CN116600590A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示装置。一个实施方式涉及的显示装置具备：第1下电极，其具有第1端部；绝缘层，其覆盖所述第1端部；第2下电极，其具有位于所述绝缘层之上的第2端部；第1上电极，其与所述第1下电极相对；第2上电极，其与所述第2下电极相对；第1有机层，其位于所述第1下电极与所述第1上电极之间，并相应于所述第1下电极与所述第1上电极的电位差而发光；第2有机层，其位于所述第2下电极与所述第2上电极之间，并相应于所述第2下电极与所述第2上电极的电位差而发光。

Description

显示装置

关联申请的交叉参照

本申请基于2022年2月14日提出申请的日本专利申请第2022-020312号主张优先权，并引用该日本专利申请所记载的全部记载内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及显示装置。

背景技术

近年来，作为显示元件应用有机发光二极管(OLED)的显示装置被实用化。该显示元件具备下电极、覆盖下电极的有机层、和覆盖有机层的上电极。有机层相应于下电极与上电极的电位差而发光。

为了实现高开口率或高精细的显示装置，需要缩小相邻的显示元件的下电极的间隔。然而，由于加工技术上的制约，难以充分地缩小下电极的间隔。

发明内容

一个实施方式涉及的显示装置具备：第1下电极，其具有第1端部；绝缘层，其覆盖所述第1端部；第2下电极，其具有位于所述绝缘层之上的第2端部；第1上电极，其与所述第1下电极相对；第2上电极，其与所述第2下电极相对；第1有机层，其位于所述第1下电极与所述第1上电极之间，并相应于所述第1下电极与所述第1上电极的电位差而发光；第2有机层，其位于所述第2下电极与所述第2上电极之间，并相应于所述第2下电极与所述第2上电极的电位差而发光。

根据这样的构成，能够实现显示装置的高开口率化或高精细化。

附图说明

图1是示出一个实施方式涉及的显示装置的构成例的图。

图2是示出子像素的布局的一例的图。

图3是沿着图2中的III-III线的显示装置的示意性剖视图。

图4是将相邻的子像素的边界附近放大后的示意性剖视图。

图5是示出配置于显示区域的多个下电极的一例的示意性俯视图。

图6是示出显示装置的制造工序的一部分的示意性剖视图。

图7是示出接着图6的制造工序的示意性剖视图。

图8是示出接着图7的制造工序的示意性剖视图。

图9是示出接着图8的制造工序的示意性剖视图。

图10是示出接着图9的制造工序的示意性剖视图。

图11是示出接着图10的制造工序的示意性剖视图。

图12是示出接着图11的制造工序的示意性剖视图。

图13是示出接着图12的制造工序的示意性剖视图。

具体实施方式

参照附图对一个实施方式进行说明。

所记载的内容只不过是一例，本领域技术人员能够容易想到的未脱离发明主旨的适当变更当然包含在本发明范围内。另外，为了使说明更加明确，与实际方式相比，附图有时示意性示出各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一例，并非限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对于与关于已出现的附图说明过的构成要素发挥相同或类似功能的构成要素，存在标注同一附图标记并适当省略重复的详细说明的情况。

需要说明的是，为了便于理解而根据需要在附图中记载有相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向X、将沿着Y轴的方向称为第2方向Y、将沿着Z轴的方向称为第3方向Z。将与第3方向Z平行地观察各种要素的情况称为俯视观察。

本实施方式涉及的显示装置是作为显示元件具备有机发光二极管(OLED)的有机电致发光显示装置，能够搭载于电视、个人电脑、车载设备、平板电脑终端、智能手机、移动电话终端等。

图1是示出本实施方式涉及的显示装置DSP的构成例的图。显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA和显示区域DA周边的周边区域SA。基板10可以是玻璃，也可以是具有挠性的树脂膜。

在本实施方式中，俯视观察的基板10的形状为长方形。但是，基板10的俯视观察的形状不限于长方形，也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。

显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上以矩阵状排列的多个像素PX。像素PX包含多个子像素SP。在一例中，像素PX包含红色的子像素SPα、绿色的子像素SPβ及蓝色的子像素SPγ。需要说明的是，像素PX也可以与子像素SPα、SPβ、SPγ一起、或取代子像素SPα、SPβ、SPγ中的任一者而包含白色等其他颜色的子像素SP。此外，子像素SP的颜色的组合可以是红色、绿色及蓝色以外的组合，与1个像素对应的子像素SP的数量可以是2个或4个以上。

子像素SP具备像素电路1、和由像素电路1驱动的显示元件20。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3是由例如薄膜晶体管构成的开关元件。

像素开关2的栅电极与扫描线GL连接。像素开关2的源电极及漏电极中的一者与信号线SL连接，另一者与驱动晶体管3的栅电极及电容器4连接。在驱动晶体管3中，源电极及漏电极中的一者与电源线PL及电容器4连接，另一者与显示元件20连接。

需要说明的是，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。

显示元件20是作为发光元件的有机发光二极管(OLED)。例如，子像素SPα具备发出红色波长区域的光的显示元件20，子像素SPβ具备发出绿色波长区域的光的显示元件20，子像素SPγ具备发出蓝色波长区域的光的显示元件20。

图2是示出子像素SPα、SPβ、SPγ的布局的一例的图。在图2的例子中，子像素SPα和子像素SPβ在第2方向Y上排列。此外，子像素SPα、SPβ分别和子像素SPγ在第1方向X上排列。

需要说明的是，子像素SPα、SPβ、SPγ的布局不限于图2的例子。作为另一例，各像素PX中的子像素SPα、SPβ、SPγ也可以在第1方向X上依次排列。

在显示区域DA中配置有肋部5及隔壁6。肋部5在子像素SPα、SPβ、SPγ处分别具有开口APα、APβ、APγ。在图2的例子中，开口APβ比开口APα大，开口APγ比开口APβ大。

隔壁6配置在相邻的子像素SP的边界，在俯视观察时与肋部5重叠。隔壁6具有沿第1方向X延伸的多个第1隔壁6x、和沿第2方向Y延伸的多个第2隔壁6y。多个第1隔壁6x分别配置于在第2方向Y上相邻的开口APα、APβ之间、以及在第2方向Y上相邻的2个开口APγ之间。第2隔壁6y分别配置于在第1方向X上相邻的开口APα、APγ之间、以及在第1方向X上相邻的开口APβ、APγ之间。

在图2的例子中，第1隔壁6x及第2隔壁6y相互连接。由此，隔壁6整体为包围开口APα、APβ、APγ的格子状。隔壁6也可以与肋部5同样地在子像素SPα、SPβ、SPγ中具有开口。

子像素SPα具备分别与开口APα重叠的下电极LEα、上电极UEα及有机层ORα。子像素SPβ具备分别与开口APβ重叠的下电极LEβ、上电极UEβ及有机层ORβ。子像素SPγ具备分别与开口APγ重叠的下电极LEγ、上电极UEγ及有机层ORγ。在图2的例子中，上电极UEα及有机层ORα的外形一致，上电极UEβ及有机层ORβ的外形一致、上电极UEγ及有机层ORγ的外形一致。

下电极LEα、上电极UEα及有机层ORα构成子像素SPα的显示元件20。下电极LEβ、上电极UEβ及有机层ORβ构成子像素SPβ的显示元件20。下电极LEγ、上电极UEγ及有机层ORγ构成子像素SPγ的显示元件20。

下电极LEα通过接触孔CHα与子像素SPα的像素电路1(参见图1)连接。下电极LEβ通过接触孔CHβ与子像素SPβ的像素电路1连接。下电极LEγ通过接触孔CHγ与子像素SPγ的像素电路1连接。

在图2的例子中，接触孔CHα、CHβ与在第2方向Y上相邻的开口APα、APβ之间的第1隔壁6x整体地重叠。接触孔CHγ与在第2方向Y上相邻的2个开口APγ之间的第1隔壁6x整体地重叠。作为另一例，接触孔CHα、CHβ、CHγ的至少一部分也可以不与第1隔壁6x重叠。

在图2的例子中，下电极LEα、LEβ分别具有凸部PRα、PRβ。凸部PRα从下电极LEα的主体(与开口APα重叠的部分)向接触孔CHα突出。凸部PRβ从下电极LEβ的主体(与开口APβ重叠的部分)向接触孔CHβ突出。接触孔CHα、CHβ分别与凸部PRα、PRβ重叠。

图3是沿着图2中的III-III线的显示装置DSP的示意性剖视图。在上述基板10之上配置有电路层11。电路层11包含图1所示的像素电路1、扫描线GL、信号线SL及电源线PL等各种电路、布线。电路层11由绝缘层12覆盖。绝缘层12作为使由电路层11产生的凹凸平坦化的平坦化膜发挥作用。

下电极LEα、LEβ配置于绝缘层12之上。在包含子像素SPγ的区域中，在绝缘层12之上配置有绝缘层13。绝缘层13与开口APγ重叠，但不与开口APα、APβ重叠。下电极LEγ配置于绝缘层13之上。绝缘层13的平面形状相当于例如在图2所示的肋部5中没有开口APγ的形状。

虽然在图3的剖面中没有示出，但上述的接触孔CHα、CHβ贯穿绝缘层12。此外，上述的接触孔CHγ贯穿绝缘层12、13。

肋部5配置于绝缘层13及下电极LEγ之上。隔壁6包含配置于肋部5之上的下部61、和配置于下部61之上的上部62。上部62具有比下部61大的宽度。由此，在图3中，上部62的两端部比下部61的侧面突出。这样的隔壁6的形状称为悬臂状。

有机层ORα通过开口APα覆盖下电极LEα。上电极UEα与下电极LEα相对，覆盖有机层ORα。有机层ORβ通过开口APβ覆盖下电极LEβ。上电极UEβ与下电极LEβ相对，覆盖有机层ORβ。有机层ORγ通过开口APγ覆盖下电极LEγ。上电极UEγ与下电极LEγ相对，覆盖有机层ORγ。上电极UEα、UEβ、UEγ与下部61接触。

在图3的例子中，盖层CPα配置于有机层ORα之上，盖层CPβ配置于有机层ORβ之上，盖层CPγ配置于有机层ORγ之上。盖层CPα、CPβ、CPγ分别调整有机层ORα、ORβ、ORγ发出的光的光学特性。

有机层ORα、上电极UEα及盖层CPα的一部分位于上部62之上。该一部分与有机层ORα、上电极UEα及盖层CPα的其他部分分离。同样地，有机层ORβ、上电极UEβ及盖层CPβ的一部分位于上部62之上，该一部分与有机层ORβ、上电极UEβ及盖层CPβ的其他部分分离。此外，有机层ORγ、上电极UEγ及盖层CPγ的一部分位于上部62之上，该一部分与有机层ORγ、上电极UEγ及盖层CPγ的其他部分分离。

在子像素SPα、SPβ、SPγ中，分别配置有密封层SEα、SEβ、SEγ。密封层SEα连续地覆盖包含盖层CPα及隔壁6的子像素SPα的各构件。密封层SEβ连续地覆盖包含盖层CPβ及隔壁6的子像素SPβ的各构件。密封层SEγ连续地覆盖包含盖层CPγ及隔壁6的子像素SPγ的各构件。

在图3的例子中，子像素SPα、SPγ之间的隔壁6上的有机层ORα、上电极UEα、盖层CPα及密封层SEα与该隔壁6上的有机层ORγ、上电极UEγ、盖层CPγ及密封层SEγ分离。此外，子像素SPβ、SPγ之间的隔壁6上的有机层ORβ、上电极UEβ、盖层CPβ及密封层SEβ与该隔壁6上的有机层ORγ、上电极UEγ、盖层CPγ及密封层SEγ分离。

密封层SEα、SEβ、SEγ由树脂层14覆盖。树脂层14由密封层15覆盖。此外，密封层15由树脂层16覆盖。

绝缘层12及树脂层14、16由有机材料形成。绝缘层13、肋部5及密封层15、SEα、SEβ、SEγ例如由硅氮化物(SiN)等无机材料形成。绝缘层13和肋部5可以由不同的材料形成。作为一例，绝缘层13可以由硅氮化物形成，肋部5可以由聚酰亚胺形成。

隔壁6的下部61例如由铝(Al)、铝合金等金属材料形成，具有导电性。隔壁6的上部62也可以具有导电性。上电极UEα、UEβ、UEγ例如由镁与银的合金(MgAg)等金属材料形成。

在下电极LEα、LEβ、LEγ的电位比上电极UEα、UEβ、UEγ的电位相对高的情况下，下电极LEα、LEβ、LEγ与阳极相当，上电极UEα、UEβ、UEγ与阴极相当。此外，在上电极UEα、UEβ、UEγ的电位比下电极LEα、LEβ、LEγ的电位相对高的情况下，上电极UEα、UEβ、UEγ与阳极相当，下电极LEα、LEβ、LEγ与阴极相当。

有机层ORα、ORβ、ORγ包含一对功能层、和配置在这些功能层之间的发光层。作为一例，有机层ORα、ORβ、ORγ具有依次层叠有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层的构造。

盖层CPα、CPβ、CPγ例如由透明的多个薄膜的多层体形成。多层体可以包含由无机材料形成的薄膜及由有机材料形成的薄膜作为多个薄膜。此外，这些多个薄膜具有彼此不同的折射率。构成多层体的薄膜的材料与上电极UEα、UEβ、UEγ的材料不同，并且与密封层SEα、SEβ、SEγ的材料也不同。需要说明的是，也可以省略盖层CPα、CPβ、CPγ中的至少一者。

对隔壁6供给公共电压。该公共电压被分别供给至与下部61的侧面接触的上电极UEα、UEβ、UEγ。通过子像素SPα、SPβ、SPγ分别具有的像素电路1对下电极LEα、LEβ、LEγ供给像素电压。

在下电极LEα和上电极UEα之间形成电位差时，有机层ORα的发光层发出红色波长区域的光。在下电极LEβ和上电极UEβ之间形成电位差时，有机层ORβ的发光层发出绿色波长区域的光。在下电极LEγ和上电极UEγ之间形成电位差时，有机层ORγ的发光层发出蓝色波长区域的光。

作为另一例，有机层ORα、ORβ、ORγ的发光层也可以发出同一颜色(例如白色)的光。在该情况下，显示装置DSP可以具备将发光层发出的光转换为与子像素SPα、SPβ、SPγ对应的颜色的光的滤色部。此外，显示装置DSP可以具备包含量子点的层,该量子点由发光层发出的光激发而生成相应于子像素SPα、SPβ、SPγ的颜色的光。

图4是将子像素SPα、SPγ的边界附近放大后的示意性剖视图。在该图中，省略了基板10、电路层11、树脂层14、16及密封层15。

隔壁6的下部61具有子像素SPα侧的侧面61a、和子像素SPγ侧的侧面61b。隔壁6的上部62具有从侧面61a突出的端部62a、和从侧面61b突出的端部62b。

侧面61a的一部分由上电极UEα覆盖。侧面61a的剩余的一部分由密封层SEα覆盖。同样地，侧面61b的一部分由上电极UEγ覆盖。侧面61b的剩余的一部分由密封层SEγ覆盖。

下电极LEα具有第1端部E1。第1端部E1位于绝缘层12之上，由绝缘层13覆盖。下电极LEγ具有第2端部E2。第2端部E2位于绝缘层13之上，由肋部5覆盖。

在图4的例子中，第1端部E1及第2端部E2均位于肋部5的下方。此外，第1端部E1及第2端部E2均位于下部61及上部62的下方。例如，肋部5、下部61及上部62与端部E1及第2端部E2的关系在遍及下电极LEα、LEγ的整个外周的范围内与图4的例子是同样的。作为另一例，在下电极LEα、LEγ的外周的一部分中，第1端部E1及第2端部E2的至少一者也可以不位于下部61或上部62的下方。

在图4的例子中，第1端部E1及第2端部E2在第1方向X上分离。第1端部E1和第2端部E2之间的距离D1例如为5μm以下，优选为3μm以下。在下电极LEα、LEγ的外周的至少一部分中，第1端部E1和第2端部E2也可以在第3方向Z上重叠。

例如，下电极LEα、LEγ具有：金属层ML；覆盖金属层ML的下表面的第1导电性氧化物层OS1；和覆盖金属层ML的上表面的第2导电性氧化物层OS2。金属层ML例如可以由银(Ag)等金属材料形成。第1导电性氧化物层OS1及第2导电性氧化物层OS2例如由ITO(Indium TinOxide，铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物)及IGZO(Indium Gallium ZincOxide，铟镓锌氧化物)等透明的导电性氧化物形成。下电极LEβ也可以应用与下电极LEα、LEγ同样的构成。

例如，绝缘层13的厚度T11比肋部5的厚度T12小。在一例中，厚度T11为0.01μm以上且0.2μm以下。需要说明的是，厚度T11、T12分别为绝缘层13及肋部5的平均厚度。

例如，下电极LEα的厚度T21与下电极LEγ的厚度T22不同。下电极LEβ的厚度例如与下电极LEα的厚度T21相同。其中，下电极LEβ的厚度可以与下电极LEγ的厚度T22相同，也可以与厚度T21、T22不同。需要说明的是，在其他例子中，下电极LEα、LEβ、LEγ的厚度也可以相同。

利用第2导电性氧化物层OS2的厚度，能够调整有机层ORα、ORγ发出的光的光路长度。在此，可以使下电极LEα、LEβ、LEγ的第2导电性氧化物层OS2的厚度对应于子像素SPα、SPγ的颜色而不同。例如，对于蓝色的子像素SPγ的下电极LEγ，为了减少短波长光的吸收而使用结晶性良好的ITO来较薄地形成，对于下电极LEα、LEβ，重视加工性而可以使用非晶态ITO、IZO来较厚地形成。

在以下的说明中，有时将端部由绝缘层13覆盖的下电极LE称为第1下电极LE1，将端部位于绝缘层13之上的下电极LE称为第2下电极LE2。在本实施方式中，下电极LEα、LEβ与第1下电极LE1相当，下电极LEγ与第2下电极LE2相当。有机层ORα、ORβ及上电极UEα、UEβ分别是与第1下电极LE1一同构成显示元件20的第1有机层及第1上电极的一例。此外，有机层ORγ及上电极UEγ分别是与第2下电极LE2一同构成显示元件20的第2有机层及第2上电极的一例。

图5是示出配置于显示区域DA的多个下电极LE的一例的示意性俯视图。在图5中，省略了图2中示出的凸部PRα、PRβ。

在本实施方式中，第1下电极LE1(LEα、LEβ)的面积与第2下电极LE2(LEγ)的面积不同。具体而言，第1下电极LE1的面积比第2下电极LE2的面积小。

在显示区域DA中，包含第1下电极LE1的子像素SP(SPα、SPβ)与包含第2下电极LE2的子像素SP(SPγ)在第1方向X上交替地排列。

此外，显示区域DA包含：分别包含第1下电极LE1的多个子像素SP在第2方向Y上排列的列R1；和分别包含第2下电极LE2的多个子像素SP在第2方向Y上排列的列R2。上述列R1、R2在第1方向X上交替地排列。

需要说明的是，显示区域DA中的第1下电极LE1及第2下电极LE2的配置方式不限于图5的例子。作为另一例，子像素SPα的下电极LEα及子像素SPβ的下电极LEβ可以为第2下电极LE2，子像素SPγ的下电极LEγ可以为第1下电极LE1。

此外，第1下电极LE1与第2下电极LE2也可以在第2方向Y上交替地排列。在该情况下，例如子像素SPα的下电极LEα及子像素SPβ的下电极LEβ中的一者可以为第1下电极LE1，另一者可以为第2下电极LE2。此外，在第2方向Y上排列的多个子像素SPγ的一部分下电极LEγ可以是第1下电极LE1，剩余的一部分下电极LEγ也可以是第2下电极LE2。

接下来，针对显示装置DSP的制造方法的一例进行说明。

图6至图13是示出显示装置DSP的制造工序的一部分的示意性剖视图。在上述图中，将基板10、电路层11及绝缘层12简化而作为一层示出。

在基板10之上形成了电路层11及绝缘层12后，如图6所示，在绝缘层12之上形成导电层CL1。导电层CL1与图4所示的第1下电极LE1(下电极LEα)同样地包含金属层ML、第1导电性氧化物层OS1及第2导电性氧化物层OS2。

接着，在导电层CL1之上配置与第1下电极LE1对应的形状的光致抗蚀剂，实施湿式蚀刻。由此，如图7所示，形成多个第1下电极LE1。

在第1下电极LE1的形成之后，如图8所示，在第1下电极LE1及绝缘层12之上形成绝缘层IL1。绝缘层IL1例如为硅氮化物等的无机膜，具有0.01μm以上且0.2μm以下的厚度。在绝缘层IL1的形成中，能够使用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)。此时的成膜温度为100℃以上是优选的。由此，第1下电极LE1的第2导电性氧化物层OS2(例如ITO)结晶化，对后述的第2下电极LE2形成时的蚀刻的耐性提高。因此，即使在绝缘层IL1薄、绝缘层IL1中产生了针孔(pinhole)的情况下，也能够抑制由该蚀刻引起的第1下电极LE1的损伤。

绝缘层IL1的形成之后，在绝缘层IL1之上配置光致抗蚀剂，将该光致抗蚀剂作为掩模而实施反应性离子蚀刻。由此，如图9所示，绝缘层IL1中形成多个接触孔CHs。需要说明的是，绝缘层12中，在与接触孔CHs重叠的位置形成有接触孔，由这些接触孔构成图2所示的接触孔CHγ。

接触孔CHs的形成之后，如图10所示，在绝缘层IL1之上形成导电层CL2。导电层CL2与图4所示的第2下电极LE2(下电极LEγ)相同地包含金属层ML、第1导电性氧化物层OS1及第2导电性氧化物层OS2。导电层CL2也可以具有与图6所示的导电层CL1不同的厚度。此外，导电层CL2的第2导电性氧化物层OS2可以具有与导电层CL1的第2导电性氧化物层OS2不同的厚度。

接着，在导电层CL2之上配置与第2下电极LE2对应的形状的光致抗蚀剂，实施湿式蚀刻。由此，如图11所示，形成多个第2下电极LE2。接触孔CHs与第2下电极LE2重叠。第2下电极LE2通过接触孔CHs(CHγ)而与像素电路1连接。

在上述湿式蚀刻中，由绝缘层IL1保护第1下电极LE1。如上所述，若第1下电极LE1的第2导电性氧化物层OS2因绝缘层IL1形成时的热而结晶化，则第1下电极LE1可被更好地保护。

第2下电极LE2的形成之后，如图12所示，在绝缘层IL1及第2下电极LE2之上形成绝缘层IL2。绝缘层IL2例如为硅氮化物等的无机膜，能够由CVD形成。绝缘层IL2也可以通过涂布聚酰亚胺而形成。

绝缘层IL2的形成之后，如图13所示，将绝缘层IL2中的覆盖第1下电极LE1及第2下电极LE2的部分除去，从而形成肋部5。此外，将绝缘层IL1中的覆盖第1下电极LE1的部分除去，从而形成绝缘层13。

在绝缘层IL2由硅氮化物形成的情况下，例如通过将配置在绝缘层IL2之上的光致抗蚀剂作为掩模而实施反应性离子蚀刻，从而使绝缘层IL2图案化。此时，也能够通过该蚀刻将绝缘层IL1同时图案化。在绝缘层IL2由聚酰亚胺形成的情况下，能够利用光刻进行绝缘层IL2的图案化。

在通过蚀刻将绝缘层IL1、IL2同时图案化的情况下，也可以使绝缘层IL1(绝缘层13)的材料与绝缘层IL2(肋部5)的材料不同，以使得该蚀刻中的绝缘层IL1的蚀刻速度低于绝缘层IL2的蚀刻速度。由此，如图13所示，能够将绝缘层13及肋部5形成为随着朝向上方而宽度变窄的锥状。若绝缘层13及肋部5为这样的锥状，则能够抑制在其上形成的有机层ORα、ORβ、ORγ、上电极UEα、UEβ、UEγ因起因于绝缘层13及肋部5的阶差发生中断的情况。

在如上所述形成第1下电极LE1、第2下电极LE2、绝缘层13及肋部5之后，在肋部5之上形成隔壁6。此外，形成有机层ORα、ORβ、ORγ、上电极UEα、UEβ、UEγ、盖层CPα、CPβ、CPγ、密封层SEα、SEβ、SEγ、树脂层14、密封层15及树脂层16，从而完成图3所示的构造的显示装置DSP。

例如，当在子像素SPα上形成有机层ORα、上电极UEα及盖层CPα时，上述要素被蒸镀于整个基板。此时，利用悬臂状的隔壁6使上述要素中断。然后，形成密封层SEα，并利用蚀刻除去有机层ORα、上电极UEα、盖层CPα及密封层SEα之中位于子像素SPβ、SPγ的部分。配置于子像素SPβ、SPγ的要素也能够通过同样的工序形成。

在以上的本实施方式涉及的显示装置DSP中，配置于显示区域DA的多个下电极LE包含第1下电极LE1及第2下电极LE2。此外，第1下电极LE1的第1端部E1由绝缘层13覆盖，第2下电极LE2的第2端部E2位于绝缘层13之上。若为这样的构成，则即使在第1下电极LE1与第2下电极LE2的距离变窄的情况下，也能够抑制第1下电极LE1和第2下电极LE2的短路。作为结果，由于能够减小第1下电极LE1与第2下电极LE2的间隔，因此显示装置DSP的高开口率化或高精细化成为可能。

在下电极LE包含金属层ML、第1导电性氧化物层OS1及第2导电性氧化物层OS2的情况下，这些层均难以进行干式蚀刻，因此需要通过湿式蚀刻进行图案化。在此情况下，相对于用作掩模的光致抗蚀剂，蚀刻后的各层的端面被侧蚀1μm左右。因此，形成于同一层的下电极LE之间的距离为5μm左右是现实的尺寸，难以进一步缩小。与此相对，在本实施方式的构成中，能够将第1下电极LE1与第2下电极LE2的间隔减少至5μm以下，还能够实现1μm以下的间隔。

如图4的例子所示，若第1端部E1和第2端部E2位于隔壁6的下部61的下方，则由这些端部E1、E2产生的肋部5的阶差被下部61覆盖。由此，能够抑制由该阶差引起的上电极UEα、UEβ、UEγ的中断。此外，为了得到这样的端部E1、E2位于下部61的下方的构成，需要使下部61的宽度大于端部E1、E2的间隔。关于这一点，在本实施方式中，由于能减小端部E1、E2的间隔，因此作为结果也能够缩小下部61的宽度。

如图5的例子所示，在第1下电极LE1与第2下电极LE2在第1方向X上被交替配置的情况下，能够减小上述第1方向X上的距离。如图2所示，在接触孔CHα、CHβ、CHγ配置在第2方向Y上相邻的子像素SP之间的构成中，无需增大在第1方向X上相邻的子像素SP的间隔。因此，若为第1下电极LE1与第2下电极LE2在第1方向X交替配置的构成，则能充分减小在第1方向X上相邻的子像素SP的间隔。

需要说明的是，在本实施方式中例示了不同的层的2种下电极LE(第1下电极LE1及第2下电极LE2)被配置于显示区域DA的情况，但不同的层的3种以上的下电极LE也可以被配置在显示区域DA中。在此情况下，例如也可以使下电极LEα、LEβ、LEγ的层不同。

以上，以作为本发明的实施方式而说明的显示装置为基础，本领域技术人员进行适当设计变更而可实施的全部显示装置只要包含本发明的主旨则也属于本发明的范围。

在本发明的思想范围内，本领域技术人员能够想到各种变形例，这些变形例也属于本发明的范围。例如，本领域技术人员针对上述的各实施方式适当进行构成要素的追加、删除、或设计变更得到的内容或进行工序的追加、省略或条件变更得到的内容只要具备本发明的要旨，则也包含在本发明的范围内。

另外，关于由上述的各实施方式中描述的方式带来的其他作用效果，根据本说明书的记载明确的效果或本领域技术人员能够适当想到的效果，当然应当视为本发明所带来的效果。

Claims (14)

1.显示装置，其具备：

第1下电极，其具有第1端部；

绝缘层，其覆盖所述第1端部；

第2下电极，其具有位于所述绝缘层之上的第2端部；

第1上电极，其与所述第1下电极相对；

第2上电极，其与所述第2下电极相对；

第1有机层，其位于所述第1下电极与所述第1上电极之间，并相应于所述第1下电极与所述第1上电极的电位差而发光；和

第2有机层，其位于所述第2下电极与所述第2上电极之间，并相应于所述第2下电极与所述第2上电极的电位差而发光。

2.如权利要求1所述的显示装置，其还具备肋部，所述肋部具有与所述第1下电极重叠的第1开口、和与所述第2下电极重叠的第2开口，

所述第1端部及所述第2端部位于所述肋部的下方。

3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述绝缘层比所述肋部薄。

4.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述绝缘层和所述肋部由不同的材料形成。

5.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述肋部覆盖所述第2端部。

6.如权利要求2所述的显示装置，其还具备隔壁，所述隔壁具有：配置在所述肋部之上的下部；配置在所述下部之上并具有从所述下部的侧面突出的端部的上部。

7.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述第1端部及所述第2端部位于所述下部的下方。

8.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第1端部与所述第2端部之间的距离为5μm以下。

9.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第1下电极与所述第2下电极的厚度不同。

10.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第1下电极与所述第2下电极的面积不同。

11.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第1下电极及所述第2下电极分别具有金属层、和覆盖所述金属层的上表面的导电性氧化物层，

所述第1下电极的所述导电性氧化物层与所述第2下电极的所述导电性氧化物层的厚度不同。

12.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层具有与所述第2下电极重叠的接触孔。

13.如权利要求1所述的显示装置，其具备包含所述第1下电极的子像素与包含所述第2下电极的子像素在第1方向上交替地排列的显示区域。

14.如权利要求13所述的显示装置，其中，所述显示区域包含：分别包含所述第1下电极的多个子像素在与所述第1方向交叉的第2方向上排列的列；和分别包含所述第2下电极的多个子像素在所述第2方向上排列的列。