JP4475231B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
また、前記透明導電膜は、前記シール材よりも幅広に形成されてなることを特徴とする。
図1は、本実施の形態を示す液晶装置の平面図、図2は、図1中のII-II線に沿う液晶装置の断面図である。
図8は、本発明の第2実施の形態を示す液晶装置のTFT基板の構成の概略を示す正面図、図9は、図8中のIX-IX線に沿うTFT基板の部分断面図である。
図16は、本発明の第3実施の形態を示す液晶装置のTFT基板の部分断面図である。本実施の形態の液晶装置の構成は、上述した図1〜図7に示した第1実施の形態の液晶装置、図8、図9に示した第2実施の形態の液晶装置と比して、透明導電膜及び凹溝を用いて配向膜16と絶縁膜60とを密着させる構成となっている点が異なる。よって、この相違点のみを説明し、第1実施の形態及び第2実施の形態と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。
Claims (11)
- 第1の基板と、
前記第1の基板に対向配置された第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間の少なくとも表示領域に介在された液晶と、
前記第1の基板と前記第2の基板との少なくとも一方に形成された下層膜と、
前記表示領域において、前記下層膜上に設けられた画素電極と、
前記表示領域の前記画素電極を覆うと共に該表示領域の周辺に設けられた配向膜と、
前記表示領域の周辺において、前記配向膜上に設けられた前記第1及び第2基板を貼り合わせるシール材と、
前記配向膜と前記下層膜との間に、前記シール材と重なるように形成され、前記画素電極と同一部材からなる透明導電膜とを具備し、
前記透明導電膜は、前記画素電極と離間して周状に形成されており、前記配向膜及び前記下層膜とそれぞれ密着するように形成されてなり、
前記下層膜の前記透明導電膜と接する面に、前記シール材と平面的に少なくとも重なるように周状の複数の溝が形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 前記透明導電膜は、前記シール材よりも幅広に形成されてなることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記第1の基板と前記第2の基板との少なくとも一方に、外部接続用端子が形成されており、
前記透明導電膜は、前記配向膜と前記下層膜との間の前記外部接続用端子を除く領域の全面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記下層膜は、絶縁膜から構成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電気光学装置。
- 前記透明導電膜は、ITOから構成された膜であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の電気光学装置。
- 前記溝は、前記表示領域の周囲を取り巻くように平面的に周状に形成されていることを特徴とする請求項4または5に記載の電気光学装置。
- 前記溝は、閉ループ状に繋がって形成されていることを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置。
- 前記第1の基板と前記第2の基板との少なくとも一方の前記シール材に接する面は、前記溝により、断面形状が凹凸状を有していることを特徴とする請求項6または7に記載の電気光学装置。
- 前記第1の基板と前記第2の基板との少なくとも一方の前記シール材に接する面と前記溝とにより形成された前記溝の開口縁部の断面形状は、直角を有して形成されていることを特徴とする請求項8に記載の電気光学装置。
- 前記第1の基板と前記第2の基板との少なくとも一方の前記シール材に接する面と前記溝とにより形成された前記前記溝の開口縁部の断面形状は、曲線を有してまたは鈍角を有して形成されていることを特徴とする請求項8に記載の電気光学装置。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の電気光学装置を有する電子機器。
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