CN107359177A - 一种柔性背板的制作方法、液晶显示面板以及oled显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种柔性背板的制作方法、液晶显示面板以及OLED显示面板，该制作方法包括：提供一基板；在基板上依次制作缓冲层、有源层、栅极绝缘层；在栅极绝缘层上对应像素区制作栅极，以及对应隔离区制作刻蚀阻挡层；在栅极和刻蚀阻挡层上制作第二绝缘层；在第二绝缘层上采用第一次刻蚀工艺在隔离区制作第一过孔以及在绑定区制作第二过孔；在第二绝缘层上涂覆有机材料，且有机材料填充于第一过孔以及第二过孔中，形成有机填充层；在有机填充层上制作源极和漏极。通过上述方式，本发明一方面能够不增加制程的情况下，在刻蚀中不损坏有源层，另一方面能够提高背板的柔韧性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种柔性背板的制作方法、液晶显示面板以及OLED显示面板。
背景技术
随着AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode，有源矩阵有机发光二极体)显示屏技术在产业界越来越成熟，便携式电子器件对于显示屏的需求也逐渐成为了对于柔性AMOLED显示屏的需求。柔性OLED显示屏具有更加轻薄，功耗更低，可以弯折成任意形状以满足市场对可穿戴设备的需求等优点。
为了使面板的柔韧性更好，一般会对面板进行打孔，并在孔中填充有机材料以提升面板的柔韧性。但是在打孔时，稍有不慎，就会损坏到有源层，降低产品良率。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种柔性背板的制作方法、液晶显示面板以及OLED显示面板，一方面能够不增加制程的情况下，在刻蚀中不损坏有源层，另一方面能够提高背板的柔韧性。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种柔性背板的制作方法，该柔性背板包括多个像素区、多个像素区之间的隔离区以及绑定区，该制作方法包括：提供一基板；在基板上依次制作缓冲层、有源层、栅极绝缘层；在栅极绝缘层上对应像素区制作栅极，以及对应隔离区制作刻蚀阻挡层；在栅极和刻蚀阻挡层上制作第二绝缘层；在第二绝缘层上采用第一次刻蚀工艺在隔离区制作第一过孔以及在绑定区制作第二过孔；其中，第一过孔的孔底位于刻蚀阻挡层，第二过孔的孔底位于基板；在第二绝缘层上涂覆有机材料，且有机材料填充于第一过孔以及第二过孔中，形成有机填充层；在有机填充层上制作源极和漏极；其中，源极连接有源层的源极区域，漏极连接有源层的漏极区域。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种液晶显示面板，包括阵列基板、彩膜基板以及阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，其中，阵列基板包括背板和电极层，背板是采用上的制作方法制作得到。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种OLED显示面板，包括上基板、下基板以及上基板和下基板之间的发光器件，其中，下基板包括背板和电极层，背板是采用如上的制作方法制作得到。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明提供的柔性背板的制作方法包括：提供一基板；在基板上依次制作缓冲层、有源层、栅极绝缘层；在栅极绝缘层上对应像素区制作栅极，以及对应隔离区制作刻蚀阻挡层；在栅极和刻蚀阻挡层上制作第二绝缘层；在第二绝缘层上采用第一次刻蚀工艺在隔离区制作第一过孔以及在绑定区制作第二过孔；在第二绝缘层上涂覆有机材料，且有机材料填充于第一过孔以及第二过孔中，形成有机填充层；在有机填充层上制作源极和漏极。通过上述方式，一方面能够不增加制程的情况下，在刻蚀中不损坏有源层，另一方面能够提高背板的柔韧性。
附图说明
图1是本发明提供的柔性背板的制作方法一实施例的结构示意图；
图2是本发明提供的柔性背板的制作方法一实施例的流程示意图；
图3是步骤S21-S22的结构示意图；
图4是步骤S23-S24的结构示意图；
图5是步骤S25的结构示意图；
图6是步骤S26的结构示意图；
图7是步骤S27的结构示意图；
图8是本发明提供的柔性背板的制作方法另一实施例的流程示意图；
图9是步骤S86-S87的结构示意图；
图10是本发明提供的液晶显示面板一实施例的结构示意图；
图11是本发明提供的OLED显示面板一实施例的结构示意图。
具体实施方式
参阅图1，图1是本发明提供的柔性背板的制作方法一实施例的结构示意图，该柔性背板包括多个像素区11、多个像素区11之间的隔离区12以及绑定区13。
其中，多个像素区11阵列分布形成背板的AA(Ative Area有效显示区域)区，相邻的两个像素区11之间为隔离区12，值得注意的是，隔离区12仅仅是用以将两个像素的TFT隔离开来，并没有将两个像素分割开来。
其中，绑定区(即bongding区)13一般位于显示面板的边缘，用于设置各种电路，例如驱动电路。
可以理解的，在下述的实施例的制程中，制作背板的各个层间结构，可以采用物理气相沉积或化学气相沉积的方法来制作，例如物理溅射、旋涂、喷墨、狭缝涂布或者光刻工艺等方法中的一种或多种，这里不作限定。
如图2所示，该制作方法包括：
S21：提供一基板。
S22：在基板上依次制作缓冲层、有源层、栅极绝缘层。
其中，缓冲层一般为SiOx、SiNx或其混合物，有源层一般为经过掺杂的多晶硅，栅极绝缘层一般也采用SiOx、SiNx或其混合物。具体地，在一实施例中，步骤S22可以具体包括：
S221：在基板上制作缓冲层。
S222：在缓冲层上制作有源层，并对有源层进行掺杂，以在有源层上形成源极区域和漏极区域。
具体地，先沉积非晶硅(a-si)层，再通过准分子激光退火(ELA)工艺将所述非晶硅层转化结晶为多晶硅(poly-Si)层，再将所述多晶硅层进行图案化处理，并进行离子掺杂，形成包括源极区域和漏极区域的有源层。另外，也可以先将非晶硅层进行图案化，再对图案化后的非晶硅进行准分子退火工艺制程。
S223：在有源层上制作栅极绝缘层。
上述步骤S21-S22可以具体参阅图3。
先在基板30上制作一层缓冲层31；在缓冲层31上沉积一层非晶硅，对非晶硅进行图案化后，通过准分子退火工艺将非晶硅转化为多晶硅，采用离子(如硼离子)注入对多晶硅的两侧进行掺杂，以形成源极区域321和漏极区域322，以形成有源层32；最后在有源层32上制作栅极绝缘层33，栅极绝缘层33覆盖有源层32以及缓冲层31。
S23：在栅极绝缘层上对应像素区制作栅极，以及对应隔离区制作刻蚀阻挡层。
S24：在栅极和刻蚀阻挡层上制作第二绝缘层。
上述步骤S23-S24可以具体参阅图4。
在栅极绝缘层上制作第一金属层，并对第一金属层进行图案化处理，以在像素区形成栅极341，在隔离区形成刻蚀阻挡层342。
具体地，该栅极341对应有源区13设置。可选的，刻蚀阻挡层342的宽度小于隔离区的宽度。
S25：在第二绝缘层上采用第一次刻蚀工艺在隔离区制作第一过孔以及在绑定区制作第二过孔；其中，第一过孔的孔底位于刻蚀阻挡层，第二过孔的孔底位于基板。
如图5所示。具体地，这里可以采用干法刻蚀的方法：利用第一光罩和第一种气体，对背板进行刻蚀。由于隔离区被刻蚀阻挡层342阻挡，且第一种气体不能对刻蚀层342进行刻蚀，因此，在对隔离区进行刻蚀时，不能刻蚀到刻蚀阻挡层342以下的部分；而绑定区没有任何的阻挡，因此可以依次对第一绝缘层35、栅极绝缘层33以及缓冲层31进行刻蚀。所以，第一过孔351的孔底只能达到刻蚀阻挡层342，而第二过孔352的孔底可以达到基板30。
值得提醒的是，在上述刻蚀制程中，第一过孔351和第二过孔352是在同一种气体、同一次刻蚀工艺中制作的。由于第一过孔351中刻蚀阻挡层342的存在，因此在第一种气体的种类、刻蚀时间的选择上，可以仅仅考虑第二过孔352的宽度和深度。
可以理解的，由于刻蚀阻挡层342在栅极绝缘层33之上，因此，在对第一过孔351进行刻蚀时，即使发生侧刻现象，也不会影响到有源层32。
通过上述方式，一方面，通过刻蚀阻挡层阻挡刻蚀气体，能够使在对第一过孔进行刻蚀时，不会损坏有源层；另一方面，由于在制作栅极341和刻蚀阻挡层342时，仅使用一张光罩、只需要对光罩图案进行改动，在刻蚀第一过孔和第二过孔时，也只需要一张光罩，因此，不会额外增加光罩，增加额外的制程。
S26：在第二绝缘层上涂覆有机材料，且有机材料填充于第一过孔以及第二过孔中，形成有机填充层。
如图6所示，有机填充层36填充于第一过孔351和第二过孔352中，这样可以提升背板的柔性度，以提高面板的弯折性能。
S27：在有机填充层上制作源极和漏极；其中，源极连接有源层的源极区域，漏极连接有源层的漏极区域。
如图7所示，采用刻蚀工艺在有机填充层36上制作第三过孔(图未示)以及第四过孔(图未示)；其中，第三过孔使有源层32中的源极区域裸露，第四过孔使有源层32中的漏极区域裸露；在有机填充层36上形成第二金属层，并对第二金属层进行图案化处理，以形成源极371和漏极372；其中，源极371通过第三过孔连接源极区域，漏极372通过第四过孔连接漏极区域。
另外，还可以在源极371和漏极372上制作平坦层38，用于使背面的表面平整。
参阅图8，图8是本发明提供的柔性背板的制作方法另一实施例的流程示意图，该方法包括：
S81：提供一基板。
S82：在基板上依次制作缓冲层、有源层、栅极绝缘层。
S83：在栅极绝缘层上对应像素区制作栅极，以及对应隔离区制作刻蚀阻挡层。
S84：在栅极和刻蚀阻挡层上制作第二绝缘层。
S85：在第二绝缘层上采用第一次刻蚀工艺在隔离区制作第一过孔以及在绑定区制作第二过孔；其中，第一过孔的孔底位于刻蚀阻挡层，第二过孔的孔底位于基板。
S86：采用第二次刻蚀工艺将刻蚀阻挡层去除。
S87：采用第三次刻蚀工艺对第一过孔继续刻蚀，以使第一过孔的孔底达到缓冲层或基板。
S88：在第二绝缘层上涂覆有机材料，且有机材料填充于第一过孔以及第二过孔中，形成有机填充层。
S89：在有机填充层上制作源极和漏极；其中，源极连接有源层的源极区域，漏极连接有源层的漏极区域。
与上述实施例不同的是，本实施例增加了S86和S87两个步骤。
如图9所示，在第一次刻蚀工艺之后，采用第二次刻蚀工艺将刻蚀阻挡层去除。然后，采用第三次刻蚀工艺对第一过孔继续刻蚀，以使第一过孔的孔底达到缓冲层31或基板30。
值得注意的是，在第三次刻蚀工艺中，采用的刻蚀气体与第一次刻蚀工艺中采用的刻蚀气体是不同的。具体的，可以根据每次刻蚀工艺的具体目的来选择相应的刻蚀气体的种类或刻蚀时间。在第一次刻蚀工艺中，由于有刻蚀阻挡层的存在，主要是依据第二过孔的深度来选择刻蚀气体；在第二次刻蚀工艺中，主要是选择能够刻蚀掉刻蚀阻挡层的气体；在第三次刻蚀工艺中，主要是依据第一过孔的深度和宽度来选择刻蚀气体。
同样，在本实施中，在步骤S89之后，也可以在源极和漏极之上在制作平坦层，以使背板的表面平整，有利于后续的作业。
参阅图10，图10是本发明提供的液晶显示面板一实施例的结构示意图，该液晶显示面板包括阵列基板51、彩膜基板52以及阵列基板51和彩膜基板52之间的液晶层53。
其中，阵列基板51包括背板和电极层39，背板是采用如上提供的实施例的制作方法制作得到。
其中，该电极层39可以是像素电极，在彩膜基板52上还设置有公共电极、光阻等，公共电极与像素电极之间形成电场以控制液晶层53中液晶分子的偏转。
其中，电极层39通过平坦层38上的过孔连接到漏极372。
参阅图11，图11是本发明提供的OLED显示面板一实施例的结构示意图，该OLED面板包括下基板61、上基板62以及上基板62和下基板61之间的发光器件63。
其中，下基板61包括背板和电极层39，背板是采用如上提供的实施例的制作方法制作得到。
其中，该电极层39可以是阳极，在上基板62上还设置有阴极，阳极的空穴和阴极的电子在发光层63中复合以使发光层63发光。
另外，阳极和发光层63之间还可以设置空穴注入层和空穴传输层，阴极和发光层63之间还可以设置电子注入层和电子传输层。
另外，阳极和阴极也可以调换位置，即电极层39为阴极。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种柔性背板的制作方法，所述柔性背板包括多个像素区、所述多个像素区之间的隔离区以及绑定区，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板上依次制作缓冲层、有源层、栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上对应所述像素区制作栅极，以及对应所述隔离区制作刻蚀阻挡层；
在所述栅极和所述刻蚀阻挡层上制作第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上采用第一次刻蚀工艺在所述隔离区制作第一过孔以及在所述绑定区制作第二过孔；其中，所述第一过孔的孔底位于所述刻蚀阻挡层，所述第二过孔的孔底位于所述基板；
在所述第二绝缘层上涂覆有机材料，且所述有机材料填充于所述第一过孔以及所述第二过孔中，形成有机填充层；
在所述有机填充层上制作源极和漏极；其中，所述源极连接所述有源层的源极区域，所述漏极连接所述有源层的漏极区域。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述在所述第二绝缘层上采用第一次刻蚀工艺在所述隔离区制作第一过孔以及在所述绑定区制作第二过孔之后，还包括：
采用第二次刻蚀工艺将所述刻蚀阻挡层去除；
采用第三次刻蚀工艺对所述第一过孔继续刻蚀，以使所述第一过孔的孔底达到所述缓冲层或所述基板。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，
所述第一次刻蚀工艺和所述第三次刻蚀工艺为干法刻蚀，所述第一次刻蚀工艺和所述第三次刻蚀工艺所采用的气体不同。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述刻蚀阻挡层的宽度小于所述隔离区的宽度。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述在所述栅极绝缘层上对应所述像素区制作栅极，以及对应所述隔离区制作刻蚀阻挡层，包括：
在所述栅极绝缘层上制作第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，以在所述像素区形成栅极，在所述隔离区形成刻蚀阻挡层。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述在所述基板上依次制作缓冲层、有源层、栅极绝缘层，包括：
在所述基板上制作缓冲层；
在所述缓冲层上制作有源层，并对所述有源层进行掺杂，以在所述有源层上形成源极区域和漏极区域；
在所述有源层上制作栅极绝缘层。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，
所述在所述有机填充层上制作源极和漏极，包括：
采用第四次刻蚀工艺在所述有机填充层上制作第三过孔以及第四过孔；其中，所述第三过孔使所述有源层中的源极区域裸露，所述第四过孔使所述有源层中的漏极区域裸露；
在所述有机填充层上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，以形成源极和漏极；其中，所述源极通过所述第三过孔连接所述源极区域，所述漏极通过所述第四过孔连接所述漏极区域。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述源极和所述漏极上制作平坦层。
9.一种液晶显示面板，包括阵列基板、彩膜基板以及所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层，其特征在于，
所述阵列基板包括背板和电极层，所述背板是采用如权利要求1-8任一项所述的制作方法制作得到。
10.一种OLED显示面板，包括上基板、下基板以及所述上基板和所述下基板之间的发光器件，其特征在于，
所述下基板包括背板和电极层，所述背板是采用如权利要求1-8任一项所述的制作方法制作得到。
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