CN1744780A - 制造有机发光显示器和施主基板的方法 - Google Patents
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Abstract
提供一种制造有机发光显示器和施主基板的方法。所述方法包括：制备施主基板的底基板；在底基板上形成光热转换层和转移层；在形成转移层之后包括执行干式清洗工艺来制备施主基板；制备基板，施主基板的转移层将要被转移到该基板上；叠层施主基板和基板；并且通过照射激光将转移层转移到基板上以对转移层构图。
Description
本申请要求于2004年8月30日提出的韩国专利申请No.2004-68772的优先权，为此将该申请的公开内容整体作参照引用。
技术领域
本申请涉及一种制造有机发光显示器和施主基板的方法，并且，更具体地，涉及一种采用具有转移层的施主基板来制造有机发光显示器的方法，其中在干式清洗工艺中清洗所述转移层，和制造施主基板的方法。
背景技术
因为属于平板显示器的有机发光显示器(OLED)具有不超过1ms的快速响应速度、低功耗、和由于发射显示具有的宽视角的特性，所以OLED作为不考虑器件尺寸而显示动态图片的介质具有优势。另外，因为OLED可以在低温下制造和可基于传统半导体制造工艺容易地制造，所以OLED作为下一代平板显示器引起公众的关注。
根据制造有机发光二极管的材料和工艺，通常将OLED分类为采用湿法工艺的聚合物器件和采用淀积工艺的小分子器件。
在属于对聚合物和小分子发射层构图方法的喷墨印刷方法的情况下，除发射层之外的有机层应当采用有限材料制作，并且在基板上喷墨印刷以形成一构造是个困难的过程。
另外，当采用淀积工艺对发射层构图时，由于使用了金属掩模，可能很难制作大尺寸的显示器。
为替换上述构图方法，最近开发了激光感热成像(laser-induced thermalirnaging，LITI)方法。
LITI方法是将从光源发射的激光转换成热能的方法，并且利用该热能将图案形成材料转移到相应的基板上，以形成图案。为了执行LITI方法，需要形成了转移层的施主基板、光源、和作为受主的基板。
在执行LITI方法时，施主基板具有覆盖作为受体的整个基板的形状，并且将施主基板和所述基板固定在工作台上。
在完成用于激光感热成像工艺的施主基板后，产生于外界环境或者该工艺中的污染物存在于转移层上。污染物可以残存在发射层和象素电极上，并因此产生了显示器件故障例如在发射区域中的斑点或象素缺陷，因此恶化了显示器件的性能。
发明内容
本发明提供一种制造OLED和施主基板的方法，通过执行干式清洗工艺以除去存在于施主基板的转移层上的污染物，能够防止由于LITI工艺中的污染物而出现OLED缺陷，从而解决了传统器件的上述问题。
在本发明的示范实施例中，制造OLED的方法包括：制备施主基板的底基板；在底基板上形成光热转换层和转移层；在形成转移层之后包括执行干式清洗工艺来制备施主基板；制备基板，施主基板的转移层将要被转移到该基板上；叠层施主基板和基板；并且通过辐射激光以将转移层转移到基板上来对转移层构图。
在根据本发明的另一个示范实施例中，制造施主基板的方法包括：制备底基板；在底基板上形成光热转换层和转移层；并且在形成转移层之后执行干式清洗工艺。
可通过CO2方法、超声波方法或激光脉冲法执行所述干式清洗工艺。
附图说明
将参照其特定的示范实施例并参照附图对本发明的上述和其它特征进行描述，在附图中：
图1是说明用于激光感热成像工艺的施主基板的底基板装框工艺的横截面图；
图2是说明在被装框的底基板上形成转移层的工艺的横截面图；
图3是说明干式清洗施主基板的工艺的横截面图，在施主基板中形成有转移层；和
图4是说明通过LITI方法形成的单位像素的横截面图。
具体实施方式
在下文中参照附图对本发明做更全面的描述，在附图中示出了本发明的优选实施例。然而，本发明可以以不同形式实施且不应解释为局限于这里列举的实施例。更恰当的，提供这些实施例是使得本公开彻底和完全，并向本领域技术人员全面传达本发明的范围。附图中，为更清楚的显示夸大了层和区域的厚度。贯穿说明书的相同标记指代相同元件。
图1是说明用于激光感热成像工艺的施主基板的底基板装框工艺(basesubstrate framing process)的横截面图。
参照图1，卷型底基板50被装载到装框装置上。在将框架(frame)170附接于底基板50下面后，切割底基板50，从而完成被装框的底基板110。
图2是说明在被装框的底基板上形成转移层的工艺的横截面图。
参照图2，光热转换层120形成在被装框的底基板110上，也就是，位于框架170上的底基板110上，并且转移层140被形成在光热转换层120上，从而完成施主基板100。
施主基板100可以由卷曲状态的底基板110制成。
另外，底基板110可采用柔韧性薄膜或固体基板例如金属或玻璃。
具体的描述，光热转换层120被形成在底基板110上。
光热转换层120由具有可吸收红外到可见光区域的特性的光吸收材料构成。光热转换层120是有机层(其中含有激光吸收材料)、金属层、以及金属层和有机层的复合层中的一种。光热转换层120的作用是将从激光辐射器辐射的激光转换成热能，并且所述热能改变转移层140和光热转换层120之间的粘着力以将转移层转移到作为受体的基板上。
转移层140形成在光热转换层120上。
缓冲层130可以插在光热转换层120和转移层140之间，以防止转移层损坏并有效地调节转移层140和施主薄膜之间的粘着力。
转移层140可以是OLED的发射层。
另外，施主基板的转移层140可以进一步包括选自由空穴注入层、空穴输送层、空穴阻挡层和电子注入层构成的组中的至少一层。
图3是说明干式清洗施主基板的工艺的横截面图，在施主基板中形成有转移层。
参照图3，干式清洗源190位于施主基板100的转移层140上。
干式清洗源190施加可不大于0.7Mpa的压力于转移层140的表面上，并且源190可从点源或线源喷射。
当底基板110是可变形时，可以在将施主基板支撑195固定在底基板110的背面后再执行所述干式清洗工艺。
可通过使用CO2的方法、超声波方法或激光脉冲法执行干式清洗工艺。
CO2方法通过升华干冰(固态CO2)并且同时在基板上碰撞升华的CO2从而除去污染物。也就是说，CO2方法是利用物理力和碰撞后干冰膨胀的热力学力的一种清洗机械装置。因此，优选地在不超过30％的湿度大气下执行CO2方法以防止固态CO2结冰。
激光脉冲方法可通过照射激光脉冲到施主基板的转移层表面上或者通过使施主基板周围的空气振动以使微粒漂浮来除去存在于基板表面的微粒。
属于激光脉冲方法的激光脉冲照射方法是通过直接将激光束照射在转移层的表面上以除去存在于转移层表面上的污染物，并且属于激光脉冲方法的空气振动方法是通过采用强激光脉冲振动与施主基板间隔开的空气来使外来微粒飘浮以除去外来微粒。飘浮的微粒可通过吹风或吸收的方法除去。
超声波方法是通过在施主基板的转移层表面上产生超声波来分散(separate)和吸收(absorb)微粒以除去微粒。
因此，可以在完成用于激光感热成像工艺的施主基板之后通过干式清洗工艺除去转移层上的污染物，所述污染物是来自外部环境或者制造工艺期间。结果，可以防止由于在LITI工艺中残留在发射层和象素电极上的污染物而导致的显示器件故障例如在发射区域中的污点或象素缺陷，并且提高了显示器件的性能。
另外，在给底基板装框、形成光热转换层、和形成缓冲层之后，可分别进一步执行干式清洗工艺。
因此，通过除去存在于施主基板100的每一层上的污染物，可以更加有效地防止施主基板恶化和更加稳定地执行LITI工艺。
图4是说明通过LITI方法形成的单位像素的横截面图，描述了一种利用已清洗的施主基板制造OLED的方法。
参照图4，制备用于显示器件的基板，施主基板100的转移层140a将要被转移到该基板上。所述基板具有TFT和象素电极290，并且将经过清洗工艺的施主基板100设置在该基板上。
具体的描述，包括半导体层230、栅电极250、源电极270a和漏电极270b的TFT形成在基板210上，并且形成连接到TFT的源电极270a或者漏电极270b上并通过象素定义层295暴露出的象素电极290。
在叠层施主基板100和基板210之后，将激光300照射到施主基板100上以将转移层140转移到基板210上。因此，转移层140a被转移到露出的象素电极290上以对发射层构图。
从上述可知，因为在清洗工艺中除去了转移层140a上的污染物，所以可以防止产生显示器件故障例如在发射区域中的污点或象素缺陷。可以根据单位像素的形状将图案化转移层140a构图成三角形的条纹状。在构图工艺之后，将基板210从施主基板100上移开，并且将从施主基板移开的基板210移动至另一工作台。接下来，在图案化的有机层上形成相对电极从而完成OLED。
依照本发明，可以防止由于在LITI工艺中存在于发射层和象素电极上的污染物而出现显示器件故障例如在发射区域中的污点或象素缺陷，并且通过采用干式清洗工艺除去在用于激光感热成像工艺的施主基板的发射层上存在的污染物因而更加提高了OLED的性能。
虽然参考其特定示范实施例对本发明进行了描述，但是本领域技术人员会理解，在不脱离由所附权利要求及其等同物定义的本发明精神或范围的条件下可对本发明作出多种修改和变化。
Claims (20)
1.一种制造有机发光显示器(OLED)的方法，包括：
制备施主基板的底基板；
在所述底基板上形成光热转换层和转移层；
在形成所述转移层后包括执行干式清洗工艺来制备施主基板；
制备一基板，所述施主基板的所述转移层将要被转移到该基板上；
叠层所述施主基板和所述基板；以及
通过照射激光以将所述转移层转移到所述基板上以对所述转移层构图。
2.一种制造施主基板的方法，包括：
制备底基板；
在所述底基板上形成光热转换层和转移层；以及
在形成所述转移层之后执行干式清洗工艺。
3.如权利要求2所述的方法，其中通过CO2方法、超声波方法和激光脉冲方法中的任意一种来执行所述干式清洗工艺。
4.如权利要求2所述的方法，其中在所述干式清洗工艺中施加到所述转移层的表面上的压力不大于0.7Mpa。
5.如权利要求2所述的方法，其中当所述底基板是可变形时，在将一施主基板支撑固定到所述底基板的背面后执行所述干式清洗工艺。
6.如权利要求2所述的方法，其中采用从点源发射的干式清洗源来执行所述干式清洗工艺。
7.如权利要求2所述的方法，其中采用从线源发射的干式清洗源来执行所述干式清洗工艺。
8.如权利要求3所述的方法，其中所述CO2方法通过升华固态CO2以使升华的CO2碰撞所述基板上从而除去污染物。
9.如权利要求3所述的方法，其中在大气湿度不大于30％时执行所述CO2方法。
10.如权利要求3所述的方法，其中所述超声波方法是通过在所述施主基板的所述转移层的所述表面上产生超声波来分散和吸收微粒以除去微粒。
11.如权利要求3所述的方法，其中所述激光脉冲方法是通过照射激光脉冲在所述施主基板的所述转移层的所述表面上来除去存在于所述基板的所述表面上的微粒。
12.如权利要求3所述的方法，其中所述激光脉冲方法通过使所述施主基板周围的空气振动以使微粒漂浮来除去存在于所述基板的所述表面上的微粒。
13.如权利要求12所述的方法，其中通过吹风方法和吸收方法中的任意一种来除去飘浮的微粒。
14.如权利要求2所述的方法，其中给所述施主基板装框。
15.如权利要求2所述的方法，其中所述施主基板是卷型的。
16.如权利要求2所述的方法，其中所述施主基板的所述转移层是OLED的发射层。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述施主基板的所述转移层还包括选自由空穴注入层、空穴输送层、空穴阻挡层和电子注入层构成的组中的至少一层。
18.如权利要求2所述的方法，还包括插在所述光热转换层和所述转移层之间的缓冲层。
19.如权利要求14所述的方法，还包括在给所述施主基板装框、形成所述光热转换层、和形成所述缓冲层之后分别执行所述干式清洗工艺。
20.如权利要求18所述的方法，还包括在给所述施主基板装框、形成所述光热转换层、和形成所述缓冲层之后分别执行所述干式清洗工艺。
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