CN103926724A - 一种tft驱动的显示装置 - Google Patents

一种tft驱动的显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103926724A
CN103926724A CN201310254828.5A CN201310254828A CN103926724A CN 103926724 A CN103926724 A CN 103926724A CN 201310254828 A CN201310254828 A CN 201310254828A CN 103926724 A CN103926724 A CN 103926724A
Authority
CN
China
Prior art keywords
tft
conductive layer
active layer
printing opacity
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201310254828.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103926724B (zh
Inventor
周星耀
姚绮君
马骏
王伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianma Microelectronics Co Ltd
Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Tianma Microelectronics Co Ltd
Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianma Microelectronics Co Ltd, Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201310254828.5A priority Critical patent/CN103926724B/zh
Priority to US14/083,350 priority patent/US9508744B2/en
Priority to EP13198084.9A priority patent/EP2827370B1/en
Publication of CN103926724A publication Critical patent/CN103926724A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103926724B publication Critical patent/CN103926724B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种TFT驱动的显示装置，所述显示装置包括上基板、下基板，所述下基板朝向上基板一侧设置有多个TFT，所述上基板朝向下基板的一侧设置有金属层，其中，所述金属层和TFT的有源层在透光方向上不重合，或者所述金属层和TFT的有源层在透光方向上重合部分的线宽小于其他部分的线宽。本发明提供的TFT驱动的显示装置，因对应于TFT阵列基板上TFT有源层的位置不设置金属层，可降低因金属反射光线引起的光漏流。

Description

一种TFT驱动的显示装置
技术领域
本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种由TFT驱动的显示装置。
背景技术
在现有技术中，用TFT（Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管）来驱动显示装置是一种常规技术。以薄膜场效应晶体管液晶显示器为例（TFT-LCD），通常地包括彩膜基板和TFT阵列基板，TFT阵列基板包括多个像素单元，每个像素单元都对应设置有一个TFT，当TFT的栅极上施加一定的电压时，沟道开启，电流从源极流向漏极，像素电极和公共电极之间具备一定的电压差驱动液晶分子转动不同的角度，以有明暗不同的显示。
但是TFT也是光敏元件，如果在彩膜基板朝向TFT阵列基板的一侧设置有金属层，最常见的就是内置触控结构时需要设置金属层。所属金属层会反射背光的光线向TFT阵列基板照射，当有光线照射到沟道上时会引发漏电流，即光泄露电流。这样会使得像素电极上的电压和预期电压不同，从而造成显示不均。
发明内容
本发明提供一种TFT驱动的显示装置，所述显示装置包括上基板、下基板，所述下基板为TFT阵列基板，所述上基板朝向下基板的一侧设置有金属层，其特征在于，对应于TFT阵列基板上TFT有源层的位置不设置金属层，或者对应于TFT阵列基板上TFT有源层的金属层的线宽小于其他位置的线宽。
本发明还提供了一种优选的技术方案，对应于有源层的金属层A分为两部分，第一部分A1至少部分地和有源层距其边缘距X并向有源层内部延伸的区域Z1在透光方向上重叠，所述X大于等于有源层至金属层的距离Y，第二部分A2将第一部分A1和金属层的其他部分相连接。
本发明还提供了另一种优选的技术方案，所述金属层至少部分地和有源层距其边缘距X并向有源层外部延伸的区域Z2在透光方向上重叠，所述X大于等于有源层至金属层的距离Y。
本发明提供的技术方案可用于液晶显示器或者其他显示器，特别的，本发明提供的技术方案可以用于内置有触控结构的液晶显示器中。
1、本发明提供的TFT驱动的显示装置，因对应于TFT阵列基板上TFT有源层的位置不设置金属层，可降低因金属反射光线引起的光漏流；
2、本发明提供的TFT驱动的显示装置，进一步的将金属层设置在不受反射光影响的区域内，可避免因反射背光引起的光漏流。
附图说明
图1为图2中AA线的剖视图；
图2为本发明实施一的示意图；
图3为实施例一中的另一种现实方式；
图4为实施二提供的内置有触控结构的液晶显示装置的示意图；
图5为实施二中触控结构的示意图；
图6为实施二中第二跨桥处的示意图；
图7为实施三中第二跨桥另一种实现方式的示意图；
图8是背光进入TFT驱动的液晶显示装置的液晶盒内的示意图；
图9是背光照射到位于TFT驱动的液晶显示装置的上基板内侧的金属层的示意图；
图10是不受反光影响区域的示意图；
图11为图5中区域C的放大示意图；
图12为实施例四中过孔处的放大示意图；
图13为实施例四中过孔处的另一种实施方式；
图14为实施例五第一导电层的结构；
图15为实施例五第二导电层的结构；
图16为图15中D区的放大示意图；
图17为实施例五另一种实现方式的示意图；
图18为实施例五再一种实现方式的示意图。
具体实施方式
实施例一：
图1和图2为本发明实施一的示意图，图1为图2中AA线的剖视图，图2为俯视图。
一种TFT驱动的显示装置100，所述显示装置100包括上基板101和下基板102；所述上基板101朝向下基板102的一侧设置有金属层103，所述金属层103为上公共电极走线。
所述下基板102为TFT阵列基板，包括数据线1021和扫描线1022限定的像素单元，像素单元包括TFT和像素电极1027，其中，TFT的源极1024和数据线1021连接，TFT的栅极1026和扫描线1022连接，漏极1025和像素电极1027连接，TFT还包括有源层1023；在上基板101朝向下基板102的一侧，所述金属层103和TFT的有源层1023在透光方向上不重合。
在TFT驱动的显示装置中，有时会在上基板朝向下基板的一侧设置金属层，比如设置含有金属层的触控结构，或者上公共电极的电极走线等，本实施例以上公共电极走线为金属层为例。
现有技术中TN（Twisted Nematic，扭曲向列型）型液晶显示器中，一般地，上基板朝向下基板一侧会设置整面的透明公共电极，但该公共电极因为是金属氧化物电阻较大。为了降低电阻，会在上基板朝向下基板一侧对应数据线或者扫描线的位置设置一些金属的公共电极走线。金属层都会反光，比如反射从显示装置的背光照射出来的光，或者反射从上基板一侧照射的外界光再经由TFT阵列基板的金属层（源极、漏极、金属走线等）反射再入射到该金属层的光线，从该金属层反射出来的光线照射到TFT的有源层上的话，会造成TFT的光漏流。
本实施例一中，因为金属层103和TFT的有源层1023在透光方向上不重合，即上基板101朝向下基板102的一侧对应于TFT阵列基板上有源层1023的位置未设置金属层103，所以该区域不具备反射作用，TFT的光泄露不良也会降低，提高了显示装置100的显示均一性等性能。
请接着参考图3，为实施例一中的另一种实施方式，与图1和图2所示结构不同之处在于，另一种实施方式中的由TFT驱动的显示装置中，金属层103和TFT的有源层1023在透光方向上重合部分的线宽a1小于其他部分的线宽a2。
在器件设计中，有时，在透光方向上和TFT有源层1023重叠的位置处不需要设置金属层103，则该处可以不设置金属层103。如果在透光方向上和TFT有源层1023重叠的位置处一定需要设置金属层103以起到电连接或者物理连接的作用，则其线宽a1可以设置为小于其他部分的线宽a2。优选地，线宽a1设置为工艺能力的最小值，起到连接作用即可，一般地，在现有成膜刻蚀工艺中，工艺能力的最小值为5μm或者5μm以下。
可选地，所述TFT驱动的显示装置可以是液晶显示装置、OLED装置等，如果显示装置为液晶显示装置，则一般金属层是反射来及背光的光线，如果是OLED显示装置的话，一般金属层是反射发光层的光线。
实施例二：
图4为本发明实施二的示意图，实施例二以液晶显示装置200为例对发明内容进行说明。实施列二为内置触控结构的液晶显示装置200，包括：相对设置的彩膜基板、TFT阵列基板和设置于彩膜基板和TFT阵列基板的液晶层。
所述彩膜基板依次包括第一基板201、设置于第一基板201之下的黑色矩阵层202、第一导电层203、彩色滤光层204、第二导电层205、平坦层206。所述TFT阵列基板依次包括第二基板207、设置于第二基板207之上的TFT阵列208等。
其中，所述第一导电层203、彩色滤光层204、第二导电层205还构成触控层结构，具体的，请参考图5，所述第一导电层203包括多个第一触控电极2031、第二触控电极2032，还包括多个第一跨桥2033，所述第一跨桥2033将相邻两个第一触控电极2031相互连接在一起形成驱动线。
所述第一导电层203被设置于其下的彩色滤光层204覆盖，并且所述彩色滤光层204内设置有多个过孔。
第二导电层205为金属层，所述第二导电层205包括多个第二跨桥2051，所述第二跨桥2051通过彩色滤光层204内的过孔将相邻两个第二触控电极2032相互连接在一起形成感应线，其中，在透光方向上，所述第二跨桥2051和TFT阵列的有源层位置重叠部分的线宽小于其他部分的线宽。
具体地，请参考图6，所述每个TFT包括栅极2086、有源层2083、源极2084和漏极2085。栅极2086和扫描线2082连接，有源层2083设置于栅极2086之上，源极2084和数据线2081连接，漏极2085和像素电极2087相连接。在透光方向上，第二跨桥2051和TFT的有源层2083重叠部分的线宽b1小于其他部分的线宽b2。
当液晶显示装置工作时，其背光的光线通过像素电极2087和液晶层照射到第二跨桥2051上，因第二跨桥2051为金属材料，其会反射来自背光的光线，如果反射光落到TFT的有源层2083处，则会造成TFT的光漏电流。具体地，虽然有源层2083部分被源极2084和漏极2085所遮挡，但是还是有部分会暴露出来，比如沟道部分，一般源极2084和漏极2085之间都会有电压差，即使沟道关闭时也存在，当有源层2083被光线照射时，就会产生漏电流，即所谓的光漏电流。光漏电流会导致像素不能维持预定的电压而造成显示异常。
在实施例二中，在透光方向上，因第二跨桥2051和有源层2083重叠部分的线宽b1较为窄，那么反光区域面积也变小了，可以将减小反射光的大小，进而降低光漏电流的大小，提高内置触控层的液晶显示装置的显示的均一性。
优选地，在透光方向上，所述第二跨桥2051和有源层2083重叠部分线宽b1的值越小，即反光区域的面积越小，降低光漏电流的效果就会越好，优选地，所述线宽b1的值为刻蚀工艺的最小值，为5μm或者5μm以下。
在其他实施方式中，所述第二跨桥可不设置在透光方向上和有源层重叠的位置，而将第二跨桥的位置设置在和扫描线在透光方向上重叠的位置，也可以起到降低反射光的作用。
可选地，所述触控结构中，第一导电层203和第二导电层205之间的绝缘层还可以是另外添加的绝缘层，和显示装置的彩色滤光层不共用。
可选地，所述TFT驱动的显示装置可以是液晶显示装置、OLED显示装置等，当为OLED显示装置时，第二跨桥主要反射的是来自OLED发光层的光线。
可选地，第一触控电极2031为感应电极，第二触控电极2032为驱动电极；在其他实施方式中可互换。
可选地，第二触控电极2032还可以位于第二导电层205，并且通过第二导电层205的第二垮桥2051直接连接成感应线。
可选地，所述第一导电层203可以是金属，也可以是金属氧化物，如氧化铟锡等。当所述第一导电层203为金属层时，虽然第一导电层203因被彩色滤光层204的遮挡，反射光线的效果没有第二导电层205那么强，但是还是会存在一些经由第二导电层203反光引起的光泄漏电流，因此作为优选实施方式，在透光方向上，所述第一跨桥2033和有源层2083重叠的部分的线宽小于其他位置的宽度，或者，所述第一跨桥2033和的有源层2083在透光方向上不重叠，进一步降低光泄露电路，提高显示的均一性。
可选地，所述第一触控电极2031、第二触控电极2032为金属镂空电极，所述镂空处和彩色滤光层204的各个色阻相互对应。使用金属电极可降低电阻率，降低功耗，将镂空处和彩色滤光层204的各个色阻相互对应，即电极的可见部分和黑矩阵重叠，比ITO电极具备更高的透过率。
实施例三：
本发明实施例提供一内置触控层的液晶显示装置300，附图7为实施例三的示意图。实施例三的液晶显示装置300和实施例二相同的部分此处不再赘述，和实施例二不同的是，第二跨桥3051在对应有源层3083至少部分地位于第一非反光区域Z1内，所述第一非反光区域Z1在透光方向上和有源层3083重叠，并且所述第一非反光区域Z1的边缘在透光方向上距离有源层3083的边缘的距离大于等于有源层3083至第二跨桥3051的距离。
发明人发现，在液晶显示装置中存在不会向有源层反射光线的区域，以下结合附图对光线进入液晶盒并发生反射的原理进行说明，请参考图8和图9，图8是背光进入TFT驱动的液晶显示装置的液晶盒内的示意图，图9是背光照射到位于TFT驱动的液晶显示装置的上基板内侧的金属层的示意图。
背光要照射到金属层4上，首先要穿过下基板1、液晶层2和平坦层3，下基板1一般为玻璃基板，玻璃的折射率nglass为1.5左右，空气的折射率nair为1，背光从光疏介质到光密介质传播，入射角β大于折射角α，根据折射定律：
nair×sinβ=nglass×sinα
sinα=nair×sinβ/nglass
其中，β的值即入射角最大为90度，则：
sinα≤nair/nglass=1/1.5
α≤arcsin（1/1.5）≈41.8°
光的折射角α的值都是小于等于41.8°的，即光线进入玻璃后的角度最大为41.8°，光线再穿过液晶层2、平坦层3照射到金属层4时，角度在45°左右。为计算方便，背光照射到金属层4时角度的最大值以45°计算。
接着参考图9，有源层5位于液晶盒的内部。有源层5和金属层4之间的垂直距离为Y，所述距离Y可按照有源层5和金属层4之间的多层膜层如液晶层2、平坦层3等的厚度的和计算。
当背光P1通过玻璃基板向金属层4照射时，其最大的入射角为45°，此时，发生反射的金属层4的位置在透光方向上和有源层5重合，并且在透光方向上其距离有源层5的边缘的距离为X，所述X的值为Y×tan45°，即X等于有源层5和金属层4之间的距离Y；再往金属层4的内部位置方向，因为入射角不可能大于45°，进而不能被照射到，也不会因此而向有源层5反射光线。即金属层4存在一个第一非反光区域Z1，所述第一非反光区域Z1在透光方向上和部分有源层5重叠，并且在透光方向上，所述第一非反光区域Z1的边缘距离有源层5的边缘的距离大于等于有源层5至金属层4的距离。所以只要金属层4有部分地设置在该区域Z1内，因反光引起的光漏流就会下降。
请接着参考图9，当背光P2以最大的入射角45°向金属层4照射时，根据光的反射定律，反射角等于入射角，如果其反射光P2'要落在有源层5上，则在透光方向上，入射光线P2至少要落在金属层4在透光方向上距离有源层5的边缘的距离为X的地方。若入射点再往远离有源层5的方向的移动，则其反射光不能落在有源层5内，即金属层4存在一个第二非反光区域Z2，所述第二非反光区域Z2在透光方向上不和有源层5重叠，并且在透光方向上，所述第二非反光区域Z2的边缘和有源层5的边缘的距离大于等于有源层5至金属层4的垂直距离Y。第二非反光区域Z2为不会反射背光的区域。所以只要金属层4有部分地设置在该区域Z2内，因金属层4反光引起的光漏流就会下降。
请参考图10，综上，对于金属层4，存在第一非反光区域Z1和第二非反光区域Z2不会反射光线，第一非反光区域Z1在透光方向上和部分有源层5重叠，并且在透光方向上，所述第一非反光区域Z1的边缘和有源层5的边缘之间的距离为X。第二非反光区域Z2在透光方向上不和有源层5重叠，并且在透光方向上，所述第二非反光区域Z2的边缘和有源层5的边缘的距离为X。其中，所述X的值大于等于有源层5和金属层4之间的垂直距离Y的值。只要尽量将金属层4设置在区域Z1和区域Z2内，就会降低反射光造成的光漏流。另外，第一非反光区域Z1和第二非反光区域Z2之间的区域如果设置金属层，则该区域的金属层的反射光线都会反射至源层5，器件设计时，应该尽量不要在第一非反光区域Z1和第二非反光区域Z2之间的区域内设置金属层，也可以降低反射光造成的光漏流。
综上，在实施例三中，将第二跨桥3051在对应有源层3085的部分为两部分，第一部分A1位于第一非反光区域Z1内，第二部分A2将第一部分A1和第二跨桥3051的其他部分相连接。这样第一部分A1不会向有源层3085反射光线，所以光漏流也因此减小。
同时，因为在第一非反光区域Z1内设置金属不会造成光漏流，所以可尽量利用该第一非反光区域Z1区域设置更大面积的第一部分A1，可减小第二跨桥的电阻，降低触控层的功耗。
第二部分A2将第一部分A1和金属层的其他部分相连接。可以理解的是第二部分A2不可避免的会向有源层3085反射光线，但是此处需要第二部分A2进行连接使整个第二跨桥3051成为一个电连接的整体。但为了降低第二部分A2的反射效果，第二部分A2的线宽设置为工艺能力的最小值，为5μm或者5μm以下。
在其他实施方式中，如果像素尺寸允许，优选地将第二部分A2至少部分地设置设在第一非反光区域Z1区域或者第二非反光区域Z2区域内，以降低光漏流。
进一步地，在实施例三中第一导电层也为金属层，虽然第一导电层下方有彩色滤光层遮挡，反射光线的作用没有第二导电层那么强烈，但是还是会存在。为了减少第一导电层反射作用，在本实施例中，所述第一导电层和TFT的有源层在透光方向上不重合，或者所述第一导电层和TFT的有源层在透光方向上重合部分的线宽小于其他部分的线宽。其中，位于所述第一导电层的第一跨桥在透光方向上和有源层不重叠，或者所述第一跨桥和TFT的有源层在透光方向上重合部分的线宽小于其他部分的线宽；或者位于所述第一导电层的第一触控电极或者第二触控电极在透光方向上和有源层不重叠，或者所述第一触控电极或者第二触控电极和TFT的有源层在透光方向上重合部分的线宽小于其他部分的线宽。
更进一步地，为了完全避免第一导电层向有源层反射光线，将第一导电层部分地设置在第一非反射区域或者第二非反射区域，其中第一非反射区域，所述第一非反光区域在透光方向上和部分有源层重叠，并且在透光方向上，所述第一非反光区域的边缘和有源层的边缘之间的距离大于等于有源层至第一导电层的垂直距离；所述第二非反光区域在透光方向上不和有源层重叠，并且在透光方向上，所述第二非反光区域的边缘和有源层的边缘的距离大于等于有源层至第一导电层的垂直距离。有源层至第一导电层的垂直距离可以近似等于有源层和第一导电层之间的膜层如液晶层、平坦层、彩色滤光层的膜厚的和。
实施例四：
实施列四的内置触控层的液晶显示装置的结构包括和实施例二至三相同部分，此处不再赘述，实施列四和实施例二至三不同之处在于，请参考图11和图12，图11为位于第二导电层的第二跨桥的放大示意图，图12为过孔的放大示意图：
实施例四中，液晶显示装置400的第一导电层和第二导电层都为金属层，第一导电层包括多个第一电极4031、第二电极4032，还包括多个第一跨桥4033，所述第一跨桥4033将相邻两个第一电极4031相互连接在一起形成驱动线，所述第一电极4031、第二电极4032都为金属镂空电极，镂空部分和彩色滤光层的色阻重合，未镂空部分和黑色矩阵重合。
所述第一导电层被设置于其下的彩色滤光层覆盖，并且所述彩色滤光层内设置有多个过孔409，并且在过孔内409沉积有第二电极4032的部分。第二导电层包括多个第二跨桥4051，并且所述第二导电层也部分地沉积在过孔内409，所述第二跨桥4051通过设置在彩色滤光层内的过孔409将相邻两个第二电极4032相互连接在一起形成感应线；
在过孔409内，所述第二导电层和有源层4083的部分的线宽c1小于其他部分的线宽c2。
作为优选实施方式，在本实施例中，第一导电层在过孔409内对应于有源层4083的部分的线宽c1小于其他部分的线宽c2，并且在过孔409内，所述第一导电层和第二导电层在透光方向上重合，这样可以尽量减小第一导电层和第二导电层的反射光。
需要说明的是，在其他实施方式中，所述第一导电层可以为透明导电层，比如氧化铟锡，因透明导电层对光线的反射作用弱，所以在这种情况下，在过孔内可以不对第一导电层的图形做如上设置。
优选地，为了保证过孔的导电效果，每个第二跨桥4051可对应设置多个过孔用来电连接相邻的第二电极4032，若个别过孔时效也能保证第二跨桥4051的正常功能。
优选地，所述过孔409设置在同一色阻处，在本实施例中所述过孔409都设置在红色色阻处。一般地，彩色滤光层包括红色、绿色、蓝色阻，在同一色阻处设置过孔409，可以使得同一色阻的像素单元的透过率一致，提高显示的均一性。
在其他实施方式中，根据像素的设计，如果使得在过孔409内第一导电层和第二导电层在透光方向上和有源层4083不重叠，也可以起到降低反射光的作用。
优选地，为了进一步降低过孔内金属层的反射光，请参考图13，为本实施例的另一种实施方式。在过孔409'内，对应有源层4083'的第二导电层分为两部分。第一部分A1至少部分地设置在第一非反光区域内，所述第一非反光区域在透光方向上和部分有源层4083'重叠，并且在透光方向上，所述第一非反光区域的边缘距离有源层4083'的边缘的距离为X，所述X大于等于有源层4083'至第二导电层的距离。优选地，第一部分A1尽量地和第一非反光区域重合。因为该区域内的第二导电层不会向有源层4083'反射光线，所以可以设置尽量大的第一部分A1，以降低整个第二导电层的电阻，进而降低了触控层的功耗。并且在过孔409'内，第一导电层和第二导电层在透光方向重合，可以降低第一导电层和第二导电层的反光率。
实施例五：
实施列五的内置触控层的液晶显示装置的结构包括：相对设置的彩膜基板、TFT阵列基板和设置于彩膜基板和TFT阵列基板的液晶层。所述彩膜基板依次包括第一基板、设置于第一基板之下的黑色矩阵层、第一导电层、彩色滤光层、第二导电层、平坦层；所述TFT阵列基板依次包括第二基板、设置于第二基板之上的TFT阵列等，其中，所述第一导电层、彩色滤光层、第二导电层构成触控层结构，并且第二导电层设置为靠近TFT阵列基板一侧。
和实施例二至四相同部分不再赘述，请参考图14和图15和图16，图14为第一导电层的结构，图15为第二导电层的结构，图16为图15中D区的放大示意图，本实施例和实施例一至四不同之处在于:
第一导电层包括多个第一触控电极5031、还包括多个第一跨桥5033，所述第一导电层为金属层，所述第一触控电极5031为金属镂空电极，第一跨桥5033为金属镂空跨桥，第一触控电极5031和第一跨桥5033的镂空部分和彩色滤光层的色阻相对应，非镂空部分和黑色矩阵相对应。所述第一跨桥5033将相邻两个第一触控电极5031相互连接在一起形成驱动线；所述第一导电层被设置于其下的彩色滤光层覆盖；
第二导电层包括多个第二触控电极5032、还包括多个第二跨桥5034，所述第二跨桥5034将相邻两个第二触控电极5032相互连接在一起形成感应线。所述第二触控电极5032为金属镂空电极，第二跨桥5034为金属镂空跨桥，第二电极503和第二跨桥504的镂空部分和彩色滤光层的色阻相对应，非镂空部分和黑色矩阵相对应。在其他实施方式中，为了减小不同层对位的难度，第二跨桥5034还可以为金属走线。因为如果第二导电层为金属镂空跨桥，其非镂空需要和黑色矩阵、第一导电层等对位，这样才不会占用额外的开口率，但是因为中间间隔有彩色滤光层，所以对位的难度非常大，如果用较细的金属走线作为第二跨桥，可降低对位的难度。
所述第二触控电极5032在透光方向上和有源层重叠的部分的线宽d1小于其他部分的线宽d2。在内置触控层的液晶显示装置中，触控电极是面积最大的金属层，尤其是第二触控电极5032为设置为靠近TFT阵列基板一侧，所以第二触控电极5032向有源层反射光线的作用最为显著。在实施例四中，因为第二触控电极5032在透光方向上和有源层重叠的部分的线宽d1小于其他部分的线宽d2，可大大降低由于第二触控电极5032向有源层反光造成的光泄露电路，提高内置触控层的液晶显示装置的显示均一性。
可选地，请参考图17，在其他实施方式中，在透光方向上，第二触控电极5032和有源层不重叠。可以理解的是，在一个第二触控电极5032中，非镂空的部分都是相互连接在一起的，因此在透光方向上，第二触控电极5032和有源层不重叠不影响其整个电极的电连接性。
优选地，所述第二触控电极5032至少部分设置在第二非反光区域，所述第二非反光区域在透光方向上不和有源层重叠，并且在透光方向上，所述第二非反光区域的边缘和有源层的边缘的距离大于等于有源层至第二触控电极5032的垂直距离。
可优选地，请参考图18，在另一实施方式中，第二电极5032'的第一部分A1位于第一非反光区域内，所述第一非反光区域在透光方向上和部分有源层5083重叠，并且在透光方向上，所述第一非反光区域的边缘和有源层5083的边缘之间的距离X大于等于有源层5083至第二触控电极5032'的垂直距离。第二部分A2将第一部分A1和第二电极5032'的其他部分相连接。
在本实施例中，所述第一导电层也为金属，所述第一导电层和TFT的有源层在透光方向上不重合，或者所述第一导电层和TFT的有源层在透光方向上重合部分的线宽小于其他部分的线宽。所述第一导电层和有源层在透光方向上重合部分的线宽为5μm或5μm以下。
优选地，所述第一导电层至少部分地位于第一非反光区域内，所述第一非反光区域在透光方向上和部分有源层重叠，并且在透光方向上，所述第一非反光区域的边缘和有源层的边缘之间的距离大于等于有源层至第一导电层的垂直距离。
优选地，所述第一导电层至少部分地位于第二非反光区域内，所述第二非反光区域在透光方向上不和有源层重叠，并且在透光方向上，所述第二非反光区域的边缘和有源层的边缘的距离大于等于有源层至第一导电层的垂直距离。
可选地，所述第一导电层位于第一非反光区域内或者第二非反光区域内可以是位于触控电极也可以是位于跨桥处的第一导电层。
本发明提供的技术方案，因对应于TFT阵列基板上TFT有源层的位置不设置金属层，可降低因金属反射光线引起的光漏流。进一步的将金属层设置在不受反射光影响的区域内，可避免因反射背光引起的光漏流。本发明提供的技术方案，可将位于上基板朝向下基板一侧的多层金属的反射作用降低，进一步地减小光漏流。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (16)

1.一种TFT驱动的显示装置，所述显示装置包括上基板、下基板，所述下基板朝向上基板一侧设置有多个TFT，所述上基板朝向下基板的一侧设置有金属层，其中，至少部分金属层和TFT的有源层在透光方向上不重合，或者至少部分金属层和TFT的有源层在透光方向上重合部分的线宽小于其他部分的线宽。
2.如权利要求1所述的TFT驱动的显示装置，其特征在于，所述金属层和TFT的有源层在透光方向上重合部分的线宽为5μm或5μm以下。
3.如权利要求1所述的TFT驱动的显示装置，其特征在于，所述金属层至少部分地位于第一非反光区域内，所述第一非反光区域在透光方向上和部分有源层重叠，并且在透光方向上，所述第一非反光区域的边缘至有源层的边缘的距离大于等于有源层至金属层的垂直距离。
4.如权利要求1所述的TFT驱动的显示装置，其特征在于，所述金属层至少部分地位于第二非反光区域，所述第二非反光区域在透光方向上不和有源层重叠，并且在透光方向上，所述第二非反光区域的边缘至有源层的边缘的距离大于等于有源层至金属层的垂直距离。
5.如权利要求1至4任一所述的TFT驱动的显示装置，其特征在于，所述金属层包含在设置在上基板朝向下基板一侧的触控结构中。
6.如权利要求5所述的TFT驱动的显示装置，其特征在于，所述触控结构包括第一导和第二导电层，所述第一导电层和第二导电层之间设置有绝缘层，并且第二导电层设置在靠近有源层一侧。
7.如权利要求6所述的TFT驱动的显示装置，其特征在于，第二导电层为所述金属层。
8.如权利要求7所述的TFT驱动的显示装置，其特征在于，所述第二导电层包括跨桥，位于跨桥处的第二导电层和TFT的有源层在透光方向上不重合，或者位于跨桥处的第二导电层和TFT的有源层在透光方向上重合部分的线宽小于其他部分的线宽。
9.如权利要求8所述的TFT驱动的显示装置，其特征在于，位于跨桥处的第二导电层至少部分地位于第一非反光区域，或者位于跨桥处的第二导电层至少部分地位于第二非反光区域。
10.如权利要求7所述的TFT驱动的显示装置，其特征在于，所述第二导电层包括触控电极，位于触控电极处的第二导电层和TFT的有源层在透光方向上不重合，或者位于跨桥处的第二导电层和TFT的有源层在透光方向上重合部分的线宽小于其他部分的线宽。
11.如权利要求10所述的TFT驱动的显示装置，其特征在于，位于触控电极处的第二导电层至少部分地位于第一非反光区域，或者位于跨桥处的第二导电层至少部分地位于第二非反光区域。
12.如权利要求6所述的TFT驱动的显示装置，其特征在于，第一导电层为所述金属层。
13.如权利要求12所述的TFT驱动的显示装置，其特征在于，所述第一导电层包括跨桥，位于跨桥处的第一导电层和TFT的有源层在透光方向上不重合，或者位于跨桥处的第一导电层和TFT的有源层在透光方向上重合部分的线宽小于其他部分的线宽。
14.如权利要求13所述的TFT驱动的显示装置，其特征在于，所述跨桥至少部分地位于第一非反光区域，或者所述跨桥至少部分地位于第二非反光区域。
15.如权利要求12所述的TFT驱动的显示装置，其特征在于，所述第一导电层包括触控电极，位于触控电极处的第一导电层和TFT的有源层在透光方向上不重合，或者位于跨桥处的第一导电层和TFT的有源层在透光方向上重合部分的线宽小于其他部分的线宽。
16.如权利要求15所述的TFT驱动的显示装置，其特征在于，所述触控电极至少部分地位于第一非反光区域，或者所述触控电极至少部分地位于第二非反光区域。
CN201310254828.5A 2013-06-24 2013-06-24 一种tft驱动的显示装置 Active CN103926724B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310254828.5A CN103926724B (zh) 2013-06-24 2013-06-24 一种tft驱动的显示装置
US14/083,350 US9508744B2 (en) 2013-06-24 2013-11-18 TFT-driven display device
EP13198084.9A EP2827370B1 (en) 2013-06-24 2013-12-18 TFT-driven display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310254828.5A CN103926724B (zh) 2013-06-24 2013-06-24 一种tft驱动的显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103926724A true CN103926724A (zh) 2014-07-16
CN103926724B CN103926724B (zh) 2018-03-30

Family

ID=50023379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310254828.5A Active CN103926724B (zh) 2013-06-24 2013-06-24 一种tft驱动的显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9508744B2 (zh)
EP (1) EP2827370B1 (zh)
CN (1) CN103926724B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104779267A (zh) * 2015-04-01 2015-07-15 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板以及有机发光显示器
WO2016090854A1 (zh) * 2014-12-09 2016-06-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、触控显示面板和触控显示装置
WO2019062095A1 (en) * 2017-09-28 2019-04-04 Boe Technology Group Co., Ltd. TOUCH CONTROL MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND TOUCH CONTROL DISPLAY APPARATUS
CN111308818A (zh) * 2019-07-30 2020-06-19 友达光电股份有限公司 像素阵列基板

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160086493A (ko) * 2015-01-09 2016-07-20 삼성디스플레이 주식회사 액정 렌즈 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
CN114280863B (zh) * 2021-12-17 2024-04-12 滁州惠科光电科技有限公司 阵列基板及显示面板

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1822385A (zh) * 2005-01-31 2006-08-23 株式会社半导体能源研究所 显示装置
US20080278070A1 (en) * 2007-05-10 2008-11-13 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN101592829A (zh) * 2008-05-27 2009-12-02 上海广电Nec液晶显示器有限公司 液晶显示装置中的薄膜晶体管及其制造方法
WO2012001740A1 (ja) * 2010-06-30 2012-01-05 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
WO2012063787A1 (ja) * 2010-11-10 2012-05-18 シャープ株式会社 表示装置
WO2012063788A1 (ja) * 2010-11-10 2012-05-18 シャープ株式会社 表示装置
US20130044074A1 (en) * 2011-08-19 2013-02-21 Apple Inc. In-cell or on-cell touch sensor with color filter on array
CN103109314A (zh) * 2010-04-28 2013-05-15 株式会社半导体能源研究所 半导体显示装置及其驱动方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3512849B2 (ja) * 1993-04-23 2004-03-31 株式会社東芝 薄膜トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JPH07175087A (ja) * 1993-12-20 1995-07-14 Nec Corp 液晶表示装置
JP5072227B2 (ja) 2005-01-31 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
JP2006318910A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Lg Electronics Inc 電界発光素子及びその製造方法、電界発光表示装置及びその製造方法
US20100110351A1 (en) * 2008-11-03 2010-05-06 Hyang-Yul Kim Transflective liquid crystal displays
US9292143B2 (en) * 2011-07-29 2016-03-22 Sharp Kabushiki Kaisha Touch panel substrate and electro-optical device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1822385A (zh) * 2005-01-31 2006-08-23 株式会社半导体能源研究所 显示装置
US20080278070A1 (en) * 2007-05-10 2008-11-13 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN101592829A (zh) * 2008-05-27 2009-12-02 上海广电Nec液晶显示器有限公司 液晶显示装置中的薄膜晶体管及其制造方法
CN103109314A (zh) * 2010-04-28 2013-05-15 株式会社半导体能源研究所 半导体显示装置及其驱动方法
WO2012001740A1 (ja) * 2010-06-30 2012-01-05 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
WO2012063787A1 (ja) * 2010-11-10 2012-05-18 シャープ株式会社 表示装置
WO2012063788A1 (ja) * 2010-11-10 2012-05-18 シャープ株式会社 表示装置
US20130044074A1 (en) * 2011-08-19 2013-02-21 Apple Inc. In-cell or on-cell touch sensor with color filter on array

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016090854A1 (zh) * 2014-12-09 2016-06-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、触控显示面板和触控显示装置
CN104779267A (zh) * 2015-04-01 2015-07-15 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板以及有机发光显示器
WO2019062095A1 (en) * 2017-09-28 2019-04-04 Boe Technology Group Co., Ltd. TOUCH CONTROL MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND TOUCH CONTROL DISPLAY APPARATUS
US11327617B2 (en) 2017-09-28 2022-05-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Touch control module and fabricating method thereof and touch control display apparatus
CN111308818A (zh) * 2019-07-30 2020-06-19 友达光电股份有限公司 像素阵列基板

Also Published As

Publication number Publication date
US20140374763A1 (en) 2014-12-25
CN103926724B (zh) 2018-03-30
EP2827370A3 (en) 2015-04-22
EP2827370B1 (en) 2020-11-11
US9508744B2 (en) 2016-11-29
EP2827370A2 (en) 2015-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102841716B (zh) 一种电容式内嵌触摸屏及显示装置
JP6130501B2 (ja) 静電容量方式のインセル型タッチスクリーンパネル及びそのタッチ位置決め方法、並びに表示装置
CN102566174B (zh) 液晶显示设备
US8970509B2 (en) Touch panel and liquid crystal display device including the same
TWI533185B (zh) 觸控面板基板及光電裝置
CN103926724A (zh) 一种tft驱动的显示装置
TWI571672B (zh) Liquid crystal display device
JP6313471B2 (ja) 位置入力機能付き表示装置
TW201631564A (zh) 顯示裝置基板、顯示裝置基板的製造方法及使用其之顯示裝置
CN104460169A (zh) 电极板、电致变色板、电致变色镜及其显示装置
CN112654917B (zh) 显示基板、显示装置、显示基板的制作方法及驱动方法
JP2007025669A (ja) 表示パネル及びそれを有する表示装置
CN105117069B (zh) 一种阵列基板、触控显示面板及触控显示装置
CN104375729A (zh) 电容式内嵌触控屏及显示装置
CN103116236A (zh) 显示面板
CN107884973A (zh) 触摸液晶显示装置及其制造方法
JP6290450B2 (ja) 位置入力装置、及び位置入力機能付き表示装置
CN202711227U (zh) 一种电容式内嵌触摸屏及显示装置
US11500237B2 (en) Array substrate and display device
US11307701B2 (en) Display device including position input function
KR102210524B1 (ko) 표시패널
CN216351637U (zh) 显示面板及显示装置
CN114019739B (zh) 一种显示基板、显示面板及指纹识别方法
US20190081076A1 (en) Thin film transistor substrate and display panel
CN109164628B (zh) 显示面板以及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant