置され
た中間電極と、からなることを特徴とする有機薄膜スイ
ッチング素子。 - 【請求項２】 前記有機物は絶縁性有機化合物であるこ
とを特徴とする請求項１記載の有機薄膜スイッチング素
子。 - 【請求項３】 前記有機物は少なくとも電子輸送性及び
正孔輸送性の一方の材料であることを特徴とする請求項
２記載の有機薄膜スイッチング素子。 - 【請求項４】 前記中間電極は前記ゲート電極間の前記
有機薄膜及び前記絶縁膜間の界面に配置された互いに離
間する一対の対向電極からなることを特徴とする請求項
１〜３のいずれか１記載の有機薄膜スイッチング素子。 - 【請求項５】 複数の発光部からなる表示配列を有して
いる有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置であっ
て、 前記発光部に対応する複数の第１表示電極が表面上に形
成された基板と、 前記第１表示電極の各々上に形成され、少なくとも１層
の電子及び又は正孔の注入によって発光する有機エレク
トロルミネッセンス材料層を含む有機材料層と、 前記有機材料層上に共通に形成された第２表示電極と、 前記基板上に形成されかつ前記第１及び２表示電極の少
なくとも一方に接続されかつ、互いに積層された絶縁膜
及び有機物からなる有機薄膜を挟む一対の対向するゲー
ト電極、並びに、前記ゲート電極間の前記有機薄膜及び
前記絶縁膜間の界面に配置された中間電極からなる有機
薄膜スイッチング素子と、からなることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子表示装置。 - 【請求項６】 前記有機薄膜スイッチング素子の前記有
機物からなる有機薄膜は前記有機材料層の一部からなる
ことを特徴とする請求項５記載の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子表示装置。 - 【請求項７】 前記発光部はマトリクス状に配置された
ことを特徴とする請求項５又は６記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子表示装置。 - 【請求項８】 前記基板上に形成されかつ前記第１及び
２表示電極並びに前記有機薄膜スイッチング素子の少な
くとも一方に接続されたコンデンサを有することを特徴
とする請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子表示装置。 - 【請求項９】 前記基板及び前記第１表示電極が透明で
あることを特徴とする請求項５記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子表示装置。 - 【請求項１０】 前記有機薄膜スイッチング素子の前記
中間電極は前記ゲート電極間の前記有機薄膜及び前記絶
縁膜間の界面に配置された互いに離間する一対の対向電
極からなることを特徴とする請求項５〜９のいずれか１
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置。 - 【請求項１１】 前記有機薄膜スイッチング素子の前記
中間電極及びキャリア注入用の前記ゲート電極は、キャ
リアが正孔の場合は高仕事関数を有する材料からなり、
キャリアが電子の場合は低仕事関数を有する材料からな
ることを特徴とする請求項５〜１０のいずれか１記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置。 - 【請求項１２】 前記有機薄膜スイッチング素子の前記
中間電極は、前記有機薄膜と略等しい仕事関数を有する
材料からなる第１層とこれより高い仕事関数を有する材
料からなる第２層とからなる積層体、或いはこれより低
い仕事関数を有する材料からなる第２層とからなる積層
体からなることを特徴とする請求項１１記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05610299A JP3850005B2 (ja) | 1999-03-03 | 1999-03-03 | スイッチング素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置 |
| DE60034612T DE60034612T2 (de) | 1999-03-03 | 2000-02-29 | Schaltelement und elektrolumineszente Anzeigevorrichtung |
| EP00103455A EP1033765B1 (en) | 1999-03-03 | 2000-02-29 | Switching element and electroluminescence element display device |
| US09/517,732 US6836067B1 (en) | 1999-03-03 | 2000-03-02 | Switching element having insulative film and organic film and electroluminescent element display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05610299A JP3850005B2 (ja) | 1999-03-03 | 1999-03-03 | スイッチング素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000252550A true JP2000252550A (ja) | 2000-09-14 |
| JP3850005B2 JP3850005B2 (ja) | 2006-11-29 |
Family
ID=13017750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05610299A Expired - Fee Related JP3850005B2 (ja) | 1999-03-03 | 1999-03-03 | スイッチング素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6836067B1 (ja) |
| EP (1) | EP1033765B1 (ja) |
| JP (1) | JP3850005B2 (ja) |
| DE (1) | DE60034612T2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002334790A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| JP2005056871A (ja) * | 2002-07-22 | 2005-03-03 | Ricoh Co Ltd | 能動素子並びにそれを有するｅｌ表示素子、液晶表示素子及び演算素子 |
| JP2005135929A (ja) * | 2001-02-19 | 2005-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| WO2005051045A1 (ja) * | 2003-10-27 | 2005-06-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子 |
| US7423382B2 (en) | 2001-05-10 | 2008-09-09 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Light-emitting body, light emitting device and light-emitting display |
| WO2008126449A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Pioneer Corporation | 複合型有機発光トランジスタ素子およびその製造方法 |
| JP2010028123A (ja) * | 2000-11-28 | 2010-02-04 | Merck Patent Gmbh | 電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法 |
| US8866184B2 (en) | 2001-02-19 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677613B1 (en) * | 1999-03-03 | 2004-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP2001092413A (ja) | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置および電子装置 |
| TW540251B (en) | 1999-09-24 | 2003-07-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and method for driving the same |
| US6876145B1 (en) | 1999-09-30 | 2005-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
| JP2001318627A (ja) | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US8610645B2 (en) | 2000-05-12 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US6825820B2 (en) | 2000-08-10 | 2004-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| EP1246244A3 (en) * | 2001-03-30 | 2007-02-14 | Pioneer Corporation | Organic electroluminescence unit |
| EP1402758A4 (en) * | 2001-06-08 | 2007-10-31 | Byoung Choo Park | ORGANIC LED IN TROIS BORNES |
| EP1376697A1 (en) * | 2002-06-17 | 2004-01-02 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA | Integrated-optical microsystem based on organic semiconductors |
| US7352133B2 (en) | 2002-08-05 | 2008-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| TWI354975B (en) | 2002-09-05 | 2011-12-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and driving method thereof |
| US7298350B2 (en) * | 2002-09-26 | 2007-11-20 | Seiko Epson Corporation | Image forming apparatus |
| JP2004119342A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Pioneer Electronic Corp | 有機ｅｌ積層型有機スイッチング素子及び有機ｅｌディスプレイ |
| AU2003301713A1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-05-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Switching apparatus, electric field applying method and switching system |
| DE60320765D1 (de) * | 2003-05-23 | 2008-06-19 | Barco Nv | Verfahren zur Anzeige von Bildern auf einer Grossbildschirmanzeige aus organischen Leuchtdioden sowie die dazu verwendete Anzeige |
| US7071614B2 (en) * | 2003-06-30 | 2006-07-04 | Organic Lighting Technologies Llc | Electron and hole modulating electrodes in organic light emitting diodes |
| WO2005078353A1 (en) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Kls Venture Holding Limited | Self cleaning filter assembly and circulation system |
| KR101090250B1 (ko) * | 2004-10-15 | 2011-12-06 | 삼성전자주식회사 | 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 |
| JP4602920B2 (ja) | 2005-03-19 | 2010-12-22 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機薄膜トランジスタ、それを備えた平板ディスプレイ装置、及び有機薄膜トランジスタの製造方法 |
| KR100768199B1 (ko) * | 2006-01-02 | 2007-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치 |
| JP2009021477A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法、ならびに表示装置およびその製造方法 |
| WO2014102625A1 (en) * | 2012-12-24 | 2014-07-03 | Indian Institute Of Technology Kanpur | Thin film transistor with a current-induced channel |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2953769C2 (de) * | 1978-02-08 | 1985-02-14 | Sharp K.K., Osaka | Flüssigkristall-Anzeigematrix mit Dünnfilmtransistor-Anordnung |
| US4963503A (en) * | 1984-04-09 | 1990-10-16 | Hosiden Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing liquid crystal display device |
| US5107308A (en) * | 1986-07-04 | 1992-04-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Field-effect transistor |
| JPH01259564A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果型トランジスタ |
| US5892244A (en) * | 1989-01-10 | 1999-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor |
| JP2813428B2 (ja) * | 1989-08-17 | 1998-10-22 | 三菱電機株式会社 | 電界効果トランジスタ及び該電界効果トランジスタを用いた液晶表示装置 |
| US5206525A (en) * | 1989-12-27 | 1993-04-27 | Nippon Petrochemicals Co., Ltd. | Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials |
| JP3246189B2 (ja) * | 1994-06-28 | 2002-01-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体表示装置 |
| US5621069A (en) * | 1994-10-11 | 1997-04-15 | Lucent Technologies Inc. | Method for preparation of conjugated arylene and hetroarylene vinylene polymers |
| US5684365A (en) * | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
| DE19712233C2 (de) * | 1996-03-26 | 2003-12-11 | Lg Philips Lcd Co | Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür |
| JPH10199674A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-07-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動方法、有機エレクトロルミネッセンス装置及び表示装置 |
| JP3541625B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びアクティブマトリクス基板 |
| JP3469764B2 (ja) * | 1997-12-17 | 2003-11-25 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
-
1999
- 1999-03-03 JP JP05610299A patent/JP3850005B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
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- 2000-03-02 US US09/517,732 patent/US6836067B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010028123A (ja) * | 2000-11-28 | 2010-02-04 | Merck Patent Gmbh | 電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法 |
| JP2002334790A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| JP2005135929A (ja) * | 2001-02-19 | 2005-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| US8866184B2 (en) | 2001-02-19 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9502679B2 (en) | 2001-02-19 | 2016-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9768405B2 (en) | 2001-02-19 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9954196B2 (en) | 2001-02-19 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7423382B2 (en) | 2001-05-10 | 2008-09-09 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Light-emitting body, light emitting device and light-emitting display |
| JP2005056871A (ja) * | 2002-07-22 | 2005-03-03 | Ricoh Co Ltd | 能動素子並びにそれを有するｅｌ表示素子、液晶表示素子及び演算素子 |
| WO2005051045A1 (ja) * | 2003-10-27 | 2005-06-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子 |
| WO2008126449A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Pioneer Corporation | 複合型有機発光トランジスタ素子およびその製造方法 |
| US8093586B2 (en) | 2007-03-30 | 2012-01-10 | Pioneer Corporation | Hybrid organic light-emitting transistor device and manufacturing method thereof |
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