JPWO2012168973A1 - 有機el素子及び有機el素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
<素子構造>
図1は、本発明の実施の形態1に係る有機EL素子1の断面概略図である。図1に示した有機EL素子1は、陽極、陰極、および当該両極で挟まれた発光層を含む有機層を有する有機機能デバイスである。
次に、有機EL素子1の製造方法について説明する。この製造方法には、有機EL素子1の欠陥部に起因する不良を解消する工程が含まれる。
2 発光領域
9 透明ガラス
10 平坦化膜
11 陽極
12 正孔注入層
13 発光層
14 隔壁
15 電子注入層
16 陰極
16a、16b 照射痕
17 薄膜封止層
18 透明ガラス
19 封止用樹脂層
20 異物
30 有機層
101 レーザー発振器
103 CCDカメラ
104 照明
105 ステージ
[0013]
本発明は、上記課題に鑑み、有機EL素子の短絡に起因する不良をリペアするためのレーザーの照射条件を適応的かつ迅速、簡便に制御できる有機EL素子の製造方法、及びそのような製造方法で製造された有機EL素子を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0014]
上記課題を解決するために、本発明の一態様にかかる有機EL素子の製造方法は、有機EL素子の欠陥部を有する発光領域に第1の照射条件でレーザー光を照射する第1次レーザー照射工程と、前記第1次レーザー照射工程におけるレーザー光の照射によって前記発光領域に生じた照射痕の状態を観察する状態観察工程と、前記第1の照射条件と前記観察された照射痕の状態とに基づいて、前記欠陥部に起因する不良を解消するための第2の照射条件を決定する照射条件決定工程と、前記照射条件決定工程で決定された前記第2の照射条件で前記発光領域にレーザー光を照射する第2次レーザー照射工程と、を含み、前記欠陥部は、前記有機EL素子の陽極及び陰極間の短絡箇所であり、前記第2次レーザー照射工程では、前記レーザー光を前記発光領域の前記短絡箇所を包囲する閉じた線状に照射することにより、前記発光領域の当該閉じた線状に位置する部分の抵抗値を、前記レーザー光の照射前の抵抗値よりも高くし、前記第1次レーザー照射工程では、前記閉じた線で囲まれる予定の領域内に前記レーザー光を照射する。
発明の効果
[0015]
本発明にかかる有機EL素子の製造方法によれば、欠陥画素の発光領域内において、リペア時のレーザー照射(第2次レーザー照射)の条件を決定するための予備照射(第1次レーザー照射)を行なうので、例えば予備照射を発光領域外で行う場合のようにレーザー照射対象物の性状が相違する懸念がなく、リペア時のレーザー照射の条件を正確に決定することができるので、リペアをより確実かつ安定的に行うことができる。
図面の簡単な説明
[0016]
[図1]図1は、本発明の実施の形態に係る有機EL素子の断面概略図である。
[図2]図2は、高抵抗化された陰極の状態を表す有機EL素子の上面図である。
[図3]図3は、本発明に係る有機EL素子の製造方法を説明するフローチャートである。
[図4]図4は、本発明の第1の工程で準備される有機EL素子の断面概略図で
Claims (10)
- 有機EL素子の欠陥部を有する発光領域に第1の照射条件でレーザー光を照射する第1次レーザー照射工程と、
前記第1次レーザー照射工程におけるレーザー光の照射によって前記発光領域に生じた照射痕の状態を観察する状態観察工程と、
前記第1の照射条件と前記観察された照射痕の状態とに基づいて、前記欠陥部に起因する不良を解消するための第2の照射条件を決定する照射条件決定工程と、
前記照射条件決定工程で決定された前記第2の照射条件で前記発光領域にレーザー光を照射する第2次レーザー照射工程と、
を含む有機EL素子の製造方法。 - 前記欠陥部は、前記有機EL素子の陽極及び陰極間の短絡箇所である、
請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記第2次レーザー照射工程では、前記レーザー光を前記発光領域の前記短絡箇所を包囲する閉じた線状に照射することにより、前記発光領域の当該閉じた線状に位置する部分の抵抗値を、前記レーザー光の照射前の抵抗値よりも高くする、
請求項2に記載の有機EL素子の製造方法 - 前記第1次レーザー照射工程では、前記閉じた線で囲まれる予定の領域内に前記レーザー光を照射する、
請求項3に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記第1次レーザー照射工程での前記レーザー光の照射と、前記第2次レーザー照射工程での前記レーザー光の照射とは、同一のレーザー発振器を用いて連続して行なわれる、
請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記照射条件決定工程では、前記第2の照射条件として、レーザー光の焦点深さ、パルス幅、波長、パワーのうちの少なくとも1つを決定する、
請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。 - 陽極、有機発光層、及び陰極をこの順に積層してなる発光領域と、
前記発光領域に存在する前記陽極及び前記陰極間の短絡箇所と、
前記発光領域に形成された第1のレーザー照射痕と、
前記短絡箇所を包囲する閉じた線状に形成された第2のレーザー照射痕と、
を有する有機EL素子。 - 前記第1のレーザー照射痕は、前記第2のレーザー照射痕で包囲された領域内に形成されている、
請求項7に記載の有機EL素子。 - 前記第1のレーザー照射痕と前記第2のレーザー照射痕とは連続して形成されている、
請求項8に記載の有機EL素子。 - 前記発光領域の前記第2のレーザー照射痕が形成された部分の抵抗値は、前記発光領域の前記第1のレーザー照射痕及び前記第2のレーザー照射痕の何れもが形成されていない部分の抵抗値よりも高い、
請求項8または9に記載の有機EL素子。
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