JP2000227319A - 欠陥検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】設計データ上のバンプ位置やバンプ全体の個数
を予め登録することなしに、欠陥の検出を高精度に行な
うことができる欠陥検出装置を提供する。 【解決手段】複数（ここでは第１、第２）の画像測定手
段を用いて測定を行うことにより検査対象の欠陥位置を
検出する欠陥検出装置において、第１（第２）の画像測
定手段は、少なくとも一方向に対して所定の規則で配列
された複数の検査対象について、各検査対象の検査をす
る第１（第２）の欠陥判定手段５５（５８）と、検査が
なされた各検査対象の状態と、各検査対象の位置を表わ
すＩＤ情報とを対応付けて記憶する第１（第２）のテー
ブル作成部５６（５９）とを具備し、第１、第２の画像
測定手段のそれぞれの検査結果を、各検査対象の位置を
表わすＩＤ情報に基づいて対応させ、総合的に欠陥を判
定する総合判定手段６０を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は欠陥検出装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、例えば基板上に形成された検
査対象としてのはんだバンプ（以下、単にバンプと呼
ぶ）の欠陥を検出する欠陥検出装置が知られている。

【０００３】このような欠陥検出装置においては、特開
平８−２０３９７２号公報に開示されているように、実
測により得られた検査情報と、あらかじめ記録されてい
る設計情報とを比較したり、バンプの数を測定値と設定
値との間で比較することにより欠陥の検出を行なってい
る。

【０００４】また、従来の欠陥検出装置では、２次元情
報を測定するセンサーと３次元情報を測定するセンサー
を別ステーションに設け、２次元形状情報と３次元形状
情報を基に欠陥検査を行うものもある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の欠陥検出装置においては、実測により得られた
検査情報と、あらかじめ記録されている設計情報とを比
較する場合に、設計データ上のバンプ位置やバンプ全体
の個数を予め登録する必要があり、したがって、カメラ
の分解能、角度、レンズの歪みなどの情報を正確に知る
必要があった。

【０００６】また、２次元情報を測定するセンサーと３
次元情報を測定するセンサーを別ステーションに設けて
検査を行なう場合は、それぞれのセンサーでの位置情報
を正しく対応させるために、お互いのセンサー画素位置
の補正と校正を行い、画素情報を一致させる必要があっ
た。

【０００７】本発明はこのような課題に着目してなされ
たものであり、その目的とするところは、設計データ上
の検査対象位置や検査対象全体の個数を予め登録するこ
となしに、欠陥の検出を高精度に行なうことができる欠
陥検出装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、第１の発明に係る欠陥検出装置は、複数の画像測
定手段を用いて測定を行うことにより検査対象の欠陥位
置を検出する欠陥検出装置において、前記複数の画像測
定手段はそれぞれ、少なくとも一方向に対して所定の規
則で配列された複数の検査対象について、各検査対象の
検査をする検査手段と、検査がなされた各検査対象の状
態と、各検査対象の位置を表わすＩＤ情報とを対応付け
て記憶する記憶手段とを具備し、前記複数の画像測定手
段のそれぞれの検査結果を、各検査対象の位置を表わす
ＩＤ情報に基づいて対応させ、総合的に欠陥を判定する
判定手段を有する。

【０００９】また、第２の発明に係る欠陥検出装置は、
第１の発明に係る欠陥検出装置において、前記複数の画
像測定手段はそれぞれに、検査、判定手段を持ち、各検
査対象の状態に応じて各検査対象をクラス分けするクラ
ス分け手段を持ち、各検査対象の位置を表すＩＤ情報と
を対応付けて記憶する。

【００１０】また、第３の発明に係る欠陥検出装置は、
第１の発明に係る欠陥検出装置において、前記複数の画
像測定手段は各々測定のための光学系を有し、各光学系
は、前記検査対象に関連して設けられた共通の対物レン
ズを有する。

【００１１】また、第４の発明に係る欠陥検出装置は、
第３の発明に係る欠陥検出装置において、前記共通の対
物レンズを透過した反射光を、各光源の波長帯域に基づ
いて分離する分離手段を有し、分離された反射光は前記
複数の画像測定手段のそれぞれの検出部に導かれる。

【００１２】また、第５の発明に係る欠陥検出装置は、
所定の規則で縦及び横方向に配置された複数の検査対象
の欠陥位置を検出する欠陥検出装置であって、所定の方
法により複数の検査対象を検索する検索手段と、検索さ
れた複数の検査対象から選択された、所定距離離れた２
つの検査対象を結ぶ基準線と、検査対象間の距離に関す
る設計値とに基づいて仮想的な格子線を作成して、この
格子線の各交点上に検査対象が存在するか否かにより欠
陥位置を検出する検出手段とを具備する。

【００１３】また、第６の発明に係る欠陥検出装置は、
所定の規則で縦及び横方向に配置された複数の検査対象
の欠陥位置を検出する欠陥検出装置であって、所定の方
法により複数の検査対象を検索する検索手段と、検索さ
れた複数の検査対象から選択された、所定距離離れた２
つの検査対象を結ぶ基準線と、この基準線長を前記基準
線間に存在するバンプの個数−１で割ることにより求め
た各検査対象間の距離とに基づいて仮想的な格子線を作
成して、この格子線の各交点上に検査対象が存在するか
否かにより欠陥位置を検出する検出手段とを具備する。

【００１４】また、第７の発明に係る欠陥検出装置は、
所定の規則で縦及び横方向に配置された複数の検査対象
の欠陥位置を検出する欠陥検出装置であって、所定の方
法により複数の検査対象を検索する検索手段と、検索さ
れた複数の検査対象から選択された、所定距離離れた２
つの検査対象を結ぶ基準線と、検査対象間の距離に関す
る設計値とに基づいて仮想的な格子線を作成し、各検査
対象の位置座標を、この検査対象位置から最も近くに位
置する格子線の交点が有する行列番号で置き換え、当該
行列番号位置に検査対象が存在するか否かに基づいて欠
陥位置を検出する検出手段とを具備する。

【００１５】また、第８の発明に係る欠陥検出装置は、
第５，６，７の発明のいずれか１つに記載の欠陥検出装
置において、前記複数の検査対象が千鳥配列をなして設
けられており、この千鳥配列が奇数列／行であるかある
いは偶数列／行であるかに応じて、それぞれ別々に前記
仮想格子線を作成して検査対象の欠陥位置を検出する。

【００１６】また、第９の発明に係る欠陥検出装置は、
第５，６，７の発明のいずれか１つに記載の欠陥検出装
置において、前記複数の検査対象が千鳥配列をなして設
けられており、前記検出手段が検出する前記格子線の交
点として、奇数行に関しては奇数列（又は偶数列）、偶
数行に関しては偶数列（又は奇数列）との交点を用い
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を詳細に説明する。

【００１８】（第１実施形態）まず、本発明の第１実施
形態を説明する。図１は、本発明が対象とする基板の被
検査面１０を真上からカメラにより撮像した場合の模式
図である。被検査面１０上には検査対象バンプ１１が行
列をなして規則正しく設けられている。

【００１９】図２は本発明の第１実施形態を適用したバ
ンプ欠陥検出装置の構成を示すブロック図である。図１
に示すような複数のバンプ１１が設けられている被検査
面１０を、カメラなどの入力手段１により被検査面１０
を撮像して得た画像は粒子解析手段２に転送される。粒
子解析手段２では各バンプ１１の重心位置の座標、もし
くは各バンプ１１に対する外接矩形の中心位置の座標
（以下では、これら両座標を総称して位置座標と呼ぶ）
が求められる。それに加えてバンプ１１の面積、外接矩
形の各辺の長さ、直径の平均値などのバンプ１１の特徴
量を求めてもよい。

【００２０】図３は各バンプ１１の位置座標（Ｘで示す
位置）を示す図である。位置座標間の距離はピッチサイ
ズあるいは格子定数と呼ばれ、本実施形態では、縦方法
のピッチサイズと横方向のピッチサイズに関するデータ
が図示せぬ記憶手段に登録されている。

【００２１】粒子解析手段２で求めた位置座標に関する
データは欠陥検出手段３に転送される。欠陥検出手段３
では、粒子解析手段２で求めたデータとバンプ並びのピ
ッチサイズとを基に欠陥判定が行われる。すなわち、欠
陥検出手段３内の行列数解析手段３Ａでは各バンプ１１
の位置座標に基づいて被検査面１０上に設けられたバン
プ１１の行数Ｍ及び列数Ｎと、各バンプ１１が何行、何
列目に位置するかを表す行列番号とが求められる。

【００２２】求められたバンプ１１の行列数Ｍ，Ｎ及び
各バンプの行列番号は欠損位置算出手段３Ｂに転送さ
れ、欠損位置算出手段３Ｂはこれらの情報に基づいてバ
ンプ１１の欠損位置を求める。結果出力部４は検出され
た欠損位置に関する情報を出力する。

【００２３】以下に上記した欠陥検出手段３の原理につ
いて詳細に説明する。まず欠陥検出手段３内の行列数解
析手段３Ａについて説明する。バンプ１１の行数Ｍと行
番号、及び列数Ｎと列番号を求めるには、まず基準とな
るバンプを１つ、位置座標が粒子解析手段２によって求
められたバンプの中から任意に選びだし、このバンプ
と、図示せぬ記憶部にあらかじめ登録された横及び縦方
向のピッチサイズとを基に解析する。

【００２４】まず行数Ｍと行番号を求める方法について
説明する。図４に示すように、基準となるバンプＡの位
置座標Ｐ_A から半径Ｒ、扇形の一辺と水平方向とのなす
角度がθである扇形の検索領域（図４に示す斜線部分）
に入る隣のバンプを検索する。この場合角度θとしては
例えば５〜１０度が用いられる。この検索によりバンプ
Ｂ（位置座標Ｐ_B ）が検索される。ここで半径Ｒの大き
さは少なくともあらかじめ登録された横方向のピッチサ
イズよりも大きいものとする。

【００２５】次に、検索されたバンプＢを基準にして新
たに検索領域を設定し、隣のバンプを検索する。この作
業を検索領域中に隣のバンプが検索できなくなるまで繰
り返し行い、最後に検索されたバンプをＣとする。

【００２６】ここで、図４では右方向に検索している
が、同様の方法で左方向にも検索を行い、最後に検索さ
れたバンプをＤとする。

【００２７】図５はバンプＣ，Ｄを求める手順を示すフ
ローチャートである。ここでは、粒子解析手段２によっ
て位置座標が求められたバンプを、Ｂ₁ 、Ｂ₂ 、…、Ｂ
_i 、…、Ｂ_n としたとき、２つのバンプＢ_i とＢ_j 間の
距離を｜Ｂ_i Ｂ_j ｜とし、これらを結ぶ直線をＢ_i Ｂ_j
で表わす。また、ベクトルＢ_i Ｂ_j とＸ軸とのなす角度
を Ｂ_i Ｂ_j と表わすことにする。

【００２８】まず基準となるバンプから右方向に探索す
る場合について述べる。任意のバンプＢ_i を選択し（ス
テップＳ１）、この選択したバンプＢ_i をＡとして記憶
する（Ａ＝Ｂ_i ）（ステップＳ２）。次に、カウンタｋ
に０を代入（ステップＳ３）した後、｜Ｂ_i Ｂ_j ｜≦Ｒ
（Ｒ：検索領域の半径）、ｉ≠ｊ、−θ≦ Ｂ_i Ｂ_j≦
θの３式を満たすＢ_j をｊ＝１〜ｎの中から探索する
（ステップＳ４）。この探索によりＢ_j が見つかったか
どうかを判断し（ステップＳ５）、ＹＥＳの場合にはｋ
をインクリメント（ステップＳ６）した後、探索したＢ
_j を新たなＢ_i として（ステップＳ７）、ステップＳ４
に移行する。ステップＳ５の判断がＮＯの場合にはｋ≧
Ｍ（Ｍ：規定の探索回数）かどうかを判断し（ステップ
Ｓ８）、ＮＯの場合にはＡとは異なるバンプＢ_i を新た
に選択して（ステップＳ９）、ステップＳ３に戻る。ま
た、ステップＳ８の判断がＹＥＳの場合には最後に求ま
ったＢ_j をバンプＣとする（ステップＳ１０）。

【００２９】続いて基準となるバンプから左方向に探索
を行なう場合は、Ｂ_i にＡを代入して（ステップＳ１
１）、｜Ｂ_i Ｂ_j ｜≦Ｒ、ｉ≠ｊ、１８０−θ≦ Ｂ_i
Ｂ_j ≦１８０＋θの３式を満たすＢ_j をｊ＝１〜ｎの中
から探索する（ステップＳ１２）。次にこの探索により
Ｂ_j が見つかったかどうかを判断し（ステップＳ１
３）、ＹＥＳの場合にはＢ_i に探索したＢ_j を代入して
（ステップＳ１４）、ステップＳ１２に移行する。

【００３０】また、ステップＳ１３の判断がＮＯの場合
には最後に求まったＢ_j をバンプＤとして（ステップＳ
１５）、本フローを終了する。

【００３１】上記のようにしてバンプＣとＤが求まった
ら図６に示すようにそれぞれの位置座標Ｐ_C ，Ｐ_D を通
る直線ＣＤを求める。図６には基準となるバンプＡ、左
右それぞれの方向で最後に検索されたバンプＣ，Ｄ、及
び直線ＣＤが示されている。直線ＣＤが求まったら、各
バンプの位置座標Ｐから直線ＣＤまでの距離ｄを次式か
ら求める。

【００３２】

【数１】

【００３３】ここで、ａ，ｂ，ｃは次式で表される直線
ＣＤの各係数である。

【００３４】ａｘ＋ｂｙ＋ｃ＝０ 次に、求めた距離ｄが縦方向のピッチサイズの何倍にな
るかを求め、求めた整数値をそのバンプの行番号とす
る。たとえば図６において、バンプＥの位置座標から直
線ＣＤまでの距離はほぼ縦方向のピッチサイズに等しい
ので、バンプＥの行番号は１となる。ここで直線ＣＤよ
りも上にあるバンプに対しては、求めた行番号に−１を
かけて負値にする。例えばバンプＦの場合、直線ＣＤま
での距離は縦方向のピッチサイズの約２倍に等しく、か
つ直線ＣＤよりも上側にあるので、求める行番号は−２
となる。負の値を持つ行番号は全バンプの行番号を求め
た後に、行番号の最小値を求め、その最小値の絶対値を
各バンプの行番号に加えることで０以上の値にすること
ができる。

【００３５】また、バンプの行数Ｍは、各バンプの行番
号の最大値ＭＡＸ及び最小値ＭＩＮを求めれば、次式に
より簡単に計算できる。

【００３６】行数Ｍ＝ＭＡＸ−ＭＩＮ＋１ 図７はバンプの行数Ｍと各バンプの行番号を求める手順
を示すフローチャートである。まずカウンタｉに１を代
入して（ステップＳ２０）、バンプＢ_i から直線ＣＤま
での距離ｄを求める（ステップＳ２１）。次に、求めた
距離ｄを縦方向のピッチサイズＰＹ、で割り算して四捨
五入した値をバンプＢ_i の行番号とする。ここで、バン
プＢ_i が直線ＣＤより上に存在するかどうかを判断し
て、上に存在する場合には行番号を負の値にする（ステ
ップＳ２２）。次に、ｉがｎよりも大きいかどうかを判
断し（ステップＳ２３）、ＮＯの場合にはｉをインクリ
メント（ステップＳ２４）した後、ステップＳ２１に移
行する。

【００３７】また、ステップＳ２３の判断がＹＥＳの場
合には、求めた各バンプの行番号の中の最小値と最大値
を求める（ステップＳ２５）。次に、行数＝最大値−最
小値＋１により行数を求める（ステップＳ２６）。次に
ｉに１を代入（ステップＳ２７）した後、求めたバンプ
Ｂ_i の行番号に｜最小値｜を加える（ステップＳ２
８）。ここで、｜・｜は絶対値を表わしている。この操
作によりバンプＢ_i の行番号を正の値にすることができ
る。

【００３８】次に、i＞ｎかどうかを判断し（ステップ
Ｓ２９）、ＮＯの場合にはｉをインクリメント（ステッ
プＳ３０）した後、ステップＳ２８に戻り、ＹＥＳの場
合には本フローを終了する。

【００３９】以上の方法により、バンプの行数Ｍと各バ
ンプの行番号を求めることができる。バンプの列数Ｎと
各バンプの列番号についても同様に求めることができる
ので、ここでの説明は省略する。

【００４０】次に、欠陥検出手段３内の欠損位置算出手
段３Ｂについて説明する。欠損位置算出方法としては次
の２つの方法がある。第１の方法を図８を用いて説明
し、第２の方法を図９を用いて説明する。ここで図８，
図９の×印の位置は実測されたバンプの位置座標を示
す。また、図８の括弧内のペアで表わされた２つの数値
はそれぞれ行番号、列番号を表す。例えば、（１，２）
は行番号が１、列番号が２であることを意味する。ま
た、図９の□印は推定した設計データ上のバンプ位置を
示す。

【００４１】第１の方法では、行及び列番号の連続性か
らバンプの状態（良／不良）を判定するものである。例
えば、図８のように３行５列でバンプが並んでいた場合
を考える。欠損位置を求めるにはまず１行１列目の行列
番号（１，１）がつけられたバンプを検索して、あれば
良とし、無ければ不良とする。次に１行２列目の行列番
号（１，２）がつけられたバンプを検索し、あれば良と
し、無ければ不良とする。同様にして次々に検索を行
う。

【００４２】図８において２行２列目の行列番号（２，
２）がつけられたバンプを検索した場合は該当するバン
プが存在しないので、２行２列目のバンプは不良として
判定することができる。この欠損バンプの位置座標は、
欠損バンプの行列番号を基に横及び縦のピッチサイズを
整数倍した値を１行１列目のバンプの位置座標（１，
１）に加えることで算出することができる。

【００４３】上記した第１の方法によれば、設計データ
上のバンプ位置を登録または推定せずにバンプの欠損位
置を高速に求めることが可能となる。

【００４４】以下に第２の方法について説明する。第２
の方法は、設計データ上のバンプ位置を推定し、推定し
た設計データ上の各バンプ位置の近傍で測定されたバン
プを検索してバンプの有無によりバンプの状態（良／不
良）を判定するものである。設計データ上のバンプ位置
を推定するには、まず左上隅のバンプ位置を推定する。
左上隅のバンプは図９に示すように、１行目のバンプの
うちあらかじめ登録された距離Ｄ以上離れた２点を通る
直線１００と、１列目のバンプのうちあらかじめ登録さ
れた距離Ｄ′以上離れた２点を通る直線１０１との交点
を求めることによって推定できる。

【００４５】次に推定した左上隅のバンプ位置から直線
１００に沿って右方向に横方向のピッチサイズ分だけ離
れた位置を１行２列目のバンプ位置として推定する。こ
れを列数Ｎ分だけ繰り返し行い、１行目の設計データ上
のバンプ位置を推定する。２行目は左上隅のバンプ位置
から直線１０１に沿って縦方向のピッチサイズ分だけ離
れた位置を２行１列目とし、１行目と同様にして２行目
のバンプ位置を推定する。以上のことを繰り返し、Ｍ行
Ｎ列のバンプ位置すべてを推定する。

【００４６】図１０は設計データ上のバンプ位置を推定
する手順を示すフローチャートである。まず、１番上の
行に存在するバンプを２つ検索して、これらを結ぶ直線
１００を求める（ステップＳ３０）。同様にして、１番
左の列に存在するバンプを２つ検索し、これらを結ぶ直
線１０１を求める（ステップＳ３１）。次に、求めた直
線１００と直線１０１の交点Ａを求める（ステップＳ３
２）。

【００４７】次にカウンタｉ、ｊに０を代入（ステップ
Ｓ３３）した後、交点Ａから直線１００と平行な方向に
ｊ×ＰＸ、直線１０１と平行な方向にｉ×ＰＹだけ離れ
た位置を求める設計データ上のバンプ位置をＡ_ijとする
（ステップＳ３４）。ここで、ＰＸは縦方向のピッチサ
イズ、ＰＹは横方向のピッチサイズである。また、Ａ _ij
におけるｉは行を表わし、ｊは列を表わす。

【００４８】次に、ｊをインクリメント（ステップＳ３
５）した後、ｊ≧ＮＸかどうかを判断し（ステップＳ３
６）、ＮＯの場合にはステップＳ３４に戻る。ここで、
ＮＸは行列数解析手段３Ａにより求められた列数であ
る。次に、ｉをインクリメント（ステップＳ３７）した
後、ｉ≧ＮＹかどうかを判断し（ステップＳ３８）、Ｎ
Ｏの場合にはｊに０を代入して（ステップＳ３９）、ス
テップＳ３４に戻る。ここで、ＮＹは行列数解析手段３
Ａにより求められた行数である。また、ステップＳ３８
の判断がＹＥＳの場合には本フローを終了する。

【００４９】なお、直線１００（または直線１０１）
は、１行目（または１列目）のバンプを全て列挙し、そ
れらバンプの位置座標から最小二乗直線を求めて、それ
を直線１００（または直線１０１）としてもよい。

【００５０】以上の方法によれば、２本の直線の交点を
基準にして、縦及び横方向のピッチサイズを基に設計デ
ータ上のバンプ位置を推定できるので、左上隅のバンプ
が欠損になっていた場合や設計データ上もともと無い場
合でも、正しく設計データ上のバンプ位置を推定するこ
とができる。また、設計上、あらかじめ格子規則上にバ
ンプ（突起物）が存在しない場合は、欠陥検出手段に対
して、あらかじめ欠落している位置の行列番号を登録し
ておく。上述の第１、第２実施形態にしたがって、計測
した画像から格子配列を推定し、あらかじめ欠落してい
る行列番号に関しては例外的に、検査判定は行わないよ
うにする。

【００５１】次に欠損位置の判定を行なう。欠損位置の
判定は推定した設計データ上の各バンプの位置座標の近
傍で実測されたバンプを検索し、無かった場合には不良
とすることで判定できる。欠損位置の座標は推定した設
計データ上のバンプの位置座標となる。

【００５２】図１１は欠損位置判定の手順を示すフロー
チャートである。まず、カウンタｉ、ｊに０を代入する
（ステップＳ４０，Ｓ４１）。次に、設計データ上のバ
ンプＡ_ijから半径ｒ（ｒの大きさは縦及び横方向のピッ
チサイズよりも小さい）内に存在するバンプＢ_k を（Ｂ
₁ 、Ｂ₂ 、…、Ｂ_n ）の中から検索する（ステップＳ４
２）。次に、バンプＢ_k が見つかったかどうかを判断し
（ステップＳ４３）、ＮＯの場合にはバンプＡ_ijを欠損
位置であると判定（ステップＳ４６）した後にステップ
Ｓ４４に進む。また、ステップＳ４３の判断がＹＥＳの
場合には直ちにステップＳ４３に進む。

【００５３】ステップＳ４３ではｊ＜ＮＸかどうかを判
断し（ステップＳ４４）、ＹＥＳの場合にはｊをインク
リメント（ステップＳ４５）した後、ステップＳ４２に
戻る。また、ステップＳ４４の判断がＮＯの場合にはｉ
＜ＮＹかどうかを判断し（ステップＳ４７）、ＹＥＳの
場合にはｉをインクリメント（ステップＳ４８）した
後、ステップＳ４１に戻る。また、ステップＳ４７の判
断がＮＯの場合には本フローを終了する。

【００５４】このようにして欠陥位置が判定されたバン
プは、その状態と各バンプの位置を表わす行列番号とが
対応付けられて図示せぬ記憶手段に記憶される。

【００５５】上記した第２の手段によれば、設計データ
上のバンプ位置を推定し、その位置の周りで対応する実
測されたバンプを検索するので、たとえ各バンプの行列
番号を計算する時に間違えた場合でも、左上隅のバンプ
位置と、直線１００と１０１を間違えなければ正しく欠
損位置を求めることが可能となる。

【００５６】以上、上記した第１実施形態によれば、実
測されたバンプの位置座標と、あらかじめ登録された縦
または横方向のピッチサイズのみから、バンプの欠損位
置を求めることができるので、設計データ上のバンプ位
置やバンプ全体の個数をあらかじめ登録することなしに
欠陥検出を非常に高精度で行なうことができる。

【００５７】また、ほかの検査装置により同じ検査対象
品を検査した結果と本装置による結果とを照合する場
合、普通何らかの方法で両方の座標をあわせるようにマ
ッチングを行なう必要があるが、行列番号を使用すれば
マッチングの必要がなく正確な照合が可能となる。

【００５８】以下に上記した第１実施形態の変形例を説
明する。上記した説明では図１に示すように、バンプが
格子状に配列されている場合を想定したが、図１２に示
すように、バンプが千鳥配列で設けられている場合があ
る。このような千鳥配列をもつバンプの欠損位置を判定
するには以下の２つの方法がある。

【００５９】第１の方法は図１３に示すように、奇数行
及び奇数列にあるバンプを直線で結んでできる格子枠
（図１３の実線）と、偶数行及び偶数列にあるバンプを
直線で結んでできる格子枠（図１３の点線）とをそれぞ
れ求め、各格子枠の交点から格子位置を推定する方法で
ある。

【００６０】また、第２の方法は図１４のように、各行
及び各列のバンプを直線で結んで格子枠を作成し、奇数
行にある格子位置を推定するときには奇数列にある交点
のみを求め、偶数行にある格子位置を推定するには偶数
列にある交点のみを求めるようにすればよい。また、バ
ンプが図１５に示すような形態（左上隅にバンプを有し
ていない）で配置されている場合でも、奇数行は偶数列
を、偶数行には奇数列を対応させて格子枠を求めること
によって同様に格子位置を推定することができる。

【００６１】（第２実施形態）以下に本発明の第２実施
形態を説明する。第１実施形態では縦または横方向の正
確なピッチサイズがあらかじめ登録されていることを前
提にしたが、縦および横方向の正確なピッチサイズは、
予め与えなくても行列数解析手段３Ａにより求めること
ができる。すなわち、行列数解析手段３Ａにおいて、第
１実施形態と同様の方法で直線ＣＤを求める。このと
き、図４における扇形の半径Ｒはピッチサイズとは別に
任意に与えられる。次にバンプＣ，Ｄ間の距離を、バン
プＣ，Ｄ間に存在するバンプの個数−１で割り算するこ
とでバンプ間の距離（平均距離）を求める。この平均距
離が求める横方向のピッチサイズとなる。同様にして縦
方向のピッチサイズも求めることも可能である。

【００６２】横および縦方向のピッチサイズが求まった
後は、第１実施形態と同様の方法で行数と行番号、およ
び列数と列番号を求めることができる。

【００６３】上記した第２実施形態によれば、検査対象
ごとに正確なバンプのピッチサイズを登録しておく煩わ
しさはなく、単一の設定（図４における扇形の半径Ｒの
設定）の許容範囲内で多種類の検査対象に対応できる。
また、撮像系の固体差によるピッチサイズのずれもない
ので、同じ設定の許容範囲内で、多種類の撮像系に対応
できる。

【００６４】（第３実施形態）以下に本発明の第３実施
形態を説明する。第３実施形態では、本実施形態のバン
プ欠陥検出装置を、二次元測定手段（二次元形状測定手
段）と三次元測定手段（三次元形状測定手段）とを組み
合わせた測定システムに適用し、これら測定手段による
測定結果を総合判定して不良バンプ位置を検出するもの
である。

【００６５】まず、本実施形態の測定システムについて
述べる。図１６は本測定システムの機能ブロック図であ
る。光学系として、リング照明用光源５０、リング照明
５１、対物レンズ５２、レーザ光源５３、さらに波長分
離手段としてのダイクロイックミラー６１などを備えて
いる。これらの光学系については後で詳細に述べる。

【００６６】二次元測定手段は、試料（ここではバン
プ）に対して全周囲方向から、試料面に対して平行に近
い角度から投影された拡散光の反射像を得る手段であ
る。この反射像は第１の検出部５４で検出される。第１
の欠陥判定手段５５は、反射像に含まれる形状の特徴か
ら欠陥位置を判定する。第１のテーブル作成部５６は、
前記第１及び第２の実施形態で示した格子の推定により
不良バンプ位置についてのテーブルを作成する。

【００６７】また、三次元測定手段は、バンプが形成さ
れた基板、または電子部品等の試料に対して、例えばレ
ーザを走査する方式で三角測量の原理により試料の高さ
と反射光の強度分布に関するデータを得る手段である。
このデータは第２の検出部５７で検出される。第２の欠
陥判定手段５８は、この高さと反射光強度データにより
欠陥を判定する。第２のテーブル作成部５９は、前記第
１及び第２の実施形態で示した格子の推定により不良バ
ンプ位置についてのテーブルを作成する。総合判定手段
６０は、第１のテーブル作成部５６で作成された不良バ
ンプ位置と、第２のテーブル作成部５９で作成された不
良バンプ位置との照合により欠陥を総合的に判定する。

【００６８】図１７は図１６に示す光学系の構成を詳細
に示す図である。図１７において、検査対象としてのバ
ンプ７１が基板７０上に設けられている。この状態で、
リング照明７２によりバンプ７１が照明される。同時
に、レーザダイオード８１からの測定光はコリメータ７
９によって平行光とされ、偏光ビームスプリッタ（ＰＢ
Ｓ）７８と１／４波長板８４を透過した後、ガルバノミ
ラー８０により反射され、ダイクロイックミラー７７を
透過した後、対物レンズ７３によってこの対物レンズ７
３の瞳径と焦点距離で決まるＮＡの収束光として、バン
プ７１が設けられた基板７０表面の任意の位置に照射さ
れる。

【００６９】バンプ７１から反射された光は、対物レン
ズ７３を透過した後、ダイクロイックミラー７７により
波長分離され、一方の波長の光は反射ミラー７４により
反射された後、結像レンズ７５によりラインイメージセ
ンサ７６（図１６の第１の検出部５４に対応）上に集光
される。

【００７０】また、ダイクロイックミラー７７により波
長分離された他方の波長の光はガルバノミラー８０で反
射された後、１／４波長板８４を透過し、ＰＢＳ７８に
より反射されて、絞り８２により制限された後、レンズ
８３によって焦点面に集光される。このレンズ８３を通
過した光は、無限系に設計されたリレーレンズ８５を通
過し、所定の角度をもたせて配置された一対のミラー８
８、８９によりそれぞれ反射される。ミラー８８により
反射された光はミラー８７によりさらに反射されて結像
レンズ９０により光位置検出素子（ＰＳＤ）９１（図１
６の第２の検出部５７に対応）上に集光される。同様に
して、ミラー８９により反射された光はミラー８６によ
りさらに反射されて結像レンズ９２によりもう一つの光
位置検出素子（ＰＳＤ）９３上に集光される。

【００７１】上記した構成において、対物レンズ７３か
ら、ダイクロイックミラー７７、反射ミラー７４、結像
レンズ７５を介してラインイメージセンサ７６に至る光
路は二次元測定手段の光学系を構成する。また、対物レ
ンズ７３から、ダイクロイックミラー７７、ガルバノミ
ラー８０、１／４波長板８４、ＰＢＳ７８、絞り８２を
介してＰＳＤ９１，９３に至る光路は、三次元測定手段
の光学系を構成する。

【００７２】図１８は本発明の第３実施形態を適用した
バンプ欠陥検出装置の構成を示すブロック図である。図
１８のブロック図は図２のブロック図にクラス分け手段
３Ｃを追加したものである。

【００７３】図１８において、三次元形状のデータを入
力手段１から入力すると、対象物の高さ分布および明る
さ分布が二次元画像データとして粒子解析手段２に転送
される。粒子解析手段２では、各バンプの位置座標とし
て、各バンプの重心位置の座標、もしくは外接矩形の中
心位置が求められる。それに加えて面積、濃淡情報（ま
たは高さの分布情報）、外接矩形の各辺の長さ、直径の
平均値などバンプの特徴量を求めてもよい。粒子解析手
段２で求めた位置座標データは欠陥検出手段３に転送さ
れる。

【００７４】欠陥検出手段３では、与えられたデータを
基に欠陥判定が行われる。上記した第１及び第２実施形
態に示した方法で実測により、バンプの並びの格子を推
定してバンプが並んでいるサンプルの何行、何列目にバ
ンプの欠陥があるかについての情報を取得する。

【００７５】すなわち、欠陥検出手段３内の行列数解析
手段３Ａでは、各バンプの位置座標から被検査面上に設
けられたバンプの行数Ｍ及び列数Ｎが求められ、さらに
各バンプが何行、何列目に位置するかを表す行列番号が
求められる。求められた行列数及び各バンプの行列番号
は欠損位置算出手段３Ｂに転送されてバンプの欠損位置
が求められる。

【００７６】クラス分け手段３Ｃでは、欠損位置算出手
段３Ｂにおいて良と判定されたバンプの面積、外接矩形
の各辺の長さ、直径の平均値など各バンプの特徴量のう
ちいずれか１つまたは複数の値と、あらかじめ登録され
た各特徴量の良品バンプの限界値とを比較し、各バンプ
の特徴量が良品の限界値より小さいか、または大きかっ
た場合には不良と判定し、限界値との差の程度によって
不良バンプのクラス分けを行なう。

【００７７】以下に、各バンプの面積を指標として上記
したクラス分け手段３Ｃについて詳細に説明する。ここ
では、不良バンプをクラス０からクラスｎに分類するこ
とを考える。例えば、クラス番号が大きくなるほど良品
に近い不良とすることにする。まず、欠損位置算出手段
３Ｂにおいて欠損と判定されたバンプを最も不良とされ
るクラス０に分類する。次に粒子解析手段２において算
出しておいた各バンプの特徴量（面積、外接矩形の各辺
の長さ、直径の平均値など）が、あらかじめ登録してお
いた各特徴量の良品バンプの限界値より小さいか、また
は大きかったものを不良と判定する。

【００７８】この時、限界値からの差の程度によってク
ラス分けをする。例えば、面積を使ってバンプの良・不
良を判定する場合、図１９のように限界値からの差が０
より大きくかつＴ１以下のバンプはクラス３の不良と判
定し、Ｔ１より大きくＴ２以下のバンプをクラス２の不
良と判定し、Ｔ２よりも大きいバンプをクラス１の不良
と判定することにより、欠陥のクラス分けが可能とな
る。図１９においてＴ１，Ｔ２はあらかじめ登録してお
いたしきい値である。

【００７９】上記した第３実施形態によれば、欠陥をク
ラス分けして出力するので、ほかの検査装置で同じ検査
対象品を検査した結果と照合する場合に、欠陥のクラス
情報を基により正確な欠陥判定が可能となる。

【００８０】これに対して、高さの計測の場合は、指標
として、たとえばバンプの高さの平均値、あるいは最小
自乗法による平面の計算を行い、各バンプの高さがそこ
からどの程度乖離しているかによって前述と同様にクラ
ス分けの計算を行う。

【００８１】以下では、図１６に示すような２つの測定
装置での各々の欠陥のクラス分けの情報を統合して、よ
り多種のクラス分けを行う方法を示す。すなわち、Ａ−
１：バンプの高さがきわめて他と異なる、Ａ−２：バン
プの高さが中程度に他と異なる、Ａ−３：バンプの高さ
がわずかに他と異なる、Ａ−４：バンプ頂点付近の反射
像形状に異常がある、Ａ−５：高さ、反射像の面積がと
もに正常な範囲にある、などのクラス分けをし、これら
のクラスに振り分けられたバンプが推定した格子の何
行、何列目にあるかを記録する。記録媒体としては、メ
モリ、ハードディスク、光磁気ディスク、磁気ディスク
などの媒体がある。

【００８２】同様にして、二次元形状のデータを入力手
段１から入力すると、二次元形状に関する画像データが
粒子解析手段２２に転送される。粒子解析手段２２はこ
の画像データから明るさに基づいて２値化したバンプの
画像の面積、半径などから形状の欠陥を判断する。そし
て、前述の三次元測定と同様に欠陥の程度により、Ｂ−
１：バンプが完全に欠損している、Ｂ−２：全バンプの
平均の面積より少ない面積である、Ｂ−３：バンプの像
の面積は正常な範囲にある、などにクラス分けをする。

【００８３】このときも第１，２実施形態において示し
たように、実測のバンプの並びから格子を推定し、クラ
ス分けしたバンプが格子のどの位置にあるかを記録す
る。この様にして、三次元、および二次元形状を測定し
て欠陥を判定した結果は、推定した格子の位置を基準と
して保存されているのでそれぞれの撮像系の分解能、角
度、アスペクト比、収差、像の湾曲などに影響されるこ
となく、同一のバンプの形状の欠陥についての情報をお
互いに比較することができる。

【００８４】ここで、前述のＡ−１，Ａ−２，Ａ−３，
Ａ−４，Ａ−５，Ｂ−１，Ｂ−２，Ｂ−３で分類された
バンプはたとえば図２０に示すように１５のクラスに分
類される。さらにあらかじめ設定した基準で総合判定
し、欠陥のバンプと正常なバンプに最終的に分類する。

【００８５】図２１は上記した第３実施形態に係るバン
プの良否判定手順を要約したフローチャートである。ま
ず三次元測定手段について説明する。最初に三次元形状
入力手段から検査対象の画像データを入力する（ステッ
プＳ５１）。次に、検査対象の高さ分布および明るさ分
布に基づいて粒子解析の手法により、各バンプのクラス
分けをする（ステップＳ５２）。次に、測定したバンプ
の画像から格子を推定する（ステップＳ５３）。次に、
クラス分けしたバンプの位置を格子の位置として記録す
る（ステップＳ５４）。

【００８６】次に二次元測定手段について説明する。最
初に二次元形状入力手段から二次元形状データとしての
画像データを入力する（ステップＳ５５）。次に、二次
元画像データから形状粒子解析の手法により、各バンプ
のクラス分けをする（ステップＳ５６）。次に、測定し
たバンプの画像から格子を推定する（ステップＳ５
７）。次に、クラス分けしたバンプの位置を格子の位置
として記録する（ステップＳ５８）。

【００８７】最後に総合判定手段により、求められた各
々の格子位置のバンプが、三次元及び二次元測定手段の
粒子解析によりどのようにクラス分けされたかを比較す
ることにより最終的に良否判定を行ない（ステップＳ５
９）、良否判定結果を出力する（ステップＳ６０）。

【００８８】（第４実施形態）以下に本発明の第４実施
形態を説明する。第４実施形態では、前述の図４、図５
と同様な手段により、少なくとも１方向について規則的
に配設している複数の検査対象（バンプ）に対して、各
検査対象ごとにその位置を表わすＩＤ情報を算出するこ
とを特徴とする。図２２はそのような検査対象としての
バンプ１００の配列を模式的に示している。この配列の
バンプ１００は横方向においては所定の横ピッチ１０３
で直線をなして配置されているが、縦方向については所
定の縦ピッチ１０２で不規則に配置されている。なお、
本実施形態の構成は第３実施形態と同様である（図１６
参照）。

【００８９】図２３は、第４実施形態の作用を説明する
ためのフローチャートである。以下に図２３を参照して
本実施形態の作用を説明する。図２２に示すような配列
でバンプが形成された基板または電子部品等の試料に対
して、レーザを走査する方式で三角測量の原理により試
料の高さと反射光の強度分布を得る手段（三次元計測手
段）と、検査対象に対して全周囲方向から、試料面に対
して平行に近い角度から投影された拡散光の反射像を得
る手段（二次元計測手段）を用いて画像データを得て入
力する（ステップＳ１０１、Ｓ１０５）。

【００９０】次に粒子解析手段では、各バンプの重心位
置の座標、もしくは外接矩形の中心位置が最低でも求め
られ（以下両方を総称して位置座標と呼ぶ）、それに加
えて面積、濃淡情報（または高さの分布情報）、外接矩
形の各辺の長さ、直径の平均値などのバンプの特徴量が
求められる。これらのデータを用いて粒子解析の手法に
より、各バンプのクラス分けを行う（ステップＳ１０
２、Ｓ１０６）。粒子解析手段で求めたデータは欠陥検
出手段に転送され、このデータに基づいて欠陥判定が行
われる。

【００９１】まず、検査対象の配列番号を図４及び図５
に示した手段により算出する（ステップＳ１０３、Ｓ１
０７）。図２２に示した検査対象では、水平方向の基準
線１０１を求め、各バンプ１００の基準線１０１からの
縦方向距離を第１実施形態で用いた距離を求める以下の
計算式により計算する。

【００９２】

【数２】

【００９３】予め設定した縦方向のピッチ１０２によ
り、各バンプ１００が何行目に帰属するのかを計算す
る。次に、各行に帰属したバンプ１００の縦方向位置の
順列を計算する。各バンプ１００が何行目の何番目に位
置するのかを計算してこれを位置を表わすＩＤ情報とす
る（図２４）。前述の粒子解析手段によって求めた各バ
ンプの特徴量をＩＤ情報と関連付けて管理する（ステッ
プＳ１０４、Ｓ１０８）。

【００９４】これ以下のデータの利用方法、複数の計測
手段による測定結果の照合による良否判定の方法は第３
実施形態と同様である（ステップＳ１０９、Ｓ１１
０）。

【００９５】なお、検査対象の配列が複雑であり、元来
欠損している位置を有している等により付加的な情報を
必要とする場合は、配列の計算手段において、ティーチ
ング（標準試料を計測する等の方法で欠損のある位置を
予め登録する作業）等の手法を用いて欠損位置（欠落
部）の登録を画像データ入力の前に行っておけばよい
（ステップＳ１００）。

【００９６】

【発明の効果】本発明によれば、測定した検査対象の画
像データを用いて、各測定対象の位置座標から推定され
る理想的な格子および格子の間隔を生成するようにした
ので、設計データ上の検査対象位置や検査対象全体の個
数を予め登録することなしに、欠陥の検出を高精度に行
なうことができる。また、カメラの分解能、角度、レン
ズの歪みなどが異なっていても、その測定系における、
理想的な格子を直ちにつくることができる。

【００９７】また、２次元形状情報と３次元形状情報を
異なるセンサーで測定している場合においても、それぞ
れの画素分解能、傾き、像面の歪みなどが異なっていて
も、それらを補正、校正することなく、直接、測定対象
の位置により推定される格子の位置情報をもとに、それ
ぞれの画像解析の結果を比較・対応させて、統合的に検
査対象の欠陥などの情報を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が対象とする被検査面１０を真上からカ
メラにより撮像した場合の模式図である。

【図２】本発明の第１実施形態を適用したバンプ欠陥検
出装置の構成を示すブロック図である。

【図３】各バンプ１１の位置座標を示す図である。

【図４】基準となるバンプＡの位置座標Ｐ_A から扇形の
検索領域に入る隣のバンプを検索する手順を説明するた
めの図である。

【図５】バンプＣ，Ｄを求める手順を示すフローチャー
トである。

【図６】バンプＣとＤから直線ＣＤを求め、各バンプの
位置座標Ｐから直線ＣＤまでの距離ｄを求める手順を説
明するための図である。

【図７】バンプの行数Ｍと各バンプの行番号を求める手
順を示すフローチャートである。

【図８】欠損位置算出方法の第１の方法を説明するため
の図である。

【図９】欠損位置算出方法の第２の方法を説明するため
の図である。

【図１０】設計データ上のバンプ位置を推定する手順を
示すフローチャートである。

【図１１】欠損位置判定の手順を示すフローチャートで
ある。

【図１２】第１実施形態の変形例として、バンプが千鳥
配列された例を示す図である。

【図１３】千鳥配列のバンプの欠損位置を判定する第１
の方法を説明するための図である。

【図１４】千鳥配列のバンプの欠損位置を判定する第２
の方法を説明するための図である。

【図１５】千鳥配列の変形例を示す図である。

【図１６】二次元測定手段と三次元測定手段とを組み合
わせた測定システムの機能ブロック図である。

【図１７】図１６に示す測定システムの光学系の構成を
示す図である。

【図１８】本発明の第３実施形態を適用したバンプ欠陥
検出装置の構成を示すブロック図である。

【図１９】第３実施形態におけるクラス分けの方法につ
いて説明するための図である。

【図２０】バンプが欠損の度合いに応じてクラス分けさ
れたようすを示す図である。

【図２１】第３実施形態に係るバンプの良否判定手順を
要約したフローチャートである。

【図２２】本発明の第４実施形態における検査対象とし
てのはんだバンプの配列を模式的に示す図である。

【図２３】第４実施形態の作用を説明するためのフロー
チャートである。

【図２４】各バンプの配列位置をＩＤ情報で表わした図
である。

【符号の説明】

１…入力手段、 ２…粒子解析手段、 ３…欠陥検出手段、 ３Ａ…行列数解析手段、 ３Ｂ…欠陥位置算出手段、 ３Ｃ…クラス分け手段、 ４…結果出力部、 ５０…リング照明光源、 ５１…リング照明、 ５２…対物レンズ、 ５３…レーザ光源、 ５４…第１の検出部、 ５５…第１の欠陥判定手段、 ５６…第１のテーブル作成部、 ５７…第２の検出部、 ５８…第２の欠陥判定手段、 ５９…第２のテーブル作成部、 ６０…総合判定手段、 ６１…ダイクロイックミラー。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の画像測定手段を用いて測定を行う
   ことにより検査対象の欠陥位置を検出する欠陥検出装置
   において、 前記複数の画像測定手段はそれぞれ、少なくとも一方向
   に対して所定の規則で配列された複数の検査対象につい
   て、各検査対象の検査をする検査手段と、 検査がなされた各検査対象の状態と、各検査対象の位置
   を表わすＩＤ情報とを対応付けて記憶する記憶手段と、
   を具備し、 前記複数の画像測定手段のそれぞれの検査結果を、各検
   査対象の位置を表わすＩＤ情報に基づいて対応させ、総
   合的に欠陥を判定する判定手段を有することを特徴とす
   る欠陥検出装置。
2. 【請求項２】 前記複数の画像測定手段はそれぞれに、
   検査、判定手段を持ち、各検査対象の状態に応じて、各
   検査対象をクラス分けするクラス分け手段を持ち、各検
   査対象の位置を表すＩＤ情報とを対応付けて記憶するこ
   とを特徴とする請求項１記載の欠陥検出装置。
3. 【請求項３】 前記複数の画像測定手段は各々測定のた
   めの光学系を有し、各光学系は、前記検査対象に関連し
   て設けられた共通の対物レンズを有することを特徴とす
   る請求項１記載の欠陥検出装置。
4. 【請求項４】 前記共通の対物レンズを透過した反射光
   を、各光源の波長帯域に基づいて分離する分離手段を有
   し、分離された反射光は前記複数の画像測定手段のそれ
   ぞれの検出部に導かれることを特徴とする請求項３記載
   の欠陥検出装置。
5. 【請求項５】 所定の規則で縦及び横方向に配置された
   複数の検査対象の欠陥位置を検出する欠陥検出装置であ
   って、 所定の方法により複数の検査対象を検索する検索手段
   と、 検索された複数の検査対象から選択された、所定距離離
   れた２つの検査対象を結ぶ基準線と、検査対象間の距離
   に関する設計値とに基づいて仮想的な格子線を作成し
   て、この格子線の各交点上に検査対象が存在するか否か
   により欠陥位置を検出する検出手段と、 を具備することを特徴とする欠陥検出装置。
6. 【請求項６】 所定の規則で縦及び横方向に配置された
   複数の検査対象の欠陥位置を検出する欠陥検出装置であ
   って、 所定の方法により複数の検査対象を検索する検索手段
   と、 検索された複数の検査対象から選択された、所定距離離
   れた２つの検査対象を結ぶ基準線と、この基準線長を前
   記基準線間に存在するバンプの個数−１で割ることによ
   り求めた各検査対象間の距離とに基づいて仮想的な格子
   線を作成して、この格子線の各交点上に検査対象が存在
   するか否かにより欠陥位置を検出する検出手段と、 を具備することを特徴とする欠陥検出装置。
7. 【請求項７】 所定の規則で縦及び横方向に配置された
   複数の検査対象の欠陥位置を検出する欠陥検出装置であ
   って、 所定の方法により複数の検査対象を検索する検索手段
   と、 検索された複数の検査対象から選択された、所定距離離
   れた２つの検査対象を結ぶ基準線と、検査対象間の距離
   に関する設計値とに基づいて仮想的な格子線を作成し、
   各検査対象の位置座標を、この検査対象位置から最も近
   くに位置する格子線の交点が有する行列番号で置き換
   え、当該行列番号位置に検査対象が存在するか否かに基
   づいて欠陥位置を検出する検出手段と、 を具備することを特徴とする欠陥検出装置。
8. 【請求項８】 前記複数の検査対象が千鳥配列をなして
   設けられており、この千鳥配列が奇数列／行であるかあ
   るいは偶数列／行であるかにより、それぞれ別々に前記
   仮想格子線を作成して検査対象の欠陥位置を検出するこ
   とを特徴とする請求項５，６，７のいずれか１つに記載
   の欠陥検出装置。
9. 【請求項９】 前記複数の検査対象が千鳥配列をなして
   設けられており、前記検出手段が検出する前記格子線の
   交点として、奇数行に関しては奇数列（又は偶数列）、
   偶数行に関しては偶数列（又は奇数列）との交点を用い
   ることを特徴とする請求項５，６，７のうちいずれか１
   つに記載の欠陥検出装置。