JP2016100171A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】時間の経過とともに欠陥画素の数が増加するのを抑制することができる有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置の製造方法は、下部電極１１、発光層１３を含む有機層３０および上部電極１６を備えた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子１を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子の形成後、前記下部電極と前記上部電極との間に逆バイアス電圧を印加する工程と、を含む。【選択図】図２

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関する。

近年、表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子を用いた有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ素子は、陽極１１と陰極１６との間に発光機能を有する有機ＥＬ層を有する構造である。有機ＥＬ層は、さらに、ホール輸送層、発光層及び電子輸送層が積層される構造となっている。

有機ＥＬ表示装置の製造工程において、例えば導電性の異物が有機ＥＬ素子の陽極と陰極との間に混入して陽極と陰極とを短絡することにより、滅点となる欠陥画素が生ずることがある。そして、陽極と陰極の短絡による不良（ショート不良）を解消するために、短絡箇所にレーザーを照射するレーザーリペアが行われている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−０４２４９８号公報

しかし、有機ＥＬ表示装置において、レーザーリペアにより滅点を解消しても、製造後有機ＥＬ表示装置の点灯時間と共に滅点が現れ、欠陥画素の数が増加するという問題がある。すなわち、有機ＥＬ表示装置の製造当初にはショート不良は生じていなかったが、使用のために何等かの電圧を印加し続けることにより、時間の経過と共に有機ＥＬ素子の回路にショート不良が発生し、欠陥画素の数が増加するという問題が生じている。

また、有機ＥＬ表示装置において、複数の製造工程を経るごとにショート不良が発生し、欠陥画素の数が増加するという問題もある。

本発明は、上記問題点に鑑み、時間の経過とともに欠陥画素の数が増加するのを抑制することができる有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の一形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、下部電極、発光層を含む有機層および上部電極を備えた有機ＥＬ素子を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子の形成後、前記下部電極と前記上部電極との間に逆バイアス電圧を印加する工程と、を含む。

本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、時間の経過とともに滅点数が増加するのを抑制することができる。

図１は、電圧印加時間と欠陥画素数の関係を示す図である。 図２は、実施の形態１にかかる有機ＥＬ素子の製造方法の一部を示すフローチャートである。 図３Ａは、実施の形態１における有機ＥＬ素子の断面概略図である。 図３Ｂは、実施の形態１にかかるスクリーニング装置の構成を示す回路図である。 図４は、欠陥画素の原因別電流計測結果を示す図である。 図５は、逆バイアス電圧を印加したとき発現する欠陥画素数を示す図である。 図６は、逆バイアス電圧を印加したときに発現する欠陥画素の種類を示す図である。 図７は、滅点の発現原理を説明するための有機ＥＬ素子の断面ＳＥＭ写真である。 図８は、パルス電圧の逆バイアス電圧を印加したときの欠陥画素数を示す図である。 図９は、本発明の有機ＥＬ素子を備えたテレビシステムの外観図である。

（本発明の基礎となった知見）
はじめに、本発明の基礎となった知見について説明する。

図１は、従来の課題を説明するための図であり、電圧印加時間と欠陥画素数の関係を示す図である。

有機ＥＬ表示装置の製造工程においては、上述したように、例えば導電性の異物が陽極と陰極との間に混入して陽極と陰極とを短絡することにより、滅点となる欠陥画素が生ずることがある。また、有機層の形成工程においてピンホールが形成され、その後、陰極であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｈｉｎ Ｏｘｉｄｅ）層の形成工程において当該ピンホールにＩＴＯ層を構成する材料が流入されることで陽極と陰極とが直接接触し、短絡する場合もある。

陽極と陰極の短絡による不良（ショート不良）を解消するために、従来から短絡箇所にレーザーを照射するレーザーリペアが行われている。しかし、レーザーリペアにより滅点を解消しても、有機ＥＬ表示装置の製造当初にはショート不良は生じていなかったが使用のために何等かの電圧を印加し続けることにより時間の経過と共に有機ＥＬ素子の回路にショート不良が発生し、欠陥画素の数が増加するという問題が生じている。

詳細には、図１に示すように、有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、電圧印加時間が増加するにつれて欠陥画素の個数は増加している。また、画素の輝度が高いほうが早く滅点が生じ、欠陥画素となっている。例えば、図１において、電圧印加時間が１００時間から２００時間までの間では、輝度階調が５６６となる電圧を印加する場合よりも輝度階調が３１３となる電圧を印加する場合のほうが早く滅点が生じ、欠陥画素の増加する割合が高くなっている。

また、有機ＥＬ表示装置の製造には複数の工程を要するが、複数の製造工程を経るごとにショート不良が発生し、欠陥画素の数が増加するという問題も生じている。このように、時間の経過と共にショート不良が発生するので、製造工程において欠陥画素をリペアしたとしても、時間の経過ごとに再度のリペアが必要となり煩雑である。

そこで、以下に示すように、有機ＥＬ表示装置の製造工程では、パネル検査前のスクリーニング工程において、実際に有機ＥＬ表示装置を使用するときに有機ＥＬ表示装置の駆動の初期段階に出る滅点を強制的に発現させる工程を設ける。これにより、将来的に欠陥画素となりうる画素を予め滅点化することができるので、実際に有機ＥＬ表示装置を使用するときに時間の経過とともに欠陥画素の数が増加するのを抑制することができる。

詳細には、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、下部電極、発光層を含む有機層および上部電極を備えた有機ＥＬ素子を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子の形成後、前記下部電極と前記上部電極との間に逆バイアス電圧を印加する工程と、を含む。

本態様によると、下部電極と上部電極との間に逆バイアス電圧が印加されることにより、下部電極と上部電極とが短絡され、画素が滅点化される。したがって、下部電極と上部電極との間に予め逆バイアス電圧を印加して滅点化することにより、印加時間の経過とともに滅点による欠陥画素の数が増加するのを抑制することができる。

また、前記逆バイアス電圧を印加する工程の前に、前記有機ＥＬ素子が形成される基板に形成された配線の短絡を検出する工程を含んでもよい。

本態様によると、有機ＥＬ素子が形成される基板に形成された配線の短絡をあらかじめ検出することにより、下部電極と上部電極との間に逆バイアスが印加されるときに基板に形成されたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が破壊されるのを抑制することができる。

また、前記逆バイアス電圧の大きさは、前記有機ＥＬ素子の閾値電圧の大きさ以上であってもよい。

本態様によると、有機ＥＬ素子の閾値電圧以上の電圧を印加することで、容易に滅点化を行うことができる。

また、前記逆バイアス電圧は、パルス電圧であってもよい。

本態様によると、下部電極と上部電極との間にパルス電圧の逆バイアス電圧を印加することにより、効率よく滅点化を行うことができる。

また、前記逆バイアス電圧は、直流電圧にパルス電圧を重畳した電圧であってもよい。

本態様によると、逆バイアス電圧として、直流電圧にパルス電圧を重畳した電圧を印加するので、より効率よく滅点化を行うことができる。

以下、本発明の実施の形態について図面に基づき説明する。なお、以下では、全ての図を通じて同一または相当する要素には同じ符号を付して、重複する説明を省略する。

（実施の形態１）
以下に、実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図２は、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法の一部を示すフローチャートである。

図２に示すように、有機ＥＬ表示装置の製造方法では、はじめに有機ＥＬ素子１が形成され（ステップＳ１０）、表示パネルサイズに切り出されて、表示パネル周辺にＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）基板等が実装される前の半完成状態の有機ＥＬ表示装置が形成される（ステップＳ１２）。

その後、後述するスクリーニング装置２において、基板配線のショートを検出する工程（ショートチェック）が行われる（ステップＳ１４）。続けて、有機ＥＬ素子１に逆バイアス電圧の印加が行われる（ステップＳ１６）。これにより、製造当初にはショート不良は明確に生じていなかったが使用のために何等かの電圧を印加し続けることにより時間の経過と共に滅点となりうる画素が検出される。検出された画素にさらに逆バイアス電圧を印加することで、時間の経過により滅点となりうる画素は、予め強制的に滅点化される。

さらに、逆バイアス電圧印加後には、表示パネルの周辺に、ドライバＩＣを備えるＣＯＦ基板等が実装され、有機ＥＬ表示装置が完成される。その後、有機ＥＬ表示装置の検査が行われ（ステップＳ１８）、終了する。

はじめに、有機ＥＬ素子１の形成工程について説明する。図３Ａは、本実施の形態における有機ＥＬ素子１の断面概略図である。

有機ＥＬ素子１は、例えば、図３Ａに示すように、基板９の上に、平坦化膜１０と、陽極１１と、正孔注入層１２と、発光層１３と、隔壁１４と、電子注入層１５と、陰極１６とを備えている。陽極１１は、本発明にかかる下部電極、陰極１６は、本発明にかかる上部電極に相当する。

まず、ＴＦＴおよび配線を含む基板９上に、絶縁性の有機材料からなる平坦化膜１０が形成される。平坦化膜１０は、一例として、絶縁性の有機材料からなる。

その後、平坦化膜１０上に陽極１１が形成される。陽極１１は、正孔が供給される、つまり、外部回路から電流が流れ込むアノードである。陽極１１は、例えば、スパッタリング法により平坦化膜１０上にＡｌが３０ｎｍ成膜され、その後、フォトリソグラフィーとウエットエッチングによるパターニング工程を経ることにより形成される。

次に、陽極１１上に正孔注入層１２が形成される。正孔注入層１２は、正孔注入性の材料を主成分とする層である。正孔注入性の材料とは、陽極１１側から注入された正孔を安定的に、または正孔の生成を補助して発光層１３へ注入する機能を有する材料である。正孔注入層１２は、例えば、ＰＥＤＯＴをキシレンよりなる溶剤に溶かし、このＰＥＤＯＴ溶液を陽極１１上にスピンコートすることにより形成される。

次に、正孔注入層１２の上に、発光層１３が形成される。発光層１３は、陽極１１および陰極１６間に電圧が印加されることにより発光する層であり、例えば、下層としてα−ＮＰＤ（Ｂｉｓ［Ｎ−（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、上層としてＡｌｑ_３（ｔｒｉｓ−（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）が積層された構造となっている。発光層１３は、例えば、真空蒸着法によりα−ＮＰＤ、Ａｌｑ_３が正孔注入層１２の上に積層されることで形成される。

次に、発光層１３の上に、電子注入層１５が形成される。電子注入層１５は、電子注入性の材料を主成分とする層である。電子注入性の材料とは、陰極１６から注入された電子を安定的に、または電子の生成を補助して発光層１３へ注入する機能を有する材料であり、例えば、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）が使用される。電子注入層１５は、例えば、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）をキシレンまたはクロロホルムよりなる溶剤に溶かして発光層１３の上にスピンコートすることにより形成される。

続けて、電子注入層１５が形成された基板を大気曝露させることなく、陰極１６が形成される。陰極１６は、電子が供給される、つまり、外部回路へ電流が流れ出すカソードであり、例えば、透明金属酸化物であるＩＴＯにより積層された構造となっている。例えば、陰極１６は、電子注入層１５の上に、スパッタリング法によりＩＴＯが３５ｎｍ積層されることにより形成される。このとき、陰極１６は、アモルファス状態になっている。なお、陰極１６は、Ｍｇ、Ａｇ等の材料により形成してもよい。

上述のような製造工程により、発光素子としての機能をもつ有機ＥＬ素子１が形成される（ステップＳ１０）。なお、陽極１１の形成工程と正孔注入層１２の形成工程との間に、表面感光性樹脂からなる隔壁１４が所定位置に形成される。隔壁１４により、発光層１３は複数の発光領域に分離される。

次に、陰極１６の上に、例えば、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素が５００ｎｍ積層され、薄膜封止層１７が形成される。

さらに、薄膜封止層１７の表面に、封止用樹脂層１９が塗布される。封止用樹脂層１９は、アクリルまたはエポキシ系の樹脂である。その後、塗布された封止用樹脂層１９上に透明ガラス１８が配置される。

透明ガラス１８は、発光パネルの発光表面を保護する基板であり、例えば、透明の無アルカリガラスである。透明ガラス１８が上面側から下方に加圧され、熱またはエネルギー線が付加されて封止用樹脂層１９が硬化され、透明ガラス１８と薄膜封止層１７とが接着される。

なお、カラーフィルターが配置された有機ＥＬ素子１の場合には、透明ガラス１８の主面にあらかじめカラーフィルターが形成される。その後、カラーフィルターが形成された面を下方にして、塗布された封止用樹脂層１９上に透明ガラス１８が配置される。

ここで、図３Ａに示すように、有機ＥＬ素子１の製造工程において、陽極１１と陰極１６との間に導電性の異物２０が混入する場合がある。異物２０は、例えば、陽極１１の材料であるＡｌが、陽極１１の形成後、陽極１１上に付着し、続けて、正孔注入層１２、発光層１３、電子注入層１５、陰極１６が積層されたために生じたものである。異物２０が混入することにより陽極１１と異物２０、異物２０と陰極１６との距離が近くなるため、異物２０を介して陽極１１と陰極１６との間には電流が流れ易くなる。陽極１１と陰極１６とが異物２０を介して短絡した場合には、有機ＥＬ素子１は発光せず滅点画素となる。

このような形成方法により、半完成状態の有機ＥＬ表示装置が形成される（ステップＳ１２）。

なお、陽極１１、正孔注入層１２、発光層１３、電子注入層１５、陰極１６の形成工程は、上述のものに限定されるものではない。陽極１１、正孔注入層１２、発光層１３、電子注入層１５、陰極１６の材料は上述したものに限定されるものではなく、周知の有機材料または無機材料が用いられる。

また、有機ＥＬ素子１の構成として、正孔注入層１２と発光層１３との間に正孔輸送層があってもよいし、電子注入層１５と発光層１３との間に電子輸送層があってもよい。

なお、正孔注入層１２と、発光層１３と、電子注入層１５とを合わせて有機層３０と称する。また、正孔輸送層、電子輸送層を有する場合には、これらの層も有機層３０に含まれる。また、隔壁１４で分離された発光領域に配置された平坦化膜１０と、陽極１１と、有機層３０と、陰極１６と、薄膜封止層１７と、透明ガラス１８とを画素と称する。

次に、基板９に形成された配線の短絡を検出するショートチェックが行われる（ステップＳ１４）。これにより、陽極１１と陰極１６との間に逆バイアスが印加されるときに、基板９に形成されたＴＦＴが破壊されるのを抑制することができる。

以下、時間の経過により滅点となりうる画素を予め強制的に滅点化するスクリーニング装置２の構成について説明する。図３Ｂは、本実施の形態にかかるスクリーニング装置の構成を示す回路図である。

スクリーニング装置２は、有機ＥＬ素子１の陽極１１と陰極１６との間に電圧を印加するための電源２６と、有機ＥＬ素子１の陽極１１と陰極１６との間に流れる電流Ｉ＿ｌｏｃａｌを計測するための電流計とで構成される。具体的には、図３Ｂに示すように、有機ＥＬ表示装置の画素回路において、直列に接続された有機ＥＬ素子１および駆動トランジスタ２４と並列になるように、電源２６が接続されている。また、電流計は、有機ＥＬ素子１の陽極１１と駆動トランジスタ２４との間の電流を計測してもよいし、駆動トランジスタ２４を流れる電流を計測してもよい。

ここで、欠陥画素の検出方法として電流を計測する理由について説明する。図４は、欠陥画素の原因別電流計測結果を示す図である。

欠陥画素が生じる原因は、陽極１１と陰極１６との短絡に起因して滅点が生じる欠陥以外にも様々な原因がある。図４に示すように、例えば、駆動トランジスタ２４のドレインとソースの大きさ、配線（Ｌｉｎｅ）の太さ、有機ＥＬ素子１の一部の欠けに起因して欠陥が生じる場合もある。複数の色の混色、暗点または明点が生じる欠陥もある。

これらの欠陥を有する欠陥画素について陽極１１と陰極１６との間に流れる電流を計測すると、図４に示すように、滅点による欠陥を有する欠陥画素の場合が最も流れる電流の大きさが大きい。すなわち、滅点による欠陥を有する欠陥画素では、リーク電流が大きい。したがって、電流を計測することにより容易に欠陥画素であるか否かを判断することができる。

次に、逆バイアス電圧の印加する工程について説明する。逆バイアス電圧は、電源２６により、陽極１１と陰極１６との間に印加される（ステップＳ１６）。

図５は、逆バイアス電圧を印加したときに発現する欠陥画素数を示す図である。図６は、逆バイアス電圧を印加したときに発現する欠陥画素の種類を示す図である。

一般的に、有機ＥＬ素子１に電圧を印加する場合、順バイアス電圧を印加する場合よりも逆バイアス電圧を印加する場合のほうが陽極１１と陰極１６の短絡が生じやすい。これは、順バイアスを印加する場合には、有機ＥＬ素子１の陽極１１から陰極１６へと電流が流れるが、逆バイアス電圧を印加する場合には、有機ＥＬ素子１の陽極１１から陰極１６へと電流が流れないため、有機ＥＬ素子１に電圧がかかり、絶縁破壊等を生じ易くなるためである。したがって、有機ＥＬ素子１に逆バイアス電圧を印加することにより、順バイアス電圧を印加する場合よりも小さい電圧で画素の滅点化を図ることができる。

また、逆バイアス電圧を印加する場合の電圧の大きさは、有機ＥＬ素子１の閾値（例えば、２Ｖ）以上であればよい。有機ＥＬ素子１の閾値電圧以上の電圧を印加することで、容易に画素の滅点化を図ることができる。

また、図５に示すように、有機ＥＬ素子において、逆バイアス電圧の大きさが８Ｖ程度の場合から欠陥画素の数が増加し始め、２０Ｖ以上の場合には欠陥画素の数は急激に増加する。同図に示す黒丸印はＲ（赤）、黒三角印はＧ（緑）、黒四角印はＢ（青）のそれぞれの画素について生じた欠陥画素数を示している。同図によると、有機ＥＬ素子１に逆バイアス電圧を印加することにより、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれについても滅点化を図ることができる。特に、２０Ｖ以上の逆バイアス電圧を印加することにより、効率よく滅点化を図ることができる。

また、逆バイアス電圧を印加した場合に生じる欠陥画素の種類は、陽極１１と陰極１６の短絡に起因する滅点に限らず、図６に示すように、例えば、駆動トランジスタ２４のドレインとソースの大きさ、有機ＥＬ素子１の一部の欠け、複数の色の混色、暗点が生じる欠陥などがある。

逆バイアス電圧の印加後に行われる、基板９に形成された配線の短絡を検出する工程で検出される欠陥画素の種類は（ステップＳ１８）、図６に示すように、初期すなわち製造当初においては、滅点および暗点による欠陥画素がそれぞれ４０％程度で、有機ＥＬ素子１の一部の欠けおよび複数の色の混色による欠陥画素がそれぞれ１０％程度である。これに対し、逆バイアス電圧を印加した場合には、検出される欠陥画素の種類は、滅点による欠陥画素が９０％程度にまで増加する。また、逆バイアス電圧の大きさを１０Ｖ、１５Ｖ、２０Ｖ、２５Ｖ、３０Ｖと変化させた場合でも、リーク性の滅点による欠陥画素が９０％以上を占めている。

したがって、時間の経過により滅点となりうる画素を予め強制的に滅点化するためには、逆バイアス電圧を印加することが好ましい。また、陽極１１と陰極１６との間に印加する逆バイアス電圧は、有機ＥＬ素子１の閾値（例えば、２Ｖ）以上、好ましくは８Ｖ以上とするのがよい。

次に、滅点の発現原理について説明する。図７は、滅点の発現原理を説明するための有機ＥＬ素子１の断面ＳＥＭ写真である。

図７は、逆バイアス電圧を印加した滅点化した後の有機ＥＬ素子１の断面ＳＥＭ写真である。有機ＥＬ素子１において、基板の上に、陽極１１と、正孔注入層１２と、発光層１３と、電子注入層１５と、陰極１６とを備えている。正孔注入層１２と、発光層１３と、電子注入層１５とを合わせて有機層３０と称する。また、基板上には、導電性の異物２０が混入している。

図７において、異物２０が混入した部分では、陽極１１と、正孔注入層１２と、発光層１３と、電子注入層１５と、陰極１６とが盛り上がり、盛り上がった頂点付近では正孔注入層１２は存在せず、陽極１１と陰極１６との間の距離が短くなっている。したがって、距離が短いため、この部分では陽極１１と陰極１６との間の抵抗が低く電流が流れ易い状態となっている（図７では、低抵抗部として示している）。よって、陽極１１と陰極１６との間に高電圧または長時間電圧が印加されると、絶縁破壊を生じ、陽極１１と陰極１６とが短絡される。つまり、陽極１１と陰極１６との間に逆バイアス電圧が印加されることにより、陽極１１と陰極１６とが短絡され、滅点が生ずることとなる。なお、図７に示す有機ＥＬ素子１では、陽極１１と陰極１６との間の距離が７０ｎｍ程度のところに、１５Ｖの逆バイアス電圧が印加され、滅点化されたものである。

以上、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法によると、陽極１１と陰極１６との間に逆バイアス電圧が印加されることにより、陽極１１と陰極１６とが短絡される。したがって、陽極１１と陰極１６との間に予め逆バイアス電圧を印加して滅点化することにより、印加時間の経過とともに滅点による欠陥画素の数が増加するのを抑制することができる。

（実施の形態２）
次に、実施の形態２について説明する。本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法が実施の形態１に示した有機ＥＬ表示装置の製造方法と異なる点は、陽極と陰極との間に印加する逆バイアス電圧がパルス電圧である点である。

図８は、パルス電圧の逆バイアス電圧を印加したときの欠陥画素数を示す図である。

本実施の形態では、有機ＥＬ素子の陽極と陰極との間に、パルス電圧の逆バイアス電圧を印加する。印加するパルス電圧は、例えば電圧の大きさ３３Ｖで０．０１ｓｅｃごとにオンとオフを繰り返すパルス電圧、および、電圧の大きさ３３Ｖで０．００１ｓｅｃごとにオンとオフを繰り返すパルス電圧である。

図８に示すように、陽極と陰極との間に直流の逆バイアス電圧を印加した場合には、単位面積当たりの欠陥画素数の平均は２００個程度であるのに対し、電圧の大きさ３３Ｖで０．０１ｓｅｃごと（１００Ｈｚ）にオンとオフを繰り返すパルス電圧を直流の場合と同じ時間印加した場合には、単位面積当たりの欠陥画素数の平均は２２０個程度に増加している。また、電圧の大きさ３３Ｖで０．００１ｓｅｃごと（１０００Ｈｚ）にオンとオフを繰り返すパルス電圧を直流の場合と同じ時間印加した場合には、単位面積当たりの欠陥画素数の平均は３６０個程度に増加している。

したがって、陽極と陰極との間にパルス電圧の逆バイアス電圧を印加することにより、効率よく滅点化を行うことができる。

ここで、パルス電圧の周波数は上述した周波数に限らずどのような周波数であってもよいが、周波数を大きくすることにより、より多く滅点を形成することができる。パルス電圧の周波数は、有機ＥＬ表示装置の一般的な使用時間等を考慮すると、１０００Ｈｚ以下で十分である。好ましくは、１００Ｈｚ程度である。

なお、上述したパルス電圧は、直流電圧に重畳したものであってもよい。これにより、より効率よく滅点化を行うことができる。

なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形を行ってもよい。

例えば、上述した実施の形態では、基板に形成された配線の短絡を検出する工程が行われた後、逆バイアス電圧を印加する工程を行っているが、基板に形成された配線の短絡を検出する工程を行わずに、逆バイアス電圧を印加する工程を行ってもよい。

また、逆バイアス電圧の大きさ、パルス電圧の周期は上述した例に限らずどのような値であってもよい。

また、有機ＥＬ素子の形成工程は、上述した工程に限らず他の工程としてもよい。

また、本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。例えば、図９に示すような、本発明にかかる有機ＥＬ素子を備えた薄型フラットテレビシステム１００も本発明に含まれる。

本発明にかかる有機ＥＬ素子の製造方法は、特に、大画面および高解像度が要望される薄型テレビおよびパーソナルコンピュータのディスプレイなどの技術分野に有用である。

１ 有機ＥＬ素子
２ スクリーニング装置
９ 基板
１１ 陽極（下部電極）
１２ 正孔注入層（有機層）
１３ 発光層（有機層）
１５ 電子注入層（有機層）
１６ 陰極（上部電極）
２０ 異物
２４ 駆動トランジスタ
２６ 電源
３０ 有機層

Claims (5)

1. 下部電極、発光層を含む有機層および上部電極を備えた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を形成する工程と、
   前記有機ＥＬ素子の形成後、前記下部電極と前記上部電極との間に逆バイアス電圧を印加する工程と、
   を含む有機ＥＬ表示装置の製造方法。
2. 前記逆バイアス電圧を印加する工程の前に、前記有機ＥＬ素子が形成される基板に形成された配線の短絡を検出する工程を含む、
   請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
3. 前記逆バイアス電圧の大きさは、前記有機ＥＬ素子の閾値電圧の大きさ以上である、
   請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
4. 前記逆バイアス電圧は、パルス電圧である、
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
5. 前記逆バイアス電圧は、直流電圧にパルス電圧を重畳した電圧である、
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。