JP5640328B2 - 欠陥修正装置及び欠陥修正方法 - Google Patents

Description

本発明は、ディスプレイ装置の製造工程で行われる欠陥修正の技術に関する。特にフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ；Flat Panel Display）のＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板等の基板上に形成されたデバイスパターンや配線パターンにおける欠陥を修正するのに好適な欠陥修正装置及び欠陥修正方法に関する。

現在、ディスプレイ装置として、有機ＥＬ(Electro Luminescence)ディスプレイや液晶ディスプレイなどの所謂フラットパネルディスプレイが普及している。これらのディスプレイ装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やキャパシタなどの素子、及びこれらの素子に電気的に連結された複数の配線（例えば信号配線や電位供給配線）などの様々な導電部材を含む配線基板によって構成される。

このディスプレイ装置を構成する配線基板の量産においては、例えば異物の存在によって、本来互いに離れて設けられる配線や素子が電気的に連結された短絡や、本来連続的に設けられる配線や素子が内部で互いに分離された断線などの、所謂欠陥が生じることがある。量産時の欠陥の発生は、ディスプレイ装置が大型化するにつれ、その駆動用の配線基板となるＴＦＴ基板に生じる欠陥箇所が増加して歩留まりの低下を招くため、欠陥箇所を修正（リペア）する欠陥修正工程が必須となっている。

このような短絡や断線などの欠陥に対する修正手法としては、例えばレーザ光照射による短絡箇所の切断を行う手法（レーザリペア）の他、レーザＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法による断線箇所の結線などが挙げられる。

例えば、欠陥の座標と基板のＣＩＭ（Computer Integrated Manufacturing）情報に基づいて、欠陥修正手法を照合・選択し、自動でこれらの欠陥の修正を行う欠陥修正方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

また、本出願人より、基板上の単位画素（配線部）を複数の領域に区分し、領域ごとに適切な修正手法を選択して欠陥を修正する欠陥修正方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００５−２２１９７４号公報 特開２００８−１５９９３０号公報

ところで、特許文献１に記載のように、単純に欠陥画像（被検査画像）と基準パターン画像（参照画像）との差画像を欠陥範囲として修正を行った場合、その欠陥の位置や種類、基板の欠陥が存在する箇所の状態等を把握していないと修正に失敗する可能性がある。なぜならば欠陥修正手法の選定や欠陥に照射するレーザ光のパルス周期、レーザパワー、レーザ光のスポット形状や発振時間等の各パラメータの選定を作業員のスキルや経験に頼っており、それによってその選定結果が異なってくるからである。

ディスプレイ用のＴＦＴ基板などの場合には、各画素に対応する配線部内に、信号配線や走査配線のみならず複数の電位供給配線が存在するため、画素内の配線密度の増大化や画素構造の複雑化が著しい。
例えば、同一の配線に接して生じている欠陥や、配線部内で略同位置に生じている欠陥等の修正においても、周囲に位置している部材の種類や有無に応じてそれぞれ異なる欠陥修正手法を選定することが必要となる。また、例えば、レーザ光照射による短絡箇所の切断を検討する場合、熱拡散によって周囲の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等に変質が生じることを回避する必要がある。
特に、有機ＥＬディスプレイのように配線部（画素）を構成する配線の種類や配置が複雑な場合とか、配線の両端に電源が接続されている電位供給配線などの両側駆動の配線が他の片側駆動配線と混在して配線部を構成している場合などが該当する。このような場合には、欠陥に対する修正手法の選択肢が極端に増大し、これに伴って適切な修正手法を選びとることも困難となる。

このようにフラットパネルディスプレイのパネル製造においては、欠陥の発生態様とこれに対する修正手法（修正手順）の選択肢が著しく増加している。１つの欠陥の修正を行うために複数箇所にレーザ光照射を行う必要性が生じると、レーザ光照射条件（レーザ加工パラメータ）の設定に手間と時間がかかり作業効率が低下する。

しかして、パネル製造ラインの欠陥修正工程では、熟練のオペレータがその場で欠陥を確認して欠陥修正手法を決定し、レーザリペア等の欠陥修正作業を行うため、タクトタイムがかかりすぎたりする。そのため、欠陥修正工程の作業速度がライン全体の量産速度に追いついていないという問題が生じる。多くのパネル製造工場では、複数台の欠陥修正装置（リペア機）を購入し、各欠陥修正装置を担当するオペレータを増員することで、この問題を回避している。

しかしながら、このような回避方法を採用した場合、欠陥修正装置や作業者数の著しい増加により、装置コストや作業者の工数費が膨らみ、利益が著しく低下するという深刻な問題が発生する。

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、欠陥修正工程の作業効率を著しく向上させつつ、欠陥修正の品質を向上させることを目的とする。

本発明の一側面の情報処理装置は、繰り返しパターンが形成された多層基板を検査し、前記検査によって検出された前記繰り返しパターン内の欠陥を修正する欠陥修正装置であって、前記検査を行って、前記繰り返しパターン内の欠陥の位置情報および前記欠陥の特徴情報を抽出する欠陥検出部と、複数の欠陥修正手法が登録されたデータベースと、前記多層基板の欠陥を指定された欠陥修正手法により修正する欠陥修正部と、前記欠陥検出部で検出された欠陥に対応する欠陥修正手法を前記データベースから読み出し、読み出した欠陥修正手法に含まれる複数のオブジェクトのサイズを、当該欠陥修正装置が処理可能なサイズに修正した後、前記欠陥修正手法に含まれる前記複数のオブジェクトの修正実行順を、同一の欠陥修正処理が連続して処理される実行順であり、かつ、一つの欠陥修正処理において同一のサイズのオブジェクトが連続して処理される実行順に並び替え、前記複数のオブジェクトのサイズの修正及び前記複数のオブジェクトの修正実行順の並び替えが行われた前記欠陥修正手法を、新たな欠陥修正手法として前記データベースに登録するとともに、前記新たな欠陥修正手法を利用して前記欠陥修正部を制御する制御部と、を備える。

本発明の一側面の情報処理方法は、繰り返しパターンが形成された多層基板を検査し、前記検査によって検出された前記繰り返しパターン内の欠陥を修正する欠陥修正装置において行われる欠陥修正方法であって、前記検査を行って、前記繰り返しパターン内の欠陥の位置情報および前記欠陥の特徴情報を抽出する第１のステップと、前記第１のステップで検出された欠陥に対応する欠陥修正手法を、複数の欠陥修正手法が登録されたデータベースから読み出す第２のステップと、前記第２のステップ読み出した欠陥修正手法に含まれる複数のオブジェクトのサイズ当該欠陥修正装置が処理可能なサイズに修正した後、前記欠陥修正手法に含まれる前記複数のオブジェクトの修正実行順を、同一の欠陥修正処理が連続して処理される実行順であり、かつ、一つの欠陥修正処理において同一のサイズのオブジェクトが連続して処理される実行順に並び替え、前記複数のオブジェクトのサイズの修正及び前記複数のオブジェクトの修正実行順の並び替えが行われた前記欠陥修正手法を、新たな欠陥修正手法として前記データベースに登録する第３のステップと、前記新たな欠陥修正手法を利用して前記欠陥の修正を実行する欠陥修正部を制御する第４のステップと、を含む。

本発明の一側面においては、欠陥修正装置での例えば加工性能や基板の条件等に合わせた加工サイズと、修正実行順の最適化が行われる。それゆえ、欠陥修正処理過程での不具合が回避されるとともに、修正処理時間が短縮される。

本発明によれば、登録された繰り返しパターン内に構成される欠陥修正手法に対して、欠陥修正装置での加工性能や基板の条件等に合わせた加工サイズと、修正実行順の最適化が行われる。それゆえ、欠陥修正装置や基板固有の不具合が回避され品質の向上が図られるとともに、実行タクトの短縮化が可能となる。

検査対象とする基板の構成例を示す図である。 図１に示した基板内の繰り返しパターン区域を示す図である。 フラットパネルディスプレイの配線基板の製造工程を示すフローチャートである。 欠陥検査工程から欠陥修正工程までの具体的な流れを示した図である。 本発明の第１の実施の形態に係る欠陥修正装置の構成例を示す図である。 図５に示した制御部の内部構成を示す図である。 本発明の第１の実施の形態に係る欠陥修正工程を示すフローチャートである。 配線パターン（配線部）の例を示す図である。 欠陥画像とテンプレートの例を示す図である。 Zapオブジェクトの例を示す図である。 図１１ＡはZapLineオブジェクトの例を示す図であり、図１１Ｂはレーザ光照射時の説明に供する図である。 Zapオブジェクト上の任意の座標の回転前後の位置関係を示す図である。 不適切な加工サイズのZapオブジェクトを配置したテンプレートにより生じる不具合を説明するための図である。 図１３のZapオブジェクトの加工サイズを最適化したテンプレートの例を示す図である。 図１３のZapオブジェクトがZapLineオブジェクトに切り替えられたテンプレートの例を示す図である。 図１６Ａは分割前のZapオブジェクトの例、図１６Ｂは分割後のZapオブジェクトの例を示す図である。 CVDオブジェクトの例を示す図である。 図１８ＡはコンタクトホールのないCVDオブジェクトの例、図１８Ｂはコンタクトホールを一つだけ持つCVDオブジェクトの例を示す図である。 図１９Ａは通過地点が１箇所のCVDオブジェクトの例、図１９Ｂは通過地点が２箇所のCVDオブジェクトの例を示す図である。 図２０Ａは製膜処理を要する配線パターンの例、図２０ＢはCVDオブジェクトの組み合わせ例を示す図である。 不適切な加工サイズのCVDオブジェクトを配置したテンプレートにより生じる不具合を説明するための図である。 図２２Ａは最適な加工サイズより小さいCVDオブジェクトの例、図２２Ｂは最適な加工サイズより大きいCVDオブジェクトの例を示す図である。 図２３Ａ，Ｂはそれぞれ、図２２Ａ，ＢのCVDオブジェクトの加工サイズを最適化したCVDオブジェクトの例を示す図である。 図２１のCVDオブジェクトの加工サイズを最適化したテンプレートの例を示す図である。 図２５Ａは２つのCVDオブジェクトを組み合わせた例、図２５Ｂは２つのCVDオブジェクトの加工サイズを最適化して生じる不具合の例を示す図である。 図２６Ａ，ＢはCVDオブジェクトの加工領域の算出方法を説明するための図であり、ＡはCVDオブジェクトが回転していない場合、ＢはCVDオブジェクトが回転している場合を示している。 CVDオブジェクトが通過地点を持つ場合の加工領域の算出方法を説明するための図である。 図２５Ａの２つのCVDオブジェクトについてそれぞれ加工領域を算出した場合の例を示す図である。 図２９Ａは図２５Ａの２つのCVDオブジェクトの通過ラインを示し、図２９Ｂは図２５Ａの２つのCVDオブジェクトの通過ラインの一方を修正する例を示す図である。 図３０Ａは図２５Ａの２つのCVDオブジェクトの通過ラインの一方を修正した場合の例を示す図であり、図３０Ｂは図３０Ａの通過ライン修正後の２つのCVDオブジェクトの加工サイズを変更した場合の例である。 図３１Ａは最適化前の２つのCVDオブジェクトの例であり、図３１Ｂは最適化後の２つのCVDオブジェクトの例である。 本発明の第１の実施の形態に係るテンプレートのオブジェクトのサイズに対する最適化処理の例を示すフローチャートである。 テンプレートの例を示す図である。 図３３のテンプレートの実行順を入れ替えたテンプレートを示す図である。 図３４のテンプレートの実行順を、CVDサイズを最適化して再度入れ替えたテンプレートを示す図である。 図３５のテンプレート内のZapオブジェクトの加工サイズを一定の数値へ変換した後のテンプレートを示す図である。 図３７ＡはZapオブジェクトの例であり、図３７Ｂは図３７ＡのZapオブジェクトに対し長径と短径が入れ替わって角度が設定されているZapオブジェクトの例を示す図である。 CVDの加工順が指定される例を示す図である。 本発明の第１の実施の形態に係るテンプレートの実行順に対する最適化処理の例を示すフローチャートである。

以下、本発明を実施するための形態の例について、添付図面を参照しながら説明する。説明は下記項目の順に行う。
１．第１の実施の形態（オブジェクトサイズ・テンプレート実行順の最適化の例）

＜１．第１の実施の形態＞
［概要］
本実施の形態では、目的とする配線基板がディスプレイ装置を構成する場合について、つまりＴＦＴ基板等からなる配線基板を構成する多数の配線部をディスプレイ装置の画素に対応して２次元マトリクス状に多数形成する場合について、説明を行う。

図１は、本発明において修正対象とするフラットパネルディスプレイの製造過程における基板の例を示すものである。図２は、図１に示した基板内の繰り返しパターン区域を示す図である。
この例では、共通の基板３に４台分のフラットパネルディスプレイの配線基板１が形成されている。配線基板１は、後述する繰り返しパターンを有するエリア（繰り返しパターン区域６、図２参照）、配線５を介して繰り返しパターンから外部へ接続する周辺回路４のエリア（周辺回路区域）、繰り返しパターン区域６と周辺回路区域の境となる最外周のエリア（最外周区域）に分けられる。繰り返しパターン区域６と最外周区域は、配線部２をフラットパネルディスプレイの画素に対応して２次元マトリクス状に形成したものである。繰り返しパターン区域６は、図２に示すように、配線部２が繰り返し形成された領域のうちの最外周区域を除いた部分である。

図３は、フラットパネルディスプレイの配線基板の製造工程、すなわち配線パターン形成工程から、欠陥検査工程を経て、欠陥修正工程までの流れを示している。
本実施の形態においては、まず、基板３上に、走査配線と、層間絶縁膜と、信号配線及び電位供給配線とを、目的とする配線部２の主要構成として積層形成することによって、配線部形成工程を実施する（ステップＳ１，Ｓ２，Ｓ３）。また、周辺回路４及び配線５を形成して、周辺回路４と最外周区域の配線部２を接続する。この周辺回路４と配線５の形成工程は、上記ステップＳ１〜Ｓ３における走査配線、層間絶縁膜、信号配線及び電位供給線を形成する工程の前後いずれでもよい。

続いて、配線部形成工程を経て流れてくる基板３に対し、多数の配線部２を光学的に観察して欠陥配線部２ａを検出する光学式検査工程を実施する（ステップＳ４）。欠陥配線部２ａを検出すると、基板３における当該欠陥配線部２ａの位置情報が欠陥修正装置のコンピュータ（制御部）に送られる。この光学式検査工程においては、図１に示した欠陥配線部２ａを含む画像（欠陥画像）から、欠陥配線部２ａの存在のみならず、欠陥（パターン欠陥、異物など）及びその位置をはじめとする所謂パターン欠陥分類情報を特定する。その他、欠陥のサイズや種類（材料や状態など）等の特徴をも特定する。

また、光学式検査工程では発見できない、表面以外に生じた欠陥を電気式検査工程により検出する（ステップＳ５）。

そして、欠陥修正工程では、当該欠陥位置情報を読み込むことにより、欠陥修正装置のステージが制御されて欠陥位置に移動し、観察系で欠陥を確認し、レーザ光照射等により欠陥を修正する（ステップＳ６）。基板３の配線基板１に発生した欠陥は、それぞれのエリアで適切な修正方法は異なってくる。この工程が終了すると、ＴＦＴ工程（配線基板の製造工程）が完了する。

本発明では、過去の修正データを呼び出せることで修正工程を大幅に効率化できる。さらに、欠陥の位置や大きさ、種類に見合った適切な修正データが選択されることで欠陥の修正工程の自動化が可能となる。

図４は、図３に示した欠陥検査工程から欠陥修正工程までの具体的な流れを示したものである。
配線部形成工程を経た基板３を、光学式検査機１１に移動し（第１工程）、光学式検査を実施して欠陥の特定を行い、検査結果２１を欠陥情報管理システム１２に出力する（第２工程）。また、基板３を電気式検査機１３に移動し（第３工程）、電気式検査を実施して欠陥の特定を行い、検査結果２２を欠陥情報管理システム１２に出力する（第４工程）。欠陥情報管理システム１２は、いずれかもしくは両方の欠陥情報を関連付けた欠陥情報を生成し（第５工程）、欠陥情報ファイル２４としてメモリに記録する。一方、電気式検査機１３からリペア機１４へ基板３が移動する（第６工程）とともに、リペア機１４は欠陥情報ファイル２４を欠陥情報管理システム１２から受け取る。

リペア機１４は、欠陥情報ファイル２４の内容に基づいて自動的に適切なリペア手法（欠陥修正手法：テンプレート）を選択してリペアを行い、リペア結果２５（データファイル、リペア後の画像等）を再度欠陥情報管理システム１２へ出力する（第７工程）。このとき、基板３とともに受け取る欠陥情報ファイル２４には、基板の層構造の情報も含まれる。

その後必要であれば、基板３を電気式検査機１３へ移動し（第８工程）、電気式検査でリペア後の欠陥の状態を再チェックし、必要であれば再度欠陥情報を欠陥情報管理システム１２へ出力する（第９工程）。そして、欠陥情報を欠陥情報管理システム１２経由でリペア機１４に送るとともに、基板３をリペア機１４に移動させ（第１０工程）、再度リペアを行うことも可能である。

本発明では、予め登録されている過去の欠陥修正手法（欠陥修正手順）のデータファイル（テンプレート）を呼び出せるようにしたことで欠陥修正工程を大幅に効率化できる。さらに、欠陥の位置、サイズ、種類等を検出して、適切な修正データが選択されることで欠陥の修正工程の自動化が可能となるものである。

［欠陥修正装置の構成例］
図５に、配線基板に対して欠陥修正工程を実行する欠陥修正装置（リペア機１４に相当）の一例の構成図を示す。
本実施の形態に係る欠陥修正装置１００は、レーザ光照射により短絡箇所を切断する所謂レーザリペア装置の例であるが、レーザＣＶＤ法などの配線の結線処理を行える装置（例えば、特開２００８−１５９９３０号公報の図５を参照）に適用することも可能である。この欠陥修正装置１００は、対物レンズ１０８と基板３との間にレーザＣＶＤ法を実施できる加工装置を備えており、それについては同公開公報の図５，図６とその説明文に詳細な構成が記載されている。

欠陥修正装置１００は、大きく制御部１０１、欠陥修正部１０２および欠陥検出部１０３から構成されている。

制御部１０１は、欠陥情報管理システム１２と通信インタフェース（図示略）等を介して接続するとともに、ディスプレイ１２７およびキーボード等の入力装置１２８と接続している。制御部１０１は、予め欠陥検査装置１３０によって行われた欠陥検査の結果（欠陥情報）を、欠陥情報管理システム１２を介して取得し、該欠陥情報に基づいて最適なテンプレートを選択する。そして、欠陥の修正を実施する欠陥修正部１０２および欠陥の詳細な観察を実施する欠陥検出部１０３を制御する。この制御部１０１には、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）やパーソナルコンピュータ等のコンピュータ（演算処理装置）が適用できる。

制御部１０１では、欠陥修正部１０２のステージ制御部１０７にコマンドを送り、基板３が搭載されたＸＹステージ１０５を動かし、欠陥箇所が存在する画素が対物レンズ１０８の真下になるように調整する。次にフォーカスステージ１１０を動かして対物レンズ１０８と基板３の間隔を調整し、欠陥検出部１０３の撮像装置１１７で光学レンズ１１４ｇを透過した光の合焦点画像が撮像できるようにする。なお、ここではハーフミラー１１５ａ，１１５ｂ、光学レンズ１１４ａ、及びランプ１０９による落射照明により、適切な明るさを持つ画像が得られるようにしている。撮像された欠陥箇所が含まれる画像（欠陥画像）は、欠陥画像メモリ１１８に一旦保存される。ここでいう画素は、図１に示した欠陥配線部２ａに相当する。

次に、制御部１０１は、ステージ制御部１０７にコマンドを送ってＸＹステージ１０５を動かし、欠陥箇所の画素と全く同じ画素パターンとなる位置まで移動した位置が対物レンズ１０８の真下になるようにする。そして、欠陥の無い画像（参照画像）を撮像し、参照画像メモリ１１９に保存する。ここでいう画素は、図１に示した配線部２に相当する。

欠陥抽出部（欠陥検出部）１２０は、欠陥画像メモリ１１８に保存された欠陥画像と、参照画像メモリ１１９に保存された参照画像とを位置合わせした後に差画像を生成することで、欠陥部位の画像を抽出する。そして、抽出した欠陥部位の画像を詳細位置情報抽出部１２１及び特徴抽出部１２２に出力する。

詳細位置情報抽出部１２１は、抽出された欠陥の基板３上における正確な位置をＸＹステージ１０５の現在位置及び欠陥画像から算出し、その情報を修正方法生成部１２６に送る。

特徴抽出部１２２は、欠陥抽出部１２０で抽出された欠陥の形態及び種類等を特定するための情報である欠陥の色、大きさ、コントラスト、形状等の各種特徴情報を数値化して制御部１０１へ出力する。

そして制御部１０１は、詳細位置情報抽出部１２１及び特徴抽出部１２２から取得した詳細位置情報および特徴情報に基づいて、詳細を後述する欠陥修正情報（リペアレシピ情報）を修正手法データベース１２５から読み出す。この欠陥修正情報によって、欠陥修正部１０２の修正機構部１０４における各ユニットの動作が規定される。
具体的には、例えば詳細位置情報抽出部１２１からの詳細位置情報に基づいて、欠陥箇所が配線基板のどの位置および状態で存在し、かつ、どのようなレイヤ情報を含むかを判定し、欠陥位置に適した欠陥修正処理が実施されるような制御を実行する。

レイヤ情報は、多層基板を構成するレイヤ個別の情報である。レイヤ情報には、例えばレイヤの重なっている順番を示すレイヤＩＤ、レイヤ名、レイヤ内のラベルの数などの情報が含まれる。また、該当レイヤを構成する個別の領域（ラベル）の情報を示すものとしてラベル情報がある。ラベル情報には、該当レイヤ内のラベルを識別するためのラベルＩＤ、該当ラベルが含まれるレイヤを示すレイヤＩＤ、が含まれる。

さらに、制御部１０１は、詳細は後述するように、生成した欠陥修正情報に基づく修正手法（テンプレート）を、欠陥画像と重ね合わせてディスプレイ１２７に表示する。なお、制御部１０１は、状況に応じて位置や特徴等の欠陥情報に基づき欠陥修正情報のリペアオブジェクトの一部を補正することができる。また、一つの欠陥修正情報には複数の修正手法が含まれることもある。

作業員はディスプレイ１２７に表示された修正手法を見て問題があると判断すれば、例えばキーボートやマウス等の入力装置１２８（入力部）を操作して別の修正手法を選択することもできるし、修正手法（欠陥修正情報）の一部又は全部を変更することもできる。更に修正方法生成部１２６にて修正手法データベース１２５から複数の欠陥修正手法が読み出された場合、その複数の欠陥修正手法をディスプレイ１２７に表示して作業員に選択を促す。そして、作業員が入力装置１２８を操作することにより選択された欠陥修正手法に従い、欠陥修正を行う。

制御部１０１は、入力装置１２８から入力された操作信号を受信すると、欠陥修正手法の選択や変更の履歴を、修正手法データベース１２５に記録する。修正手法データベース１２５に蓄積された修正手法は、次回以降の欠陥修正に利用される。

欠陥修正手法が決定されると、制御部１０１はその欠陥修正手法に従って、修正機構制御部１１６にコマンドを送り、修正機構部１０４内の各ユニットを動作させ、欠陥の修正を行う。修正機構部１０４は、レーザ光源１１３から照射されたレーザビームを光学レンズ１１４ｂ，１１４ｃにて補正した後に、可変スリット１１２を通過させることにより、照射サイズ、角度を変更できるようにしてある。

可変スリット１１２は、例えば、ＸＹ−θスリットと呼ばれるもので、長方形のＸ、Ｙ方向の開口長と、回転角θが変更できるスリットであり、修正機構制御部１１６からの駆動信号により駆動できるものとする。

可変スリット１１２によって照射形状を整形されたレーザビームは、光学レンズ１１４ｄを通り、ガルバノミラー１１１ａ，１１１ｂで反射される。ガルバノミラー１１１ａ，１１１ｂは、２次元に角度可変なミラーであり、修正機構制御部１１６の制御に従って駆動することで、ＸＹステージ１０５を動かさずに、対物レンズ１０８の視野範囲内でレーザビームの光軸、すなわち照射位置を調整することができる。

このような可変スリット１１２、ガルバノミラー１１１ａ，１１１ｂを備える欠陥修正装置１００は、欠陥に対し十分な位置精度を持ってレーザビーム等を照射できるため、精度よくパターン欠陥の修正が可能となる。

そして、ガルバノミラー１１１ａ，１１１ｂで反射されたレーザビームは、各種光学レンズ１１４ｅ，１１４ｆを透過し、ハーフミラー１１５ａで反射した後に、対物レンズ１０８を介して、基板３に照射され、欠陥修正が行われる。

上記欠陥検査装置１３０は、欠陥を探索する方法として光学式検査機を使えるため、導通状態が正常であるパターン欠陥に対しての修正が可能となる。

制御部１０１についてさらに詳細に説明する。
図６は、制御部１０１の内部構成を示したブロック図である。制御部１０１は、テンプレート入出力部１５１、オブジェクト種類判定部１５２、加工サイズ修正部１５３、オブジェクト修正方法変更部１５４、オブジェクト通過ライン修正部１５５、実行順並び替え部１５６および記録部１６０を含むように構成される。記録部１６０は内部メモリであり、例えば半導体メモリ等の不揮発性の記憶装置が適用される。各処理部については後述する。

［欠陥修正工程］
欠陥修正装置１００による欠陥修正工程について、上述した構成からなる欠陥修正システムの一連の動作を説明する。図７は、欠陥修正処理のメインルーチンを示すフローチャートである。

ステップＳ１１：パラメータのセット
欠陥修正装置１００にパラメータをセットする。すなわち、欠陥修正装置１００に修正を行うための上述した基本情報を設定する。
パラメータは、具体的には、修正対象となる基板３内における配線部２の数と配置、パターンの数、配置、アライメントマーク位置等の上記基板３に関わる基礎情報である。また、自動で修正を行う対象となる欠陥の大きさや条件、基板３内において修正を行う数や優先する欠陥の特徴等の修正条件の設定情報、配線パターンの形状と修正手法のデータベース（データベースが複数の場合に適用）等である。当該欠陥修正装置１００において固有に設定するこれらのパラメータをセットする。

ステップＳ１２：基板３の搬入と入力情報のセット
外部から基板３を欠陥修正装置１００に搬入し、その基板３の前プロセスの欠陥情報を入力する。搬入された基板３の情報、欠陥情報を欠陥修正装置１００内にセットされているパラメータと照合し、修正対象となる基板３の基本情報を確定し、修正条件の初期設定（修正処理数のクリア等）を行う。

欠陥情報は、欠陥検査装置１３０において光学式検査で検出された欠陥の数と座標、もしくは電気式検査で検出された欠陥のピクセル情報（線欠陥、もしくは点欠陥であるかも含む）のいずれかである。あるいは、電気式検査で検出された欠陥と光学式検査で検出された欠陥を関連付けたものである。

ステップＳ１３：欠陥情報のセット
上記基板３毎の欠陥情報の一覧より、リストの上位から順に修正を行うか、特定の欠陥をソート（例えば、線欠陥を優先する等）してまとめて修正を行うか、もしくは欠陥修正装置１００のオペレータが任意の欠陥を選択するかのいずれかの方法で、欠陥情報を一つ入力する。

ステップＳ１４：欠陥情報のチェック
入力された基板３の欠陥情報のリストから自動で修正を行うことができるかを確認する。すなわち、入力される欠陥情報だけでは自動で修正処理が不可能なときがあり、これの確認を行う。
例えば、滅点化処理を規定の数以上行っていないか、修正処理を規定の数以上行っていないか、既に修正処理を行っている欠陥であるか等、現在の基板３の修正条件にそぐわない場合に自動で修正できない可能性がある。また、入力された欠陥の座標が不確定である、パターンの外部等で修正は行わないと明確に定義してある場所である等の場合において、自動で修正できない可能性がある。このような条件の詳細は、例えば本出願人による特開２００８−１５５２６３号公報の図４等に記載されている。

ステップＳ１５：欠陥位置情報の取得
入力された欠陥情報が修正を行う欠陥であると判断されたら、欠陥の詳細な座標情報を取得する。具体的には、光学式検査結果の欠陥座標、若しくは電気式検査結果のピクセルの番号等から欠陥が実際に存在する箇所を算出する。なお、このステップＳ５について、図７には「サブピクセル座標取得」と記載している。

ステップＳ１６：欠陥画像の撮影
欠陥の詳細な位置が算出されたら、ＸＹステージ１０５を移動して、欠陥画像を撮影し、パターン内の詳細な欠陥情報を取得する。詳細は、特開２００７−１６３８９２号公報や特開２００８−１５９９３０号公報を参照されたい。なお、図７には「レビュー情報取得」と記載している。

ステップＳ１７：欠陥修正手法の取得処理
欠陥画像から取得した欠陥の詳細情報と欠陥修正手法とを照らし合わせて、最適な欠陥修正手法を修正手法データベース１２５から索出し、欠陥の位置情報に合わせて出力する。詳細は、特開２００７−１６３８９２号公報等を参照されたい。なお、図７には「リペア手法取得」と記載している。

ステップＳ１８：欠陥修正手法の最適化
本発明の特徴とする処理であり、欠陥修正装置に応じて欠陥修正手法の加工サイズの適切な大きさへの調整、欠陥修正の実行順のソート（並び替え）を行う。その際の修正の実行結果は、記録部１６０または修正手法データベース１２５等に別途保存しておく。

ステップＳ１９：修正実行処理
欠陥修正手法を実際の欠陥の位置にあわせて設定し、必要に応じて位置補正を行った後、修正を実行する。その際の修正の実行結果は、記録部１６０または修正手法データベース１２５等に別途保存しておく。なお、このステップＳ１９について、図７には「リペア実行」と記載している。

ステップＳ２０：修正判定処理
修正の実行が終了したら、欠陥画像を撮影した場所と同じ座標と倍率によって、修正後の画像を撮影、比較することにより、適切な修正が完了したかどうかの簡易判定を行う。

ステップＳ２１：修正結果更新処理
修正の結果を更新する。更新内容は修正が適切に行われたかの判定、修正詳細内容、修正処理数、滅点化の修正処理数等である。修正結果の更新後、欠陥情報の一覧を再度確認し、未処理の欠陥の有無や修正の終了の判定を行い、次に別の欠陥情報を入力することによる修正処理を続行するか、若しくは修正を終了して基板３の搬出を行うかを決定する。このステップＳ２１において、未処理の欠陥があると判定されたときには、ステップＳ１２に戻る。

ステップＳ２２：基板搬出、修正情報セット
入力された基板３に対してすべての欠陥が修正された、もしくは修正の終了条件を満たしたら、基板３を搬出して欠陥情報管理システム１２に欠陥の修正情報を出力する。修正の終了条件とは、規定の数値以上の修正を実行した、規定の数値以上の滅点化修正を行った、あるいは特定の欠陥に対する修正が終了した等である。

ステップＳ２３：パラメータ更新
上述した各処理内で新規に欠陥修正手法が登録された、もしくはレーザ光のパワーや修正を行う欠陥の条件を変更する等の必要があれば、セットしてある欠陥修正装置１００の修正手法データベース１２５のパラメータ情報を更新して、次の基板３をセットする。

ここで、配線基板１の繰り返しパターン区域６に形成する配線部２（単位画素）の概略構成を、図８に示す。
配線部２は、単位画素を構成する各色の副画素、例えば三原色ＲＧＢに対応する３つの領域（以下、「サブエリア」ともいう。）２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに区分されている。３つのサブエリア２Ｒ（２Ｇ，２Ｂ）は、異なるキャパシタ（容量素子）４５Ｒ（４５Ｇ，４５Ｂ）を有している点で、互いに異なる構造になっている。本実施の形態においては、３つのサブエリア２Ｒ（２Ｇ，２Ｂ）の一部が互いに異なる形状（構造）になっているものを例として説明するが、それらのサブエリアが互いに同一の形状（構造）になっているものであってもよいことは勿論である。

各サブエリア２Ｒ（２Ｇ，２Ｂ）は、ほぼ同じ大きさに形成されている。配線基板１に設けられた走査配線４１上に、層間絶縁膜（図示略）を介して信号配線４２Ｒ（４２Ｇ，４２Ｂ）、電位供給配線４３Ｒ（４３Ｇ，４３Ｂ）、グラウンド電極（図示略）が、当該走査配線４１と直交する方向に延在して配置された構成である。信号配線４２Ｒ（４２Ｇ，４２Ｂ）は、グラウンド電極に連結された図示しないキャパシタ４５Ｒ（４５Ｇ，４５Ｂ）に対し、ＴＦＴ素子４４Ｒ（４４Ｇ，４４Ｂ）のゲートを介して対向する構成とされている。
なお、図８に示した配線部２の配線パターンは実際のものを模式的に表したに過ぎないので、実際の配線パターンと異なる点に留意する必要がある。

図８に示すような、繰り返しパターンを有する配線パターン（配線部２）において、画素内欠陥位置により、その修正パターンを複数に分けられるものとした場合、その条件によって適用される修正手法が異なってくることが考えられる。その場合、どの条件の欠陥に対して、どのような欠陥修正手法を用いるかの情報を、修正手法データベース１２５にテンプレートとして予め登録しておく。テンプレートとは、欠陥修正情報（リペアレシピ情報）すなわち欠陥修正手法をオブジェクト化（可視化）したものである。

そして、欠陥位置と繰り返しパターン（配線部２）の基準座標を入力することで、修正手法データベース１２５から最適な欠陥修正手法を検索し、欠陥画像に重ねあわせて適用する手法などが有効である。このようなテンプレートを用いた欠陥修正方法として、例えば特開２００７−１６３８９２号公報に記載された技術が適用できる。

図９は、配線部分にショート欠陥が存在する欠陥画像の例を示している。
この欠陥画像内の欠陥５０は、配線部分（電位供給配線４３Ｇ，４３Ｂ）の短絡欠陥の例である。まず詳細位置情報抽出部１２１において、配線部２の任意の一角に設定された基準座標５１と繰り返しパターン領域５２を検出する。さらに、基準座標５１からの相対位置により繰り返しパターン上での欠陥５０の位置と条件を絞り込む。そして、制御部１０１が欠陥５０の条件に見合った登録テンプレートを修正手法データベース１２５から選択する。

テンプレートは、欠陥を模した「欠陥オブジェクト」と、配線部上における欠陥オブジェクトの位置及びその特徴に応じて修正処置が施される部分を示した「リペアオブジェクト」とを含む。欠陥オブジェクトは、当該欠陥オブジェクトの位置や属する領域、規模、形状、当該欠陥オブジェクトが位置する回路等を表示したものである。またリペアオブジェクトは、その欠陥に対応するレーザ光照射の位置、出力等を表示したものである。

この例では、配線間にショートを生じさせる欠陥５０に応じた欠陥修正手法として、すなわち欠陥オブジェクト５０ａ，５０ｂ，５０ｃについて、それぞれに最適なテンプレート（１）〜（３）を、修正手法データベース１２５に登録されているとする。
すなわち、欠陥５０の位置に応じた欠陥修正手法として、テンプレート（１）〜（３）が修正手法データベース１２５に登録されており、テンプレート（１）〜（３）の中から欠陥５０の修正に最も適したテンプレートを選択する。

テンプレート（１）は、欠陥５０と位置および大きさ等の条件がほぼ同じ欠陥オブジェクト５０ａに対するリペアオブジェクト６０ａを備える。また、テンプレート（２）は、欠陥５０よりやや下に位置する欠陥オブジェクト５０ｂに対するリペアオブジェクト６０ｂを備える。さらに、テンプレート（３）は、欠陥５０よりずっと下に位置する欠陥オブジェクト５０ｃに対するリペアオブジェクト６０ｃを備える。

ここでは、欠陥５０に位置および大きさ等の条件が近い欠陥オブジェクト５０ａを持つテンプレート（１）が、欠陥５０の修正に最適であるとして選択されている。

そして、制御部１０１へ読み出されたテンプレート（１）が、ディスプレイ１２７に表示される。このとき、当該テンプレート（１）の基準座標６１を欠陥画像（配線パターン）の基準座標６１を原点として座標変換を行って、欠陥画像の欠陥５０にリペアオブジェクト６０ａを重ね合わせる。座標変換方法については、特開２００８−１５９９３０号公報にさらに詳細に記載されている。

このような繰り返しパターン区域における欠陥修正方法によれば、欠陥箇所の繰り返しパターン（配線部）内における位置や大きさ、種類に基づいて、最適なテンプレートを選択することができる。それにより、位置関係に対応して選択される欠陥修正手法の読み込みによって欠陥修正工程を自動化することができ、人為的に区別を行う煩雑さを回避することが可能となる。

なお、修正手法データベース１２５からの修正手順読み出しの際に、対象となる欠陥に対して、該当する適切な欠陥修正手法（テンプレート）がない場合は、所定の優先度などに基づいて次善のテンプレートが選択される。最も優先度の高い、例えば使用頻度の高い欠陥修正手法のテンプレートあるいは修正難易度が低い欠陥修正手法のテンプレートなどが自動的に選択され、ディスプレイ１２７に表示される。そして、表示されたテンプレートによる修正手法を自動的に実行するか、もしくは作業員が目視確認した後に実行する。

また、対象となる欠陥に対して、適した加工設定ファイル（テンプレート）が無い場合は、作業員が入力装置１２８を操作してマニュアルでレーザ加工条件を設定することが可能であり、更に修正手法データベース１２５にその設定ファイルを追加することもできる。

［ヘッダ情報およびオブジェクト情報］
本実施の形態においてテンプレートとして表示される欠陥修正手法は、ヘッダ情報と、このヘッダ情報に関連付けられたオブジェクト情報とを有するデータファイルである（特開２００７−１６３８９２号公報を参照）。なお、この欠陥修正手法を「欠陥修正情報（リペアレシピ情報）」ともいう。

ヘッダ情報は、欠陥修正手法の「レシピ名（若しくはレシピ番号）」、欠陥のあるサブエリア（領域）を示す「領域番号」、サブエリアを示す「副領域番号」、基板３上の基準画素の位置を示す「基準画素番号」、その基準画素の上下、左右の近接画素の有無とその位置を示す「近接画素番号」、並びにレシピ登録される欠陥や欠陥修正手法を表すリペアオブジェクトの「オブジェクト数」を含むものである。

オブジェクト情報は、欠陥を模した欠陥オブジェクトと、配線部２における欠陥オブジェクトの位置及びその特徴に応じて修正処置が施される部分を示したリペアオブジェクトとを含んでいる。
すなわち、オブジェクト情報は、ヘッダ情報に登録されたオブジェクト数だけ欠陥オブジェクトとリペアオブジェクトとを関連付けて登録したものである。なお、単に「登録」というときには、上記した修正手法データベース１２５に対する登録を意味している。

上記のオブジェクト情報は、レシピヘッダとの照合のための「レシピ名（もしくはレシピ番号）」、配線部２内のオブジェクトの位置を示す「座標」、「オブジェクトの形状」、「角度」、「位置補正情報」が基本情報として含まれている。その基本情報は、欠陥オブジェクト及びリペアオブジェクトの双方について有している。
なお、「補正情報」は、実際の欠陥画像の欠陥位置との比較による位置補正のための情報であり、また、「角度」とは、上記したＸＹステージ１０５上における欠陥の正規の位置からの回転角度である。

本発明ではさらに、繰り返しパターン（配線部２）内の欠陥の存在する位置や大きさ、種類に基づいて、登録されているテンプレート内の欠陥修正手法（以下、「オブジェクト」という）のサイズを、実際の加工前に欠陥修正装置が加工可能なサイズへと自動で最適化する。それにより、異なる欠陥修正装置の修正スペックや仕様の違いによる欠陥修正の不具合を解消する。同時に、欠陥修正を実行時の欠陥修正手法の実行順の最適化によって処理速度を向上させることもできる。また、実際のテンプレートの最適化の様子を画像で表示することによって、テンプレートの登録ミス等のチェックを視覚的に行うことが可能となる。
なお、本発明では、画像処理を多用する関係上、座標系は左上原点とし、回転方向は反時計回りとするが、この例に限られるものではない。以下、テンプレート内の欠陥修正手法の最適化について詳細に説明する。
以下、繰り返しパターン内の欠陥が存在する（もしくは占める）領域を特に「欠陥領域」または「欠陥範囲」ともいう。

［サイズの最適化］
［Zapオブジェクト及びZapLineオブジェクトの例］
図１０は、Zapオブジェクトの例を示す図である。
Zapオブジェクト２０１は、「矩形の中心点２０２（中心座標）」と「幅」、「高さ」、「回転角度２０３」を設定して指定した位置に指定したサイズのレーザ光を照射する欠陥修正手法（オブジェクト）であり、主に配線の断線に用いられる。レーザ光は図１０に示す加工サイズを設定して１回で照射される。加工可能なサイズは欠陥修正装置の仕様等によって異なる。
◆Zapオブジェクト◆
・矩形の中心座標：（StartPosX, StartPosY）
・加工サイズ：SlitSizeX 、SlitSizeY
・回転角度： SlitAngle

図１１Ａは、ZapLineオブジェクトの例を示す図であり、図１１Ｂは、レーザ光照射時の説明に供する図である。
ZapLineオブジェクト２１０は、「開始点２１１Ｓ（開始座標）」と「終了点２２１Ｅ（終了座標）」、「移動時の加工サイズ２１１（１ショットの照射サイズ）」、オブジェクトの中心座標における「回転角度２１３」で構成されている欠陥修正手法である。Zapオブジェクト２０１と同様、主に配線の断線に用いられる。図１１Ｂに示すように、ZapLineオブジェクト２１０では、加工サイズ２１１での繰り返し処理が行われる。
◆ZapLineオブジェクト◆
・開始座標：（StartPosX, StartPosY）
・終了座標：（EndPosX, EndPosY）
・加工サイズ：SlitSizeX 、SlitSizeY
・回転角度： SlitAngle

ZapLineオブジェクトのZapオブジェクトと異なる点は、図１１Ｂのように開始座標から終了座標まで照射サイズを保持しながらレーザ光を順次移動させつつ照射していくという点であり、実際にレーザ光が照射される範囲は次のように求められる。
・処理範囲矩形の中心座標（Xct,Yct）：Xct＝（StartPosX+ EndPosX）/2
Yct＝（StartPosY+ EndtPosY）/2
・StartPosからEndPosの距離：
dist＝√ ((StartPosX-EndPosX) ²+(StartPosY-EndPosY)²)
・処理が行われる加工範囲矩形の開始座標（Xst,Yst）：Xst＝Xct−SlitSizeX/2
Yst＝Yct -(dist+SlitSizeY）/2
・処理が行われる加工範囲矩形の終了座標（Xed,Yed）：Xed＝Xct +SlitSizeX/2
Yed＝Yct＋(dist+SlitSizeY）/2

ZapLineオブジェクトは、照射サイズ（SlitSizeX、SlitSizeY）に関しては欠陥修正装置で加工可能な大きさでなければならないが、開始座標から終了座標までの距離は任意に指定が可能である。それゆえ、Zapオブジェクトよりも加工サイズが大きい（長い）ものの処理を行うのに適している。ただし、一度の加工サイズが小さいものに対してはZapオブジェクトよりも処理時間がかかる。ZapオブジェクトとZapLineオブジェクトは、加工サイズや処理内容によって切り替えることが望ましい。

例えば、実際の加工サイズより大きいサイズでテンプレートを登録しておき、後から再分割する。すなわち、修正対象のサイズがこの最小単位の加工サイズを超えたら、修正対象のサイズを分割し、その一つの分割サイズに対し最小単位の加工サイズを繰り返し適用できるように最適化してもよい。

Zapオブジェクト及びZapLineオブジェクトは、それぞれに回転座標を持ち、加工範囲矩形の中心点２０２を中心にして任意の角度に回転させることが可能である。図１２は、Zapオブジェクト２０１上の任意の座標の回転前後における位置関係を示したものである。
矩形の中心座標、開始座標、終了座標をそれぞれ（Xct,Yct）、（Xst,Yst）、（Xed,Yed）としたとき、中心座標（Xct,Yct）が反時計回りにθ回転したときの加工範囲矩形内の任意の点（X,Y）の移動後の座標（RX,RY）は
・RX = (X- Xct) * cos(θ) - (Y-Yct) * sin(θ) + Xct
・RY = (X- Xct) * sin(θ) + (Y-Yct) * cos(θ) + Yct
で求められる。

上述したZapオブジェクト及びZapLineオブジェクトともに加工サイズがレーザ光照射可能な範囲を超えている場合、欠陥修正装置に動作の不具合が起こる。以下、不適切な加工サイズのZapオブジェクトを配置したテンプレートにより生じ得る不具合を説明する。

図１３は、不適切な加工サイズのZapオブジェクトを配置したテンプレートの例である。図１３の画像７０では、２つの不具合となる可能性を例示している。
第１に、破線２２１である。破線２２１は、Zapオブジェクトの加工幅SlitSizeX（又は加工高さSlitSizeY）が０μｍで登録されていて、実際にはテンプレートに描画されないもしくは非常に細く描画されるZapオブジェクトが存在することを示している。このようなZapオブジェクトは、テンプレートの登録時に目視チェックでは判定できず、登録ミスを見落とす可能性がある。そして、実際の欠陥修正時の動作において、０μｍを加工サイズに設定したことで欠陥修正装置が不具合を起こしたり、レーザ光を照射可能な最小加工サイズで照射するなどの予期せぬ加工を行ったりする可能性がある。また、０μｍではなくても最小加工サイズよりも小さいサイズでZapオブジェクトに登録されていると、実際の加工は最小加工サイズで処理されるため、予期せぬ領域にレーザ光を照射してしまうことになる。少なくともこの破線２２１の位置にレーザヘッドが移動してしまう。

第２に、欠陥修正装置が処理可能なサイズよりも大きいZapオブジェクトが登録されていて、実際の欠陥修正は処理可能な最大加工サイズで処理される場合である。すなわち、図１３に示すように、Zapオブジェクト２２０の加工高さSlitSizeYが欠陥修正装置の処理可能な最大加工サイズZapHMaxよりも大きいときである。このような場合、登録されたZapオブジェクトの範囲すべてが処理されず、未処理で残る範囲が出てくる。

これらの問題を解決するためには、欠陥修正装置の最小加工サイズよりも小さいZapオブジェクトは最小加工サイズに、欠陥修正装置の最大加工サイズよりも大きいZapオブジェクトは最大加工サイズに、それぞれの表示サイズを自動で調整して表示する。すなわち、図１４に示すように、実際の加工時にどのような処理を行うかを表示して、視覚的に登録ミスや実際の加工領域がわかるようにすることが有効である。

図１４の例では、図１３の破線２２１で示された箇所にZapオブジェクト２２１Ａを表示している。このように最小加工サイズで処理されたときの領域を表示することで、実際に予期せぬ箇所を断線することが事前にわかる。

また、図１３のZapオブジェクト２２０を最大加工サイズに変更したZapオブジェクト２２０Ａを表示する。このように最大加工サイズで処理されたときの領域を表示することによって、実際に加工が行われる範囲と加工できずに未処理で残る範囲（未処理部２２２Ｕ，２２２Ｄ）が視覚的にわかる。なお図１４の例では、ユーザが視認しやすいように破線で表示しているが必ずしも表示しなくてよい。

さらに、Zapオブジェクト２２０（図１３参照）のように最大加工サイズよりも大きいZapオブジェクトが検出されたときには、図１５のようにZapLineオブジェクト２２５に切り替えることも有効である。
このように、最大加工サイズよりも大きいZapオブジェクトが検出されたときZapLineオブジェクトに切り替えることにより、最大加工サイズを超えて登録されている領域すべてに対する加工が可能になる。

ZapオブジェクトからZapLineオブジェクトへの切り替えは次のように行う。
Zapオブジェクトの中心座標StartPosXYを（Xct,Yct）、加工サイズ（SlitSizeX、SlitSizeY）を（ZapSizeX、ZapSizeY）とする。また、ZapLineオブジェクトの加工サイズ（SlitSizeX、SlitSizeY）を（ZapLineSizeX、ZapLineSizeY）とする。このとき、ZapLineオブジェクトの開始座標（StartPosX, StartPosY）と終了座標（EndPosX, EndPosY）は、以下のように表される。
・開始座標（StartPosX, StartPosY）：StartPosX＝Xct−ZapSizeX/2+ZapLineSizeX/2
StartPosY＝Yct -ZapSizeY/2+ZapLineSizeY/2
・終了座標（EndPosX, EndPosY）： EndPosX ＝Xct + ZapSizeX/2-ZapLineSizeX/2
EndPosY＝Yct＋ZapSizeY/2-ZapLineSizeY/2

ここで、ZapLineオブジェクトの加工サイズ（ZapLineSizeX、ZapLineSizeY）は欠陥修正装置が加工可能なサイズ（ZapWMin、ZapHMin）〜（ZapWMax、ZapHMax）の範囲内で設定することが可能である。
Zapオブジェクトの加工サイズをそのまま引き継いで、加工可能な範囲から外れるものに関して加工可能なサイズの最大サイズ又は最小サイズに修正する、あるいは加工サイズを任意の値で固定するなどの手法が上げられる。通常はZapオブジェクトの加工サイズSlitSizeXが加工範囲内であればそのままの値をZapLineオブジェクトの加工サイズSlitSizeXに設定する。また、加工領域が可変となるZapLineオブジェクトの加工サイズSlitSizeYに関しては最適なサイズを任意で設定する、あるいはSlitSizeX/2の値で設定する等の処理を行う。

また、欠陥修正装置がZapLineオブジェクトのような単位加工サイズで連続して処理を行う追従型の欠陥修正に対応していない場合は、Zapオブジェクトを欠陥修正可能なサイズに分割することが有効である。この場合、欠陥修正の実行時において連続して実行するZapオブジェクトの加工サイズと角度が同じだと、加工サイズの設定を繰り返し行う必要がなくなるため、処理時間の短縮になる。

しかし、加工領域同士が近接していると、欠陥修正装置の加工精度によっては近接している領域の間にレーザ光が照射されずに配線が完全に断線されない可能性がある。したがって、良好な導通を形成するためには一定の十分なオーバーラップ量をとることが必要となる。とはいえ、必要以上にオーバーラップ量をとることは基板に数回レーザ光を照射する領域が増えることになり好ましいとは言えない。オーバーラップ量は欠陥修正装置で対応し得るレーザ加工精度の誤差を考慮した最小のサイズであることが望ましい。最適値は材料によっても変わるが、本例では、経験則から１〜２μｍが好ましい。

図１６Ａは、分割前のZapオブジェクトの例、図１６Ｂは、分割後のZapオブジェクトの例を示す図である。図１６Ａは、中心座標２３０Ｓを持つZapオブジェクト２３０のＹ方向（高さ方向）の加工サイズが欠陥修正装置の処理可能な高さ方向のサイズZapHMaxよりも大きい例である。図１６Ｂは、Zapオブジェクト２３０のＹ方向（高さ方向）の加工サイズを分割した例である。この例では、オーバーラップ量を考慮しつつ、同じサイズ、角度の３つのZapオブジェクト２３１，２３２，２３３に分割している。

分割前Zapオブジェクトの高さ方向サイズを「SlitSizeY」、加工可能な高さ方向最大サイズを「ZapHMax」、オーバーラップ量を「overlap」、分割後のZapオブジェクトの高さ方向サイズを「SplitLen」、Zapオブジェクトの分割数を「SplitNum」とする。分割後のZapオブジェクト２３１〜２３３のそれぞれの高さ方向のサイズSplitLenは次の分割式で求められる。
・高さ方向サイズSplitLen = (SlitSizeY + (SplitNum - 1) * overlap) /SplitNum
故に、SplitLen < ZapHMaxを満たす最小のSplitNumが分割可能な最小の処理回数となる。

図１６Ａ，Ｂの例で、SlitSizeY = 80μm、ZapHMax = 30μm、overlap = 2μmとしたとき処理回数が最小となるSplitNumは3となり、その加工サイズの高さ方向は
SplitLen = (80 + (SplitNum - 1) *2) /SplitNum
= (80 + (3 - 1) * 2) / 3
= 28μm
というように求められる。

Zapオブジェクト２３１〜２３３のそれぞれの中心座標２３１Ｓ，２３２Ｓ，２３３Ｓと各高さ方向のサイズSplitLenは次のように求められる。
・分割前のスリットサイズ：SlitSizeX、SlitSizeY
・分割前のオブジェクトの中心座標：（StartPosX, StartPosY）
・分割後のZapオブジェクトの新しいスリットサイズ：
NewSlitX = SlitSizeX、NewSlitY = SplitLen
としたとき、
分割前のZapオブジェクト２３０の分割方向の最小値となる座標Xmin、Yminは
・Xmin = StartPosX
・Ymin = StartPosY - SlitSizeY/ 2
Zapオブジェクト２３０の分割方向の最大値となる座標Xmax、Ymaxは
・Xmax = StartPosX
・Ymax = StartPosY + SlitSizeY/ 2
である。

分割後のZapオブジェクト２３１の中心座標２３１Ｓ（StartPos1X, StartPos1Y）は
・StartPos1X = Xmin
・StartPos1Y = Ymin + (SplitLen / 2.0)
である。
さらに回転角度ｒを考慮すると、
・Rad1X = StartPos1X - StartPosX
・Rad1Y = StartPos1Y - StartPosY
・StartPos1X = Rad1X * cos(r) - Rad1Y * sin(r) + StartPosX
・StartPos1Y = Rad1X * sin(r) + Rad1Y * cos(r) + StartPosY
となる。

分割後のZapオブジェクト２３２の中心座標２３２Ｓ（StartPos2X, StartPos2Y）は
・StartPos2X = Xmin
・StartPos2Y = StartPos1Y + SplitLen - overlap + SplitLen/2
である。
さらに回転角度ｒを考慮すると、
・Rad2X = StartPos2X - StartPosX
・Rad2Y = StartPos2Y - StartPosY
・StartPos2X = Rad2X * cos(r) - Rad2Y * sin(r) + StartPosX
・StartPos2Y = Rad2X * sin(r) + Rad2Y * cos(r) + StartPosY
となる。

分割後のZapオブジェクト２３３の中心座標２３３Ｓ（StartPos3X, StartPos3Y）は
・StartPos3X = Xmin
・StartPos3Y = StartPos2Y + SplitLen - overlap + SplitLen/2
もしくは
・StartPos3Y = Ymax - (SplitLen / 2.0)
である。
さらに回転角度ｒを考慮すると、
・Rad3X = StartPos3X - StartPosX
・Rad3Y = StartPos3Y - StartPosY
・StartPos3X = Rad3X * cos(r) - Rad3Y * sin(r) + StartPosX
・StartPos3Y = Rad3X * sin(r) + Rad3Y * cos(r) + StartPosY
となる。
同様に、ZapオブジェクトのX方向の加工サイズが、欠陥修正装置の処理可能な幅さ方向のサイズよりも大きい場合は、X方向の座標に対して同様の分割を行えばよい。

［CVDオブジェクトの例］
図１７は、CVDオブジェクトの例を示す図である。
CVDオブジェクトは、ＣＶＤレーザ法により製膜を行う欠陥修正手法（オブジェクト）であり、“コンタクトホール生成部”と“製膜部”に分けられる。図１７のCVDオブジェクトでは、まずコンタクトホール生成部２４０ｃ１，２４０ｃ２により基板上部を覆う薄膜を除去するために２箇所（コンタクトホール生成座標１、２）のコンタクトホールを生成する。そして、製膜部２４０により生成した２つのコンタクトホールの座標を開始点２４１と終了点２４２として製膜を行い繋ぐといった工程を想定している。回転角度２４３は、製膜開始座標を中心とした回転角度を表示するものである。
◆CVDオブジェクト◆
−コンタクトホール生成部−
・コンタクトホール生成座標１：（ContactPos1X, ContactPos1Y）
・コンタクトホール生成座標２：（ContactPos2X, ContactPos2Y）
・コンタクトホールサイズ：ContactSizeX 、ContactSizeY
−製膜部−
・製膜開始座標：（CVDStartX, CVDStartY）
・製膜終了座標：（CVDEndX, CVDEndY）
・処理サイズ：CVDSizeX 、CVDSizeY
・製膜開始座標を中心とした回転角度：SlitAngle

レーザ光が照射される領域は、ZapLineオブジェクト（図１１参照）と同じように所定の処理サイズ（CVDSizeX、CVDSizeY）で開始点２４１（CVDStartX, CVDStartY）から終了点２４２（CVDEndX, CVDEndY）まで移動した領域である。その前工程として２つのコンタクトホールを生成するための、コンタクトホール生成座標１（ContactPos1X, ContactPos1Y）、コンタクトホール生成座標２（ContactPos2X, ContactPos2Y）、コンタクトホールサイズ（ContactSizeXY）のパラメータが設定される。

なお、通常は製膜の開始座標と終了座標はコンタクトホール生成座標１，２と等しくなる。つまり、
・ContactPos1X = CVDStartX
・ContactPos1Y = CVDStartY
・ContactPos2X = CVDEndX
・ContactPos2Y = CVDEndY
である。

さらに、CVDオブジェクトは、ZapオブジェクトやZapLineオブジェクトとは異なり、他の製膜箇所や薄膜がない領域を任意に繋ぐようなときに用いられる、コンタクトホールを持たないCVDオブジェクト及び片方しかないCVDオブジェクトがある。図１８ＡのCVDオブジェクトでは、コンタクトホールを生成せずに、製膜部２５０に沿って製膜開始座標から終了座標（図示略）まで一定の処理サイズで製膜を行う。図１８ＢのCVDオブジェクトでは、コンタクトホール生成部２６０ｃ１によりコンタクトホールを一つ生成した後、製膜部２６０に沿って製膜開始座標から終了座標（図示略）まで一定の処理サイズで製膜を行う。

ところで、製膜開始座標と終了座標の間に他のCVDオブジェクトや薄膜がない領域、あるいは異物やレーザ光の照射によって特性が変化してしまうような領域などが存在していると、不具合が発生する可能性がある。例えば、予期せぬ箇所を導通する、回路の性能が変化する、設計値を超える厚みが出て後の工程に影響を与える、異物が取り除かれて断線されてしまうといったことが起こってしまう。そこで、そういった不具合を回避するためにレーザ光を照射させたくない部分を迂回させるためのCVDオブジェクトが必要になる。

図１９Ａ，Ｂに、CVDオブジェクトの開始座標と終了座標との中心座標の他に通過地点を持つCVDオブジェクトを示す。図１９Ａは通過地点が１箇所のCVDオブジェクトの例、図１９Ｂは通過地点が２箇所のCVDオブジェクトの例である。
図１９ＡのCVDオブジェクトは、コンタクトホール生成部２７０ｃ１，２７０ｃ２及び鉤状の製膜部２７０からなる。そして、製膜の開始点２７１、終了点２７３、中継地点２７２、回転角度２７４が設定されて矩形のレーザ光非照射領域２７０Ｘを迂回している。
図１９ＢのCVDオブジェクトは、コンタクトホール生成部２８０ｃ１，２８０ｃ２及びコの字状の製膜部２８０からなる。そして、製膜の開始点２８１、終了点２８４、２つの中継地点２８２，２８３、回転角度２８５が設定されて、矩形のレーザ光非照射領域２８０Ｘを迂回している。

一つのCVDオブジェクトが持つ通過地点の数がＮ個（Ｎは自然数）のとき、通過地点の座標を以下のように表す。
１番目の通過地点の座標：（CVDTurn1X, CVDTurn1Y）
：
：
Ｎ番目の通過地点の座標：（CVDTurnNX, CVDTurnNY）

図１８Ａ，Ｂで示した通過地点を持たないCVDオブジェクトを組み合わせても図１９Ａ，Ｂの例と同等の処理は可能であるが、必要なCVDオブジェクトの数が増加し、レーザ光の照射経路が分断される。レーザ光の照射経路は分断しないほうが製膜後の配線抵抗の品質が良い、加工処理時間が短い等の利点があり、また分断させたことによって製膜部が導通しない等のトラブルが起こる可能性がなくなる。したがって、特定の領域を迂回させるときはできる限り少ない製膜処理で欠陥修正をすることが望ましい。一度の製膜で任意の配線が完了できないような配線パターンの場合、通過地点を持つCVDオブジェクトも図１８Ａのようなコンタクトホール生成部を持たないもの、もしくは図１８Ｂのような片方しか持たないオブジェクトを適用することが想定される。あるいはコンタクトホール生成部を持たないCVDオブジェクト（図示略）があってもよい。

図２０Ａは、配線パターンの一例であり、斜線部で示した領域２９１，２９２，２９３をすべて導通させることを想定する。この場合、図２０Ｂのように、コンタクトホール生成部２８０ｃ１，２８０ｃ２及び製膜部２８０からなるCVDオブジェクトと、コンタクトホール生成部２９５ｃ１及び製膜部２９５からなるCVDオブジェクトを組み合わせて適用することが考えられる。また別の方法として、製膜部２９５の距離を短くし、その短くした部分にコンタクトホール生成部を持たない製膜部２９６のみのCVDオブジェクトを用いて製膜することも考えられる。

製膜を伴う欠陥修正では断線よりも厳しい加工精度が要求される。ある欠陥修正装置では最適であったテンプレートのオブジェクトのサイズが、他の欠陥修正装置には適していないということがある。それゆえ、レーザ光の照射が可能な領域であることはもとより、その欠陥修正装置が最適とするコンタクトホールの加工サイズや製膜時の加工幅に沿って欠陥修正を行う必要がある。

図２１に、欠陥修正装置が加工可能なサイズを超えている、あるいは適切なサイズではないCVDオブジェクトを配置したために不具合が起こるようなテンプレートの例を示す。
図２１の例では、画像７０左側に配置されたCVDオブジェクト（コンタクトホール生成部３００ｃ１，３００ｃ２、製膜部３００）が適切な加工サイズよりも小さい。このようなCVDオブジェクトの場合、薄膜の除去や製膜に十分なレーザ光の照射が行われず、コンタクトホールの生成がなされない、配線が細いために配線抵抗が大きくなって導通できていない、などの不具合が起こる。
また、画像７０中央のCVDオブジェクト（コンタクトホール生成部３０５ｃ１，３０５ｃ２、製膜部３０５）が適切な加工サイズを越えている。このようなCVDオブジェクトの場合、異なるレイヤ又は回路上の予期せぬ場所に不適切なレーザ光の照射が行われ、その結果、回路や他の欠陥修正に影響を与えてしまう。この例では、例えば隣のサブエリアの電位供給配線４３Ｂ等に対し、薄膜除去、製膜を行ってしまう、あるいは電位供給配線４３ＧのZapオブジェクト３０３，３０４により断線した部分に製膜を行い再度導通させてしまう、などの不具合が発生する。

特に、画像７０左側のCVDオブジェクトのようにテンプレートを目視しただけでは回路に影響を与えるように見えないような不具合は、テンプレート登録の時点では想定されない。そのため加工可能なサイズではなく、欠陥修正装置での最適なサイズの設定が個別に必要になることもある。また、CVDオブジェクトがコンタクトホールの生成、製膜に問題がないサイズであっても、欠陥修正を行う基板の配線間の幅が非常に狭い等、回路の形状や形態によって不具合が起こる場合も想定される。それゆえ基板の品種ごとにも最適な加工サイズは変わってくる。

図２２Ａ，Ｂはそれぞれ図２１に示した最適な加工サイズから外れたCVDオブジェクトを示している。図２３Ａ，Ｂはそれぞれ図２２Ａ，ＢのCVDオブジェクトの加工サイズを修正した後のCVDオブジェクトを示している。
図２３ＡのCVDオブジェクト（コンタクトホール生成部３００Ａｃ１，３００Ａｃ２、製膜部３００Ａ）は、図２２ＡのCVDオブジェクトの加工サイズを、欠陥修正装置が最適とするサイズとなるよう大きなサイズへ変換されている。また、図２３ＢのCVDオブジェクト（コンタクトホール生成部３０５Ａｃ１，３０５Ａｃ２、製膜部３０５Ａ）は、図２２ＢのCVDオブジェクトの加工サイズを、欠陥修正装置が最適とするサイズとなるよう小さなサイズへ変換されている。

−サイズ変換−
・最適とする高さ方向のコンタクトホール生成サイズ →ContactSizeY
・最適とする幅方向のコンタクトホール生成サイズ →ContactSizeX
・最適とする高さ方向のCVD加工サイズ →CVDSizeY
・最適とする幅方向のCVD加工サイズ →CVDSizeX

CVDオブジェクトの加工サイズの最適化は、まず欠陥修正装置や基板ごとに最適な加工サイズとは限らない任意のパラメータを取得し、最適とされる基準値へ変換すればよい。このサイズの最適化の前後でコンタクトホールの生成座標やCVDの経路となる座標は変化しない。

なお、最適な加工サイズから外れたCVDオブジェクトを修正する手順として、２つのアプローチがある。第１に、テンプレートに最適でないオブジェクトが含まれるとき、加工サイズ修正部１５３が配線パターンやレイヤ構造などに基づいて自動で判断して修正する方法である。第２に、欠陥修正装置のシステム全体の最適値が変更されたとき、最適値の変更分に基づいて加工サイズを一括で修正する方法である。

図２４に、図２１のテンプレート内の各CVDオブジェクトを最適化したCVDオブジェクト（図２３Ａ，Ｂ参照）の例を示す。
画像７０左側のCVDオブジェクト（コンタクトホール生成部３００Ａｃ１，３００Ａｃ２、製膜部３００Ａ）が最適な加工サイズになったため、欠陥修正が適切に行われるようになる。また画像７０中央のCVDオブジェクト（コンタクトホール生成部３０５Ａｃ１，３０５Ａｃ２、製膜部３０５Ａ）も最適な加工サイズになったため、他の箇所の回路や欠陥修正への影響がなくなる。Zapオブジェクト３０３，３０４により断線した部分にも影響はない。

CVDオブジェクトの最適化では、コンタクトホールの生成座標やCVDの経路となる座標は変化せず、最適な加工サイズがわかっていれば、Zapオブジェクトよりは比較的容易に最適化を行うことができる。

［CVDオブジェクトの重ね合わせの例］
ところで、オブジェクトを最適化したためにかえって不具合を発生させる場合もある。以下、CVDオブジェクトを最適な加工サイズに修正したために不具合が起こってしまう例を説明する。

図２５Ａは２つのCVDオブジェクト（コンタクトホール生成部３１０ｃ１，３１０ｃ２、製膜部３１０）（コンタクトホール生成部３１３ｃ１、製膜部３１３）の最適化前の例である。図２５Ｂは２つのCVDオブジェクト（コンタクトホール生成部３１０Ａｃ１，３１０Ａｃ２、製膜部３１０Ａ）（コンタクトホール生成部３１３Ａｃ１、製膜部３１３Ａ）の最適化後の例を示している。
図２５Ａの例では、製膜部３１０と製膜部３１３の領域を一部重ねて導通させている。一方、図２５Ｂの例では、加工サイズを小さくしたことにより、導通していた部分が離れてしまっている。これは、欠陥修正装置の最適な加工サイズがテンプレートのCVD幅よりも狭いため、最適な加工サイズに変更してみると重なっていた領域が離れてしまうためである。

このような不具合を解消するには、テンプレートに登録されているCVD加工領域が複数重なっている場合に、CVDオブジェクトの加工経路（「通過ライン」ともいう）となる座標を修正することが有効である。以下、加工経路の最適化について説明する。

[通過地点を持たない場合の例]
[回転していない例]
図２６Ａ，ＢはCVDオブジェクトの加工領域の算出方法を示す図であり、ＡはCVDオブジェクトが回転していない場合、ＢはCVDオブジェクトが回転している場合を示している。
まずテンプレートに登録されているCVDオブジェクトの加工領域を算出する。通過座標を持たない場合は図２６ＡのようにしてCVDオブジェクトの加工領域（矩形）の算出が可能である。図２６ＡのCVDオブジェクトはコンタクトホール生成部３２０ｃ１，３２０ｃ２、製膜部３２０からなる。

図２６Ａにおいて、CVD領域の加工領域となる矩形に対し、中心点３２２の座標を（Xct,Yct）とすると
・Xct＝（CVDStartX + CVDEndX）/2
・Yct＝（CVDStartY + CVDEndY）/2
となる。
また、開始点３２１（CVDStartX, CVDStartY）から終了点３２３（CVDEndX, CVDEndY）の距離をdistとしたとき、
・dist=√ ((CVDStartX-CVDEndX) ² + (CVDStartY-CVDEndY) ²)
である。
また、矩形の４つの頂点をそれぞれ３２０ｔ１（Xst,Yst）、３２０ｔ２（Xed,Yst）、３２０ｔ３（Xed,Yed）、３２０ｔ４（Xst,Yed）とすると、開始座標（Xst,Yst）及び終了座標（Xst,Yed）は
Xst＝Xct - CVDSizeX/2、Yst＝Yct - (dist + CVDSizeY）/2
Xed＝Xct + CVDSizeX/2、Yed＝Yst + (dist + CVDSizeY）/2
と表すことができる。

[回転している例]
図２６Ｂにおいて、CVDオブジェクト（製膜部３２０）が回転しているときは、中心点３２２の座標（Xct、Yct）と開始点３２１Ｒの座標（CVDStartX, CVDStartY）、終了点３２３Ｒの座標（CVDEndX, CVDEndY）、回転角度（SlitAngle）から、中心点３２２を中心に回転角度（-SlitAngle）だけ逆回転させたときの開始点３２１の座標（CVDStartX, CVDStartY）と終了点３２３の座標（CVDEndX, CVDEndY）を求めることによって、回転が０°のときの製膜部３２０の矩形座標が算出できる。その後、開始座標、終了座標を元の座標値に再度変換するときに、図２６Ａで取得した矩形の四つの頂点３２０ｔ１〜３２０ｔ４までの座標に対しても同様の座標変換を行う。

コンタクトホールの領域まで厳密に取得するときも同様で、先に中心点３２２の座標に対して角度を０°に変換したコンタクトホール生成座標１（ContactPos1X, ContactPos1Y）、コンタクトホール生成座標２（ContactPos2X, ContactPo2Y）を中心としたコンタクトホール生成部３２０ｃ１,３２０ｃ２の領域のサイズを求めてから、再度回転後の座標を取得する。コンタクトホール生成部について必要であれば図１７を参照されたい。

なお、SlitAngle＝θとしたとき、製膜部３２０の開始点３２１（CVDStartX, CVDStartY）を中心にθ度回転したときの製膜部３２０の矩形内の任意の点（X,Y）の移動後の座標（RX,RY）は
・RX = (X- Xct) * cos(θ) - (Y-Yct) * sin(θ) + Xct
・RY = (X- Xct) * sin(θ) + (Y-Yct) * cos(θ) + Yct
と表される。

[通過地点を持つ場合の例]
CVDオブジェクトは通過地点を複数持つ場合があるので、そのようなCVDオブジェクトの加工領域を取得するときは、通過地点（迂回回数）をＮとして、CVDオブジェクトの領域をＮ＋１の矩形領域に分割する。

図２７は、コの字状のCVDオブジェクトを３つの矩形領域に分割した例である。
図２７の例では、CVDオブジェクトは、コンタクトホール生成部３４０ｃ１，３４０ｃ２、製膜部３４０から構成されている。この製膜部３４０を、３つの矩形３４０−１，３４０−２，３４０−３に分割する。第１の矩形３４０−１は、開始点３４１から通過地点３４３までで中心点３４２を持つ。第２の矩形３４０−２は、通過地点３４３から通過地点３４５までで中心点３４４を持つ。第３の矩形３４０−３は、通過地点３４５から終了点３４７までで中心点３４６を持つ。

第１の矩形３４０−１の中心点３４２の座標（Xct,Yct）は、開始点３４１の座標を（CVDStartX, CVDStartY）、通過地点３４３の座標（CVDTurn1X, CVDTurn1Y）としたとき
・Xct＝（CVDStartX + CVDTurn1X）/2
・Yct＝（CVDStartY + CVDTurn1Y）/2
となる。
また、通過地点３４３を第１の矩形３４０−１の終了点（CVDEndX, CVDEndY）としたとき、開始点３４１から終了点までの距離distは
・dist=√((CVDStartX-CVDTurn1X) ²+(CVDStartY - CVDTurn1Y) ²)
である。

第２の矩形３４０−２の中心点３４４の座標（Xct,Yct）は、通過地点３４３の座標（CVDTurn1X, CVDTurn1Y）、及び通過地点３４５の座標（CVDTurn2X, CVDTurn2Y）から
・Xct＝（CVDTurn1X + CVDTurn2X）/2
・Yct＝（CVDTurn1Y + CVDTurn2Y）/2
となる。
また、通過地点３４５を第２の矩形３４０−２の終了点（CVDEndX, CVDEndY）としたとき、通過地点３４３から終了点までの距離distは
・dist=√ ((CVDTurn1X -CVDTurn2X) ²+( CVDTurn1Y -CVDTurn2X) ²)
である。

第３の矩形３４０−３の中心点３４６の座標（Xct,Yct）は、通過地点３４５の座標（CVDTurn2X, CVDTurn2Y）、及び終了点３４７の座標（CVDEndX, CVDEndY）から
・Xct＝（CVDTurn2X + CVDEndX）/2
・Yct＝（CVDTurn2X + CVDEndY）/2
となる。
また、通過地点３４５から終了点３４７までの距離distは
・dist=√ ((CVDTurn2X -CVDEndX) ²+( CVDTurn2X -CVDEndY) ²)
である。

それぞれの通過ラインの中心点の座標を取得した後で、角度が付いているとき（第１通過地点（Xa,Ya）から第２通過地点（Xb,Yb）までのラインにおいて、Xa≠Xb∧Ya≠Ybが成り立つとき）はその通過ラインに対して座標変換をする。
回転角度θは
・θ＝Tan^-1(Yct/Xct)
で求められ、図２６Ｂと同様に（Xct,Yct）を中心にθで逆回転させて回転角度を０°にしたときの開始点のX,Y座標（CVDStart、CVDEnd）を取得する。そして、変換後の座標においてCVD加工領域（製膜部）となる矩形の４つの頂点を取得し、再度座標変換を行い、本来の開始点の座標（CVDStart、CVDEnd）を持つ加工領域の矩形を求める。

テンプレート内のCVDオブジェクトの加工領域をすべて求めたら、複数のCVDオブジェクトにおいて異なる加工領域が重なる場合、そのテンプレートのCVDオブジェクトはCVD処理によって複数の箇所を導通させる意図で登録されていることとなる。具体的には、２つのうち一方のCVDオブジェクトの矩形の頂点（TopLeft、TopRight、BottomLeft、BottomRightの４点の座標）のいずれかが、他方のCVDオブジェクトの加工領域内に存在しているときは重なっているとみなされる。

図２８は、２つのCVDオブジェクトのそれぞれについて分割矩形を算出する場合の例を示している。
図２８の例において、第１のCVDオブジェクトを構成するコの字状の製膜部３４０（オブジェクトＡ）を、図２７に示したように３つの矩形３４０−１，３４０−２，３４０−３の領域に分割する。第１の矩形３４０−１は、開始点３４１から通過地点３４３までで中心点３４２を持つ。第２の矩形３４０−２は、通過地点３４３から通過地点３４５までで中心点３４４を持つ。第３の矩形３４０−３は、通過地点３４５から終了点３４７までで中心点３４６を持つ。この例では、第３の矩形３４０−３は、４つの頂点３４０ｔ１（TopLeftA），３４０ｔ２（TopRightA），３４０ｔ３（BottomRightA），３４０ｔ４（BottomLeftA）で形成されている。

第２のCVDオブジェクトは、コンタクトホール生成部３５０ｃ１と鉤状の製膜部３５０（オブジェクトＢ）から構成されている。製膜部３５０を、２つの矩形３５０−１，３５０−２の領域に分割する。第１の矩形３５０−１は、開始点から通過地点まで、第２の矩形３５０−２は、通過地点から終了点までとする。この例では、第１の矩形３５０−１は、４つの頂点３５０ｔ１（TopLeftB），３５０ｔ２（TopRightB），３５０ｔ３（BottomRightB），３５０ｔ４（BottomLeftB）で形成されている。

製膜部３５０（オブジェクトＢ）の矩形の頂点３５０ｔ１（TopLeftB），３５０ｔ２（TopRightB）の座標のいずれかが次式の関係となる座標X,Yを満たせば、オブジェクトＢは製膜部３４０（オブジェクトＡ）の領域内にあることになる。
・(TopLeftA.X < X)∧(TopRightA.X > X)∧(BottomLeftA.X < X)∧(BottomRightA.X > X)
∧(TopLeftA.Y < Y)∧(TopRightA.Y < Y)∧(BottomLeftA.Y > Y)∧(BottomRightA.Y > Y)

図２８より、製膜部３５０（オブジェクトＢ）の矩形の頂点３５０ｔ１（TopLeftB），３５０ｔ２（TopRightB）の座標は共に上記式を満たす。ゆえに、製膜部３５０（オブジェクトＢ）は、製膜部３４０（オブジェクトＡ）の４つの頂点３４０ｔ１〜３４０ｔ４（TopLeftA、TopRightA、BottomLeftA、BottomRightA）から形成される第３の矩形３４０−３の領域内にあるとみなすことができる。

加工領域が重なるとみなされる製膜部３４０と製膜部３５０のそれぞれのCVD通過ラインは、図２９Ａに示すようになる。
図２９Ａの例では、製膜部３５０（オブジェクトＢ）の第１の矩形３５０−１の頂点３５０ｔ１（TopLeftB）及び頂点３５０ｔ２（TopRightB）に一番近い通過ラインの開始点（もしくは終了点）である製膜部３５０の開始点３５１（CVDStart、CVDEnd）は、製膜部３４０（オブジェクトＡ）の通過地点３４５と終了点３５７を結ぶ直線（通過ライン）に交わっていない。それゆえ、テンプレートのCVDの処理サイズを最適化するにあたり、最適化後のCVDの処理幅が元のCVDの処理幅よりも小さくなる場合に図２５Ｂのような不具合が起こる。

この不具合を解消するには、図２９Ｂに示すように製膜部３５０の開始点３５１の座標を、製膜部３４０の通過地点３４５（CVDTurn2X, CVDTurn2Y）と終了点３４７（CVDEndX, CVDEndY）を結ぶ直線（通過ライン）に対する交点となる座標へ修正すればよい。

なお、開始点もしくは終了点の座標を修正可能なCVDオブジェクトの条件として、移動前後のCVDオブジェクトの差分をとったときにその変化量が少ない方を優先的に移動させるものとし、開始点、終了点、通過地点のいずれかの座標を変更するものとする。したがって、図２９Ｂの例では移動させる座標は製膜部３５０の開始点３５１となる。

図３０Ａに、製膜部３５０の開始点３５１を、導通させるCVDオブジェクト（製膜部３４０）の通過ラインの交点に修正した後の製膜部３５０Ａ及びその開始点３５１Ａを示す。このようにCVDオブジェクトを最適化することにより、図３０ＢのようにCVD加工サイズをさらに最適化して小さくしても、通過ライン上の開始点３５１ＡからCVD処理を開始するので最適化後の２つのCVDオブジェクト（製膜部３４０Ａ及び製膜部３５０Ｂ）が常に重なり不具合は発生しない。

図２５Ｂのように離れているCVDオブジェクト（製膜部）を検出したら、接続されるまでCVDオブジェクト（製膜部）のサイズを延長して修正するようにする。

次に、図２５Ａ，Ｂの例とは逆に、欠陥修正装置の最適な加工サイズがテンプレートのCVDオブジェクトの加工幅よりも広い場合に発生する不具合を説明する。
図３１Ａは最適化前の２つのCVDオブジェクトの例であり、図３１Ｂは最適化後の２つのCVDオブジェクトの例である。図３１Ａの例では、２つの製膜部３６０と製膜部３７０が独立して離れた位置に配置されている。一方、図３１Ｂの例では、欠陥修正装置の最適な加工サイズがテンプレートのCVDオブジェクトの加工幅よりも広いため、加工サイズを変更して加工幅を大きくしたことにより、製膜部３６０Ａと製膜部３７０Ａが重なって配線がショートしている。

このような欠陥修正装置に依存するサイズ調整後の不具合はテンプレートを作成する時点では確定できないため、サイズを最適化した後にも図２８の例と同様に領域が重なるかどうか判定を行う必要がある。その結果、図３１Ｂのような不具合が発生したときは、該当するオブジェクトを用いるテンプレートは使用せずに他のテンプレートを用いる必要がある。

図３２に、テンプレートのオブジェクトのサイズを最適化するフローチャートを示す。図３２を参照して、制御部１０１による上述したテンプレートのオブジェクトのサイズを最適化する処理を説明する。
まずステップＳ１において、制御部１０１のテンプレート入出力部１５１が欠陥の種類や形状等に基づいて修正手法データベース１２５からテンプレートを取得する。また、当該テンプレート内での実行順が先頭のオブジェクトの情報（ヘッダ情報等）を取得する。この処理が終了後、ステップＳ２へ進む。

ステップＳ２において、制御部１０１のオブジェクト種類判定部１５２は、取得したテンプレートに配置されているオブジェクトの種類を判定する。判定の結果、Zapオブジェクト及びZapLineオブジェクト（図１０、図１１参照）の場合はステップＳ３に進む。一方、CVDオブジェクト（図１７参照）の場合はステップＳ１０に進む。

ステップＳ３において、加工サイズ修正部１５３は、オブジェクトのサイズの短径を判定する。短径が欠陥修正装置の最小加工幅に満たない、もしくは適切ではない場合はステップＳ４に進む。一方、短径が最小加工幅より大きい、もしくは適切である場合はステップＳ５に進む。

ステップＳ４において、加工サイズ修正部１５３は、オブジェクトの短径の最小加工幅を修正する（図１３、図１４参照）。この処理が終了後、ステップＳ５へ進む。

ステップＳ５において、オブジェクト種類判定部１５２は、オブジェクトの種類を判定する。判定の結果、ZapLineオブジェクトの場合はステップＳ１７に進む。一方、Zapオブジェクトの場合はステップＳ６に進む。

ステップＳ６において、オブジェクト修正方法変更部１５４は、オブジェクトのサイズのいずれかが欠陥修正装置の最大加工幅を超えるか否かを判定する（図１３、図１４参照）。判定の結果、超える場合はステップＳ７へ進む。一方、超えない場合はステップＳ１７へ進む。

ステップＳ７において、オブジェクト修正方法変更部１５４は、適切な修正方法を選択する。欠陥修正方法が分割の場合、ステップＳ８に進む。一方、欠陥修正方法をZapオブジェクトからZapLineオブジェクトに変更する場合は、ステップＳ９に進む。

ステップＳ８において、オブジェクト修正方法変更部１５４は、ZapオブジェクトからZapLineオブジェクトに変更する修正を行う（図１５参照）。この処理が終了後、ステップＳ１７に進む。

またステップＳ９において、オブジェクト修正方法変更部１５４は、Zapオブジェクトを等分割する修正を行う（図１６Ａ，Ｂ参照）。この処理が終了後、ステップＳ１７に進む。

ステップＳ１０において、加工サイズ修正部１５３は、CVDオブジェクトのサイズを最適化済みかどうか判定する。最適化済みの場合はステップＳ２０へ進む。一方、最適化が済んでいない場合はステップＳ１１へ進む。

ステップＳ１１において、加工サイズ修正部１５３は、注目しているCVDオブジェクトが他のCVDオブジェクトに重なるかどうかを判定する（図２８、図２９Ａ参照）。重なる場合はステップＳ１２へ進む。重ならない場合はステップＳ１５へ進む。

ステップＳ１２において、オブジェクト通過ライン修正部１５５は、重なっているCVDオブジェクトの通過ラインを取得する（図２６Ａ，Ｂ、図２７参照）。この処理が終了後、ステップＳ１３に進む。

ステップＳ１３において、オブジェクト通過ライン修正部１５５は、一方のCVDオブジェクトの開始点、終了点もしくは通過地点が他方のCVDオブジェクトの通過ライン上にあるかどうかを判定する（図２８、図２９Ａ参照）。通過ライン上にある場合はステップＳ１５へ進む。通過ライン上にない場合はステップＳ１４へ進む。

ステップＳ１４において、オブジェクト通過ライン修正部１５５は、一方のCVDオブジェクトの開始点、終了点もしくは通過地点を、他方のCVDオブジェクトの通過ラインとの交点の座標へ修正する（図２９Ｂ参照）。この処理が終了後、ステップＳ１５へ進む。

ステップＳ１５において、加工サイズ修正部１５３は、コンタクトホール生成部と製膜部の処理サイズを最適な加工幅に修正する（図３０Ｂ参照）。この処理が終了後、ステップＳ１６へ進む。

ステップＳ１６において、加工サイズ修正部１５３は、修正した結果、当該CVDオブジェクトが修正したCVDオブジェクトとは別のCVDオブジェクトに重なったかどうかを判定する（図３１、図３２参照）。重ならない場合はステップＳ１７へ進む。一方、重なった場合はステップＳ２１へ進む。

ステップＳ１７において、加工サイズ修正部１５３は、すべてのオブジェクトのサイズ調整が終了したかどうかを判定する。終了した場合はステップＳ１８へ進む。終了しない場合はステップＳ２０へ進む。

ステップＳ１８において、制御部１０１は、サイズの最適化処理を終了する。そして、ステップＳ１９において、テンプレート入出力部１５１は、最適化後のオブジェクトを含むテンプレートを欠陥修正部１０２へ出力する。また修正手法データベース１２５へ出力して新たなテンプレートとして登録する。

ステップＳ２０において、当該テンプレート内の次のオブジェクトへ移動する。そして、ステップＳ２へ戻り、そのオブジェクトの情報に基づいて最適化処理を行う。

ステップＳ２１において、制御部１０１は、テンプレート入出力部１５１が他のテンプレートを取得できたかどうか判定する。取得できた場合はステップＳ１に進み、先頭のオブジェクトの情報を取得し、最適化処理を行う。

ステップＳ２２において、制御部１０１は、他のテンプレートも取得できなかった場合は既存のテンプレートについては最適化できないと判断する。そして、ステップＳ２３において、例えばオペレータがディスプレイ１２７を見ながら入力装置１２８を操作して手動で欠陥修正を実行する。

［実行順の最適化］
次に、テンプレート内のオブジェクトの実行順の最適化について説明する。
図３３は、テンプレート内のオブジェクトの実行順の例を示したものである。図３３において、括弧内の数字は欠陥修正の実行順を示している。以下、オブジェクトの実行順とその詳細を示す。
（１）Zapオブジェクト４０１
オブジェクトサイズ 2.12×12.7μm
（２）（３）CVDオブジェクト用コンタクトホール生成部４０２，４０３
コンタクトホール生成部サイズ 2.12×2.12μm
（４）CVDオブジェクト用製膜部４０４
開始点（CVDStart）から終了点（CVDEnd）までのCVD通過ライン長さ 76.18μm
（５）Zapオブジェクト４０５
オブジェクトサイズ 3.12×14.82μm
（６）（７）CVDオブジェクト用コンタクトホール生成部４０６，４０７
コンタクトサイズ 4.23×4.23μm
（８）CVDオブジェクト用製膜部４０８
開始点（CVDStart）から終了点（CVDEnd）までのCVD通過ライン長さ 78.31μm
（９）Zapオブジェクト４０９
オブジェクトサイズ 2.12×12.7μm、回転角度 2°
（１０）Zapオブジェクト４１０
オブジェクトサイズ 2.12×12.7μm
※なおZapオブジェクト４１０（破線部）は、僅かに傾いているが、画面上では水平に見えるため見過ごされる可能性が高い。実際には傾きにより余計に加工時間がかかる。

本例では、CVDオブジェクトはコンタクトホールの２箇所を先に処理し、その後CVD処理を行う。また、欠陥修正装置において、欠陥修正の内容によって、次のようなタクト（処理時間）がかかるものと仮定する
−オブジェクトの実行順とその詳細−
１（Ａ）オブジェクトの切り替え、実行準備（Zap） ： 5sec
２（Ｂ）オブジェクトの切り替え、実行準備（CVD） ： 15sec
３（Ｃ）Zap（CVDコンタクトホール）のスリットサイズ設定 ： 2sec
４（Ｄ）CVDのスリットサイズ設定 ： 2sec
５（Ｅ）Zap（CVDコンタクトホール）1回当たりのショット ： 200msec
６（Ｆ）CVDによる製膜処理 ： 5μm/sec

このとき、レーザヘッドのオブジェクトまでの移動時間を除いたときの図３３のテンプレートの欠陥修正の実行タクトは、
（１）の処理時間［（Ａ）→（Ｃ）→（Ｅ）］ ＝ 5＋2＋0.2 ＝ 7.2sec
（２）の処理時間［（Ｃ）→（Ｅ）］ ＝ 2＋0.2 ＝ 2.2sec
（３）の処理時間［（Ｅ）］ ＝ 0.2 sec
（４）の処理時間［（2）→（4）→（6）］ ＝ 15＋2＋15.236 ＝ 32.236sec
（５）の処理時間［（1）→（3）→（5）］ ＝ 5＋2＋0.2 ＝ 7.2sec
（６）の処理時間［（3）→（5）］ ＝ 2＋0.2 ＝ 2.2 sec
（７）の処理時間［（5）］ ＝ 0.2 sec
（８）の処理時間［（2）→（4）→（6）］ ＝ 15＋2+15.662 ＝ 32.662sec
（９）の処理時間［（1）→（3）→（5）］ ＝ 5＋2＋0.2 ＝ 7.2sec
（９）の処理時間［（3）→（5）］＝2＋0.2 = 2.2sec
となり、合計したタクトは93.498secとなる。

欠陥修正を行うにあたり、一番タクトがかかる処理はCVDの製膜であるが、これは欠陥修正装置の性能に依存する。テンプレートの処理サイズの最適化を行っても、CVDの通過ラインの長さは変更されないので、テンプレートの最適化によるタクトの向上は見込めない処理である。また、Zapやコンタクトホールの１ショットあたりの処理時間も欠陥修正装置に依存するタクトのため、処理時間は一定となる。

それに対し、実行するオブジェクトの切り替え処理と、レーザ光のスリットサイズの変更は同じ種類とサイズの処理を続けて行うときには省略が可能なため、実行するオブジェクトの順番とサイズによってタクトの変化は大きく変わる。特にCVD製膜処理はガスの設定も含まれるため、オブジェクトの切り替え回数が少なければ少ないほどタクトに直接影響する。

以上を踏まえ、図３４のように欠陥修正の実行順をオブジェクトの種類ごとに入れ替えると、タクトの合計値は次のように変化する。
（１）の処理時間［（Ａ）→（Ｃ）→（5）］ ＝ 7.2sec
（２）の処理時間［（Ｃ）→（Ｅ）］ ＝ 2.2sec
（３）の処理時間［（Ｃ）→（Ｅ）］ ＝ 2.2sec
（４）の処理時間［（Ｃ）→（Ｅ）］ ＝ 2.2sec
（５）の処理時間［（Ｃ）→（Ｅ）］ ＝ 2.2sec
（６）の処理時間［（Ｅ）］ ＝ 0.2 sec
（７）の処理時間［（Ｂ）→（Ｄ）→（Ｆ）］ ＝ 32.236sec
（８）の処理時間［（Ａ）→（Ｃ）→（Ｅ）］ ＝7.2sec
（９）の処理時間［（Ｅ）］ ＝ 0.2 sec
（１０）の処理時間［（Ｂ）→（Ｄ）→（Ｆ）］ ＝ 32.662sec
総処理時間は、88.298secである。

さらに図３５のように欠陥処理装置での最適なCVDサイズに最適化し、コンタクトホール生成部の処理サイズとZapオブジェクトの処理の中でサイズと角度が同じものが連続するように入れ替えるとさらにタクトは次のように変化する。
（１）の処理時間［（Ａ）→（Ｃ）→（Ｅ）］ ＝ 7.2sec
（２）の処理時間［（Ｅ）］ ＝ 0.2sec
（３）の処理時間［（Ｃ）→（Ｅ）］ ＝ 2.2sec
（４）の処理時間［（Ｃ）→（Ｅ）］ ＝ 2.2sec
（５）の処理時間［（Ｃ）→（Ｅ）］ ＝ 2.2sec
（６）の処理時間［（Ｅ）］ ＝ 0.2 sec
（７）の処理時間［（Ｅ）］ ＝ 0.2 sec
（８）の処理時間［（Ｅ）］ ＝ 0.2 sec
（９）の処理時間［（Ｂ）］→（Ｄ）→（Ｆ）］ ＝ 32.236sec
（１０）の処理時間［（Ｆ）］ ＝ 15.662sec
総処理時間は、62.498secである。

このようにオブジェクトの実行順と実行サイズを可能な限り連続で処理させることで、図３３の例から図３５の例への実行順の最適化が行われ、31secのタクトの短縮が可能となった。

ここで、Zapオブジェクトでの最適化も条件によっては可能である。
図３３で登録されているテンプレートの中におけるZapオブジェクトは多少の誤差はあるが、処理サイズの数値は非常に近いものである。図３５で最適化したテンプレートにおいて、Zapオブジェクト４０１（１）と４０９（２）は同じサイズと角度の処理のため、スリットサイズの設定は一度で済む。Zapオブジェクト４１０（３）に関しては角度のみ異なるが、2°の角度が誤差とできるのであれば、回転角度をZapオブジェクト４０１（１）及び４０９（２）と同じに修正することで、Zapオブジェクト４１０（３）でもスリットサイズの設定をしないでも処理が可能になる。また、矩形の短径方向のスリットサイズをCVDと同様にすべて同じサイズにそろえることで、修正可能な最小サイズだけの修正ではなく、それ以外のZapオブジェクトも同じ処理サイズにそろえることができ、それによってスリットサイズの設定回数が減少する。

ただし、矩形の長径は配線パターンの形状・形態に依存して設定されることが多いため、短径と同じように一括で設定することは必ずしも好ましいとは言えない。ひとつのオブジェクトに対し、誤差と言える範囲の非常に近い数値を持つものを取得して、サイズと角度をそろえる、平均化する、長径のサイズに合わせる、といった処理が望ましい。

図３６に、図３５のテンプレート内のZapオブジェクトの加工サイズを一定の数値へ変換した後のテンプレートを示す。
−変換前のZapオブジェクトの詳細−
（１）オブジェクトサイズ 2.12×12.7μm
（２）オブジェクトサイズ 2.12×12.7μm
（３）オブジェクトサイズ 2.12×12.7μm 回転角度 2°
（４）オブジェクトサイズ 3.12×14.82μm
４つのオブジェクトの処理時間は、11.8secである。

Zapオブジェクト４０１，４０９，４１０，４０５の処理サイズを一定の数値にして、Zapオブジェクト４０１Ａ，４０９Ａ，４１０Ａ，４０５Ａへ変換する。本例では、短径は3μmで固定し、長径は一番サイズの長いZapオブジェクト４０５に合わせ、回転角度 2°を誤差とみなして修正した。
−変換後のZapオブジェクトの詳細−
・すべてのZapオブジェクトの処理サイズ
→オブジェクトサイズ 3×14.82μm
４つのオブジェクトの処理時間は、7.8secである。
図３６の例では、図３５の例からさらに4secの短縮が実現できる。

また、図３７Ａ，ＢのZapオブジェクト４２１，４２２ように、一見同じ処理に見えるが、長径と短系の数値が入れ替わっていて角度が設定されているようなオブジェクトも最適化が可能である。そのまま修正処理をすると、修正される処理サイズは同じだが、修正処理に際して処理サイズや角度の指定を行うため処理時間がかかってしまう。

入れ替えるオブジェクトの順番は任意に指定することができるが、コンタクトホールを設定してCVD処理を行うものに限っては、コンタクトホールの処理を行う前にCVDでの製膜を行うことはできない。また、基板の特性によってはコンタクトホール用に薄膜を除去した状態のまま時間をかけずにすぐにCVD工程を行うことを奨励するものもある。そういった場合は、コンタクトホールの生成を伴うCVDオブジェクトが複数あってもCVDの製膜の直前にコンタクトホールを生成するように順番を入れ替えるといった条件もある。

図３３から図３５までの実行順の入れ替えの例では“Zap → コンタクトホール → CVD製膜”の順に入れ替えているが、“コンタクトホール → CVD製膜 → Zap”の順に処理を行うソートが有効とする場合もある。このように実行するオブジェクトの入れ替え順は欠陥修正装置により、任意に決定できるものとする。

下記に実施可能な処理順と、実施不可の処理順の例を挙げる。○は実施可能な処理順、×は実施不可の処理順を示す。
・Zap → コンタクトホール →CVD製膜 ○
・コンタクトホール → Zap →CVD製膜 ○
・コンタクトホール → CVD製膜 →Zap ○
・CVD製膜 → コンタクトホール →Zap ×

コンタクトホールとCVD製膜の実行順が前後することがなければ、Zap、ZapLineとの実行順の入れ替えは任意で指定できる。ただし、テンプレートがCVDとコンタクトホールの生成と同じようにCVDの製膜の上部をトリミングするためにZapやZapLineを配置しているというように、特定の目的のために順番を入れ替えないことを想定しているものに関してはその限りではない。

図３８Ａ〜Ｄに、CVD処理の加工順が指定される例を示す。
図３８Ａにおいて、まず基板にコンタクトホール４３１，４３２を形成する。次に、CVD製膜を行い膜４３３を形成する。さらに膜４３３の左右をZapオブジェクト４３４Ｚ，４３５Ｚによりザッピングして幅を整えて、コンタクトホール４３１，４３２を有する膜４３３Ａを得る。例えば近傍に配線があり、その配線と拒理を保ちたいというような場合には、上記順序で処理を行う必要がある。

図３９に、テンプレートのオブジェクトの実行順を最適化するフローチャートを示す。図３９を参照して、制御部１０１による上述したテンプレートのオブジェクトの実行順を最適化する処理を説明する。
まずステップＳ３１において、制御部１０１のテンプレート入出力部１５１が欠陥の種類や形状等に基づいて修正手法データベース１２５からテンプレートを取得する。この処理が終了後、ステップＳ３２へ進む。

ステップＳ３２において、制御部１０１は図３２のフローチャートに従ってオブジェクトの加工サイズの最適化を行う。この処理が終了後、ステップＳ３３へ進む。

ステップＳ３３において、取得したテンプレートが、オートリペア（自動欠陥修正）が可能なものかどうかを判定する。オートリペアが可能である場合はステップＳ３４に進む。オートリペアが不可能である場合はステップＳ５５へ移行し、例えばオペレータがディスプレイ１２７を見ながら入力装置１２８を操作して手動で欠陥修正を実行する。

ステップＳ３４において、テンプレート入出力部１５１は、当該テンプレート内での実行順が先頭のオブジェクト、最適なオブジェクトの実行順、並びにオブジェクトの加工サイズの情報を取得する。この処理が終了後、ステップＳ３５へ進む。

ステップＳ３５において、オブジェクト種類判定部１５２は、取得したテンプレートに配置されているオブジェクトの種類を判定する。判定の結果、Zapオブジェクト及びZapLineオブジェクト（図１０、図１１参照）の場合はステップＳ３８に進む。一方、CVDオブジェクト（図１７参照）の場合はステップＳ３６に進む。

ステップＳ３６において、実行順並び替え部１５６は、CVDオブジェクトのコンタクトホールをCVD製膜と一括（対）で処理するかどうか判定する。一括で生成する場合はステップＳ３７に進む。一括で生成しない場合はステップＳ５０へ進む。

ステップＳ３７において、実行順並び替え部１５６は、コンタクトホールを生成するオブジェクト（コンタクトホール生成部）をCVDオブジェクト（製膜部）から分割して、個別のオブジェクトとして生成する（図３５参照）。個別のオブジェクトとした場合、コンタクトホールの処理だけで実行順をまとめることもできるようになる。この処理が終了後、ステップＳ５０へ進む。

ステップＳ３８において、加工サイズ修正部１５３は、Zapオブジェクト及びZapLineオブジェクトの短径加工サイズを定数にするかどうか判定する（図３５参照）。定数にする場合はステップＳ３９に進む。定数にしない場合はステップＳ４０に進む。

ステップＳ３９において、加工サイズ修正部１５３は、Zapオブジェクト及びZapLineオブジェクトの短径加工サイズを定数に変更する。この処理が終了後、ステップＳ４０に進む。

ステップＳ４０において、オブジェクト種類判定部１５２は、オブジェクトの種類を判定する（図３３参照）。判定の結果、ZapLineオブジェクトの場合はステップＳ５０に進む。一方、Zapオブジェクトの場合はステップＳ４１に進む。

ステップＳ４１において、加工サイズ修正部１５３は、テンプレート内の複数のオブジェクトのサイズに関して相互チェックを行ったかどうかを判定する。相互チェックをしていない場合はステップＳ４２へ進む。相互チェックを既にしている場合はZapオブジェクトについてこれ以上の最適化は望めないのでステップＳ５０へ進む。

ステップＳ４２において、加工サイズ修正部１５３は、複数のZapオブジェクトのサイズの誤差調整を行うかどうか、すなわち所定の誤差範囲であるかどうかを判定する。誤差調整を行う場合はステップＳ４３に進む。誤差調整をしない場合はステップＳ４８に進む。

ステップＳ４３において、加工サイズ修正部１５３は、誤差範囲を満たすZapオブジェクトをすべて取得する（図３６参照）。この処理が終了後、ステップＳ４４に進む。

ステップＳ４４において、加工サイズ修正部１５３は、複数のZapオブジェクトを取得したかどうかを判定する（図３６参照）。取得した場合はステップＳ４５に進む。取得していない場合はステップＳ４８へ進む。

ステップＳ４５において、加工サイズ修正部１５３は、オブジェクト修正方法をいずれにするか、すなわちZapオブジェクトのサイズを平均化するか固定にするかを判定する。

ステップＳ４６において、加工サイズ修正部１５３は、複数のZapオブジェクトのサイズの平均値を計算し、各Zapオブジェクトのサイズを当該平均値に修正する（図３６参照）。この処理が終了後、ステップＳ４８に進む。

ステップＳ４７において、加工サイズ修正部１５３は、複数のZapオブジェクトのサイズを、代表のZapオブジェクトのサイズに合わせる等、指定条件での固定値に修正する（図３６参照）。この処理が終了後、ステップＳ４８に進む。

ステップＳ４８において、加工サイズ修正部１５３は、幅と高さが逆で、回転角度の入れ替えが可能なオブジェクトがあるかどうかを判定する（図３７Ａ，Ｂ参照）。入れ替え可能なZapオブジェクトがある場合はステップＳ４９に進む。入れ替え可能なZapオブジェクトがない場合はステップＳ５０に進む。

ステップＳ５０において、加工サイズ修正部１５３は、すべてのオブジェクトのサイズ調整が終了したかどうかを判定する。終了した場合はステップＳ５１へ進む。終了しない場合はステップＳ５４へ進む。

ステップＳ５１において、実行順並び替え部１５６は、オブジェクトの実行順を処理内容とサイズが連続するようにソートする（図３４〜図３６参照）。この処理が終了後、ステップＳ５２へ進む。

ステップＳ５２において、制御部１０１は、実行順の最適化処理を終了する。そして、ステップＳ５３において、テンプレート入出力部１５１は、最適化後のオブジェクトを含むテンプレートを欠陥修正部１０２へ出力する。また修正手法データベース１２５へ出力して新たなテンプレートとして登録する。

ステップＳ５４において、当該テンプレート内の次のオブジェクトへ移動する。そして、ステップＳ３５へ戻り、そのオブジェクトの情報に基づいて最適化処理を行う。

なお、これらのテンプレートの最適化手法は、テンプレートの登録時に下記の点において、先行して修正を行っておくことが可能である。
（１）Zapオブジェクト、ZapLineオブジェクトの短径を指定した値に修正する。
（２）CVDオブジェクトのコンタクトホールのサイズを指定した値に修正する。
（３）CVDオブジェクトの処理サイズを指定した値に修正する。
（４）複数のCVDオブジェクトの連結、導通させている箇所を検索し、CVD通過ラインの交点を修正する。
（５）Zapオブジェクト、ZapLineオブジェクトを特定の範囲内に設定されている長径、短径、角度の値を指定した値に修正する。
（６）Zapオブジェクト、ZapLineオブジェクト内で、加工サイズの幅と高さが入れ替わっているオブジェクトを検出し、回転角度がそれぞれ±90°の関係を満たす場合に片方の回転角度と加工サイズをもう片方の設定値に変換する。

例えば、図３３のテンプレートは、テンプレートの登録や編集時に最適な短径加工サイズ、相互チェック時の誤差範囲、誤差修正時におけるサイズ修正方法（平均値、最大値、登録されているサイズが一番多いものか等）、誤差修正時における角度修正方法、CVDオブジェクトとコンタクトホールの暫定加工サイズ等を設定しておくようにする。それにより、テンプレートを図３６の最終出力の状態に修正をしておくことができ、修正後のテンプレートを目視であらかじめ確認、更新などが可能となる。

さらに、特定の欠陥修正装置や基板に対して最適な加工サイズやオブジェクトの実効順を入力することで、その欠陥修正装置に対して最適とされるオブジェクトのサイズ変更（Zapオブジェクトの最大加工サイズの分割、ZapLineオブジェクトへの変換など）が行える。その他に、CVD製膜とコンタクトホール生成部の分解も含むオブジェクトの実行順のソートを行ったとき、テンプレートがどのようになるか目視で確認したり、特定の欠陥修正装置用のテンプレートとして別ファイルへ出力したりすることもできる。

このようにテンプレートの登録、編集時にあらかじめ特定の装置に対する加工サイズ（長い修正エリアを最適加工サイズ単位に分割する）や実行順の最適化を行っておくことで、実際の欠陥修正時において加工サイズの最適化を処理フローから省くこともできる。ただし、複数のテンプレートを一度に処理するような場合に限っては、オブジェクトの実行順やCVDオブジェクトの重なりを修正実行前に再度確認、ソートすることが必要になる。

上述したように、本発明に係る欠陥修正装置及び方法では、登録された繰り返しパターン内に構成される欠陥修正手法に対して、欠陥修正装置での加工性能や基板の条件に合わせた加工サイズと、修正実行順の最適化を行う。それにより欠陥修正装置や基板固有の不具合を回避し、実行タクトの短縮化が可能となる。

また、登録時にオブジェクトの加工サイズや実行順と一定の条件で最適化して目視で確認することで、修正方法の登録時の登録ミスを発見、修正することが可能である。

さらに、欠陥修正装置固有の加工サイズの条件や基板固有の実行順などを入力し、他の欠陥修正装置と共有している修正方法（テンプレート）をターゲットとする特定の欠陥修正装置専用の修正方法にあらかじめ変換、出力しておいてもよい。それにより、実際の修正時での加工サイズの最適化工程を省略することでさらに実行タクトを短縮することができる。

以上に述べた実施の形態は、本発明を実施するための好適な形態の具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されている。ただし、本発明は、以上の実施の形態の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施の形態に限られるものではない。したがって、例えば、以上の説明で挙げた使用材料とその使用量、処理時間、処理順序および各パラメータの数値的条件等は好適例に過ぎず、また、説明に用いた各図における寸法、形状および配置関係等も実施の形態の一例を示す概略的なものである。本発明は、上述した実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変形、変更が可能である。

さらに、上述した実施形態では、フラットパネルディスプレイのガラス基板上に形成されたデザインパターンの欠陥修正を行なう場合について説明したが、修正対象はこの例に限定されるものではない。例えば半導体ウェハ、フォトマスク、磁気ディスク等、修正対象基板上に所定パターンが形成されたものに適用できる。

図５に示した制御部１０１は、ＭＰＵ等の演算処理装置が不揮発性メモリに記録されているプログラムを実行することによって目的の機能を実現するようにしたが、同図に示す各機能ブロックはそれぞれ個別のプログラムによって実現してもよい。また、複数の機能ブロックを１つのプログラムによって実現するようにしてもよい。また、同図に示す機能ブロックをハードウェアによって実現してもよい。

また、修正手法データベース１２５が欠陥修正装置１００ではなく、遠方のサーバに格納され、ＬＡＮやインターネット等のネットワークを介して当該修正手法データベース１２５にアクセスして、欠陥修正手法を取得するような形態としてもよい。

１…配線基板、２…配線部、２ａ…欠陥配線部、３…基板、４…、５…配線、６…繰り返しパターン区域、１２…欠陥情報管理システム、１００…欠陥修正装置、１０１…制御部、１０２…欠陥修正部、１０３…欠陥検出部、１２５…修正手法データベース、１５１…テンプレート入出力部、１５２…オブジェクト種類判定部、１５３…加工サイズ修正部、１５４…オブジェクト修正方法変更部、１５５…オブジェクト通過ライン修正部、１５６…実行順並び替え部、１６０…記録部、２０１…Zapオブジェクト、２０２…中心点、２０３…回転角度、２１０…ZapLineオブジェクト、２１１…加工サイズ、２１１Ｓ…開始点、２１１Ｅ…終了点、２１３…回転角度、２２０Ａ，２２１Ａ…Zapオブジェクト、２２２Ｕ，２２２Ｄ…未処理部、２２５…ZapLineオブジェクト、２３１〜２３３…Zapオブジェクト、２４０，２５０，２６０…製膜部、２４０ｃ１，２４０ｃ２，２７０ｃ１，２７０ｃ２，２８０ｃ１，２８０ｃ２、３２０ｃ１，３２０ｃ２，３４０ｃ１，３４０ｃ２，３５０ｃ１…コンタクトホール生成部、２４１，２７１，２８１，３２１，３４１，３５１，３５１Ａ…開始点（コンタクトホール生成座標１）、２４２，２７３，２８４，３２３，３４７…終了点（コンタクトホール生成座標２）、２７２，２８２，２８３，３４３，３４５，３５２…通過地点、３２２，３４２，３４４，３４６…中心点、３４０，３４０Ａ，３５０，３５０Ａ，３５０Ｂ…製膜部、３４０−１，３４０−２，３４０−３，３５０−１，３５０−２…矩形、３４０ｔ１〜３４０ｔ４，３５０ｔ１〜３５０ｔ４…頂点

Claims (10)

1. 繰り返しパターンが形成された多層基板を検査し、前記検査によって検出された前記繰り返しパターン内の欠陥を修正する欠陥修正装置において、
   前記検査を行って、前記繰り返しパターン内の欠陥の位置情報および前記欠陥の特徴情報を抽出する欠陥検出部と、
   複数の欠陥修正手法が登録されたデータベースと、
   前記多層基板の欠陥を指定された欠陥修正手法により修正する欠陥修正部と、
   前記欠陥検出部で検出された欠陥に対応する欠陥修正手法を前記データベースから読み出し、前記読み出した欠陥修正手法に含まれる複数のオブジェクトのサイズを、当該欠陥修正装置が処理可能なサイズに修正した後、前記欠陥修正手法に含まれる前記複数のオブジェクトの修正実行順を、同一の欠陥修正処理が連続して処理される実行順であり、かつ、一つの欠陥修正処理において同一のサイズのオブジェクトが連続して処理される実行順に並び替え、前記複数のオブジェクトのサイズの修正及び前記複数のオブジェクトの修正実行順の並び替えが行われた前記欠陥修正手法を、新たな欠陥修正手法として前記データベースに登録するとともに、前記新たな欠陥修正手法を利用して前記欠陥修正部を制御する制御部と、を備える
   欠陥修正装置。
2. 前記制御部は、前記欠陥修正手法のオブジェクトのサイズが、前記欠陥修正装置の処理可能な加工サイズを満たさない場合、前記加工サイズを満たす範囲に前記オブジェクトのサイズを修正する
   請求項１に記載の欠陥修正装置。
3. 前記欠陥修正手法のオブジェクトのサイズが当該欠陥修正装置の処理可能な最大の加工サイズより大きい場合、前記制御部は、
   前記オブジェクトのサイズを特定の大きさに修正して前記最大の加工サイズより小さくする、又は前記オブジェクトのサイズを複数の領域に等分割して前記一つの領域を前記最大の加工サイズより小さくする、あるいは単位サイズの処理を繰り返して前記最大の加工サイズの修正を行う、のいずれかを実行する
   請求項２に記載の欠陥修正装置。
4. 前記欠陥修正手法のオブジェクトのサイズが当該欠陥修正装置の処理可能な最小の加工サイズより小さい場合、前記制御部は、前記オブジェクトのサイズを前記欠陥修正装置の処理可能なサイズに修正する
   請求項２に記載の欠陥修正装置。
5. 前記制御部は、前記オブジェクトを等分割した複数の領域同士を一定のオーバーラップ量で重ね合わせる
   請求項３に記載の欠陥修正装置。
6. 前記制御部は、前記欠陥修正手法のオブジェクトのサイズが当該欠陥修正装置の処理可能な最大の加工サイズより大きい場合に、前記最大の加工サイズと前記修正後のオブジェクトのサイズを表示部に表示させ、
   また、前記欠陥修正手法のオブジェクトのサイズが当該欠陥修正装置の処理可能な最小の加工サイズより小さい場合に、前記欠陥修正装置の処理可能なサイズに修正したオブジェクトを前記表示部に表示させる
   請求項３又は４に記載の欠陥修正装置。
7. 前記欠陥修正手法の前記複数のオブジェクトの適切なサイズ及び修正実行順を、入力装置からの操作により任意に設定できる
   請求項１又は３に記載の欠陥修正装置。
8. 前記制御部は、前記欠陥修正手法のオブジェクトが前記欠陥修正装置の処理可能な加工サイズではないＣＶＤオブジェクトである場合、前記ＣＶＤオブジェクトを構成するコンタクトホール生成部及び製膜部の各サイズを前記欠陥修正装置に対して最適化する
   請求項２に記載の欠陥修正装置。
9. 前記制御部は、前記データベースから読み出した欠陥修正手法に含まれるオブジェクトのサイズを、前記多層基板の層（レイヤ）構造と照合し、前記オブジェクトが適切か否かを判定する
   請求項２に記載の欠陥修正装置。
10. 繰り返しパターンが形成された多層基板を検査し、前記検査によって検出された前記繰り返しパターン内の欠陥を修正する欠陥修正装置において行われる欠陥修正方法であって、
    前記検査を行って、前記繰り返しパターン内の位置情報および前記欠陥の特徴情報を抽出する第１のステップと、
    前記第１のステップで検出された欠陥に対応する欠陥修正手法を、複数の欠陥修正手法が登録されたデータベースから読み出す第２のステップと、
    前記第２のステップで読み出した欠陥修正手法に含まれる複数のオブジェクトのサイズを、当該欠陥修正装置が処理可能なサイズに修正した後、前記欠陥修正手法に含まれる前記複数のオブジェクトの修正実行順を、同一の欠陥修正処理が連続して処理される実行順であり、かつ、一つの欠陥修正処理において同一のサイズのオブジェクトが連続して処理される実行順に並び替え、前記複数のオブジェクトのサイズの修正及び前記複数のオブジェクトの修正実行順の並び替えが行われた前記欠陥修正手法を、新たな欠陥修正手法として前記データベースに登録する第３のステップと、
    前記新たな欠陥修正手法を利用して前記欠陥の修正を実行する欠陥修正部を制御する第４のステップと、を含む
    欠陥修正方法。

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