TWI665442B - 用於判定將對一試樣執行之一度量程序之參數之系統、方法及非暫時性電腦可讀取媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明提供用於判定將對一試樣執行之一度量程序之參數之方法及系統。一個系統包含一或多個電腦子系統,該一或多個電腦子系統經組態以用於基於針對該試樣之一設計而自動地生成將在利用該量測子系統對該試樣執行之一度量程序期間量測之受關注區域(ROI)。該(等)電腦子系統亦經組態以用於基於分別位於該等ROI之第一子集及第二子集中之針對該試樣之該設計之部分而自動地判定在利用該量測子系統之該度量程序期間在該等ROI之該第一子集及該第二子集中執行之量測之參數。在該第一子集中執行之該(等)量測之該(等)參數係單獨地且獨立於在該第二子集中執行之該(等)量測之該(等)參數而判定。

Description

用於判定將對一試樣執行之一度量程序之參數之系統、方法及非暫時性電腦可讀取媒體
本發明大體而言係關於自動化圖案保真度量測計劃生成。某些實施例係關於用於判定將對一試樣執行之一度量程序之一或多個參數之方法及系統。
以下說明及實例並非由於其包含於此章節中而被認為係先前技術。
在一半導體製造程序期間在各種步驟處使用檢測程序來偵測晶圓上之缺陷以促進在製造程序中之較高良率及因此較高利潤。檢測一直總是製作半導體裝置之一重要部分。然而,隨著半導體裝置之尺寸減小,檢測對可接受半導體裝置之成功製造變得甚至更加重要,此乃因較小缺陷可導致裝置不合格。
缺陷再檢測通常涉及重新偵測如藉由一檢測程序偵測之缺陷,且使用一高放大光學系統或一掃描電子顯微鏡(SEM)而在一較高解析度下生成關於缺陷之額外資訊。因而在其中已經藉由檢測而偵測到缺陷之晶圓上之分立位置處執行缺陷再檢測。藉由缺陷再檢測生成之針對缺陷之較高解析度資料更適用於判定缺陷之屬性,諸如輪廓、粗糙度、更準確大小資訊等。由於缺陷再檢測係針對藉由檢測在晶圓上偵測之缺陷而執行,因此可基於藉由檢測程序判定之缺陷之屬性而判定 用於一經偵測缺陷之一位置處之缺陷再檢測之參數。然而,通常不基於關於缺陷位置中或附近之設計部分之資訊而判定用於一經偵測缺陷之一位置處之缺陷再檢測之輸出獲取參數(例如,光學、電子束等參數),此乃因此類資訊通常與在缺陷再檢測期間針對經偵測缺陷執行之輸出獲取功能不相關。
亦在一半導體製造程序期間之各種步驟處使用度量程序以監測並控制程序。度量程序與檢測程序不同之處在於:不像其中偵測一晶圓上之缺陷之檢測程序,度量程序係用以量測使用當前被使用之檢測工具無法判定之晶圓之一或多個特性。舉例而言,度量程序用以量測一晶圓之一或多個特性,諸如在一程序期間形成於晶圓上之特徵之一尺寸(例如,線寬、厚度等),使得可依據一或多個特性來判定該程序之效能。另外,若晶圓之一或多個特性係不可接受的(例如,在特性之一預定範圍之外),則對晶圓之一或多個特性之量測可用以更改程序之一或多個參數,使得藉由程序製造之額外晶圓具有可接受特性。
度量程序與缺陷再檢測程序不同之處亦在於:不像其中在缺陷再檢測中再次探訪藉由檢測偵測之缺陷之缺陷再檢測程序,度量程序可在未偵測到缺陷之位置處執行。換言之,不像缺陷再檢測,在一晶圓上執行一度量程序之位置可獨立於對晶圓執行之一檢測程序之結果。特定而言,可獨立於檢測結果而選擇執行一度量程序之位置。另外,由於可獨立於檢測結果而選擇執行度量之晶圓上之位置,因此不像其中無法判定將執行缺陷再檢測之晶圓上之位置直至生成針對晶圓之檢測結果且該結果可供使用之缺陷再檢測,執行度量程序之位置可在已經對晶圓執行了一檢測程序之前被判定。
用於設定度量程序之當前方法具有若干缺點。舉例而言,針對利用一SEM之圖案度量(包含(舉例而言)臨界尺寸(CD)及疊對量測)之習用配方設置需要關於將量測之位置之先前知識。另外,習用配方設 置通常包含設計之使用。此外,若發現使用者期望量測一次之一新受關注圖案(POI)或在一進行中基礎上發現一新受關注圖案(POI),則需要對度量工具配方之一更新。
因此,開發不具有上文闡述之缺點中之一或多者之用於判定將對一試樣執行之一度量程序之一或多個參數之系統及方法將係有利的。
各種實施例之以下說明不應以任何方式解釋為限制隨附申請專利範圍之標的物。
一項實施例係關於一種經組態以判定將對一試樣執行之一度量程序之一或多個參數之系統。該系統包含一量測子系統,該量測子系統至少包含一能量源及一偵測器。該能量源經組態以生成被引導至一試樣之能量。該偵測器經組態以偵測來自該試樣之能量且回應於該所偵測能量而生成輸出。該系統亦包含一或多個電腦子系統,該一或多個電腦子系統經組態以用於基於針對該試樣之一設計而自動地生成將在利用該量測子系統對該試樣執行之一度量程序期間量測之受關注區域(ROI)。該一或多個電腦子系統亦經組態以用於基於分別位於該等ROI之第一子集及第二子集中之針對該試樣之該設計之部分而自動地判定在利用該量測子系統之該度量程序期間在該等ROI之該第一子集及該第二子集中執行之一或多個量測之一或多個參數。在該第一子集中執行之該一或多個量測之該一或多個參數係單獨地且獨立於在該第二子集中執行之該一或多個量測之該一或多個參數而判定。該系統可如本文中所闡述來進一步經組態。
另一實施例係關於一種用於判定將對一試樣執行之一度量程序之一或多個參數之電腦實施方法。該方法包含上文闡述之自動地生成及自動地判定步驟。該方法之該等步驟係藉由一或多個電腦系統執 行。
可如本文中進一步所闡述而進一步執行上文所闡述之該方法之步驟中之每一者。另外,上文所闡述之該方法之該實施例可包含本文中所闡述之任何其他方法之任何其他步驟。此外,上文所闡述之方法可藉由本文中所闡述之系統中之任何者來執行。
另一實施例係關於一種儲存可在一電腦系統上執行以用於執行用於判定將對一試樣執行之一度量程序之一或多個參數之一電腦實施方法之程式指令之非暫時性電腦可讀取媒體。該電腦實施方法包含上文所闡述之方法之步驟。可如本文中所闡述來進一步組態該電腦可讀取媒體。可如本文中進一步所闡述來執行該電腦實施之方法之步驟。另外,可為其執行該等程式指令之該電腦實施方法可包含本文中所闡述之任何其他方法之任何其他步驟。
10‧‧‧量測子系統
14‧‧‧試樣
16‧‧‧光源
18‧‧‧光學元件
20‧‧‧透鏡
21‧‧‧分束器
22‧‧‧載台
24‧‧‧集光器
26‧‧‧元件
28‧‧‧偵測器
30‧‧‧集光器
32‧‧‧元件
34‧‧‧偵測器
36‧‧‧電腦子系統
102‧‧‧電腦子系統
122‧‧‧電子柱
124‧‧‧電腦子系統
126‧‧‧電子束源
128‧‧‧試樣
130‧‧‧元件
132‧‧‧元件
134‧‧‧偵測器
300‧‧‧視場
302‧‧‧量測位點
304‧‧‧受關注區域
306‧‧‧受關注區域
308‧‧‧受關注區域
400‧‧‧部分
402‧‧‧圖案/特徵
404‧‧‧圖案/特徵
406‧‧‧圖案/特徵
600‧‧‧受關注區域
602‧‧‧受關注區域
604‧‧‧受關注區域
606‧‧‧受關注區域
608‧‧‧受關注區域
610‧‧‧受關注區域
612‧‧‧受關注區域
614‧‧‧受關注區域
616‧‧‧受關注區域
618‧‧‧受關注區域
620‧‧‧受關注區域
700‧‧‧線
702‧‧‧多邊形
704‧‧‧線
706‧‧‧多邊形
708‧‧‧下部邊緣
710‧‧‧區
712‧‧‧區
800‧‧‧上部邊緣
1000‧‧‧線
1002‧‧‧線
1004‧‧‧線
1006‧‧‧多邊形
1008‧‧‧虛中心線
1010‧‧‧虛中心線
1012‧‧‧虛中心線
1014‧‧‧虛中心線
1100‧‧‧線
1102‧‧‧線
1104‧‧‧線
1106‧‧‧多邊形
1108‧‧‧虛中心線
1110‧‧‧虛中心線
1112‧‧‧虛中心線
1114‧‧‧虛中心線
1300‧‧‧經圖案化特徵/特徵
1302‧‧‧經圖案化特徵/特徵
1304‧‧‧經圖案化特徵/特徵
1306‧‧‧經圖案化特徵/特徵
1308‧‧‧虛中心線
1310‧‧‧虛中心線
1312‧‧‧虛中心線
1314‧‧‧虛中心線
1316‧‧‧中心線
1318‧‧‧中心線
1320‧‧‧中心線
1322‧‧‧中心線
1324‧‧‧中心線
1326‧‧‧線
1328‧‧‧線
1400‧‧‧非暫時性電腦可讀取媒體/電腦可讀取媒體
1402‧‧‧程式指令
1404‧‧‧電腦系統
在受益於對較佳實施例之以下詳細說明之情況下且在參考隨附圖式之後,熟習此項技術者將明瞭本發明之進一步優點,在該等隨附圖式中:圖1及圖2係圖解說明如在本文所闡述地組態之一系統之實施例之側視圖之示意圖;圖3係圖解說明本文中使用之包含量測位點、視場及受關注區域之各個術語之間的關係之一項實施例之一平面視圖之一示意圖;圖4係圖解說明在針對一晶圓之一設計之一部分在設計空間中出現時該設計之該部分之一項實例之一平面視圖之一示意圖;圖5係圖解說明在圖4中展示之設計之部分可印刷於一晶圓上時該設計之該部分之一項實例之一平面視圖之一示意圖;圖6係圖解說明圖5中展示之設計之部分之一項實施例之一平面視圖之一示意圖,其中具有在該設計之該部分內之不同受關注區域; 圖7至圖8係圖解說明當前使用之用於對準設計空間中之針對一晶圓之一設計之一部分與晶圓空間中之針對晶圓之設計之部分之方法之結果之不同實例之平面視圖的示意圖;圖9係圖解說明用於對準設計空間中之針對一晶圓之一設計之一部分與晶圓空間中之針對晶圓之設計之部分之一實施例之結果之一項實例之一平面視圖之一示意圖;圖10至圖12係圖解說明設計及晶圓空間中之針對一晶圓之一設計之一部分以及該等部分可如何藉由本文中所闡述之實施例而對準之平面視圖之示意圖;圖13係圖解說明晶圓空間中之針對一晶圓之一設計之一部分以及可如何藉由本文中所闡述之實施例判定可跨越其執行一量測之尺寸之一平面視圖之一示意圖;及圖14係圖解說明儲存用於致使一電腦系統執行本文中所闡述之一電腦實施方法之程式指令之一非暫時性電腦可讀取媒體之一項實施例之一方塊圖。
儘管易於對本發明做出各種修改及替代形式,但其特定實施例係以實例方式展示於圖式中且將在本文中詳細地闡述。該等圖式可未按比例繪製。然而,應理解,圖式及對其之詳細說明並非意欲將本發明限制於所揭示之特定形式,而是相反,本發明意欲涵蓋歸屬於如由隨附申請專利範圍所界定之本發明之精神及範疇內之所有修改、等效形式及替代形式。
如本文中所使用之術語「設計」及「設計資料」通常係指一IC之實體設計(佈局)以及透過複雜模擬或簡單幾何及布林運算自實體設計導出之資料。實體設計可儲存於諸如一圖形資料串流(GDS)檔案之一資料結構、任何其他標準機器可讀取檔案、此項技術中已知之任何 其他適合檔案及一設計資料庫中。一GDSII檔案係用於設計佈局資料之表示之一類檔案中之一者。此類檔案之其他實例包含GL1及OASIS檔案以及專屬檔案格式,諸如RDF資料,其專屬美國加利福尼亞州苗必達市之KLA-Tencor。另外,藉由一比例光罩檢測系統及/或其導出物獲取之一比例光罩之一影像可用作設計之一「代理」或「多個代理」。在使用一設計之本文中所闡述之任何實施例中,此一比例光罩影像或其一導出物可用作設計佈局之一替代物。該設計可包含在共同擁有之2009年8月4日頒佈給Zafar等人之美國專利第7,570,796號及2010年3月9日頒佈給Kulkarni等人之美國專利第7,676,077號中所闡述之任何其他設計資料或設計資料代理,該兩個美國專利如同完整陳述一般以引用方式併入本文中,另外,設計資料可係標準單元庫資料、整合佈局資料、一或多個層之設計資料、設計資料之導出物及全部或部分晶片設計資料。
在某些例項中,來自一晶圓或比例光罩之所模擬或所獲取影像可用作設計之一代理。影像分析亦可用作設計分析之一代理。舉例而言,可自印刷於一晶圓及/或比例光罩上之一設計之一影像擷取設計之多邊形,此假定獲取具有充分解析度以對設計之多邊形進行充分地成像的晶圓及/或比例光罩之影像。另外,本文中所闡述之「設計」及「設計資料」係指由半導體裝置設計者在一設計程序中生成且因此在將設計印刷於任何實體晶圓上之前可良好地用於本文中所闡述之實施例中之資訊及資料。
較佳地,如本文中所使用之術語「設計」或「實體設計」係指如其將理想地形成於晶圓上之設計。以此方式,本文中所闡述之一設計或實體設計將較佳地不包含將不印刷於晶圓上之設計特徵,諸如光學接近校正(OPC)特徵,該等特徵添加至設計以增強晶圓上之特徵之印刷而實際上不印刷其本身。以此方式,在某些實施例中,本文中進 一步闡述之用於自動生成及自動判定步驟之針對試樣之設計不包含將不印刷於試樣上之設計特徵。
現在轉至圖式,應注意各圖並未按比例繪製。特定而言,該等圖之元件中之某些元件之比例被大為放大以強調該等元件之特性。亦應注意,該等圖並未按相同比例繪製。已使用相同元件符號指示可類似地組態之在一個以上圖中展示之元件。除非本文中另外提及,否則所闡述及所展示之元件中之任何元件可包含任何適合之可商業購得之元件。
一項實施例係關於一種經組態以判定將對一試樣執行之一度量程序之一或多個參數之系統。在一項實施例中,該試樣包含一晶圓。在另一實施例中,該試樣包含一比例光罩。晶圓及比例光罩可包含此項技術中已知之任何晶圓及比例光罩。
此一系統之一項實施例展示於圖1中。該系統包含至少包括一能量源及一偵測器之一量測子系統。能量源經組態以生成被引導至一試樣之能量。偵測器經組態以偵測來自試樣之能量且回應於所偵測能量而生成輸出。
在一項實施例中,被引導至試樣之能量包含光,且自試樣偵測之能量包含光。舉例而言,在於圖1中展示之系統之實施例中,量測子系統10包含經組態以將光引導至試樣14之一照明子系統。照明子系統包含至少一個光源。舉例而言,如在圖1中所展示,照明子系統包含光源16。在一項實施例中,照明子系統經組態以將光依一或多個入射角(其可包含一或多個斜角及/或一或多個法向角)引導至試樣。舉例而言,如在圖1中所展示,將來自光源16之光穿過光學元件18且然後透鏡20而引導至分束器21,分束器21將光依一法向入射角引導至試樣14。入射角可包含任何適合入射角,其可取決於(例如)試樣以及將在試樣上偵測到之缺陷之特性而變化。
照明子系統可經組態以將光在不同時間依不同入射角引導至試樣。舉例而言,量測子系統可經組態以更改照明子系統之一或多個元件之一或多個特性,使得可將光依不同於圖1中展示之入射角之一入射角引導至試樣。在一項此類實例中,量測子系統可經組態以移動光源16、光學元件18及透鏡20使得將光依一不同入射角引導至試樣。
在某些例項中,量測子系統可經組態以將光同時依一個以上入射角引導至試樣。舉例而言,照明子系統可包含一個以上照明通道,該等照明通道中之一者可包含如圖1中所展示之光源16、光學元件18及透鏡20,且該等照明通道中之另一者(未展示)可包含可不同地或相同地經組態之類似元件,或可包含至少一光源以及可能地一或多個其他組件(諸如本文中進一步闡述之彼等組件)。若此類光與其他光同時被引導至試樣,則依不同入射角被引導至試樣之光之一或多個特性(例如,波長、偏光等)可係不同的使得由依不同入射角之對試樣之照明引起之光可在偵測器處彼此區別開。
在另一例項中,照明子系統可包含僅一個光源(例如,圖1中展示之源16),且來自光源之光可藉由照明子系統之一或多個光學元件(未展示)而被分離至不同光學路徑中(例如,基於波長、偏光等)。不同光學路徑中之每一者中之光然後可被引導至試樣。多個照明通道可經組態以將光同時或在不同時間(例如,當不同照明通道用以依序照明試樣時)引導至試樣。在另一例項中,相同照明通道可經組態以將在不同時間具有不同特性之光引導至試樣。舉例而言,在某些例項中,光學元件18可經組態為一光譜濾波器,且光譜濾波器之性質可以多種不同方式(例如,藉由改變光譜濾波器)被改變,使得可在不同時間將不同波長之光引導至試樣。照明子系統可具有此項技術中已知之用於將具有不同或相同特性之光依不同或相同入射角依序或同時引導至試樣之任何其他適合組態。
在一項實施例中,光源16可包含一寬頻電漿(BBP)光源。以此方式,由光源生成且被引導至試樣之光可包含寬頻光。然而,光源可包含任何其他適合光源,諸如一雷射。雷射可包含此項技術中已知之任何適合雷射且可經組態以生成此項技術中已知之任一或多個適合波長下之光。另外,雷射可經組態以生成係單色或接近單色之光。以此方式,雷射可係一窄頻雷射。光源亦可包含生成多個分立波長或波段下之光之一多色光源。
來自光學元件18之光可藉由透鏡20聚焦至分束器21。儘管透鏡20在圖1中展示為一單個折射光學元件,但應理解,實務上,透鏡20可包含組合地將來自光學元件之光聚焦至試樣之若干個折射及/或反射光學元件。在圖1中展示且在本文中所闡述之照明子系統可包含任何其他適合光學元件(未展示)。此類光學元件之實例包含(但不限於)偏光組件、光譜濾波器、空間濾波器、反射光學元件、切趾器、分束器、光闌以及類似者,其等可包含此項技術中已知之任何此類適合光學元件。另外,該系統可經組態以基於將用於度量之照明之類型而更改照明子系統之元件中之一或多者。
量測子系統亦可包含經組態以致使光對試樣進行掃描之一掃描子系統。舉例而言,量測子系統可包含載台22,在量測期間將試樣14安置於載台22上。掃描子系統可包含可經組態以移動試樣使得光可對試樣進行掃描之任何適合機械及/或機器人總成(其包含載台22)。另外,或另一選擇係,量測子系統可經組態使得量測子系統之一或多個光學元件執行光對試樣之某一掃描。光可以任何適合方式對試樣進行掃描。
量測子系統進一步包含一或多個偵測通道。一或多個偵測通道中之至少一者包含一偵測器,該偵測器經組態以藉由量測子系統偵測歸因於對試樣之照明之來自試樣之光且回應於所偵測光而生成輸出。 舉例而言,圖1中展示之量測子系統包含兩個偵測通道,其中一者係由集光器24、元件26及偵測器28形成且另一者係由集光器30、元件32及偵測器34形成。如圖1中所展示,該兩個偵測通道經組態以依據不同收集角度收集且偵測光。在某些例項中,一個偵測通道經組態以偵測經鏡面反射光,且另一偵測通道經組態以偵測不自試樣鏡面反射(例如,散射、繞射等)之光。然而,偵測通道中之兩者或兩者以上可經組態以偵測來自試樣之同一類型之光(例如,經鏡面反射光)。儘管圖1展示包含兩個偵測通道之量測子系統之一實施例,但量測子系統可包含不同數目個偵測通道(例如,僅一個偵測通道或兩個或兩個以上偵測通道)。儘管集光器中之每一者在圖1中展示為單個折射光學元件,但應理解集光器中之每一者可包含一或多個折射光學元件及/或一或多個反射光學元件。
一或多個偵測通道可包含此項技術中已知之任何適合偵測器。舉例而言,偵測器可包含光電倍增管(PMT)、電荷耦合裝置(CCD),以及時間延遲積分(TDI)相機。偵測器亦可包含此項技術中已知之任何其他適合偵測器。偵測器亦可包含非成像偵測器或成像偵測器。以此方式,若偵測器係非成像偵測器,則偵測器中之每一者可經組態以偵測散射光之某些特性(諸如強度)但不可經組態以依據在成像平面內之位置而偵測此類特性。因此,藉由包含於量測系統之偵測通道中之每一者中之偵測器中之每一者生成之輸出可係信號或資料,但不係影像信號或影像資料。在此類例項中,一電腦子系統(諸如系統之電腦子系統36)可經組態以自偵測器之非成像輸出生成試樣之影像。然而,在其他例項中,偵測器可經組態為成像偵測器,該等成像偵測器經組態以生成成像信號或影像資料。因而,該系統可經組態以依若干種方式生成本文中所闡述之影像。
應注意,本文中提供圖1以大體上圖解說明可包含於本文中所闡 述之系統實施例中之一量測子系統之一組態。顯然地,可更改本文中所闡述之量測子系統組態以最佳化系統之效能,如在設計一商業度量系統時通常所執行。另外,本文中所闡述之系統可使用一現有度量系統(例如,藉由將本文中所闡述之功能性添加至一現有度量系統)而實施,該現有度量系統諸如可商業上購自KLA-Tencor之工具之SpectraShape家族及該等工具之Archer系列。對於某些此類系統,本文中所闡述之方法可提供為度量系統之選用功能性(例如,除了度量系統之其他功能性以外)。另一選擇係,本文中所闡述之度量系統可「從頭開始」設計以提供一全新度量系統。
系統之電腦子系統36可以任何適合方式(例如,經由一或多個傳輸媒體,其可包含「有線」及/或「無線」傳輸媒體)耦合至量測子系統之偵測器,使得電腦子系統可接收在對試樣之掃描期間由偵測器生成之輸出。電腦子系統36可經組態以執行如在本文所闡述之使用偵測器之輸出之若干個功能以及本文中進一步闡述之任何其他功能。此電腦子系統可如本文中所闡述地進一步經組態。
此電腦子系統(以及本文中所闡述之其他電腦子系統)亦可在本文中稱為電腦系統。本文中所闡述之電腦子系統或系統中之每一者可採用各種形式,包含一個人電腦系統、影像電腦、主機電腦系統、工作站、網路器具、網際網路器具或其他裝置。一般而言,術語「電腦系統」可廣泛定義為囊括具有一或多個處理器之執行來自一記憶體媒體之指令之任何裝置。電腦子系統或系統亦可包含此項技術中已知之任何適合處理器,諸如一平行處理器。另外,電腦子系統或系統可包含具有高速度處理及軟體之一電腦平臺作為一獨立工具或一經網路連線工具。
若該系統包含一個以上電腦子系統,則不同電腦子系統可耦合至彼此使得影像、資料、資訊、指令等可在電腦子系統之間發送,如 本文中進一步闡述。舉例而言,電腦子系統36可藉由可包含此項技術中已知之任何適合有線及/或無線傳輸媒體之任何適合傳輸媒體而耦合至電腦子系統102(如圖1中之虛線所展示)。此類電腦子系統中之兩者或兩者以上亦可藉由一共用電腦可讀取儲存媒體(未展示)而有效地耦合。
儘管量測子系統在上文中闡述為一基於光學或光之量測子系統,但該量測子系統可係一基於電子束之量測子系統。舉例而言,在一項實施例中,被引導至試樣之能量包含電子,且自試樣所偵測之能量包含電子。以此方式,能量源可係一電子束源。在於圖2中展示之一項此類實施例中,量測子系統包含電子柱122,其耦合至電腦子系統124。
亦如圖2中所展示,電子柱包含電子束源126,電子束源126經組態以生成藉由一或多個元件130而聚焦至試樣128之電子。電子束源可包含(舉例而言)一陰極源或發射體尖端,且一或多個元件130可包含(舉例而言)一槍透鏡、一陽極、一限束孔徑、一閘閥、一束電流選擇孔徑、一物鏡透鏡以及一掃描子系統,所有該等元件皆可包含此項技術中已知之任何此類適合元件。
自試樣返回之電子(例如,次級電子)可藉由一或多個元件132而聚焦至偵測器134。一或多個元件132可包含(舉例而言)一掃描子系統,該掃描子系統可係包含於元件130中之相同掃描子系統。
電子柱可包含此項技術中已知之任何其他適合元件。另外,電子柱可如在以下專利中所闡述地進一步經組態:2014年4月4日頒佈給Jiang等人之美國專利第8,664,594號、2014年4月8日頒佈給Kojima等人之美國專利第8,692,204號、2014年4月5日頒佈給Gubbens等人之美國專利第8,698,093號,以及2014年5月6日頒佈給MacDonald等人之美國專利第8,716,662號,該等美國專利如同完整陳述一般以引用方式併 入本文中。
儘管電子柱在圖2中展示為經組態以使得電子以一傾斜入射角被引導至試樣且以另一傾斜角自該試樣散射,但應理解電子束可以任何適合角度被引導至試樣及自該試樣散射。另外,基於電子束之量測子系統可經組態以使用多個模式生成試樣之影像(例如,依不同照明角度、收集角度等)。基於電子束之量測子系統之多個模式可在量測子系統之任何影像生成參數上不同。
電腦子系統124可如上文所闡述地耦合至偵測器134。偵測器可偵測自試樣之表面返回之電子,藉此形成試樣之電子束影像。該等電子束影像可包含任何適合電子束影像。電腦子系統124可經組態以使用偵測器之輸出及/或電子束影像執行本文中所闡述之功能中之任何者。電腦子系統124可經組態以執行本文中所闡述之任一(任何)額外步驟。包含圖2中展示之量測子系統之一系統可如在本文所闡述地進一步經組態。
應注意,本文中提供圖2以大體上圖解說明可包含於本文中所闡述之實施例中之一基於電子束之量測子系統之一組態。正如上文所闡述之光學量測子系統,可更改本文中所闡述之基於電子束之量測子系統組態以最佳化量測子系統之效能,如在設計一商業度量系統時通常所執行。另外,本文中所闡述之系統可使用一現有度量或高解析度缺陷再檢測系統(諸如可商業上購自KLA-Tencor之工具之eDR-xxxx系列)(例如,藉由將本文中所闡述之功能性添加至一現有度量系統)而實施。對於某些此類系統,本文中所闡述之方法可提供為該系統之選用功能性(例如,除了該系統之其他功能性以外)。另一選擇係,本文中所闡述之系統可「從頭開始」設計以提供一全新系統。
儘管量測子系統在上文中闡述為一基於光或基於電子束之量測子系統,但該量測子系統可係一基於離子束之量測子系統。此一量測 子系統可如圖2中所展示地經組態,除了電子束源可被替換為此項技術中已知之任何適合離子束源以外。另外,量測子系統可係任何其他適合基於離子束之量測子系統,諸如包含於可商業購得之聚焦離子束(FIB)系統、氦離子顯微鏡(HIM)系統以及次級離子質譜學(SIMS)系統中之基於離子束之量測子系統。
包含於本文中所闡述之系統實施例中之一或多個電腦子系統經組態以用於基於針對試樣之一設計而自動地生成將在利用量測子系統對試樣執行之一度量程序期間量測之受關注區域(ROI)。由於基於針對試樣之設計而判定ROI,因此ROI可被稱為「基於設計之ROI」。另外,如在本文所闡述地判定其一或多個參數之度量程序可被稱為一「設計驅動之度量程序」。
圖3提供本文中所使用之包含ROI之各個術語之某一內容脈絡。舉例而言,圖3展示一量測子系統之視場(FOV)300,諸如本文中所闡述之以量測位點302為中心之彼等視場中之一者。該量測位點可係一所偵測缺陷(藉由檢測及/或再檢測所偵測)之一位點或一取樣位點。在一度量程序期間之晶圓上之每一FOV位置可與將執行之度量程序之量測位點中之僅一者相關聯。舉例而言,在一度量程序期間,一掃描電子顯微鏡(SEM)或其他量測子系統可以自量測位點至量測位點之方式驅動。
亦如圖3中所展示,在FOV 300內,可有多個ROI 304、306及308位於其中。儘管圖3中展示三個ROI,但可在任何一個FOV(亦即,一或多個ROI)中存在任何數目個ROI。如在圖3中進一步展示,ROI可位於FOV內之多個位置中,且儘管該三個ROI展示為在FOV中不疊對,但在某些例項中,ROI可在FOV中有一定程度之疊對。在ROI中之每一者內,可選擇至少一個量測來執行,此可如本文中進一步闡述地自動選擇或判定。儘管圖3未展示將形成於圖3中展示之FOV中之晶圓之 區中之任何經圖案化特徵,但該等量測將係大體針對該等經圖案化特徵之一或多個特性。
為圖解說明可在不同ROI中執行之不同量測,圖3如由雙向箭頭抽象地圖解說明此等不同量測,該等雙向箭頭展示執行此類量測可跨越之尺寸之程度及方向。舉例而言,如在圖3中所展示,可在ROI 304中沿一個方向跨越沿彼方向之該ROI之一整個尺寸之僅一部分執行量測310。可在ROI 306中沿一不同方向跨越沿彼方向之該ROI之一整個尺寸執行量測312。另外,可沿垂直方向跨越ROI 308執行量測314及316。可跨越沿量測314之方向之ROI之一整個尺寸之僅一部分執行量測314,而可跨越沿量測316之方向之ROI之一整個尺寸執行量測316。因而,如本文中進一步闡述,可在不同ROI中執行不同量測,且可如本文中進一步闡述地選擇或判定在任一個ROI中執行之量測。
一或多個電腦子系統亦經組態以用於基於分別位於ROI之第一子集及第二子集中之針對試樣之設計之部分而自動地判定在利用量測子系統之度量程序期間在ROI之該第一子集及該第二子集中執行之一或多個量測之一或多個參數。在第一子集中執行之一或多個量測之一或多個參數係單獨地且獨立於在第二子集中執行之一或多個量測之一或多個參數而判定。換言之,可僅基於位於ROI之第一子集中之設計之部分而判定針對該第一子集之一或多個參數,可僅基於位於ROI之第二子集中之設計之部分而判定針對該第二子集之一或多個參數,以及諸如此類。另外,儘管本文中關於第一子集及第二子集而闡述某些實施例,但應理解可針對ROI之兩個以上子集(例如,ROI之兩個或兩個以上子集)執行藉由電腦子系統執行之步驟。此外,ROI之子集中之每一者可包含一或多個ROI。舉例而言,ROI之可第一子集包含僅一個ROI,而ROI之第二子集可包含一個以上ROI。以此方式,本文中所闡述之實施例經組態以用於自動化圖案保真度量測計劃生成。本文中所 闡述之實施例亦可經組態以用於所生成之圖案保真度量測計劃之執行。
在一項實施例中,在度量程序之設置期間執行自動生成及自動判定。以此方式,該方法可包含在使用針對晶圓之實體設計之設置期間之自動ROI生成。另外,可使圖案保真度量測之配方設置完全自動化,此乃因可在設置期間自動地生成針對上千個唯一性位點之ROI。
在另一實施例中,在度量程序之運行時間期間即時(on-the-fly)執行自動生成及自動判定。以此方式,本文中所闡述之實施例可經組態以用於自動化即時圖案保真度量測計劃生成。另外,該方法可包含在使用針對晶圓之實體設計之運行時間期間之自動ROI生成。
本文中所闡述之實施例亦可生成一度量量測計劃而無需關於將量測之結構之先前知識。舉例而言,本文中所闡述之實施例不必執行使用藉由用於將量測之結構之另一系統或方法生成之資訊之功能。因而,本文中所闡述之實施例提供優於當前使用之用於量測計劃生成之方法及系統之若干個優點。舉例而言,在新程序節點處,由檢測工具所偵測之圖案偏差將需要定量分析以判定其是否符合係一「缺陷」之準則。吾人無法提前預測此等缺陷候選者可能在何處出現,因此需要即時自動化度量計劃生成。
在某些實施例中,該自動生成包含在度量程序之設置期間執行設計之基於規則之搜尋。舉例而言,可使圖案保真度量測之配方設置完全自動化,此乃因可在設置期間使用針對晶圓之實體設計之一基於規則之搜尋自動生成針對上千個唯一性位點之ROI。以此方式,本文中所闡述之實施例可經組態以用於基於規則之自動ROI生成。
可以若干種不同方式執行將用於ROI生成之規則應用於一設計。舉例而言,一基於規則之方法可係其中將規則應用於設計資料以生成ROI之一非影像處理方法。可使用CAD軟體執行此類應用。在另一實 例中,可使用一基於影像處理之方法,其可包含將設計資料呈現為一影像且然後使用規則作為輸入以使用影像處理演算法生成ROI。以此方式,可由各種類型之設計分析軟體及/或演算法消費設計資料以便使用規則作為輸入而生成ROI。
在用於自動生成ROI之一基於規則之搜尋之一項實施例中,可針對每一不同量測類型形成一個規則。換言之,規則1可針對量測類型1,規則2可針對量測類型2,以及諸如此類。另外,每一規則可不針對一個以上量測類型。以此方式,每一規則可定義將形成於晶圓上之設計中之圖案之特性,該等特性將做出對適用於彼圖案之其量測類型之一量測。舉例而言,用於一線寬量測類型之一規則可經設計以將跨越圖案之一相對大區段具有一實質上均勻尺寸之圖案或圖案之部分識別為用於線寬量測類型之候選者。
在某些此類例項中,可對於包含於任何一個FOV中之任何及/或所有圖案執行該等規則中之每一者。因而,可在每個FOV基礎上執行所有該等規則。由於每一規則可識別該規則針對其而經寫入之類型之量測之可能位置,因此每一規則可識別針對彼FOV之若干個可能ROI,其中針對一量測類型之每一潛在位置對應於ROI中之一者。因而,將每一規則應用於每一FOV之結果可包含FOV中一或多個ROI位置。因此,將多個規則應用於每一FOV可產生每一FOV中之一或多個ROI位置,該一或多個ROI位置中之某些ROI位置可對應於不同量測類型。在某些此類例項中,FOV內之ROI位置中之每一者可對應於僅一個類型之僅一個量測。然而,一FOV內之多個ROI位置可在FOV內(部分地或完全地)彼此覆蓋係可能的(例如,在於FOV之同一部分中執行兩種不同類型之兩個不同量測係恰當的之情況下)。在覆蓋ROI之此類例項中,每一個別ROI可對應於僅一個量測類型之僅一個量測。換言之,可僅存在針對每個ROI之一種量測類型。因而,為對於一給定 ROI位置執行多個量測,可存在經形成之多個ROI,其中每一ROI具有相同ROI界限(或位置、座標等)但各自具有不同量測類型。
因而,簡而言之,對於一晶圓上之任何一個量測位點,可為彼量測位點指定一個FOV。可對於每一FOV運行所有規則。由於運行所有規則,因此可依據每個ROI一個量測而生成每個FOV每個規則之一或多個ROI。可對於每一FOV/量測位點重複相同步驟直至所有FOV/量測位點已經處理。
在一項實施例中,一或多個電腦子系統包含一電子設計自動化(EDA)工具之一電腦子系統。舉例而言,對於運行時間下之ROI生成,該方法可使用EDA實體設計分析工具或將定製演算法應用於實體設計。在某些此類例項中,可由實體設計分析軟體自動分析一設計縮略形式或設計之另一表示以判定該設計縮略形式或設計之該另一表示內之有效量測。在一項此類實例中,對於運行時間下之ROI生成,一演算法可基於圖案之一給定段是筆直/平行(亦即,一結構/圖案之兩個邊緣平行於彼此)、彎曲(例如,在一隅角上)還是處於一線之端部而將該設計自動分段。EDA工具可包含任何適合的可商業購得之EDA工具。在某些此類實施例中,本文中所闡述之電腦子系統中之一或多者(例如,電腦子系統102)可經組態為一EDA工具。
在另一實施例中,針對ROI之第一子集自動判定之一或多個參數導致在ROI之第一子集中執行之一第一類型之量測,針對ROI之第二子集自動判定之一或多個參數導致在ROI之第二子集中執行之一第二類型之量測,且該第一類型之量測與該第二類型之量測不同於彼此。以此方式,該方法可包含在ROI生成程序期間之量測類型之自動判定。每個ROI可存在一個量測類型且可在ROI生成程序期間進行自動地判定。因此,本文中所闡述之實施例可經組態以用於具有用於每一ROI之適當量測類型之度量計劃之自動生成。舉例而言,度量計劃生 成可包含:對於每一FOV,自實體設計自動地定義ROI及量測類型。可使用設計分析演算法及軟體執行自動地定義ROI及量測類型。亦可在將執行該量測類型之ROI中包含一或多個參數。可如本文中進一步闡述地判定將執行該量測類型之ROI中之位置。
可執行本文中所闡述之度量程序以判定一晶圓上之圖案不同於設計中之圖案。特定而言,設計將印刷於一晶圓上之圖案在設計該等圖案時幾乎完全不印刷於晶圓上。設計時之圖案與印刷時之圖案之此類不同可歸因於用以將圖案印刷於晶圓上之程序、工具及材料之固有侷限性以及該等程序、工具及材料之任何誤差。
在圖4及與5中展示印刷於一晶圓上之圖案可如何不同於設計時之圖案之一項實例。特定而言,如在圖4中所展示,用於針對一晶圓之一設計(未在圖4中展示)之部分400可包含三個不同圖案402、404及406。圖案402係可包含於針對一晶圓之一設計中之一線結構之一實例。圖案404係可包含於針對一晶圓之一設計中之一觸點結構之一實例,且圖案406係可包含於針對一晶圓之一設計中之一多邊形結構之一實例。
儘管在圖4(以及本文中所闡述之其他圖)中展示可包含於針對一晶圓之一設計中之結構之某些實例,但該等實例不意欲代表針對任何特定晶圓之任何特定設計。代替性地,如熟習此項技術者將明白,針對晶圓之設計可包含依諸多不同配置且依諸多不同數目之諸多不同類型之結構。圖4(以及本文中所闡述之其他圖)中展示之結構僅意欲圖解說明某些假想晶圓結構以進一步理解本文中所闡述之各種實施例。
歸因於用以印刷該設計之部分400中展示之結構之工具、材料及程序之固有侷限性,該等結構將未必如其包含於該設計中一般皆印刷於晶圓上。舉例而言,如在圖5中所展示,代替如設計中所展示具有清晰90度隅角之部分400中之圖案402、404及406,該等圖案將具有至 少略呈圓形之隅角。另外,該等結構中之任何者可在跨越該等結構之各個點處具有諸如寬度之尺寸變化。舉例而言,如在圖5中所展示,圖案406在跨越該等結構之多個點處與此結構之設計特性相比具有某些線寬變化。
因而,可如在本文所闡述地基於設計時圖案之特性且可能地結合圖案之潛在問題之某些先驗知識而自動地選擇ROI及每個ROI之量測類型。在圖6中展示用於圖5中展示之圖案之若干個可能ROI。儘管關於圖5中展示之圖案展示此等可能ROI,但可實際上基於對應於圖5中展示之圖案之設計(亦即,基於如在圖4中展示之圖案)判定ROI。
在於圖6中展示之實施例中,可判定針對經設計以具有跨越特徵之一部分之實質上均勻尺寸之該等特徵之該部分之ROI 600、602及604。舉例而言,可生成針對經設計以具有跨越特徵402之一部分之實質上均勻尺寸之彼部分之ROI 600,且可生成針對經設計以具有跨越特徵406之部分之實質上均勻尺寸之彼等部分之ROI 602及604。針對此等ROI自動地選擇之量測類型可係一線寬量測,其可用以偵測經圖案化特徵中之頸縮或膨脹問題。
可自動地生成針對該等特徵中之兩者(特徵402及406)之間的一空間之另一ROI(ROI 606),該空間經設計以具有跨越ROI之實質上相同尺寸。藉由本文中所闡述之實施例自動地選擇之用於此ROI之量測類型可包含一間隙量測(或兩個特徵之間的一距離或距離之某一統計量度)。可執行間隙量測以偵測兩個經圖案化特徵之間的橋接問題。
本文中所闡述之實施例亦可經組態以在該等特徵中之一或多者處及/或附近自動地生成若干個ROI。舉例而言,如在圖6中所展示,可自動地生成針對特徵402之端部之ROI 608及610,而可自動地生成針對特徵406之端部之ROI 612及614。針對此等ROI選擇之量測類型可係線端位置、線端拉回、線端距離(例如,一直線之兩個線端之間 的距離)或可用以闡述設計時對印刷時之特徵之端部之相對位置之某些其他量測類型。
亦可自動地生成針對設計中之經圖案化特徵中之一或多者之隅角之一或多個ROI。舉例而言,如在圖6中所展示,ROI 616及618可係針對特徵406之隅角而生成。針對此等ROI選擇之量測類型可係曲率、半徑、距離、弧面積,或可用以闡述隅角之形狀之某些其他量測類型。
可藉由本文中所闡述之實施例自動地生成針對設計中之觸點經圖案化特徵之另一ROI。舉例而言,如在圖6中所展示,可生成針對觸點特徵404之ROI 620。針對此ROI選擇之量測類型可係直徑、寬度、高度、半徑、面積,或可用以闡述印刷時之觸點如何不同於設計時之觸點之另一量測類型。
可對於一度量程序而判定之其他量測類型包含尖端至尖端(對兩個線端之間的間隙之一量測)、尖端-線(對一線端與一線之間的間隙之一量測)、線長度(對一直線之長度之一量測)以及隅角至隅角量測。
因而,如上文所闡述,本文中所闡述之實施例可經組態以執行針對一晶圓之一設計之至少一部分至針對一度量程序之ROI的基於設計之分段。另外,該等段中之某些段可包含直線段、筆直間隙段、線端段、隅角段,以及觸點段。可在設計中以本文中所闡述之若干種不同方式而判定不同段及對應ROI。舉例而言,可藉由將一或多個規則應用於設計而判定段或ROI。在另一實例中,可如本文中進一步闡述地識別穿過設計中之經圖案化特徵之虛中心線(在其不係設計之部分或不印刷於晶圓上之意義上係虛的),且然後彼等中心線可用以將經圖案化特徵分段成段及/或ROI。舉例而言,穿過一經圖案化特徵之一筆直中心線可用以識別該筆直中心線穿過其以一直線段延伸之經圖案化特徵之部分。在另一實例中,穿過兩個經圖案化特徵之間的一空間 之一筆直中心線可用以識別彼筆直中心線穿過其以一筆直間隙段延伸之空間之部分。在一額外實例中,其中兩個直線依一90度角會合之一經圖案化特徵之一部分可被識別為一隅角段。可以一類似方式使用虛中心線識別本文中所闡述之其他段。
一旦度量程序之各個位置已經判定(例如,量測位點位置、對準位點位置、自動聚焦位點位置等),度量配方設置便可包含各個額外步驟,可使用一實體晶圓對度量工具執行該等額外步驟中之某些步驟。舉例而言,該等位置中之一或多者可定位於量測子系統之一FOV中。一旦一或多個位置定位於量測子系統之FOV中,便可使用量測子系統之參數(亦即,光學、電子束或成像參數)之不同值生成量測子系統之輸出。然後可比較使用參數之不同值生成之不同輸出以判定該等參數中之哪些參數最適用於針對一或多個位置之度量程序中。另外,可針對將在相同度量程序中量測之不同位置而選擇不同量測子系統參數。舉例而言,可判定最佳(且因而選擇)用於一種類型之ROI中之一個量測類型之一組量測子系統參數,同時可判定最佳(且因而選擇)用於另一不同類型之ROI中之另一不同量測類型之另一不同組量測子系統參數。以一類似方式,可在一逐位置類型基礎上判定藉由電腦子系統應用於藉由量測子系統生成之輸出之一或多個方法及/或演算法之一或多個參數(使得不同方法及/或演算法以及/或相同方法及/或演算法之不同參數可應用於在晶圓上之不同類型之位置處生成之輸出)。
在某些實施例中,電腦子系統經組態以用於藉由對準偵測器之輸出與針對試樣之設計而判定在度量程序期間ROI之第一子集及第二子集在試樣上之位置。舉例而言,電腦子系統可經組態以用於自動SEM至設計精細對準(例如,使用SEM之FOV中之幾何形狀)。由於全域對準不確保藉由一量測子系統生成之影像中之結構之中心線與設計結構之對準,因此可執行SEM至設計精細對準。
在對準量測子系統之輸出與設計之某些實施例中,穿過輸出及設計中之經圖案化特徵繪製之虛中心線可用於精細對準(而本文中進一步闡述之對準標記可用於一晶圓或一或多個FOV之全域對準)。圖7及圖8圖解說明可在使用輸出及設計中之特徵之邊緣以用於對準時出現之某些問題。舉例而言,如在圖7中所展示,一設計之一部分可包含兩個特徵(線700及多邊形702)。另外,對應於設計之部分之藉由量測子系統生成之輸出之一部分可包含針對該兩個特徵(線704及多邊形706)之輸出。設計中之特徵與量測子系統之輸出歸因於如上文進一步闡述地將設計印刷於晶圓上而看起來不同。
可在一受關注圖案之上部邊緣或下部邊緣處使用邊緣至邊緣方法對準量測子系統之輸出(例如,一SEM影像)與一設計。舉例而言,如在圖7中所展示,若多邊形702及706之水平部分之下部邊緣708用於對準,則針對多邊形之區710及712中之多邊形706執行之線端量測將產生一個量測。然而,若如在圖8中所展示,多邊形702及706之水平部分之上部邊緣800用於對準,則針對多邊形中區710及712中之多邊形706執行之線端量測將產生一不同量測。以此方式,取決於多邊形之哪個邊緣用於設計與輸出之對準,線端量測將產生不同結果,此由於若干個明顯原因(例如,線端拉回量測係不一致的)而係不利的。
因而,代替使用邊緣至邊緣對準,本文中所闡述之實施例可使用輸出中及設計中之特徵之中心執行量測子系統輸出與設計之對準。舉例而言,如在圖9中所展示,若多邊形702及706之中心用於對準,則將產生不同於使用上文闡述之邊緣對準方法中之任一者之情況之一量測以用於針對多邊形之區710及712中之多邊形706執行之線端量測。然而,使用特徵之中心對準量測子系統之輸出與設計將產生一更加一致的自ROI至ROI之對準,藉此提供對ROI之實質上一致量測(例如,隅角量測、線端拉回量測,以及寬度量測)。使用特徵之中心而 非其邊緣用於對準亦可改良對於嚴重扭曲圖案且在FOV不具有用於對準受關注圖案之諸多特徵時之對準之穩健性。
圖10至圖12圖解說明一設計之一部分中及量測子系統輸出中之經圖案化特徵之中心可如何用於對準設計與輸出。舉例而言,如在圖10中所展示,針對一試樣之一設計之一部分可包含四個不同特徵(線1000、1002及1004及多邊形1006之部分)。如在圖10中進一步展示,可判定包含於設計之部分中之每一特徵之部分之整體之一虛中心線。舉例而言,可判定針對線1000、1002及1004之部分之虛中心線1008、1010及1012。另外,可判定針對多邊形1006之虛中心線1014。可以任何適合方式判定虛中心線。
亦可判定針對如在量測子系統輸出中出現之經圖案化特徵之虛中心線。舉例而言,如在圖11中所展示,量測子系統輸出中之一設計之一部分可包含對應於圖10中展示之彼等部分之四個不同特徵,例如線1100、1102及1104以及多邊形1106之部分。如在圖11中進一步展示,可判定穿過包含於設計之此部分中之每一特徵之部分之整體之一虛中心線。舉例而言,可判定針對線1100、1102及1104之部分之虛中心線1108、1110及1112。另外,可判定針對多邊形1106之虛中心線1114。可如本文中進一步闡述地判定虛中心線。
由於可以可再現地判定設計中之經圖案化特徵之中心線且由於應能夠實質上可再現地判定輸出中之經圖案化特徵之中心線,虛中心線可用以相對可再現地對準設計中之經圖案化特徵與輸出中之經圖案化特徵。舉例而言,如在圖12中所展示,中心線1008與1108之對準1200可用以可再現地對準設計中之線1000與輸出中之線1100。在另一實例中,中心線1010與1110之對準1202可用以可再現地對準設計中之線1002與輸出中之線1102。另外,中心線1012與1112之對準1204可用以可再現地對準設計中之線1004與輸出中之線1104。此外,中心線 1014與1114之對準1206可用以可再現地對準設計中之多邊形1006與輸出中之多邊形1106。
當然,為對準設計之一部分中之特徵與特徵與量測子系統之輸出中之設計之相同部分,並非為產生所有特徵之彼此對準而必須使該部分中之所有特徵之所有中心線彼此對準。舉例而言,在圖12中展示之實例中,設計中之多邊形之中心線與輸出中之多邊形之中心線之對準可用以產生針對多邊形以及設計中之此部分中之剩餘特徵之精細設計至輸出對準。可再現地能夠對準設計中之特徵與量測子系統輸出中之特徵將改良使用對準之結果執行之量測之一致性。
在又一實施例中,量測之參數包含跨越其執行量測之一或多個尺寸之邊界。舉例而言,電腦子系統可經組態以用於量測界限之自動生成。可在運行時間時(在設置期間無需參數)自動地判定針對每一唯一性位點之量測界限。
在某些實施例中,可使用本文中進一步闡述之中心線判定跨越其執行量測之尺寸之邊界。舉例而言,如在圖13中所展示,形成於一晶圓上之一設計之一部分可包含四個經圖案化特徵1300、1302、1304及1306,其等在圖13中展示為其等可形成於晶圓上且然後藉由量測子系統進行成像。可生成針對本文中進一步闡述之特徵中之每一者之虛中心線1308、1310、1312及1314。亦可生成針對經圖案化特徵之間的空間之虛中心線。可藉由設計中之兩個毗鄰特徵之間的中點來定義針對該等空間之中心線。舉例而言,可基於特徵1300與任何其他毗鄰特徵(例如,特徵1302)之中心線之間的中點而定義中心線1316。可基於特徵1302與在此特徵之左側上且延伸超過特徵1300之任何其他毗鄰特徵(未在圖13中展示)之中心線之間的中點而定義中心線1318。可基於特徵1304與任何其他毗鄰特徵(例如,特徵1302及1306)之中心線之間的中點而定義中心線1320。可基於特徵1302與1306之中心線之間的中 點而定義中心線1322。另外,可基於特徵1306與此特徵之右側上之任何毗鄰特徵(未在圖13中展示)之中心線之間的中點而定義中心線1324。儘管圖13中展示之中心線闡述為關於如在量測子系統輸出中呈現之經圖案化特徵而經定義,但中心線亦可或另一選擇係基於如設計本身中呈現之經圖案化特徵而經定義。另外,儘管經圖案化特徵之間的空間中之中心線在上文闡述為基於經圖案化特徵中之中心線而經定義,但該等空間中之中心線可基於經圖案化特徵之某些其他特性(例如,經圖案化特徵之邊緣)而經定義。
經圖案化特徵之間的空間中之中心線可然後用作用於執行之對經圖案化特徵之任何量測之邊界。舉例而言,如在圖13中所展示,若將針對經圖案化特徵1304量測此經圖案化特徵之一臨界尺寸(CD),則可沿著線1326中之一者自經圖案化特徵之一側上之中心線1320之位置至經圖案化特徵之另一側上之中心線1320之位置且沿實質上垂直於經圖案化特徵1304內之中心線1312之一方向執行量測。以此方式,可沿正交於穿過經圖案化特徵之中心線之一方向執行量測。儘管三個線1326在圖13中展示為表示可跨越其執行針對經圖案化特徵1304之不同量測之尺寸,但可在沿著經圖案化特徵內之中心線之任何適合位置處執行任一適合數目個此類量測。另外,可沿實質上平行於該等特徵之中心線之一方向執行量測。舉例而言,如在圖13中所展示,可沿著線1328中之一者執行量測,且儘管未在圖13中展示,但亦可藉由經圖案化特徵之間的空間中之中心線判定此類量測之邊界,如本文中進一步闡述。此外,儘管未在圖13中展示,但跨越其執行量測之尺寸可與經圖案化特徵及/或經圖案化特徵之間的空間之中心線以除了正交以外之某一角度相交(例如,對於量測半徑、對於線端拉回量測、對於線端距離量測等)。
使用經圖案化特徵之間的空間中之中心線作為對經圖案化特徵 執行之任何量測之邊界可有利地確保量測在經圖案化特徵之外側開始及結束,藉此確保跨越經圖案化特徵之一整個尺寸執行量測且確保量測之邊界充分地在經圖案化特徵外側以使得可以充分準確性及/或信心判定在量測期間生成之輸出中之經圖案化特徵之邊緣。例如,若一量測開始所處之邊界太靠近於一經圖案化特徵之邊緣,則輸出內之經圖案化特徵之邊緣之位置可容易與量測邊界混淆且/或可在量測邊界雜訊中丟失。然而,如在本文所闡述地使用經圖案化特徵之間的空間中之中心線來判定量測之邊界將實質上消除經圖案化特徵邊緣偵測中之任何此類誤差。
以一類似方式,若將針對兩個經圖案化特徵之間的一空間執行本文中所闡述之量測(例如,將量測兩個特徵之間的間隙),則可基於圍繞該空間之經圖案化特徵內之中心線而判定彼量測之邊界。以此方式,該量測可在充分地超過該空間之邊緣之位置處開始及結束,藉此確保跨越該空間之一整個尺寸執行該量測且確保可以相對高準確性及/或信心判定該空間之邊緣。
在一項實施例中,該(等)量測包含自動地判定在對形成於試樣上之一或多個結構之一或多個邊緣之量測期間藉由偵測器生成之輸出中之位置。以此方式,本文中所闡述之實施例可經組態以用於SEM邊緣位置之自動判定。在某些例項中,可使用本文中進一步闡述之1D梯度量變曲線判定邊緣位置。舉例而言,可藉由發現一1D梯度量變曲線內之最強正或負梯度峰值而自動地判定邊緣位置。換言之,可選擇1D梯度量變曲線中之峰值點為邊緣位置。然後可基於邊緣位置判定特徵之一CD或其他屬性。舉例而言,可藉由使用正交於穿過結構之中心之一線之1D梯度量變曲線之正/負梯度峰值、零交叉或負/正梯度峰值定位頂部、中部或底部邊緣位置而判定頂部、中部或底部CD。然而,除了使用梯度量變曲線以外,亦可使用其他量測演算法來定位 邊緣。
在另一實施例中,電腦子系統經組態以用於基於量測之結果而自動地生成用於ROI之第一子集及第二子集中之一者之一或多個屬性。以此方式,本文中所闡述之實施例可經組態以用於自動生成用於每一ROI之量測統計及屬性。可獨立於所有其他ROI之度量結果而判定用於每一ROI之量測統計。可使用對一ROI之多個量測生成各種量測統計(例如,最大值(Max)、最小值(Min)、均值(Mean)、平均值(Average)、中值(Median)、標準偏差(Standard Deviation)、範圍(Range)及總和(Sum))。在另一實例中,電腦子系統可經組態以用於自動生成其他屬性,諸如形成於一晶圓上之一經圖案化結構之一維(1D)灰階量變曲線。1D灰階量變曲線可藉由沿著正交於穿過經圖案化結構之一中心線或平行於穿過經圖案化結構之中心線之一線生成之輸出而自動地生成。電腦子系統亦可經組態以用於自動生成1D梯度量變曲線,該1D梯度量變曲線可藉由採取如上文所闡述地判定之一1D灰階量變曲線之一梯度而自動地生成。在某些例項中,一ROI內之多個量測可包含每個1D灰階或梯度量變曲線一個量測。量測統計可係關於實際CD、正△CD及負△CD,且△CD提供相對於設計之CD量測。另外,可使用平行或正交於穿過一結構之一中心線之1D灰階量變曲線判定各種類型之基於灰階或梯度之屬性(諸如峰值局部灰度差、峰值正或負梯度等)。可使用本文中所闡述之實施例判定之量測統計及/或屬性亦不限於本文中所闡述者。
在一額外實施例中,一或多個電腦子系統經組態以用於基於一或多個量測之結果而自動地生成用於第一子集及第二子集中之一者中之ROI之多個例項之一或多個屬性,且比較用於多個例項中之兩者或兩者以上之一或多個屬性中之至少一者以識別多個例項中之兩者或兩者以上中之離群值。以此方式,本文中所闡述之實施例可經組態以用 於跨越一晶圓上之各個位點之量測統計及屬性之相對比較以判定離群值。可跨越一晶圓上之各個位點比較用於ROI中之每一者之量測統計及屬性以判定離群值以用於缺陷偵測。
在又一實施例中,一或多個電腦子系統經組態以用於自動地選擇設計中之一或多個對準位點,且度量程序包含判定在度量程序期間試樣上之一或多個對準位點中之至少一者之一或多個位置,且基於試樣上之至少一個對準位點之一或多個位置而判定試樣上之第一子集及第二子集中之ROI中之一或多者之一或多個位置。舉例而言,本文中所闡述之實施例可經組態以用於利用實體設計分析自動地生成對準位點(用於粗略對準)。在一項此類實例中,在度量計劃生成期間,對於每一FOV,電腦子系統可經組態以使用實體設計自動地判定針對每一量測位點之唯一性對準位點及自動聚焦位點。可使用設計分析演算法及軟體執行自動地判定唯一性對準位點及自動聚焦位點。
在某些實施例中,本文中所闡述之系統可經組態以對包含量測子系統及電腦子系統中之至少一者之一度量工具執行每個FOV之度量計劃。在一項此類實施例中,該系統可執行每個FOV之自動聚焦且然後每個FOV之錨定點對準。在某些此類例項中,該系統可自一設計資料庫提取針對錨定點及量測位點之設計縮略形式以用於自動聚焦及/或錨定點對準。該系統可進一步經組態以用於每個FOV之量測位點對準且執行用於量測位點之度量計劃,諸如在FOV內之ROI中執行選定類型之量測。電腦子系統可然後產生每個ROI之量測資料。
在某些實施例中,該度量程序包括僅基於在第一子集及第二子集中之ROI中之一者中執行之一或多個量測而判定在該一個ROI中是否存在一缺陷。換言之,一ROI中之缺陷偵測可不基於在任何其他ROI中生成之輸出(在與ROI相同之晶粒中或在與該ROI所在之晶粒不同之一晶粒中)或使用此類輸出產生之任何量測。舉例而言,可將僅 使用在一ROI中生成之輸出生成針對彼ROI之一量測結果與一臨限值進行比較,且可將高於臨限值之任何量測結果判定為一缺陷,而可將低於臨限值之任何量測結果不判定為一缺陷(或反之亦然)。另外,可使用一個以上臨限值(例如,上臨限值及下臨限值)及/或任何其他適合缺陷偵測方法及/或演算法執行此類缺陷偵測。
以此方式,判定用於其之一或多個參數之度量程序可包含基於ROI之單個晶粒缺陷偵測。可執行此類缺陷偵測以藉由在ROI位置處生成各種類型之屬性(例如,CD量測、梯度量值、局部灰度對比度等)而偵測各種缺陷類型(例如,圖案缺陷、缺失及/或欠填充磊晶層、矽鍺(SiGe)缺陷等)。
與本文中所闡述之實施例相比,當前使用之用於基於ROI之單個晶粒缺陷偵測之方法使用一參考影像或參考輪廓(所獲取或生成)以用於缺陷偵測。與基於ROI之單個晶粒缺陷偵測相比,所獲取影像方法具有一半之產出量。所生成影像或輪廓方法經受生成參考之複雜性及不準確性。
在一項實施例中,在ROI之第一子集及第二子集中之一者中執行之一或多個量測包含ROI中之一者之相對於ROI中之其他者之CD量測之CD量測。以此方式,判定用於其之一或多個參數之量測可係其中可比較一給定晶圓上之一給定受關注圖案(POI)之多個例項之CD之相對CD量測。換言之,CD量測可係一相對量測,而非一絕對量測。與本文中所闡述之實施例相比,當前使用之用於相對CD量測之方法使用一CD-SEM工具,其中用以定義每個位點之多個ROI之配方設置係一極消耗人力及時間之程序且因此可針對CD量測而量測每個位點之實質上有限數目個ROI以及每個晶粒之有限數目個唯一性位點。
在一額外實施例中,ROI之第一子集及第二子集中之一者中執行之一或多個量測包含ROI中之一者之相對於ROI中之其他者之疊對量 測之疊對量測。以此方式,判定用於其之一或多個參數之量測可係相對疊對量測。換言之,疊對量測可係一相對量測,而非一絕對量測。可量測多圖案化製作程序(例如,雙圖案化、三圖案化或四圖案化)、間隔物間距分割製作程序等期間的疊對誤差。另外,可量測形成於晶圓上之一當前層與形成於晶圓上之一先前層之間的疊對誤差。與本文中所闡述之實施例相比,當前使用之用於相對疊對量測之方法使用一CD-SEM工具,其中用以定義每個位點之多個ROI之配方設置係一極消耗人力及時間之程序且因此可針對疊對量測而量測每個位點之實質上有限數目個ROI以及每個晶粒之有限數目個唯一性位點。
在某些實施例中,該試樣包含一程序窗鑑定(PWQ)晶圓,且該自動地生成包含基於設計及對試樣執行之一檢驗程序之結果而自動地生成將在度量程序期間量測之ROI。以此方式,判定用於其之一或多個參數之量測可包含對PWQ晶圓上之圖案缺陷之自動化再檢測(例如,使用CD量測),藉由一檢驗工具(諸如可自KLA-Tencor商業購得之檢驗工具中之一者)執行之對晶圓之一PWQ檢驗可偵測該等圖案缺陷。在某些例項中,藉由PWQ檢驗所偵測之缺陷可用作度量之熱點,且在度量熱點處執行之量測及偵測可用於改善PWQ窗(例如,針對其執行PWQ之程序參數之窗)。當前使用之用於圖案缺陷之自動化PWQ再檢測之方法執行藉由一PWQ檢驗發現之圖案缺陷之手動或自動化基於設計之再檢測。手動方法係不準確且不可靠的(例如,一使用者可錯失完全圖案故障或可能無法辨別實質上細微(例如,3nm至7nm)CD變化),且基於設計之方法需要發現與度量步驟之間的配方設置。
PWQ檢驗可如在以下美國專利中所闡述地執行:2005年6月7日頒佈給Peterson等人之美國專利第6,902,855號、2008年8月26日頒佈給Peterson等人之美國專利第7,418,124號、2010年8月3日頒佈給Kekare等人之美國專利第7,769,225號、2011年10月18日頒佈給Pak等人之美 國專利第8,041,106號以及2012年7月3日頒佈給Peterson等人之美國專利第8,213,704號,該等美國專利如同完整陳述一般以引用方式併入本文中。本文中所闡述之實施例可包含在此等專利中闡述之任何方法之任何步驟且可如在此等專利中所闡述地進一步經組態。可如在此等專利中所闡述地進一步經組態印刷一PWQ晶圓。
在又一實施例中,在對試樣執行之一製作程序之線內監測期間對該試樣執行度量程序。以此方式,判定用於其之一或多個參數之度量程序可包含在線內監測期間執行之一度量程序(亦即,對藉由一生產製作程序產生之一晶圓執行之量測)。可針對諸如閘臨界尺寸均勻性(CDU)量測、線邊緣粗糙度(LER)/線寬粗糙度(LWR)量測,CD/疊對量測等之量測執行此類度量程序。
在另一實施例中,自動地生成包含基於設計及對試樣執行之一檢驗程序之結果而自動地生成將在度量程序期間量測之ROI。舉例而言,亦可針對藉由檢驗所偵測之缺陷之位置執行線內監測,使得所偵測缺陷之位置基本上用作檢驗導引之度量之「熱點」。在某些此類實施例中,度量之結果可與檢驗之結果相關。舉例而言,在某些例項中,藉由檢驗生成之一圖案保真度圖徵可與在度量期間執行之量測相關。
與本文中所闡述之實施例相比,當前使用之用於線內監測期間之度量之方法使用一CD-SEM工具在特定度量目標(例如,印刷於晶圓上之刻劃線中)處執行CD/疊對量測,且由於配方設置在定義ROI中係相當費力的,因此不能夠自動地量測一晶圓上之上千個唯一性位點。某些其他當前使用之用於線內監測之方法包含使用一SEM再檢測工具自上百萬個熱點位置隨機地取樣若干位置以使用一晶粒至晶粒模式執行臨界點檢驗(CPI)。然而,由於隨機地取樣熱點位置,因此當前使用之方法可錯失實質上大數目個熱點缺陷。
在一額外實施例中,一或多個電腦子系統經組態以用於比較在ROI之第一子集及第二子集中之一者中執行之一或多個量測與ROI之第一子集及第二子集中之該一者之設計意圖且基於該比較之結果而修改一光學接近校正(OPC)模型。以此方式,可針對設計意圖之OPC模型驗證執行判定用於其之一或多個參數之度量程序。與本文中所闡述之實施例相比,當前使用之用於對設計意圖之OPC模型驗證之方法使用一CD-SEM工具,其中用以定義每個位點之多個ROI之配方設置係一極消耗人力及時間之程序且因此可針對CD量測而量測每個位點之實質上有限數目個ROI以及每個晶粒之有限數目個唯一性位點。對於OPC,需要自動地發現薄弱結構且立即及/或自動地設置及量測每個晶粒之上千個唯一性位點。
在另一實施例中,一或多個電腦子系統經組態以用於基於一或多個量測而偵測ROI之第一子集及第二子集中之一者中之缺陷且報告一或多個量測作為所偵測缺陷之缺陷屬性。以此方式,度量程序可包含報告圖案保真度量測作為藉由一再偵測演算法報告之缺陷位置處之缺陷屬性。與本文中所闡述之實施例相比,當前使用之方法不報告量測統計作為缺陷屬性之部分且因此無法量化一圖案失真是一妨害、部分斷裂、完全斷裂、部分橋接還是完全橋接。
本文中所闡述之實施例具有優於當前使用之用於判定一度量程序之一或多個參數之方法之若干個優點。舉例而言,本文中所闡述之實施例提供一實質上快速自動化即時機構以生成上千個唯一性位點之ROI且然後自動地生成用於跨越各個位點之每一ROI之各個量測統計及屬性(使用一給定位點之SEM影像及實體設計縮略形式),其然後可用以服務本文中所闡述之各個使用情形。
另一實施例係關於一種用於判定將對一試樣執行之一度量程序之一或多個參數之電腦實施方法。該方法包含上文闡述之自動地生成 及自動地判定步驟。
可如本文中進一步闡述地執行該方法之步驟中之每一者。該方法亦可包含可由本文中所闡述之量測子系統及/或電腦子系統或系統執行之任何其他步驟。自動地生成及自動地判定步驟係由一或多個電腦系統執行,該一或多個電腦系統可根據本文中所闡述之實施例中之任一者而經組態。另外,可藉由本文中所闡述之系統實施例中之任一者來執行上文所闡述之方法。
一額外實施例係關於一種儲存可在一電腦系統上執行以用於執行用於判定將對一試樣執行之一度量程序之一或多個參數之一電腦實施方法之程式指令之非暫時性電腦可讀取媒體。圖14中展示一項此類實施例。特定而言,如圖14中所展示,非暫時性電腦可讀取媒體1400包含可在電腦系統1404上執行之程式指令1402。電腦實施方法可包含上文所闡述之任何方法之任何步驟。
實施諸如本文中所闡述之方法的方法之程式指令1402可儲存於電腦可讀取媒體1400上。電腦可讀取媒體可係諸如一磁碟或光碟、一磁帶之一儲存媒體,或此項技術中已知之任何其他適合之非暫時性電腦可讀取媒體。
可以包含基於程序之技術、基於組件之技術及/或物件導向之技術以及其他技術之各種方式中之任何者來實施程式指令。舉例而言,可視需要使用ActiveX控件、C++物件、JavaBeans、微軟基礎類別(「MFC」)、SSE(SIMD串流擴展)或者其他技術或方法來實施程式指令。
電腦系統1404可根據本文中所闡述之實施例中之任一者而經組態。
鑒於此說明,熟習此項技術者將明瞭本發明之各種態樣之進一步修改及替代實施例。舉例而言,提供用於判定將對一試樣執行之一 度量程序之一或多個參數之方法及系統。因此,此說明應視為僅係說明性的,且係出於教示熟習此項技術者實施本發明之一般方式之目的。應理解,本文中所展示及所闡述之本發明之形式應視為目前較佳之實施例。如熟習此項技術者在受益於本發明之此說明之後皆將明瞭,元件及材料可替代本文中所圖解說明及闡述之彼等元件及材料,部件及程序可顛倒,且本發明之某些特徵可獨立地利用。可在不背離如以下申請專利範圍中所闡述之本發明之精神及範疇之情況下對本文中所闡述之元件做出改變。

Claims (27)

  1. 一種經組態以判定將對一試樣執行之一度量程序之一或多個參數之系統,其包括:一量測子系統,其至少包括一能量源及一偵測器,其中該能量源經組態以生成被引導至一試樣之能量,且其中該偵測器經組態以偵測來自該試樣之能量且回應於該所偵測能量而生成輸出;及一或多個電腦子系統,其經組態以用於:基於針對該試樣之一設計而自動地生成將在利用該量測子系統對該試樣執行之一度量程序期間量測之受關注區域;及基於分別位於該等受關注區域之第一子集及第二子集中之針對該試樣之該設計之部分而自動地判定在利用該量測子系統之該度量程序期間在該等受關注區域之該第一子集及該第二子集中執行之一或多個量測之一或多個參數,其中在該第一子集中執行之該一或多個量測之該一或多個參數係單獨地且獨立於在該第二子集中執行之該一或多個量測之該一或多個參數而判定,其中用於該自動地生成及該自動地判定之針對該試樣之該設計不包含將不印刷於該試樣上之該設計之特徵。
  2. 如請求項1之系統,其中該自動地生成及該自動地判定係在該度量程序之設置期間執行。
  3. 如請求項1之系統,其中該自動地生成及該自動地判定係在該度量程序之運行時間期間即時執行。
  4. 如請求項1之系統,其中該自動地生成包括在該度量程序之設置期間執行該設計之基於規則之搜尋。
  5. 如請求項1之系統,其中該一或多個電腦子系統包括一電子設計自動化工具之一電腦子系統。
  6. 如請求項1之系統,其中針對該等受關注區域之該第一子集自動地判定之該一或多個參數導致在該等受關注區域之該第一子集中執行之一第一類型之該一或多個量測,其中針對該等受關注區域之該第二子集自動地判定之該一或多個參數導致該等受關注區域之該第二子集中執行之一第二類型之該一或多個量測,且其中該第一類型之該一或多個量測與該第二類型之該一或多個量測不同於彼此。
  7. 如請求項1之系統,其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以用於藉由對準該偵測器之該輸出與針對該試樣之該設計而判定在該度量程序期間該等受關注區域之該第一子集及該第二子集在該試樣上之位置。
  8. 如請求項1之系統,其中該一或多個量測之該一或多個參數包括跨越其執行該一或多個量測之一或多個尺寸之邊界。
  9. 如請求項1之系統,其中該一或多個量測包括自動地判定在對形成於該試樣上之一或多個結構之一或多個邊緣之該一或多個量測期間藉由該偵測器生成之該輸出中之位置。
  10. 如請求項1之系統,其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以用於基於該一或多個量測之結果而自動地生成用於該等受關注區域之該第一子集及該第二子集中之一者之一或多個屬性。
  11. 如請求項1之系統,其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以用於基於該一或多個量測之結果而自動地生成用於該第一子集及該第二子集中之一者中之該等受關注區域之多個例項之一或多個屬性,且比較用於該多個例項中之兩者或兩者以上之該一或多個屬性中之至少一者以識別該多個例項中之該兩者或兩者以上中之離群值。
  12. 如請求項1之系統,其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以用於自動地選擇該設計中之一或多個對準位點,且其中該度量程序包括判定在該度量程序期間該試樣上之該一或多個對準位點中之至少一者之一或多個位置,且基於該試樣之上該至少一個對準位點之該一或多個位置而判定該試樣上之該第一子集及該第二子集中之該等受關注區域中之一或多者之一或多個位置。
  13. 如請求項1之系統,其中該度量程序包括僅基於在該第一子集及該第二子集中之該等受關注區域中之一者中執行之該一或多個量測而判定在該一個受關注區域中是否存在一缺陷。
  14. 如請求項1之系統,其中該自動地生成包括基於該設計及對該試樣執行之一檢驗程序之結果而自動地生成將在該度量程序期間量測之該等受關注區域。
  15. 如請求項1之系統,其中在該等受關注區域之該第一子集及該第二子集中之一者中執行之該一或多個量測包括該等受關注區域中之一者相對於該等受關注區域中之其他者之臨界尺寸量測之臨界尺寸量測。
  16. 如請求項1之系統,其中在該等受關注區域之該第一子集及該第二子集中之一者中執行之該一或多個量測包括該等受關注區域中之一者相對於該等受關注區域中之其他者之疊對量測之疊對量測。
  17. 如請求項1之系統,其中該試樣包括一程序窗鑑定晶圓,且其中該自動地生成包含基於該設計及對該試樣執行之一檢驗程序之結果而自動地生成將在該度量程序期間量測之該等受關注區域。
  18. 如請求項1之系統,其中在對該試樣執行之一製作程序之線內監測期間對該試樣執行該度量程序。
  19. 如請求項1之系統,其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以用於比較在該等受關注區域之該第一子集及該第二子集中之一者中執行之該一或多個量測與該等受關注區域之該第一子集及該第二子集中之該一者之設計意圖且基於該比較之結果而修改一光學接近校正模型。
  20. 如請求項1之系統,其中該一或多個電腦子系統進一步經組態以用於基於該一或多個量測而偵測該等受關注區域之該第一子集及該第二子集中之一者中之缺陷且報告該一或多個量測作為該等所偵測缺陷之缺陷屬性。
  21. 如請求項1之系統,其中該試樣包括一晶圓。
  22. 如請求項1之系統,其中該試樣包括一比例光罩。
  23. 如請求項1之系統,其中被引導至該試樣之該能量包括光,且其中自該試樣偵測之該能量包括光。
  24. 如請求項1之系統,其中被引導至該試樣之該能量包括電子,且其中自該試樣偵測之該能量包括電子。
  25. 如請求項1之系統,其中被引導至該試樣之該能量包括離子。
  26. 一種非暫時性電腦可讀取媒體,其儲存可在一電腦系統上執行以用於執行用於判定將對一試樣執行之一度量程序之一或多個參數之一電腦實施方法之程式指令,其中該電腦實施方法包括:基於針對一試樣之一設計而自動地生成將在利用一量測子系統對該試樣執行之一度量程序期間量測之受關注區域,其中該量測子系統至少包括一能量源及一偵測器,其中該能量源經組態以生成被引導至該試樣之能量,且其中該偵測器經組態以偵測來自該試樣之能量且回應於該所偵測能量而生成輸出;及基於分別位於該等受關注區域之第一子集及第二子集中之針對該試樣之該設計之部分而自動地判定在利用該量測子系統之該度量程序期間在該等受關注區域之該第一子集及該第二子集中執行之一或多個量測之一或多個參數,其中在該第一子集中執行之該一或多個量測之該一或多個參數係單獨地且獨立於在該第二子集中執行之該一或多個量測之該一或多個參數而判定,且其中用於該自動地生成及該自動地判定之針對該試樣之該設計不包含將不印刷於該試樣上之該設計之特徵。
  27. 一種用於判定將對一試樣執行之一度量程序之一或多個參數之電腦實施方法,其包括:基於針對一試樣之一設計而自動地生成將在利用一量測子系統對該試樣執行之一度量程序期間量測之受關注區域,其中該量測子系統至少包括一能量源及一偵測器,其中該能量源經組態以生成被引導至該試樣之能量,且其中該偵測器經組態以偵測來自該試樣之能量且回應於該所偵測能量而生成輸出;及基於分別位於該等受關注區域之第一子集及第二子集中之針對該試樣之該設計之部分而自動地判定在利用該量測子系統之該度量程序期間在該等受關注區域之該第一子集及該第二子集中執行之一或多個量測之一或多個參數,其中在該第一子集中執行之該一或多個量測之該一或多個參數係單獨地且獨立於在該第二子集中執行之該一或多個量測之該一或多個參數而判定,其中用於該自動地生成及該自動地判定之針對該試樣之該設計不包含將不印刷於該試樣上之該設計之特徵,且其中該自動地生成及該自動地判定係藉由一或多個電腦系統執行。
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