CN104009059A - 有机发光二极管显示装置及其制造方法和供体衬底 - Google Patents
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Abstract
本发明的一种有机发光二极管（OLED）显示装置包括衬底、形成在衬底上的薄膜晶体管、像素电极、像素限定层、发射层以及中间层，其中，像素电极形成在薄膜晶体管上并且电连接至薄膜晶体管，像素限定层形成在像素电极上并且限定出像素区，发射层形成在像素电极上并且接触像素区中的像素电极，以及中间层形成在像素限定层上并且接触发射层的一部分。
Description
技术领域
本发明概括地涉及有机发光二极管（OLED）显示装置、有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法以及用于制造有机发光二极管（OLED）显示装置的供体衬底，更具体地，涉及具有从供体衬底转移的有机发射层的有机发光二极管（OLED）显示装置及其制造方法。
背景技术
用于平板显示器的有机发光元件包括阳极、阴极和设置在阳极与阴极之间的有机膜。有机膜包括发射层、空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、电子传输层（ETL）以及电子注入层（EIL）。根据形成有机膜（具体为发射层）的材料，有机发光元件被分为高分子有机发光元件和低分子有机发光元件。
为了使有机发光元件实现全色彩，必须对有机膜进行构图。构图方法包括在低分子有机发光元件的情况下使用荫罩板（shadow mask）的方法。在有机发光元件的情况下使用通过喷墨印刷或激光束的激光热转印（LITI）方法。
LITI方法的优势在于对有机膜进行精细构图，并且有利于干法工序，而喷墨印刷是湿法工序。
根据LITI方法形成聚合物有机膜的图形的方法需要光源、受体衬底和供体膜。受体衬底是其上将形成有机膜的显示器衬底，供体膜包括基底膜、光热转换层和由有机膜制成的转移层。
当光源输出的激光束被供体膜的光热转换层吸收然后转换为热能时，有机膜被构图在受体衬底上，形成转移层的有机膜通过热能转移到受体衬底上。
然而，在转移过程中，被激光辐照待转移至衬底的一部分有机层可能没有转移，而留在转移层上。
在在本背景技术部分公开的以上信息仅仅是为了增强对本发明背景的理解，因此其可以包含不形成本国本领域技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的实施方式提供了有机发光二极管（OLED）显示装置和制造方法，该制造方法在通过热转移形成有机发射层的过程中，使得供体衬底的转移区的转移层沉积并同时在转移区附近与外围转移层完全分离。
本发明的另一实施方式提供了一种供体衬底，其将转移区的转移层转移并同时在转移区附近与转移层完全分离。
根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管（OLED）显示装置包括衬底、形成在衬底上的薄膜晶体管、形成在薄膜晶体管上并且电连接至薄膜晶体管的像素电极、形成在像素电极上并且限定出像素区的像素限定层、形成在像素电极上并且接触像素区中的像素电极的发射层、以及形成在像素限定层上并且接触发射层的一部分的中间层。
中间层可由粘合材料制成。
中间层可由热硬化材料或光硬化材料制成。
中间层可为可附接/可拆分材料。
中间层可根据发射层的边缘形成。
中间层可形成为环形形状。
发射层可覆盖中间层和像素区的像素电极。
发射层可覆盖中间层的一部分。
中间层可覆盖像素限定层的一部分。
根据本发明的一个实施方式的制造有机发光二极管（OLED）显示装置的方法包括：在衬底上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成电连接至薄膜晶体管的像素电极；在像素电极上形成限定出像素区的像素限定层；在像素限定层上形成中间层；以及形成接触像素区中的像素电极并覆盖像素电极和中间层的发射层。
在形成发射层的步骤中，发射层可覆盖中间层的一部分。
形成发射层的步骤可包括：在像素区上设置供体衬底，供体衬底的一个表面处形成有用于形成发射层的转移层；以及将转移层转移至像素区上。
在形成中间层的步骤中可将粘合材料或可附接/可拆分材料相对于发射层的边缘放置在转移层的下方；以及当转移层被转移到像素区上时，将粘合材料或可附接/可拆分材料转移到像素限定层上。
转移层可覆盖像素电极和中间层。
中间层可覆盖像素限定层的一部分。
根据本发明的一个实施方式的供体衬底，其用于将转移材料转移到由有机发光二极管（OLED）显示装置的像素限定层所限定的像素区，该供体衬底包括基底层、形成在基底层上的光热转换层、转移层以及粘合层，其中转移层形成在光热转换层上并且由有机发射材料制成，粘合层形成在转移层上并且包括开口，开口的形状与像素区对应。
开口可等于或大于像素区的面积。
粘合层可被形成为环形形状。
粘合层可由粘合材料制成。
粘合层可由热硬化材料或光硬化材料制成。
粘合层可由可附接/可拆分材料形成。
在根据本发明的实施方式的有机发光二极管（OLED）显示装置中，被激光辐照的供体衬底的转移层完全与供体衬底分离，从而形成有机发射层。
根据本发明的另一实施方式的有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法可防止被激光辐照的转移区的转移层部分留在供体衬底的缺陷。
在根据本发明的另一实施方式的供体衬底中，被激光辐照的转移区的转移层完全分离，从而可防止转移层部分残留的缺陷。
附图说明
通过参照详细的描述连同附图，本发明的以上及其它特征和优势将变得显而易见。在附图中：
图1是根据本发明的原理的一个实施方式所构建的有机发光二极管（OLED）显示装置的俯视图；
图2是沿图1的线II-II所取的截面图；
图3至图5是相继示出根据本发明的原理的一个实施方式所构建的有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法的视图；
图6是根据本发明的另一实施方式的供体衬底的截面图；以及
图7是示出将转移层从图6的供体衬底转移的过程的视图。
具体实施方式
将在下文参照附图详细地描述发明的示例性实施方式，使得本发明领域的技术人员能够理解本发明。本领域技术人员应该理解，所描述的实施方式可以以各种不同的方式修改，而不偏离本发明的精神或范围。附图和说明被认为在本质上是示例性的而非限制性的。在整个说明书中，相同的参考标号指示相同的元件。
此外，由于为了更好地理解和易于描述，附图中所示的组成部件的尺寸和厚度被任意夸大，所以本发明不限于所示的尺寸和厚度。
在附图中，为清楚起见，层、膜、面板、区域等的厚度被夸大。在附图中，为了更好地理解和易于描述，一些层和区域的厚度被夸大。应该理解，当诸如层、膜、区域或衬底的元件被称为“在”另一个元件“上”时，其可直接在另一元件上，或者在它们之间也可存在其它元件或中间元件。
此外，除非明确地相反描述，用语“包括（comprise）”及其变体诸如“包括（comprises）”或“包括（comprising）”将被理解意指包括所指元件，但不排除任何其他元件。而且，在说明书中，对目标部分的上部的描述指示目标部分的上部或下部，但是并不是指目标部分总是位于根据重力方向的上侧。
图1是根据本发明的原理的一个实施方式所构建的有机发光二极管（OLED）显示装置的俯视图。图2是沿图1的线II-II所取的截面图。参见图1和图2，在根据本发明的原理的一个实施方式所构建的有机发光二极管（OLED）显示装置中，被激光辐照的供体衬底的转移层与供体衬底完全分离，从而形成有机发射层。
根据本发明的原理的一个实施方式构建的有机发光二极管（OLED）显示装置包括衬底110、薄膜晶体管130、像素电极150、像素限定层170、发射层160以及中间层180。
接下来，将参照图1根据沉积顺序描述根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管（OLED）显示装置的结构。这里，有机发光二极管（OLED）显示装置的结构是驱动薄膜晶体管和由驱动薄膜晶体管发射光的发射层的结构。
此时，衬底110由绝缘衬底形成，绝缘衬底由玻璃、石英、陶瓷、塑料等构成。然而，本发明不限于此，衬底110也可形成为由不锈钢等构成的金属衬底。
在衬底110上形成缓冲层121。缓冲层121用于阻止杂质元素渗透其表面并使其平坦化。
缓冲层121可由能够担当此角色的各种材料形成。作为示例，氮化硅（SiNx）层、氧化硅（SiO2）层和氮氧化硅（SiOxNy）层中的任何一个均可用作缓冲层121。然而，缓冲层121并非总是必要的配置，而是可根据显示装置衬底110的种类和工序条件省略。
在缓冲层121上形成驱动半导体层137。驱动半导体层137可以是多晶硅膜。驱动半导体层137包括沟道区135以及源极区134和漏极区136，其中，在沟道区135中不掺杂杂质，在源极区134和漏极区136中掺杂杂质，源极区134和漏极区136形成在沟道区135的相对侧。在这种情况下，待掺杂的离子材料是p型杂质，例如硼（B），主要使用B2H6。这里，杂质可根据薄膜晶体管的种类而改变。
在驱动半导体层137上形成栅绝缘层122，栅绝缘层122由氮化硅（SiNx）或氧化硅（SiO2）形成。在栅绝缘层122上形成包括驱动栅电极133的栅极线。此外，驱动栅电极133被形成为与驱动半导体层137的至少一部分（具体地为沟道区135）重叠。
在栅绝缘层122上形成覆盖驱动栅电极133的层间绝缘层123。栅绝缘层122和层间绝缘层123一起具有暴露驱动半导体层137的源极区134和漏极区136的通孔。如同在栅绝缘层122中的那样，使用诸如氮化硅（SiNx）、氧化硅（SiO2）等的陶瓷系列材料来制备层间绝缘层123。
在层间绝缘层123上形成包括驱动源电极131和驱动漏电极132的数据线。此外，驱动源电极131和驱动漏电极132通过形成在层间绝缘层123和栅绝缘层122中的通孔分别连接至驱动半导体层137的源极区134和漏极区136。
如上形成包括驱动半导体层137、驱动栅电极133、驱动源电极131和驱动漏电极132的驱动薄膜晶体管130。驱动薄膜晶体管130的构造不限于上述实施例，而是可以任意改变为本领域技术人员可容易实现的已知构造。
在层间绝缘层123上形成覆盖数据线的平坦化层140。平坦化层140用于消除步骤差异并使其平整，以便增加待形成于其上的有机发光元件的发光效率。此外，平坦化层140具有电极接触孔141，电极接触孔141暴露漏电极132的一部分。
平坦化层140可利用诸如丙烯酸类树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂、不饱和聚酯类树脂、聚亚苯基类树脂、聚苯硫醚类树脂以及苯并环丁烯（BCB）中的一种或多种材料来制备。
而且，根据本发明的实施方式不限于上述结构，在一些情况下可省略平坦化层140和层间绝缘层123之一。
在平坦化层140上形成有机发光元件的像素电极150。即，有机发光二极管（OLED）显示装置包括为多个像素分别设置的多个像素电极150。这里，多个像素电极150彼此分开。各像素电极150穿过平坦化层140的电极接触孔141连接至漏电极132。
此外，在平坦化层140上形成像素限定层170，像素限定层170具有暴露像素电极150的开口。即，像素限定层170具有为每个像素单独形成的多个开口。可针对由像素限定层170所形成的每个开口形成发射层160。因此，可由像素限定层170限定其中形成有各发射层的像素区。
此外，第一电极150被设置为对应于像素限定层170的开口。然而，像素电极150可设置在像素限定层170的下方、与像素限定层170部分重叠。
像素限定层170可由树脂或硅石组的无机材料诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺制成。
同时，在像素电极150上形成发射层160，具体为有机发射层160。而且，可在有机发射层160上形成公共电极（未示出）。如上所述，形成了包括像素电极150、有机发射层160和公共电极的有机发光元件。
有机发射层160由低分子有机材料或高分子有机材料制成。有机发射层160被形成为包括空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发射层、电子传输层（ETL）以及电子注入层（EIL）的多层结构。当包括所有这些时，HIL被设置在为正电极的像素电极150上，HTL、发射层、ETL和EIL相继层叠于其上。
此时，像素电极150和公共电极可分别由透明传导材料形成，或者可由半透明或反射传导材料形成。根据形成像素电极150和公共电极的种类，有机发光二极管（OLED）显示装置可以是顶部发射型、底部发射型或者两侧发射型。
另一方面，在公共电极上可设置封装衬底（未示出）。在顶部发射型或两侧发射型的情况下，封装衬底可由透明材料诸如玻璃或塑料形成，而在底部发射型的情况下，封装衬底可由不透明材料诸如金属形成。
参见图1和图2，在根据本发明的原理的一个实施方式构建的有机发光二极管（OLED）显示装置中，在像素限定层170上形成中间层180。中间层180接触形成在像素电极150上的有机发射层160的一部分。
具体地，如图2所示，有机发射层160的边缘部分位于中间层180上。有机发射层160的边缘被布置成覆盖中间层180的全部或中间层180的一部分。因此，有机发射层160被形成为覆盖由像素限定层170暴露的、像素电极150和中间层180的一部分。
参见图1，中间层180可具有与发射层160的边缘一致的环形形状。
另一方面，中间层180可形成为覆盖像素限定层170的一部分。即，如图2所示，中间层180可覆盖像素限定层170的一部分。然而，不限于此，中间层180可覆盖整个像素限定层170。根据本发明的一个实施方式，中间层180在转移区的附近将通过激光所转移的转移区的转移层与外围转移层完全分离。将在描述根据本发明的另一实施方式的有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法时对此进行详细描述。
中间层180由具有粘合力或可附接/可拆分力的材料制成。即，中间层180由粘合材料或可附接/可拆分材料制成。当中间层180由可附接/可拆分材料制成时，中间层180可首先从中间层180最初所附接的临时层（未示出）拆分，然后分开后的中间层180被设置在像素限定层170与发射层160的重叠部分之间，以使像素限定层170和发射层160彼此附接。
当中间层180由粘合材料形成时，其可由热硬化或光硬化材料形成。在热硬化材料被热固化后，热硬化材料使分别设置在热硬化材料的相对侧上的两层粘合，即接合。在光硬化材料通过光例如紫外（UV）光固化后，光硬化材料使分别设置在光硬化材料的相对侧上的两层粘合，即接合。而且，中间层180可由可用作粘合剂的任何粘合材料形成。在转移工序中，转移区域中的转移层的边缘被粘合或附接至中间层180，使得转移层可在转移区域附近与外围转移层完全分离。
图3至图5是相继示出根据本发明的另一实施方式的有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法的视图。
在根据本发明的当前实施方式的有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法中，在有机发光二极管（OLED）显示装置的制造工序中，在转移区“A”附近将通过激光所转移的转移区“A”的转移层13从转移层13的外围完全分离，并将其沉积在显示器衬底上的像素区中。即，根据本发明的当前实施方式的有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法防止转移层留在供体衬底的转移区“A”内。
首先，参见图3，在衬底110上形成薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括所描述的驱动薄膜晶体管130和开关薄膜晶体管（未示出）。在衬底110上形成薄膜晶体管的工序使用公开的薄膜晶体管的形成工序，并省略对其详细的描述。
接下来，在薄膜晶体管上形成像素电极150。具体地，如图3所示，像素电极150被形成为电连接至薄膜晶体管的漏电极132。
接下来，在像素电极150上形成像素限定层170。像素限定层170限定其中设置有机发光元件的像素区。像素限定层170具有暴露像素电极150的开口。
而且，在形成像素限定层170后，在像素限定层170上形成中间层180。可通过使用掩模在像素限定层170上形成中间层180。掩模可以为曝光掩模或微细金属掩模（FMM）。而且，掩模必须具有开口以形成中间层180。
然而，不限于在像素限定层170上直接形成中间层180，也可在供体衬底10的转移层13的下方布置粘合材料或可附接/可拆分材料后，再转移转移层和粘合材料，从而形成中间层。而且，可通过使用稍后描述的根据本发明的另一实施方式的供体衬底300来形成中间层。因此，图6和图7的供体衬底300的粘合层340可用于形成中间层。
如图1和图2所示，中间层180可形成为覆盖像素限定层170的一部分。即，中间层180可形成为覆盖像素限定层170的一部分。然而不限于此，中间层180可形成为覆盖整个像素限定层170。
此时，中间层180由具有预定粘合力或预定可附接/可拆分力的材料制成。即，中间层180可由粘合材料或可附接/可拆分材料制成。
当中间层180由粘合材料形成时，中间层180可由热硬化或光硬化材料形成。在转移工序中，转移区中的转移层的边缘被粘合或附接至中间层180，以使转移层可在转移区附近与外围转移层完全分离。
接下来，在像素区中形成覆盖像素电极150和中间层180的有机发射层160。如图5所示，有机发射层160被设置为覆盖由像素限定层170的开口所暴露的像素电极150和中间层180。
此时，形成发射层160包括在像素区上设置供体衬底10，并将形成转移层13的转移材料从像素区上的供体衬底10转移。将参照图3至图5描述形成发射层160。
如图3所示，供体衬底10包括基底层11、转移层13和光热转换层12，光热转换层12被插置于基底层11与转移层13之间。基底层11必须是透明的以将光透射至光热转换层12。例如，基底层11由选自聚酯、丙烯酸、聚环氧、聚乙烯、聚苯乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一个聚合物材料制成或由玻璃制成。
同时，光热转换层12吸收在红外光至可见光范围内的光并将光部分转换为热。光热转换层12期望包括光吸收材料。
光热转换层12为由Al、Ag或它们的氧化物和硫化物制成的金属膜，或为由包括碳黑、石墨或红外染料制成的有机膜。可通过使用真空沉积、电子束沉积或溅射来形成光热转换层12。而且，可通过使用诸如辊式涂布（为常见的膜涂布法）、凹面涂布、挤压涂布、旋涂或刮刀涂布的公开的涂布方法形成光热转换层12。
可通过从光热转换层12透射的热能将转移层13与供体衬底10分离。转移层13可形成有机发光二极管（OLED）显示装置的有机发射层。这里，有机发射层为形成于暴露像素电极的像素限定层的开口中的有机发光元件。
转移层13为有机发光元件的空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发射层、空穴抑制层、电子传输层（ETL）或电子传输层（ETL），或者为包括它们中的两个或更多个层的多层。因此，转移层13可包括公开的用于形成有机发光元件的有机层的材料中的任何一种。
在形成发射层160的步骤中，如图3所示，在像素区上设置供体衬底10。此时，供体衬底10被设置使得供体衬底10的转移区“A”的边缘“B”与中间层180重叠。这里，转移区“A”是通过辐照激光将转移层13从供体衬底10转移到像素区的区域。
转移区“A”的边缘“B”可与中间层180的上表面的一部分或整个上表面重叠。因此，转移层13的被转移的边缘“B”可与中间层180的上表面重叠。
这里，供体衬底10的转移层13和中间层180可设置为间隔预定距离。转移层13与中间层180的间隔距离为转移层13可在转移层13的边缘“B”的下侧的方向弯曲以接触中间层180的距离。
接下来，向供体衬底10的转移区“A”辐照激光。如果激光被辐照至供体衬底10，则当光热转换层12的温度因光热转换而增加时，供体衬底10的光热转换层12会膨胀。因此，设置在光热转换层12下方的转移层13弯曲光热转换层12所膨胀的量而到达下侧。
此时，转移区“A”的边缘“B”接触中间层180。如果转移层13在转移区“A”的边缘“B”处接触中间层180，则转移区“A”的转移层13通过中间层180的粘合而从供体衬底10完全分离。
具体地，通过转移层在分离转移层13的转移区“A”的边界表面的自身粘合无法完成分离。然而，通过将转移区“A”的边缘“B”粘合至中间层180，转移层13的转移区“A”在转移区“A”附近通过粘合而从外围转移层13完全分离。因此，在转移区“A”的边缘“B”处，可减少与转移层13的外围的不完全分离。
与供体衬底10分离并被转移到像素区中的转移层13形成有机发光二极管（OLED）显示装置的有机发射层160。而且，转移层13由转移材料形成，转移材料沉积在像素区中从而形成有机发射层160。形成转移层13的转移材料可以是有机材料。
如上所述，如图5所示，有机发射层160覆盖像素电极150和中间层180。有机发射层160可以仅覆盖中间层180的一部分。
图6和图7涉及根据本发明的另一实施方式的供体衬底，下面将描述供体衬底300从外围转移层330在转移区“A”附近与转移区“A”中的转移层330正确分离。
参见图6，根据本发明的另一实施方式的供体衬底300包括基底层310、光热转换层320、转移层330以及粘合层340。
相继层叠基底层310、光热转换层320、转移层330和粘合层340以形成供体衬底300。
基底层310必须是透明的以将光透射至光热转换层320。例如，基底层310由选自聚酯、丙烯酸、聚环氧、聚乙烯、聚苯乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种聚合物材料制成或由玻璃制成。
同时，光热转换层320吸收在红外光至可见光范围内的光并将光部分转换为热。光热转换层320期望包括光吸收材料。
光热转换层320为由Al、Ag或它们的氧化物和硫化物制成的金属膜，或为由包括碳黑、石墨或红外染料制成的有机膜。可通过使用真空沉积、电子束沉积或溅射来形成光热转换层320。而且，可通过使用诸如辊式涂布（为常见的膜涂布法）、凹面涂布、挤压涂布、旋涂或刮刀涂布的公开的涂布方法形成光热转换层320。
可通过从光热转换层320透射的热能将转移层330与供体衬底300分离。转移层330可形成有机发光二极管（OLED）显示装置的有机发射层。这里，有机发射层为形成于暴露像素电极的像素限定层的开口中的有机发光元件。
转移层330为有机发光元件的空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发射层、空穴抑制层、电子传输层（ETL）或电子传输层（ETL），或者为包括它们中的两个或更多个层的多层。因此，转移层330可包括公开的用于形成有机发光元件的有机层的材料中的任何一个。
根据本发明的一个实施方式，粘合层340形成在转移层330上。粘合层340用于使转移区“A”的转移层330在转移区“A”附近与供体衬底300完全分离并被转移到像素区“D”。
如上所述，可通过粘合层340的粘合使转移区“A”的转移层330与供体衬底300完全分离。
具体地，通过转移层在分离转移层330的转移区“A”的边界表面的自身粘合无法完成分离。然而，通过将位于转移区“A”的边缘的粘合层180粘合至像素限定层170，转移层330的转移区“A”在转移区“A”附近通过粘合与外围转移层330完全分离。因此，可减少转移区“A”与转移层330的外围的不完全分离。
参见图7，在粘合层340中形成开口“C”。开口“C”可形成为与像素区“D”一致的形状。例如，当像素区“D”是矩形时，开口“C”可以是矩形。转移层330被粘合层340的开口“C”暴露。
开口“C”被形成为等于或大于像素区“D”的区域。当开口“C”与以上区域相同时，如图7所示，转移层330可位于像素限定层170上。
而且，粘合层340可形成为环形，该环形在中心具有开口“C”。即，当在竖直方向上观看供体衬底300时，粘合层340被形成为圆环形状，该圆环形状具有与开口“C”的圆周对应的预定宽度。
可通过掩模将粘合层340形成在转移层330上。掩模可以为曝光掩模或微细金属掩模。
这里，粘合层340由具有粘合力或可附接/可拆分力的材料制成。即，粘合层340由粘合材料或可附接/可拆分材料制成。
当粘合层340由粘合材料形成时，粘合层340可由热硬化或光硬化材料形成。
参见图6，转移层330被转移到粘合层340的外部周边表面内部的转移区“A”中。
根据本发明的实施方式的有机发光二极管（OLED）显示装置、有机发光二极管（OLED）显示装置的制造方法以及供体衬底，通过将被激光辐照的供体衬底的转移层与供体衬底完全分离，可阻止转移区的转移层没有完全转移而部分留在供体衬底的转移缺陷。
虽然所描述的本发明与目前视为实际的示例性实施方式有关，应该知道，本发明不限于所公开的实施方式，然而相反，本发明将覆盖包括在所附的权利要求的精神和范围之内的各种修改和等同设置。
Claims (21)
1.一种有机发光二极管显示装置，包括：
衬底；
薄膜晶体管，形成在所述衬底上；
像素电极，形成在所述薄膜晶体管上并与所述薄膜晶体管电连接；
像素限定层，形成在所述像素电极上并限定出像素区；
发射层，形成在所述像素电极上并在所述像素区中接触所述像素电极；以及
中间层，形成在所述像素限定层上并接触所述发射层的一部分。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述中间层由粘合材料制成。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述中间层由热硬化材料或光硬化材料制成。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述中间层为可附接/可拆分材料。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述中间层沿所述发射层的边缘形成。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述中间层形成为环形形状。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述发射层覆盖中间层和所述像素区的像素电极。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述发射层覆盖所述中间层的一部分。
9.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述中间层覆盖所述像素限定层的一部分。
10.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，所述方法包括：
在衬底上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上形成与所述薄膜晶体管电连接的像素电极；
在所述像素电极上形成限定出像素区的像素限定层；
在所述像素限定层上形成中间层；以及
形成在所述像素区中接触所述像素电极并覆盖所述像素电极和所述中间层的发射层。
11.如权利要求10所述的方法，其中，在形成发射层的步骤中，所述发射层覆盖所述中间层的一部分。
12.如权利要求10所述的方法，其中，形成发射层的步骤包括：
在所述像素区上设置供体衬底，所述供体衬底的一个表面处形成有用于形成所述发射层的转移层；以及
将所述转移层转移至所述像素区上。
13.如权利要求12所述的方法，其中，形成中间层的步骤包括：
将粘合材料或可附接/可拆分材料相对于所述发射层的边缘设置在所述转移层的下方；以及
当所述转移层被转移到所述像素区上时，将所述粘合材料或所述可附接/可拆分材料转移到所述像素限定层上。
14.如权利要求12所述的方法，其中，所述转移层覆盖所述像素电极和所述中间层。
15.如权利要求10所述的方法，其中，所述中间层覆盖所述像素限定层的一部分。
16.一种供体衬底，用于将转移材料转移到由有机发光二极管显示装置的像素限定层所限定的像素区，所述供体衬底包括：
基底层；
光热转换层，形成在所述基底层上；
转移层，形成在所述光热转换层上并由有机发射材料制成；以及
粘合层，形成在所述转移层上并包括开口，所述开口的形状与所述像素区对应。
17.如权利要求16所述的供体衬底，其中，所述开口等于或大于所述像素区的面积。
18.如权利要求16所述的供体衬底，其中，所述粘合层被形成为环形形状。
19.如权利要求16所述的供体衬底，其中，所述粘合层由粘合材料制成。
20.如权利要求19所述的供体衬底，其中，所述粘合层由热硬化材料或光硬化材料制成。
21.如权利要求16所述的供体衬底，其中，所述粘合层由可附接/可拆分材料形成。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106098725A (zh) * | 2015-04-30 | 2016-11-09 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN111384313A (zh) * | 2020-04-10 | 2020-07-07 | 武汉理工大学 | 一种飞秒激光前转移技术制备oled发光器件的方法 |
| US11164914B2 (en) | 2019-09-30 | 2021-11-02 | Wuhan Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. | Manufacturing method of a display panel with a display area, display panel with a display area, and display device |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102017086B1 (ko) * | 2012-07-27 | 2019-09-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 도너 기판 및 도너 기판을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| JP6512833B2 (ja) | 2015-01-16 | 2019-05-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN106601779A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-04-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled基板及其制作方法 |
| CN208753326U (zh) * | 2018-11-05 | 2019-04-16 | 北京京东方技术开发有限公司 | 显示基板和显示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1423513A (zh) * | 2001-11-26 | 2003-06-11 | 三星Sdi株式会社 | 有机电致发光显示器及其制造方法 |
| KR20060020049A (ko) * | 2004-08-30 | 2006-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치의 제조를 위한 레이저 열전사 방법 |
| CN1744780A (zh) * | 2004-08-30 | 2006-03-08 | 三星Sdi株式会社 | 制造有机发光显示器和施主基板的方法 |
| KR20060034587A (ko) * | 2004-10-19 | 2006-04-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
| US20070045540A1 (en) * | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Kang Tae M | Laser induced thermal imaging apparatus with contact frame |
| US20120288975A1 (en) * | 2005-09-08 | 2012-11-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of fabricating the same |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7141817B2 (en) * | 2001-11-30 | 2006-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7226332B2 (en) * | 2002-04-30 | 2007-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US6727645B2 (en) * | 2002-05-24 | 2004-04-27 | International Business Machines Corporation | Organic LED device |
| JP2004165067A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機電界発光パネル |
| KR100579174B1 (ko) * | 2003-12-22 | 2006-05-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사용 도너 필름 및 그 필름을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자 |
| KR100745332B1 (ko) * | 2005-09-28 | 2007-08-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20070096082A (ko) | 2005-12-08 | 2007-10-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사용 도너기판 및 그 기판을 사용하여 제조되는유기전계발광소자의 제조방법 |
| TWI607670B (zh) * | 2009-01-08 | 2017-12-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置及電子裝置 |
| KR101073559B1 (ko) | 2009-10-13 | 2011-10-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 도너 기판 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법 |
-
2013
- 2013-02-27 KR KR1020130021527A patent/KR20140107036A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-07-31 US US13/955,159 patent/US9118014B2/en active Active
- 2013-09-11 CN CN201310412390.9A patent/CN104009059A/zh active Pending
- 2013-09-13 TW TW102133077A patent/TW201434149A/zh unknown
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1423513A (zh) * | 2001-11-26 | 2003-06-11 | 三星Sdi株式会社 | 有机电致发光显示器及其制造方法 |
| KR20060020049A (ko) * | 2004-08-30 | 2006-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치의 제조를 위한 레이저 열전사 방법 |
| CN1744780A (zh) * | 2004-08-30 | 2006-03-08 | 三星Sdi株式会社 | 制造有机发光显示器和施主基板的方法 |
| KR20060034587A (ko) * | 2004-10-19 | 2006-04-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
| US20070045540A1 (en) * | 2005-08-30 | 2007-03-01 | Kang Tae M | Laser induced thermal imaging apparatus with contact frame |
| US20120288975A1 (en) * | 2005-09-08 | 2012-11-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of fabricating the same |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106098725A (zh) * | 2015-04-30 | 2016-11-09 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN106098725B (zh) * | 2015-04-30 | 2022-06-03 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| US11164914B2 (en) | 2019-09-30 | 2021-11-02 | Wuhan Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. | Manufacturing method of a display panel with a display area, display panel with a display area, and display device |
| CN111384313A (zh) * | 2020-04-10 | 2020-07-07 | 武汉理工大学 | 一种飞秒激光前转移技术制备oled发光器件的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US20140239268A1 (en) | 2014-08-28 |
| KR20140107036A (ko) | 2014-09-04 |
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