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Abstract
Description
備えた電子機器に関する。
含む回路、および同回路を有する装置をいう。また、半導体特性を利用することで機能し
うる装置全般をいう。例えば、集積回路、集積回路を備えたチップ、表示装置、発光装置
、照明装置および電子機器等は全て半導体装置である。
ーソナルコンピュータ等の情報端末によることが多くなっている。そのため、近い距離で
長時間画面を見続けているため、日常的に目を酷使している。目の疲れの原因は複合的で
あるが、その1つとして画面のちらつきがある。
切り換え回数はリフレッシュレートと呼ばれている。また、リフレッシュレートを駆動周
波数と呼ぶこともある。このような人の目で知覚できないような高速の画面の切り換えが
、目の疲労の原因として考えられている。情報端末の表示手段としては、液晶表示装置(
LCD)が代表的である。そこで、非特許文献1、2では、LCDのリフレッシュレート
を低下させて、画像の書き換え回数を減らすことが提案されている。
り区別される。例えば、TN(Twisted Nematic)モード、VA(垂直配
向)モード、IPS(面内スイッチング)モードや、FFS(縞状電界スイッチング)モ
ードなどが知られている。駆動方式の違いにより、LCDの画素の構造が異なる。
ン電極(対向電極とも呼ばれる)が形成されており、画素電極とコモン電極間に2つの基
板面に垂直な電界を形成して、液晶分子の配向を制御することで、画素の透過率を制御し
ている。
形成される。IPSモードのLCDでは、コモン電極と画素電極は櫛歯状とされ、同じ絶
縁膜上に形成される。FFSモードはIPSモードを改良した表示方式であり、絶縁膜を
介して、画素電極とコモン電極が対向して形成されている。FFSモードのLCDの画素
電極は、例えば、複数のスリットが形成された構造を有しており、画素電極のフリンジと
コモン電極間に形成される電界(フリンジ・フィールド)により、液晶分子の配向を制御
しているため、FFSモードのLCDは、IPSモードのLCDよりも広視野角で、高透
過率との特徴がある。
素電極が形成されていない基板に第2のコモン電極を形成し、この第2のコモン電極に与
える電位により、LCDを高速応答で広視野角にすることが開示されている。
晶表示装置、およびその駆動方法等を提供することである。
その駆動方法等を提供することである。
態様は、これらの課題の全て解決する必要はない。また、列記した以外の課題が、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、これらの課題も、本発
明の一形態の課題となり得る。
液晶層と、第1の基板に形成された画素電極および第1のコモン電極と、第2の基板に形
成された第2のコモン電極と、を有し、絶縁層を挟んで、画素電極は第1のコモン電極と
対向し、液晶層を挟んで、第2のコモン電極は第1のコモン電極と対向し、画素電極には
、画像データに対応するデータ信号が供給され、第1および第2のコモン電極には、同じ
電位が印加されることを特徴とする液晶表示装置である。
間の液晶層と、画素と、画素に接続されたゲート線およびソース線と、ゲート信号を生成
し、ゲート線に出力するゲートドライバと、データ信号を生成し、ソース線に出力するソ
ースドライバと、ゲートドライバおよびソースドライバを制御するコントローラと、を有
し、画素は、第1の基板に形成されたトランジスタ、画素電極および第1のコモン電極と
、第2の基板に形成された第2のコモン電極と、を有し、トランジスタは、ゲートにゲー
ト線が接続され、画素電極とソース線との接続を制御するスイッチとして機能し、画素電
極は、絶縁層を挟んで第1のコモン電極と対向し、第2のコモン電極は、液晶層を挟んで
第1のコモン電極と対向し、第1のコモン電極の電位と同じ電位が印加され、コントロー
ラは、ゲートドライバおよびソースドライバに対して、1フレーム期間よりも長い期間、
画素に入力されたデータ信号を保持させる制御機能を備えることを特徴とする液晶表示装
置である。
イッチとして、チャネルが酸化物半導体層で形成されているトランジスタを用いることが
好ましい。
にやさしい表示が可能な液晶表示装置、およびその駆動方法等を提供することが可能にな
る。
以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態お
よび詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本
発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
図1―図4を用いて、本実施の形態では、半導体装置の一例としてLCDについて説明す
る。また、本実施の形態では、FFS方式のLCDについて説明する。
図2Aは、LCD100の構成の一例を示すブロック図である。図2Aに示すように、L
CD100は、画素部111、ゲートドライバ112、ソースドライバ113およびコン
トローラ180を有する。また、LCD100では、図2Aの一点鎖線で囲まれた回路ブ
ロックがモジュール化されて、液晶(LC)パネル110として構成されている。LCパ
ネル110は、画素部111、ゲートドライバ112、およびソースドライバ113を有
する。
えを制御するための同期信号(SYNC)および基準クロック信号(CLK)等の制御信
号が入力される。同期信号としては、例えば水平同期信号、垂直同期信号等がある。また
、LCD100には、電源190から動作に必要な電圧が供給される。
を有する。複数の画素121は、2次元のアレイ状に配置されており、画素121の配置
に対応して、ゲート線122およびソース線123が設けられている。同じ行の画素12
1は、共通のゲート線122によりゲートドライバ112に接続され、同じ列の画素12
1は共通のソース線123によりソースドライバ113に接続されている。
する回路の制御信号を生成する。コントローラ180は、同期信号(SYNC)から、ド
ライバ(112、113)の制御信号を生成する制御信号生成回路を有する。同期信号(
SYNC)とは、垂直同期信号、水平同期信号、基準クロック信号等である。
GSP)、クロック信号(GCLK)等を生成し、ソースドライバ113の制御信号とし
て、スタートパルス信号(SSP)、クロック信号(SCLK)等を生成する。なお、こ
れら制御信号は、1つの信号でなく、信号群である場合がある。
ことがある。これは、他の信号、電圧、電位、回路、および配線等についても同様である
。
3)への電源供給およびその停止を制御する機能を備える。
、ゲート線122に順次出力する。ゲート信号は、データ信号が書き込まれる画素121
を選択するための信号である。
ース線123に出力する機能を有する。ソースドライバ113は、SSPが入力されると
、SCLKに従ってデータ信号を生成し、それをソース線123に順次出力する。
イッチング素子がオンになると、ソースドライバ113から画素121にデータ信号が書
き込まれる。スイッチング素子がオフ状態になると、画素121は、書き込まれたデータ
信号を保持するデータ保持状態となる。
LCパネル110は、対向して設けられた基板21および基板22を有する。基板21、
基板22は、隙間を有するように、封止部材23により固定されている。基板21と基板
22の間には、液晶層20が存在する(図1B参照)。
路(111―113)および端子部24が形成されている。回路(111―113)が形
成されている基板21は、素子基板、TFT(薄膜トランジスタ)基板等と呼ばれる。
2b)に分け、画素部111の両側に配置している構成例を示す。もちろん、ゲートドラ
イバ112を1つの回路で構成し、画素部111の片側に配置することも可能である。
並び基板22に形成された電極および配線が、引き回し配線等により端子部24の端子に
接続される。異方性導電膜等の導電性部材により、端子部24には、FPC(Flexi
ble printed circuit)25が接続されている。FPC25を介して
、基板21上の回路(111―113)に電圧および信号が入力される。
イバ(112、113)の一部、またはすべてをICチップにして、基板21に実装して
もよい。実装方法としては、COG(Chip On Glass)法、COF(Chi
p On Film)法、ワイヤボンディング法、およびTAB(Tape Autom
ated Bonding)法等がある。
モン電極が形成される。基板22は、対向基板あるいはカラーフィルタ基板等と呼ばれる
部品の支持基板であり、基板22にもコモン電極が設けられる。
図1Aは、画素121の回路構成の一例を示す回路図である。また、図1B、図1Cは、
画素121の電極構造を説明するための模式図であり、図1Bは、画素121の要部の断
面図であり、図1Cは、同斜視図である。
図1Aに示すように、画素121は、トランジスタ130、液晶素子131、および容量
素子132を有する。
とソース線123との接続を制御するスイッチング素子である。ゲートドライバ112か
ら出力されるゲート信号により、トランジスタ130のオン、オフが制御される。
では、液晶素子131の2つの電極のうち、トランジスタ130を介してソース線123
に接続されている電極(30)を”画素電極”と呼び、他方の電極(31)を”コモン電
極”と呼ぶことにする。コモン電極31には、コモン電圧VCOMが印加される。
として機能する。容量素子132は、絶縁層40を誘電体に、画素電極30およびコモン
電極31を一対の電極(端子)とするMIM構造の容量素子である(図1B)。
図1Bに示すように、画素電極30およびコモン電極31は、基板21上に形成されてい
る。画素電極30は絶縁層40を介してコモン電極31に対向する。
他方、画素部111の全ての画素121に同じ電圧(VCOM)を供給するため、コモン
電極31は画素部111において1つの電極として設けられる。なお、実際のコモン電極
31には、画素電極30をトランジスタ130に接続するための開口が設けられている。
が、もちろんこのような形状に限定されるものではない。画素電極30は、画素電極30
とコモン電極31に電圧を印加することでフリンジ・フィールドが形成されるような形状
であればよい。画素電極30は、例えば、複数の帯状構造物が規則的に配列している部分
と、それらを接続する接続部を有する構造とすることができる。
られている。コモン電極32も、コモン電極31と同様に、全ての画素121に対して、
1つの電極(1つの導電膜)として設けられている。また、表示を行う際に、コモン電極
32はコモン電極31と同じ電位とされ、コモン電圧VCOMが印加される。
極31とコモン電極32を接続し、共通の引き回し配線により端子部24の同じ端子に接
続し、この端子にVCOMを印加するようにしてもよい。あるいは、コモン電極31とコ
モン電極32を別々の引き回し配線で異なる端子に接続して、それぞれの端子にVCOM
を印加するようにしてもよい。
0に供給することで行うことができる。VCOMを0V(接地電位)にする場合は、コモ
ン電極31とコモン電極32を、接地電位(GND)用の端子に接続すればよく、この場
合は、電源190からの電源電圧の供給は不要になる。
画像表示時に、対向する2つの基板にそれぞれ形成されたコモン電極を同じ電位とするこ
とで、画像の書き換え時におけるちらつきを低減したFFSモードのLCDを提供するこ
とが可能になる。
転する反転駆動により画像を表示する。また、液晶材料の性質上、データ信号の極性によ
り、画素の電圧-透過率(V-T)特性が異なる。そのため、データ信号の極性反転に伴
う画素の透過率の変動が、LCDによる目の疲れの原因となると考えられている。
ことで、使用者の目の負担を軽減する。そのため、LCD100は、少なくとも2つの駆
動方法(表示モード)を有する。1つは、一般的な動画を表示するための駆動方法であり
、1フレーム毎にデータを書き換える駆動方法である。これを”通常駆動”と呼ぶ。もう
1つは、データの書き込み処理を実行した後、データの書き換えを停止する駆動方法であ
る。これを”アイドリング・ストップ(IDS)駆動”と呼ぶ。IDS駆動とは、通常駆
動よりも低い頻度でデータを書き換える駆動方法である。
ぞれ、”通常モード(状態)”、”IDSモード(状態)”と呼ぶ。
より行われる。表示モードを決定する信号が、LCD100のコントローラ180に入力
されると、コントローラ180では、その表示モードで表示が行われるように、ドライバ
(112、113)を制御する。
ームごとにデータの書き換えを行う必要がない。そこで、静止画を表示する際は、LCD
100をIDSモードで動作させることで、画面のちらつきを低減すると共に、消費電力
を削減することができる。以下、図3および図4を用いて、通常駆動およびIDS駆動を
説明する。
による静止画の表示方法を説明する図である。また、図4Aは通常駆動、図4BはIDS
駆動の一例を示すタイミングチャートである。図4において、Videoは、LCパネル
110へ入力される画像信号であり、GVDDは、ゲートドライバ112の高電源電圧で
あり、VDataは、ソースドライバ113からソース線123に出力されるデータ信号
である。
通常駆動では、1フレーム期間(Tpd)ごとに反転駆動を行って画素のデータを周期的
に書き換える駆動方法である。GSPの入力をトリガーにして、ゲートドライバ112は
、GCLKに従いゲート信号を生成し、ゲート線122に出力する。ソースドライバ11
3では、SSPが入力されると、SCLKに従いVDataを生成し、ソース線123に
出力する。
に極性が反転される。反転駆動には、代表的には、ドッド反転駆動、ゲート線反転駆動、
ソース線反転駆動がある。
Mより高い場合は正の極性であり、低い場合は負の極性である。
IDS駆動では、通常駆動よりも低いリフレッシュレートでデータが周期的に書き換えら
れる。そのため、データ保持期間は、1フレーム期間よりも長くなる。図3Bには、10
フレームごとに画像を書き換える例を示している。これにより、IDS駆動のリフレッシ
ュレートは、通常駆動の1/10になる。例えば、通常駆動のリフレッシュレートが60
Hzであれば、図3BのIDS駆動のリフレッシュレートは、6Hzである。
換え(または、書き込み処理とも呼ぶこともできる。)と、データ保持とに分けることが
できる。
たは複数回実行され、画素121にデータが書き込まれる。データ書き込みの後、ゲート
ドライバ112でのゲート信号の生成を停止して、データの書き換えを停止する。これに
より、全ての画素121は、トランジスタ130がオフ状態となり、データ保持状態とな
る。
同じリフレッシュレートで、データを書き換えればよい。データ書き換え回数は、通常、
IDS駆動のリフレッシュレート等を考慮して設定すればよい。図3Bおよび図4Bはデ
ータ書き換え回数が3回の例である。
持期間で、画素121が保持していたVDataの極性とは逆の極性なるように、データ
書き換え回数を調節する。これにより、IDS駆動による液晶素子131の劣化を抑制す
ることができる。例えば、データ書き換え回数を奇数回とする場合、1回目の書き換えで
は、直前のIDSモードのデータ保持期間で画素121が保持していたVDataの極性
とは逆の極性のVdataを画素121に書き込めばよい。
ータの書き換え回数を少なくすることができるので、IDSモードで静止画を表示するこ
とで、画面のちらつきが抑えられるため目の疲れを抑制することができる。
からゲートドライバ112への制御信号(GSP、GCLK)の供給が停止される。その
ため、コントローラ180において、制御信号(GSP、GCLK)の供給を停止した後
に、ゲートドライバ112への電源電圧GVDDの供給を停止するような制御を行っても
よい。また、データ保持期間ではソースドライバ113への制御信号(SSP、SCLK
)の供給も停止されるため、同様に、ソースドライバ113への電源電圧の供給を停止す
る制御を行うことができる。つまり、IDS駆動により、目に優しい表示を行うことがで
き、かつ低消費電力なLCD100を提供することができる。
作させるための所定の電圧とは異なる大きさの信号や電圧を配線等に印加すること、およ
び/又は配線等を電気的に浮遊状態にすることをいう。
で保持する必要がある。この電圧の変動は、LCD100の表示品位の低下につながる。
通常駆動では、60Hzあるいは120Hzの頻度でデータの書き換えを行っているため
、画素121は交流電圧により駆動される。一方で、IDS駆動は、表示期間の多くがデ
ータ保持期間となるので、疑似的な直流(DC)駆動とみなすことができる。そのため、
IDS駆動では、通常駆動よりも、残留DC電圧を誘起させるような状態が長く続くため
、液晶のイオン性不純物の局在化や、液晶層と配向膜界面での残留電荷の蓄積が生じやす
い。残留DC電圧は、画素121で保持している電圧を変動させ、結果として、液晶セル
の透過率を変動させてしまう。
る。その一方で、液晶セルに残留DC電圧が存在していると、データ保持時間が長いID
S駆動のほうが通常駆動よりも、液晶セルの透過率の変動量が大きくなるおそれがある。
その結果、IDS駆動のほうが、データ書き換えに伴うちらつきが視認されやすくなると
いう新たな問題が生ずる。本実施の形態は、このような課題を解決するものである。
で、IDS駆動による残留DC電圧の発生を抑制する。つまり、コモン電極31とコモン
電極32間を等電位とすることで、データ保持期間に、液晶セルに印加される基板21(
コモン電極31)に垂直な方向のDC電圧成分を小さくする。これにより、液晶セル内の
残留電荷の蓄積を抑制して、データ保持期間での液晶セルの透過率の変動を抑える。
、LCD100にて、目が疲れにくい表示を行うことが可能になる。コモン電極31とコ
モン電極32を等電位とすることで、IDSモードでの動作時の液晶セルの透過率の変動
を抑止して、ちらつきを低減できることは、実施例1にて明らかにする。
ることによる、保持電圧の変化である。そこで、液晶素子131の印加電圧の変動量をよ
り少なくするために、トランジスタ130として、オフ電流が非常に小さいトランジスタ
を用いることが好ましく、また、液晶層20の液晶材料として抵抗が高い材料を用いるこ
とが好ましい。
トランジスタのオフ電流とは、オフ状態でソースードレイン間を流れる電流のことをいう
。また、トランジスタがオフ状態とは、nチャネル型のトランジスタの場合、ゲート電圧
がしきい値電圧よりも十分小さい状態をいう。
幅1μmあたりのオフ電流が100zA以下にするとよい。オフ電流は少ないほど好まし
いため、この規格化されたオフ電流が10zA/μm以下、あるいは1zA/μm以下と
することが好ましく、10yA/μm以下であることがさらに好ましい。
(3.0eV以上)の酸化物半導体でトランジスタ130のチャネルを構成するとよい。
ここでは、酸化物半導体(OS)でチャネルが形成されているトランジスタをOSトラン
ジスタと呼ぶ。
ることで、酸化物半導体をi型(真性半導体)にする、あるいはi型に限りなく近づける
ことができる。ここでは、このような酸化物半導体を高純度化酸化物半導体と呼ぶことに
する。高純度化酸化物半導体でチャネルを形成することで、規格化されたオフ電流を数y
A/μm―数zA/μm程度に低くすることができる。
を含むものが好ましい。また、酸化物半導体は、電気的特性のばらつきを減らすためのス
タビライザとなる元素を含むものが好ましい。このような元素として、Ga、Sn、Hf
、Al、Zr等がある。OSトランジスタを構成する酸化物半導体としては、In-Ga
-Zn系酸化物、In-Sn-Zn系酸化物が体表的である。実施の形態4において、酸
化物半導体についてより詳細に説明する。
トランジスタ130を経由してリークする電荷量を抑えるため、トランジスタ130の抵
抗値を高くするとよい。そのため、液晶層20の液晶材料の固有抵抗率は1.0×101
3Ωcm以上であることが好ましく、1.0×1014Ωcm以上であることがより好ま
しい。例えば、液晶材料として、固有抵抗率が、1.0×1013Ωcm以上1.0×1
016Ωcm以下の材料、好ましくは、1.0×1014Ωcm以上1.0×1016Ω
cm以下の材料を選択するとよい。なお、液晶材料の固有抵抗率は、20℃で測定した値
である。
電力化が可能なLCDを提供することが可能になる。
本実施の形態では、IDS駆動の他の例を説明する。
図3BのIDS駆動は、通常駆動よりも低いリフレッシュレートでデータの書き換えが定
期的に行われる。静止画の表示では、表示する画像が変化しない限りデータの書き換えを
停止することができる。そこで、データ書き換えを定期的に行うのではなく、表示する画
像が変わるときに行うような駆動方法で静止画を表示することができる。ここでは、この
駆動方法を第2のIDS駆動と呼び、図3BのIDS駆動を第1のIDS駆動と呼ぶこと
にする。以下、図5を用いて、第2のIDS駆動を説明する。
場合を例に説明する。図5Bに示すように、IDS駆動により、静止画IM1の画像デー
タを画素121に書き込む。データの書き込みは、第1のIDS駆動と同様に行うことが
できる。通常駆動と同じリフレッシュレート(間隔Tpd)でデータの書き換えが1回ま
たは複数回実行され、画素121にデータが書き込まれる。図5Bの例では、データの書
き換えが3回行なわれる。
駆動では、表示する画像が切り替わるまで、データ保持状態が継続される。静止画IM2
を表示するためのデータの書き換えは、静止画IM1と同様に行われ、まず、データの書
き換えを3回行い、その後、データの書き換えを停止して、データ保持状態とする。
IM1と静止画IM2の表示の間に、通常駆動により静止画IM1から静止画IM2への
画面切り替え用動画を表示してもよい。
てもよいし、一方のみを行うようにしてもよい。LCD100が適用される半導体装置の
用途や、画素121を構成する部材(配向膜、液晶など)により、適切なIDS駆動が実
行できるようにすればよい。
本実施の形態では、図6、図7を参照して、FFSモードの液晶パネルのより具体的な構
成について説明する。
図6は、LCパネル210の構成の一例を示す断面図である。LCパネル210も、LC
パネル110と同様に、同一基板上に画素部、並びにドライバ(ゲートドライバおよびソ
ースドライバ)が形成されている。ここでは、これら回路を構成するトランジスタをOS
トランジスタとする。OSトランジスタはnチャネル型のトランジスタである。
。また画素部211として、代表的に画素221、およびコモン電極331(COM-1
)の接続部222が示されている。
図1Aの画素121の回路構成と同様である。
液晶層303が存在する。液晶層303には、上述したように固有抵抗率が1.0×10
13Ωcm以上の液晶材料を用いることが好ましい。
83が形成されている。図7に示すように、スペーサ383は、ゲート線311およびソ
ース線321が重なる領域に存在する。このような領域は、液晶材料の配向が乱れる領域
であり表示に寄与しない。スペーサ383をこのような領域に形成することで、画素22
1の開口率を高くすることができる。なお、スペーサ383は基板301側に設けること
もできる。
形成されている。これら端子324は異方性導電膜226によりFPC225に接続され
る。端子324は引き回し配線312に接続されている。
ラーフィルタ層382が形成されている。絶縁層391は、例えば窒化シリコン膜で形成
される。遮光層381およびカラーフィルタ層382は、例えば樹脂で形成される。遮光
層381は、画素221に形成される配線や電極等の表示に寄与しない領域を隠すように
設けられている。
されている。絶縁層392上にコモン電極332(COM-2)が形成され、コモン電極
332上にスペーサ383が形成されている。スペーサ383は、感光性樹脂材料から形
成することができる。コモン電極332およびスペーサ383を覆って、配向膜352が
形成されている。コモン電極332は、TNモードのLCDパネルの対向電極と同様に、
異方性導電膜により基板301に形成される接続部(コモンコンタクト)の端子に接続さ
れる。この端子は、引き回し配線312を介して端子部224の端子324に接続されて
いる。
および酸化物半導体(OS)層340を有する。電極322には、画素電極330(PX
)が接続されている。OS層340は、チャネルが形成される酸化物半導体層を少なくと
も1層有する。絶縁層371はトランジスタ231のゲート絶縁層を構成する。
される。
プゲート型としてもよい。また、チャネルを挟んで2つのゲート電極を有するデュアルゲ
ート型としてもよい。デュアルゲート型とすることで、OSトランジスタの電流駆動特性
を向上させることができる。また、ドライバにおいては、その用途に合わせて、一部のト
ランジスタをデュアルゲート型とし、他をボトムゲート型またはトップゲート型とするこ
ともできる。
られている。画素電極330が画素221毎に形成されるのに対して、コモン電極331
は、1つの導電膜から形成されており、全ての画素221で共有されている。図6、図7
に示すように、コモン電極331には、トランジスタ231と画素電極330を接続する
ための開口が画素221毎に設けられている。
材料としては、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むイン
ジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫
酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、インジウム亜鉛酸化物、酸化シ
リコンを添加したインジウム錫酸化物等がある。これらの導電材料からなる膜は、スパッ
タリング法で形成することができる。
いる。第1層目の配線・電極(311、312)覆って、絶縁層371が形成されている
。
層目の配線・電極(321―324)が形成される。配線323は、コモン電極331を
引き回し配線312に接続するための配線である。第2層目の配線・電極(321―32
4)の形成前に、絶縁層371には、引き回し配線312を露出する開口が形成されてい
る。配線323や端子324は、この開口において引き回し配線312に接続されている
。
73が形成されている。絶縁層372、373に、第2層目の配線・電極(322―32
4)を露出する開口を形成した後に、例えば、樹脂材料からなる絶縁層374が形成され
る。感光性樹脂材料を用いることで、エッチング工程を用いずに、開口を有する絶縁層3
74を形成することができる。絶縁層374には、接続用の開口の他に、封止部材304
が形成される領域に開口が形成されている。
375が形成されている。絶縁層375には、第2層目の配線・電極(322―324)
を露出する開口が形成されている。絶縁層375上に画素電極330が形成されており、
画素電極330を覆って配向膜351が形成されている。画素電極330が絶縁層375
を介してコモン電極331と重なっている領域が、液晶素子の補助容量として機能する。
ムホウケイ酸ガラス基板、アルミノホウケイ酸ガラス基板、セラミック基板、石英基板、
サファイア基板、金属基板、ステンレス基板、プラスチック基板、ポリエチレンテレフタ
レート基板、ポリイミド基板等が挙げられる。
れる支持基板(ガラス基板など)でなくてよい。画素221等を作製した後、支持基板を
剥離して、接着層により可撓性基板を取り付けてもよい。可撓性基板としては、代表的に
はプラスチック基板をその例に挙げる事ができる他、厚さが50μm以上500μm以下
の薄いガラス基板などを用いることもできる。基板301、302を可撓性基板とするこ
とで、LCパネル210を曲げることが可能になる。
で、または2層以上の導電膜で形成することができる。このような導電膜としては、アル
ミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タン
グステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、
ベリリウム等の金属膜を用いることができる。また、これら金属を成分とする合金膜およ
び化合物膜、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコン膜等を用いることができる
。
膜で形成することができる。無機絶縁膜としては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム
、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、
酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム
、酸化ハフニウムおよび酸化タンタル等でなる膜があげられる。また、これらの絶縁膜は
、スパッタリング法、CVD法、MBE法、ALD法またはPLD法を用いて形成するこ
とができる。また、樹脂膜としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテ
ン系樹脂、シロキサン系樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等の有機樹脂膜がある。な
お、本明細書において、酸化窒化物とは、窒素よりも酸素の含有量が多い化合物をいい、
窒化酸化物とは、酸素よりも窒素の含有量が多い化合物をいう。
本実施の形態では、OSトランジスタのチャネルを形成する酸化物半導体について説明す
る。
Zn系酸化物、Sn-Zn系酸化物、Al-Zn系酸化物、Zn-Mg系酸化物、Sn-
Mg系酸化物、In-Mg系酸化物、In-Ga系酸化物、In-Ga-Zn系酸化物(
IGZOとも表記する)、In-Al-Zn系酸化物、In-Sn-Zn系酸化物、Sn
-Ga-Zn系酸化物、Al-Ga-Zn系酸化物、Sn-Al-Zn系酸化物、In-
Hf-Zn系酸化物、In-Zr-Zn系酸化物、In-Ti-Zn系酸化物、In-S
c-Zn系酸化物、In-Y-Zn系酸化物、In-La-Zn系酸化物、In-Ce-
Zn系酸化物、In-Pr-Zn系酸化物、In-Nd-Zn系酸化物、In-Sm-Z
n系酸化物、In-Eu-Zn系酸化物、In-Gd-Zn系酸化物、In-Tb-Zn
系酸化物、In-Dy-Zn系酸化物、In-Ho-Zn系酸化物、In-Er-Zn系
酸化物、In-Tm-Zn系酸化物、In-Yb-Zn系酸化物、In-Lu-Zn系酸
化物、In-Sn-Ga-Zn系酸化物、In-Hf-Ga-Zn系酸化物、In-Al
-Ga-Zn系酸化物、In-Sn-Al-Zn系酸化物、In-Sn-Hf-Zn系酸
化物、In-Hf-Al-Zn系酸化物を用いることができる。
を含むものが好ましい。また、酸化物半導体は、電気的特性のばらつきを減らすためのス
タビライザとなる元素を含むものが好ましい。このような元素として、Ga、Sn、Hf
、Al、Zr等がある。OSトランジスタを構成する酸化物半導体としては、In-Ga
-Zn系酸化物、In-Sn-Zn系酸化物が代表的である。
という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn以外の
金属元素が入っていてもよい。
てもよい。なお、Mは、Ga、Fe、MnおよびCoから選ばれた一の金属元素または複
数の金属元素、若しくは上記のスタビライザとしての元素を示す。また、酸化物半導体と
して、In2SnO5(ZnO)n(n>0)で表記される材料を用いてもよい。
Zn=3:1:2、あるいはIn:Ga:Zn=2:1:3の原子数比のIn-Ga-Z
n系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。
の一部がドナーとなり、キャリアである電子を生じてしまう。これにより、OSトランジ
スタのしきい値電圧がマイナス方向にシフトしてしまう。そのため、酸化物半導体膜の形
成後において、脱水化処理(脱水素化処理)を行い酸化物半導体膜から、水素、又は水分
を除去して不純物が極力含まれないように高純度化することが好ましい。
素も同時に減少してしまうことがある。よって、酸化物半導体膜への脱水化処理(脱水素
化処理)によって増加した酸素欠損を補填するため酸素を酸化物半導体膜に加える処理を
行うことが好ましい。ここでは酸化物半導体膜に酸素を供給する処理を、加酸素化処理、
または過酸素化処理と呼ぶことがある。
除去され、加酸素化処理により酸素欠損を補填することによって、i型(真性)化または
i型に限りなく近く実質的にi型(真性)である酸化物半導体膜とすることができる。な
お、実質的に真性とは、酸化物半導体膜中にドナーに由来するキャリアが極めて少なく(
ゼロに近く)、キャリア密度が1×1017/cm3以下、1×1016/cm3以下、
1×1015/cm3以下、1×1014/cm3以下、1×1013/cm3以下であ
ることをいう。
非単結晶酸化物半導体膜とは、非晶質酸化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、多結晶酸
化物半導体膜、CAAC-OS(C Axis Aligned Crystallin
e Oxide Semiconductor)膜等をいう。
体膜、微結晶酸化物半導体膜、CAAC-OS膜のうち、二種以上を有する積層膜であっ
てもよい。
化物半導体膜である。石英のような無定形状態を有する酸化物半導体膜が一例である。非
晶質酸化物半導体膜は、高分解能TEM像において結晶部を確認することができない。非
晶質酸化物半導体膜に対し、XRD装置を用いた構造解析を行うと、out-of-pl
ane法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。また、非晶質酸化物半導
体膜に対し、電子回折を行うと、ハローパターンが観測される。また、非晶質酸化物半導
体膜に対し、ナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測されず、ハローパターンが観
測される。
域と、明確な結晶部を確認することのできない領域とを有する。微結晶酸化物半導体膜に
含まれる結晶部は、例えば、1nm以上100nm以下、または1nm以上10nm以下
の大きさであることが多い。特に、1nm以上10nm以下の大きさの微結晶(nc:n
anocrystal)を有する酸化物半導体膜を、nc-OS(nanocrysta
lline Oxide Semiconductor)膜と呼ぶ。また、nc-OS膜
は、例えば、高分解能TEM像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。nc-
OS膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも秩序性が高い酸化物半導体膜である。そのため、
nc-OS膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、nc-
OS膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、nc-OS膜は
、CAAC-OS膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。
以下、CAAC-OS膜について詳細な説明を行う。
scope)によって、CAAC-OS膜の明視野像および回折パターンの複合解析像(
高分解能TEM像ともいう。)を観察することで複数の結晶部を確認することができる。
一方、高分解能TEM像によっても明確な結晶部同士の境界、即ち結晶粒界(グレインバ
ウンダリーともいう。)を確認することができない。そのため、CAAC-OS膜は、粒
界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の各層は
、CAAC-OS膜の膜を形成する面(被形成面ともいう。)または上面の凹凸を反映し
た形状であり、CAAC-OS膜の被形成面または上面と平行に配列する。
すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列していることを確認
できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られない。
置を用いて構造解析を行うと、例えばInGaZnO4の結晶を有するCAAC-OS膜
のout-of-plane法による解析では、回折角(2θ)が31°近傍にピークが
現れる場合がある。このピークは、InGaZnO4の結晶の(009)面に帰属される
ことから、CAAC-OS膜の結晶がc軸配向性を有し、c軸が被形成面または上面に概
略垂直な方向を向いていることが確認できる。
た際に形成される。上述したように、結晶のc軸は、CAAC-OS膜の被形成面または
上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、CAAC-OS膜の形状
をエッチング等によって変化させた場合、結晶のc軸がCAAC-OS膜の被形成面また
は上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
の結晶部が、CAAC-OS膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上面
近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、CAA
C-OS膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部分
的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。
による解析では、2θが31°近傍のピークの他に、2θが36°近傍にもピークが現れ
る場合がある。2θが36°近傍のピークは、ZnGa2O4の結晶の(311)面に帰
属されることから、InGaZnO4の結晶を有するCAAC-OS膜中の一部に、Zn
Ga2O4の結晶が含まれることを示している。CAAC-OS膜は、2θが31°近傍
にピークを示し、2θが36°近傍にピークを示さないことが好ましい。
シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリコ
ンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化
物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させる
要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径
(または分子半径)が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜の
原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不純
物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによって
キャリア発生源となることがある。
実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜
は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。したがって、
当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性(
ノーマリーオンともいう。)になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純
度真性である酸化物半導体膜は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導
体膜を用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとな
る。なお、酸化物半導体膜のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要す
る時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が
高く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性が不安定と
なる場合がある。
が小さい。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
角度で配置されている状態をいう。従って、-5°以上5°以下の場合も含まれる。また
、「垂直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をい
う。従って、85°以上95°以下の場合も含まれる。
によって成膜する。当該ターゲットにイオンが衝突すると、ターゲットに含まれる結晶領
域がa-b面から劈開し、a-b面に平行な面を有する平板状またはペレット状のスパッ
タリング粒子として剥離することがある。この場合、当該平板状またはペレット状のスパ
ッタリング粒子が、結晶状態を維持したまま基板に到達することで、CAAC-OS膜を
成膜することができる。
る。例えば、処理室内に存在する不純物濃度(水素、水、二酸化炭素、および窒素等)を
低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点が
-80℃以下、好ましくは-100℃以下である成膜ガスを用いる。
粒子が基板に到達した場合、基板上でマイグレーションが起こり、スパッタリング粒子の
平らな面が基板に付着する。例えば、基板加熱温度は、100℃以上740℃以下、好ま
しくは200℃以上500℃以下とすればよい。
を軽減することができる。例えば、成膜ガス中の酸素の割合は、30体積%以上、好まし
くは100体積%とすることができる。
本実施の形態では、LCDが表示部に用いられた電子機器について説明する。実施の形態
1―4を適用することで、目に優しい表示が可能で、低消費電力な電子機器を提供するこ
とが可能になる。
図8は、LCDを表示部に備えた情報処理システムの構成の一例を示すブロック図である
。情報処理システム500は、演算部510、LCD520、入力装置530、および記
憶装置540を備える。
、プロセッサ511、記憶装置512、入出力(I/O)インターフェース513、およ
びバス514を有する。バス514により、プロセッサ511、記憶装置512およびI
/Oインターフェース513が互いに接続されている。演算部510は、I/Oインター
フェース513を介して、LCD520、入力装置530および記憶装置540との通信
を行う。例えば、入力装置530からの入力信号は、I/Oインターフェース513およ
びバス514を経てプロセッサ511や記憶装置512に伝送される。
I/Oインターフェース513を経て入力されたデータが保存される。
ロセッサ511は、例えば、入力装置530からの入力信号を解析する、記憶装置540
に情報を読み出す、記憶装置512および記憶装置540にデータを書き込む、LCD5
20に出力する信号を生成する、等の処理を行う。
成する。また、情報処理システム500には、出力装置として、表示装置の他に、スピー
カ、プリンタ等の他の出力装置を備えていてもよい。
置530を操作することにより、情報処理システム500を操作することができる。入力
装置530には、様々なヒューマンインターフェースを用いることができ、複数の入力装
置を情報処理システム500に設けることができる。入力装置530としては、例えば、
タッチパネル、キーボード、操作ボタン等がある。これらを使用者が直接操作することに
より、情報処理システム500の操作を行うことできる。その他、音声、視線、ジェスチ
ャ等を検出する装置を組み込んだ入力装置を設けて、これらにより情報処理システム50
0を操作するようにしてもよい。例えば、マイクロフォン、カメラ(撮像システム)等を
設けてもよい。
40の記憶容量は記憶装置512よりも大きい。記憶装置540としては、フラッシュメ
モリ、DRAM、ハードディスクドライブ(HDD)等がある。また、記憶装置540は
必要に応じて設ければよい。
形態の装置であってもよいし、一部の装置が有線、または無線により、演算部510に接
続されている形態の装置であってもよい。例えば、前者の形態として、ノート型パーソナ
ルコンピュータ(PC)、タブレットPC(端末)、電子書籍リーダ(端末)、およびス
マートフォン等がある。後者の形態として、デスクトップ型PC、キーボード、マウス、
およびモニタのセットがある。
る。また、IDS駆動としては、第1、第2のIDS駆動の双方または一方が行われる。
例えば、第2のIDS駆動(図5参照)で静止画表示を行う情報処理システム500の好
適な用途としては、電子書籍を読む、デジタルカメラで撮影した写真を鑑賞する、等であ
る。つまり、同じ画像である状態が比較的長く、また使用者の操作により画面全体の表示
を切り換えることで、情報処理システム500を使用する場合に、第2のIDS駆動で静
止画を表示することが好ましい。
―図9Fは、表示部がLCDで構成された情報処理システムの一例を示す外観図である。
704、マイクロフォン705、スピーカ706、操作ボタン707、およびスタイラス
708等を有する。表示部703および/又は表示部704に、入力装置530としてタ
ッチパネルを設けてもよい。
ン714、レンズ715、および接続部716等を有する。操作ボタン714およびレン
ズ715は筐体711に設けられており、表示部713は筐体712に設けられている。
そして、筐体711と筐体712とは、接続部716により接続されており、筐体711
と筐体712の間の角度は、接続部716により可動となっている。表示部713の画面
の切り換えを、接続部716における筐体711と筐体712との間の角度に従って行う
構成としてもよい。表示部713にタッチパネルを設けてもよい。
操作ボタン723、スピーカ724、その他図示しないマイク、ステレオヘッドフォンジ
ャック、メモリカード挿入口、カメラ、USBコネクタ等の外部接続ポート等を備えてい
る。表示部722には、入力装置530として、タッチパネルが設けられている。
示部733、表示部734、接続部735、および操作ボタン736等を有する。表示部
733および表示部734はLCD520で構成されている。表示部733、734には
、入力装置530として、タッチパネルが設けられている。
743、表示部744、スピーカ745、およびカメラ用レンズ746等を有する。表示
部744と同一面上にカメラ用レンズ746を備えているため、テレビ電話が可能である
。表示部744には、入力装置530として、タッチパネルが設けられている。
よびポインティングデバイス754等を有する。表示部752には、LCD520が用い
られる。また、表示部752に、入力装置530としてタッチパネルを設けてもよい。
実施の形態3のFFSモードのLCパネル(図6、図7参照)を作製し、その動作を検証
した。試作したLCパネル(以下、テストパネルと呼ぶ。)の仕様を表1に示す。実際の
検証では、テストパネルにバックライトモジュール等を組み込んで、透過型のLCDとし
て動作させた。
素部と共に素子基板に集積した。作製したトランジスタはOSトランジスタであり、その
酸化物半導体層を、CAAC構造を有するIn-Ga-Zn系酸化物膜で形成した。
テストパネルのコモン電圧VCOM(コモン電極COM-1の電圧)は0Vとした。また
、コモン電極COM-2の電圧VCOM2も0Vにして、コモン電極COM-1とコモン
電極COM-2を等電位にした状態で動作させて、ちらつきに関して客観評価および主観
評価を行った。
状態で、テストパネルを動作させ、同じ評価を行った。比較例1では、VCOM2=-1
.7Vとした。また、VCOMは、-1.8―-1.7Vの範囲で一定電圧とした。VC
OMの値は、テストパネルごとに異なり、中間調の表示が最適になるように決定された。
客観評価として、テストパネルの透過率の測定を行った。IDS駆動により、テストパネ
ルにグレーの静止画を表示させた。リフレッシュレートは1Hzである。つまり1秒ごと
にデータの書き換えを行った。また、IDS駆動において、1回の画面書き換えにおいて
、データの書き込みは3回行った(図3B、図4B参照)。これは、下記の主観評価でも
同様である。
結果を図10に示す。図10Aは実施例1の透過率の変動を示すグラフであり、図10B
は比較例1のグラフである。
にデータ書き換え直後の透過率を維持できず、透過率が1%以上低下している。他方、図
10Aに示すように、実施例1では、IDS駆動を6時間連続して行っても、透過率の変
動は、駆動直後と同程度である。
極COM-2間の電位差が原因となることが分かった。2つのコモン電極(COM-1、
COM-2)を等電位とすることで、長時間IDS駆動しても透過率の変動が抑制される
ことが確認された。IDS駆動は疑似的なDC駆動であるため、2つのコモン電極(CO
M-1、COM-2)間に電位差がある状態で、数時間連続してIDS駆動すると、液晶
セル内に電荷の偏析が生じ、それが透過率を変動させる原因になったと考えられる。
調(黒表示)や高階調(白表示)よりも電圧に対する透過率の変動量が大きくなる。図1
0Aには、実施例1によりIDS駆動によるグレー表示の透過率の変動が抑えられている
ことが示されている。すなわち、2つのコモン電極(COM-1、COM-2)を等電位
とすることで、IDS駆動でも、中間調で表現される自然画を高品位で表示することが可
能になることが分かった。
コモン電極COM-1とコモン電極COM-2間の電位差を調整することで、人の目で感
じるちらつきを低減できることを主観評価で確認した。図11A、図11Bに、実施例1
、比較例1の主観評価の結果を示す。
z)で動作させ、他方をIDS駆動(リフレッシュレート1Hz)で動作させた。動作モ
ードがわからないようにして、被験者に2つのテストパネルの画面を比較させることで、
それぞれの表示品位を評価させた。
位に関する評価項目を設けた。評価項目は、「ちらつき」の他、「色合い」、「解像度」
、「画面への映り込み(反射)」、「ムラ」、および「文字の読みやすさ」である。これ
らについて、「非常に良い」、「やや良い」、「どちらでもない」、「やや悪い」、「非
常に悪い」の5段階で被験者に評価させた。
な)の20の静止画を使用した。スライドショー形式で、これらの静止画を5秒間隔でテ
ストパネルに表示した。また、実施例1、比較例1ともに、2つのテストパネルを6時間
常時動作させた。この間に、被験者が適宜評価を行ったため、被験者により、テストパネ
ルの動作開始から評価時点の経過時間が異なる。表2に、被験者の内訳を示す。(a)が
実施例1であり、(b)が比較例1である。
価結果の差が小さい。86人中、3人がIDS駆動の方がよりちらつきを感じ、6人が通
常駆動の方がよりちらつきを感じた、という回答であった。実施例1では、総合的な評価
結果は、IDS駆動の方が通常駆動よりもちらつきを感じないというものであった。
例1の方が実施例1よりも大きくなった。84人中、11人がIDS駆動の方がよりちら
つきを感じ、3人が通常駆動の方がよりちらつきを感じた、という回答であった。比較例
1では、総合的な評価結果は、IDS駆動の方が通常駆動よりもちらつきを感じるという
ものであった。また、テスト開始から時間が経つほど、IDS駆動の方がちらつきを感じ
るという回答が多くなった。比較例1の主観評価結果は、図10Bの、時間経過に伴う透
過率の変動量の増加という客観評価に合致する。
で、疑似的なDC駆動であるIDS駆動を長時間行っても、透過率の変動を抑えることが
できることが確認された。また、IDS駆動時のデータ書き換えに伴うちらつきを低減で
きることが、確認された。
ついて評価結果に大きな差がないが、比較例1では、IDS駆動の方が通常駆動よりも表
示品位が劣化してしまうことを示している。これは、2つのコモン電極(COM-1、C
OM-2)の電位を等しくすることで、長時間IDS駆動を行ったLCDでも、通常駆動
の動作時と同様の表示品位を維持することが可能なことを示している。
21 基板
22 基板
23 封止部材
24 端子部
25 FPC
30 画素電極
31 コモン電極
32 コモン電極
40 絶縁層
100 液晶表示装置(LCD)
110 液晶(LC)パネル
111 画素部
112 ゲートドライバ
113 ソースドライバ
121 画素
122 ゲート線
123 ソース線
130 トランジスタ
131 液晶素子
132 容量素子
180 コントローラ
190 電源
Claims (1)
- 対向している第1および第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板の間の液晶層と、
前記第1の基板に形成された画素電極および第1のコモン電極と、
前記第2の基板に形成された第2のコモン電極と、を有し、
絶縁層を挟んで、前記画素電極は前記第1のコモン電極と対向し、
前記液晶層を挟んで、前記第2のコモン電極は前記第1のコモン電極と対向し、
前記画素電極には、画像データに対応するデータ信号が供給され、
前記第1および前記第2のコモン電極には、同じ電位が印加される液晶表示装置。
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---|---|---|---|---|
US8330492B2 (en) * | 2006-06-02 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
WO2015087585A1 (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-18 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
KR20150081848A (ko) * | 2014-01-07 | 2015-07-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널의 구동 전압 발생 방법 및 이를 수행하는 표시 장치 |
TWI533071B (zh) * | 2014-07-08 | 2016-05-11 | 元太科技工業股份有限公司 | 顯示裝置以及其重設方法 |
CN107223278B (zh) * | 2015-02-04 | 2019-05-28 | 伊英克公司 | 具有降低的剩余电压的电光显示器以及相关的设备和方法 |
KR20160114510A (ko) | 2015-03-24 | 2016-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 터치 패널 |
US10671204B2 (en) | 2015-05-04 | 2020-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch panel and data processor |
US10139663B2 (en) * | 2015-05-29 | 2018-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Input/output device and electronic device |
JP2018013765A (ja) | 2016-04-28 | 2018-01-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子デバイス |
US10679545B2 (en) * | 2016-08-17 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Operation method of display device |
JP2020528575A (ja) * | 2017-07-24 | 2020-09-24 | イー インク コーポレイション | 電気光学ディスプレイおよびそれを駆動するための方法 |
JP2019184638A (ja) * | 2018-04-02 | 2019-10-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置および電子機器 |
WO2020058798A1 (ja) | 2018-09-21 | 2020-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
JP7179654B2 (ja) * | 2019-03-07 | 2022-11-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102659780B1 (ko) | 2019-11-18 | 2024-04-22 | 이 잉크 코포레이션 | 전기-광학 디스플레이들을 구동하기 위한 방법들 |
JP7257363B2 (ja) * | 2020-07-14 | 2023-04-13 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 液晶表示パネルの共通電極電圧の設定方法 |
CN115457913B (zh) * | 2022-09-29 | 2024-05-03 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008032899A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
JP2008180928A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2009103797A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP2009288495A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP2011022182A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Sony Corp | 横電界方式の液晶表示装置 |
JP2011090293A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011227477A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フィールドシーケンシャル駆動型表示装置 |
JP2011258949A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
US20130112979A1 (en) * | 2011-11-03 | 2013-05-09 | Lg Display Co., Ltd. | Fringe field switching liquid crystal display device and method of fabricating the same |
WO2013084846A1 (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (141)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH11174491A (ja) | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Nec Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP3481509B2 (ja) | 1999-06-16 | 2003-12-22 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7995181B2 (en) | 2002-08-26 | 2011-08-09 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | High speed and wide viewing angle liquid crystal displays |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
EP1737044B1 (en) | 2004-03-12 | 2014-12-10 | Japan Science and Technology Agency | Amorphous oxide and thin film transistor |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
KR101016286B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2011-02-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
BRPI0517568B8 (pt) | 2004-11-10 | 2022-03-03 | Canon Kk | Transistor de efeito de campo |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
RU2358355C2 (ru) | 2004-11-10 | 2009-06-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Полевой транзистор |
CA2585063C (en) | 2004-11-10 | 2013-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
EP1998373A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
TWI483048B (zh) | 2005-10-18 | 2015-05-01 | Semiconductor Energy Lab | 液晶顯示裝置 |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101577281B (zh) | 2005-11-15 | 2012-01-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 有源矩阵显示器及包含该显示器的电视机 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
JP2007226175A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-09-06 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置及び電子機器 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
US8106865B2 (en) | 2006-06-02 | 2012-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US7935964B2 (en) * | 2007-06-19 | 2011-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same |
JP2009134228A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-06-18 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
JP2009229599A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP5266574B2 (ja) | 2008-03-19 | 2013-08-21 | Nltテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
JP4816668B2 (ja) | 2008-03-28 | 2011-11-16 | ソニー株式会社 | タッチセンサ付き表示装置 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
TWI633371B (zh) * | 2008-12-03 | 2018-08-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
US8378342B2 (en) * | 2009-03-23 | 2013-02-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductor and thin film transistor including the same |
US8654292B2 (en) * | 2009-05-29 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
US8289489B2 (en) | 2009-08-17 | 2012-10-16 | Hydis Technologies Co., Ltd. | Fringe-field-switching-mode liquid crystal display and method of manufacturing the same |
WO2011048945A1 (en) | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the same |
CN105739209B (zh) | 2009-11-30 | 2022-05-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示设备、用于驱动该液晶显示设备的方法 |
KR101800038B1 (ko) | 2009-12-04 | 2017-11-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR101282383B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2013-07-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 전자 기기 |
KR101872678B1 (ko) | 2009-12-28 | 2018-07-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 전자 기기 |
WO2011099376A1 (en) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
US8830424B2 (en) * | 2010-02-19 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having light-condensing means |
JP5616184B2 (ja) | 2010-09-28 | 2014-10-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチ検出機能付き表示装置および電子機器 |
JP6010291B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2016-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の駆動方法 |
CN103270601B (zh) * | 2010-12-20 | 2016-02-24 | 夏普株式会社 | 半导体装置和显示装置 |
TWI440926B (zh) | 2010-12-31 | 2014-06-11 | Hongda Liu | 液晶顯示裝置 |
CN102156369B (zh) * | 2011-01-18 | 2013-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管液晶显示阵列基板及其制造方法 |
US8953132B2 (en) * | 2011-03-30 | 2015-02-10 | Au Optronics Corp. | Pixel array of fringe field switching liquid crystal display panel and driving method thereof |
US9397222B2 (en) * | 2011-05-13 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US20140111561A1 (en) | 2011-06-27 | 2014-04-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal drive device and liquid crystal display device |
KR20130032743A (ko) * | 2011-09-23 | 2013-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP2013080185A (ja) | 2011-10-05 | 2013-05-02 | Japan Display East Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP6239227B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2017-11-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
JP5979627B2 (ja) * | 2011-12-12 | 2016-08-24 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 表示パネル、及び表示装置 |
CN104040416B (zh) * | 2012-01-11 | 2017-05-17 | 夏普株式会社 | 半导体装置、显示装置和半导体装置的制造方法 |
KR102099262B1 (ko) | 2012-07-11 | 2020-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법 |
TWI681233B (zh) | 2012-10-12 | 2020-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法 |
JP6351947B2 (ja) | 2012-10-12 | 2018-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
US9569992B2 (en) * | 2012-11-15 | 2017-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving information processing device, program, and information processing device |
US10416504B2 (en) | 2013-05-21 | 2019-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
-
2014
- 2014-07-10 TW TW103123799A patent/TWI636309B/zh active
- 2014-07-15 JP JP2014144948A patent/JP2015043076A/ja not_active Withdrawn
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2016
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2018
- 2018-08-03 JP JP2018146491A patent/JP6710245B2/ja active Active
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2020
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- 2022-10-03 JP JP2022159430A patent/JP7402952B2/ja active Active
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2023
- 2023-08-28 KR KR1020230112590A patent/KR102680947B1/ko active IP Right Grant
- 2023-12-11 JP JP2023208219A patent/JP2024015325A/ja active Pending
-
2024
- 2024-06-28 KR KR1020240085140A patent/KR20240110763A/ko active IP Right Grant
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008032899A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
JP2008180928A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2009103797A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP2009288495A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP2011022182A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Sony Corp | 横電界方式の液晶表示装置 |
JP2011090293A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011227477A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フィールドシーケンシャル駆動型表示装置 |
JP2011258949A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
US20130112979A1 (en) * | 2011-11-03 | 2013-05-09 | Lg Display Co., Ltd. | Fringe field switching liquid crystal display device and method of fabricating the same |
WO2013084846A1 (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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