CN118102769A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示装置及其制造方法。根据一实施方式，在显示装置的制造方法中，形成下电极，沉积第一无机绝缘材料来形成覆盖所述下电极的第一绝缘层，停止所述第一无机绝缘材料的沉积，沉积第二无机绝缘材料而在所述第一绝缘层之上形成第二绝缘层，形成具有位于所述第二绝缘层之上且由导电材料形成的下部和位于所述下部之上且从所述下部的侧面突出的上部的隔壁，通过将所述第二绝缘层及所述第一绝缘层依次图案化来形成与所述下电极重叠的开口，在所述下电极之上形成包括发光层的有机层，形成覆盖所述有机层且与所述隔壁的所述下部接触的上电极。

Description

显示装置及其制造方法

关联申请的交叉参照

本申请主张基于2022年11月25日提出的日本专利申请第2022-188191号的优先权，并援引该日本申请中记载的全部的记载内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及显示装置及其制造方法。

背景技术

近年来，作为显示元件适用了有机发光二极管(OLED)的显示装置得以实用化。该显示元件具备包括薄膜晶体管的像素电路、与像素电路连接的下电极、覆盖下电极的有机层和覆盖有机层的上电极。有机层除了发光层以外还包括空穴传输层、电子传输层等功能层。

在制造这样的显示元件的过程中，需要抑制可靠性的降低的技术。

发明内容

实施方式的目的在于，提供能够抑制可靠性的降低的显示装置及其制造方法。

根据一实施方式，在显示装置的制造方法中，形成下电极，沉积第一无机绝缘材料来形成覆盖所述下电极的第一绝缘层，停止所述第一无机绝缘材料的沉积，沉积第二无机绝缘材料而在所述第一绝缘层之上形成第二绝缘层，形成具有位于所述第二绝缘层之上且由导电材料形成的下部和位于所述下部之上且从所述下部的侧面突出的上部的隔壁，通过将所述第二绝缘层及所述第一绝缘层依次图案化来形成与所述下电极重叠的开口，在所述下电极之上形成包括发光层的有机层，形成覆盖所述有机层且与所述隔壁的所述下部接触的上电极。

根据一实施方式，显示装置具备：基板；下电极，其配置在所述基板的上方；肋部，其覆盖所述下电极的端部且具有与所述下电极重叠的开口；隔壁，其具有配置在所述肋部之上且由导电材料形成的下部和配置在所述下部之上且从所述下部的侧面突出的上部；有机层，其配置在所述下电极之上且包括发光层；以及上电极，其覆盖所述有机层且与所述隔壁的所述下部接触，所述肋部具备由第一无机绝缘材料形成的第一肋部层和位于所述第一肋部层之上且由第二无机绝缘材料形成的第二肋部层，所述有机层在所述下电极的所述端部的正上方位于所述第二肋部层之上。

根据实施方式，能够提供可抑制可靠性的降低的显示装置及其制造方法。

附图说明

图1是表示显示装置DSP的构成例的图。

图2是表示子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。

图3是沿着图2中的A-B线的显示装置DSP的概略性的剖视图。

图4是将图3所示的肋部5放大所得的剖视图。

图5是用于说明作为多层体的肋部5的效果的图。

图6是用于说明第一肋部层51及第二肋部层52的厚度的图。

图7是用于说明第一肋部层51及第二肋部层52的厚度的图。

图8是用于说明第一肋部层51及第二肋部层52的厚度的图。

图9是用于说明分别形成第一肋部层51及第二肋部层52的材料的组合的图。

图10是用于说明分别形成第一肋部层51及第二肋部层52的材料的组合的图。

图11是用于说明分别形成第一肋部层51及第二肋部层52的材料的组合的图。

图12是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图13是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图14是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图15是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图16是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图17是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图18是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图19是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图20是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图21是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图22是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图23是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

图24是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。

具体实施方式

参照附图对一实施方式进行说明。

公开内容只不过是一例，对本领域技术人员来说在保持发明的主旨的前提下能容易地想到的适当变更当然包含在本发明的范围内。需要说明的是，就附图而言，为了使说明更为明确，存在与实际的方式相比将各部分的宽度、厚度、形状等示意性地表示的情况，但这只不过是一例，并不限定本发明的解释。需要说明的是，在本说明书和各图中，针对发挥与在出现过的图中描述过的构成要素相同或类似的功能的构成要素，标注同一参考标记，有时适当省略重复的详细说明。

需要说明的是，在附图中，根据需要记载相互正交的X轴、Y轴及Z轴，以便于理解。将沿着X轴的方向称为第一方向X，将沿着Y轴的方向称为第二方向Y，将沿着Z轴的方向称为第三方向Z。将与第三方向Z平行地观察各种要素的方式称为俯视观察。需要说明的是，上、上方、之间、对置等指代两个以上的构成要素彼此的位置关系的用语不仅包括作为对象的两个以上的构成要素直接相接的情况，还包括由于隔着空隙或其他的构成要素而彼此分离的情况。另外，将Z轴的正方向称为上或上方。

本实施方式涉及的显示装置是具备有机发光二极管(OLED)作为显示元件的有机电致发光显示装置，能够搭载于电视、个人电脑、车载设备、平板终端、智能手机、携带式电话终端等。

图1是表示显示装置DSP的构成例的图。

显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA和比显示区域DA靠外侧的周边区域SA。基板10可以是玻璃，也可以是具有挠性的树脂膜。

在本实施方式中，俯视观察下的基板10的形状为长方形。但是，基板10的俯视观察下的形状不限于长方形，也可以为正方形、圆形或椭圆形等其他的形状。

显示区域DA具备沿第一方向X及第二方向Y呈矩阵状排列的多个像素PX。像素PX包括多个子像素SP。在一例中，像素PX包括第一色的子像素SP1、第二色的子像素SP2及第三色的子像素SP3。第一色、第二色及第三色是彼此不同的颜色。需要说明的是，像素PX也可以与子像素SP1、SP2、SP3一起或者取代子像素SP1、SP2、SP3中的任一个而包括白色等其他颜色的子像素SP。需要说明的是，子像素的组合也可以不是三个要素的组合而由两个要素构成，还可以由除了子像素SP1至SP3以外还组合有子像素SP4等的四个以上的要素构成。

子像素SP具备像素电路1和由像素电路1驱动的显示元件20。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3例如是由薄膜晶体管构成的开关元件。

像素开关2的栅电极与扫描线GL连接。像素开关2的源电极及漏电极中的一方与信号线SL连接，另一方与驱动晶体管3的栅电极及电容器4连接。在驱动晶体管3中，源电极及漏电极中的一方与电源线PL及电容器4连接，另一方与显示元件20连接。

需要说明的是，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。

显示元件20是作为发光元件的有机发光二极管(OLED)，有时称为有机EL元件。

周边区域SA具有用于连接IC芯片、柔性印刷电路基板的端子区域TA。端子区域TA具备多个焊盘(端子)PD。多个焊盘PD与IC芯片的端子、柔性印刷电路基板的端子连接。

图2是表示子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。

在图2的示例中，子像素SP2及子像素SP3沿着第二方向Y排列。子像素SP1及子像素SP2沿着第一方向X排列，子像素SP1及子像素SP3沿着第一方向X排列。

在子像素SP1、SP2、SP3是这样的布局的情况下，在显示区域DA形成有子像素SP2及子像素SP3在第二方向Y上交替地配置而成的列、以及多个子像素SP1沿着第二方向Y配置而成的列。这些列在第一方向X上交替地排列。

需要说明的是，子像素SP1、SP2、SP3的布局不限于图2的示例。作为另一例，各像素PX中的子像素SP1、SP2、SP3也可以沿着第一方向X按顺序排列。

在显示区域DA配置有肋部5及隔壁6。肋部5在子像素SP1、SP2、SP3中分别具有开口AP1、AP2、AP3。

隔壁6在俯视观察下与肋部5重叠。隔壁6形成为包围开口AP1、AP2、AP3的格子状。隔壁6也可以与肋部5同样地在子像素SP1、SP2、SP3中具有开口。

子像素SP1、SP2、SP3分别具备显示元件201、202、203来作为显示元件20。

子像素SP1的显示元件201具备与开口AP1分别重叠的下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1。有机层OR1包括例如发出蓝色波长区域的光的发光层。

子像素SP2的显示元件202具备分别与开口AP2重叠的下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2。有机层OR2包括例如发出绿色波长区域的光的发光层。

子像素SP3的显示元件203具备分别与开口AP3重叠的下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3。有机层OR3包括例如发出红色波长区域的光的发光层。

在图2的示例中，下电极LE1、LE2、LE3的外形用虚线表示，有机层OR1、OR2、OR3及上电极UE1、UE2、UE3的外形用单点划线表示。需要说明的是，图示出的下电极、有机层、上电极各自的外形未必反映出准确的形状。

下电极LE1、LE2、LE3各自的周缘部、有机层OR1、OR2、OR3各自的周缘部及上电极UE1、UE2、UE3各自的周缘部在俯视观察下与肋部5重叠。

下电极LE1、LE2、LE3例如相当于显示元件的阳极。上电极UE1、UE2、UE3相当于显示元件的阴极或公共电极。

下电极LE1通过接触孔CH1而与子像素SP1的像素电路1(参照图1)连接。下电极LE2通过接触孔CH2而与子像素SP2的像素电路1连接。下电极LE3通过接触孔CH3而与子像素SP3的像素电路1连接。

在图2的示例中，开口AP1的面积、开口AP2的面积及开口AP3的面积彼此不同。即，开口AP1的面积比开口AP2的面积大，开口AP2的面积比开口AP3的面积大。换言之，从开口AP1露出的下电极LE1的面积比从开口AP2露出的下电极LE2的面积大，从开口AP2露出的下电极LE2的面积比从开口AP3露出的下电极LE3的面积大。

图3是沿着图2中的A-B线的显示装置DSP的概略性的剖视图。

电路层11配置在基板10之上。电路层11包括图1所示的像素电路1等各种电路、扫描线GL、信号线SL、电源线PL等各种布线。电路层11由绝缘层12覆盖。绝缘层12是将因电路层11产生的凹凸平坦化的有机绝缘层。

下电极LE1、LE2、LE3配置在绝缘层12之上，彼此分离。在图示的例子中，下电极LE1、LE2、LE3具有倒锥状(梯形形状)的剖面。即，关于下电极LE1、LE2、LE3，在剖视观察下，与绝缘层12相接的下表面的宽度比上表面的宽度小。

肋部5配置在绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3之上。肋部5的开口AP1与下电极LE1重叠，开口AP2与下电极LE2重叠，开口AP3与下电极LE3重叠。下电极LE1、LE2、LE3各自的端部由肋部5覆盖。在下电极LE1、LE2、LE3中的彼此相邻的下电极之间，绝缘层12由肋部5覆盖。

隔壁6包括配置在肋部5之上的具有导电性的下部(柄部)61和配置在下部61之上的上部(伞部)62。图中的右侧所示的隔壁6的下部61位于开口AP1与开口AP2之间。图中的左侧所示的隔壁6的下部61位于开口AP2与开口AP3之间。上部62具有比下部61大的宽度。由此，上部62的两端部比下部61的侧面突出。这样的隔壁6的形状被称为悬臂状。

有机层OR1通过开口AP1而与下电极LE1接触，覆盖从开口AP1露出的下电极LE1，并且该有机层OR1的周缘部位于肋部5之上。上电极UE1覆盖有机层OR1并与下部61接触。

有机层OR2通过开口AP2而与下电极LE2接触，覆盖从开口AP2露出的下电极LE2，并且该有机层OR2的周缘部位于肋部5之上。上电极UE2覆盖有机层OR2并与下部61接触。

有机层OR3通过开口AP3而与下电极LE3接触，覆盖从开口AP3露出的下电极LE3，并且该有机层OR3的周缘部位于肋部5之上。上电极UE3覆盖有机层OR3并与下部61接触。

在图3的示例中，子像素SP1具有盖层CP1及密封层SE1，子像素SP2具有盖层CP2及密封层SE2，子像素SP3具有盖层CP3及密封层SE3。盖层CP1、CP2、CP3分别具有提高从有机层OR1、OR2、OR3发出的光的取出效率的作为光学调整层的作用。

盖层CP1配置在上电极UE1之上。

盖层CP2配置在上电极UE2之上。

盖层CP3配置在上电极UE3之上。

密封层SE1配置在盖层CP1之上，与隔壁6接触，并连续地覆盖子像素SP1的各构件。

密封层SE2配置在盖层CP2之上，与隔壁6接触，并连续地覆盖子像素SP2的各构件。

密封层SE3配置在盖层CP3之上，与隔壁6接触，并连续地覆盖子像素SP3的各构件。

在图3的示例中，有机层OR1、上电极UE1及盖层CP1的一部分位于子像素SP1的周围的隔壁6之上。这些部分与有机层OR1、上电极UE1及盖层CP1中的位于开口AP1的部分(构成显示元件201的部分)分离。

同样地，有机层OR2、上电极UE2及盖层CP2的一部分位于子像素SP2的周围的隔壁6之上，这些部分与有机层OR2、上电极UE2及盖层CP2中的位于开口AP2的部分(构成显示元件202的部分)分离。

同样地，有机层OR3、上电极UE3及盖层CP3的一部分位于子像素SP3的周围的隔壁6之上，这些部分与有机层OR3、上电极UE3及盖层CP3中的位于开口AP3的部分(构成显示元件203的部分)分离。

密封层SE1、SE2、SE3的端部位于隔壁6之上。在图3的示例中，位于子像素SP1、SP2间的隔壁6之上的密封层SE1、SE2的端部彼此分离，位于子像素SP2、SP3间的隔壁6之上的密封层SE2、SE3的端部彼此分离。

密封层SE1、SE2、SE3由树脂层13覆盖。树脂层13由密封层14覆盖。密封层14由树脂层15覆盖。

密封层SE1、SE2、SE3及密封层14例如由硅氮化物(SiNx)等无机绝缘材料形成。需要说明的是，密封层SE1、SE2、SE3及密封层14也可以由硅氧化物(SiOx)、硅氧氮化物(SiON)或氧化铝(Al₂O₃)等其他的无机绝缘材料形成。

肋部5由硅氧化物(SiOx)、硅氧氮化物(SiON)、硅氮化物(SiNx)等形成，在后将会详细叙述。

隔壁6的下部61由导电材料形成，与上电极UE1、UE2、UE3电连接。隔壁6的下部61及上部62也可以均由导电材料形成。

下电极LE1、LE2、LE3例如是包括由铟锡氧化物(ITO)等氧化物导电材料形成的透明电极和由银等金属材料形成的金属电极的多层体。

有机层OR1、OR2、OR3分别包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等多个功能层。

另外，有机层OR1包括发光层EM1。有机层OR2包括发光层EM2。有机层OR3包括发光层EM3。发光层EM1、发光层EM2及发光层EM3由彼此不同的材料形成。在一例中，发光层EM1由发出蓝色波长区域的光的材料形成，发光层EM2由发出绿色波长区域的光的材料形成，发光层EM3由发出红色波长区域的光的材料形成。

上电极UE1、UE2、UE3例如由镁与银的合金(MgAg)等金属材料形成。

盖层CP1、CP2、CP3是多个薄膜的多层体。多个薄膜均透明且具有彼此不同的折射率。需要说明的是，也可以省略盖层CP1、CP2、CP3中的至少一个。

图4是将图3所示的肋部5放大而得到的剖视图。

在图4中，示出显示元件201与显示元件202之间的肋部5，省略比绝缘层12靠下层的图示，另外，省略比盖层CP1、CP2靠上层的图示。

肋部5具备第一肋部层51和第二肋部层52。第一肋部层51分别覆盖下电极LE1、LE2的端部且覆盖绝缘层12。第二肋部层52位于第一肋部层51之上。即，在图示的例子中，肋部5作为第一肋部层51与第二肋部层52的多层体来形成。图中的虚线表示第一肋部层51与第二肋部层52的分界线。需要说明的是，分界线能够在基于电子显微镜得到的肋部5的剖面照片中观察，但也会存在无法观察的情况。

第一肋部层51由第一无机绝缘材料形成。第二肋部层52由第二无机绝缘材料形成。第一无机绝缘材料及第二无机绝缘材料可以是同一材料，也可以是彼此不同的材料。期望第二无机绝缘材料是与图3所示的密封层SE1、SE2等不同的材料。例如，在密封层SE1由硅氮化物形成的情况下，第二无机绝缘材料为硅氧化物或硅氧氮化物。就第一无机绝缘材料而言，从可靠地覆盖下电极LE1、LE2的端部的观点来说，期望覆盖性优异的硅氮化物。需要说明的是，第一无机绝缘材料不限于硅氮化物，也可以是硅氧化物或硅氧氮化物。

有机层OR1在下电极LE1的端部的正上方配置于第二肋部层52之上。有机层OR2在下电极LE2的端部的正上方配置于第二肋部层52之上。

图5是用于说明作为多层体的肋部5的效果的图。

在本实施方式中，第一肋部层51及第二肋部层52不是通过连续地沉积无机绝缘材料来形成，而是通过在各自不同的工序中沉积无机绝缘材料来形成(不连续的沉积工序)。

这里，假设在形成第一肋部层51之后在下电极LE1的端部与第一肋部层51的阶差部之间产生了裂纹51C这样的情况。尤其是在下电极LE1具有倒锥状的剖面的情况下，容易以下电极LE1的端部为起点而在第一肋部层51产生裂纹51C。

发明人经过研究发现，即便通过长时间地沉积无机绝缘材料来增大第一肋部层51的厚度，也无法充分地抑制裂纹51C。另外，这种情况下，还能预想到形成第一肋部层51所需的时间变长，形成开口AP1所需的时间也变长，从而导致成品率的降低。另一方面，为了缓和阶差，还研究了减小下电极LE1的厚度的方案，但作为阳极的电学特性及光学特性不满足要求。

这样的肋部5的裂纹51C会成为绝缘层12中所含的水分的散发路径。即，绝缘层12为有机绝缘层，与无机绝缘层相比透水性高。因此，在以下电极LE1的端部为起点而在第一肋部层51产生了裂纹51C的情况下，有绝缘层12的水分顺着下电极LE1的端部透过裂纹51C的风险。在裂纹51C贯通肋部5的情况下，位于肋部5之上的有机层OR1因从绝缘层12散发的水分而受到损伤，导致有机层OR1的劣化。

因此，在本实施方式中，不变更肋部5的总厚度而是分多次进行无机绝缘材料的沉积工序从而来形成多层体的肋部5。即，通过在形成第一肋部层51之后形成第二肋部层52，由此即便在第一肋部层51产生了裂纹51C，也能够由第二肋部层52闭塞裂纹51C。因此，绝缘层12中所含的水分的散发路径在肋部5的内部被隔断。

由此，抑制位于第二肋部层52之上的有机层OR1的因水分引起的劣化。因而，能够抑制可靠性的降低。

需要说明的是，在这里说明的例子中，肋部5为两层的多层体，但也可以作为三层以上的多层体来形成。

接着，参照图6至图8说明第一肋部层51及第二肋部层52的厚度。

在肋部5中的与绝缘层12相接的区域中，第一肋部层51具有厚度T1，第二肋部层52具有厚度T2。肋部5的总厚度例如为200nm～400nm。

在图6所示的例子中，厚度T1与厚度T2相等(T1＝T2)。在一例中，肋部5的总厚度为400nm，厚度T1及T2分别为200nm。

图7及图8所示的例子相当于厚度T1与厚度T2不同的例子。

在图7所示的例子中，厚度T1比厚度T2小(T1＜T2)。在一例中，肋部5的总厚度为400nm，厚度T1为100nm，厚度T2为300nm。在这样的例子中，在第一肋部层51产生了裂纹的情况下，能够由比第一肋部层51厚的第二肋部层52可靠地闭塞裂纹。

在图8所示的例子中，厚度T1比厚度T2大(T1＞T2)。在一例中，肋部5的总厚度为400nm，厚度T1为300nm，厚度T2为100nm。在这样的例子中，在第二肋部层52由蚀刻率比较小的氧化物(例如硅氧化物、硅氧氮化物)形成的情况下，由于第二肋部层52比第一肋部层51薄，因此能够抑制成品率的降低。

在图6至图8所示的各例中，第一肋部层51及第二肋部层52可以由同一材料(例如硅氧氮化物)形成，也可以由彼此不同的材料形成。

接着，参照图9至图11对分别形成第一肋部层51及第二肋部层52的材料的组合进行说明。

在图9所示的例子中，第一肋部层51及第二肋部层52均由硅氧氮化物(SiON)形成。在这样的例子中，第一肋部层51及第二肋部层52能够通过同一CVD装置来形成。另外，由于第一肋部层51及第二肋部层52均由氧化物形成，因此，在密封层SE1由硅氮化物形成的情况下，能够缓和在密封层SE1蚀刻时对肋部5造成的损伤。

在图10所示的例子中，第一肋部层51由硅氮化物(SiN)形成，第二肋部层52由硅氧氮化物(SiON)形成。在这样的例子中，由于第一肋部层51由覆盖性及防水性优异的硅氮化物形成，因此能够抑制经由第一肋部层51的水分透过。另外，由于第二肋部层52由氧化物形成，因此，在密封层SE1由硅氮化物形成的情况下，能够缓和在密封层SE1蚀刻时对肋部5造成的损伤。

在图11所示的例子中，第一肋部层51由硅氧氮化物(SiON)形成，第二肋部层52由硅氧化物(SiO)形成。由于第一肋部层51及第二肋部层52均由氧化物形成，因此，在密封层SE1由硅氮化物形成的情况下，能够缓和在密封层SE1蚀刻时对肋部5造成的损伤。

需要说明的是，分别形成第一肋部层51及第二肋部层52的材料的组合不限定于图9至图11所示的例子。

接着，对显示装置DSP的制造方法进行说明。需要说明的是，在图12至图24中，省略了比绝缘层12靠下层的图示。

首先，如图12所示，在绝缘层12之上形成子像素SP1的下电极LE1及子像素SP2的下电极LE2。需要说明的是，虽然在图12中没有示出，但子像素SP3的下电极LE3也与下电极LE1、LE2同时地形成。

之后，遍及显示区域的整个区域地沉积第一无机绝缘材料，形成覆盖下电极LE1、LE2的第一绝缘层IL1。虽然在图12中没有示出，但下电极LE3也由第一绝缘层IL1覆盖。然后，停止第一无机绝缘材料的沉积。

之后，遍及显示区域的整个区域地沉积第二无机绝缘材料，在第一绝缘层IL1之上形成第二绝缘层IL2。

之后会对第一绝缘层IL1进行加工以形成第一肋部层51，之后会对第二绝缘层IL2进行加工以形成第二肋部层52。上述的第一绝缘层IL1及第二绝缘层IL2例如通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)来形成。

图13是用于说明形成第一绝缘层IL1及第二绝缘层IL2的工序的一例的图。

首先，如图的左侧所示，准备在绝缘层12之上形成有下电极LE1等的处理基板SUB。

然后，如图的中央所示，将处理基板SUB向CVD装置100搬入。在CVD装置100中，在向腔室的内部导入反应性气体之后，产生等离子体，使第一无机绝缘材料沉积在处理基板SUB之上。由此，形成第一绝缘层IL1。

并且，在形成了规定厚度的第一绝缘层IL1之后，停止等离子体。由此，停止第一无机绝缘材料的沉积。停止等离子体的时间例如在两分钟以内。此时，可以暂时停止反应性气体的导入，也可以继续反应性气体的导入。

然后，再次产生等离子体，使作为与第一无机绝缘材料为同一材料的第二无机绝缘材料沉积在处理基板SUB之上。由此，形成第二绝缘层IL2。即，第一绝缘层IL1及第二绝缘层IL2通过同一CVD装置100来形成。

之后，如图的右侧所示，将处理基板SUB从CVD装置100搬出。

在这样的第一绝缘层IL1及第二绝缘层IL2的形成过程中，即便例如在第一绝缘层IL1产生了裂纹，也能够由第二绝缘层IL2闭塞裂纹。

在这里说明的例子中，第一无机绝缘材料及所述第二无机绝缘材料为硅氧化物(SiO)或硅氧氮化物(SiON)。

图14是用于说明形成第一绝缘层IL1及第二绝缘层IL2的工序的另一例的图。

首先，准备在绝缘层12之上形成有下电极LE1等的处理基板SUB。

然后，将处理基板SUB向第一CVD装置101搬入。在第一CVD装置101中，在向腔室的内部导入反应性气体之后，产生等离子体，使第一无机绝缘材料沉积在处理基板SUB之上。由此，形成第一绝缘层IL1。之后，将处理基板SUB从第一CVD装置101搬出。

然后，将处理基板SUB向第二CVD装置102搬入。

从将处理基板SUB自第一CVD装置101搬出开始到搬入第二CVD装置102为止的时间例如为两分钟左右。在第二CVD装置102中，在向腔室的内部导入反应性气体之后，产生等离子体，使第二无机绝缘材料沉积在处理基板SUB之上。由此，形成第二绝缘层IL2。之后，将处理基板SUB从第二CVD装置102搬出。

即，在这里所示的例子中，第一绝缘层IL1及第二绝缘层IL2通过彼此不同的CVD装置来形成。

在这样的例子中，在第一绝缘层IL1及第二绝缘层IL2的形成过程中，即便在第一绝缘层IL1产生了裂纹，也能够由第二绝缘层IL2闭塞裂纹。

在这里说明的例子中，第一无机绝缘材料及第二无机绝缘材料可以为同一材料，也可以为彼此不同的材料。在一例中，第一无机绝缘材料为硅氮化物(SiN)、硅氧化物(SiO)或硅氧氮化物(SiON)，另外，第二无机绝缘材料为硅氧化物(SiO)或硅氧氮化物(SiON)。

接着，形成具有下部61和上部62的隔壁6，其中，下部61位于第二绝缘层IL2之上且由导电材料形成，上部62位于下部61之上且从下部61的侧面突出。

就形成隔壁6的工序而言，首先如图15所示，在第二绝缘层IL2之上形成包括导电层的第一层ML1，之后形成第二层ML2。第一层ML1的导电层由铝等导电材料形成。第二层ML2可以由导电材料形成，也可以由绝缘材料形成。之后，在第二层ML2之上形成规定形状的抗蚀剂。之后，利用将该抗蚀剂作为掩模的蚀刻来除去从抗蚀剂露出的第二层ML2。之后，利用各向异性蚀刻及各向同性蚀刻将从抗蚀剂露出的第一层ML1除去。

由此，如图16所示，形成具有下部61及上部62的悬臂状的隔壁6。

接着，如图17所示，通过对第二绝缘层IL2及第一绝缘层IL1依次进行图案化，由此形成与下电极LE1、LE2重叠的开口AP1、AP2。

在一例中，通过将隔壁6的上部62作为掩模来利用的各向异性的干式蚀刻来除去第二绝缘层IL2的一部分，形成第二肋部层52。进而，通过干式蚀刻除去第一绝缘层IL1的一部分，形成第一肋部层51。由此，形成具有开口AP1、AP2的肋部5。

需要说明的是，作为另一例，也可以是，在形成分别地覆盖隔壁6的抗蚀剂之后，进行各向异性的干式蚀刻，除去第二绝缘层IL2及第一绝缘层IL1中的从抗蚀剂露出的部分，之后除去抗蚀剂，由此形成具有开口AP1等的肋部5。

另外，也可以在形成肋部5的开口AP1等之后形成隔壁6。

如图18所示，在显示区域DA中，除了形成与子像素SP1的下电极LE1重叠的开口AP1以及与子像素SP2的下电极LE2重叠的开口AP2以外，还形成与子像素SP3的下电极LE3重叠的开口AP3。

接着，形成显示元件201。

首先，如图19所示，在下电极LE1之上依次蒸镀用于形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层(EM1)、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等各层的材料，从而形成有机层OR1。

之后，在有机层OR1之上蒸镀镁与银的混合物来形成上电极UE1。上电极UE1覆盖有机层OR1，并与下部61的侧面接触。

之后，在上电极UE1之上蒸镀高折射率材料及低折射率材料来形成盖层CP1。

之后，以连续地覆盖盖层CP1及隔壁6的方式形成密封层SE1。

有机层OR1、上电极UE1、盖层CP1及密封层SE1至少形成于显示区域DA的整体，不仅配置于子像素SP1还配置于子像素SP2、SP3。有机层OR1、上电极UE1及盖层CP1被悬臂状的隔壁6隔断。

在通过蒸镀而分别形成有机层OR1、上电极UE1及盖层CP1时，从蒸镀源放出的材料被上部62遮挡。因此，在上部62之上层叠有机层OR1、上电极UE1及盖层CP1各自的一部分。

接着，如图20所示，在密封层SE1之上形成规定形状的抗蚀剂R3。抗蚀剂R3覆盖子像素SP1及其周围的隔壁6的一部分。

接着，如图21所示，利用将抗蚀剂R3作为掩模的蚀刻来依次除去从抗蚀剂R3露出的密封层SE1、盖层CP1、上电极UE1及有机层OR1。由此，使子像素SP2的下电极LE2及子像素SP3的下电极LE3露出。

接着，如图22所示，除去抗蚀剂R3。由此，在子像素SP1形成显示元件201。

接着，如图23所示，形成显示元件202。形成显示元件202的步骤与形成显示元件201的步骤相同。即，在下电极LE2之上按顺序形成包括发光层EM2的有机层OR2、上电极UE2、盖层CP2及密封层SE2。之后，在密封层SE2之上形成抗蚀剂，利用将该抗蚀剂作为掩模的蚀刻来对密封层SE2、盖层CP2、上电极UE2及有机层OR2依次进行图案化。在该图案化之后，除去抗蚀剂。由此，在子像素SP2形成显示元件202，使子像素SP3的下电极LE3露出。

接着，如图24所示，形成显示元件203。形成显示元件203的步骤与形成显示元件201的步骤相同。即，在下电极LE3之上按顺序形成包括发光层EM3的有机层OR3、上电极UE3、盖层CP3及密封层SE3。之后，在密封层SE3之上形成抗蚀剂，利用将该抗蚀剂作为掩模的蚀刻来对密封层SE3、盖层CP3、上电极UE3及有机层OR3依次进行图案化。在该图案化之后，除去抗蚀剂。由此，在子像素SP3形成显示元件203。

之后，按顺序形成图3所示的树脂层13、密封层14及树脂层15。由此，完成显示装置DSP。需要说明的是，在以上的制造工序中，假设了最初形成显示元件201、然后形成显示元件202且最后形成显示元件203的情况，但显示元件201、202、203的形成顺序不限于该例。

如以上所说明的那样，根据本实施方式，能够提供可抑制可靠性的降低的显示装置及显示装置的制造方法。

只要包含本发明的主旨，则本领域技术人员基于以上作为本发明的实施方式说明了的显示装置及其制造方法适当进行设计变更而能实施的全部的显示装置及其制造方法也属于本发明的范围。

在本发明的思想范畴内，本领域技术人员能想到各种变形例，这些变形例也应理解为属于本发明的范围。例如，本领域技术人员对上述的实施方式适当进行构成要素的追加、删除或设计变更所得的方案、或者进行工序的追加、省略或条件变更所得的方案只要具备本发明的主旨则也包含在本发明的范围内。

另外，关于由在上述的实施方式中叙述过的方案带来的其他的作用效果，能从本说明书的记载明确可知的作用效果或者对本领域技术人员来说能适当想到的作用效果当然应理解为是由本发明带来的作用效果。

Claims (15)

1.显示装置的制造方法，其中，

形成下电极，

沉积第一无机绝缘材料来形成覆盖所述下电极的第一绝缘层，

停止所述第一无机绝缘材料的沉积，

沉积第二无机绝缘材料而在所述第一绝缘层之上形成第二绝缘层，

形成具有位于所述第二绝缘层之上且由导电材料形成的下部和位于所述下部之上且从所述下部的侧面突出的上部的隔壁，

通过将所述第二绝缘层及所述第一绝缘层依次图案化来形成与所述下电极重叠的开口，

在所述下电极之上形成包括发光层的有机层，

形成覆盖所述有机层且与所述隔壁的所述下部接触的上电极。

2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

所述第一绝缘层及所述第二绝缘层通过同一CVD装置来形成，

通过停止等离子体来停止所述第一无机绝缘材料的沉积。

3.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法，其中，所述第一无机绝缘材料与所述第二无机绝缘材料为同一材料。

4.根据权利要求3所述的显示装置的制造方法，其中，所述第一无机绝缘材料及所述第二无机绝缘材料为硅氧化物(SiO)或硅氧氮化物(SiON)。

5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

所述第一绝缘层通过第一CVD装置来形成，

所述第二绝缘层通过与所述第一CVD装置不同的第二CVD装置来形成。

6.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，所述第一无机绝缘材料与所述第二无机绝缘材料为彼此不同的材料。

7.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法，其中，所述第二无机绝缘材料为硅氧化物(SiO)或硅氧氮化物(SiON)。

8.根据权利要求7所述的显示装置的制造方法，其中，所述第一无机绝缘材料为硅氮化物(SiN)、硅氧化物(SiO)或硅氧氮化物(SiON)。

9.显示装置，其具备：

基板；

下电极，其配置在所述基板的上方；

肋部，其覆盖所述下电极的端部且具有与所述下电极重叠的开口；

隔壁，其具有配置在所述肋部之上且由导电材料形成的下部和配置在所述下部之上且从所述下部的侧面突出的上部；

有机层，其配置在所述下电极之上且包括发光层；以及

上电极，其覆盖所述有机层且与所述隔壁的所述下部接触，

所述肋部具备由第一无机绝缘材料形成的第一肋部层和位于所述第一肋部层之上且由第二无机绝缘材料形成的第二肋部层，

所述有机层在所述下电极的所述端部的正上方位于所述第二肋部层之上。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一无机绝缘材料与所述第二无机绝缘材料为同一材料。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一无机绝缘材料及所述第二无机绝缘材料为硅氧化物(SiO)或硅氧氮化物(SiON)。

12.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一无机绝缘材料及所述第二无机绝缘材料为彼此不同的材料。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二无机绝缘材料为硅氧化物(SiO)或硅氧氮化物(SiON)。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一无机绝缘材料为硅氮化物(SiN)、硅氧化物(SiO)或硅氧氮化物(SiON)。

15.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一肋部层的厚度与所述第二肋部层的厚度不同。