JP4610343B2 - 発光装置及びその作製方法 - Google Patents

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Description

本明細書で開示する発明は、有機化合物を含む発光層を有する発光装置、その装置の作製方法、又はその装置を部品として搭載した電子機器に関する。本明細書中に記載の発光装置とは、例えばＥＬディスプレイである。
近年、自発光型の素子としてＥＬ素子を有した発光装置の研究が活発化しており、特に、ＥＬ材料として有機材料を用いた発光装置が注目されている。この発光装置はＥＬディスプレイとも呼ばれている。なお、ＥＬ素子は、電場を加えることで発生するルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）が得られる有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）と、陽極と、陰極とを有する。ルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがある。
ＥＬ素子は一対の電極間にＥＬ層が挟まれた構造となっているが、ＥＬ層は通常、積層構造となっている。代表的には「正孔輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げられる。この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進められている発光装置は殆どこの構造を採用している。
また、他にも陽極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する構造も良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。
また、これらの層は、低分子系の材料を用いて形成しても良いし、高分子系の材料を用いて形成しても良い。
なお、ここでは陰極と陽極との間に設けられる全ての層を総称してＥＬ層という。したがって、上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層は、全てＥＬ層に含まれるものとする。
また、陰極、ＥＬ層及び陽極で形成される発光素子をＥＬ素子といい、これには、互いに直交するように設けられた２種類のストライプ状電極の間にＥＬ層を形成する方式（単純マトリクス方式）、又はＴＦＴに接続されマトリクス状に配列された画素電極と対向電極との間にＥＬ層を形成する方式（アクティブマトリクス方式）の２種類がある。しかし、画素密度が増えた場合には、画素（又は１ドット）毎にスイッチが設けられているアクティブマトリクス型の方が低電圧駆動できるので有利であると考えられている。
また、ＥＬ素子は極めて劣化しやすく、酸素もしくは水の存在により容易に酸化もしくは吸湿して劣化するため、ＥＬ素子における発光輝度の低下や寿命が短くなる問題がある。そこで、従来では、ＥＬ素子に対向基板を被せて内部にドライエアを封入し、さらに乾燥剤を貼り付けることによって、ＥＬ素子への酸素の到達、もしくは水分の到達を防止している。素子が形成されている基板と対向基板とは、シール剤により接着され貼り合わされている（例えば特許文献１）。
このようにＥＬ素子の形成されている基板と対向基板とをシール剤により貼り合わせる工程を封止あるいは封止工程と呼ぶ。
また、ＥＬ材料はＵＶ照射によりダメージをうけるため、発光素子における発光輝度の低下や寿命が短くなる問題がある。
また、ＥＬ素子の構造は、基板上の電極が陽極として形成され、陽極上に有機化合物層が形成され、有機化合物層上に陰極が形成されるＥＬ素子を有し、有機化合物層において生じた光を透明電極である陽極からＴＦＴの方へ取り出す（以下、下面出射構造とよぶ）というものであった。
特開２００２−３５２９５１
上記下面出射構造では、ＥＬ素子に対向基板を被せることが可能であるが、基板上の電極を陽極として形成し、陽極上に有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層上に透明電極である陰極を形成するという構造（以下、上面出射構造とよぶ）とする場合には、光を遮断する材料で形成された対向基板を適用することができない。これは上面および下面から同時に出射する両面出射構造においても同様である。下面出射構造に比べて、上面出射構造および両面出射構造は、有機化合物を含む層から発光する光が通過する材料層を少なくでき、屈折率の異なる材料層間での迷光を抑えることができる。また、下面出射構造では、乾燥剤が吸湿しないようにするため、乾燥剤の取り扱いに細心の注意が必要であり、封入する際には素早く作業をする必要があった。また、上面出射構造および両面出射構造では、画素部上に乾燥剤を配置すると、表示の邪魔になる。
またＥＬ素子の形成されている基板と対向基板とは、ＵＶ硬化性あるいは熱硬化性のシール剤により接着されており、ＥＬ素子は、シール剤、対向基板、基板により密閉された空間内に存在している。この空間内には水および酸素が存在しないこと、および侵入しないことが好ましく、水および酸素が存在した場合、ＥＬ素子が劣化してしまう問題がある。シール剤はシール材とも表現される。
またＵＶ硬化性のシール剤と熱硬化性のシール剤とでは、硬化が迅速なこと、装置規模が小さくて済むことなどの理由によりＵＶ硬化性のシール剤のほうが量産化に有利である。そのため量産化のための封止装置では、シール硬化の機能としてＵＶ照射機能のみを持つ封止装置も多く存在するが、その場合、熱硬化性のシール剤を使用することが出来ない。
また、ＥＬ素子はＵＶ照射や熱衝撃によりダメージをうけるため、ＥＬ素子における発光輝度の低下や寿命が短くなる問題がある。
硬化前のシール剤同士が長時間接していると混合してしまい型くずれが生じる恐れがある。また混合したシール剤は混合部が均一に硬化しないため接着強度が低下する恐れがある。
そこで本明細書で開示する発明は、上記問題点を克服するとともに、ＥＬ素子への酸素の到達、もしくは水分の到達を防止する構造とした発光装置およびその作製方法を提供することを課題とする。また、下面出射構造だけではなく上面出射構造および両面出射構造において、乾燥剤を封入することなく、かつＵＶ照射機能のみを持つ封止装置を用いてもＥＬ素子にＵＶ照射によるダメージを与えず全てのシール剤を硬化させ、ＥＬ素子を封止することも課題とする。
本明細書で開示する発明は、少なくとも一方が透光性である一対の基板間に、第１の電極と該第１の電極上に接する有機化合物層と該有機化合物層上に接する第２の電極とを有するＥＬ素子を複数有する画素部を備えた発光装置であって、その画素部を囲む第１のシール剤と、該第１のシール剤によって囲まれた領域にその画素部の全面を覆うように設けられた第２のシール剤とを有し、第１のシール剤と第２のシール剤とで一対の基板が固定された構造とする。第１のシール剤として一対の基板間隔を保持するギャップ材（フィラー、微粒子など）を含むシール剤を、第２のシール剤として透明なシール剤を用いることができる。上記ＥＬ素子からの発光は、第２のシール剤と上記一対の基板の一方を透過して放出される。その一対の基板の一方を透明な封止基板、他方の基板を上記ＥＬ素子が設けられた基板として、これらの基板を貼り合わせた上面出射構造とすることができる。さらに、そのＥＬ素子からの発光は、第２のシール剤とその一対の基板の一方を透過して放出されると共に、他方の基板を透過して放出されるようにしてもよい。
上記第１のシール剤のシールパターン形状を、四角形状、円形状、半円形状など空気の逃げ道のない形状にし、第２のシール剤を滴下して２枚の基板を貼りあわせた場合、角に気泡が残る恐れがある。
そこで本明細書で開示する発光装置では、図１及び図２に示すように、画素部を囲む第１のシール剤は、その画素部を挟むように設けられた一対の第１のパターンと、その画素部と一対の第１のパターンを囲む第２のパターンからなり、一対の第１のパターン間は少なくとも第２のシール剤により充填されている。一対の第１のパターンとは例えば２本の線状パターンであり、第２のパターンとは例えば四角形状パターンであり、四角状パターンの角は湾曲していてもよい。この第２シール剤は熱硬化性の樹脂であり、ギャップ材は含まず、熱硬化後には透光性を有する。また一対の基板を貼り合わせる前において、一対の第１のパターンに沿って存在する、第２のパターンの２辺それぞれの中点付近は、図２（Ａ）に示すようにわずかながら離れており、一対の基板を貼り合わる際に結合するようになっている。第２のパターンを角が湾曲した形状にすると、張り合わせの際、角に気泡が形成されないようになる。
また、一対の第１パターンの両端は第２パターンに接しておらず、一対の第１のパターンの両端と第２のパターン間が開口している。この開口部は画素部の四隅付近または第２のパターンの四隅付近に存在しており、この開口部を設けることで、第２のシール剤を用いて２枚の基板を貼りあわせる際、開口部の方向に第２のシール剤が押し出され、画素部上に気泡が混入することなく封止することができる。また、気泡が混入しないように封止側の基板の表面は平坦性の優れた滑らかなものとすることが好ましい。
また塗布直後の第２のシール剤は第１シール剤よりも高さがあるため、２枚の基板を貼り合わせる際、第１シール剤よりも先に押しつぶされながら画素部を覆うように広がっていく。このとき一対の第１パターンが存在することで、画素部を確実に第２のシール剤で充填することが出来る。また、第２のシール剤が画素部の全面に広がったあとに第１のシール剤が伸び、このとき一対の第１パターンに沿って存在する、第２パターンの２辺それぞれの中点付近の隙間が塞がるようになっている。このとき第２のシール剤は、第１のシール剤により完全に外気から遮断されている。そのため第１のシール剤および第２のシール剤の両方により、ＥＬ素子への水あるいは酸素の到達を防止できる。
２枚の基板を貼り合わせた後、第１のシール剤がＵＶ照射により先に硬化し、次いで第２のシール剤が加熱により硬化する。第２のシール剤は硬化のために長時間加熱させるが、第１のシール剤はすでに硬化しているので第２のシール剤と混合することはない。
また、ＵＶ照射している間は、画素部に遮光マスクなどをつけ、選択的に画素部にＵＶが照射されないようにする。
また、封止工程では基板貼り合わせの際、シール剤が完全に硬化するまで、基板間のシール剤が潰れる方向に、基板面を垂直にプレスし続ける。
本明細書で開示する発明では第１のシール剤が硬化した後の、第２シール剤硬化のための加熱工程における長時間のプレスを必要としない。つまり、通常、封止工程では基板貼り合わせの際にシールが硬化するまで基板をプレスし続けなければならないが、本発明ではＵＶ照射により第１のシール剤が先に硬化してしまった後では基板間のギャップは常に保たれた状態となりプレスの必要が無くなる。そのため、封止装置がＵＶ硬化性シール剤専用のものにおいても、ＵＶ硬化性シール剤および熱硬化性シール剤共用のものにおいても封止することが出来る。
また、上面出射構造および両面出射構造のＥＬ素子の封止においては、画素部を覆う第２のシール剤にはＵＶ照射を行わず、加熱により硬化させる。そのため、画素部がＵＶ照射によるダメージを受けることがないため、これによりＥＬ素子における発光輝度の低下や寿命が短くなる問題がなくなる。
本明細書で開示する発明により、上面出射構造および両面出射構造の封止工程の際、ＵＶ照射機能のみを有する封止装置においても、ＥＬ素子にＵＶ照射によるダメージを与えることなく、画素部を覆うシール剤を硬化させることが出来る。従って、信頼性の高い発光装置を得ることが出来る。
また、画素部周辺の第１のシール剤を第２シール剤よりも先に、ＵＶ照射により短時間で硬化させるため、第１のシール剤硬化後、第１のシール剤と第２のシール剤とが長時間接していても両者が混合することがないので、型くずれせず、接着強度が落ちることがない。従って、信頼性の高い発光装置を得ることが出来る。
また、第１シール剤の前記第２パターンは切れ目がないため、第１のシール剤により第２のシール剤を完全に外気と遮断することで、第１のシール剤および第２のシール剤の両方により、ＥＬ素子への水あるいは酸素の到達を防止できる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることが出来る。
本明細書で開示する発明の実施形態について以下に示す。
（実施の形態１）
図１は、本明細書で開示する発明を実施したアクティブマトリクス型の発光装置の上面図である。
図１（Ａ）において、１１は第１基板、１２は第２基板、１３は画素部、１４は駆動回路部、１５は端子部、１６ａと１６ｂは第１シール剤、１７ａは第２シール剤である。
第１基板１１の材料としては、特に限定されないが、第２基板１２と貼り合わせるため、熱膨張係数が同一のものとすることが好ましい。下面出射型とする場合には、透光性を有する基板、例えばガラス基板、石英基板、プラスチック基板とする。また、上面出射型とする場合には、半導体基板や金属基板をも用いることができる。また、両面出射型とする場合にも基板が透光性を有するものとする。第１基板１１には、ＥＬ素子を複数有する画素部１３、駆動回路部１４、端子部１５が設けられている。
ここでは、画素部１３と駆動回路部１４とを囲んで、１６ａと１６ｂで示される第１のシール剤が配置される例を示している。また、第１のシール剤の一部は、端子部１５（または端子電極から延びた配線）と重なっている。なお、第１のシール剤は、一対の基板間隔を維持するためのギャップ材が含まれている。ギャップ材が含まれているため、なんらかの荷重が加えられた場合にショートなどが生じないよう第１のシール剤と素子（ＴＦＴなど）とが重ならないようにすることが好ましい。
また、第１のシール剤は、一対の第１パターン１６ａと第２パターン１６ｂからなる。一対の第１パターン１６ａは線状であり、第２パターン１６ｂの内側に設けられる。第２パターン１６ｂの上面形状は四角形状であり、画素部１３および一対の第１パターン１６ａを囲んでいる。四角形状の第２パターン１６ｂの角は湾曲していてもよい。第２パターン１６ｂの四隅付近、つまり一対の第１パターン１６ａの端部と第２パターン１６ｂの間には開口部１８がある。言い換えると、第１のシール剤は、２本の線状パターンが画素部を挟むように配置され、且つそれを囲むように角の湾曲した四角形状パターンが配置されている。
また、第１のシール剤の、一対の第１パターン１６ａ間には、少なくとも第２のシール剤１７ａが充填されている。一対の基板は、画素部を囲んで配置される１６ａと１６ｂで示される第１のシール剤と、該第１のシール剤に接し且つ前記画素部を覆う第２のシール剤１７ａとで固定されている。つまり第２のシール剤は、第１のシール剤により完全に外気から遮断されている。
また、第２のシール剤は、硬化後には透光性を有する材料とし、ギャップ材も含んでいないため、第１のシール剤よりも透光性が高い。この第２のシール剤１７ａは、一対の第１パターンの端部と第２パターンの間にある開口部１８から突出している。
第２のシール剤１７ａが図１（Ａ）に示す形状となるしくみを図２を用いて以下に説明する。図２（Ａ）には、貼りあわせる前の封止基板（第２の基板２２）の上面図の一例を示している。図２（Ａ）では一枚の基板から１つの画素部を有する発光装置を形成する例を示している。
まず、第２の基板２２上にディスペンサーを用いて２６ａと２６ｂで示される第１シール剤を形成した後、第１シール剤の一対の第１パターン２６ａ間に第１シール剤よりも粘度の低い第２シール剤２７ａを滴下する。なお、滴下した状態での上面図が図２（Ａ）に相当する。次いで、第２の基板をＥＬ素子を備えた画素部２３を有する第１の基板と貼りあわせる。本実施の形態では、第１の基板には更に駆動回路部２４と端子部２５が設けられている。第１の基板と第２の基板を貼り合せた直後の上面図を図２（Ｂ）に示す。第１シール剤の粘度は高いため、貼り合せた際にわずかしか広がらないが、第２シール剤の粘度は低いため、貼り合せた際、図２（Ｂ）に示すように第２シール剤は平面的に素早く広がることとなる。
第２シール剤は、第１シール剤の一対の第１パターン２６ａの端部と第２パターン２６ｂの間にある開口部２８から、図２（Ｂ）中の矢印αの方向に押し出される。そのことによって、第２シール剤が充填される領域に気泡が存在しないようにすることができる。２６ａと２６ｂで示される第１シール剤は第２シール剤２７ｂと接してもすぐには混ざることはなく、第１シール剤は第２シール剤と混合しなければ第２シール剤によって形成位置は変化しない粘度を有している。
図２（Ｂ）では、第２シール剤２７ｂは前記開口部２８から突出しており、突出している前記第２シール剤２７ｂの周縁は湾曲している。第１シール剤の前記第２パターン２６ｂは、第１の基板と第２の基板を貼り合わせる際に図２（Ｂ）の矢印βの方向に伸びて完全につながるため、第２シール剤２７ｂは完全に外気から遮断されており、酸素や水分のブロッキングが実現できる。また、トータルの接着面積も増大するため、貼り合わせ強度も増加する。なお、ここでは第２の基板２２に第１のシール剤または第２のシール剤を形成した後、基板を貼りあわせる例を示したが、特に限定されず、素子が形成されている第１の基板に第１のシール剤または第２のシール剤を形成してもよい。
次いで、ＵＶ照射を行って第１シール剤を硬化させる。この際、遮光マスクなどを用いてＵＶ照射から選択的に画素部を保護する。なお、本実施例では、遮光マスクは石英ガラス上にＣｒ膜が成膜されたものを用いた。その後、加熱により第２シール剤を硬化させる。このときの加熱温度はＥＬ素子がダメージを受けない程度にする。具体的には６０℃から１００℃の間が好ましい。また加熱時間は１時間から３時間が好ましい。
次いで、第２基板２２の一部を分断する。図２（Ｂ）には鎖線で示したライン２９が基板分断ラインとなる。分断する際には、端子部２５上に形成された第１シール剤の前記第２パターン２６ｂに沿って平行に分断ラインを設定すればよい。以上に示した手順に従えば、図１（Ａ）に示す第２シール剤１７ａの形状を得ることができる。
また、図１（Ａ）では第２シール剤１７ａが開口部１８から突出している例を示したが、第２シール剤の粘度や量や材料を適宜変更することによって、様々な形状とすることができる。また、プレスの時間、速度、圧力などを調整することにより様々な形状とすることができる。
例えば、図１（Ｂ）において第２のシール剤１７ｂは開口部から突出しておらず、ちょうど第２のシール剤の周縁が、弧を描いて第１のシール剤の隙間を埋めている形状となっている。また、図１（Ｃ）に示すように、第２のシール剤１７ｃの周縁が前記開口部から凹んで湾曲している形状としてもよい。
また、第１のシール剤の前記第１パターンは線状に限定されず、画素部を挟んで一対のパターンがそれぞれ対称に配置されていればよく、第１のシール剤の前記第２パターンは四角形状に限定されず、一対の基板を貼り合わせた際に切れ目のない状態であればよい。例えば、貼りあわせる際、粘度の低い第２のシール剤が広がりやすいように第１のシール剤の形状を若干湾曲させてもよい。
（実施の形態２）
ここでは本明細書で開示する発明の画素部における断面構造の一部を図３に示す。
図３（Ａ）において、３００は第１の基板、３０１ａ、３０１ｂは絶縁層、３０２はＴＦＴ、３０８が第１の電極、３０９は絶縁物、３１０はＥＬ層、３１１は第２の電極、３１２は透明保護層、３１３は第２のシール剤、３１４は第２の基板である。
第１の基板３００上に設けられたＴＦＴ３０２（ｐチャネル型ＴＦＴ）は、発光するＥＬ層３１０に流れる電流を制御する素子であり、３０４はドレイン領域（またはソース領域）である。また、３０６は第１の電極とドレイン領域（またはソース領域）とを接続するドレイン電極（またはソース電極）である。また、ドレイン電極３０６と同じ工程で電源供給線やソース配線などの配線３０７も同時に形成される。ここでは第１電極とドレイン電極とを別々に形成する例を示したが、同一としてもよい。第１の基板３００上には下地絶縁膜（ここでは、下層を窒化絶縁膜、上層を酸化絶縁膜）となる絶縁層３０１ａが形成されており、ゲート電極３０５と活性層との間には、ゲート絶縁膜が設けられている。また、３０１ｂは有機材料または無機材料からなる層間絶縁膜である。また、ここでは図示しないが、一つの画素には、他にもＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴ）を一つ、または複数設けている。また、ここでは、一つのチャネル形成領域３０３を有するＴＦＴを示したが、特に限定されず、複数のチャネルを有するＴＦＴとしてもよい。
また、３０８は、第１の電極、即ち、ＯＬＥＤの陽極（或いは陰極）である。第１の電極３０８の材料としては、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＳｉＸＮＹ、Ｎｉ、Ｗ、ＷＳｉＸ、ＷＮＸ、ＷＳｉＸＮＹ、ＮｂＮ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、またはＭｏから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積層膜を総膜厚１００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で用いればよい。ここでは、第１の電極３０８として窒化チタン膜を用いる。窒化チタン膜を第１の電極３０８として用いる場合、表面にＵＶ照射や塩素ガスを用いたプラズマ処理を行って仕事関数を増大させることが好ましい。
また、第１の電極３０８の端部（および配線３０７）を覆う絶縁物３０９（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）を有している。絶縁物３０９としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはこれらの積層などを用いることができるが、ここでは窒化シリコン膜で覆われた感光性の有機樹脂を用いる。例えば、有機樹脂の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物の上端部のみに曲率半径を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、あるいは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
また、有機化合物を含む層３１０は、蒸着法または塗布法を用いて形成する。なお、信頼性を向上させるため、有機化合物を含む層３１０の形成前に真空加熱を行って脱気を行うことが好ましい。例えば、蒸着法を用いる場合、真空度が５×１０−２Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下、好ましくは１０−４〜１０−６Ｐａまで真空排気された成膜室で蒸着を行う。蒸着の際、予め、抵抗加熱により有機化合物は気化されており、蒸着時にシャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。気化された有機化合物は、上方に飛散し、メタルマスクに設けられた開口部を通って基板に蒸着される。
例えば、Ａｌｑ３、部分的に赤色発光色素であるナイルレッドをドープしたＡｌｑ３、Ａｌｑ３、ｐ−ＥｔＴＡＺ、ＴＰＤ（芳香族ジアミン）を蒸着法により順次積層することで白色を得ることができる。
また、スピンコートを用いた塗布法により有機化合物を含む層を形成する場合、塗布した後、真空加熱で焼成することが好ましい。例えば、正孔注入層として作用するポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を全面に塗布、焼成し、その後、発光層として作用する発光中心色素（１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノ−スチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ１）、ナイルレッド、クマリン６など）ドープしたポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）溶液を全面に塗布、焼成すればよい。なお、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは溶媒に水を用いており、有機溶剤には溶けない。従って、ＰＶＫをその上から塗布する場合にも、再溶解する心配はない。また、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとＰＶＫは溶媒が異なるため、成膜室は同一のものを使用しないことが好ましい。
また、有機化合物を含む層３１０を単層とすることもでき、ホール輸送性のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に電子輸送性の１，３，４−オキサジアゾール誘導体（ＰＢＤ）を分散させてもよい。また、３０ｗｔ％のＰＢＤを電子輸送剤として分散し、４種類の色素（ＴＰＢ、クマリン６、ＤＣＭ１、ナイルレッド）を適当量分散することで白色発光が得られる。
また、３１１は、導電膜からなる第２の電極、即ち、ＯＬＥＤの陰極（或いは陽極）である。第２の電極３１１の材料としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、ＣａＮなどの合金、または周期表の１族もしくは２族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した透光性を有する膜を用いればよい。ここでは、第２の電極を通過させて発光させる上面出射型であるので、１ｎｍ〜１０ｎｍのアルミニウム膜、もしくはＬｉを微量に含むアルミニウム膜を用いる。
第２の電極３１１としてＡｌ膜を用いる構成とすると、有機化合物を含む層３１０と接する材料を酸化物以外の材料で形成することが可能となり、発光装置の信頼性を向上させることができる。また、１ｎｍ〜１０ｎｍのアルミニウム膜を形成する前に陰極バッファ層としてＣａＦ２、ＭｇＦ２、またはＢａＦ２からなる透光性を有する層（膜厚１ｎｍ〜５ｎｍ）を形成してもよい。
また、陰極の低抵抗化を図るため、発光領域とならない領域の第２の電極３１１上に補助電極を設けてもよい。また、陰極形成の際には蒸着による抵抗加熱法を用い、蒸着マスクを用いて選択的に形成すればよい。
また、３１２は蒸着法により形成する透明保護層であり、金属薄膜からなる第２の電極３１１を保護する。さらに透明保護層３１２を第２のシール剤３１３で覆う。第２の電極３１１は極薄い金属膜であるため、酸素に触れれば容易に酸化などが発生しやすく、シール剤に含まれる溶剤などと反応して変質する恐れがある。
このような金属薄膜からなる第２の電極３１１を透明保護層３１２、例えばＣａＦ２、ＭｇＦ２、またはＢａＦ２で覆うことによって、第２の電極３１１と第２のシール剤３１３に含まれる溶剤などの成分とが反応することを防ぐとともに、乾燥剤を使うことなく、酸素や水分を効果的にブロックする。また、ＣａＦ２、ＭｇＦ２、ＢａＦ２は、蒸着法で形成することが可能であり、連続的に陰極と透明な保護層とを蒸着法で形成することによって、不純物の混入や電極表面が外気に触れることを防ぐことができる。加えて、蒸着法を用いれば、有機化合物を含む層へダメージをほとんど与えない条件で透明保護層３１２を形成することができる。また、第２の電極３１１の上下にＣａＦ２、ＭｇＦ２、またはＢａＦ２からなる透光性を有する層を設けて挟むことによって、さらに第２の電極３１１を保護してもよい。
また、第１の電極として材料自身に酸素原子のない金属（仕事関数の大きい材料）、例えば窒化チタン膜を用い、第２の電極として材料自身に酸素原子のない金属（仕事関数の小さい材料）、例えばアルミニウム薄膜を用い、さらにＣａＦ２、ＭｇＦ２、またはＢａＦ２で覆うことによって、第１の電極と第２の電極との間の領域を限りなくゼロに近い無酸素状態を維持できる。
また、第２のシール剤３１３は実施の形態１に示した方法で第２の基板３１４と第１の基板３００とを貼り合せている。第２のシール剤３１３としては、硬化後に透光性を有する材料であり、熱硬化性の樹脂を用いればよい。ここでは比重１．１７（２５℃）、粘度９０００ｍＰａ・ｓ、引張せん断接着強度１５Ｎ／ｍｍ２、Ｔｇ（ガラス転移点）７４℃である高耐熱の熱硬化型エポキシ樹脂を用いる。また、第２のシール剤３１３を一対の基板間に充填することによって、全体の透過率を向上させることができる。
一対のガラス基板の間に第２のシール剤を充填した場合の光の透過率、一対のガラス基板の間に窒素ガスを充填した場合の光の透過率をそれぞれ求めた。図７に、前者の透過率を実線で、後者の透過率を点線で表したグラフを示す。図７に実線で示すように、一対のガラス基板の間に第２のシール剤を充填した場合の光の透過率は可視光領域で８５％以上を示している。なお、図７において縦軸は光の透過率を示し、横軸は光の波長を示している。
また、図３（Ｂ）には、発光領域における積層構造を簡略化したものを示す。図３（Ｂ）に示す矢印の方向に発光が放出される。図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）において、絶縁層３０１ａと絶縁層３０１ｂをまとめて絶縁層３０１で示す。
また、金属層からなる第１の電極３０８に代えて、図３（Ｃ）に示すように透明導電膜からなる第１の電極３１８を用いた場合、上面と下面の両方に発光を放出することができる。透明導電膜としては、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を用いればよい。ＩＴＯに酸化珪素を混合したターゲットを用いて、スパッタ法により透明導電膜を形成してもよい。また、本実施の形態は実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
（実施の形態３）
１枚の基板に複数の画素部を形成する場合、即ち多面取りの例を図４に示す。ここでは１枚の基板を用いて４つのパネルを形成する例を示す。
まず、図４（Ａ）に示すように、不活性気体雰囲気で第２基板３１上にディスペンサ装置で第１パターン３２ａと第２パターン３２ｂを有する第１シール剤を所定の位置に形成する。半透明な第１シール剤３２ａ、３２ｂとしてはフィラー（直径６μｍ〜２４μｍ）を含み、且つ、粘度３７０Ｐａ・ｓのものを用いる。また、３２ａと３２ｂで示される第１シール剤は簡単なシールパターンであるので、印刷法で形成することもできる。
次いで、図４（Ｂ）に示すように、第１パターン３２ａと第２パターン３２ｂを有する第１シール剤に囲まれた領域（ただし、第１パターンの端部と第２パターンの間に開口部を有する）に、硬化後に透光性を有する第２シール剤３３を滴下する。ここでは比重１．１７（２５℃）、粘度９０００ｍＰａ・ｓ、引張せん断接着強度１５Ｎ／ｍｍ２、Ｔｇ（ガラス転移点）７４℃である高耐熱の熱硬化型エポキシ樹脂を用いる。
次いで、図４（Ｃ）に示すように、画素部３４が設けられた第１基板と、シール剤が設けられた第２基板とを貼りあわせる。なお、シール剤によって一対の基板を貼りつける直前には真空でアニールを行って脱気を行うことが好ましい。ここでは、図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）のいずれかに示したような形状となるように第２のシール剤３３を広げて第１のシール剤３２ａ、３２ｂの間に充填させる。第１のシール剤３２ａ、３２ｂの形状および配置により気泡が入ることなく第２のシール剤３３を充填することができる。
次いで、ＵＶ照射を行って、第１のシール剤３２ａ、３２ｂを硬化させる。ＵＶ照射の際には、遮光板などを用いて選択的に画素領域をＵＶ照射から保護する。その後加熱により第２のシール剤３３を硬化させる。このときの加熱温度はＥＬ素子がダメージを受けない程度にする。具体的には６０℃から１００℃の間が好ましい。また加熱時間は１時間から３時間程度が好ましい。
次いで、図４（Ｄ）に示すように、スクライバー装置を用いて鎖線で示したスクライブライン３５を形成する。スクライブライン３５は、第１シール剤の前記第２パターンに沿って形成すればよい。
次いで、ブレイカー装置を用いて、貼り合わせた第１基板及び第２基板を分断する。こうして、図４（Ｅ）に示すように、一対の基板から４つのパネルを作製することができる。
また、本実施の形態は、実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせることができる。
以上の構成からなる本明細書で開示する発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
本実施例では、有機化合物を含む層を発光層とするＥＬ素子を備えた発光装置の一例を図５に示す。
なお、図５（Ａ）は発光装置を示す上面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された１１０１はソース信号線駆動回路、１１０２は画素部、１１０３はゲート信号線駆動回路である。また、１１０４は封止基板、１１０５は第１のシール剤であり、第１のシール剤１１０５で囲まれた内側は、透明な第２のシール剤１１０７で充填されている。なお、第２のシール剤１１０７は画素領域上四隅で突出している。
なお、１１０８はソース信号線駆動回路１１０１及びゲート信号線駆動回路１１０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１１０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態も含むものとする。
次に、断面構造について図５（Ｂ）を用いて説明する。基板１１１０上には駆動回路及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース信号線駆動回路１１０１と画素部１１０２が示されている。
なお、ソース信号線駆動回路１１０１はｎチャネル型ＴＦＴ１１２３とｐチャネル型ＴＦＴ１１２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
また、画素部１１０２はスイッチング用ＴＦＴ１１１１と、電流制御用ＴＦＴ１１１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極（陽極）１１１３を含む複数の画素により形成される。
ここでは第１の電極１１１３がＴＦＴのドレインと直接接している構成となっているため、第１の電極１１１３の下層は、シリコンからなるドレインとオーミックコンタクトのとれる材料層とし、有機化合物を含む層と接する表面に仕事関数の大きい材料層とすることが望ましい。例えば、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造とすると、配線としての抵抗も低く、且つ、良好なオーミックコンタクトがとれ、且つ、陽極として機能させることができる。また、第１の電極１１１３は、窒化チタン膜の単層としてもよいし、３層以上の積層を用いてもよい。
また、第１の電極（陽極）１１１３の両端には絶縁物（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）１１１４が形成される。絶縁物１１１４は有機樹脂膜もしくは珪素を含む絶縁膜で形成すれば良い。ここでは、絶縁物１１１４として、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いて図５に示す形状の絶縁物を形成する。また、絶縁物１１１４を窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜、または窒化珪素膜からなる保護膜で覆ってもよい。この保護膜はスパッタ法（ＤＣ方式やＲＦ方式）により得られる窒化珪素または窒化酸化珪素を主成分とする絶縁膜、または炭素を主成分とする薄膜である。シリコンターゲットを用い、窒素とアルゴンを含む雰囲気で形成すれば、窒化珪素膜が得られる。また、窒化シリコンターゲットを用いてもよい。また、保護膜は、リモートプラズマを用いた成膜装置を用いて形成してもよい。また、保護膜に発光を通過させるため、保護膜の膜厚は、可能な限り薄くすることが好ましい。
また、第１の電極（陽極）１１１３上には、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によって有機化合物を含む層１１１５を選択的に形成する。さらに、有機化合物を含む層１１１５上には第２の電極（陰極）１１１６が形成される。これにより、第１の電極（陽極）１１１３、有機化合物を含む層１１１５、及び第２の電極（陰極）１１１６からなるＥＬ素子１１１８が形成される。ここでは発光素子１１１８は白色発光とする例であるので、着色層１１３１とＢＭ（遮光層）１１３２からなるカラーフィルター（簡略化のため、ここではオーバーコート層は図示しない）が設けられている。１１１７で示すのは透明保護層である。
また、Ｒ、Ｇ、Ｂの発光が得られる有機化合物を含む層をそれぞれ選択的に形成すれば、カラーフィルターを用いなくともフルカラーの表示を得ることができる。
また、基板１１１０上に形成されたＥＬ素子１１１８を封止するために第１シール剤１１０５、第２シール剤１１０７により封止基板１１０４を貼り合わせる。なお、第１シール剤１１０５、第２シール剤１１０７としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第１シール剤１１０５、第２シール剤１１０７はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
また、本実施例では封止基板１１０４を構成する材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。また、第１シール剤１１０５、第２シール剤１１０７を用いて封止基板１１０４を接着した後、さらに側面（露呈面）を覆うように第３のシール剤で封止することも可能である。
以上のようにしてＥＬ素子を第１シール剤１１０５、第２シール剤１１０７に封入することにより、ＥＬ素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。また、本実施例は実施の形態１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
本実施例では、実施の形態２で示した断面構造と異なる例を図６に示す。
図６（Ａ）において、７００は第１の基板、７０１ａ、７０１ｂは絶縁層、７０２はＴＦＴ、７０９は絶縁物、７１０はＥＬ層、７１１は第２の電極、７１２は透明保護層、７１３は第２のシール剤、７１４は第２の基板である。
第１の基板７００上に設けられたＴＦＴ７０２（ｐチャネル型ＴＦＴ）は、発光するＥＬ層７１０に流れる電流を制御する素子であり、７０４はドレイン領域（またはソース領域）、７０５はゲート電極である。また、ここでは図示しないが、一つの画素には、他にもＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴ）を一つ、または複数設けている。また、ここでは、一つのチャネル形成領域７０３を有するＴＦＴを示したが、特に限定されず、複数のチャネルを有するＴＦＴとしてもよい。
また、図６（Ａ）に示す構造は、金属層の積層からなる第１の電極７０８ａ〜７０８ｃを形成し、該第１の電極の端部を覆う絶縁物（バンク、隔壁と呼ばれる）７０９を形成した後、該絶縁物７０９をマスクとして自己整合的にエッチングを行い、該絶縁物の一部をエッチングするとともに第１の電極の一部（中央部）を薄くエッチングして第１の電極に段差を形成する。このエッチングによって第１の電極の中央部は薄く、且つ、平坦な面とし、絶縁物で覆われた第１の電極の端部は厚い形状となる。即ち、第１の電極は凹部が形成された形状となる。そして、第１の電極上には有機化合物を含む層７１０、および第２の電極７１１を形成してＥＬ素子を完成させる。
図６（Ａ）に示す構造は、第１の電極の段差部分に形成された斜面で横方向の発光を反射または集光させて、ある一方向（第２の電極を通過する方向）に取り出す発光量を増加させるものである。
従って、斜面が形成される金属層７０８ｂは、光を反射する金属、例えばアルミニウム、銀などを主成分とする材料とすることが好ましく、有機化合物を含む層７１０と接する金属層７０８ａは、仕事関数の大きい陽極材料、或いは、仕事関数の小さい陰極材料とすることが好ましい。電源供給線やソース配線などの配線７０７も同時に形成されるため、低抵抗な材料を選択することが好ましい。
また、第１の電極の中央部に向かう傾斜面における傾斜角度（テーパー角度とも呼ぶ）は、５０°を超え、６０°未満、さらに好ましくは５４．７°であることが好ましい。なお、この第１の電極の傾斜面で反射された光が層間で分散したりしないよう、また迷光とならないように適宜、傾斜角度、有機化合物層の材料および膜厚、または第２の電極の材料および膜厚を設定することが必要である。
本実施例では、７０８ａとしてチタン膜（６０ｎｍ）と窒化チタン膜（膜厚１００ｎｍ）の積層、７０８ｂとしてＴｉを微量に含むアルミニウム膜（３５０ｎｍ）、７０８ｃとしてチタン膜（１００ｎｍ）とする。この７０８ｃは、７０８ｂを保護してアルミニウム膜のヒロック発生、変質などを防ぐ。また７０８ｃとして、窒化チタン膜を用い、遮光性を持たせ、アルミニウム膜の反射を防いでもよい。また、７０８ａとしてシリコンからなる７０４との良好なオーミックコンタクトを取るために７０８ａの下層にチタン膜を用いたが、特に限定されず、他の金属膜を用いてもよい。また、７０８ａは窒化チタン膜の単層としてもよい。
また、本実施例では窒化チタン膜を陽極として用いるため、ＵＶ処理やプラズマ処理を行う必要があるが、７０８ｂ、７０８ｃをエッチングする際に同時に窒化チタン膜表面へのプラズマ処理が行われるため、陽極として十分な仕事関数を得ることができる。
また、窒化チタン膜に代わる陽極材料としては、Ｎｉ、Ｗ、ＷＳｉＸ、ＷＮＸ、ＷＳｉＸＮＹ、ＮｂＮ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、またはＭｏから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積層膜を総膜厚１００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で用いればよい。
また、図６（Ａ）に示した構造は、絶縁物７０９をマスクとして自己整合的にエッチングを行うため、マスク数の増加はなく、トータルとして少ないマスク数および工程数で上面出射型の発光装置を作製することができる。
また、図６（Ａ）と異なる構造を図６（Ｂ）に示す。図６（Ｂ）の構造は、絶縁層８０１ｃを層間絶縁膜として用い、第１の電極とドレイン電極（またはソース電極）とを異なる層に設けることで、マスク数は増加する一方、発光領域の面積を増大させることができる構造である。
図６（Ｂ）において、８００は第１の基板、８０１ａ、８０１ｂ、８０１ｃは絶縁層、８０２はＴＦＴ（ｐチャネル型ＴＦＴ）、８０３はチャネル形成領域、８０４はドレイン領域（またはソース領域）、８０５はゲート電極、８０６はドレイン電極（またはソース電極）、８０７は配線、８０８は第１の電極、８０９は絶縁物、８１０はＥＬ層、８１１は第２の電極、８１２は透明保護層、８１３は第２のシール剤、８１４は第２の基板である。
また、第１の電極８０８として透明導電膜を用いれば両面発光型の発光装置を作製することができる。
また、本実施例は実施の形態１乃至３、実施例１のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
本発明を実施することによって有機化合物を含む層を有するモジュール（アクティブマトリクス型ＥＬモジュール、パッシブマトリクス型ＥＬモジュール）を組み込んだ全ての電子機器が完成される。
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図８、図９に示す。
図８（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表示部２００３、キーボード２００４等を含む。
図８（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。
図８（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。
図８（Ｄ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｔｉａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。
図８（Ｅ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。
図９（Ａ）は携帯電話機であり、本体２９０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９０３、表示部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０６、画像入力部（ＣＣＤ、イメージセンサ等）２９０７等を含む。
図９（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。
図９（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３等を含む。
ちなみに図９（Ｃ）に示すディスプレイは中小型または大型のもの、例えば５〜２０インチの画面サイズのものである。また、このようなサイズの表示部を形成するためには、基板の一辺が１ｍのものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。
以上の様に、本明細書で開示する発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施の形態１乃至３、実施例１、２のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
図１は実施の形態１を示す図である。 図２は実施の形態１を示す図である。 図３は実施の形態２を示す図である。 図４は実施の形態３を示す図である。 図５は実施例１のアクティブマトリクス型発光装置の構成を示す図である。 図６は実施例２を示す図である。 図７は第２のシール剤により光の透過率が向上することを示す図である。 図８は実施例３の電子機器の一例を示す図である。 図９は実施例３の電子機器の一例を示す図である。

Claims (24)

  1. 第１の基板上に形成された画素部と、
    前記第１の基板の上方に対向して配置された第２の基板と、
    前記第１および第２の基板の間に形成された第１および第２のシール材と、を有し、
    前記画素部は、ＥＬ素子を有し、
    前記第１のシール材は、第１および第２のパターンを有し、
    前記第１のパターンは、前記画素部を挟む２本の線状パターンであり、
    前記第２のパターンは、前記画素部および前記第１のパターンを囲う、切れ目のないパターンであり、
    前記第２のシール材は、前記第１のパターンに挟まれた領域の内側であって、前記第２のパターンと前記第１および第２の基板とに囲まれた領域に充填され、かつ、前記第１のパターンの端部と前記第２のパターンとの間にある開口部から、前記第１のパターンの中点方向に突出しており、
    前記第１のシール材はＵＶ硬化性の材料から形成されており、
    前記第２のシール材は熱硬化性の材料から形成されていることを特徴とする発光装置。
  2. 第１の基板上に形成された画素部と、
    前記第１の基板の上方に対向して配置された第２の基板と、
    前記第１および第２の基板の間に形成された第１および第２のシール材と、を有し、
    前記画素部は、ＥＬ素子を有し、
    前記第１のシール材は、第１および第２のパターンを有し、
    前記第１のパターンは、前記画素部を挟む２本の線状パターンであり、
    前記第２のパターンは、前記画素部および前記第１のパターンを囲う、切れ目のないパターンであり、
    前記第２のシール材は、前記第１のパターンに挟まれた領域の内側であって、前記第２のパターンと前記第１および第２の基板とに囲まれた領域に充填され、かつ、前記第１のパターンの端部と前記第２のパターンとの間にある開口部から突出しておらず、
    前記第１のシール材はＵＶ硬化性の材料から形成されており、
    前記第２のシール材は熱硬化性の材料から形成されていることを特徴とする発光装置。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記第２のパターンは、空気の逃げ道のない形状であることを特徴とする発光装置。
  4. 請求項１または請求項２において、
    前記第２のパターンは、四角形状であることを特徴とする発光装置。
  5. 請求項１または請求項２において、
    前記第２のパターンは、四角形状であり、
    前記四角形状の角は湾曲した形状であることを特徴とする発光装置。
  6. 請求項１または請求項２において、
    前記第２のパターンは、円形状または半円形状であることを特徴とする発光装置。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
    前記ＥＬ素子は、前記第１の基板上方に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成された有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層の上に形成された第２の電極と、を有することを特徴とする発光装置。
  8. 請求項７において、
    前記第２の電極および前記第２のシール材は、透光性を有することを特徴とする発光装置。
  9. 請求項７または請求項８において、
    前記第２の電極と前記第２のシール材の間には、保護層が設けられていることを特徴とする発光装置。
  10. 請求項８において、
    前記第２の電極と前記第２のシール材の間には、透光性の保護層が設けられていることを特徴とする発光装置。
  11. 請求項９または請求項１０において、
    前記保護層は、ＣａＦ２、ＭｇＦ２、またはＢａＦ２からなることを特徴とする発光装置。
  12. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
    前記第１のシール材には、ギャップ材が含まれていることを特徴とする発光装置。
  13. 第１の基板と第２の基板との一方にＥＬ素子を有する画素部が設けられた発光装置の作製方法であって、
    前記第１の基板上に、２本の線状パターンを有する第１のパターンと、前記第１のパターンを囲い、かつ、前記第１のパターンに沿う辺の中点付近に隙間を有する第２のパターンと、を第１のシール材により形成し、
    前記２本の線状パターンの間に第２のシール材を滴下し、
    前記第１および第２のシール材を挟むように前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせることによって、前記画素部を前記第２のシール材で覆うと共に、前記第２のシール材を、前記第１のパターンに挟まれた領域の内側であって、前記第２のパターンと前記第１および第２の基板とに囲まれた領域に充填し、かつ、前記第１のパターンの端部と前記第２のパターンとの間にある開口部から、前記第１のパターンの中点方向に突出させ、かつ、前記第２のパターンが伸びてつながることによって前記隙間を埋めることを特徴とする発光装置の作製方法。
  14. 第１の基板と第２の基板との一方にＥＬ素子を有する画素部が設けられた発光装置の作製方法であって、
    前記第１の基板上に、２本の線状パターンを有する第１のパターンと、前記第１のパターンを囲い、かつ、前記第１のパターンに沿う辺の中点付近に隙間を有する第２のパターンと、を第１のシール材により形成し、
    前記２本の線状パターンの間に第２のシール材を滴下し、
    前記第１および第２のシール材を挟むように前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせることによって、前記画素部を前記第２のシール材で覆うと共に、前記第２のシール材を、前記第１のパターンに挟まれた領域の内側であって、前記第２のパターンと前記第１および第２の基板とに囲まれた領域に充填し、かつ、前記第１のパターンの端部と前記第２のパターンとの間にある開口部から突出させず、かつ、前記第２のパターンが伸びてつながることによって前記隙間を埋め、
    前記第１のシール材をＵＶ照射により硬化し、
    前記第２のシール材を加熱により硬化することを特徴とする発光装置の作製方法。
  15. 請求項１３または請求項１４において、
    前記画素部は前記第１の基板に設けられていることを特徴とする発光装置の作製方法。
  16. 請求項１３または請求項１４において、
    前記画素部は前記第２の基板に設けられていることを特徴とする発光装置の作製方法。
  17. 請求項１３乃至請求項１６のいずれか一項において、
    前記第１のシール材の粘度は、前記第２のシール材の粘度よりも高いことを特徴とする発光装置の作製方法。
  18. 請求項１３乃至請求項１７のいずれか一項において、
    前記第２のパターンは、空気の逃げ道のない形状に形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  19. 請求項１３乃至請求項１７のいずれか一項において、
    前記第２のパターンは、四角形状に形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  20. 請求項１３乃至請求項１７のいずれか一項において、
    前記第２のパターンは、四角形状であり、
    前記四角形状の角は湾曲した形状に形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  21. 請求項１３乃至請求項１７のいずれか一項において、
    前記第２のパターンは、円形状または半円形状に形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  22. 請求項１３乃至請求項２１のいずれか一項において、
    前記ＥＬ素子は、前記第１の基板上方に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成された有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層の上に形成された第２の電極と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
  23. 請求項２２において、
    前記第２の電極および前記第２のシール材は、透光性を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
  24. 請求項１３乃至請求項２３のいずれか一項において、
    前記第１のシール材には、ギャップ材が含まれていることを特徴とする発光装置の作製方法。
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