TWI407192B

TWI407192B - 液晶裝置

Info

Publication number: TWI407192B
Application number: TW095149222A
Authority: TW
Inventors: Magoyuki Yokokawa; Teiichiro Nakamura
Original assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2005-12-28
Filing date: 2006-12-27
Publication date: 2013-09-01
Also published as: KR101334564B1; US20070146598A1; TW200739190A; KR20070070128A; US7898632B2

Description

液晶裝置

本發明是關於例如第1基板和該第1基板相向之第2基板經由密封材相向配置，在上述第1基板和上述第2基板之間之至少有效畫素區域介存液晶之液晶裝置等之光電裝置及該製造方法，以及具備有該光電裝置之例如液晶投影機等之電子機器之技術領域。

一般所知，光電裝置例如液晶裝置是在由玻璃基板、石英基板等所構成之兩片基板間挾持液晶而所構成，在一方基板上矩陣狀配置例如多數薄膜電晶體(Thin Film Transistor以下稱為TFT)等之開關元件及畫素電極，在另一方基板上配置對向電極，因應畫像訊號使挾持在兩基板間之液晶層之光學特性予以變化，成為可畫像顯示。

即是，藉由TFT等之開關元件對矩陣狀配列之多數畫素電極(ITO：Indium Tin Oxide)供給畫像訊號，對畫素電極和對向電極相互間之液晶層施加根據畫像訊號之電壓，使液晶分子之配列變化。依此，使畫素之透過率予以變化，因應畫像訊號使通過畫素電極及通過液晶層之光予以變化而執行畫像顯示。

再者，配置有TFT之元件基板，和與該元件基板相向配置之對向基板，是分別製造後，在面板組裝工程中，例如經由圈狀之密封材高精度(例如對準誤差在1μ以內) 貼合。

當詳細說明該面板組裝工程時，首先在於各基板之製造工程中各製造出之元件基板和對向基板之各液晶層接觸之面上，形成用以沿著基板面配向液晶分子之例如由聚醯亞胺所構成之配向膜。之後，執行燒結，並且實施用以決定無施加電壓時之液晶分子之配列的摩擦處理。

接著，藉由例如液晶封入方式，於在元件基板和對向基板之間介存液晶之時，在元件基板和對向基板之一方基板上之密封材塗佈區域成為黏著劑之密封材，是以一部份具有缺口之方式被塗佈呈略圈狀，使用該密封材，貼合元件基板和對向基板，接著，施予對準而壓合硬化後，經由設置在密封材之一部份上的缺口封入液晶，缺口藉由以熱等硬化之密封材封口，組裝出液晶裝置。

如此之液晶裝置之組裝工程為習知，例如揭示於日本專利特開平9-222612號公報(以下，稱為專利文獻1)。專利文獻1所揭示之液晶裝置中，藉由在密封材和元件基板之間，形成由透明電極所構成之密封材剝離防止圖案，防止上述密封材之形成工程中，使密封材熱硬化之時，由於熱在密封材產生裂紋且密封材自元件基板剝離，提升液晶裝置之耐濕性之技術。

然而，在例如與元件基板之液晶層接觸之面上形成配向膜之後，配向膜之一部份，具體而言形成在被配置於藉由密封材所包圍之區域上的有效畫素區域外之配向膜，是被形成在屬於該配向膜之下層膜，例如由SiO2(二氧化矽)、BSG(硼矽玻璃即是摻雜硼氧化膜)、BPSG(硼磷矽玻璃即是摻雜硼磷氧化膜)等所構成之平坦化的絕緣膜上。

但是，由聚醯亞胺所構成之配向膜與由上述構件等所構成之絕緣膜，因密著性差，故當在高溫條件下使用被組裝之液晶裝置時，經由配向膜和絕緣膜之間，水分侵入至有效畫素區域內，由於該侵入之水分，有產生顯示不均等之顯示不良之情形，有使液晶裝置之耐濕性下降之技術性問題。

並且，在摩擦處理配向膜之工程中，存在有由於該摩擦處理，自絕緣膜剝離之配向膜的塵埃，在顯示區域附著線條等之摩擦不均之情形的技術性問題點。

並且，如此之問題點雖然並不限定於絕緣膜，也藉由配向膜和該配向膜之下層膜之密著性而發生，但是該些問題點在專利文獻1所揭示之液晶裝置並無任何對策，以謀求提升液晶裝置全體之耐濕性的手法為佳。

另外，液晶裝置中之畫像顯示之時，射入光除液晶層之外也通過畫素電極及對向電極等，故為了執行高品質之顯示，以提高畫素電極及對向電極之透過率為佳，例如，在日本特開2005-140836號公報(以下，稱為專利文獻2)中，揭示著在構成畫素電極及對向電極之ITO膜之正下方，藉由鋪設由氮化膜等所構成之光學薄膜，提升透過率之技術。

但是，若藉由專利文獻2所揭示之技術，存在有因由氮化膜等所構成之光學薄膜和聚醯亞胺所構成之配向膜之界面密著性低，引起裝置之耐濕性下降的技術性問題。

本發明是鑒於例如上述問題點所創作出者，其課題為提供提升配向膜和該配向膜之下層之膜之間的密著性，防止水分侵入有效畫素區域提升耐濕性，並且可以防止摩擦處理之時之配向膜自該配向膜下層之膜剝離的光電裝置及該製造方法以及具備有該光電裝置之電子機器。並且，其課題為提供可維持耐濕性並可提升透過率，可執行高品質顯示之光電裝置及該製造方法，以及具備有該光電裝置之電子機器。

本發明所涉及之第1光電裝置為了解決上述課題，是屬於經由密封材使第1基板和與該第1基板相向之第2基板相向配置，在上述第1基板和上述第2基板之間的至少有效畫素區域介在有液晶的光電裝置，具備有：配向膜，被形成在上述第1基板和上述第2基板之至少一方上，上述密封材之正下方的用以使上述液晶予以配向；和上述配向膜之下層的下層膜，上述配向膜和上述下層膜之間的平面性至少覆蓋上述密封材之區域上，形成有密接上述配向膜及上述下層膜之透明導電膜。

若藉由本發明所涉及之第1光電裝置時，則可以防止在高溼度條件下，水分經配向膜和屬於該配向膜之下層之膜的下層膜之間，自區域外侵入於藉由第1基板和第2基板之至少一方之密封材所規定之區域上。其結果，具有提升光電裝置之耐濕性的效果。再者，具有藉由提升配向膜和下層膜之密著性，防止配向膜自下層膜剝離之效果。

本發明所涉及之第1光電裝置之一態樣，是在上述第1基板和上述第2基板之至少一方，形成有外部連接用端子，在上述有效畫素區域設置有電極，上述透明導電膜是被形成在除上述配向膜和上述下層膜之間的上述外部連接用端子及上述電極之外的區域全面。

若藉由該態樣，不會有透明導電膜與外部連接用端子及有效區域之電極接觸，在外部連接端子間、電極間造成短路之情形，可以防止在高溼度條件下，水分經配向膜和屬於該配向膜之下層之膜的下層膜之間，自區域外侵入於藉由第1基板和第2基板之至少一方之密封材所規定之區域上。其結果，具有提升光電裝置之耐濕性的效果。再者，具有藉由提升配向膜和下層膜之密著性，防止配向膜自下層膜剝離之效果。

本發明所涉及之第1光電裝置之其他態樣中，在平面性至少覆蓋上述下層膜之與上述透明導電膜接觸之面的上述密封材之區域上，形成有溝。

若藉由該態樣，可以不僅藉由透明導電膜，又藉由溝，以比起無具有溝之時延長侵入路徑之方式，來防止在高溼度條件下，水分經配向膜和屬於該配向膜之下層之膜的下層膜之間，自區域外侵入於藉由第1基板和第2基板之至少一方之密封材所規定之區域上。其結果，具有提升光電裝置之耐濕性的效果。再者，具有可以藉由不僅透明導電膜還有溝，來提升配向膜和下層膜之密著性，防止配向膜自下層膜剝離之效果。

本發明所涉及之第2光電裝置為了解決上述課題，是屬於經由密封材使第1基板和與該第1基板相向之第2基板相向配置，在上述第1基板和上述第2基板之間的至少有效畫素區域介在有液晶的光電裝置，其特徵為：具備有：配向膜，被形成在上述第1基板和上述第2基板之至少一方上，上述密封材之正下方的用以使上述液晶予以配向；和上述配向膜之正下方的下層膜，在平面性至少覆蓋上述下層膜之與上述配向膜接觸之面的上述密封材之區域上，形成有溝。

若藉由本發明所涉及之第2光電裝置，可以藉由溝，以比起無具有溝之時延長侵入路徑之方式，來防止在高溼度條件下，水分經配向膜和屬於該配向膜之下層之膜的下層膜之間，自區域外侵入於藉由第1基板和第2基板之至少一方之密封材所規定之區域上。其結果，具有提升光電裝置之耐濕性的效果。再者，具有可以藉由溝，來提升配向膜和下層膜之密著性，防止配向膜自下層膜剝離之效果。

本發明所涉及之光電裝置之其他態樣中，上述下層膜是由絕緣膜所構成。

若藉由該態樣，則可以防止在高溼度條件下，水分經配向膜和屬於該配向膜之下層之膜的絕緣膜之間，自區域外侵入於被配置在第1基板和第2基板之至少一方之密封材內側之成為有效畫素區域的液晶區域上，隨此所產生之顯示不良。其結果，具有提升光電裝置之耐濕性的效果。再者，具有藉由提升配向膜和絕緣膜之密著性，於摩擦之時，防止來自配向膜自絕緣膜剝離之效果。

本發明所涉及之光電裝置之其他態樣，上述透明導電膜是由ITO所構成之膜。

在形成有上述溝之態樣中，上述溝即使以包圍上述有效畫素區域之周圍的方式，平面性形成圈狀亦可。

於此時，則可以確實防止在高溼度條件下，水分經配向膜和屬於該配向膜之下層之膜的絕緣膜或透明導電膜之間，自區域外侵入於被配置在第1基板和第2基板之至少一方之密封材內側之成為有效畫素區域的液晶區域上，隨此所產生之顯示不良。其結果，具有提升光電裝置之耐濕性的效果。

在上述形成有上述溝之態樣中，上述溝即使連結成閉環狀而形成亦可。

此時，則可以在光電裝置之任何方向，確實防止在高溼度條件下，水分經配向膜和屬於該配向膜之下層之膜的絕緣膜或透明導電膜之間，自區域外侵入於被配置在第1基板和第2基板之至少一方之密封材內側之成為有效畫素區域的液晶區域上，隨此所產生之顯示不良。其結果，具有提升光電裝置之耐濕性的效果。

在形成有上述溝之態樣中，上述溝即使由多數所構成亦可。

此時，則可以更確實防止在高溼度條件下，水分經配向膜和屬於該配向膜之下層之膜的絕緣膜或透明導電膜之間，自區域外侵入於被配置在第1基板和第2基板之至少一方之密封材內側之成為有效畫素區域的液晶區域上，隨此所產生之顯示不良。其結果，具有提升光電裝置之耐濕性的效果。

在形成有上述溝之態樣中，與上述第1基板和上述第2基板之至少一方之上述密封材接觸之面，即使藉由上述溝，剖面形狀具有凹凸狀亦可。

再者，藉由接觸於上述第1基板和上述第2基板之至少一方之上述密封材的面和上述溝所形成之上述溝之開口邊緣部之剖面形狀，即使具有直角而形成亦可。

又，藉由接觸於上述第1基板和上述第2基板之至少一方之上述密封材的面和上述溝所形成之上述溝之開口邊緣部之剖面形狀，即使具有曲線或是具有鈍角而形成亦可。

本發明所涉及之第1光電裝置之製造方法為了解決上述課題，是屬於經由密封材使第1基板和與該第1基板相向之第2基板相向配置，在上述第1基板和上述第2基板之間的至少有效畫素區域介在有液晶的光電裝置之製造方法，具備有：在上述第1基板和上述第2基板之至少一方之基板表面之膜，形成溝之步驟；在上述膜之至少形成有上述溝之區域上，形成透明導電膜之步驟；至少在上述透明導電膜上，形成使上述液晶予以配向之配向膜的步驟；和在形成有上述溝之區域之上方的上述配向膜上之區域內，形成密封材之步驟。

若藉由本發明所涉及之第1光電裝置之製造方法，則可以確實防止在高溼度條件下，水分經配向膜和屬於該配向膜之下層之膜的絕緣膜之間，自區域外侵入於被配置在第1基板和第2基板之至少一方之密封材內側之成為有效畫素區域的液晶區域上。其結果，具有提升光電裝置之耐濕性的效果。再者，具有可以藉由提升配向膜和絕緣膜之密著性，防止配向膜自絕緣膜剝離之效果。

本發明所涉及之第2光電裝置之製造方法為了解決上述課題，屬於經由密封材使第1基板和與該第1基板相向之第2基板相向配置，在上述第1基板和上述第2基板之間的至少有效畫素區域介在有液晶的光電裝置之製造方法，其特徵為：具備有：在上述第1基板和上述第2基板之至少一方之基板表面之膜，形成溝之步驟；至少在上述膜上，形成使上述液晶予以配向之配向膜之步驟；和在形成有上述溝之區域之上方之上述配向膜上之區域內，形成上述密封材之步驟。

若藉由本發明所涉及之第2光電裝置之製造方法，則可以藉由溝，以比起無具有溝之時延長侵入路徑之方式，來防止在高溼度條件下，水分經配向膜和屬於該配向膜之下層之膜的絕緣膜之間，自區域外侵入於被配置在第1基板和第2基板之至少一方之密封材內側之成為有效畫素區域的液晶區域上。其結果，具有提升光電裝置之耐濕性的效果。再者，具有可以藉由溝，來提升配向膜和絕緣膜之密著性，防止配向膜自絕緣膜剝離之效果。

本發明所涉及之光電裝置之製造方法之一態樣中，上述溝是藉由乾蝕刻，具有由上述基板表面之上述膜和上述溝所形成之上述溝之開口邊緣部之剖面形狀具有直角而所形成。

本發明所涉及之光電裝置之製造方法之其他態樣中，上述溝是藉由濕蝕刻，而形成由上述基板表面之上述膜和上述溝所形成之上述溝之開口邊緣部之剖面形狀具有曲線或具有鈍角。

本發明所涉及之第1電子機器，為了解決上述課題，是屬於經由密封材使第1基板和與該第1基板相向之第2基板相向配置，在上述第1基板和上述第2基板之間的至少有效畫素區域介在有液晶的光電裝置，具備有：配向膜，被形成在上述第1基板和上述第2基板之至少一方上，上述密封材之正下方的用以使上述液晶予以配向；和上述配向膜之下層的下層膜，上述配向膜和上述下層膜之間的平面性至少覆蓋上述密封材之區域上，形成有密接上述配向膜及上述下層膜之透明導電膜。

若藉由本發明所涉及之第1電子機器，則可以確實防止在高溼度條件下，水分經配向膜和屬於該配向膜之下層之膜的絕緣膜之間，自區域外侵入於被配置在第1基板和第2基板之至少一方之密封材內側之成為有效畫素區域的液晶區域上。其結果，具有因提升光電裝置之耐濕性，故提升電子機器之耐濕性的效果。再者，具有可以藉由提升配向膜和絕緣膜之密著性，防止於摩擦處理之時，配向膜自絕緣膜剝離之效果。

本發明所涉及之第2電子機器為了解決上述課題，是屬於經由密封材使第1基板和與該第1基板相向之第2基板相向配置，在上述第1基板和上述第2基板之間的至少有效畫素區域介在有液晶的光電裝置，具備有：配向膜，被形成在上述第1基板和上述第2基板之至少一方上，上述密封材之正下方的用以使上述液晶予以配向；和上述配向膜之正下方的下層膜，在平面性至少覆蓋上述下層膜之與上述配向膜接觸之面的上述密封材之區域上，形成有溝。

若藉由本發明所涉及之第2電子機器，則可以確實防止在高溼度條件下，水分經配向膜和屬於該配向膜之下層之膜的絕緣膜之間，自區域外侵入於被配置在第1基板和第2基板之至少一方之密封材內側之成為有效畫素區域的液晶區域上。其結果，具有因提升光電裝置之耐濕性，故提升電子機器之耐濕性的效果。再者，具有可以藉由提升配向膜和絕緣膜之密著性，防止於摩擦處理之時，配向膜自絕緣膜剝離之效果。

本發明所涉及之第3光電裝置為了解決上述課題，具備有：挾持光電物質之一對第1及第2基板；畫素電極，由被設置在上述第1基板上之透明導電膜所構成；配向膜，被形成在上述畫素電極上，規範上述光電物質之配向狀態；密封材，在沿著設置有上述畫素電極之顯示區域之周圍的密封區域中，互相貼合上述第1及第2基板；光學薄膜，被疊層於上述第1基板和上述畫素電極之間，具有上述第1基板之折射率和上述畫素電極之折射率之中間大小的折射率；和密封下側膜，被設置在上述第1基板之至少構成上述密封區域之一部份的部份區域上，由與上述畫素電極相同膜所構成。

若藉由本發明所涉及之第3光電裝置，一對第1及第2基板是在沿著顯示區域之周圍的密封區域中藉由密封材而交互貼合，在一對第1及第2基板間挾持當作光電物質之例如液晶。第1基板是在例如玻璃基板上具有例如畫素開關用之電晶體或疊層例如掃描線、資料線等之配線的疊層構造，在最上層形成有由例如NSG(非矽酸鹽玻璃)或是矽氧化膜所構成之層間絕緣膜。第2基板是由例如玻璃基板所構成。在第1基板上例如矩陣狀配列由例如ITO膜等之透明導電膜所構成之透明畫素電極，在第2基板上與畫素電極相向設置例如由ITO膜等之導電膜所構成之對向電極。在不使光電裝置動作之狀態下，藉由以例如聚醯亞胺等之有機材料或是例如二氧化矽(SiO2)等之無機材料所構成之配向膜及被設置在對向電極上之配向膜之表面形狀效果，光電物質則在一對第1及第2基板間取得特定配向狀態。於光電裝置動作時，對畫素電極及對向電極間之液晶層施加根據畫像訊號之電壓，液晶分子之配向狀態則變化。藉由如此液晶分子之配向狀態每畫素之光的透過率則變化。依此通過液晶層之光因應畫像訊號而變化，在顯示區域中執行畫像顯示。

於本發明中，尤其具有第1基板之折射率和畫素電極之折射率之中間的大小之折射率，例如由矽氮化膜(SiN膜)、矽氧氮化膜(SiON膜)等所構成之光學薄膜，是在第1基板上之疊層構造中，被配置在第1基板和畫素電極之間，即是層間。並且，如此之光學薄膜典型上是形成在第1基板上之全面。即是，例如與折射率為1.4之第1基板相鄰接，依順序疊層例如折射率為1.6~1.8(即是1.6以上且1.8以下)之範圍內之光學膜和折射率為2.0之畫素電極。並且，在此之「中間大小」是第1基板之折射率比畫素電極之折射率大時，比第1基板之折射率小且比畫素電極之折射率大之意，第1基板之折射率比畫素電極之折射率小時，是比第1基板之折射率大且比畫素電極之折射率小之意，即是位於兩者折射率之間的值。即是，並不是限定於中間值之意。依此，藉由光學薄膜可以提高自畫素電極側射入之光透過畫素電極，射出至第1基板內之時的透過率。即是，假設都不施予任何對策，與第1基板相鄰接而設置畫素電極之時，由於第1基板和畫素電極之折射率之比較大的差，產生畫素電極和第1基板之界面的界面反射比較大。若藉由如此之本發明，藉由具有中間大小之折射率的光學薄膜，則可以降低界面反射。因此，可以透過畫素電極，提高被射出至第1基板內之時的透過率。

並且，本發明中尤其具備有密封下側膜，在第1基板上俯視性觀看，是被設置在第1基板上之至少構成密封區域之一部份的部份區域上，由與畫素電極相同之膜所構成之密封下側膜。在此，「相同膜」是意味著製造工程中於相同時機所形成之膜之意，為相同種類之膜。並且，「相同膜」並不是要求以一片膜連續之意，基本上若為相同膜中互相分斷之膜部份即可。即是，密封下側膜是由與例如由ITO膜等所構成之畫素電極相同之膜所構成，至少部份形成在密封區域內。即是，在至少密封區域之部份區域，依照光學薄膜、密封下側膜及配向膜之順序疊層。依此，在第1基板上之密封區域，降低配向膜和光學薄膜之界面之面積。換言之，在第1基板上之密封區域中，形成配向膜和密封下側膜之界面及密封下側膜和光學薄膜之界面，以取代配向膜和光學薄膜。依此，可降低或防止由於例如由聚醯亞胺等之有機材料或是例如二氧化矽(SiO2)等之無機材料所構成之配向膜，和例如由矽氮化膜、矽氧氮化膜等所構成之光學薄膜之界面的密著性低，而引起水分自外部經配向膜和光學薄膜之界面而浸透至顯示區域內。換言之，至少在密封區域之部份區域，由於形成配向膜和密封下側膜之界面及密封下側膜和光學薄膜之界面，該界面比配向膜和光學薄膜之界面密著性高，故可以提高界面之密著性。因此，可以提升裝置之耐濕性，其結果，可以提升裝置之信賴性。並且，密封下側膜在第1基板上俯視性觀看時，在位於顯示區域之周邊的周邊區域中，並不限定於密封區域內，即使設置在密封區域以外之部份亦可。

除此之外，密封下側膜是如上述般，因由與畫素電極相同膜所形成，故不會導致第1基板上之疊層構造之複雜化或製造工程之複雜化，可以提升裝置之耐濕性。

並且，藉由密封下側膜至少形成在密封區域之部份區域上，可以容易使因第1基板表面和畫素電極表面之段差導致於摩擦處理時所發生之例如交叉摩擦之摩耗粉等的摩擦渣，殘留在形成有密封下側膜之區域。即是，可以防止或降低摩擦渣殘留於顯示區域內，而對畫像顯示造成壞影響。

如上述說明般，若藉由本發明之第3光電裝置，藉由在至少密封區域之部份區域，設置由與畫素電極相同膜所構成之密封下側膜，維持耐濕性，並在畫素電極之正下方設置光學薄膜，則可以提升透過率，並能夠成為高品質之顯示。並且，不會導致第1基板上之疊層構造之複雜化或製造工程之複雜化。

本發明所涉及之第3光電裝置之一態樣中，上述密封下側膜在上述第1基板上俯視性觀看時，具有與上述畫素電極相同之平面圖案。

若藉由該態樣，密封下側膜在第1基板上俯視性觀看(即是，在第1基板之基板面上俯視性觀看)，是由與畫素電極相同之平面圖案所形成。即是，畫素電極在顯示區域中自透明導電膜被圖案製作至例如矩陣狀等之特定平面圖案時，密封下側膜也由與畫素電極相同膜之透明導電膜以同一平面圖案(即例如是矩陣狀等)被形成在密封區域內。換言之，一般，構成被形成在密封區域和顯示區域之間的框邊狀之區域之虛擬畫素的畫素電極之圖案，是被形成至密封區域。依此，容易以與畫素電極相同之工程製造密封下側膜。即是，幾乎不會變更形成畫素電極之工程。

本發明所涉及之第3光電裝置之其他態樣中，上述密封下側膜也在例如密封在上述第1基板上俯視性觀看時，在上述密封區域內具有以包圍上述顯示區域之方式所形成之第1部份。

若藉由該態樣，密封下側膜中之第1部份因以包圍顯示區域之方式，例如連續性形成，故可以降低或防止水分自外部進入至顯示區域。即是，藉由第1部份發揮阻隔外部和顯示區域之隔牆的功能，可以幾乎或完全截斷水分之進入路徑。依此，可以更進一步提升裝置耐濕性。並且，在形成密封下側膜之區域中，形成配向膜和密封下側膜之界面及密封下側膜和光學薄膜之界面，提高界面中之密著性。

本發明所涉及之第3光電裝置之其他態樣中，上述密封下側膜在上述第1基板上俯視性觀看時，在上述密封區域內具有互相分離而形成，並且以包圍上述顯示區域之方式而配置之多數第2部份。

若藉由該態樣，多數之第2部份因以包圍顯示區域之方式，配置例如在與自密封區域內朝向顯示區域之方向交叉之方向上互相錯開之多數列。依此，藉由多數之第2部份發揮阻隔外部和顯示區域之隔牆的功能，可以使水分之浸入路徑複雜化或增長，依此可以截斷。依此，可以更進一步提升裝置之耐濕性。並且，在形成有密封下側膜之區域，形成配向膜和密封下側膜之界面及密封下側膜和光學薄膜之界面，提高界面中之密著性。

本發明所涉及之第3光電裝置之其他態樣中，上述透明導電膜為ITO膜。

若藉由該態樣，藉由在由透過率比較低之ITO膜所涉及之畫素電極和第1基板之間設置光學薄膜，則可以提升第1基板、光學薄膜及畫素電極之全體透過率。

本發明所涉及之第3光電裝置之其他態樣中，上述光學薄膜具有1.6至1.8之範圍內的折射率。

若藉由該態樣，藉由例如設置在折射率大約1.4左右之第1基板，和由折射率大約在2左右之ITO所構成之畫素電極之間的折射率為1.6~1.8(即是1.6以上且1.8以下)之範圍內之光學薄膜，則可以有效果降低界面反射。依此，可以有效果提升透過率。

本發明所涉及之第3光電裝置之其他態樣中，上述光學薄膜之光吸收係數是比上述透明導電膜之光吸收係數小。

若藉由該態樣，可以降低或防止光通過光學薄膜之時的光損失，即是光強度之下降，可以更確實提升透過率。

本發明所涉及之第3光電裝置之其他態樣中，上述光學薄膜是包含無機物之氮化膜及氧氮化膜之至少一方而所構成。

若藉由該態樣，光學薄膜因包含例如矽氮化膜(SiN)等之氮化膜，及例如矽氧氮化膜(SiON)等之氧氮化膜之至少一方，故可以容易使折射率成為畫素電極之折射率和第1基板之折射率之中間大小的折射率。依此，可以容易且確實提升透過率。

在本發明所涉及之第3光電裝置之其他態樣中，上述配向膜是由聚醯亞胺所構成。

若藉由該態樣，在密封區域之部份區域中，由於不形成由聚醯亞胺所構成之配向膜，和含有例如矽氮化膜等之氮化膜或是例如矽氧氮化膜等之氧氮化膜等所構成之光學薄膜之密著性低的界面，故可以提升裝置之耐濕性。

本發明所涉及之第3電子機器為了解決上述課題，具備有上述本發明所涉及之第3光電裝置。

若藉由本發明所涉及之3電子機器，因具備上述本發明所涉及之第3光電裝置，故可以實現可執行高品質之畫像顯示的投射型顯示裝置、電視、行動電話、電子記事本、文字處理器、取景型或螢幕直視型之錄影機、工作台、視訊電話、POS終端機、觸控面板等之各種電子機器。

再者，本發明之電子機器亦可實現使用例如電子紙等之電泳裝置、電子放射裝置(Field Emission Display及Conduction Electron-Emitter Display)，該些電泳裝置、使用電子放射裝置之顯示裝置。

本發明所涉及之第3光電裝置之製造方法為了解決上述課題，是屬於製造具備有挾持光電物質之一對第1及第2基板，和被設置在第1基板上之畫素電極的光電裝置之光電裝置之製造方法，具備有：光學薄膜形成步驟，在上述第1基板上，以與上述第1基板相鄰接之方式，形成具有上述第1基板之折射率和上述畫素電極之折射率之中間大小之折射率的光學薄膜；畫素電極形成步驟，在上述第1基板上之顯示區域，與上述光學薄膜相鄰接在上層側疊層透明導電膜而形成上述畫素電極；在上述畫素電極上形成規範上述光電物質之配向狀態的配向膜之步驟；和在沿著上述顯示區域之周圍的密封區域中，以密封材互相貼合上述第1及第2基板之步驟，上述畫素電極形成步驟是在上述第1基板上之至少構成上述密封區域之一部份的部份區域，由與上述畫素電極相同膜形成密封下側膜。

若藉由本發明所涉及之第3光電裝置之製造方法，則可以製造上述本發明所涉及之第3光電裝置。在此尤其藉由畫素電極形成工程，至少在密封區域之部份區域上，藉由設置由與畫素電極相同膜所構成之密封下側膜，維持耐濕性，並藉由光學薄膜形成工程在畫素電極之正下方設置光學薄膜，可以提升透過率。依此，可以製造出可高品質顯示之光電裝置。並且，密封下側膜因藉由畫素電極形成工程而形成，故幾乎或完全不會導致製造工程之複雜化。

本發明之性質、有用性及其他特徵，當將與本發明之最佳實施形態關聯之詳細說明，配合以下簡單說明之附件圖面予以閱覽時，則更為清楚。

以下，參照圖面針對本發明之最佳實施形態予以說明。並且，在以下實施形態中所示之光電裝置是以液晶裝置當作例予以說明。

(第1實施形態)

首先，針對本發明之第1實施形態予以說明。

第1圖是表示第1實施形態之液晶裝置之平面圖，第2圖是沿著第1圖中之II-II線之液晶裝置之剖面圖。

如第1圖、第2圖所示般，液晶裝置100是在使用例如石英基板、玻璃基板、矽基板之第1基板的TFT基板10，和與該TFT基板10相向配置之例如使用玻璃基板或石英基板之第2基板的對向基板20之間的內部空間，介在屬於光電物質之液晶50而構成。對向配置之TFT基板10和對向基板20是藉由密封材52而貼合。

在與TFT基板10之基板上之液晶50接觸之面側，形成有構成液晶裝置100之有效畫素區域(以下，稱為顯示區域)70之TFT基板10之顯示區域10h。再者，在顯示區域10h之全面，矩陣狀配置有構成畫素之多數畫素電極(ITO)9。

再者，在對向基板20之基板上之全面，設置有對向電極(ITO)21，在與相向於對向電極21之TFT基板10之顯示區域10h之位置的液晶50接觸之面側上，形成有構成液晶裝置100之顯示區域70之對向基板20之顯示區域20h。

在TFT基板10之畫素電極9上，設置有施有摩擦處理之配向膜16，再者，也在形成在整個對向基板20上之全面的對向電極21上，設置有施有摩擦處理之配向膜26。

各配向膜16、26是由例如聚醯亞胺膜等之透明有機膜所構成。再者，各配向膜16、25是構成TFT基板10和對向基板20相向配置之時的各個相向面。

再者，在TFT基板10之顯示區域10h中，配線成多數條掃描線和多數條資料線(任一者皆無圖式)交叉，在以掃描線和資料線區劃之區域，矩陣狀配置畫素電極9。然後，對應於掃描線和資料線之各交叉部份而設置有屬於薄膜電晶體之TFT30，每該TFT30連接有畫素電極9。

TFT30是藉由掃描線之ON訊號呈接通，依此，被供給至資料線之畫像訊號被供給至畫素電極9。該畫素電極 9和被設置在對向基板20之對向電極21之間的電壓被施加至液晶50。

再者，與畫素電極9並聯設置有無圖式之蓄積電容，藉由蓄積電容畫素電極9之電壓可成為比施加源極電壓之時間長例如3位數之長時間保持。在這，藉由蓄積電容可改善電壓保持特性，成為對比度高之畫像顯示。

在對向基板20上，藉由在畫素區域規定區劃TFT基板10之顯示區域10h及對向基板20之顯示區域20h之外周，設置有當作規定顯示區域之框邊的遮光膜53。

於液晶50以已知之液晶注入方式注入至TFT基板10和對向基板20之間的空間時，密封材52是在密封材52之1邊的一部份缺漏，俯視性觀看是大略圈狀被塗佈。

缺漏密封材52之處，是構成用以自該缺漏處將液晶50注入至被貼合的TFT基板10及對向基板20之間的液晶注入口108。液晶注入口108是於液晶注入後以封口材109封口。

在密封材52之外側的區域，用以連接屬於以特定時序將畫像訊號供給至TFT基板10之無圖式之資料線而驅動該資料線之驅動器的資料線驅動電路101及外部電路之外部連接用端子102，是沿著TFT10之一邊而被設置。

沿著鄰接於該一邊之兩邊藉由以特定時序供給掃描訊號至TFT基板10之掃描線及TFT30之無圖式之閘極電極，設置有屬於驅動閘極電極之驅動器的掃描線驅動電路103、104。掃描線驅動電路103、104是在與密封材52之內側之遮光膜53相向之位置，形成有TFT基板10上。

再者，在TFT基板10上與遮光膜53之3邊相向設置有資料線驅動電路101、掃描線驅動電路103、104，及連接外部連接用端子102及上下導通端子107之配線105。

上下導通端子107是形成在密封材52之角落部之4個TFT基板10上。然後，在TFT基板10和對向基板20相互間，設置有下端接觸於上下導通端子107，上端接觸於對向電極21之上下導通材106，藉由該上下導通材106，在TFT基板10和對向基板20之間取得導通。

再者，在石英基板、玻璃、矽基板等之TFT基板10上，除畫素電極9、配向膜16、TFT30之外，具備有包含該些之各種構成，構成疊層構造。並且，該疊層構造及被疊層之各層功能因為眾知，故省略說明，但使用第3圖、第4圖僅說明與本實施形態有關之成為TFT基板10之最表面層之配向膜16附近之疊層構成。

第3圖是沿著第1圖中之III-III線之液晶裝置之部份剖面圖，第4圖是平面性且概略性表示透明導電膜形成區域之第1圖之TFT基板之平面圖。並且，在第3圖中，因簡化圖面故省略記載遮光膜53、掃描線驅動電路104、配線105等。

再者，即使在第4圖中，因簡化圖面，故省略記載遮光膜53、資料線驅動電路101、外部連接用端子102、掃描線驅動電路103、104、配線105、上下導通材106、上下導通端子107、密封材109等。

如第3圖所示般，在TFT基板10之密封材52之正下方之層，形成有由例如聚醯亞胺膜等之透明有機膜所構成之配向膜16，在配向膜16之下層形成有屬於由例如O3(臭氧)、TEOS(四乙氧基矽烷)、SiO₂ (二氧化矽)、BSG(摻雜硼氧化膜)、BPSG(摻雜硼磷氧化膜)等所構成之下層膜的絕緣膜60。並且，絕緣膜60是藉由常壓CVD等而形成。

再者，如第3圖所示般，絕緣膜60和配向膜16之間，如第4圖之虛線所示般，在平面性至少覆蓋密封材52之區域，即是在密封材52之第3圖下方，平面性覆蓋之透明導電膜形成區域41，形成有與絕緣膜60及配向膜16密著之透明導電膜40。並且，在第4圖中，透明導電膜40是以虛線之斜線表示。

再者，被形成在透明導電膜形成區域41之透明導電膜40是如第4圖所示般，於平面性略圈狀塗佈密封材52之時，沿著密封材52平面性形成為閉環狀之圈狀。

透明導電膜40是由與例如構成畫素電極9之ITO相同之構件所構成之膜，藉由在與畫素電極9相同工程中形成，形成與畫素電極9同等之特定膜厚。

並且，透明導電膜40即使為由ITO以外所構成之膜，若為由與絕緣膜60及配向膜16密著性佳之導電膜所構成之膜，即使為任何膜皆可。再者，透明導電膜40即使在與畫素電極9不同之工程中形成亦可。並且，即使與畫素電極9膜厚不同亦可。

再者，透明導電膜40相對於畫素電極9或其他導電性之構件具有浮動狀態，藉由形成不與具有畫素電極及具有導電性之構件接觸，畫素電極9及具有導電性之構件彼此不電性短路。

如此一來，在本實施形態中，表示絕緣膜60和配向膜16之間，平面性覆蓋密封材52之透明導電膜形成區域41，形成有與絕緣膜60及配向膜16密著之透明導電膜40。

若藉由此情形，即使在在高濕度條件下，使用液晶裝置100之時，因經由透明導電膜40，配向膜16和絕緣膜60密著，故可以確實防止水分經配向膜16和屬於該配向膜16下層之絕緣膜60之間，自液晶裝置100外，侵入至被配置在藉由密封材52包圍之區域的TFT基板10之顯示區域10h，該侵入之水分混入至液晶50，發生顯示不均等之顯示不良。其結果，提升光電裝置之耐濕性。

再者，藉由透明導電膜40提升配向膜16和絕緣膜60之密著性，藉此對配向膜16施予摩擦之時，由於可以防止配向膜自絕緣膜60剝離，故可以確實防止由於自絕緣膜60剝離之配向膜16的塵埃，發生殘渣附著於顯示區域10h等之摩擦不均。

並且，表示以下變形例，第5圖視概略性表示本實施形態之透明導電膜之形成區域之變形例的液晶裝置之正面圖，第6圖是沿著第5圖中之VI-VI線之液晶裝置之部份截面圖，第7圖是表示透明導電膜露出於外部之變形例的液晶裝置之部份剖面圖。

並且，在第5圖中，因簡化圖面，故省略記載遮光膜53、資料線驅動電路101、配線105、上下導通材106、上下導通端子107、封口材109等。

於本實施形態中，表示透明導電膜40是在絕緣膜60和配向膜16之間，形成在俯視性觀看密封材52覆蓋密封材52之透明導電膜形成區域41。

不僅如此，如第5圖、第6圖所示般，絕緣膜60和配向膜16之間的形成有畫素電極9之區域外，即是在自顯示區域10h至TFT基板10之外周端部為止之外部連接用端子102以外之區域42之全面，即使形成有透明導電膜40亦可。並且，若以不接觸於畫素電極9之方式形成透明導電膜40時，透明導電膜40即使形成在顯示區域10h內亦可。

如此一來，藉由在TFT基板10之略全面設置透明導電膜40，即使在高溼度條件下，使用液晶裝置100之時，因經由透明導電膜40，絕緣膜60和配向膜16由本實施形態被更寬範圍密著，故由本實施形態可以確實防止水分經絕緣膜60和配向膜16之間，自液晶裝置100外侵入至顯示區域10h，由於該侵入之水分混入至液晶，使得發生顯示不均等之顯示不良。其結果，更提升光電裝置之耐濕性。

再者，由於本實施形態透明導電膜40之形成範圍更廣，故由本實施形態提升絕緣膜60和配向膜16之密著性，依此於對配向膜16施予摩擦處理之時，可以防止配向膜16以寬廣範圍自絕緣膜剝離，也可以由本實施形態確實防止由於自絕緣膜60剝離之配向膜16之塵埃，使得殘渣附著於顯示區域10h等之摩擦不均。

並且，由於透明導電膜40形成在外部連接用端子102及畫素電極9以外之區域42全面，即是以不接觸於外部連接用端子102及畫素電極9之方式形成透明導電膜40，故不會有透明導電膜40接觸於外部連接用端子102及畫素電極9，在外部連接用端子102間、畫素電極9間造成短路之情形。

再者，與本實施形態相同，因透明導電膜40具有浮動狀態，故如第7圖所示般透明導電膜40即使藉由密封材52除去TFT基板10外周側之配向膜16而露出至外部亦可。

並且，在本實施形態中，雖然舉出藉由透明導電膜40使TFT基板10側之配向膜16和絕緣膜60密著作為例，但是若對向基板20無具有在全面形成對向電極(ITO)21之構成時，透明導電膜40為了提升對向基板20側之配向膜26與對向基板20之配向膜26之下層膜的密著性，即使形成在兩膜間亦可。

(第2實施形態)

接著，針對本發明之第2實施形態予以說明。

第8圖是表示本發明第2實施形態所示之液晶裝置之 TFT基板之構成的正面圖，第9圖是沿著第8圖中之IX-IX線之TFT基板之部份剖面圖。

本實施形態之液晶裝置之構成比起上述第1圖至第7圖所示之第1實施形態之液晶裝置100，不使用透明導電膜40，使配向膜16和絕緣膜60密著之點則為不同。依此，僅說明該不同點，對於與第1實施形態相同之構成賦予相同符號，省略該說明。

並且，在第8圖、第9圖中，因簡化圖面，故省略記載遮光膜53、資料線驅動電路101、外部連接用端子102、掃描線驅動電路103、104、上下導通材106、上下導通端子107、封口材109等。

如第9圖所示般，平面性覆蓋絕緣膜60之與配向膜16接觸之面60m之至少密封材52之區域，該絕緣膜為第1基板之TFT基板210之配向膜16之正下方膜的下層膜，即是在平面性覆蓋密封材52之第9圖中下方之區域241內之溝形成區域242，形成凹溝240。再者，在絕緣膜60之面60m上，形成有配向膜16，在配向膜16之面16s上，區域241上方之區域，形成有密封材52。

被形成在區域241內之溝形成區域242的凹溝240，是如第8圖所示般，於平面性略圈狀塗佈密封材52之時，以沿著密封材52包圍成為有效畫素區域之顯示區域210h之周圍的方式平面性連結成閉環狀而圈狀形成多數條例如兩條。並且，凹溝240即使由1條形成亦可。

依此，即使在被形成於凹溝240上之配向膜16之部位，如第9圖所示般，沿著凹溝240形成有凹溝16p。即是，接觸於TFT基板210之密封材52之面211是剖面形狀形成凹凸狀。由此，藉由凹溝240提升絕緣膜60和配向膜16之密著性。

接著，使用第10圖至第14圖說明上述凹溝形成工程至密封材之形成工程。第10圖是表示在絕緣膜上之溝形成區域外形成罩幕之工程的剖面圖，第11圖是表示在第10圖之絕緣膜之溝形成區域形成凹槽之工程的剖面圖，第12圖是表示在第11圖之絕緣膜上形成配向膜之工程的剖面圖，第13圖是表示在平面性覆蓋密封材之區域之上方的第12圖之配向膜上，形成密封材之工程的剖面圖，第14圖是表示藉由濕蝕刻所形成之凹溝之形狀的剖面圖。

首先，在石英基板、玻璃、矽基板等之TFT基板10上疊層特定層之後的表面的絕緣膜60上，除去與配向膜16之面60m之溝形成區域242之部位，如第10圖所示般，形成罩幕230。並且，溝形成區域242，是位於平面性覆蓋之後所形成之密封材52之區域241內。

接著，如第11圖所示般，藉由例如乾蝕刻，在溝形成區域242如第8圖所示般連結成閉環狀而圈狀形成例如兩條凹溝240。藉由乾蝕刻所形成之凹溝240，是被形成藉由現工程中成為基板表面之膜的絕緣膜60之與配向膜16接觸之面16m和凹溝240所形成之凹溝240之開口邊緣部240k之剖面形狀具有直角。

並且，凹溝240即使藉由濕蝕刻形成亦可。藉由濕蝕刻所形成之凹溝240，是被形成藉由現工程中成為基板表面之膜的絕緣膜60之與配向膜16接觸之面16m和凹溝240所形成之凹溝240之開口邊緣部240k之剖面形狀，如第14圖所示般，具有曲線，或是具有無圖式之鈍角。

於在絕緣膜60之溝形成區域42形成凹溝240之後，除去罩幕230，如第12圖所示般，在絕緣膜60之面60m上形成配向膜16。並且，配向膜16也被形成在基板表面之全面，即是顯示區域10h之畫素電極9上。再者，被形成在溝形成區域242上之配向膜16之部位，沿著凹溝240形成凹溝16p。

最後如第13圖所示般，在配向膜16之面16s上，於區域241之上方的區域內，略圈狀形成密封材52。

如此一來，在本實施形態中，表示絕緣膜60之與配向膜16接觸之面60m之平面性至少覆蓋密封材52之區域，即是在平面性覆蓋密封材52之第9圖中下方之區域241內之溝形成區域242，沿著密封材52平面性連結成閉環狀而圈狀形成兩條凹溝240。

若藉由此，即使在高溼度條件下，使用液晶裝置100之時，比起無凹溝240之時可以藉由凹溝240延長水分入侵路徑，確實防止水分經絕緣膜60和屬於該絕緣膜60下層之膜的配向膜16之間，自液晶裝置100外侵入至被配置在藉由密封材52包圍之區域上之TFT基板10之表示區域10h。其結果，提升光電裝置之耐濕性。

再者，藉由凹溝240，使絕緣膜60和配向膜16之密著性比絕緣膜60之面60m為平坦之時更提升，依此於對配向膜16施予摩擦處理之時，可以防止配向膜16自絕緣膜60剝離，故可以確實防止由於自絕緣膜60剝離之配向膜16的塵埃，發生殘渣附著於顯示區域10h等之摩擦不均。

並且，以下表示變形例。第15圖是第8圖之凹溝之平面形狀之變形例的TFT基板之部份平面圖。在本實施形態中，雖然表示凹溝240是被形成沿著密封材52平面性圈狀連結成閉環狀，但是並不限定於此，若沿著密封材52平面性形成圈狀，即使不連結成閉環狀而形成亦可。

具體而言，如第15圖所示般，在平面性覆蓋絕緣膜60之密封材52之區域241內之溝形成區域242，具有凹溝240a平面性圈狀形成多數凹溝240a，在該圈狀之凹溝240a之外圈以堵塞凹溝240a之間隙的方式與凹溝240a相位錯開，具有特定間隔而平面性圈狀形成多數凹溝240b。

即是，由兩條圈狀之凹溝240a、240b所構成之凹溝240由俯視性是形成鋸齒狀。並且，即使於此時，圈狀之凹溝240並不限定於兩條，即使由多數條形成堵塞各被形成於內圈之多數凹溝之間隙亦可。

即使為如此之具有形狀之凹溝，亦可以取得與上述本實施形態相同之效果。

並且，在本實施形態中，雖然以藉由凹溝240使TFT基板10側之配向膜16和絕緣膜60密著為例予以表示，但是凹溝240是形成在對向基板20側，即使為了提升對向基板20側之配向膜26和該對向基板20上之配向膜26之下層的膜之密著性而使用亦可。

(第3實施形態)

接著，針對第3實施形態予以說明。

第16圖為表示本發明之第3實施形態之液晶裝置之TFT基板之部份剖面圖。本實施形態之液晶裝置之構成，比上述第1圖至第7圖所示之第1實施形態之液晶裝置、第8圖、第9圖所示之第2實施形態之液晶裝置，使用透明導電膜及凹溝使配向膜16和絕緣膜60密著之構成的點為不同。依此，僅說明該不同點，對於第1實施形態及第2實施形態相同之構成，賦予相同符號，省略該說明。

如第16圖所示般，在屬於第1基板之TFT基板310之絕緣膜60之面60t上，形成上述透明導電膜40，在該透明導電膜40之面40h上，形成有配向膜16，在配向膜16之面16s上，平面性覆蓋密封材52之區域241之上方的區域，形成有密封材52。

透明導電膜40是在絕緣膜60之面60t上，與上述第1實施形態相同，形成有平面性至少覆蓋密封材52之區域241。並且，透明導電膜40即使於此時也具有浮動狀態。

於平面性略圈狀塗佈密封材52之時，在絕緣膜60之區域241內之溝形成區域242，如上述第2實施形態所示般以沿著密封材52而平面性包圍有效畫素區域210h之周圍的方式，連結成閉環狀而圈狀形成多數條例如兩條凹溝 240。

並且，即使於此時，凹溝240即使由1條所形成亦可。再者，凹溝240並不限定於連結形狀，如第15塗所示，即使形成鋸齒狀亦可。

藉由此，在被形成於凹溝240上之透明導電膜40之部位，也沿著凹溝240形成有凹溝40p。並且，也在形成於透明導電膜40上之配向膜16，沿著凹溝240形成有凹溝16p。

即是，接觸於TFT基板310之密封材52之面311，是凹凸狀形成剖面形狀。如此一來，不僅凹溝240，藉由具有配向膜16及絕緣膜60之密著性的透明導電膜40，在區域241中，提升絕緣膜60和配向膜16之密著性。

接著，在第2實施形態中使用上述第10圖、第11圖及第17圖至第19圖，說明上述凹溝形成工程至密封形成工程。

第17圖是表示在第11圖之絕緣膜上形成透明導電膜之工程的剖面圖。第18圖是表示在第17圖之透明導電膜上形成配向膜之工程的剖面圖，第19圖是表示在平面性覆蓋密封材之區域的上方之第18圖之配向膜上，形成密封材之工程的剖面圖。

首先，如上所述般，在絕緣膜60上，除與配向膜16接觸之面60t側之溝形成區域242之部位，如上述第10圖所示般，形成罩幕230，接著，如第11圖所示般，藉由例如乾蝕刻，在溝形成區域242，如第8圖所示般平面性連結成閉環狀而圈狀形成例如兩條凹溝240。

在絕緣膜60之溝形成區域242形成凹溝240之後，除去罩幕230，如第17圖所示般，在絕緣膜60上形成透明導電膜40。並且，透明導電膜40是與上述第1實施形態相同，被形成在形成有溝240之平面性至少覆蓋密封材52之區域241上。此時，被形成在溝形成區域242上之透明導電膜40之部位沿著凹溝240形成有凹溝40p。

再者，即使於此時，也與第1實施形態相同，透明導電膜40是如第5圖所示般，除形成有畫素電極9之外，即是，從顯示區域外至TFT基板之外圍端部，即使被形成於外部連接用端子102以外之區域全面上亦可。

接著，如第18圖所示般，在透明導電膜40之面40h上，形成配向膜16。並且，配向膜16也形成在基板表面之全面，即是顯示區域10h之畫素電極9上。再者，在形成於溝形成區域242上之配向膜16之部位，也沿著凹溝240形成有凹溝16p。

最後，如第19圖所示般，在區域241之上方，配向膜16之面16s之區域內，略圈狀形成密封材52。

如此一來，在本實施形態中，表示於平面性覆蓋絕緣膜60之面60t側之平面性至少覆蓋密封材52之區域241內之溝形成區域242，沿著密封材52平面性連結成閉環狀而圈狀形成兩條凹溝240。再者，表示於平面性覆蓋密封材52之區域241之配向膜16和絕緣膜16之間形成有透明導電膜40。

若藉由此，即使在高溼度條件下，使用液晶裝置100之時，絕緣膜60和配向膜16經透明導電膜40密著，並且比無凹溝240之時藉由凹溝240延長侵入路徑，依此，可以比第1或第2實施形態，更確實防止水分經絕緣膜60和配向膜16之間，自液晶裝置100外侵入至配置在藉由密封材52所包圍之區域之TFT基板10之顯示區域10h，該浸入之水分混入至液晶，產生顯示不均等之顯示不良。其結果，提升光電裝置之耐濕性。

再者，絕緣膜60和配向膜16之密著性藉由透明導電膜40及凹溝240提升，依此於對配向膜16施予摩擦處理之時，可以防止配向膜16自絕緣膜60剝離，故可以比第1或第2實施形態，更確實防止由於自絕緣膜60剝離之配向膜16之塵埃，使得殘渣附著於顯示區域10h等之摩擦不均。

並且，在本實施形態中，雖然舉出藉由透明導電膜40使TFT基板10側之配向膜16和絕緣膜60密著作為例，但是若對向基板20無具有在全面形成對向電極(ITO)21之構成時，透明導電膜40為了提升對向基板20側之配向膜26與對向基板20之配向膜26之下層膜的密著性，即使形成在兩膜間亦可。再者，即使於此時，凹溝240即使形成在對向基板20側亦可。

(第4實施形態)

接著，針對第4實施形態予以說明。

首先，針對本實施形態所涉及之液晶裝置之全體構成，參照第20圖及第21圖予以說明。在此，第20圖是表示本實施形態所涉及之液晶裝置之構成的平面圖，第21圖為第20圖之H-H’線之剖面圖。

在第20圖及第21圖中，本實施形態所涉及之液晶裝置中，TFT基板10和對向基板20相向配置。並且，TFT基板10為本發明所涉及之「第1基板」之一例，對向基板為本發明所涉及之「第2基板」之一例。TFT基板10是由例如石英基板、玻璃基板、係基板等所構成，對向基板20是由例如石英基板、玻璃基板等所構成。TFT基板10及對向基板20是被設置在位於藉由當作本發明所涉及之「顯示區域」之一例的畫像顯示區域10a之周圍的密封區域52a上之密封材52而互相貼合，藉由密封材52及封口材109，在TFT基板10及對向基板20間封入液晶50。

在第20圖中，與配置有密封材52之密封區域52a之內側並行，規定畫像顯示區域10a之框邊區域之遮光性之遮光膜53被設置於對向基板20側。在周邊區域中，位於配置有密封材52之密封區域52a之外側之區域，資料線驅動電路101及外部電路連接端子102是沿著TFT基板10之一邊而被設置。在比沿著該一邊之密封區域52a內側，以被遮光膜53覆蓋之方式設置有取樣電路7。再者，在沿著鄰接於該一邊之兩邊的密封區域之內側上，以被遮光膜53覆蓋之方式設置掃描線驅動電路103、104。再者，在TFT基板10上，於與對向基板20之4個角落部對向之區域，配置有用以上下導通材106連接兩基板間之上下導通端子107。依此，可以在TFT基板10和對向基板20之間取得電性導通。

在TFT基板10上，形成有用以電性連接外部電路連接端子102、資料線驅動電路101、掃描線驅動電路103、104、上下導通端子107等之迂迴配線90。

在第21圖中，於TFT基板10上，形成有組裝屬於驅動元件之畫素開關用之TFT或掃描線、資料線等之配線的疊層構造。在畫像顯示區域10a，於畫素開關用TFT或掃描線、資料線等之配線上層，設置有由當作本發明所涉及之「透明導電膜」之一例的ITO膜所構成之畫素電極9。在畫素電極9上形成有配向膜。另一方面，在與對向基板20之TFT基板10的相向面上形成有遮光膜23。然後，在遮光膜23上，與畫素電極9相同與多數畫素電極9相向形成有由ITO膜所構成之對向電極21。在對向電極21上形成有配向膜。再者，液晶50是由例如混合一種或是多數種類之向列液晶之液晶所構成，在該些一對配向膜間，取得特定配向狀態。除此之外，在此雖然無圖式，但是在TFT基板10上之畫素電極9之正下方，形成後述之光學薄膜，在TFT基板10上之密封區域52a形成有後述密封下側膜。

並且，在此雖然無圖式，在TFT基板10上，除資料線驅動電路101、掃描線驅動電路103、104之外，即使形成用以檢查於製造途中或出貨時之該液晶裝置之品質、缺陷等之檢查電路、檢查用圖案等亦可。

接著，針對本實施形態所涉及之液晶裝置之畫素部之電性構成，參照第22圖予以說明。在此，第22圖是構成液晶裝置之畫像顯示區域的形成矩陣狀之多數畫素之各種元件、配線等之等效電路圖。

於第22圖中，構成本實施形態所涉及之液晶裝置之畫像顯示區域的形成矩陣狀之多數畫素上，形成有畫素電極9和開關控制該畫素電極9之TFT30，供給畫像訊號之資料線6a是電性被連接於TFT30之源極。寫入於資料線6a之畫像訊號S1、S2、…、Sn即使以該順序線順序供給亦可，對相鄰接之多數資料線6a彼此，即使供給至每群亦可。

再者，於TFT30之閘極電性連接有掃描線3a，構成以特定時序，依照掃描線G1、G2、…、Gm之順序線順序脈衝性地施加至掃描線3a。畫素電極9是電性連接於TFT30之汲極，藉由僅在一定期間將屬於開關元件之TFT30關閉該開關，以特定時序寫入自資料線6a所供給之畫像訊號S1、S2、…、Sn。

經由畫素電極9被寫入至液晶50(參照第21圖)之特定位準之畫像訊號S1、S2、…、Sn是在被形成在對向基板之對向電極之間被保持一定期間。液晶50是藉由所施加之電壓位準使分子集合之配向或秩序變化，調變光，成為可灰階顯示。若為一般白色模態時，因應各畫素之單位所施加之電壓減少相對於射入光之透過率，若為一般黑色模態時，則因應在各畫素單位施加之電壓增加增加相對於射入光之透過率，就全體而言，是自液晶裝置射出持有因應畫像訊號之對比光的光。

在此，為了防止所保持之畫像訊號洩漏，與被形成於畫素電極9和對向電極21(參照第21圖)之間的液晶電容並聯施加蓄積電容70。蓄積電容70之一方電極是與畫素電極9並聯而連接於TFT30之汲極，另一方電極是以成為定電位之方式連接於電位固定之電容配線300。

接著，針對本實施形態所涉及之光學薄膜，參照第23圖及第24圖予以說明。在此，第23圖是第21圖之C1部份之部份擴大剖面圖。第24圖為表示光學薄膜之膜厚和透過率之關係的曲線圖。並且，於第23圖中，省略第21圖之遮光膜23的圖式。為了設成在圖面上可辨識各層、各構件左右之大小，每該各層、各構件縮尺有所不同。

在第23圖中，於TFT基板10上疊層含有無圖式之TFT30或掃描線3a、資料線6a等之配線之各種層。在該些層之上層側形成有層間絕緣膜89。層間絕緣膜89是藉由NSG(非矽酸鹽玻璃)或是矽氧化膜而形成。並且，層間絕緣膜89即使由例如PSG(磷矽玻璃)、BSG、BPSG等之矽玻璃或是氧化矽等形成亦可。在層間絕緣膜89上依照後述光學薄膜91及畫素電極9之順序疊層，在畫素電極9上形成有由聚醯亞胺膜等之透明有機膜所構成之配向膜16。另外，在對向基板20疊層有對向電極21，在對向電極21上形成有例如由聚醯亞胺膜等之透明有機膜所構成之配向膜22。液晶50是在該些一對配向膜16及22間，取得特定配向狀態。並且，配向膜16及22除例如聚醯亞胺膜等之有機膜外，即使由例如二氧化矽(SiO2)等之無機膜形成亦可。即是，配向膜16及22即使為有機配向膜亦可，即使為由無機材料所構成之無機配向膜亦可。

如第23圖所示般，在本實施形態中，尤其光學薄膜91是被疊層於層間絕緣膜89和畫素電極9之間。即是，在TFT基板10上，依照層間絕緣膜89、光學薄膜91及畫素電極9之順序而疊層。光學薄膜91是被形成在TFT基板10上之全面。並且，在本實施形態中，尤其光學薄膜91具有層間絕緣膜89之折射率和畫素電極9之折射率之中間大小的折射率。即是，由NSG(或是矽氧化膜)所構成之層間絕緣膜89之折射率大約為1.4，由ITO膜所構成之畫素電極9之折射率大約為2.0，對此，光學薄膜91之折射率是被形成在成為1.6至1.8之範圍內，光學薄膜91是由例如矽氮化膜(SiN)、矽氧化膜(SiON)等。依此，可以藉由光學薄膜91例如經對向基板20及液晶50等射入至畫素電極9之射入光，透過畫素電極9而射出至層間絕緣膜89內之時的透過率。即是，假設不施予任何對策，在層間絕緣膜89上設置畫素電極9之時，由於層間絕緣膜89和畫素電極9之折射率之比較大差(即是，折射率之差大約為0.6)，故引起畫素電極9和層間絕緣膜89之界面中之界面反射產生比較大。如此一來，藉由具有中間大小之折射率(即是，1.6至1.8範圍內之折射率)的光學薄膜91，則可以降低界面反射。即是，畫素電極9和光學薄膜91之折射率之差(即是，折射率之差大約在0.2至0.4之範圍內)及光學薄膜91和層間絕緣膜89之折射率之差(即是，折射率之差大約在0.2至0.4之範圍內)，因任一者皆比畫素電極9和層間絕緣膜89之折射率之差(即是，折射率之差大約為0.6)小，故畫素電極9和光學薄膜91之界面之界面反射量，及光學薄膜91和層間絕緣膜89之界面的界面反射量中之任一者，皆比畫素電極9和層間絕緣膜89之界面中之界面反射量小。並且，畫素電極9和光學薄膜91之界面中之界面反射量，及配合光學薄膜91和層間絕緣膜89之界面中之界面反射量的界面反射量，是比畫素電極9和層間絕緣膜89之界面中之界面反射量小。因此，可以提高例如透過畫素電極9而射出至層間絕緣膜89內(即是，TFT基板10內)之時的透過率。

第24圖是表示針對在矽氧化膜所構成之基板上，具有例如矽氮化膜(SiN)、矽氧化氮化膜(SiON)等所構成之光學薄膜，及ITO膜之疊層構造之疊層膜，執行使光學薄膜之膜厚或是折射率變化之模擬之時的光學薄膜之膜厚和透過率。在此，透過率為射入光射入光通過ITO膜、光學薄膜及通過基板之後的射出光之強度之相對於射入光之比率。

第24圖中之資料E1是表示光學薄膜之折射率為1.72之時的光學薄膜之膜厚和透過率之關係，第24圖中之資料E2是表示光學薄膜之折射率為1.62之時的光學薄膜之膜厚和透過率之關係。並且，ITO膜之膜厚為80nnm，如第24圖所示般，無設置光學薄膜(即是，光學薄膜之膜厚為零)之時之透過率大約為0.75。

如第24圖所示般，光學薄膜之折射率為1.72及1.62中之任一者時，藉由設置光學薄膜，透過率則比無光學薄膜之時高。尤其，光學薄膜之膜厚為55至100nm之範圍內，透過率則變高。依此，折射率為1.6至1.8之範圍內，並且，將膜厚為55至100nm之範圍內之光學薄膜設置在基板及ITO膜間為佳。依此，可以有效果謀求透過率之提升。

接著，針對本實施形態所涉及之密封下側膜，參照第25圖及第26圖予以說明。

在此，第25圖為第20圖之A-A’線之剖面圖，第26圖是表示TFT基板上之密封下側之平面圖案的模式圖。

如第25圖及第26圖所示般，在本實施形態中，尤其在TFT基板10上之密封區域52a、遮光區域53a及密封外側區域54a，具備有密封下側膜451。密封下側膜451是由與畫素9相同膜，即是位於與畫素電及9相同層之同一種類之ITO膜所形成。即是，在密封區域52a、遮光區域53a及密封外側區域54a之各部份區域，依照光學薄膜91、密封下側膜451及配向膜16之順序疊層。依此，在TFT基板10上之至少密封區域52a，比起假設不形成有密封下側膜451之時，則降低配向膜16和光學薄膜91之界面之面積。換言之，在TFT基板10上之密封區域52a，形成有配向膜16和密封下側膜451之界面，及密封下側膜451和光學薄膜91之界面，以取代配向膜16和光學薄膜91之界面。依此，由於例如由聚醯亞胺等之有機膜所構成之配向膜16和例如由矽氮化膜、矽氧化氮化膜等所構成之光學薄膜91之界面中之密著性低，引起水分自外部經由配向膜16和光學薄膜91之界面浸透至畫像顯示區域10a內。換言之，在至少密封區域52a之部份區域中，也比配向膜16和光學薄膜91之界面密著性高，藉由形成配向膜16和密封下側膜451之界面及密封下側膜451和光學薄膜91之界面，則可以提高界面中之密著性。因此，可以提升裝置之耐濕性，其結果，可以提升裝置之信賴性。

並且，密封下側膜451是如上述般，因由與畫素電極9相同膜所形成，故不會導致TFT基板10上之疊層構造之複雜化或製造工程之複雜化，可以提升裝置之耐濕性。

除此之外，藉由密封下側膜451是被形成在密封區域52a、遮光區域53a及密封外側區域54a，可以容易使因光學薄膜91之表面和畫素電極9表面之段差導致於摩擦處理時所發生之例如交叉摩擦之摩耗粉等的摩擦渣，殘留在密封區域52a、遮光區域形成有密封下側膜之區域。即是，可以防止或降低摩擦渣殘留於顯示區域內，而對畫像顯示造成壞影響。

並且，如第26圖所示般，在本實施形態中，密封下側膜451在TFT基板10上俯視性觀看，是以與畫素電極9相同平面圖案被形成。即是，畫素電極9是在畫像顯示區域10a中自ITO膜被圖案製作成矩陣狀之平面圖案時，密封下側膜451也由ITO膜以相同平面圖案(即是，矩陣狀之平面圖案)形成在密封區域52a、遮光區域53a及密封外側區域54a內。換言之，一般而言，被構成形成在密封區域52a和畫像顯示區域10a之間之邊框狀之遮光區域53a之虛擬畫素的畫素電極之圖案，是被形成至密封區域52a及密封外側區域54a為止。依此，容易以與畫素電及9相同之工程製造密封下側膜451。即是，幾乎不會變更形成畫素電極9之工程，在相同工程中可以形成下側膜451。

並且，密封下側膜451成為電性浮游狀態(例如無電性連接於電源、配線等之狀態)則以下一觀點為佳。即是，若藉由如此，則可以降低或防止由於密封下側膜451之電位和畫素電極9之電性耦合而產生對畫像顯示造成之壞影響。但是，為了使例如密封下側膜451之電位安定等，即使將密封下側膜451連接於特定電位亦可，或是利用密封下側膜451當作特定電位之配線之一部份亦可。

接著，針對本實施形態之第1變形例所涉及之密封下側膜，參照第27圖予以說明。在此，第27圖是與本實施形態之第1變形例中之第26圖相同主旨之模式圖。

如第27圖所示般，在第1變形例中，密封下側膜451在TFT基板10上俯視性觀看時，是設置在含有密封區域 52a之區域。即是，在TFT基板10上之密封區域52a內，不形成有配向膜16和光學薄膜91之界面。依此，可以更確實降低或防止由於配向膜16和光學薄膜91之界面中之密著性低，引起水分自外部經由配向膜16和光學薄膜91界面而浸透至畫像顯示區域10a內。

接著，針對本實施形態之第2變形例所涉及之密封下側膜，參照第28圖及第29圖予以說明。在此，第28圖是與本實施形態之第2變形例中之第26圖同主旨之模式圖，第29圖是與本實施形態之第2變形例中之第25圖相同主旨之剖面圖。

如第28圖所示般，在第2變形例中尤其密封下側膜451在俯視性觀看時，是以在密封區域52a內包圍畫像顯示區域10a之方式被形成。更具體而言，密封下側膜451在TFT基板10上俯視性觀看時，由接近於或遠於畫像顯示區域10a之側之兩個部份所構成，各個部份是以包圍畫像顯示區域10a之方式，連續性形成。即是，在TFT基板10上平面性觀看時，藉由該些兩個部份，以兩圈包圍畫像顯示區域10a之方式，形成有密封下側膜451。密封下側膜451是如上述般，因由ITO膜所構成，故幾乎不會使水分浸透。依此，除第28圖之外如第29圖所示般，密封下側膜451當作分隔外部和畫像顯示區域10a而發揮功能，依此可以幾乎或完全遮斷水分之浸入路徑。依此，可以更進一步提升裝置之耐濕性。並且，在形成有密封下側膜451之區域中，形成有配向膜16和密封下側膜451之界面，及密封下側膜451和光學薄膜91之界面，提升界面之密著性。

接著，針對本實施形態之第3變形例所涉及之密封下側膜，參照第30圖予以說明。在此，第30圖是與本實施形態之第3變形例中之第26圖為相同主旨之模式圖。

如第30圖所示般，在第3變形例中，尤其密封下側膜451在TFT基板10上俯視性觀看時，在密封區域52a內具有互相分離而被形成，並且以包圍畫像顯示區域10a之方式而被配置之多數部份451a、451b及451c。多數部份451a、451b及451c各互相分離並且構成以包圍畫像顯示區域100a之方式構成配列之列。該些列是互相在配列方向(即是，與自密封區域52a內朝向畫像顯示區域10a之方向交叉的方向)錯開。換言之，多數部份451a、451b及451c是被配置成互相堵塞配列有各個之間隔。依此，密封下側膜451、即是多數部份451a、451b及451c參照第29圖，與上述第2變形例相同，藉由當作分隔外部和畫像顯示區域10a之隔壁而發揮功能，使水分之浸入路徑複雜化或增長，則可以予以截斷。依此，可以更進一步提升裝置之耐濕性。並且，在形成有密封下側膜451之區域，形成配向膜16和密封下側膜451之界面，及密封下側膜451和光學薄膜91之界面，提高界面中之密著性。

如以上說明般，若藉由本實施形態所涉及之液晶裝置時，在至少密封區域52a之部份區域，藉由設置與畫素電極9相同膜所構成之密封下側膜451，維持耐濕性，並且在畫素電極9之正下方設置光學薄膜91，可以提高透過率，並可執行高品質顯示。並且，不會導致TFT基板10上中之疊層構造之複雜化或製品工程之複雜化，可以提升裝置之信賴性。

接著，針對製造上述第1實施形態所涉及之液晶裝置之液晶裝置之製造方法，參照第31圖予以說明。在此，第31圖是用以說明第4實施形態所涉及之液晶裝置之製程之各工程的流程圖。

首先，在第31圖中，於TFT基板10上自各種導電膜、半導體膜、絕緣膜等形成畫素開關用之TFT30或掃描線3a、資料線6a等之配線，形成至層間絕緣膜89(步驟S11)。此時，層間絕緣膜89是藉由CVD法(Chemical Vapor Deposition)法，疊層NSG而形成。並且，層間絕緣膜89即使藉由疊層PSG、BSG、BPSG等之矽玻璃、氮化矽或氧化矽等而形成亦可。如此所形成之層間絕緣膜89之折射率大約為1.4。

接著，藉由光學薄膜形成工程，在層間絕緣膜89上，供給氧(O2)氣體，並使用氮化矽(SiN)，藉由例如CVD法疊層矽氧化氮化膜(SiON)而形成光學薄膜91(步驟S12)。此時，光學薄膜91是形成在TFT基板10上之全面，以光學薄膜91具有層間絕緣膜89之折射率和畫素電極9之折射率之中間之大小的折射率(例如1.6至1.8之折射率)之方式，調節例如供給之氧化氣體之量、壓力、溫度等之環境條件。並且，以膜厚成為55至 100nm之範圍內之方式，形成光學薄膜91為佳。

接著，藉由畫素電極形成工程，以矩陣狀之平面圖案在光學薄膜91上之畫像顯示區域10a疊層ITO膜，形成畫素電極9(步驟S13)。此時，在本實施形態中，尤其在密封區域52a、遮光區域53a及密封外側區域54a內，也以相同圖案(即是矩陣狀之平面圖案)疊層ITO膜，形成密封下膜451。依此，可以藉由密封下側膜451維持裝置之耐濕性，並藉由光學薄膜91提升透過率。並且，在畫素電極形成工程中，即使在密封區域52a之一部份或全部形成密封下側膜451亦可，例如即使在密封區域52A之一部份或是全部份形成下側膜451亦可，例如即使在遮光區域53a、密封外側區域54a等又形成密封下側膜451亦可。

接著，藉由在TFT基板10之表面塗佈聚醯亞胺，形成配向膜16(步驟S14)。此時，對所形成之配向膜16施予摩擦處理。

在第31圖中，與從步驟S11至步驟S14為止之TFT基板10所涉及之製造工程並行或是相前後，藉由濺鍍等在對向基板20上疊層ITO膜，形成對向電極21(步驟S21)。

接著，藉由在對向基板20之表面塗佈聚醯亞胺形成配向膜22(步驟S22)，此時對所形成之配向膜22施予摩擦處理。

之後，藉由貼合工程，經由密封材52貼合在TFT基板10中形成有配向膜16之側，和在對向基板20中形成有配向膜22之側(步驟S31)。在此，尤其，在密封區域52a中，比起假設無密封下側膜451之時，因降低界面密著性低之配向膜16和光學薄膜91之界面面積，故提高裝置之耐濕性。

接著，在互相貼合之狀態的TFT基板10及對向基板20間注入液晶50(步驟S32)。

若藉由以上所說明之液晶裝置之製造方法時，則可以製造上述第4實施形態所涉及之液晶裝置。在此，尤其在畫素電極形成工程中，在密封區域52a內，藉由設置由與畫素電極相同膜所構成之密封下側膜451，維持耐濕性，並藉由光學薄膜形成工程，在畫素電極9之正下方設置光學薄膜91，依此可以提升透過率。依此，可以製造可執行高品質顯示之光電裝置。並且，密封下側膜451由於藉由畫素電極形成工程而形成，故幾乎或完全不會導致製造工程之複雜化，且幾乎或完全不會導致成品率之下降。

液晶裝置並不限定於上述圖示例，在不脫離本發明之主旨之範圍內，當然可作各種變更。例如，上述液晶裝置雖然以使用TFT(薄膜電晶體)等之主動元件的主動矩陣方式之液晶顯示模組為例予以說明，但是並不限定於此，即使為使用TFD(薄膜二極體)等之主動元件的主動矩陣方式之液晶顯示模組亦可。

並且，在本實施形態中，光電裝置雖然以液晶裝置為例予以說明，但是本發明並不限定於此，亦可以適用於電激發光裝置，尤其有機電激發光裝置、無機電激發光裝置等，或電漿裝置、FED(Field Emission Display)裝置、SED(Surface-Conduction Electron-Emitter Display)裝置、SED(Surface-Conduction Electron-Emitter Disolay)裝置、LED(發光二極體)顯示裝置、電泳顯示裝置、薄型布朗管或是使用液晶快門等之小型電視機之裝置等之各種光電裝置。

再者，光電裝置即使為在半導體基板上形成元件之顯示用裝置，例如LCOS(Liquid Cryatal On Silicon)等亦可。LCOS是使用單晶矽基板基板當作元件基板，在單晶矽基板上形成電晶體。再者，於畫素中使用反射性之畫素電極，在畫素電極之下層形成畫素之各元件。

再者，光電裝置即使在單側基板之同一層，形成一對電極之顯示用裝置，例如IPS(In-Plane Switching)，或在單側基板中，經由絕緣膜形成有一對電極之顯示用裝置FFS(Fring Field Switching)等亦可。

(電子機器)

接著，針對將電子機器適用於上述光電裝置之液晶裝置之時予以說明。並且，在此，以投影型顯示裝置，具體而言則是投影機為例說明電子機器。第32圖是表示配設3個上述實施形態所涉及之液晶裝置的投影機構成之圖式。

如第32圖所示般，在投影機1100例如配設有3個上述實施形態所涉及之液晶裝置以當作各RGB用之光閥。

投影機1100是當自金屬鹵素燈等之白色光源之燈元件1102發射投射光時，藉由3片鏡1106及兩片分色鏡1108，分成對應於RGB之3原色的光成分R、G、B，各被導向至對應於各色之光閥100R、100G、100B。

此時，尤其為了防止因長光路而造成光損失，故B光經由射入透鏡1122、中繼透鏡1123及射出透鏡1124所構成之中繼透鏡系統1121而被引導。

然後，對應於藉由光閥100R、100G、100B而各被調變之3原色的光成分，是藉由分光稜鏡1112再次合成之後，經由投影透鏡1114而當作彩色畫像被投影至螢幕1120。

並且，除參照第32圖所說明之電子機器外，亦可舉出攜帶型之個人電腦、行動電話、液晶電視、取景型螢幕直視型之錄影機、汽車導航裝置、呼叫器、電子記事本、電子計算機、文字處理機、視訊電話、POS終端機、具備有觸控面板之裝置等。然後，當然亦可適用於該些之各種電子機器。

100‧‧‧液晶裝置

9‧‧‧畫素電極

10‧‧‧TFT基板

10h‧‧‧顯示區域

16‧‧‧配向膜

20‧‧‧對向基板

20h‧‧‧顯示區域

21‧‧‧對向電極

25‧‧‧配向膜

26‧‧‧配向膜

30‧‧‧TFT

40‧‧‧透明導電膜

41‧‧‧透明導電膜形成區域

50‧‧‧液晶

52‧‧‧密封材

53‧‧‧遮光膜

53a‧‧‧遮光區域

54a‧‧‧密封外側區域

60‧‧‧絕緣膜

70‧‧‧蓄積電容

89‧‧‧層間絕緣膜

91‧‧‧光學薄膜

101‧‧‧資料線驅動電路

102‧‧‧外部電路連接端子

103‧‧‧掃描線驅動電路

104‧‧‧掃描線驅動電路

105‧‧‧配線

106‧‧‧上下導通材

107‧‧‧上下導通端子

108‧‧‧液晶注入口

109‧‧‧封口材

210‧‧‧TFT基板

230‧‧‧罩幕

240a、240b‧‧‧凹溝

242‧‧‧溝形成區域

310‧‧‧TFT基板

451‧‧‧密封下側膜

1100‧‧‧投影機

100R、100G、100B‧‧‧光閥

1108‧‧‧分色鏡

1112‧‧‧分色稜鏡

1114‧‧‧投射透鏡

1121‧‧‧中繼透鏡系

1122‧‧‧射入透鏡

1123‧‧‧中繼透鏡

1124‧‧‧射出透鏡

第1圖是表示本發明之第1實施形態的液晶裝置之平面圖。

第2圖是沿著第1圖中之II-II線之液晶裝置之剖面圖。

第3圖是沿著第1圖中之III-III線之液晶裝置之部份剖面圖。

第4圖是平面性且概略性表示透明導電膜形成區域之第1圖TFT基板之平面圖。

第5圖是概略性表示第1實施形態之透明導電膜之形成區域之變形例的液晶裝置之正面圖。

第6圖是沿著第5圖中之VI-VI線的液晶裝置之部份剖面圖。

第7圖是透明導電膜露出於外部之變形例的液晶裝置之部份剖面圖。

第8圖是表示本發明之第2實施形態所示之液晶裝置之TFT基板之構成的正面圖。

第9圖是沿著第8圖中之IX-IX線之TFT基板之部份剖面圖。

第10圖是表示在絕緣膜上之溝形成區域外形成罩幕之工程的剖面圖。

第11圖是表示在第10圖之絕緣膜之溝形成區域形成凹溝之工程的剖面圖。

第12圖是表示在第11圖之絕緣膜上形成透明導電膜之工程的剖面圖。

第13圖是表示在平面性覆蓋密封材之區域的上方之第12圖的配向膜上，形成密封材之工程的剖面圖。

第14圖是表示藉由濕蝕刻所形成之凹溝形狀之剖面圖。

第15圖是表示第8圖之凹溝之平面形狀之變形例的 TFT基板之部份平面圖。

第16圖是表示本發明之第3實施形態的液晶裝置之TFT基板之部份平面圖。

第17圖表示在第11圖之絕緣膜上形成透明導電膜之工程的剖面圖。

第18圖是表示在第17圖之透明導電膜上形成配向膜之工程的剖面圖。

第19圖是表示在平面性覆蓋密封材之區域之上方之第18圖之配向膜上，形成密封材之工程的剖面圖。

第20圖是表示本發明之第4實施形態所涉及之液晶裝置之全體構成的平面圖。

第21圖是第20圖之H-H’線之剖面圖。

第22圖是本發明之第4實施形態所涉及之液晶裝置之畫素中之各種元件等之等效電路圖。

第23圖是第21圖之CI部份之部份放大剖面圖。

第24圖是表示光學薄膜之膜厚和透過率之關係的曲線圖。

第25圖是第20圖之A-A’線之剖面圖。

第26圖是表示TFT基板上之密封下側膜之平面圖案之模式圖。

第27圖是與本發明之第4實施形態所涉及之第1變形例中之第26圖相同主旨之模式圖。

第28圖是與本發明之第4實施形態所涉及之第2變形例中之第26圖相同主旨之模式圖。

第29圖是與本發明之第4實施形態所涉及之第2變形例中之第25圖相同主旨之模式圖。

第30圖是與本發明之第4實施形態所涉及之第3變形例中之第26圖相同主旨之模式圖。

第31圖是用以說明本發明之第4實施形態所涉及之液晶裝置之製程之各工程的流程圖。

第32圖是表示作為適用光電裝置之電子機器之一例的投影機之構成的圖式。