CN109659320A - 阵列基板及具有该阵列基板的显示装置 - Google Patents
阵列基板及具有该阵列基板的显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109659320A CN109659320A CN201811531133.6A CN201811531133A CN109659320A CN 109659320 A CN109659320 A CN 109659320A CN 201811531133 A CN201811531133 A CN 201811531133A CN 109659320 A CN109659320 A CN 109659320A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- hole
- aperture
- array substrate
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 201
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 75
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 75
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 abstract description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种阵列基板及具有该阵列基板的显示装置，阵列基板具有显示区以及围绕所述显示区的弯折区，阵列基板包括第一基层、第一缓冲层、第二基层；以及开孔的至少一部分位于第二基层上，且对应于弯折区；金属走线金属走线的至少一部分覆于开孔的内表面；有机层填充于开孔中且包覆位于开孔内的金属走线。本发明的阵列基板及具有该阵列基板的显示装置，在弯折区形成开孔，且开孔延伸至第二基层内，并将金属走线形成在开孔的内表面，在开孔内的金属走线上方填充有机光阻，使得中性面在金属走线所在层，降低弯折区的金属走线所承受应力。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种阵列基板及具有该阵列基板的显示装置。
背景技术
目前，阵列基板一般包括显示区和弯折区(pad bending)，在弯折区中，阵列基板的结构从下到上主要为双层基层、有机层、金属走线、有机光阻、UV胶等；首先，因PI涂布时，因材料本身和外界原因，容易形成一些瑕疵，而这些瑕疵基本都会严重影响产品良率，所以目前的单层的基层一般都设置在10um左右，此厚度的基层可以将一些瑕疵进行包覆和平坦，减小瑕疵对良率的影响。其次，因双层基层结构中间有一层无机膜层阻挡，其隔绝水氧能力更强，且激光剥离时，高能量的激光不容易损伤上面的薄膜晶体管。因此，以上原因会造成目前的双层基层结构非常厚，双层基层的厚度接近20um，而且，双层基层的中间还有一层无机膜层，且因为基层的材料为聚酰亚胺(PI)材料，其杨氏模量较大，一般为10Gpa左右，所以很难通过调整金属走线上方的有机光阻或者UV胶的厚度来对金属走线所受的应力进行调整。因此，在目前的阵列基板中，中性面通常位于基层中，金属走线处于中性面的上方，所以弯折时，金属走线受拉应力。
此外，目前显示面板多向窄边框的方向发展，因此，弯折区的宽度和弯折半径越来越小，由此金属走线所受的应力也是成倍增加，弯折时，金属走线极易发生断裂，弯折后，导致显示区的画面异常；而双层基层中的上层基层和无机膜层之间附着力有限，弯折时极易发生基层和无机膜层之间相互弯折且脱离，严重影响良率。
为改善上述问题，现有技术中也出现很多对基层减薄工艺，如对下层基层进行激光减薄，但因激光减薄工艺有限，基层的平坦度无法很好控制，且激光减薄时容易对上面的金属走线造成一定程度损伤。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种具有该阵列基板的显示装置，在弯折区形成开孔，且开孔延伸至第二基层内，并将金属走线形成在开孔的内表面，在开孔内的金属走线上方填充有机光阻，使得中性面在金属走线所在层，降低弯折区的金属走线所承受应力。解决上述问题的技术方案是：提供一种阵列基板，其特征在于，具有显示区以及围绕所述显示区的弯折区，所述阵列基板包括第一基层；第一缓冲层，覆于所述第一基层上；第二基层，覆于所述第一缓冲层上；至少一开孔，所述开孔的至少一部分位于所述第二基层上，且对应于所述弯折区；金属走线，分布于所述显示区和所述弯折区，且所述金属走线的至少一部分覆于所述开孔的内表面；有机层，填充于所述开孔中且包覆位于所述开孔内的所述金属走线。
在本发明一实施例中，所述第一缓冲层中具有第一通孔，所述第一通孔对应所述开孔。
在本发明一实施例中，在所述弯折区，所述金属走线在所述第一缓冲层上的投影，完全落入所述第一通孔的范围内。
在本发明一实施例中，所述的阵列基板还包括第二缓冲层，覆于所述第二基层上；第一栅极绝缘层，覆于所述第二缓冲层上；第二栅极绝缘层，覆于所述第一栅极绝缘层上；介电层，覆于所述第二栅极绝缘层上；所述金属走线形成于所述介电层上以及所述开孔的槽面上；在所述弯折区，所述开孔从所述介电层贯穿至所述第二基层内。
在本发明一实施例中，所述开孔为台阶结构或倒立的塔状结构，其包括若干孔体，所述孔体从所述介电层向所述第二基层叠加设置，其中，位于下方的一个孔体的宽度小于或等于位于上方的并与其相邻的一个孔体的宽度。
在本发明一实施例中，从所述介电层向所述第二基层，所述孔体的宽度依次减小。
在本发明一实施例中，所述孔体具有孔壁、孔底和孔口，所述孔壁从所述孔底向所述孔口延伸，所述孔底的宽度小于所述孔口的宽度，所述孔壁与所述孔底之间存在一夹角，该夹角范围为45°-70°。所述开孔包括第一孔体，从所述介电层贯穿至所述第一缓冲层的内部；第二孔体，从所述第一缓冲层贯穿至所述第二基层内，并在所述第二基层内形成孔底，所述第二孔体的宽度小于所述第一孔体的宽度；所述第一孔体的深度与所述第二孔体的深度的比值为0.1-5。
所述的阵列基板还包括平坦层，设于所述金属走线、所述介电层以及所述有机层上；像素定义层，设于所述平坦层上；在所述显示区，所述阵列基板还包括有源层，具有源极区和漏极区，所述有源层设于所述第二缓冲层上，所述第一栅极绝缘层覆于所述有源层上；第一栅极层，设于所述第一栅极绝缘层上，所述第二栅极绝缘层覆于所述第一栅极层上；第二栅极层，设于所述第二栅极绝缘层上，所述介电层覆于所述第二栅极层上；第二通孔，从所述介电层贯穿至所述有源层，其中一第二通孔对应于所述源极区，另一第二通孔对应于所述漏极区；所述金属走线包括源极走线和漏极走线，所述源极区对应的连接至所述源极走线，所述漏极区对应连接至所述漏极走线；第三通孔，贯穿所述平坦层且所述漏极走线显露于所述第三通孔；阳极走线，设于所述平坦层上且通过所述第三通孔连接至所述漏极走线。
本发明还提供了一种显示装置，包括所述的阵列基板。
本发明的优点是：本发明的阵列基板及具有该阵列基板的显示装置，在弯折区形成开孔，且开孔延伸至第二基层内，并将金属走线形成在开孔的内表面，在开孔内的金属走线上方填充有机光阻，使得中性面在金属走线所在层或者尽量接近金属走线所在层，降低弯折区的金属走线所承受应力，将金属走线越靠近中性面受到的拉应力越小，从而越耐弯折，本发明的阵列基板及具有该阵列基板的显示装置仅对弯折区的基层厚度和无机膜层进行了调整，没有改变显示区基层膜厚，保证了良率，同时因弯折区中的金属走线下移，所承受应力变小，利于实现更小弯曲半径的弯折。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步解释。
图1是实施例中的阵列基板制作过程中第一缓冲层形成后的结构图。
图2是实施例中的阵列基板制作过程中第二基层形成后的结构图。
图3是实施例中的阵列基板制作过程中第一孔体形成后的结构图。
图4是实施例中的阵列基板制作过程中第二孔体形成后的结构图。
图5是实施例中的阵列基板制作过程中金属走线形成后的结构图。
图6是实施例中的阵列基板制作过程中有机层形成后的结构图。
图7是实施例中的阵列基板制作过程中平坦层形成后的结构图。
图8是实施例中的阵列基板制作过程中像素定义层等形成后的结构图.图中，中性面在所述金属走线所在层中。
图9是实施例中的显示装置示意图。
附图标记：
1显示装置；
10阵列基板； 20彩膜基板；
101显示区； 102弯折区；
100玻璃基板；
11第一基层； 12第一缓冲层；
13第二基层； 14第二缓冲层；
15第一栅极绝缘层； 16第二栅极绝缘层；
17介电层； 18金属走线；
19平坦层； 110阳极走线；
111像素定义层；
1011有源层；
10111源极区； 10112漏极区；
1012第一栅极层； 1013第二栅极层；
181源极走线； 182漏极走线；
183源极； 184漏极；
2开孔； 21孔体；
21a第一孔体； 21b第二孔体；
210孔底； 212孔口；
213孔壁；
3第一通孔； 4第二通孔；
5第三通孔； 6有机层；
7中性面。
具体实施方式
以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
如图1至图8所示，在一实施例中，本发明的阵列基板10，具有显示区101以及围绕所述显示区101的弯折区102，其中，所述阵列基板10包括第一基层11、第一缓冲层12、第二基层13、第二缓冲层14、第一栅极绝缘层15、第二栅极绝缘层16、介电层17、金属走线18、平坦层19、以及像素定义层111。
如图1所示，所述第一缓冲层12覆于所述第一基层11上。
如图2所示，所述第二基层13覆于所述第一缓冲层12上。
如图3所示，所述第二缓冲层14覆于所述第二基层13上。在本实施例中，所述第一基层11和所述第二基层13的材料均为聚酰亚胺材料，所述第一缓冲层12和所述第二缓冲层14为隔绝水氧的无机材料。
参见图8所示，所述第一栅极绝缘层15覆于所述第二栅极绝缘层16上。所述介电层17覆于所述第二栅极绝缘层16上。所述金属走线18覆于所述介电层17上，所述金属走线18分布于所述显示区101和所述弯折区102。所述平坦层19覆于所述金属走线18以及所述平坦层19上。
如图3、图4、图6所示，在所述弯折区102，所述阵列基板10还包括开孔2以及有机层6(参见图6)，所述开孔2从所述介电层17延伸至所述第二基层13内。在所述弯折区102的所述开孔2位置，所述金属走线18覆于所述开孔2的内表面，所述有机层6填充于所述开孔2中且包覆所述金属走线18，所述有机层6的高度不超过所述开孔2的深度。中性面7经过所述弯折区102中的所述金属走线18或者中性面7尽量接近所述金属走线18所在层。
本实施例中，所述开孔2为台阶结构或倒立的塔状结构，其包括若干孔体21，所述若干孔体21按层级从所述介电层17向所述第二基层13叠加设置。从所述介电层17向所述第二基层13的方向，所述孔体21的宽度依次减小。其中，形成于下层的孔体的宽度小于或等于与其相邻的上层的孔体的宽度。在本实施例中，每一孔体21均呈梯状，因此所述孔体的宽度实际上是指所述孔体的平均宽度。所述开孔2具有孔壁213、孔底210和孔口212，所述孔壁213从所述孔底210向所述孔口212延伸，所述孔底210的宽度小于所述孔口212的宽度，所述孔壁213与所述孔底210之间存在一夹角，该夹角范围为45°-70°。该夹角越小，则为所述孔壁213的坡度越平缓，所述孔壁213的坡度平缓有利于金属走线18的形成以及增加金属走线18与开孔2内表面的附着力，而且能够尽量使得弯折区102大部分的金属走线18能够靠近中性面7。
如图4所示，本实施例以两层的孔体作为示例，对所述台阶结构进行详细说明。即所述开孔2包括第一孔体21a和第二孔体21b。所述第一孔体21a从所述介电层17贯穿至所述第二缓冲层14；所述第二孔体21b从所述第二缓冲层14贯穿至所述第二基层13内，并在所述第二基层13内形成孔底210，所述第二孔体21b的宽度小于所述第一孔体21a的宽度；所述第一孔体21a的深度与所述第二孔体21b的深度的比值为0.1-5。本实施例，由于所述弯折区102的宽度有限，将不同层的所述孔体21的深度与所述孔壁213的坡度结合起来，通过设定孔体21的深度来调节对应所述孔体21的孔壁213的坡度，以改善覆于所述开孔2的内表面的金属走线18所承受的应力。
如图2所示，并同时参见图8，由于所述第一缓冲层12和所述第一基层11、第二基层13的材料特性不同，在所述弯折区102在弯折时，所述第一缓冲层12和所述第一基层11及所述第二基层13发生的形变程度不同，所述第一缓冲层12的材料为无机材料，所述弯折区102弯折时，所述第一缓冲层12会与所述第一基层11及所述第二基层13之间发生脱离现象，而且容易使得中性面7(参见图8)向所述第一基层11的一侧偏移，影响弯折区102中金属走线18所承受的应力。因此，本实施例中，在所述第一缓冲层12上开设第一通孔3(见图1)，所述第一通孔3对应开孔2(见图3)。所述第一通孔3由聚酰亚胺材料填充，这样使得在弯折区102的所述第一基层11和第二基层13相互连接。
在弯折区102中，为了使得中性面7尽可能的经过所述金属走线18，使得所述金属走线18大部分都邻近或者部分落入中性面7上，本实施例中，在所述弯折区102，所述金属走线18在所述第一缓冲层12上的投影，完全落入所述第一通孔3的范围内。
如图3至图8所示，在所述显示区101，所述阵列基板10还包括有源层1011、第一栅极层1012、第二栅极层1013、第二通孔4(见图4)、第三通孔5(见图7)、阳极走线110等。所述有源层1011具有源极区10111和漏极区10112，所述有源层1011设于所述第二缓冲层14上，所述第一栅极绝缘层15覆于所述有源层1011上。所述第一栅极层1012设于所述第一栅极绝缘层15上，所述第二栅极绝缘层16覆于所述第一栅极层1012上；所述第二栅极层1013设于所述第二栅极绝缘层16上，所述介电层17覆于所述第二栅极层1013上；所述第二通孔4从所述介电层17贯穿至所述有源层1011，其中一第二通孔4对应于所述源极区10111，另一第二通孔4对应于所述漏极区10112；所述金属走线18包括源极走线181和漏极走线182，所述源极区10111对应的连接至所述源极走线181，所述漏极区10112对应连接至所述漏极走线182；所述第三通孔5贯穿所述平坦层19且所述漏极走线182暴露于所述第三通孔5中；所述阳极走线110(见图8)设于所述平坦层19上且通过所述第三通孔5连接至所述漏极走线182。
为了更加清楚的解释本发明，下面本实施例提供一种阵列基板10的制作方法，该方法具体包括如下步骤。
如图1所示，提供一玻璃基板100。
参见图1，在玻璃基板100的一表面涂布一层聚酰亚胺材料，形成第一基层11。在第一基层11上沉积具有隔绝水氧功能的无机材料，形成第一缓冲层12。通过干刻工艺对所述第一缓冲层12进行刻蚀，形成第一通孔3。其中，所述第一通孔3对应于所述弯折区102。
参见图2，在所述第一通孔3中填充聚酰亚胺材料，以及在所述第一缓冲层12上涂布一层聚酰亚胺材料形成第二基层13。
参见图3.在所述第二基层13上沉积法形成第二缓冲层14，第二缓冲层14所用材料与第一缓冲层12所用材料均为无机材料，材料可以相同也可以不同。对应所述显示区101，在所述第二缓冲层14上形成有源层1011，并对所述有源层1011进行结晶和图案化，形成源极区10111和漏极区10112。在所述有源层1011上和所述第二缓冲层14上通过沉积法形成第一栅极绝缘层15。对应所述显示区101，在所述第一栅极绝缘层15上形成第一金属层，并对第一金属层进行图案化，形成栅极和栅极走线。在所述第一金属层和所述第一栅极绝缘层15上通过沉积法形成第二栅极绝缘层16。对应所述显示区101，在所述第二栅极绝缘层16上形成第二金属层，并对第二金属层进行图案化，形成电容第二极板和泄放线。在所述第二金属层和所述第二栅极绝缘层16上通过沉积法形成介电层17。
参见图3所示，对应所述显示区101的所述有源层1011所在区域，对所述介电层17进行刻蚀，形成第二通孔4，同时对所述弯折区102进行刻蚀，形成第一孔体21a。其中，所述第二通孔4从所述介电层17延伸至所述有源层1011，其中一第二通孔4对应于所述源极区10111，另一第二通孔4对应于所述漏极区10112；所述第一孔体21a从所述介电层17贯穿至所述第二缓冲层14中。
参见图4所示，对应所述弯折区102的所述第一孔体21a内，对所述第二缓冲层14以及所述第二基层13进行刻蚀，形成第二孔体21b。所述第二孔体21b从所述第二缓冲层14延伸至所述第二基层13中。所述第一孔体21a和所述第二孔体21b形成台阶结构的开孔2。所述第一孔体21a的深度与所述第二孔体21b的深度的比值为0.1-5。由于所述开孔2设置成台阶结构，因此，将不同层级的所述孔体21的深度与所述孔壁213的坡度结合起来，通过设定孔体21的深度来调节对应所述孔体21的孔壁213的坡度，以改善覆于所述开孔2的内表面的金属走线18所承受的应力。
参见图5所示，在所述介电层17上以及开孔2中形成从所述显示区101延伸至所述弯折区102的金属走线18。对所述金属走线18图案化，形成连接于所述源极区10111的源极183、连接于所述漏极区10112的漏极184以及金属走线18，该金属走线18包括连接于所述源极183的源极走线181和连接于所述漏极184的漏极走线182。
参见图6所示，在所述开孔2中填充有机光阻材料，并形成有机层6。所述有机层6包覆所述金属走线18，所述有机层6的高度不超过所述开孔2的深度。
参见图7所示，在所述介电层17以及所述介电层17上的金属走线18以及所述有机层6上，涂布有机膜层，并进行图案化形成平坦层19以及对应于所述漏极区10112的第三通孔5。所述第三通孔5贯穿所述平坦层19且所述漏极走线182暴露于所述第三通孔5。
参见图8所示，在所述平坦层19上通过沉积法形成阳极金属层，并图案化，形成阳极走线110，所述阳极走线110连接于所述漏极走线182。在所述阳极走线110上方涂布有机光阻，并形成像素定义层111等。
如图9所示，本发明还提供了一种显示装置1，包括所述的阵列基板10。本实施例的主要设计要点在于阵列基板10，特别是阵列基板10中所述弯折区102的层状分布结构，即在弯折区102形成开孔2，且开孔2延伸至第二基层13内，并将金属走线18形成在开孔2的内表面，在开孔2内的金属走线18上方填充有机光阻，使得中性面7经过金属走线18，降低弯折区102的金属走线18所承受应力。对于所述显示装置1的其他结构，(如封装层、偏光片、彩膜基板20等)就不再一一赘述。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，具有显示区以及围绕所述显示区的弯折区，所述阵列基板包括
第一基层；
第一缓冲层，覆于所述第一基层上；
第二基层，覆于所述第一缓冲层上；
至少一开孔，所述开孔的至少一部分位于所述第二基层上，且对应于所述弯折区；
金属走线，分布于所述显示区和所述弯折区，且所述金属走线的至少一部分覆于所述开孔的内表面；
有机层，填充于所述开孔中且包覆位于所述开孔内的所述金属走线。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一缓冲层中具有第一通孔，所述第一通孔对应所述开孔。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述弯折区，所述金属走线在所述第一缓冲层上的投影，完全落入所述第一通孔内。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括
第二缓冲层，覆于所述第二基层上；
第一栅极绝缘层，覆于所述第二缓冲层上；
第二栅极绝缘层，覆于所述第一栅极绝缘层上；
介电层，覆于所述第二栅极绝缘层上；
所述金属走线形成于所述介电层上以及所述开孔中；
在所述弯折区，所述开孔从所述介电层贯穿至所述第二基层内。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述开孔为台阶结构或倒立的塔状结构，其包括若干孔体，所述孔体从所述介电层向所述第二基层叠加设置，其中，位于下方的一个孔体的宽度小于或等于位于上方的并与其相邻的一个孔体的宽度。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，从所述介电层向所述第二基层，所述孔体的宽度依次减小。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述开孔具有孔壁、孔底和孔口，所述孔壁从所述孔底向所述孔口延伸，所述孔底的宽度小于所述孔口的宽度，所述孔壁与所述孔底之间存在一夹角，该夹角范围为45°-70°。
8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述开孔包括
第一孔体，从所述介电层贯穿至所述第一缓冲层；
第二孔体，从所述第一缓冲层贯穿至所述第二基层内，并在所述第二基层内形成孔底，所述第二孔体的宽度小于所述第一孔体的宽度；
所述第一孔体的深度与所述第二孔体的深度的比值为0.1-5。
9.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括
平坦层，设于所述金属走线、所述介电层以及所述有机层上；
像素定义层，设于所述平坦层上；
在所述显示区，所述阵列基板还包括
有源层，具有源极区和漏极区，所述有源层设于所述第二缓冲层上，所述第一栅极绝缘层覆于所述有源层上；
第一栅极层，设于所述第一栅极绝缘层上，所述第二栅极绝缘层覆于所述第一栅极层上；
第二栅极层，设于所述第二栅极绝缘层上，所述介电层覆于所述第二栅极层上；
第二通孔，从所述介电层贯穿至所述有源层，其中一第二通孔对应于所述源极区，另一第二通孔对应于所述漏极区；
所述金属走线包括源极走线和漏极走线，所述源极区对应的连接至所述源极走线，所述漏极区对应连接至所述漏极走线；
第三通孔，贯穿所述平坦层且所述漏极走线显露于所述第三通孔；
阳极走线，设于所述平坦层上且通过所述第三通孔连接至所述漏极走线。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9中任意一项所述的阵列基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811531133.6A CN109659320B (zh) | 2018-12-14 | 2018-12-14 | 阵列基板及具有该阵列基板的显示装置 |
| PCT/CN2019/072855 WO2020118875A1 (zh) | 2018-12-14 | 2019-01-23 | 阵列基板及具有该阵列基板的显示装置 |
| US16/467,064 US10923511B2 (en) | 2018-12-14 | 2019-01-23 | Array substrate and display device comprising same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811531133.6A CN109659320B (zh) | 2018-12-14 | 2018-12-14 | 阵列基板及具有该阵列基板的显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109659320A true CN109659320A (zh) | 2019-04-19 |
| CN109659320B CN109659320B (zh) | 2021-03-16 |
Family
ID=66113200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811531133.6A Active CN109659320B (zh) | 2018-12-14 | 2018-12-14 | 阵列基板及具有该阵列基板的显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109659320B (zh) |
| WO (1) | WO2020118875A1 (zh) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110571239A (zh) * | 2019-08-06 | 2019-12-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板 |
| CN110634885A (zh) * | 2019-08-20 | 2019-12-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| CN111106129A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-05-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 |
| CN111463243A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-07-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| CN111584554A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-08-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性阵列基板及显示面板 |
| CN111584550A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-08-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| WO2020173031A1 (zh) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性阵列基板、其制备方法及显示面板 |
| WO2020232827A1 (zh) * | 2019-05-20 | 2020-11-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN112542499A (zh) * | 2020-12-03 | 2021-03-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| CN113066367A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置及其制造方法 |
| WO2021139403A1 (zh) * | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 |
| CN117095618A (zh) * | 2023-10-16 | 2023-11-21 | 长春希达电子技术有限公司 | 一种柔性显示面板制备方法及显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN206345157U (zh) * | 2016-12-23 | 2017-07-21 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种用于液晶面板的包装件 |
| CN107845643A (zh) * | 2017-09-25 | 2018-03-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN108899340A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性amoled显示面板及其制造方法 |
| CN108962946A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-12-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI373097B (en) * | 2008-07-09 | 2012-09-21 | Au Optronics Corp | Method for fabricating thin film transistor array substrate |
| CN108231839A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-06-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板的弯折区结构及其制作方法 |
| CN108231672A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-06-29 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性显示面板的制作方法及柔性显示面板 |
-
2018
- 2018-12-14 CN CN201811531133.6A patent/CN109659320B/zh active Active
-
2019
- 2019-01-23 WO PCT/CN2019/072855 patent/WO2020118875A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN206345157U (zh) * | 2016-12-23 | 2017-07-21 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种用于液晶面板的包装件 |
| CN107845643A (zh) * | 2017-09-25 | 2018-03-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN108899340A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性amoled显示面板及其制造方法 |
| CN108962946A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-12-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020173031A1 (zh) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性阵列基板、其制备方法及显示面板 |
| WO2020232827A1 (zh) * | 2019-05-20 | 2020-11-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| WO2021022583A1 (zh) * | 2019-08-06 | 2021-02-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板 |
| CN110571239A (zh) * | 2019-08-06 | 2019-12-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板 |
| CN110634885A (zh) * | 2019-08-20 | 2019-12-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| US11444103B2 (en) | 2019-08-20 | 2022-09-13 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate and method of manufacturing thereof |
| WO2021031381A1 (zh) * | 2019-08-20 | 2021-02-25 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| CN111106129A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-05-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 |
| WO2021139403A1 (zh) * | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 |
| US11967599B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-04-23 | Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd | Array substrate and display panel |
| CN111463243A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-07-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| CN111584550A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-08-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN111584554A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-08-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性阵列基板及显示面板 |
| CN111584554B (zh) * | 2020-05-06 | 2022-05-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性阵列基板及显示面板 |
| CN112542499A (zh) * | 2020-12-03 | 2021-03-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| CN113066367A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置及其制造方法 |
| US11586315B2 (en) | 2021-03-16 | 2023-02-21 | Mianyang Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display substrate, display device and method of manufacturing same |
| CN117095618A (zh) * | 2023-10-16 | 2023-11-21 | 长春希达电子技术有限公司 | 一种柔性显示面板制备方法及显示装置 |
| CN117095618B (zh) * | 2023-10-16 | 2024-03-15 | 长春希达电子技术有限公司 | 一种柔性显示面板制备方法及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109659320B (zh) | 2021-03-16 |
| WO2020118875A1 (zh) | 2020-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109659320A (zh) | 阵列基板及具有该阵列基板的显示装置 | |
| CN109192878B (zh) | 柔性oled显示面板 | |
| US11251410B2 (en) | Flexible display substrate and method for manufacturing the same | |
| US10916609B2 (en) | Array substrate and method for manufacturing array substrate | |
| WO2020228213A1 (zh) | Oled显示面板及其制备方法 | |
| WO2019037166A1 (zh) | 柔性显示面板的制作方法及柔性显示面板 | |
| WO2020000609A1 (zh) | 显示面板及其制造方法 | |
| CN110112191B (zh) | 一种显示面板、显示装置及其制造方法 | |
| KR20170079529A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| WO2021217841A1 (zh) | 柔性显示面板及其制作方法 | |
| US10923511B2 (en) | Array substrate and display device comprising same | |
| WO2021098514A1 (zh) | 显示用驱动背板及其制备方法、显示面板及显示装置 | |
| TWI735344B (zh) | 顯示面板 | |
| WO2017177498A1 (zh) | Tft基板及其制作方法 | |
| WO2020181634A1 (zh) | Oled 显示装置及制备方法 | |
| WO2016000399A1 (zh) | 有机薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| WO2023024152A1 (zh) | 可拉伸显示面板 | |
| WO2019192075A1 (zh) | 柔性显示器及其制作方法 | |
| WO2020228235A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法、柔性显示面板 | |
| CN109671748A (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
| WO2020006831A1 (zh) | 一种阵列基板及其制作方法 | |
| WO2019205433A1 (zh) | 阵列基板的制作方法 | |
| US11495621B2 (en) | Array substrate, display panel, and method of manufacturing the array substrate | |
| WO2021027024A1 (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 | |
| US11121333B2 (en) | OLED display panel and method for fabricating same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |