JP2010141189A - 半導体ウェハ検査装置 - Google Patents
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- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
- G01R31/307—Contactless testing using electron beams of integrated circuits
Abstract
【解決手段】ウェハ6を回転させ、回転するウェハ6に対して走査型電子顕微鏡1から電子ビームを照射し、ウェハ6から放出される2次電子9を検出する。検出された2次電子9は画像処理部において、AD変換16され、画像データ並べ替部17において並べかえられ、画像演算18されて表示される。これによってステージ4をX方向、Y方向に大きく移動することなく、ウェハ6の全ダイの画像情報を取得することが出来る。
【選択図】図1
Description
2 走査コイル
3 電子ビームを出射する電子銃
4 ステージ
5 ステージ稼動部
6 ウェハ
7 対物レンズ
8 二次電子検出部
9 二次電子
10 画像生成部
11 電子ビーム制御部
12 ステージ制御部
13 高電圧制御電源
14 制御演算部
15 画像処理部
16 AD変換部
17 画像データ並替え部
18 画像演算部
20 並び替えメモリ
21 スキャン制御部
22 基本座標生成部
23 制御回路
24 X座標変換部
25 Y座標変換部
26 回転角座標変換部
27 出力部。
Claims (12)
- 電子ビームをウェハに照射し、画像情報を取得する半導体ウェハ検査装置において、
前記ウェハを前記ウェハの中心を軸に回転する手段と、回転する前記ウェハの表面に対して電子ビームを照射する手段と、前記ウェハから発生する2次電子を検出する手段と、前記2次電子を検出することによって得られた信号を基に画像情報を取得する手段を有することを特徴とする半導体ウェハ検査装置。 - 電子ビームをウェハに照射し、前記ウェハから放出される二次電子を検出し、前記2次電子を検出することによって得られた信号を画像信号に変換して画面上に表示して前記ウェハを観察する走査電子顕微鏡を用い、前記電子ビームをスキャンしながらウェハに照射して検査対象領域の画像情報を取得する半導体ウェハ検査装置において、
前記ウェハを前記ウェハの中心を軸に回転する手段と、前記ステージ上で回転する前記ウェハの表面に対して、電子ビームをスキャンする電子光学系と、前記電子ビームにより前記ウェハから発生する2次電子を検出する検出器と、前記検出された2次電子に基づく信号を並べ替えて画像を表示する表示手段とを有することを特徴とする半導体ウェハ検査装置。 - 電子ビームをウェハに照射し、画像情報を取得する半導体ウェハ検査装置において、
前記ウェハを前記ウェハの中心を軸に回転する手段と、回転する前記ウェハの表面に対して電子ビームにより前記ウェハを照射する手段と、
前記照射手段により前記ウェハから発生する2次電子を検出する手段と、
前記ウェハの回転角度を取得する手段と、前記回転角度の情報を基に電子ビームのスキャン方向とスキャン距離を制御する手段と、前記2次電子を検出することによって得られた信号を基に画像情報を取得する手段を設けたことを特徴とする半導体ウェハ検査装置。 - 電子ビームをウェハに照射し、画像情報を取得する半導体ウェハ検査装置において、
前記ウェハを前記ウェハの中心を軸に回転する手段と、回転する前記ウェハの表面に対して、電子ビームにより前記ウェハを照射する手段と、
前記照射手段により前記ウェハから発生する2次電子を検出する手段と、
前記電子ビームのスキャン制御手段と、前記ウェハの回転角度取得手段と、前記回転角度情報による取得画像の並べ替え手段と、前記2次電子の検出によって得られた信号を基に画像情報を取得する手段を設けたことを特徴とする半導体ウェハ検査装置。 - 電子ビームを矩形のダイが複数形成されたウェハに照射し、画像情報を取得する半導体ウェハ検査装置において、
前記ウェハを前記ウェハの中心を軸に回転する手段と、回転する前記ウェハの表面に対して電子ビームを照射する手段と、前記ウェハから発生する2次電子を検出する手段と、前記電子ビームのスキャン制御手段と、ウェハの回転角度取得手段と、
前記回転角度の情報を基に、前記矩形のダイを包含し、同一方向に、特定のピッチで特定の距離スキャンする手段と、
前記回転角度情報による取得画像の並べ替え手段と、前記2次電子の検出によって得られた信号を基に画像情報を取得する手段を設けたことを特徴とする半導体ウェハ検査装置。 - 前記スキャンの前記特定の距離は前記ダイの1辺の長さよりも大きいことを特徴とする請求項5に記載の半導体ウェハ検査装置。
- 前記スキャンの前記特定の距離は前記ダイの対角径と等しいことを特徴とする請求項5に記載の半導体ウェハ検査装置。
- 前記取得した回転角度情報から検査対象範囲を算出する手段と、前記算出手段による計算結果を基に前記スキャン方向と前記スキャン距離を制御する手段を設けたことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体ウェハ検査装置。
- 前記検査対象範囲は前記ダイと一致することを特徴とする請求項8に記載の半導体ウェハ検査装置。
- 前記ウェハ外周の同一円上に複数の位置認識用マークを設け、前記マークを認識する手段と、認識した前記マークの位置のずれ量から前記ウェハの偏芯量を算出する手段と、前記算出したずれ量を基に、走査位置を補正する手段を設けたことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体ウェハ検査装置。
- 前記ウェハ外周の同一円上に複数の位置認識用マークを設け、前記マークを認識する手段と、認識した前記マーク位置のずれ量から前記ウェハの偏芯量を算出する手段と、前記算出した偏芯量を基に、取得した画像情報を補正する手段を設けたことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体ウェハ検査装置。
- 回路パターンの画像情報を複数取得する手段を設け、前記画像情報をもとにウェハの偏芯量を算出する手段と、前記算出した偏芯量を基に、取得した画像情報を補正する手段を設けたことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体ウェハ検査装置。
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Families Citing this family (4)
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---|---|---|---|---|
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CN102163042B (zh) * | 2011-01-24 | 2012-11-14 | 北京航空航天大学 | 一种液压振动主动隔离平台的控制装置及其控制方法 |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001056306A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-02-27 | Jeol Ltd | 試料表面検査装置 |
JP2003166809A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Nikon Corp | 重ね合わせ検査装置 |
JP2007158099A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体ウェハ検査方法及び欠陥レビュー装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62110248A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-21 | Toshiba Corp | 回転角度補正方法およびその装置 |
EP1296351A4 (en) * | 2000-06-27 | 2009-09-23 | Ebara Corp | INVESTIGATION DEVICE FOR LOADED PARTICLE RAYS AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT ELEVATED WITH THIS INSPECTION DEVICE |
US6529022B2 (en) * | 2000-12-15 | 2003-03-04 | Eaglestone Pareners I, Llc | Wafer testing interposer for a conventional package |
US6909930B2 (en) * | 2001-07-19 | 2005-06-21 | Hitachi, Ltd. | Method and system for monitoring a semiconductor device manufacturing process |
JP3996774B2 (ja) * | 2002-01-09 | 2007-10-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン欠陥検査方法及びパターン欠陥検査装置 |
US7103505B2 (en) * | 2002-11-12 | 2006-09-05 | Fei Company | Defect analyzer |
JP5041937B2 (ja) * | 2007-09-13 | 2012-10-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置 |
JP2010080712A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Canon Inc | 情報処理装置、露光装置、デバイス製造方法、情報処理方法およびプログラム |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001056306A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-02-27 | Jeol Ltd | 試料表面検査装置 |
JP2003166809A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Nikon Corp | 重ね合わせ検査装置 |
JP2007158099A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体ウェハ検査方法及び欠陥レビュー装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012098240A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 同心円状パターンの検査装置および検査方法 |
Also Published As
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