CN116568087A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示装置及其制造方法。一个实施方式涉及的显示装置具备：下电极；覆盖下电极的一部分并且具有与下电极重叠的开口的肋部；配置在肋部之上的隔壁；上电极，其与下电极相对，并与隔壁接触；有机层，其位于下电极与上电极之间，并相应于下电极与上电极的电位差而发光；和密封层，其位于上电极之上。隔壁具有配置在肋部之上的下部和配置在下部之上且具有从下部的侧面突出的端部的上部。下部包含由第1铝合金形成的第1铝层、和由纯铝或与第1铝合金不同的第2铝合金形成且配置在第1铝层之上的第2铝层。

Description

显示装置及其制造方法

关联申请的交叉参照

本申请基于2022年1月27日提出申请的日本专利申请第2022-011097号主张优先权，并引用该日本专利申请所记载的全部记载内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及显示装置及其制造方法。

背景技术

近年来，作为显示元件应用有机发光二极管(OLED)的显示装置被实用化。该显示元件具备下电极、覆盖下电极的有机层、和覆盖有机层的上电极。

在制造上述的显示装置的过程中，需要抑制可靠性降低的技术。

发明内容

总体来讲，根据实施方式，显示装置具备：下电极；肋部，其覆盖前述下电极的一部分并且具有与前述下电极重叠的开口；隔壁，其配置在前述肋部之上；上电极，其与前述下电极相对，并与前述隔壁接触；有机层，其位于前述下电极与前述上电极之间，并相应于前述下电极与前述上电极的电位差而发光；和密封层，其位于前述上电极之上。前述隔壁具有配置在前述肋部之上的下部、和配置在前述下部之上且具有从前述下部的侧面突出的端部的上部。前述下部包含由第1铝合金形成的第1铝层、和由纯铝或与前述第1铝合金不同的第2铝合金形成且配置在前述第1铝层之上的第2铝层。

此外，根据实施方式，制造方法是制造下述显示装置的方法：在相邻的子像素的边界配置有隔壁，前述隔壁包含下部、和配置在前述下部之上并具有从前述下部的侧面突出的端部的上部。该制造方法包括：由第1铝合金形成第1铝层；由纯铝或与前述第1铝合金不同的第2铝合金在前述第1铝层之上形成第2铝层；在前述第2铝层之上形成前述上部；通过各向异性蚀刻，除去前述第2铝层中的从前述上部露出的部分；通过各向同性蚀刻，减小位于前述上部的下方的前述第2铝层的宽度，并且将前述第1铝层中的从前述第2铝层露出的部分除去，从而形成前述下部。

根据上述这些构成，能够提高显示装置的可靠性。

附图说明

图1是示出一个实施方式涉及的显示装置的构成例的图。

图2是示出子像素的布局的一例的图。

图3是沿着图2中的III-III线的显示装置的示意性剖视图。

图4是隔壁的示意性剖视图。

图5是将隔壁的一部分放大后的示意性剖视图的一例。

图6是示出用于形成隔壁的制造工序的示意性剖视图。

图7是示出接着图6的制造工序的示意性剖视图。

图8是示出接着图7的制造工序的示意性剖视图。

图9是示出接着图8的制造工序的示意性剖视图。

图10是示出接着图9的制造工序的示意性剖视图。

图11是示出用于形成显示元件的制造工序的示意性剖视图。

图12是示出接着图11的制造工序的示意性剖视图。

图13是示出接着图12的制造工序的示意性剖视图。

具体实施方式

参照附图对一个实施方式进行说明。

公开只不过是一例，本领域技术人员能够容易想到的未脱离发明主旨的适当变更当然包含在本发明范围内。另外，附图是为了使说明更加明确，各部分的宽度、厚度、形状等存在与实际方式相比示意性表示的情况，但只不过是一例，并非限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对于与关于已出现的附图说明过的构成要素发挥相同或类似功能的构成要素，存在标注同一附图标记并适当省略重复的详细说明的情况。

需要说明的是，为了便于理解而根据需要在附图中记载有相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向X，将沿着Y轴的方向称为第2方向Y，将沿着Z轴的方向称为第3方向Z。将与第3方向Z平行地观察各种要素的情况称为俯视。

本实施方式涉及的显示装置是作为显示元件具备有机发光二极管(OLED)的有机电致发光显示装置，能够搭载于电视、个人电脑、车载设备、平板电脑终端、智能手机、移动电话终端等。

图1是示出本实施方式涉及的显示装置DSP的构成例的图。显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA和显示区域DA周边的周边区域SA。基板10可以是玻璃，也可以是具有挠性的树脂膜。

在本实施方式中，俯视观察的基板10的形状为长方形。但是，基板10的俯视观察的形状不限于长方形，也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。

显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上以矩阵状排列的多个像素PX。像素PX包含多个子像素SP。在一例中，像素PX包含红色的子像素SP1、绿色的子像素SP2及蓝色的子像素SP3。需要说明的是，像素PX也可以与子像素SP1、SP2、SP3一起或取代子像素SP1、SP2、SP3中的任一者而包含白色等其他颜色的子像素SP。

子像素SP具备像素电路1和由像素电路1驱动的显示元件20。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3是由例如薄膜晶体管构成的开关元件。

像素开关2的栅电极与扫描线GL连接。像素开关2的源电极及漏电极中的一者与信号线SL连接，另一者与驱动晶体管3的栅电极及电容器4连接。在驱动晶体管3中，源电极及漏电极中的一者与电源线PL及电容器4连接，另一者与显示元件20连接。

需要说明的是，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。

显示元件20是作为发光元件的有机发光二极管(OLED)。例如，子像素SP1具备发出红色波长区域的光的显示元件20，子像素SP2具备发出绿色波长区域的光的显示元件20，子像素SP3具备发出蓝色波长区域的光的显示元件20。

图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。在图2的例子中，子像素SP1和子像素SP2在第2方向Y上排列。此外，子像素SP1、SP2分别与子像素SP3在第1方向X上排列。

在子像素SP1、SP2、SP3为这种布局的情况下，在显示区域DA中形成有子像素SP1、SP2在第2方向Y上交替配置的列和多个子像素SP3在第2方向Y上重复配置的列。这些列在第1方向X上交替排列。

需要说明的是，子像素SP1、SP2、SP3的布局不限于图2的例子。作为另一例，各像素PX中的子像素SP1、SP2、SP3也可以在第1方向X上依次排列。

显示区域DA中配置有肋部5及隔壁6。肋部5在子像素SP1、SP2、SP3处分别具有开口AP1、AP2、AP3。在图2的例子中，开口AP2比开口AP1大，开口AP3比开口AP2大。

隔壁6配置在相邻的子像素SP的边界，在俯视观察时与肋部5重叠。隔壁6具有沿第1方向X延伸的多个第1隔壁6x、和沿第2方向Y延伸的多个第2隔壁6y。多个第1隔壁6x分别配置于在第2方向Y上相邻的开口AP1、AP2之间和在第2方向Y上相邻的2个开口AP3之间。第2隔壁6y分别配置于在第1方向X上相邻的开口AP1、AP3之间和在第1方向X上相邻的开口AP2、AP3之间。

在图2的例子中，第1隔壁6x与第2隔壁6y相互连接。由此，隔壁6整体为包围开口AP1、AP2、AP3的格子状。隔壁6也可以与肋部5同样地在子像素SP1、SP2、SP3中具有开口。

子像素SP1具备分别与开口AP1重叠的下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1。子像素SP2具备分别与开口AP2重叠的下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2。子像素SP3具备分别与开口AP3重叠的下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3。在图2的例子中，上电极UE1及有机层OR1的外形一致，上电极UE2及有机层OR2的外形一致，上电极UE3及有机层OR3的外形一致。

下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1构成子像素SP1的显示元件20。下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2构成子像素SP2的显示元件20。下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3构成子像素SP3的显示元件20。

下电极LE1通过接触孔CH1与子像素SP1的像素电路1(参见图1)连接。下电极LE2通过接触孔CH2与子像素SP2的像素电路1连接。下电极LE3通过接触孔CH3与子像素SP3的像素电路1连接。

在图2的例子中，接触孔CH1、CH2与在第2方向Y上相邻的开口AP1、AP2之间的第1隔壁6x整体地重叠。接触孔CH3与在第2方向Y上相邻的2个开口AP3之间的第1隔壁6x整体地重叠。作为另一例，接触孔CH1、CH2、CH3的至少一部分也可以不与第1隔壁6x重叠。

在图2的例子中，下电极LE1、LE2分别具有凸部PR1、PR2。凸部PR1从下电极LE1的主体(与开口AP1重叠的部分)向接触孔CH1突出。凸部PR2从下电极LE2的主体(与开口AP2重叠的部分)向接触孔CH2突出。接触孔CH1、CH2分别与凸部PR1、PR2重叠。

图3是沿着图2中的III-III线的显示装置DSP的示意性剖视图。在上述基板10之上配置有电路层11。电路层11包含图1所示的像素电路1、扫描线GL、信号线SL及电源线PL等各种电路、布线。电路层11由绝缘层12覆盖。绝缘层12作为使由电路层11产生的凹凸平坦化的平坦化膜发挥作用。虽然图3的截面中未示出，但上述接触孔CH1、CH2、CH3设置于绝缘层12。

下电极LE1、LE2、LE3配置于绝缘层12之上。肋部5配置在绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3之上。下电极LE1、LE2、LE3的端部由肋部5覆盖。

隔壁6包含配置于肋部5之上的下部61、和覆盖下部61的上表面的上部62。上部62具有比下部61大的宽度。由此，在图3中，上部62的两端部比下部61的侧面突出。这样的隔壁6的形状被称为悬臂状。

图2所示的有机层OR1包含相互分离的第1有机层OR1a及第2有机层OR1b。另外，图2所示的上电极UE1包含相互分离的第1上电极UE1a及第2上电极UE1b。如图3所示，第1有机层OR1a通过开口AP1与下电极LE1接触，并且覆盖肋部5的一部分。第2有机层OR1b位于上部62之上。第1上电极UE1a与下电极LE1相对，并且覆盖第1有机层OR1a。并且，第1上电极UE1a与下部61的侧面接触。第2上电极UE1b位于隔壁6的上方，并覆盖第2有机层OR1b。

图2所示的有机层OR2包含相互分离的第1有机层OR2a及第2有机层OR2b。另外，图2所示的上电极UE2包含相互分离的第1上电极UE2a及第2上电极UE2b。如图3所示，第1有机层OR2a通过开口AP2与下电极LE2接触，并且覆盖肋部5的一部分。第2有机层OR2b位于上部62之上。第1上电极UE2a与下电极LE2相对，并且覆盖第1有机层OR2a。并且，第1上电极UE2a与下部61的侧面接触。第2上电极UE2b位于隔壁6的上方，并覆盖第2有机层OR2b。

图2所示的有机层OR3包含相互分离的第1有机层OR3a及第2有机层OR3b。另外，图2所示的上电极UE3包含相互分离的第1上电极UE3a及第2上电极UE3b。如图3所示，第1有机层OR3a通过开口AP3与下电极LE3接触，并且覆盖肋部5的一部分。第2有机层OR3b位于上部62之上。第1上电极UE3a与下电极LE3相对，并覆盖第1有机层OR3a。并且，第1上电极UE3a与下部61的侧面接触。第2上电极UE3b位于隔壁6的上方，并覆盖第2有机层OR3b。

在图3的例子中，子像素SP1、SP2、SP3包含用于调整有机层OR1、OR2、OR3的发光层发出的光的光学特性的盖层CP1、CP2、CP3。

盖层CP1包含相互分离的第1盖层CP1a及第2盖层CP1b。第1盖层CP1a位于开口AP1，并配置在第1上电极UE1a之上。第2盖层CP1b位于隔壁6的上方，并配置在第2上电极UE1b之上。

盖层CP2包含相互分离的第1盖层CP2a及第2盖层CP2b。第1盖层CP2a位于开口AP2，并配置在第1上电极UE2a之上。第2盖层CP2b位于隔壁6的上方，并配置在第2上电极UE2b之上。

盖层CP3包含相互分离的第1盖层CP3a及第2盖层CP3b。第1盖层CP3a位于开口AP3，并配置在第1上电极UE3a之上。第2盖层CP3b位于隔壁6的上方，并配置在第2上电极UE3b之上。

在子像素SP1、SP2、SP3上分别配置有密封层SE1、SE2、SE3。密封层SE1连续地覆盖包含第1盖层CP1a、隔壁6及第2盖层CP1b的子像素SP1的各构件。密封层SE2连续地覆盖包含第1盖层CP2a、隔壁6及第2盖层CP2b的子像素SP2的各构件。密封层SE3连续地覆盖包含第1盖层CP3a、隔壁6及第2盖层CP3b的子像素SP3的各构件。

在图3的例子中，子像素SP1、SP3之间的隔壁6上的第2有机层OR1b、第2上电极UE1b、第2盖层CP1b及密封层SE1与该隔壁6上的第2有机层OR3b、第2上电极UE3b、第2盖层CP3b及密封层SE3分离。另外，子像素SP2、SP3之间的隔壁6上的第2有机层OR2b、第2上电极UE2b、第2盖层CP2b及密封层SE2与该隔壁6上的第2有机层OR3b、第2上电极UE3b、第2盖层CP3b及密封层SE3分离。

密封层SE1、SE2、SE3由树脂层13覆盖。树脂层13由密封层14覆盖。并且，密封层14由树脂层15覆盖。

绝缘层12及树脂层13、15由有机材料形成。肋部5及密封层14、SE1、SE2、SE3由例如硅氮化物(SiNx)等无机材料形成。

隔壁6的下部61具有导电性。隔壁6的上部62也可以具有导电性。下电极LE1、LE2、LE3可以由ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)等透明的导电性氧化物形成，也可以具有银(Ag)等金属材料与导电性氧化物的层叠结构。上电极UE1、UE2、UE3由例如镁与银的合金(MgAg)等金属材料形成。上电极UE1、UE2、UE3也可以由ITO等导电性氧化物形成。

在下电极LE1、LE2、LE3的电位与上电极UE1、UE2、UE3的电位相比相对高的情况下，下电极LE1、LE2、LE3相当于阳极、上电极UE1、UE2、UE3相当于阴极。另外，在上电极UE1、UE2、UE3的电位与下电极LE1、LE2、LE3的电位相比相对高的情况下，上电极UE1、UE2、UE3相当于阳极、下电极LE1、LE2、LE3相当于阴极。

有机层OR1、OR2、OR3包含成对的功能层和配置在这些功能层之间的发光层。作为一例，有机层OR1、OR2、OR3具有依次层叠有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层的结构。

盖层CP1、CP2、CP3例如由透明的多个薄膜的多层体形成。就多层体而言，作为多个薄膜，可以包含由无机材料形成的薄膜和由有机材料形成的薄膜。另外，这些多个薄膜具有彼此不同的折射率。构成多层体的薄膜的材料与上电极UE1、UE2、UE3的材料不同，并且与密封层SE1、SE2、SE3的材料也不同。需要说明的是，也可以省略盖层CP1、CP2、CP3。

隔壁6被供给公共电压。该公共电压分别被供给至与下部61的侧面接触的第1上电极UE1a、UE2a、UE3a。下电极LE1、LE2、LE3经由子像素SP1、SP2、SP3各自所具有的像素电路1而被供给像素电压。

当在下电极LE1与上电极UE1之间形成电位差时，第1有机层OR1a的发光层发出红色波长区域的光。当在下电极LE2与上电极UE2之间形成电位差时，第1有机层OR2a的发光层发出绿色波长区域的光。当在下电极LE3与上电极UE3之间形成电位差时，第1有机层OR3a的发光层发出蓝色波长区域的光。

作为另一例，有机层OR1、OR2、OR3的发光层也可以发出同一颜色(例如白色)的光。在该情况下，显示装置DSP也可以具备用于将发光层发出的光转换为与子像素SP1、SP2、SP3对应的颜色的光的滤色部。另外，显示装置DSP也可以具备包含量子点的层，其中，该量子点由发光层发出的光激发而生成与子像素SP1、SP2、SP3对应的颜色的光。

图4为隔壁6的示意性放大剖视图。在该图中，省略了肋部5、隔壁6、绝缘层12及一对下电极LE以外的要素。一对下电极LE与上述下电极LE1、LE2、LE3中的任一者相当。上述第1隔壁6x及第2隔壁6y具有与图4所示的隔壁6同样的结构。

在图4的例子中，隔壁6的下部61包含配置在肋部5之上的阻隔层600、配置在阻隔层600之上的第1铝层611、和配置在第1铝层611之上的第2铝层612。第2铝层612形成为比阻隔层600及第1铝层611厚。

上部62比下部61薄。在图4的例子中，上部62包含配置在第2铝层612之上的第1层621、和覆盖第1层621的第2层622。

在图4的例子中，下部61的宽度随着接近上部62而变小。即，下部61的侧面61a、61b相对于第3方向Z倾斜。上部62具有从侧面61a突出的端部62a、和从侧面61b突出的端部62b。

端部62a、62b从侧面61a、61b的突出量D例如为2.0μm以下，比下部61的厚度小。在此，突出量D与从侧面61a、61b的下端(阻隔层600)至端部62a、62b为止的隔壁6的宽度方向(第1方向X或第2方向Y)上的距离相当。

阻隔层600例如由钼(Mo)、钼-钨合金(MoW)或铜(Cu)形成。第1层621例如由钛(Ti)形成。第2层622例如由ITO、IZO或IGZO等导电性氧化物、或硅氧化物(SiO)形成。

隔壁6也可以不具有阻隔层600。另外，上部62也可以具有单层结构。这样的单层结构的上部62例如能够由钛形成。

第1铝层611由第1铝合金形成。第2铝层612由纯铝(Al)或与第1铝合金不同的第2铝合金形成。作为第1铝合金，例如能够使用铝-钕合金(AlNd)或铝-钇合金(AlY)。另外，作为第2铝合金，例如能够使用铝-硅合金(AlSi)。

第1铝层611的厚度为0.01μm以上且为第1铝层611及第2铝层612的合计厚度的30％以下是优选的。在一例中，第1铝层611由铝-钕合金形成为0.05μm的厚度，第2铝层612由纯铝形成为0.85μm的厚度。另外，阻隔层600由钼形成为0.05μm的厚度，第1层621由钛形成为0.10μm的厚度，第2层622由ITO形成为0.05μm的厚度。

图5是将隔壁6的一部分放大后的示意性剖视图的一例。在该图中，除了隔壁6之外，还示出了肋部5、下电极LE1、第1有机层OR1a、第1上电极UE1a、第1盖层CP1a、第2有机层OR1b、第2上电极UE1b及第2盖层CP1b。

如图5所示，下部61的侧面61a具有微细的凹凸。或者，侧面61a具有粗糙度(日文：ざらつき)。该凹凸例如形成在侧面61a的第1铝层611及第2铝层612的表面。从另一观点来看，和与第2铝层612接触的第1铝层611的上表面、与该上表面接触的第2铝层612的下表面、与第1层621接触的第2铝层612的上表面、与阻隔层600接触的第1铝层611的下表面、与该下表面接触的阻隔层600的上表面、或肋部5的上表面等相比，侧面61a的至少一部分具有大的粗糙度。

第1上电极UE1a与侧面61a之中的包含凹凸的区域接触。由此，第1上电极UE1a与下部61的接触面积增大，能够确保下部61与第1上电极UE1a的良好的导通。

虽然在图5中着眼于侧面61a，但侧面61b也具有同样的凹凸。并且，通过这样的凹凸，还能够确保第1上电极UE2a、UE3a与下部61的良好的导通。需要说明的是，在上述图5中，示出了侧面61a具有微细的凹凸的例子，但不限于此，下部61的侧面61a、61b也可以是光滑的表面或平坦的表面。在该情况下，只要通过后述的制造方法形成第1上电极UE1a，就能够确保良好的导通。

接着，对显示装置DSP的制造方法进行说明。

图6至图10是示出显示装置DSP的制造方法中的主要用于形成隔壁6的工序的示意性剖视图。首先，如图6所示，在基板10的上方依次形成电路层11、绝缘层12、下电极LE及肋部5。

接着，如图7所示，形成覆盖肋部5及下电极LE的阻隔层600a，在阻隔层600a之上形成第1铝层611a，在第1铝层611a之上形成第2铝层612a，在第2铝层612a之上形成第1层621a，在第1层621a之上形成第2层622a。阻隔层600a、第1铝层611a、第2铝层612a、第1层621a及第2层622a的形成中能够使用溅射。

此外，如图7所示，在第2层622a之上形成抗蚀剂R1。抗蚀剂R1被图案化为在俯视观察时与隔壁6相同的形状。

接着，如图8所示，以抗蚀剂R1为掩模进行蚀刻，除去第2层622a中的从抗蚀剂R1露出的部分。由此，形成图4所示形状的第2层622。在以下的说明中，将第2铝层612a中的从抗蚀剂R1及第2层622露出的部分(在第3方向Z上不重叠的部分)称为第1部分P1。另外，将第2铝层612a中的位于抗蚀剂R1及第2层622的下方的部分称为第2部分P2。

在本实施方式中，对第1铝层611a及第2铝层612a实施两种蚀刻，从而形成为图4所示的形状的隔壁6。具体而言，进行图9所示的各向异性干式蚀刻、和图10所示的各向同性湿式蚀刻。

如图9所示，在各向异性干式蚀刻中，除去第1层621a中的从抗蚀剂R1及第2层622露出的部分。由此，形成图4所示形状的包含第1层621及第2层622的上部62。

此外，在各向异性干式蚀刻中，除去第1部分P1。第1铝层611a相对于第2铝层612a具有高的蚀刻选择性。即，各向异性干式蚀刻中的第1铝层611a的蚀刻速度比各向异性干式蚀刻中的第2铝层612a的蚀刻速度慢。由此，第1铝层611a作为各向异性干式蚀刻的蚀刻终止层(etching stopper)发挥作用。各向异性干式蚀刻在第1铝层611a未被完全除去的状态下停止。

根据各向异性干式蚀刻的条件，如图9所示，在蚀刻中抗蚀剂R1的宽度有可能降低。即使在该情况下，通过使用例如对各向异性干式蚀刻具有高耐性的导电性氧化物等材料形成第2层622，也能够防止上部62的宽度的降低。

在各向同性湿式蚀刻中，如图10所示，通过除去第2部分P2中的位于上部62的端部62a、62b的下方的部分，可减小第2部分P2的宽度。并且，第1铝层611a及阻隔层600a中的从第2铝层612a露出的部分被除去。由此，形成图4所示的形状的包含阻隔层600、第1铝层611及第2铝层612的下部61。图5所示的侧面61a的凹凸例如通过各向同性湿式蚀刻形成。

通过各向同性湿式蚀刻减小第2部分P2的宽度的量可根据隔壁6所要求的形状而改变。在一例中，在各向同性湿式蚀刻中，以上述突出量D为2.0μm以下、或比下部61的厚度小的方式减小第2部分P2的宽度。在各向同性湿式蚀刻中，例如可使用包含磷酸、硝酸及乙酸的蚀刻液。

经过图6至图10的工序而完成隔壁6之后，除去抗蚀剂R1。此外，对子像素SP1、SP2、SP3执行用于形成显示元件20的工序。

图11至图13是示出显示装置DSP的制造方法中的主要用于形成显示元件20的工序的示意性剖视图。这些图中示出的子像素SPα、SPβ、SPγ与子像素SP1、SP2、SP3中的任一者相当。

如上所述地形成隔壁6之后，如图11所示，对基板整体依次通过蒸镀形成有机层OR、上电极UE、盖层CP及密封层SE。有机层OR包含发出与子像素SPα对应的颜色的光的发光层。通过悬臂状的隔壁6，有机层OR被分割为覆盖下电极LE的第1有机层ORa和隔壁6上的第2有机层ORb，上电极UE被分割为覆盖第1有机层ORa的第1上电极UEa和覆盖第2有机层ORb的第2上电极UEb，盖层CP被分割为覆盖第1上电极UEa的第1盖层CPa和覆盖第2上电极UEb的第2盖层CPb。第1上电极UEa与隔壁6的下部61接触。密封层SE连续地覆盖第1盖层CPa、第2盖层CPb及隔壁6。

接着，如图12所示，在密封层SE之上形成抗蚀剂R2。抗蚀剂R2覆盖子像素SPα。即，抗蚀剂R2配置在位于子像素SPα的位置的第1有机层ORa、第1上电极UEa及第1盖层CPa的正上方。抗蚀剂R2也位于子像素SPα、SPβ间的隔壁6上的第2有机层ORb、第2上电极UEb及第2盖层CPb中的靠近子像素SPα的部分的正上方。

此外，通过以抗蚀剂R2为掩模的蚀刻，如图13所示，有机层OR、上电极UE、盖层CP及密封层SE中的从抗蚀剂R2露出的部分被除去。由此，在子像素SPα中形成包含下电极LE、第1有机层ORa、第1上电极UEa及第1盖层CPa的显示元件20。另一方面，在子像素SPβ、SPγ中露出下电极LE。该蚀刻是使用例如CF4或CF6这样的蚀刻气体的干式蚀刻。

然后，除去抗蚀剂R2，依次执行用于形成子像素SPβ、SPγ的显示元件20的工序。这些工序与针对子像素SPα而上述的工序是同样的。

通过针对以上的子像素SPα、SPβ、SPγ所例示的工序来形成子像素SP1、SP2、SP3的显示元件20，进而形成树脂层13、密封层14及树脂层15，从而完成图3所示的显示装置DSP。

为了提高显示装置DSP的可靠性，需要在形成良好的悬臂状的隔壁6的基础上形成显示元件20。通常，在显示装置DSP的整体上均匀性及再现性良好地形成悬臂状的隔壁6并不容易。例如，在隔壁6的下部61整体由纯铝形成的情况下，如果在形成于基板整体的铝层之上配置隔壁6的上部62和抗蚀剂并实施湿式蚀刻，则能除去铝层中的从抗蚀剂露出的部分，并且使铝层中的位于抗蚀剂之下的部分的宽度减小而得到悬臂状的隔壁6。然而，在这样仅通过湿式蚀刻形成隔壁6的情况下，受到蚀刻液流动的方向、流量的不均匀性的影响，下部的宽度容易产生大的偏差。另外，下部61的宽度大大减小，难以实现例如突出量D成为下部61的厚度以下的结构。

与此相对，如本实施方式这样，在首先实施各向异性干式蚀刻来除去从抗蚀剂R1露出的铝层(第2铝层612)，通过其后的各向同性湿式蚀刻减小该铝层的宽度的情况下，能够在基板整体中抑制下部61的宽度的偏差。

此外，在本实施方式中，下部61具有第1铝层611和第2铝层612。第1铝层611和第2铝层612均以铝为主成分，但由于是不同的材质，因此发挥对于各向异性干式蚀刻的选择性。由此，使第1铝层611作为蚀刻终止层发挥作用，能够抑制第1铝层611的下方的各层暴露于各向异性干式蚀刻。例如，当由钼形成的阻隔层600暴露于各向异性干式蚀刻时，在蚀刻装置的腔室中可产生由钼引起的污染。在本实施方式中，由于阻隔层600不暴露于各向异性干式蚀刻，因此能够抑制这样的污染的产生。

需要说明的是，例如即使在隔壁的下部整体由纯铝形成的情况下，若未完全除去形成于基板整体的铝层中的从抗蚀剂露出的部分，而残留一部分来停止各向异性干式蚀刻，则能够保护阻隔层600等不受各向异性干式蚀刻的影响。然而，在该情况下，难以精确地控制各向异性干式蚀刻的停止时刻，实用上至少需要将铝层残留为比原来厚度的30％大。因此，在之后的各向同性湿式蚀刻中难以精确地控制铝层被除去的量。

与此相对，在如本实施方式这样将第1铝层611用作各向异性干式蚀刻的蚀刻终止层的情况下，该蚀刻的停止时刻的控制容易，能将在该蚀刻中应残留的铝层的厚度(即第1铝层611的厚度)减小至例如30％以下。由此，能够精确地控制在之后的各向同性湿式蚀刻中第2铝层612被除去的量。

基于在此例示出的各种效果，根据本实施方式，能够提供可靠性优异的显示装置DSP及其制造方法。

以上，以作为本发明的实施方式而说明的显示装置及制造方法为基础，本领域技术人员进行适当设计变更而可实施的全部显示装置及制造方法只要包含本发明的主旨则也属于本发明的范围。

在本发明的思想范畴内，本领域技术人员可想到各种变形例，这些变形例也被理解为属于本发明的范围。例如，对于上述各实施方式，本领域技术人员适当地进行了构成要素的追加、削除或设计变更的实施方式，或进行了工序的追加、省略或条件变更的实施方式，只要具备本发明的主旨，则也包含于本发明的范围。

另外，就上述各实施方式中说明的方式所带来的其他作用效果而言，根据本说明书的记载所能明确的或本领域技术人员能够适当想到的作用效果当然应视为本发明带来的作用效果。

Claims (15)

1.显示装置，其具备：

下电极；

肋部，其覆盖所述下电极的一部分并且具有与所述下电极重叠的开口；

隔壁，其配置在所述肋部之上；

上电极，其与所述下电极相对，并与所述隔壁接触；

有机层，其位于所述下电极与所述上电极之间，并相应于所述下电极与所述上电极的电位差而发光；和

密封层，其位于所述上电极之上，

所述隔壁具有配置在所述肋部之上的下部、和配置在所述下部之上且具有从所述下部的侧面突出的端部的上部，

所述下部包含由第1铝合金形成的第1铝层、和由纯铝或与所述第1铝合金不同的第2铝合金形成且配置在所述第1铝层之上的第2铝层。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第1铝合金为铝-钕合金或铝-钇合金。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第2铝合金为铝-硅合金。

4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第1铝层的厚度为所述第1铝层及所述第2铝层的合计厚度的30％以下。

5.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述下部还具备位于所述肋部与所述第1铝层之间的阻隔层。

6.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述阻隔层由钼、钼-钨合金及铜中的任一者形成。

7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述上部包含导电性氧化物及钛中的至少一者。

8.如权利要求7所述的显示装置，其中，所述上部包含由钛形成的第1层和由导电性氧化物形成的第2层。

9.如权利要求8所述的显示装置，其中，所述第2层覆盖所述第1层。

10.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述下部的侧面具有凹凸。

11.显示装置的制造方法，其为在相邻的子像素的边界配置有隔壁的显示装置的制造方法，所述隔壁包含下部、和配置在所述下部之上并具有从所述下部的侧面突出的端部的上部，所述制造方法包括：

由第1铝合金形成第1铝层；

由纯铝或与所述第1铝合金不同的第2铝合金在所述第1铝层之上形成第2铝层；

在所述第2铝层之上形成所述上部；

通过各向异性蚀刻除去所述第2铝层中的从所述上部露出的部分；

通过各向同性蚀刻，减小位于所述上部的下方的所述第2铝层的宽度，并且将所述第1铝层中的从所述第2铝层露出的部分除去，从而形成所述下部。

12.如权利要求11所述的显示装置的制造方法，其中，所述各向异性蚀刻中的所述第1铝层的蚀刻速度比所述各向异性蚀刻中的所述第2铝层的蚀刻速度慢。

13.如权利要求11所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1铝合金为铝-钕合金或铝-钇合金。

14.如权利要求11所述的显示装置的制造方法，其中，所述第2铝合金为铝-硅合金。

15.如权利要求11所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1铝层的厚度为所述第1铝层及所述第2铝层的合计厚度的30％以下。