JP2007157418A - 有機el装置および有機el装置の製造方法ならびに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】第1電極と、第2電極とが短絡しても、有機EL装置の見かけ上の不良画素数を少なくして、輝点不良を低減することが可能な有機EL装置および有機EL装置の製造方法ならびに表示性能の良好な電子機器を提供する。
【解決手段】有機EL装置1は、パッシブマトリックス型の有機EL装置1であって、基板2と、基板2上に形成された複数の第1電極3と、第1電極3と交差する方向に形成された複数の第2電極5と、第1電極3と第2電極5との間に形成された有機機能層としての発光層6と、を備え、第1電極3は、分離可能な接続部51を備えている。
【選択図】図1
【解決手段】有機EL装置1は、パッシブマトリックス型の有機EL装置1であって、基板2と、基板2上に形成された複数の第1電極3と、第1電極3と交差する方向に形成された複数の第2電極5と、第1電極3と第2電極5との間に形成された有機機能層としての発光層6と、を備え、第1電極3は、分離可能な接続部51を備えている。
【選択図】図1
Description
本発明は、有機EL装置および有機EL装置の製造方法ならびに電子機器に関する。
近年、ノートパソコン、携帯電話機、電子手帳等の電子機器において、情報を表示する手段として有機エレクトロルミネッセンス(以下有機ELと称す)素子を画素に対応させて備える有機EL装置等といった表示装置が提案されている。
このような有機EL装置の1つにパッシブマトリクス型(単純マトリクス型)の有機EL装置がある。一般的に、このパッシブマトリクス型の有機EL装置は、基板上の所定方向に帯状に延在する複数形成された第1電極(陽極)と、この第1電極に対して直交する方向に帯状に複数配置された第2電極(陰極)と、これら第1電極と第2電極との交差領域において第1電極および第2電極に上下に挟み込まれた発光層とを備えている。この発光層は、第1電極および第2電極に電流が流れた場合に発光する。そして、パッシブマトリクス型の有機EL装置は、発光層を1画素に対応させて複数備えることによって構成されている。
例えば特許文献1および特許文献2に開示されているように、有機EL装置は、基板上の所定方向に帯状に延在する複数の第1電極と、この第1電極の延在方向に対して直交する方向に延在する複数のカソードセパレータと、このカソードセパレータの下方に設置されるバンク層と、カソードセパレータ同士の間に形成される第2電極とが配置される構成が提案されていた。
ところが、これらのようなパッシブマトリクス型の有機EL装置は、画素において第1電極と第2電極との間でショートが発生した場合、ショートした画素を交点とした陽極と陰極とのライン上のみではなく、その他のライン上でも発光してしまうことがあった。そして、有機EL装置は、見かけ上の不良画素数が多くなってしまい、輝点不良が多く発生することにより歩留まりの向上を図ることが困難であった。また、有機EL装置を形成する上で多くの材料が必要となるから、歩留まりを向上させることができないと、結果的に、材料の節約をすることも困難であった。
本発明の目的は、第1電極と、第2電極とが短絡しても、有機EL装置の見かけ上の不良画素数を少なくして、輝点不良を低減することが可能な有機EL装置および有機EL装置の製造方法ならびに表示性能の良好な電子機器を提供することである。
本発明の有機EL装置は、パッシブマトリックス型の有機EL装置であって、基板と、前記基板上に形成された複数の第1電極と、前記第1電極と交差する方向に形成された複数の第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に形成された有機機能層と、を備え、前記第1電極は、分離可能な接続部を備えていることを特徴とする。また、短絡箇所は前記第1電極と第2電極との間に形成された有機機能層に逆方向電圧を印加する事により、検査する。
この発明によれば、第1電極と、第2電極とが短絡したら、第1電極と第2電極との間に形成された有機機能層に逆電圧を印加すれば、形成された接続部を切断することで、短絡したところには電流が流れなくなるように電流の流れる方向を変えることができる。そして、短絡によって発生していたライン上での誤った発光を低減することができる。誤った発光を抑制することによって、見かけ上の不良画素数を低減することができるから、輝点不良を低減することができる。輝点不良が低減すれば、有機EL装置の歩留まりを向上させることができる。歩留まりが向上すれば、有機EL装置を形成するのに必要な材料も少なくて済む。したがって、材料の節約を図ることもできる。
本発明の有機EL装置は、パッシブマトリックス型の有機EL装置であって、基板と、前記基板上に形成された複数の第1電極と、前記第1電極と交差する方向に形成された複数の第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に形成された有機機能層と、を備え、前記第1電極は、分離可能な接続部と、前記第1電極に接続可能な下地電極と、を備えていることを特徴とする。また、短絡箇所は前記第1電極と第2電極との間に形成された有機機能層に逆方向電圧を印加する事により、判別する。
この発明によれば、第1電極に接続可能な下地電極を備えているから、電流の流れる体積をより大きくすることができるので、電気抵抗を低く抑えることができる。そして、電気抵抗を低く抑えることができるから、ライン上の電圧降下を抑えることができるので、有機EL装置の輝度むらを低減することができる。
本発明の有機EL装置は、前記第1電極が、ITO、金属、導電性高分子材料のうち、いずれかの材料を用いて形成されていることが望ましい。
この発明によれば、第1電極が、導電性を有する材料で形成されているから、第1電極と第2電極との導通が得やすい有機EL装置を提供できる。
本発明の有機EL装置は、前記接続部の幅が、前記第1電極の幅より細く形成されていることが望ましい。
この発明によれば、接続部の幅が、第1電極の幅より細く形成されているから、少ないエネルギ消費量で接続部を切断することができる。エネルギ消費量が少なければ、切断時間を短くすることができるので、効率的に形成することが可能な有機EL装置を提供できる。
本発明の電子機器は、前述に記載の有機EL装置を表示装置として備えることを特徴とする。
この発明によれば、第1電極と第2電極とが短絡しても、第2電極に有する接続部を切断することで、輝点不良の少ない有機EL装置を備えることができるので、良好な表示特性を有する電子機器を提供できる。
本発明の有機EL装置の製造方法は、パッシブマトリックス型の有機EL装置の製造方法であって、基板上に分離可能な接続部を有する第1電極を形成する工程と、前記第1電極と交差する方向に、第2電極を形成する工程と、前記第1電極と前記第2電極との間に有機機能層を形成する工程と、前記第1電極と前記第2電極とが短絡したら、前記接続部を切断して、前記第1電極に分離部を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
この発明によれば、第1電極と第2電極とが短絡したら、第2電極に備えた分離可能な接続部を切断して、分離部を形成する工程を備えているから、接続部に分離部を形成することで、電流の流れる方向が変わる。電流の流れる方向が変わることで、短絡によって発生していたライン上での誤った発光を低減させることができる。そして、誤った発光を抑制することによって、見かけ上の不良画素数を低減することができるから、輝点不良を低減することができるので、歩留まりを向上させることが可能な有機EL装置を形成することができる。歩留まりが向上すれば、有機EL装置を形成するのに必要な材料も少なくて済む。したがって、材料の節約を図ることもできる。
本発明の有機EL装置の製造方法は、パッシブマトリックス型の有機EL装置の製造方法であって、基板上に下地電極を形成する工程と、前記下地電極に接続可能で、かつ、分離可能な接続部を有する第1電極を形成する工程と、前記第1電極と交差する方向に、第2電極を形成する工程と、前記第1電極と前記第2電極との間に有機機能層を形成する工程と、前記第1電極と前記第2電極とが短絡したら、前記接続部を切断して、前記第1電極に分離部を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
この発明によれば、第1電極に接続可能な下地電極を備えているから、第1電極を太くできるから、第1電極の電気抵抗を低く抑えることができる。第1電極の電気抵抗を低く抑えることができるから、ライン上の電圧降下を抑えることができるので、輝度むらを低減することが可能な有機EL装置を形成できる。
本発明の有機EL装置の製造方法は、前記第1電極を形成する工程では、前記第1電極の材料が、ITO、金属、導電性高分子材料のうち、いずれかの材料を用いて前記第1電極を形成することが望ましい。
この発明によれば、第1電極が、導電性を有する材料で形成されているから、第1電極と第2電極との導通が得やすい有機EL装置を製造することができる。
本発明の有機EL装置の製造方法は、前記第1電極を形成する工程では、前記接続部の幅が、前記第1電極の幅より細くなるように前記接続部を形成することが望ましい。
この発明によれば、接続部の幅が、第1電極の幅より細く形成されているから、少ないエネルギ消費量で接続部を切断することができる。エネルギ消費量が少なければ、切断時間を短くすることができるので、効率的に有機EL装置を製造することができる。
本発明の有機EL装置の製造方法は、前記分離部を形成する工程では、前記分離部形成方法が、レーザ光照射方法または加熱方法のうち、いずれかの方法で前記分離部を形成することが望ましい。
この発明によれば、接続部をレーザ光照射または加熱することで、接続部に分離部を形成することが簡単にできる。
以下、本発明の有機EL装置について実施形態を挙げ、添付図面に沿って詳細に説明する。
(第1実施形態)
有機EL装置の構造について説明する。
有機EL装置の構造について説明する。
図1〜図3は、本実施形態におけるパッシブマトリクス型(単純マトリクス型)の有機EL装置を説明するための図であり、図1は、概略平面図である。図2は、図1中のB−B線に沿った断面構造を示す概略断面図である。図3は、分離部を示す図である。
図1〜図3に示すように、有機EL装置1は、基板2上の所定方向に帯状に延在する複数の第1電極(陽極)3と、第1電極3の延在方向に対して直交する方向に延在する複数のカソードセパレータ4と、カソードセパレータ4の下方に設置されるバンク層10と、絶縁層9と、第2電極(陰極)5と、有機機能層としての発光層6とで構成されている。発光層6は、第1電極3と第2電極5との交差領域(発光領域)に形成されており、第1電極3と、第2電極5との間に挟まれている。
図1において、基板2(図2参照)上には、第1電極3が形成されており、この第1電極3には、接続部51と、絶縁層9とを備えている。この接続部51の幅mは、第1電極3の幅nよりなるべく細くなるように形成されている。
図2において、発光層6は、発光層6を上下に挟む第1電極3および第2電極5に電流が流れた場合に所定の波長の光を発光する。有機EL装置1は、このような発光層6が形成される発光領域をマトリクス状に複数備えることによって、表示装置としての機能を有している。なお、本実施形態に係る有機EL装置1において、基板2および第1電極3は透光性を有しており、発光層6から発光された光は基板2側から出射されるように構成されている。また、発光層6は、図示するように、バンク層10、第1電極3および第2電極5によって囲まれた空間内に収容されている。このため、外部から進入する水分や空気等によって発光層6が劣化するのを防止することができる。
透光性を有する基板2の材料としては、例えばガラス、石英、樹脂(プラスチック、プラスチックフィルム)等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。第1電極3の材料としては、例えばインジウム錫酸化物(ITO)や、インジウム亜鉛酸化物(IZO)等の金属酸化物からなる透光性の導電材料によって形成されており、短冊状に形状設定され、かつ、各々が所定間隔を空けて複数形成されている。この第1電極3は、発光層6に正孔を注入する役割を果たす。
この第1電極3が形成された基板2上には、シリコン酸化膜(SiO2)からなる絶縁層9が形成されている。
バンク層10は、絶縁層9の上に形成されている。このバンク層10の材料としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れた有機材料が用いられる。また、バンク層10の厚みは、カソードセパレータ4の厚みよりも薄く、かつ、発光層6の厚みより厚く設定されている。
バンク層10の上に形成されるカソードセパレータ4の材料としては、例えばポリイミド等の感光性樹脂であり、カソードセパレータ4の厚さは約6μmであり、かつ、各々が所定間隔を空けて複数形成されている。なお、カソードセパレータ4は、例えばカソードセパレータ4をフォトリソグラフィ技術によって形成する際に、バンク層10がエッチングされないように、バンク層10とは異なった材料によって構成されている。
発光層6は、第1電極3と第2電極5との間に形成されており、発光層6の材料としては、例えばアントラセンやピレン、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、またはこれら低分子材料に、ルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、DCM、DCJ、ペリノン、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザインダセン誘導体等をドープして用いることができる。
発光層6の上に形成される第2電極5の材料としては、例えばAlやAg等の高反射率の金属材料が用いられており、発光層6から第2電極5側に発光された光を基板2側に効率的に出射させるようになっている。なお、第2電極5の上には必要に応じてSiO、SiO2、SiN等からなる酸化防止用の材料を保護層として設けても良い。なお、有機EL装置1の製造方法は、特許文献の特開2004−303699号に開示されている。
図3において、第1電極3に有する接続部51を切断することで、第1電極3に分離部52を形成することができる。なお、分離部52を形成するための前提としては、第1電極3と、第2電極5とが短絡している場合であって、短絡していなければ接続部51を切断して分離部52を形成する必要はない。この分離部52を形成する方法としては、例えば接続部51にレーザ光を照射させて切断することでできる。使用するレーザ光は、YAGレーザであり、YAGレーザの基本波を用いる。YAGレーザの基本波における波長は、1064nmである。また、波長は、このYAGレーザの基本波にこだわることはなく、第2高調波を用いてもかまわない。第2高調波の波長は、532nmである。また、分離部52のその他の形成方法としては、接続部51を加熱することでも可能である。接続部51を加熱する方法は、主に電気的に加熱する方法を採用できる。この電気的に加熱する方法としては、発生した熱によって接続部51を焼き切ることである。
本実施形態における有機EL装置1の構造は以上のようであって、第1電極3と、第2電極5とが短絡したときの電流Iの流れる方向について説明する。
図4は、第1電極を陽極、第2電極を陰極とし、これに逆方向電圧を印加した場合に、電流の流れる方向を説明する図であり、同図(a)は、短絡個所した場合の説明図であり、同図(b)は、短絡箇所を修正した場合の説明図である。
図4(a)において、通常、第1電極と第2電極の間に有機機能層を形成した有機EL素子では、ダイオード特性をしめすため、逆方向電圧を印加しても電流はほとんどながれない。ただし、同図に示すように、短絡箇所S1と、短絡箇所S2との2箇所が短絡していたら、電流Iは、矢印で示すような方向に流れる。そこで、電流Iが画素L1に流れることで、画素L1が発光する。本来、発光しなくてもよい画素L1に電流Iが流れてしまうために、画素L1を誤って発光させてしまうことになる。そして、短絡箇所S1と、短絡箇所S2以外の多くの箇所で短絡が発生していると、電流Iが、あらゆる配線を回り、いろいろな径路をたどって流れていく。すると、様々な箇所で画素L1のように発光してしまう箇所が増えてしまうので、結果的に、有機EL装置1が輝点不良を伴いながら発光しているように見えてしまう。
図4(b)において、第1電極3と、第2電極5とが短絡したときに、その短絡箇所S1、S2を修正した場合の電流Iの流れる方向について説明する。短絡箇所S1、S2を修正するということは、第1電極3の接続部51を切断して、分離部52を形成するということである。例えば、図4(b)に示すように、短絡箇所S1(図4(a)参照)と、短絡箇所S2(図4(a)参照)とに対応する第1電極3に分離部52(図3参照)を形成すると、電流Iは、S1において絶縁され、短絡により発光していた画素L1は光らなくなる。また、S2の短絡部の修正によっても、他の電極を選択した場合にS2の短絡による発光も防止できる。したがって、短絡箇所S1、S2の第1電極3に分離部52を形成することで、電流Iが誤った方向に流れることがなくなるので、輝点不良を低減することができる。なお、第1電極3と、第2電極5とが短絡していなければ、逆方向電圧を印加してもすべての画素において発光する事はない。
以上のような第1実施形態では、以下の効果が得られる。
(1)第1電極3と、第2電極5とが短絡したら、短絡箇所S1、S2の第1電極3に形成された接続部51を切断して分離部52を形成すれば、電流Iが短絡したところには流れなくなり、短絡によって発生していたライン上での誤った発光を低減させることができる。誤った発光を抑制させることによって、見かけ上の不良画素数を低減させることができるから、輝点不良を低減させることができる。輝点不良が低減すれば、有機EL装置1の歩留まりを向上させることができる。歩留まりが向上すれば、有機EL装置1を形成するのに必要な材料も少なくて済む。したがって、材料の節約を図ることもできる。
(2)第1電極3が、導電性を有する材料で形成されているから、第1電極3と、第2電極5との導通が得やすい有機EL装置1を提供できる。
(3)接続部51の幅mが、第1電極3の幅nより細く形成されているから、少ないエネルギ消費量で接続部51を切断して、分離部52を形成することができる。エネルギ消費量が少なければ、切断時間を短くすることができるので、効率的に形成することが可能な有機EL装置1を提供できる。
(2)第1電極3が、導電性を有する材料で形成されているから、第1電極3と、第2電極5との導通が得やすい有機EL装置1を提供できる。
(3)接続部51の幅mが、第1電極3の幅nより細く形成されているから、少ないエネルギ消費量で接続部51を切断して、分離部52を形成することができる。エネルギ消費量が少なければ、切断時間を短くすることができるので、効率的に形成することが可能な有機EL装置1を提供できる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態は、前述の第1実施形態における第1電極の構造が異なるものであって、第1電極に下地電極が接続して形成されている点が異なる。なお、前述の第1実施形態と同じ部品および同様な機能を有する部品には同一記号を付し、説明を省略する。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態は、前述の第1実施形態における第1電極の構造が異なるものであって、第1電極に下地電極が接続して形成されている点が異なる。なお、前述の第1実施形態と同じ部品および同様な機能を有する部品には同一記号を付し、説明を省略する。
図5〜図7は、本実施形態におけるパッシブマトリクス型(単純マトリクス型)の有機EL装置を説明するための図であり、図5は、概略平面図である。図6は、図5中のB−B線に沿った断面構造を示す概略断面図である。図7は、分離部を示す図である。
図5〜図7に示すように、有機EL装置1は、基板2上の所定方向に帯状に延在する複数の第1電極(陽極)3と、第1電極3の延在方向に対して直交する方向に延在する複数のカソードセパレータ4と、カソードセパレータ4の下方に設置されるバンク層10と、空隙部としてのスルーホール7を備えた絶縁層9と、第2電極(陰極)5と、有機機能層としての発光層6と、第1電極3に接続可能な下地電極8とで構成されている。発光層6は、第1電極3と第2電極5との交差領域(発光領域)に形成されており、第1電極3と、第2電極5との間に挟まれている。
図5において、基板2(図2参照)上には、第1電極3が形成されており、この第1電極3には、接続部51と、スルーホール7を備えた絶縁層9(図6参照)とを備えている。この接続部51の幅mは、第1電極3の幅nよりなるべく細くなるように形成されている。
図6において、下地電極8は、基板2の上に形成されており、絶縁層9を挟んで第1電極3と接続されている。下地電極8は、第1電極3と接続されることにより、より大きくなるので、電気抵抗を低く抑えることができる。なお、基板2の上に形成される下地電極8の材料としては、例えば第1電極3と同じ材料を用いることが好ましい。
図7において、第1電極3に有する接続部51を切断することで、第1電極3に分離部52を形成することができる。そして、第1電極3と、第2電極5とが短絡したら、その短絡箇所S1、S2(図4(a)参照)の第1電極3に有する接続部51を切断して、分離部52を形成すれば、電流Iは、第1実施形態と同様に、図4(b)に示すように流れていく。そして、電流Iが誤った方向に流れることがなくなるので、輝点不良を低減することができる。なお、分離部52の形成方法は、第1実施形態と同様であるので説明を省略する。
以上のような第2実施形態では、前述の第1実施形態と同様の効果が得られる他に以下の効果が得られる。
(4)第1電極3は、この第1電極3に接続可能な下地電極8を備えているから、電流Iの流れる体積をより大きくすることができるので、電気抵抗を低く抑えることができる。そして、電気抵抗を低く抑えることができるから、ライン上の電圧降下を抑えることができるので、有機EL装置1の輝度むらを低減することができる。
図8は、本実施形態の電子機器を示す図である。
図8に示すように、本実施形態の電子機器としての携帯電話100は、上述した有機EL装置1を表示手段として搭載している。有機EL装置1は、表示部101を備えている。このように本発明に係る電子機器としての携帯電話100は、輝点不良の少ない有機EL装置1を備えることができるので、良好な表示特性を有する電子機器としての携帯電話100を提供できる。しかも、歩留まりが向上して製造コストを低くすることが可能となる。また、電子機器としては、携帯電話100にこだわることはなく、例えばその他の表示機器を用いたものでもよい。
以上、好ましい実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含み、本発明の目的を達成できる範囲で、他のいずれの具体的な構造および形状に設定できる。
(変形例1)前述の第1実施形態で、接続部51を備えた第1電極3を形成したが、これに限らない。例えば図9に示すように、接続部51を備えた第1電極3を下地電極8に接続するように構成してもよい。このようにしても、下地電極8が形成されているので、第1実施形態および第2実施形態と同様の効果が得られる。
(変形例2)前述の第1実施形態で、接続部51を備えた第1電極3を形成したが、これに限らない。例えば図10に示すように、接続部51を備えた第1電極3を下地電極8に接続するように構成してもよい。このようにしても、下地電極8が形成されているので、第1実施形態および第2実施形態と同様の効果が得られる。
(変形例3)前述の第1実施形態および第2実施形態で、接続部51の幅mを第1電極3の幅nよりなるたけ細くなるように形成したが、これに限らない。例えば第1電極3の幅nより多少細くなっている形状にしてもよい。このようにしても、接続部51をレーザ加工によって切断することで、分離部52を形成することができるので、第1実施形態および第2実施形態と同様の効果が得られる。
1…有機EL装置、2…基板、3…第1電極、5…第2電極、6…有機機能層としての発光層、8…下地電極、51…接続部、52…分離部、100…電子機器としての携帯電話、m…接続部の幅、n…第1電極の幅。
Claims (11)
- パッシブマトリックス型の有機EL装置であって、
基板と、
前記基板上に形成された複数の第1電極と、
前記第1電極と交差する方向に形成された複数の第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に形成された有機機能層と、を備え、
前記第1電極は、分離可能な接続部を備えていることを特徴とする有機EL装置。 - パッシブマトリックス型の有機EL装置であって、
基板と、
前記基板上に形成された複数の第1電極と、
前記第1電極と交差する方向に形成された複数の第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に形成された有機機能層と、を備え、
前記第1電極は、分離可能な接続部と、前記第1電極に接続可能な下地電極と、を備えていることを特徴とする有機EL装置。 - 請求項1または請求項2に記載の有機EL装置において、
前記第1電極が、ITO、金属、導電性高分子材料のうち、いずれかの材料を用いて形成されていることを特徴とする有機EL装置。 - 請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の有機EL装置において、
前記接続部の幅が、前記第1電極の幅より細く形成されていることを特徴とする有機EL装置。 - 請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の有機EL装置を表示装置として備えることを特徴とする電子機器。
- 請求項1または請求項2に記載される有機EL装置の検査方法において、
前記第1電極と前記第2電極との間に形成された有機機能層に逆方向電圧を印加する事により、前記第1電極と前記第2電極との短絡箇所を検査する検査方法。 - パッシブマトリックス型の有機EL装置の製造方法であって、
基板上に分離可能な接続部を有する第1電極を形成する工程と、
前記第1電極と交差する方向に、第2電極を形成する工程と、
前記第1電極と前記第2電極との間に有機機能層を形成する工程と、
前記第1電極と前記第2電極とが短絡したら、前記接続部を切断して、前記第1電極に分離部を形成する工程と、
を備えていることを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - パッシブマトリックス型の有機EL装置の製造方法であって、
基板上に下地電極を形成する工程と、
前記下地電極に接続可能で、かつ、分離可能な接続部を有する第1電極を形成する工程と、
前記第1電極と交差する方向に、第2電極を形成する工程と、
前記第1電極と前記第2電極との間に有機機能層を形成する工程と、
前記第1電極と前記第2電極とが短絡したら、前記接続部を切断して、前記第1電極に分離部を形成する工程と、
を備えていることを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 請求項7または請求項8に記載の有機EL装置の製造方法において、
前記第1電極を形成する工程では、
前記第1電極の材料が、ITO、金属、導電性高分子材料のうち、いずれかの材料を用いて前記第1電極を形成することを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 請求項6〜請求項8のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法において、
前記第1電極を形成する工程では、
前記接続部の幅が、前記第1電極の幅より細くなるように前記接続部を形成することを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 請求項7〜請求項9のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法において、
前記分離部を形成する工程では、
前記分離部形成方法が、レーザ光照射方法または加熱方法のうち、いずれかの方法で前記分離部を形成することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
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JP2005348902A JP2007157418A (ja) | 2005-12-02 | 2005-12-02 | 有機el装置および有機el装置の製造方法ならびに電子機器 |
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WO2008068925A1 (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | 単一色el表示素子、単一色elバックライト、表示装置及び単一色el表示素子の製造方法 |
-
2005
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