JP2006066373A - 有機電界発光表示装置及びドナー基板の製造方法 - Google Patents
有機電界発光表示装置及びドナー基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006066373A JP2006066373A JP2004377991A JP2004377991A JP2006066373A JP 2006066373 A JP2006066373 A JP 2006066373A JP 2004377991 A JP2004377991 A JP 2004377991A JP 2004377991 A JP2004377991 A JP 2004377991A JP 2006066373 A JP2006066373 A JP 2006066373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- donor substrate
- manufacturing
- layer
- substrate
- transfer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 132
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 238000009432 framing Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 17
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 66
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明に係る有機電界発光表示装置の製造方法は、ドナー基板のベース基板を用意する段階と、前記ベース基板上に光熱変換層及び転写層を形成する段階と、前記転写層の形成後、乾式洗浄を行う段階と、を備えるドナー基板を用意する段階と;前記ドナー基板の転写層を転写されるための基板を用意する段階と;前記ドナー基板と前記基板とをラミネーションする段階と;レーザを照射して、前記転写層を前記基板上に転写することによって、パターニングする段階と;を含むことを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
70 ベース基板カッティング部位
100 ドナー基板
170 フレーム
190 乾式洗浄ソース
195 ドナー基板支持台
Claims (20)
- ドナー基板のベース基板を用意する段階と、前記ベース基板上に光熱変換層及び転写層を形成する段階と、前記転写層の形成後、乾式洗浄を行う段階と、を備えるドナー基板を用意する段階と;
前記ドナー基板の転写層を転写されるための基板を用意する段階と;
前記ドナー基板と前記基板とをラミネーションする段階と;
レーザを照射して、前記転写層を前記基板上に転写することによって、パターニングする段階と;を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。 - ベース基板を用意する段階と、
前記ベース基板上に光熱変換層及び転写層を形成する段階と、
前記転写層の形成後、乾式洗浄を行う段階と、を備えることを特徴とするドナー基板の製造方法。 - 前記乾式洗浄は、CO2を利用する方式、超音波方式、又はレーザパルス波方式で行うことを特徴とする請求項2に記載のドナー基板の製造方法。
- 前記乾式洗浄時に、前記転写層の表面に対する圧力は、0.7Mpa以下であることを特徴とする請求項2に記載のドナー基板の製造方法。
- 前記ベース基板が柔軟性を有する場合、裏面にドナー基板支持台を固定させた後、乾式洗浄を行うことを特徴とする請求項2に記載のドナー基板の製造方法。
- 前記乾式洗浄は、ポイントソースから噴射されることを特徴とする請求項2に記載のドナー基板の製造方法。
- 前記乾式洗浄は、線形のソースから噴射されることを特徴とする請求項2に記載のドナー基板の製造方法。
- CO2を利用する方式は、CO2固体を基板上に衝突し昇華させて、汚染物を除去するものであることを特徴とする請求項3に記載のドナー基板の製造方法。
- 前記CO2を利用する方式は、30%以下の湿度を有する雰囲気で行うことを特徴とする請求項3に記載のドナー基板の製造方法。
- 前記超音波方式は、超音波高速気体を前記ドナー基板の転写層表面に噴射して、パーティクルを分離及び吸引除去するものであることを特徴とする請求項3に記載のドナー基板の製造方法。
- 前記レーザパルス波方式は、レーザパルス波を前記ドナー基板の転写層表面に照射して、前記基板表面に存在するパーティクルを除去するものであることを特徴とする請求項3に記載のドナー基板の製造方法。
- 前記レーザパルス波方式は、前記ドナー基板周辺の空気を振動させることによって、パーティクルを浮遊させて、前記基板表面に存在するパーティクルを除去するものであることを特徴とする請求項3に記載のドナー基板の製造方法。
- 前記浮遊されたパーティクルは、ブローまたは吸入で除去することを特徴とする請求項12に記載のドナー基板の製造方法。
- 前記ドナー基板は、フレーミングされたものであることを特徴とする請求項2に記載のドナー基板の製造方法。
- 前記ドナー基板は、ロールタイプであることを特徴とする請求項2に記載のドナー基板の製造方法。
- 前記ドナー基板の転写層は、有機電界発光素子の発光層であることを特徴とする請求項2に記載のドナー基板の製造方法。
- 前記ドナー基板の転写層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層及び電子注入層よりなる群から選ばれた少なくとも1つの層をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載のドナー基板の製造方法。
- 前記光熱変換層と前記転写層との間に介在されたバッファ層をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のドナー基板の製造方法。
- 前記ドナー基板のフレーミング、光熱変換層及びバッファ層の形成後、各段階毎に各々乾式洗浄を行うことをさらに含む請求項14に記載のドナー基板の製造方法。
- 前記ドナー基板のフレーミング、光熱変換層及びバッファ層の形成後、各段階毎に各々乾式洗浄を行うことをさらに含む請求項18に記載のドナー基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040068772A KR20060020044A (ko) | 2004-08-30 | 2004-08-30 | 유기전계발광표시장치 및 도너 기판의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006066373A true JP2006066373A (ja) | 2006-03-09 |
Family
ID=36112647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004377991A Pending JP2006066373A (ja) | 2004-08-30 | 2004-12-27 | 有機電界発光表示装置及びドナー基板の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7371502B2 (ja) |
JP (1) | JP2006066373A (ja) |
KR (1) | KR20060020044A (ja) |
CN (1) | CN1744780A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010092761A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 有機el用マスククリーニング装置、有機elディスプレイの製造装置、有機elディスプレイおよび有機el用マスククリーニング方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050112456A (ko) * | 2004-05-25 | 2005-11-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP4478180B2 (ja) | 2007-08-10 | 2010-06-09 | 富士通株式会社 | 無線通信システム |
JP2010153051A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Sony Corp | 転写用基板および表示装置の製造方法 |
KR101213496B1 (ko) * | 2010-07-19 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR20140107036A (ko) * | 2013-02-27 | 2014-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법, 그리고 도너 기판 |
KR20140140190A (ko) * | 2013-05-28 | 2014-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 도너기판 및 이의 제조방법 및 이를 이용한 전사패턴 형성방법 |
KR20150007837A (ko) * | 2013-07-12 | 2015-01-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 도너 기판 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
KR101736043B1 (ko) * | 2015-05-28 | 2017-05-16 | 김승수 | 전사 인쇄 방법 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1144197B1 (en) * | 1999-01-15 | 2003-06-11 | 3M Innovative Properties Company | Thermal Transfer Method. |
JP4590663B2 (ja) | 1999-10-29 | 2010-12-01 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルタの製造方法 |
US20020110673A1 (en) * | 2001-02-14 | 2002-08-15 | Ramin Heydarpour | Multilayered electrode/substrate structures and display devices incorporating the same |
US6562146B1 (en) * | 2001-02-15 | 2003-05-13 | Micell Technologies, Inc. | Processes for cleaning and drying microelectronic structures using liquid or supercritical carbon dioxide |
JP2003031362A (ja) | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Tdk Corp | 有機el素子の製造方法および有機el素子の製造装置 |
JP4004254B2 (ja) | 2001-08-28 | 2007-11-07 | シャープ株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
JP2003077658A (ja) | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Sharp Corp | 有機el素子製造用ドナーフィルムおよび有機el素子用基板 |
US6582875B1 (en) * | 2002-01-23 | 2003-06-24 | Eastman Kodak Company | Using a multichannel linear laser light beam in making OLED devices by thermal transfer |
US6610455B1 (en) * | 2002-01-30 | 2003-08-26 | Eastman Kodak Company | Making electroluminscent display devices |
JP2003243163A (ja) | 2002-02-14 | 2003-08-29 | Sharp Corp | 有機ledディスプレイとその製造方法 |
AU2003217547A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-09-09 | Supercritical Systems Inc. | Drying resist with a solvent bath and supercritical co2 |
US6949145B2 (en) * | 2002-04-05 | 2005-09-27 | Boc, Inc. | Vapor-assisted cryogenic cleaning |
US6852173B2 (en) * | 2002-04-05 | 2005-02-08 | Boc, Inc. | Liquid-assisted cryogenic cleaning |
US6566032B1 (en) | 2002-05-08 | 2003-05-20 | Eastman Kodak Company | In-situ method for making OLED devices that are moisture or oxygen-sensitive |
US6682863B2 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-27 | Eastman Kodak Company | Depositing an emissive layer for use in an organic light-emitting display device (OLED) |
US6890627B2 (en) * | 2002-08-02 | 2005-05-10 | Eastman Kodak Company | Laser thermal transfer from a donor element containing a hole-transporting layer |
US6695030B1 (en) * | 2002-08-20 | 2004-02-24 | Eastman Kodak Company | Apparatus for permitting transfer of organic material from a donor web to form a layer in an OLED device |
US6811938B2 (en) * | 2002-08-29 | 2004-11-02 | Eastman Kodak Company | Using fiducial marks on a substrate for laser transfer of organic material from a donor to a substrate |
KR100501315B1 (ko) | 2002-12-17 | 2005-07-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사법을 사용하는 저분자 풀칼라 유기 전계 발광소자용 도너 필름 및 그 필름을 사용하는 저분자 풀칼라유기 전계 발광 소자의 제조 방법 |
US6703180B1 (en) * | 2003-04-16 | 2004-03-09 | Eastman Kodak Company | Forming an improved stability emissive layer from a donor element in an OLED device |
KR100445607B1 (ko) | 2003-08-25 | 2004-08-26 | 주식회사 아이엠티 | 레이저 유기 충격파를 이용한 건식 표면 클리닝 장치 |
-
2004
- 2004-08-30 KR KR1020040068772A patent/KR20060020044A/ko active Search and Examination
- 2004-12-22 US US11/017,679 patent/US7371502B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-27 JP JP2004377991A patent/JP2006066373A/ja active Pending
- 2004-12-31 CN CNA2004100954745A patent/CN1744780A/zh active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010092761A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 有機el用マスククリーニング装置、有機elディスプレイの製造装置、有機elディスプレイおよび有機el用マスククリーニング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7371502B2 (en) | 2008-05-13 |
KR20060020044A (ko) | 2006-03-06 |
CN1744780A (zh) | 2006-03-08 |
US20060046182A1 (en) | 2006-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5307091B2 (ja) | レーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 | |
JP4901391B2 (ja) | レーザ熱転写法及びレーザ熱転写法を利用した有機発光素子の製造方法 | |
EP1630868A1 (en) | Method of fabricating organic light emitting display | |
JP6334077B1 (ja) | フレキシブルoledデバイスの製造方法および製造装置 | |
JP2006066373A (ja) | 有機電界発光表示装置及びドナー基板の製造方法 | |
CN1744779B (zh) | 叠层装置及利用该叠层装置的激光感热成像方法 | |
JP2009199856A (ja) | 有機薄膜製造装置及び有機薄膜製造方法 | |
JP2004071545A (ja) | 有機発光ディスプレイの陰極及び/または陽極を構造化する方法及び装置、並びに有機発光ディスプレイ | |
JP4398358B2 (ja) | レーザ熱転写装置 | |
KR20060020049A (ko) | 유기전계발광표시장치의 제조를 위한 레이저 열전사 방법 | |
JP2006066372A (ja) | 有機電界発光表示装置の製造方法 | |
KR100989137B1 (ko) | 레이저 열 전사용 도너기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한유기전계발광표시장치의 제조방법 | |
JP5412338B2 (ja) | マスク洗浄装置及び洗浄方法並びに有機el製造装置 | |
JP2006059792A (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
KR100786290B1 (ko) | 유기전계발광표시장치의 제조를 위한 레이저 열전사 방법 | |
KR100623705B1 (ko) | 도너 기판 제조장치, 도너 기판의 제조방법 및 상기 도너기판을 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 | |
US20140295085A1 (en) | Method for manufacturing donor substrate | |
KR100761073B1 (ko) | 레이저 열전사 방법 | |
KR100721563B1 (ko) | 도너 기판 및 상기 도너 기판을 사용하는 레이저 열전사방법 | |
JP4615473B2 (ja) | レーザ熱転写装置及びこれを利用したレーザ熱転写法 | |
KR100731727B1 (ko) | 레이저 전사용 도너 기판의 프레이밍 장치 | |
KR101049803B1 (ko) | 유기전계발광표시장치의 제조방법 | |
JP2007141808A (ja) | レーザ熱転写方法及びこれを利用した有機発光素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080304 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080722 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20081020 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081118 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20081127 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090225 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20090619 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101014 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101019 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101119 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101125 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101220 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110120 |