CN104538422B - Woled显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种WOLED显示装置及其制造方法,通过设置所述白色子像素区中对应于底层走线上方的该部分绝缘层的厚度大于白色子像素区中的其它部分绝缘层的厚度,增加了白色子像素区中的第一电极到底层走线的垂直距离,同时设置白色子像素区中底层走线与第一电极在水平方向上间隔一段距离,以使所述第一电极与底层走线之间具有较大的间隔,从而避免了由于所述第一电极与底层走线之间存在杂质而导致的短路、过流等不良现象,所述WOLED显示装置的制造方法简单,易于操作,且能够防止白色子像素区的第一电极与底层走线之间发生短路或过流,提高WOLED显示装置的制程良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种WOLED显示装置及其制造方法。
背景技术
有源阵列有机发光二极体面板(AMOLED)因具有反应速度快,对比度高,视角广等特点被称为下一代显示技术。随着高分辨率以及大尺寸面板的普及,使得并行排列方式的AMOLED在制程上的难度和发光材料的寿命问题得以凸显,易造成面板色度不纯和亮度的恶化。因此业界开始采用白色有机发光二极管(WOLED)加上彩色滤光片的方式来解决上述问题。
WOLED通过红色、绿色和蓝色滤光片来实现红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素,因此无彩色滤光片的子像素便成为白色子像素。但现有的WOLED显示装置仍存在一些问题。
图1所示为一种现有的WOLED显示装置的结构示意图,其中白色有机发光二级管的第一电极被分成位于该WOLED显示装置的白色子像素区的第一电极910以及位于该WOLED显示装置的红/绿/蓝色子像素区的第一电极920,白色子像素中不包含彩色滤光片,因此白色子像素的白色有机发光二级管形成层低于红/绿/蓝色子像素的形成层。此种情况下就会导致底层走线521和白色有机发光二极管的第一电极910之间的垂直距离d1较短,而红/绿/蓝色子像素所对应的第一电极920与底层走线521之间的垂直距离d2较长,白色子像素和红/绿/蓝色子像素形成一个台阶差d2-d1,在实际WOLED面板的制程过程中,由于杂质200的存在(如光刻残胶,蚀刻残胶,外部污染物等)会导致底层走线521和白色子像素的有机发光二极管的第一电极910之间发生短路或者过流现象。
因此,有必要对现有WOLED显示装置的结构进行改进,以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种WOLED显示装置,其白光有机发光二极管中的第一电极与底层走线之间具有较大的间距,避免由于所述第一电极与底层走线之间存在杂质而导致的短路、过流等不良现象。
本发明的目的还在于提供一种WOLED显示装置的制造方法,制造方法简单,易于操作,能够防止白色子像素区的第一电极与底层走线之间发生短路或过流,并提高WOLED显示装置的制程良率。
为实现上述目的,本发明提供一种WOLED显示装置,其包括:红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区、及白色子像素区;
其中,所述白色子像素区包括:第一基板、设于所述第一基板上的底层走线和薄膜晶体管、设于所述底层走线、薄膜晶体管和第一基板上的第二绝缘层、设于第二绝缘层上的第三绝缘层、设于第三绝缘层上的第一电极、设于所述第一电极上的有机层、设于所述有机层上的第二电极、及设于第二电极上的第二基板;
所述白色子像素区中对应于底层走线上方的该部分绝缘层的厚度大于白色子像素区中的其它部分绝缘层的厚度。
所述白色子像素区中对应于底层走线上方的该部分第三绝缘层的厚度大于白色子像素区中的其它部分第三绝缘层的厚度。
所述第一电极与底层走线在水平方向上间隔一段距离。
所述白色子像素区中对应于底层走线上方的该部分第二绝缘层的厚度大于白色子像素区中的其它部分第二绝缘层的厚度。
所述第一基板为透明基板;所述第一电极为阳极,其为透明电极;所述第二电极为阴极,其为反射电极。
本发明还提供一种WOLED显示装置的制造方法,其包括如下步骤:
步骤1、提供一第一基板,在所述第一基板制作薄膜晶体管和底层走线,然后在底层走线、薄膜晶体管和第一基板上形成第二绝缘层;
步骤2、在红色子像素区内的第二绝缘层上方设置红光滤光片,在绿色子像素区内的第二绝缘层上方设置绿光滤光片,在蓝色子像素区内的第二绝缘层上方设置蓝光滤光片;然后在第二绝缘层和所述红光、绿光、及蓝光滤光片上方形成第三绝缘层;
步骤3、在所述红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区、及白色子像素区中的第三绝缘层的上方依次形成第一电极和有机层,同时在每相邻的两个子像素区之间的第三绝缘层的上方形成间隔物层;然后在有机层和间隔物层上方形成第二电极,并在第二电极上方设置第二基板。
所述步骤1中,所述白色子像素区中对应于底层走线上方的该部分第二绝缘层的厚度大于白色子像素区中的其它部分第二绝缘层的厚度。
所述步骤2中,所述白色子像素区中对应于底层走线上方的该部分第三绝缘层的厚度大于白色子像素区中的其它部分第三绝缘层的厚度。
所述第一电极与底层走线在水平方向上间隔一段距离。
所述第一基板为透明基板,所述第一电极为阳极,其为透明电极;所述第二电极为阴极,其为反射电极。
本发明的有益效果:发明提供的一种WOLED显示装置,其白色子像素区中对应于底层走线上方的该部分绝缘层的厚度大于白色子像素区中的其它部分绝缘层的厚度,使得白色子像素区中的第一电极到底层走线之间具有较大的垂直距离,同时白色子像素区中底层走线与第一电极在水平方向上间隔一段距离,使得所述第一电极与底层走线之间具有较大的间隔,从而避免了由于所述第一电极与底层走线之间存在杂质而导致的短路、过流等不良现象,提升了WOLED显示装置的品质。本发明提供的一种WOLED显示装置的制造方法,通过设置所述白色子像素区中对应于底层走线上方的该部分绝缘层的厚度大于白色子像素区中的其它部分绝缘层的厚度,增加了白色子像素区中的第一电极到底层走线的垂直距离,同时设置白色子像素区中底层走线与第一电极在水平方向上间隔一段距离,以使所述第一电极与底层走线之间具有较大的间隔,从而避免了由于所述第一电极与底层走线之间存在杂质而导致的短路、过流等不良现象,制程简单,易于操作,且能够防止白色子像素区的第一电极与底层走线之间发生短路或过流,提高WOLED显示装置的制程良率。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中,
图1为一种现有的WOLED显示装置的结构示意图;
图2为本发明WOLED显示装置的第一实施例的结构示意图;
图3为本发明WOLED显示装置的第二实施例的结构示意图;
图4为本发明的WOLED显示装置的制造方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2,为本发明WOLED显示装置的第一实施例的结构示意图,如图2所示,本发明提供一种WOLED显示装置,其包括红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区20、及白色子像素区40。
其中,所述白色子像素区40包括:第一基板1、设于所述第一基板1上的底层走线2和薄膜晶体管3、设于所述底层走线2、薄膜晶体管3和第一基板1上的第二绝缘层4、设于第二绝缘层4上的第三绝缘层5,设于第三绝缘层5上的第一电极6、设于所述第一电极6上的有机层7、设于所述有机层7上的第二电极8、及设于第二电极8上的第二基板9;
所述蓝色子像素区20包括:第一基板1、设于所述第一基板1上的底层走线2和薄膜晶体管3、设于所述底层走线2、薄膜晶体管3和第一基板1上的第二绝缘层4、设于第二绝缘层4上的蓝光滤光片25、设于蓝光滤光片25上的第三绝缘层5、设于第三绝缘层5上的第一电极6、设于所述第一电极6上的有机层7、设于所述有机层7上的第二电极8、及设于第二电极8上的第二基板9;
所述红色子像素区(未图示)包括:第一基板1、设于所述第一基板1上的底层走线2和薄膜晶体管3、设于所述底层走线2、薄膜晶体管3和第一基板1上的第二绝缘层4、设于第二绝缘层4上的红光滤光片、设于红光滤光片上的第三绝缘层5、设于第三绝缘层5上的第一电极6、设于所述第一电极6上的有机层7、设于所述有机层7上的第二电极8、及设于第二电极8上的第二基板9;
所述绿色子像素区(未图示)包括:第一基板1、设于所述第一基板1上的底层走线2和薄膜晶体管3、设于所述底层走线2、薄膜晶体管3和第一基板1上的第二绝缘层4、设于第二绝缘层4上的绿光滤光片、设于绿光滤光片上的第三绝缘层5、设于第三绝缘层5上的第一电极6、设于所述第一电极6上的有机层7、设于所述有机层7上的第二电极8、及设于第二电极8上的第二基板9。
其中,所述白色子像素区40中对应于底层走线2上方的该部分第三绝缘层5的厚度d5大于白色子像素区40中的其它部分第三绝缘层5的厚度;并且所述第一电极6与底层走线2在水平方向上间隔一段距离d3。
通过将所述第一电极6与底层走线2之间的第三绝缘层8设成具有较大的厚度d5,并且将所述第一电极6与底层走线2设成在水平方向间隔一段距离d3,从而增大了所述第一电极6与底层走线2之间的间距,有效避免由于所述第一电极6与底层走线2之间存在杂质而导致的短路、过流等不良。
所述红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区20和白色子像素区40中任意两个相邻的子像素区之间设有间隔物层10,所述间隔物层10位于第三绝缘层5和第二电极8之间,并将相邻的两个子像素区内的第一电极6和有机层7隔开。所述间隔物层10不仅可以起到将相邻的子像素区隔开的作用,同时起到支撑第二基板9的作用。优选的,所述间隔物层10由绝缘材料制备。
具体的,所述底层走线2包括诸如数据线DL1-DLn和SL1-SLm之类的信号线,以及诸如高电位电力线EVDD和低电位电力线EVSS之类的电力线。如果子像素包括补偿电路,那么底层走线还包括用于提供辅助电压的辅助电力线、用于提供参考电压的参考电力线、用于提供初始化电压的初始化电力线等。
具体的,所述第一基板1为透明基板,所述第一电极6为阳极,其为透明电极,采用ITO(氧化铟锡)等透明导电材料制备;所述第二电极8为阴极,其为反射电极,采用铝、镁、或银等金属材料制备。
所述有机发光层7发白光,具体的,所述有机层7包括:设于第一电极6上的空穴传输层、设于所述空穴传输层上的白光发光层、及设于所述白光发光层上的电子传输层;当在第一电极6与第二电极8之间施加一定的驱动电压后,电子和空穴分别从第二电极8和第一电极6注入到电子传输层和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层,并在白光发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出白光。光线经过透明的第一电极6直接射出或者经过反射型的第二电极8反射后从透明的第一电极6射出。
具体的,所述薄膜晶体管3包括设于第一基板1上的栅极层、设于栅极层上的第一绝缘层11、设于第一绝缘层11上的半导体层、及设于半导体层上的源/漏极层。所述第一电极6通过贯穿第二绝缘层4与第三绝缘层5的过孔31与薄膜晶体管3的漏极电性连接。
请参阅图3,为本发明WOLED显示装置的第二实施例的结构示意图,如图3所示,本发明提供一种WOLED显示装置,其包括红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区20、及白色子像素区40。
所述白色子像素区40包括:第一基板1、设于所述第一基板1上的底层走线2和薄膜晶体管3、设于所述底层走线2、薄膜晶体管3和第一基板1上的第二绝缘层4、设于第二绝缘层4上的第三绝缘层5,设于第三绝缘层5上的第一电极6、设于所述第一电极6上的有机层7、设于所述有机层7上的第二电极8、及设于第二电极8上的第二基板9;
其中,所述白色子像素区40中对应于底层走线2上方的该部分第二绝缘层4的厚度d4大于白色子像素区40中的其它部分第二绝缘层4的厚度。
通过将所述第一电极6与底层走线2之间的第二绝缘层4设成具有较大的厚度d4,从而增大了所述第一电极6与底层走线2之间的间距,有效避免由于所述第一电极6与底层走线2之间存在杂质而导致的短路、过流等不良。
请参阅图4,本发明还提供了一种制备上述第一实施例的WOLED显示装置的方法,包括如下步骤:
步骤1、提供一第一基板1,在所述第一基板1制作薄膜晶体管3和底层走线2,然后在底层走线2、薄膜晶体管3和第一基板1上形成第二绝缘层4。
所述底层走线2包括诸如数据线DL1-DLn和SL1-SLm之类的信号线,以及诸如高电位电力线EVDD和低电位电力线EVSS之类的电力线。如果子像素包括补偿电路,那么底层走线还包括用于提供辅助电压的辅助电力线、用于提供参考电压的参考电力线、用于提供初始化电压的初始化电力线等。
具体的,所述薄膜晶体管3的制作步骤为:在第一基板1上依次沉积栅极层、设于栅极层上的第一绝缘层11、设于第一绝缘层11上的半导体层、及设于半导体层上的源/漏极层。
步骤2、在红色子像素区内的第二绝缘层4上方设置红光滤光片,在绿色子像素区内的第二绝缘层4上方设置绿光滤光片,在蓝色子像素区内的第二绝缘层4上方设置蓝光滤光片;然后在第二绝缘层4和所述红光、绿光、及蓝光滤光片上方形成第三绝缘层5。
其中,所述白色子像素区40中对应于底层走线2上方的该部分第三绝缘层5的厚度d5大于白色子像素区40中的其它部分第三绝缘层5的厚度。
步骤3、在所述白色子像素区40、红色子像素区、绿色子像素区、及蓝色子像素区20中的第三绝缘层5的上方依次形成第一电极6和有机层7,同时在每相邻的两个子像素区之间的第三绝缘层5的上方形成间隔物层10,然后在有机层7和间隔物层10上方形成第二电极8,并在第二电极8上方设置第二基板9。
其中,所述第一电极6与底层走线2在水平方向上间隔一段距离d3。
其中,所述间隔物层10不仅可以将相邻的子像素区隔开,同时能够起到支撑第二基板9的作用,并且所述间隔物层10由绝缘材料构成。
所述步骤3还可以包括如下步骤:在第二绝缘层4与第三绝缘层5上形成过孔31,所述第一电极6通过贯穿第二绝缘层4与第三绝缘层5的过孔31与薄膜晶体管3的漏极电性连接。
上述WOLED显示装置的制备方法通过将所述第一电极6与底层走线2之间的第三绝缘层8设成具有较大的厚度d5,并且将所述第一电极6与底层走线2设成在水平方向间隔一段距离d3,从而增大了所述第一电极6与底层走线2之间的间距,有效避免由于所述第一电极6与底层走线2之间存在杂质而导致的短路、过流等不良。
请参阅图4,本发明还提供一种制备上述第二实施例的WOLED显示装置的方法,包括如下步骤:
步骤1、提供一第一基板1,在所述第一基板1制作薄膜晶体管3和底层走线2,然后在底层走线2、薄膜晶体管3和第一基板1上形成第二绝缘层4。
其中,所述白色子像素区40中对应于底层走线2上方的该部分第二绝缘层4的厚度大于白色子像素区40中的其它部分第二绝缘层4的厚度。
步骤2、在红色子像素区内的第二绝缘层4上方设置红光滤光片,在绿色子像素区内的第二绝缘层4上方设置绿光滤光片,在蓝色子像素区内的第二绝缘层4上方设置蓝光滤光片;然后在第二绝缘层4和所述红光、绿光、及蓝光滤光片上方形成第三绝缘层5。
步骤3、在所述白色子像素区40、红色子像素区、绿色子像素区、及蓝色子像素区20中的第三绝缘层5的上方依次形成第一电极6和有机层7,同时在每相邻的两个子像素区之间的第三绝缘层5的上方形成间隔物层10,然后在有机层7和间隔物层10上方形成第二电极8,并在第二电极8上方设置第二基板9。
上述WOLED显示装置的制备方法通过将所述第一电极6与底层走线2之间的第二绝缘层4设成具有较大的厚度d4,从而增大了所述第一电极6与底层走线2之间的间距,有效避免由于所述第一电极6与底层走线2之间存在杂质而导致的短路、过流等不良。
综上所述,发明提供的一种WOLED显示装置,其白色子像素区中对应于底层走线上方的该部分绝缘层的厚度大于白色子像素区中的其它部分绝缘层的厚度,使得白色子像素区中的第一电极到底层走线之间具有较大的垂直距离,同时白色子像素区中底层走线与第一电极在水平方向上间隔一段距离,使得所述第一电极与底层走线之间具有较大的间隔,从而避免了由于所述第一电极与底层走线之间存在杂质而导致的短路、过流等不良现象,提升了WOLED显示装置的品质。本发明提供的一种WOLED显示装置的制造方法,通过设置所述白色子像素区中对应于底层走线上方的该部分绝缘层的厚度大于白色子像素区中的其它部分绝缘层的厚度,增加了白色子像素区中的第一电极到底层走线的垂直距离,同时设置白色子像素区中底层走线与第一电极在水平方向上间隔一段距离,以使所述第一电极与底层走线之间具有较大的间隔,从而避免了由于所述第一电极与底层走线之间存在杂质而导致的短路、过流等不良现象,制程简单,易于操作,且能够防止白色子像素区的第一电极与底层走线之间发生短路或过流,提高WOLED显示装置的制程良率。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (6)
1.一种WOLED显示装置,其特征在于,包括:红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区(20)、及白色子像素区(40);
其中,所述白色子像素区(40)包括:第一基板(1)、设于所述第一基板(1)上的底层走线(2)和薄膜晶体管(3)、设于所述底层走线(2)、薄膜晶体管(3)和第一基板(1)上的第二绝缘层(4)、设于第二绝缘层(4)上的第三绝缘层(5)、设于第三绝缘层(5)上的第一电极(6)、设于所述第一电极(6)上的有机层(7)、设于所述有机层(7)上的第二电极(8)、及设于第二电极(8)上的第二基板(9);
所述白色子像素区(40)中对应于底层走线(2)上方的部分第三绝缘层(5)的厚度(d5)大于白色子像素区(40)中的其它部分第三绝缘层(5)的厚度。
2.如权利要求1所述的WOLED显示装置,其特征在于,所述第一电极(6)与底层走线(2)在水平方向上间隔一段距离(d3)。
3.如权利要求1所述的WOLED显示装置,其特征在于,所述第一基板(1)为透明基板;所述第一电极(6)为阳极,其为透明电极;所述第二电极(8)为阴极,其为反射电极。
4.一种WOLED显示装置的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、提供一第一基板(1),在所述第一基板(1)制作薄膜晶体管(3)和底层走线(2),然后在底层走线(2)、薄膜晶体管(3)和第一基板(1)上形成第二绝缘层(4);
步骤2、在红色子像素区内的第二绝缘层(4)上方设置红光滤光片,在绿色子像素区内的第二绝缘层(4)上方设置绿光滤光片,在蓝色子像素区内的第二绝缘层(4)上方设置蓝光滤光片(25);然后在第二绝缘层(4)和所述红光、绿光、及蓝光滤光片上方形成第三绝缘层(5);
步骤3、在所述红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区(20)、及白色子像素区(40)中的第三绝缘层(5)的上方依次形成第一电极(6)和有机层(7),同时在每相邻的两个子像素区之间的第三绝缘层(5)的上方形成间隔物层(10);然后在有机层(7)和间隔物层(10)上方形成第二电极(8),并在第二电极(8)上方设置第二基板(9);
所述步骤2中,所述白色子像素区(40)中对应于底层走线(2)上方的部分第三绝缘层(5)的厚度(d5)大于白色子像素区(40)中的其它部分第三绝缘层(5)的厚度。
5.如权利要求4所述的WOLED显示装置的制造方法,其特征在于,所述第一电极(6)与底层走线(2)在水平方向上间隔一段距离(d3)。
6.如权利要求4所述的WOLED显示装置的制造方法,其特征在于,所述第一基板(1)为透明基板,所述第一电极(6)为阳极,其为透明电极;所述第二电极(8)为阴极,其为反射电极。
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