JP2012098240A - 同心円状パターンの検査装置および検査方法 - Google Patents
同心円状パターンの検査装置および検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012098240A JP2012098240A JP2010248255A JP2010248255A JP2012098240A JP 2012098240 A JP2012098240 A JP 2012098240A JP 2010248255 A JP2010248255 A JP 2010248255A JP 2010248255 A JP2010248255 A JP 2010248255A JP 2012098240 A JP2012098240 A JP 2012098240A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- center
- patterns
- image
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
【解決手段】同心円状のパターンを有する試料のSEM画像を撮像する画像撮像部と、前記画像からドット状パターンの重心点または線状パターンの中心線を求め、求めた重心点または中心線から所定の値を算出し、該所定の値と理論値との差分値を求め、該差分値と所定の閾値とを比較する位置測定部と、前記比較結果を表示装置に出力する出力部とを備えることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の実施形態に係る同心円状パターンの検査装置の全体構成図である。同心円状パターンの検査装置は、電子ビームを発する電子銃101、電子ビームを加速する加速電極102、電子ビームを集束する集束レンズ103、電子ビームの不要な領域を除去する絞り104、電子ビームを偏向する偏向器105および106、電子ビームを試料107に集束させる対物レンズ108、試料107を載置するステージ109、試料をストックする試料室110、試料107からの二次電子を検出する二次電子検出器111、および制御装置112を備える。試料は、最終製品となるDTM、BPM等のディスク、および該ディスクを形成するためのナノインプリント用のテンプレートを含む。
本実施形態では、同心円状パターンの検査装置は、ローカル計測またはグローバル計測で検査する。ローカル計測は、同心円状パターンの一部の領域(例えば150k倍で撮影される画像)において、パターンが直線上に並んでいると考え、隣接するパターン同士でずれ量を計測する。ローカル計測により、パターンの位置ずれ、欠損等が検出できる。グローバル計測は、同心円状パターン全体(テンプレートまたはディスク全体)において、同一トラック上にある少なくとも4点のパターンの重心点のうち少なくとも1点が異なる2組のパターンからトラックの中心点を2点求め、この2点の中心点からずれ量を計測する。グローバル計測により、試料の真円度、パターンの位置ずれ等が検出できる。
図3は、同心円状パターンの検査装置のローカル計測の流れを示すフローチャートである。
図4は、重心点の傾きmからパターンのずれ量を測定する方法を説明する図である。まず、同一トラック上にある複数のバーストパターンの重心点を求め、トラック方向に隣接する2点の重心点から傾きmを求める。図では、バーストパターン401と402の重心点から傾きm1、バーストパターン402と403から傾きm2、バーストパターン403と404から傾きm3をそれぞれ求める。次に、傾きmの理論値とバーストパターンから求めた傾きとを比較し、ずれ量を算出する。画像と試料中心との傾きをθとすると、傾きmの理論値は、理論上(θ+π/2)となるので、装置上の座標データからθを算出すれば求まる。なお、画像を−θ回転させれば、傾きmの理論値はy軸に平行になるので、y軸からのずれ量を算出してもよい。
図5は、重心間距離dからパターンのずれ量を測定する方法を説明する図である。同一トラック上にあるパターンが同一方向にオフセットを持った場合、傾きからはずれ量が算出できない。その場合は、重心間距離dからずれ量が測定できる。まず、同一トラック上にある複数のバーストパターンの重心点を求め、トラック方向と垂直に隣接する2点の重心点の距離dを求める。図では、バーストパターン501と505の重心点から距離d1、バーストパターン502と506から距離d2、バーストパターン503と507から距離d3、などのように求める。次に、距離dの理論値とバーストパターンから求めた距離とを比較し、ずれ量を算出する。距離dの理論値は、設計データから求めることができる。図では、d9〜d12は理論値と等しいが、d1〜d4は理論値よりも大きく、d5〜d8は理論値よりも小さい。
設計データは、パターンの理論値に相当する。したがって、設計データと画像のパターンとを重ね合わせ、パターンの重心点または中心線のずれ量を算出する。この方法は、さまざまなパターンずれに対応可能である。
図7は、同心円状パターンの検査装置のグローバル計測の流れを示すフローチャートである。
Claims (5)
- 同心円状のパターンを有する試料のSEM画像を撮像する画像撮像部と、
前記画像からドット状パターンの重心点または線状パターンの中心線を求め、求めた重心点または中心線から所定の値を算出し、該所定の値と理論値との差分値を求め、該差分値と所定の閾値とを比較する位置測定部と、
前記比較結果を表示装置に出力する出力部と
を備えることを特徴とする同心円状パターンの検査装置。 - 前記位置測定部は、前記重心点または前記中心線上の任意の点から、隣接するパターン間の傾きまたは距離を算出し、該傾きまたは距離と前記理論値との差分値を求めることを特徴とする請求項1記載の同心円状パターンの検査装置。
- 前記位置測定部は、前記重心点または前記中心線上の任意の点から、同一トラック上に存在する少なくとも4点のパターンの重心点のうち少なくとも1点が異なる2組のパターンを選択し、該2組を用いて第1および第2の中心座標を算出し、前記第1および第2の中心座標から前記トラックの真円度を求めることを特徴とする請求項1記載の同心円状パターンの検査装置。
- 前記位置測定部は、前記重心点または前記中心線上の任意の点から、同一トラック上に存在する少なくとも3点のパターンの重心点のうち少なくとも1点が異なる2組のパターンを選択し、該2組を用いて第1および第2の楕円近似式を求め、前記第1および第2の楕円近似式から前記トラックの真円度を求めることを特徴とする請求項1記載の同心円状パターンの検査装置。
- 画像撮像部が、同心円状のパターンを有する試料のSEM画像を撮像するステップと、
位置測定部が、前記画像からドット状パターンの重心点または線状パターンの中心線を求め、求めた重心点または中心線から所定の値を算出し、該所定の値と理論値との差分値を求め、該差分値と所定の閾値とを比較するステップと、
出力部が、前記比較結果を表示装置に出力するステップと
を備えることを特徴とする同心円状パターンの検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010248255A JP5451577B2 (ja) | 2010-11-05 | 2010-11-05 | 同心円状パターンの検査装置および検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010248255A JP5451577B2 (ja) | 2010-11-05 | 2010-11-05 | 同心円状パターンの検査装置および検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012098240A true JP2012098240A (ja) | 2012-05-24 |
JP5451577B2 JP5451577B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=46390302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010248255A Expired - Fee Related JP5451577B2 (ja) | 2010-11-05 | 2010-11-05 | 同心円状パターンの検査装置および検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5451577B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014050305A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン計測装置、自己組織化リソグラフィに用いられる高分子化合物の評価方法、及びコンピュータープログラム |
WO2015098349A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン測定装置、及びコンピュータープログラム |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000081324A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-03-21 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法およびその装置 |
JP2000227319A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-08-15 | Olympus Optical Co Ltd | 欠陥検出装置 |
JP2001056306A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-02-27 | Jeol Ltd | 試料表面検査装置 |
JP2003097926A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-03 | Nec Corp | Ic外観検査方法 |
JP2005196897A (ja) * | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Teijin Chem Ltd | 記録媒体の検査方法 |
JP2008294451A (ja) * | 2008-06-09 | 2008-12-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 画像形成方法、及び画像形成装置 |
JP2010050148A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Toshiba Corp | 合わせずれ測定方法および合わせずれ検査マーク |
JP2010141189A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体ウェハ検査装置 |
-
2010
- 2010-11-05 JP JP2010248255A patent/JP5451577B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000081324A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-03-21 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法およびその装置 |
JP2000227319A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-08-15 | Olympus Optical Co Ltd | 欠陥検出装置 |
JP2001056306A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-02-27 | Jeol Ltd | 試料表面検査装置 |
JP2003097926A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-03 | Nec Corp | Ic外観検査方法 |
JP2005196897A (ja) * | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Teijin Chem Ltd | 記録媒体の検査方法 |
JP2008294451A (ja) * | 2008-06-09 | 2008-12-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 画像形成方法、及び画像形成装置 |
JP2010050148A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Toshiba Corp | 合わせずれ測定方法および合わせずれ検査マーク |
JP2010141189A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体ウェハ検査装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014050305A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン計測装置、自己組織化リソグラフィに用いられる高分子化合物の評価方法、及びコンピュータープログラム |
JP5891311B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2016-03-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン計測装置、自己組織化リソグラフィに用いられる高分子化合物の評価方法、及びコンピュータープログラム |
JP2016156817A (ja) * | 2012-09-27 | 2016-09-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン計測装置、自己組織化リソグラフィに用いられる高分子化合物の評価方法、及びコンピュータープログラム |
US9589343B2 (en) | 2012-09-27 | 2017-03-07 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern measurement device, evaluation method of polymer compounds used in self-assembly lithography, and computer program |
WO2015098349A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン測定装置、及びコンピュータープログラム |
US20160313266A1 (en) * | 2013-12-27 | 2016-10-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern Measurement Device and Computer Program |
US9804107B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-10-31 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern measurement device and computer program for evaluating patterns based on centroids of the patterns |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5451577B2 (ja) | 2014-03-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5069904B2 (ja) | 指定位置特定方法及び指定位置測定装置 | |
US7598491B2 (en) | Observing method and its apparatus using electron microscope | |
JP5500871B2 (ja) | テンプレートマッチング用テンプレート作成方法、及びテンプレート作成装置 | |
WO2017203600A1 (ja) | 欠陥分類装置および欠陥分類方法 | |
JP2016106228A5 (ja) | ||
WO2013153891A1 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP4950550B2 (ja) | パターン合わせずれ計測方法およびプログラム | |
JP2011033423A (ja) | パターン形状選択方法、及びパターン測定装置 | |
JP2013247104A (ja) | パターン評価装置およびパターン評価方法 | |
JP5301405B2 (ja) | 表面欠陥検査装置 | |
JP6158226B2 (ja) | 荷電粒子線装置及びその欠陥分析方法 | |
KR20170093931A (ko) | 패턴 측정 장치 및 결함 검사 장치 | |
JP2009252959A (ja) | パターン検査装置、パターン検査方法および半導体装置の製造方法 | |
JP6088803B2 (ja) | 画像処理装置、自己組織化リソグラフィ技術によるパターン生成方法、及びコンピュータープログラム | |
JP5451577B2 (ja) | 同心円状パターンの検査装置および検査方法 | |
JP2010074039A (ja) | 描画エラーの検出方法及び描画方法 | |
JP2008058090A (ja) | パターン評価方法およびプログラム | |
US8121390B2 (en) | Pattern inspection method, pattern inspection apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
JP6088337B2 (ja) | パターン検査方法及びパターン検査装置 | |
WO2012008091A1 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP6184922B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム走査方法およびプログラム | |
JP2010086759A (ja) | 電子ビーム検査に用いる検査画像、電子ビーム検査方法及び電子ビーム検査装置 | |
WO2024100896A1 (ja) | パターン測長・欠陥検査方法、画像データ処理システム、およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP2011047783A (ja) | 試料の観察方法およびその装置 | |
JP5270984B2 (ja) | 観察対象物整列方法および観察対象物整列装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130903 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131031 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5451577 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |