JP2023106167A - 表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性を向上することが可能な表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、第１副画素、第２副画素、及び、第３副画素に亘って第１薄膜を形成し、第２副画素の第１薄膜を除去し、第１副画素、第２副画素、及び、第３副画素に亘って第２薄膜を形成し、第１副画素及び第３副画素の前記第２薄膜を除去し、第３副画素の第１薄膜を除去し、第１副画素、第２副画素、及び、第３副画素に亘って第３薄膜を形成し、第１副画素及び第２副画素の第３薄膜を除去する。【選択図】図５

Description

本発明の実施形態は、表示装置の製造方法に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子は、水分によって劣化しやすい。このため、表示素子を確実に封止する技術が必要とされている。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号

本発明の目的は、信頼性を向上することが可能な表示装置の製造方法を提供することにある。

一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
第１副画素、第２副画素、及び、第３副画素を有する処理基板を用意し、前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、第１発光層を含む第１薄膜を形成し、前記第２副画素の前記第１薄膜を露出するとともに前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を覆う第１レジストを形成し、前記第１レジストをマスクとして前記第２副画素の前記第１薄膜を除去し、前記第１レジストを除去し、前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、第２発光層を含む第２薄膜を形成し、前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第２薄膜を露出するとともに前記第２副画素の前記第２薄膜を覆う第２レジストを形成し、前記第２レジストをマスクとして前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第２薄膜を除去し、前記第２レジストを除去し、前記第３副画素の前記第１薄膜を露出するとともに前記第１副画素の前記第１薄膜及び前記第２副画素の前記第２薄膜を覆う第３レジストを形成し、前記第３レジストをマスクとして前記第３副画素の前記第１薄膜を除去し、前記第３レジストを除去し、前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、第３発光層を含む第３薄膜を形成し、前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第３薄膜を露出するとともに前記第３副画素の前記第３薄膜を覆う第４レジストを形成し、前記第４レジストをマスクとして前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第３薄膜を除去し、前記第４レジストを除去する。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。 図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。 図４は、表示素子２０の構成の一例を示す図である。 図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。 図６は、薄膜形成工程の一例を説明するためのフロー図である。 図７は、処理基板ＳＵＢを用意する工程を説明するための図である。 図８は、第１薄膜３１を形成する工程を説明するための図である。 図９は、第１レジスト４１を形成する工程を説明するための図である。 図１０は、第１レジスト４１をマスクとしてエッチングする工程を説明するための図である。 図１１は、第１レジスト４１を除去する工程を説明するための図である。 図１２は、第２薄膜３２を形成する工程を説明するための図である。 図１３は、第２レジスト４２を形成する工程を説明するための図である。 図１４は、第２レジスト４２をマスクとしてエッチングする工程を説明するための図である。 図１５は、第２レジスト４２を除去する工程を説明するための図である。 図１６は、第３レジスト４３を形成する工程を説明するための図である。 図１７は、第３レジスト４３をマスクとしてエッチングする工程を説明するための図である。 図１８は、第３レジスト４３を除去する工程を説明するための図である。 図１９は、第３薄膜３３を形成する工程を説明するための図である。 図２０は、第４レジスト４４を形成する工程を説明するための図である。 図２１は、第４レジスト４４をマスクとしてエッチングする工程を説明するための図である。 図２２は、第４レジスト４４を除去する工程を説明するための図である。

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および青色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。例えば、副画素ＳＰ１は赤色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ２は緑色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ３は青色の波長域の光を放つ表示素子２０を備えている。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ１，ＳＰ２がそれぞれ副画素ＳＰ３と第１方向Ｘに並んでいる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１，ＳＰ２が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、開口ＡＰ２が開口ＡＰ１よりも大きく、開口ＡＰ３が開口ＡＰ２よりも大きい。

隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ３の間、および、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ２，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙは、互いに接続されている。これにより、隔壁６は、全体として開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。

図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、および、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のそれぞれの周縁部は、リブ５に重なっている。上電極ＵＥ１の外形は有機層ＯＲ１の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。上電極ＵＥ２の外形は有機層ＯＲ２の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。上電極ＵＥ３の外形は有機層ＯＲ３の外形とほぼ一致し、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３のそれぞれの周縁部は、隔壁６に重なっている。

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子２０のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子２０のカソード、あるいは、共通電極に相当する。

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された下部（茎）６１と、下部６１の上面を覆う上部（笠）６２と、を含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。

図２に示した有機層ＯＲ１は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ１ａおよび第２部分ＯＲ１ｂを含む。第１部分ＯＲ１ａは、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、下電極ＬＥ１を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ１ｂは、上部６２の上に位置している。
また、図２に示した上電極ＵＥ１は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ１ａおよび第２部分ＵＥ１ｂを含む。第１部分ＵＥ１ａは、下電極ＬＥ１と対向するとともに、第１部分ＯＲ１ａの上に位置している。さらに、第１部分ＵＥ１ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ１ｂの上に位置している。

図２に示した有機層ＯＲ２は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ２ａおよび第２部分ＯＲ２ｂを含む。第１部分ＯＲ２ａは、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、下電極ＬＥ２を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ２ｂは、上部６２の上に位置している。
また、図２に示した上電極ＵＥ２は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ２ａおよび第２部分ＵＥ２ｂを含む。第１部分ＵＥ２ａは、下電極ＬＥ２と対向するとともに、第１部分ＯＲ２ａの上に位置している。さらに、第１部分ＵＥ２ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ２ｂの上に位置している。

図２に示した有機層ＯＲ３は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＯＲ３ａおよび第２部分ＯＲ３ｂを含む。第１部分ＯＲ３ａは、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、下電極ＬＥ３を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。第２部分ＯＲ３ｂは、上部６２の上に位置している。
また、図２に示した上電極ＵＥ３は、図３に示すように、互いに離間した第１部分ＵＥ３ａおよび第２部分ＵＥ３ｂを含む。第１部分ＵＥ３ａは、下電極ＬＥ３と対向するとともに、第１部分ＯＲ３ａの上に位置している。さらに、第１部分ＵＥ３ａは、下部６１の側面に接触している。第２部分ＵＥ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＯＲ３ｂの上に位置している。

図３に示す例では、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層（光学調整層）ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３を含む。

キャップ層ＣＰ１は、互いに離間した第１部分ＣＰ１ａおよび第２部分ＣＰ１ｂを含む。第１部分ＣＰ１ａは、開口ＡＰ１に位置し、第１部分ＵＥ１ａの上に位置している。第２部分ＣＰ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ１ｂの上に位置している。

キャップ層ＣＰ２は、互いに離間した第１部分ＣＰ２ａおよび第２部分ＣＰ２ｂを含む。第１部分ＣＰ２ａは、開口ＡＰ２に位置し、第１部分ＵＥ２ａの上に位置している。第２部分ＣＰ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ２ｂの上に位置している。

キャップ層ＣＰ３は、互いに離間した第１部分ＣＰ３ａおよび第２部分ＣＰ３ｂを含む。第１部分ＣＰ３ａは、開口ＡＰ３に位置し、第１部分ＵＥ３ａの上に位置している。第２部分ＣＰ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２部分ＵＥ３ｂの上に位置している。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、第１部分ＣＰ１ａ、隔壁６、及び、第２部分ＣＰ１ｂを含む副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、第１部分ＣＰ２ａ、隔壁６、及び、第２部分ＣＰ２ｂを含む副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、第１部分ＣＰ３ａ、隔壁６、及び、第２部分ＣＰ３ｂを含む副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の第２部分ＯＲ１ｂ、第２部分ＵＥ１ｂ、第２部分ＣＰ１ｂ、及び、封止層ＳＥ１と、当該隔壁６上の第２部分ＯＲ３ｂ、第２部分ＵＥ３ｂ、第２部分ＣＰ３ｂ、及び、封止層ＳＥ３とが離間している。また、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６上の第２部分ＯＲ２ｂ、第２部分ＵＥ２ｂ、第２部分ＣＰ２ｂ、及び、封止層ＳＥ２と、当該隔壁６上の第２部分ＯＲ３ｂ、第２部分ＵＥ３ｂ、第２部分ＣＰ３ｂ、及び、封止層ＳＥ３とが離間している。

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。さらに、封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。

絶縁層１２は、有機材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機材料で形成されている。無機材料で形成されたリブ５の厚さは、隔壁６や絶縁層１２の厚さに比べて十分に小さい。一例では、リブ５の厚さは２００ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下である。

隔壁６の下部６１は、導電材料によって形成されている。隔壁６の下部６１及び上部６２がいずれも導電性を有してもよい。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）などの金属材料と透明導電材料の積層構造を有してもよい。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位が上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位よりも相対的に高い場合、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がカソードに相当する。また、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位が下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位よりも相対的に高い場合、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がアノードに相当し、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がカソードに相当する。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の機能層と、発光層と、を含む。但し、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々に含まれる発光層は、互いに異なる波長域の光を放つ材料によって形成されている。

キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、例えば、透明な薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいてもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、省略してもよい。

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した各上電極の第１部分ＵＥ１ａ，ＵＥ２ａ，ＵＥ３ａにそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１のうちの第１部分ＯＲ１ａの発光層が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２のうちの第１部分ＯＲ２ａの発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３のうちの第１部分ＯＲ３ａの発光層が青色の波長域の光を放つ。

他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

図４は、表示素子２０の構成の一例を示す図である。
図４に示す下電極ＬＥは、図３の下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の各々に相当する。図４に示す有機層ＯＲは、図３の有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々に相当する。図４に示す上電極ＵＥは、図３の上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の各々に相当する。

有機層ＯＲは、キャリア調整層ＣＡ１と、発光層ＥＭと、キャリア調整層ＣＡ２と、を有している。キャリア調整層ＣＡ１は下電極ＬＥと発光層ＥＭとの間に位置し、キャリア調整層ＣＡ２は発光層ＥＭと上電極ＵＥとの間に位置している。キャリア調整層ＣＡ１及びＣＡ２は、複数の機能層を含んでいる。以下、下電極ＬＥがアノードに相当し、上電極ＵＥがカソードに相当する場合を例に説明する。

キャリア調整層ＣＡ１は、機能層として、正孔注入層Ｆ１１、正孔輸送層Ｆ１２、電子ブロッキング層Ｆ１３などを含んでいる。正孔注入層Ｆ１１は下電極ＬＥの上に配置され、正孔輸送層Ｆ１２は正孔注入層Ｆ１１の上に配置され、電子ブロッキング層Ｆ１３は正孔輸送層Ｆ１２の上に配置され、発光層ＥＭは電子ブロッキング層Ｆ１３の上に配置されている。

キャリア調整層ＣＡ２は、機能層として、正孔ブロッキング層Ｆ２１、電子輸送層Ｆ２２、電子注入層Ｆ２３などを含んでいる。正孔ブロッキング層Ｆ２１は発光層ＥＭの上に配置され、電子輸送層Ｆ２２は正孔ブロッキング層Ｆ２１の上に配置され、電子注入層Ｆ２３は電子輸送層Ｆ２２の上に配置され、上電極ＵＥは電子注入層Ｆ２３の上に配置されている。

なお、キャリア調整層ＣＡ１及びＣＡ２は、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。

次に、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について説明する。

図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。
ここに示す製造方法は、大別して、第１副画素ＳＰα、第２副画素ＳＰβ、及び、第３副画素ＳＰγを有する処理基板ＳＵＢを用意する工程（ステップＳＴ１）と、第１副画素ＳＰαの表示素子２１を形成する工程（ステップＳＴ２）と、第２副画素ＳＰβの表示素子２２を形成する工程（ステップＳＴ３）と、第３副画素ＳＰγの表示素子２３を形成する工程（ステップＳＴ４）と、を含む。なお、ここでの第１副画素ＳＰα、第２副画素ＳＰβ、第３副画素ＳＰγは、上記の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかである。

ステップＳＴ１においては、まず、基板１０の上に、下電極ＬＥ、リブ５、及び、隔壁６を形成した処理基板ＳＵＢを用意する。詳細については後述する。

ステップＳＴ２においては、まず、処理基板ＳＵＢに第１薄膜３１を形成する（ステップＳＴ２１）。その後、第１薄膜３１の上に所定の形状にパターニングされた第１レジスト４１を形成する（ステップＳＴ２２）。その後、第１レジスト４１をマスクとしたエッチングにより第１薄膜３１の一部を除去する（ステップＳＴ２３）。その後、第１レジスト４１を除去する（ステップＳＴ２４）。これにより、所定の形状の第１薄膜３１を有する表示素子２１が第１副画素ＳＰαに形成される。

ステップＳＴ３においては、まず、処理基板ＳＵＢに第２薄膜３２を形成する（ステップＳＴ３１）。その後、第２薄膜３２の上に所定の形状にパターニングされた第２レジスト４２を形成する（ステップＳＴ３２）。その後、第２レジスト４２をマスクとしたエッチングにより第２薄膜３２の一部を除去する（ステップＳＴ３３）。その後、第２レジスト４２を除去する（ステップＳＴ３４）。
その後、残留している第１薄膜３１及び第２薄膜３２の上に所定の形状にパターニングされた第３レジスト４３を形成する（ステップＳＴ３５）。その後、第３レジスト４３をマスクとしたエッチングにより第１薄膜３１の一部を除去する（ステップＳＴ３６）。その後、第３レジスト４３を除去する（ステップＳＴ３７）。これにより、所定の形状の第２薄膜３２を有する表示素子２２が第２副画素ＳＰβに形成される。

ステップＳＴ４においては、まず、処理基板ＳＵＢに第３薄膜３３を形成する（ステップＳＴ４１）。その後、第３薄膜３３の上に所定の形状にパターニングされた第４レジスト４４を形成する（ステップＳＴ４２）。その後、第４レジスト４４をマスクとしたエッチングにより第３薄膜３３の一部を除去する（ステップＳＴ４３）。その後、第４レジスト４４を除去する（ステップＳＴ４４）。これにより、所定の形状の第３薄膜３３を有する表示素子２３が第３副画素ＳＰγに形成される。

図６は、薄膜形成工程の一例を説明するためのフロー図である。ここで説明する第１薄膜３１、第２薄膜３２、及び、第３薄膜３３の各々は、有機層ＯＲと、上電極ＵＥと、封止層ＳＥと、を有している。また、有機層ＯＲは、図４に示した複数の機能層を有している。

第１薄膜３１を形成する工程（ステップＳＴ２１）、第２薄膜３２を形成する工程（ステップＳＴ３１）、及び、第３薄膜３３を形成する工程（ステップＳＴ４１）は、それぞれ以下の工程を含んでいる。

まず、処理基板ＳＵＢの上に、正孔注入層Ｆ１１を形成するための材料を蒸着する（ステップＳＴ２１１）。これにより、下電極ＬＥに接する正孔注入層Ｆ１１が形成される。ここでの下電極ＬＥは、上記の下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のいずれかに相当する。

その後、正孔注入層Ｆ１１の上に、正孔輸送層Ｆ１２を形成するための材料を蒸着する（ステップＳＴ２１２）。これにより、正孔注入層Ｆ１１に接する正孔輸送層Ｆ１２が形成される。

その後、正孔輸送層Ｆ１２の上に、電子ブロッキング層Ｆ１３を形成するための材料を蒸着する（ステップＳＴ２１３）。これにより、正孔輸送層Ｆ１２に接する電子ブロッキング層Ｆ１３が形成される。

その後、電子ブロッキング層Ｆ１３の上に、発光層ＥＭを形成するための材料を蒸着する（ステップＳＴ２１４）。これにより、電子ブロッキング層Ｆ１３に接する発光層ＥＭが形成される。

その後、発光層ＥＭの上に、正孔ブロッキング層Ｆ２１を形成するための材料を蒸着する（ステップＳＴ２１５）。これにより、発光層ＥＭに接する正孔ブロッキング層Ｆ２１が形成される。

その後、正孔ブロッキング層Ｆ２１の上に、電子輸送層Ｆ２２を形成するための材料を蒸着する（ステップＳＴ２１６）。これにより、正孔ブロッキング層Ｆ２１に接する電子輸送層Ｆ２２が形成される。

その後、電子輸送層Ｆ２２の上に、電子注入層Ｆ２３を形成するための材料を蒸着する（ステップＳＴ２１７）。これにより、電子輸送層Ｆ２２に接する電子注入層Ｆ２３が形成される。一連のステップＳＴ２１１からステップＳＴ２１７までの工程により、有機層ＯＲが形成される。ここでの有機層ＯＲは、上記の有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３のいずれかに相当する。

その後、電子注入層Ｆ２３の上に、上電極ＵＥを形成するための材料を蒸着する（ステップＳＴ２１８）。これにより、電子注入層Ｆ２３に接するとともに隔壁６の下部６１に接し、且つ、有機層ＯＲを覆う上電極ＵＥが形成される。ここでの上電極ＵＥは、上記の上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３のいずれかに相当する。

その後、上電極ＵＥの上に、キャップ層ＣＰを形成するための材料を蒸着する（ステップＳＴ２１９）。これにより、上電極ＵＥに接するキャップ層ＣＰが形成される。ここでのキャップ層ＣＰは、上記のキャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３のいずれかに相当する。

その後、上電極ＵＥ、キャップ層ＣＰ、及び、隔壁６を覆う封止層ＳＥを形成する（ステップＳＴ２２０）。ここでの封止層ＳＥは、上記の封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３のいずれかに相当する。

なお、上記のステップＳＴ２１１乃至ステップＳＴ２１３の少なくとも１つ、及び、ステップＳＴ２１５乃至ステップＳＴ２１７の少なくとも１つを省略してもよい。また、上記のステップＳＴ２１１乃至ステップＳＴ２１７の他に、有機層を構成する機能層を形成するための工程が追加されてもよい。

以下、ステップＳＴ１乃至ステップＳＴ４について具体的に説明する。

ステップＳＴ１の処理基板ＳＵＢを用意する工程は、図７に示すように、基板１０の上方に、第１副画素ＳＰαの第１下電極ＬＥα、第２副画素ＳＰβの第２下電極ＬＥβ、第３副画素ＳＰγの第３下電極ＬＥγを形成する工程と、第１下電極ＬＥα、第２下電極ＬＥβ、第３下電極ＬＥγの各々と重なる開口ＡＰα、ＡＰβ、ＡＰγを有するリブ５を形成する工程と、リブ５の上に配置された下部６１及び下部６１の上に配置され下部６１の側面から突出した上部６２を含む隔壁６を形成する工程と、含む。ここでのリブ５は無機材料によって形成し、下部６１は導電材料によって形成する。なお、以下の説明で参照する各図においては、絶縁層１２よりも下層の基板１０及び回路層１１の図示を省略する。

続いて、ステップＳＴ２１においては、図８に示すように、第１副画素ＳＰα、第２副画素ＳＰβ、及び、第３副画素ＳＰγに亘って、第１薄膜３１を形成する。第１薄膜３１を形成する工程は、第１色の光を放つ第１発光層ＥＭ１を含む第１有機層ＯＲ１１を形成する工程と、第１有機層ＯＲ１１の上に第１上電極ＵＥ１１を形成する工程と、第１上電極ＵＥ１１の上に第１キャップ層ＣＰ１１を形成する工程と、第１キャップ層ＣＰ１１の上に第１封止層ＳＥ１１を形成する工程と、を含む。ここでの第１封止層ＳＥ１１は、無機材料によって形成する。

第１有機層ＯＲ１１は、第１下電極ＬＥα、第２下電極ＬＥβ、及び、第３下電極ＬＥγの上にそれぞれ形成されるとともに、隔壁６の上部６２の上にも形成される。第１有機層ＯＲ１１のうち、上部６２の上に形成された部分については、各下電極の上に形成された部分から離間している。

第１上電極ＵＥ１１は、第１下電極ＬＥα、第２下電極ＬＥβ、及び、第３下電極ＬＥγの直上において、第１有機層ＯＲ１１の上にそれぞれ形成され、隔壁６の下部６１に接している。また、第１上電極ＵＥ１１は、上部６２の直上において、第１有機層ＯＲ１１の上にも形成される。一例では、第１上電極ＵＥ１１は、第１有機層ＯＲ１１を覆っている。第１上電極ＵＥ１１のうち、上部６２の直上に形成された部分については、各下電極の直上に形成された部分から離間している。

第１キャップ層ＣＰ１１は、第１下電極ＬＥα、第２下電極ＬＥβ、及び、第３下電極ＬＥγの直上において、第１上電極ＵＥ１１の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、第１上電極ＵＥ１１の上にも形成される。第１キャップ層ＣＰ１１のうち、上部６２の直上に形成された部分については、各下電極の直上に形成された部分から離間している。

第１封止層ＳＥ１１は、第１キャップ層ＣＰ１１、及び、隔壁６を覆うように形成される。つまり、第１封止層ＳＥ１１は、第１下電極ＬＥα、第２下電極ＬＥβ、及び、第３下電極ＬＥγの直上において、第１キャップ層ＣＰ１１の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、第１キャップ層ＣＰ１１の上にも形成される。第１封止層ＳＥ１１のうち、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分と繋がっている。

続いて、ステップＳＴ２２においては、図９に示すように、第１レジスト４１を形成する。第１レジスト４１は、第２副画素ＳＰβの第１薄膜３１を露出するとともに、第１副画素ＳＰα及び第３副画素ＳＰγの第１薄膜３１を覆うように形成される。つまり、第１副画素ＳＰα及び第３副画素ＳＰγにおいては、第１レジスト４１は、第１封止層ＳＥ１１に接している。また、第２副画素ＳＰβにおいては、第１封止層ＳＥ１１が第１レジスト４１から露出する。

第１レジスト４１の端部は、隔壁６のほぼ中央に重なっている。つまり、第１副画素ＳＰαと第２副画素ＳＰβとの間の隔壁６上において、第１レジスト４１は、第１副画素ＳＰα側に配置され、第２副画素ＳＰβ側では第１封止層ＳＥ１１を露出する。また、第２副画素ＳＰβと第３副画素ＳＰγとの間の隔壁６上において、第１レジスト４１は、第３副画素ＳＰγ側に配置され、第２副画素ＳＰβ側では第１封止層ＳＥ１１を露出する。

続いて、ステップＳＴ２３においては、図１０に示すように、第１レジスト４１をマスクとしてエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した第２副画素ＳＰβの第１薄膜３１を除去する。つまり、第２副画素ＳＰβにおける第１封止層ＳＥ１１、第１キャップ層ＣＰ１１、第１上電極ＵＥ１１、及び、第１有機層ＯＲ１１が除去される。これにより、第２副画素ＳＰβの第２下電極ＬＥβが露出するとともに、第２下電極ＬＥβを囲むリブ５も露出する。

また、第１副画素ＳＰαと第２副画素ＳＰβとの間の隔壁６上において、第１封止層ＳＥ１１の一部、第１キャップ層ＣＰ１１の一部、第１上電極ＵＥ１１の一部、及び、第１有機層ＯＲ１１の一部が除去される。これにより、上部６２の第２副画素ＳＰβ側が露出する。

また、第２副画素ＳＰβと第３副画素ＳＰγとの間の隔壁６上において、第１封止層ＳＥ１１の一部、第１キャップ層ＣＰ１１の一部、第１上電極ＵＥ１１の一部、及び、第１有機層ＯＲ１１の一部が除去される。これにより、上部６２の第２副画素ＳＰβ側が露出する。

続いて、ステップＳＴ２４においては、図１１に示すように、第１レジスト４１を除去する。これにより、第１副画素ＳＰα及び第３副画素ＳＰγの第１封止層ＳＥ１１が露出する。これらのステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４を経て、第１副画素ＳＰαにおいて、表示素子２１が形成される。表示素子２１は、第１下電極ＬＥα、第１有機層ＯＲ１１、第１上電極ＵＥ１１、及び、第１キャップ層ＣＰ１１によって構成される。また、表示素子２１は、第１封止層ＳＥ１１によって覆われる。

続いて、ステップＳＴ３１においては、図１２に示すように、第１副画素ＳＰα、第２副画素ＳＰβ、及び、第３副画素ＳＰγに亘って、第２薄膜３２を形成する。第２薄膜３２を形成する工程は、第１色とは異なる第２色の光を放つ第２発光層ＥＭ２を含む第２有機層ＯＲ１２を形成する工程と、第２有機層ＯＲ１２の上に第２上電極ＵＥ１２を形成する工程と、第２上電極ＵＥ１２の上に第２キャップ層ＣＰ１２を形成する工程と、第２キャップ層ＣＰ１２の上に第２封止層ＳＥ１２を形成する工程と、を含む。ここでの第２封止層ＳＥ１２は、第１封止層ＳＥ１１と同一の無機材料によって形成する。

第２有機層ＯＲ１２は、第２下電極ＬＥβの上に形成されるとともに、第１副画素ＳＰα及び第３副画素ＳＰγの第１封止層ＳＥ１１の上にも形成される。また、第２有機層ＯＲ１２は、隔壁６の上部６２の上にも形成される。第２有機層ＯＲ１２のうち、上部６２の上に形成された部分については、第１下電極ＬＥαの直上に形成された部分及び第３下電極ＬＥγの直上に形成された部分に繋がっている一方で、第２下電極ＬＥβの上に形成された部分から離間している。

第２上電極ＵＥ１２は、第２下電極ＬＥβの直上において、第２有機層ＯＲ１２の上に形成され、隔壁６の下部６１に接している。また、第２上電極ＵＥ１２は、上部６２の直上において、第２有機層ＯＲ１２の上にも形成される。一例では、第２上電極ＵＥ１２は、第２副画素ＳＰβにおいて第２有機層ＯＲ１２を覆っている。第２上電極ＵＥ１２のうち、上部６２の直上に形成された部分については、第１下電極ＬＥαの直上に形成された部分及び第３下電極ＬＥγの直上に形成された部分に繋がっている一方で、第２下電極ＬＥβの直上に形成された部分から離間している。

第２キャップ層ＣＰ１２は、第２下電極ＬＥβの直上において、第２上電極ＵＥ１２の上に形成されるとともに、上部６２の直上において、第２上電極ＵＥ１２の上にも形成される。第２キャップ層ＣＰ１２のうち、上部６２の直上に形成された部分については、第１下電極ＬＥαの直上に形成された部分及び第３下電極ＬＥγの直上に形成された部分に繋がっている一方で、第２下電極ＬＥβの直上に形成された部分から離間している。

第２封止層ＳＥ１２は、第２キャップ層ＣＰ１２、及び、隔壁６を覆うように形成される。つまり、第２封止層ＳＥ１２は、第１下電極ＬＥα、第２下電極ＬＥβ、及び、第３下電極ＬＥγの直上において、第２キャップ層ＣＰ１２の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、第２キャップ層ＣＰ１２の上にも形成される。第２封止層ＳＥ１２のうち、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分と繋がっている。

続いて、ステップＳＴ３２においては、図１３に示すように、第２レジスト４２を形成する。第２レジスト４２は、第１副画素ＳＰα及び第３副画素ＳＰγの第２薄膜３２を露出するとともに、第２副画素ＳＰβの第２薄膜３２を覆うように形成される。つまり、第２副画素ＳＰβにおいては、第２レジスト４２は、第２封止層ＳＥ１２に接している。また、第１副画素ＳＰα及び第３副画素ＳＰγにおいては、第２封止層ＳＥ１２が第２レジスト４２から露出する。

第２レジスト４２の端部は、隔壁６のほぼ中央に重なっている。つまり、第１副画素ＳＰαと第２副画素ＳＰβとの間の隔壁６上において、第２レジスト４２は、第２副画素ＳＰβ側に配置され、第１副画素ＳＰα側では第２封止層ＳＥ１２を露出する。また、第２副画素ＳＰβと第３副画素ＳＰγとの間の隔壁６上において、第２レジスト４２は、第２副画素ＳＰβ側に配置され、第３副画素ＳＰγ側では第２封止層ＳＥ１２を露出する。

続いて、ステップＳＴ３３においては、図１４に示すように、第２レジスト４２をマスクとしてエッチングを行い、第２レジスト４２から露出した第１副画素ＳＰα及び第３副画素ＳＰγの第２薄膜３２を除去する。つまり、第１副画素ＳＰα及び第３副画素ＳＰγにおける第２封止層ＳＥ１２、第２キャップ層ＣＰ１２、第２上電極ＵＥ１２、及び、第２有機層ＯＲ１２が除去される。これにより、第１副画素ＳＰα及び第３副画素ＳＰγの第１封止層ＳＥ１１が露出する。

また、第１副画素ＳＰαと第２副画素ＳＰβとの間の隔壁６上において、第２封止層ＳＥ１２の一部、第２キャップ層ＣＰ１２の一部、第２上電極ＵＥ１２の一部、及び、第２有機層ＯＲ１２の一部が除去される。
また、第２副画素ＳＰβと第３副画素ＳＰγとの間の隔壁６上において、第２封止層ＳＥ１２の一部、第２キャップ層ＣＰ１２の一部、第２上電極ＵＥ１２の一部、及び、第２有機層ＯＲ１２の一部が除去される。図示した例では、隔壁６の上において、第１薄膜３１と第２薄膜３２とが分離されている。つまり、隔壁６の上に残留した第２封止層ＳＥ１２、第２キャップ層ＣＰ１２、第２上電極ＵＥ１２、及び、第２有機層ＯＲ１２は、隔壁６の上に残留した第１封止層ＳＥ１１、第１キャップ層ＣＰ１１、第１上電極ＵＥ１１、及び、第１有機層ＯＲ１１から離間している。

続いて、ステップＳＴ３４においては、図１５に示すように、第２レジスト４２を除去する。これにより、第２副画素ＳＰβの第２封止層ＳＥ１２が露出する。これらのステップＳＴ３１乃至ＳＴ３４を経て、第２副画素ＳＰβにおいて、表示素子２２が形成される。表示素子２２は、第２下電極ＬＥβ、第２有機層ＯＲ１２、第２上電極ＵＥ１２、及び、第２キャップ層ＣＰ１２によって構成される。また、表示素子２２は、第２封止層ＳＥ１２によって覆われる。

続いて、ステップＳＴ３５においては、図１６に示すように、第３レジスト４３を形成する。第３レジスト４３は、第３副画素ＳＰγの第１薄膜３１を露出するとともに、第１副画素ＳＰαの第１薄膜３１及び第２副画素ＳＰβの第２薄膜３２を覆うように形成される。つまり、第１副画素ＳＰαにおいては、第３レジスト４３は、第１封止層ＳＥ１１に接している。また、第２副画素ＳＰβにおいては、第３レジスト４３は、第２封止層ＳＥ１２に接している。また、第３副画素ＳＰγにおいては、第１封止層ＳＥ１１が第３レジスト４３から露出する。また、第１副画素ＳＰαと第２副画素ＳＰβとの間の隔壁６上においては、第３レジスト４３は、第１薄膜３１及び第２薄膜３２を覆っている。

第２レジスト４２の端部は、隔壁６のほぼ中央に重なっている。つまり、第２副画素ＳＰβと第３副画素ＳＰγとの間の隔壁６上において、第３レジスト４３は、第２副画素ＳＰβ側に配置され、第３副画素ＳＰγ側では第１封止層ＳＥ１１を露出する。

続いて、ステップＳＴ３６においては、図１７に示すように、第３レジスト４３をマスクとしてエッチングを行い、第３レジスト４３から露出した第３副画素ＳＰγの第１薄膜３１を除去する。つまり、第３副画素ＳＰγにおける第１封止層ＳＥ１１、第１キャップ層ＣＰ１１、第１上電極ＵＥ１１、及び、第１有機層ＯＲ１１が除去される。これにより、第３副画素ＳＰγの第３下電極ＬＥγが露出するとともに、第３下電極ＬＥγを囲むリブ５も露出する。

また、第２副画素ＳＰβと第３副画素ＳＰγとの間の隔壁６上において、第１封止層ＳＥ１１の一部、第１キャップ層ＣＰ１１の一部、第１上電極ＵＥ１１の一部、及び、第１有機層ＯＲ１１の一部が除去される。これにより、上部６２の第３副画素ＳＰγ側が露出する。

続いて、ステップＳＴ３７においては、図１８に示すように、第３レジスト４３を除去する。これにより、第１副画素ＳＰαの第１封止層ＳＥ１１が露出するとともに、第２副画素ＳＰβの第２封止層ＳＥ１２が露出する。

続いて、ステップＳＴ４１においては、図１９に示すように、第１副画素ＳＰα、第２副画素ＳＰβ、及び、第３副画素ＳＰγに亘って、第３薄膜３３を形成する。第３薄膜３３を形成する工程は、第１色及び第２色とは異なる第３色の光を放つ第３発光層ＥＭ３を含む第３有機層ＯＲ１３を形成する工程と、第３有機層ＯＲ１３の上に第３上電極ＵＥ１３を形成する工程と、第３上電極ＵＥ１３の上に第３キャップ層ＣＰ１３を形成する工程と、第３キャップ層ＣＰ１３の上に第３封止層ＳＥ１３を形成する工程と、を含む。ここでの第３封止層ＳＥ１３は、第１封止層ＳＥ１１及び第２封止層ＳＥ１２と同一の無機材料によって形成する。

第３有機層ＯＲ１３は、第３下電極ＬＥγの上に形成されるとともに、第１副画素ＳＰαの第１封止層ＳＥ１１の上にも形成され、また、第２副画素ＳＰβの第２封止層ＳＥ１２の上にも形成される。また、第３有機層ＯＲ１３は、隔壁６の上部６２の上にも形成される。第１副画素ＳＰαと第２副画素ＳＰβとの間の隔壁６上においては、第３有機層ＯＲ１３は、第１薄膜３１及び第２薄膜３２を覆い、第１下電極ＬＥαの直上に形成された部分及び第２下電極ＬＥβの直上に形成された部分に繋がっている。第２副画素ＳＰβと第３副画素ＳＰγとの間の隔壁６上においては、第３有機層ＯＲ１３のうち、上部６２の上に形成された部分については、第２下電極ＬＥβの直上に形成された部分に繋がっている一方で、第３下電極ＬＥγの上に形成された部分から離間している。

第３上電極ＵＥ１３は、第３下電極ＬＥγの直上において、第３有機層ＯＲ１３の上に形成され、隔壁６の下部６１に接している。また、第３上電極ＵＥ１３は、上部６２の直上において、第３有機層ＯＲ１３の上にも形成される。一例では、第３上電極ＵＥ１３は、第３副画素ＳＰγにおいて第３有機層ＯＲ１３を覆っている。第３上電極ＵＥ１３のうち、上部６２の直上に形成された部分については、第２下電極ＬＥβの直上に形成された部分に繋がっている一方で、第３下電極ＬＥγの直上に形成された部分から離間している。

第３キャップ層ＣＰ１３は、第３下電極ＬＥγの直上において、第３上電極ＵＥ１３の上に形成されるとともに、上部６２の直上において、第３上電極ＵＥ１３の上にも形成される。第３キャップ層ＣＰ１３のうち、上部６２の直上に形成された部分については、第２下電極ＬＥβの直上に形成された部分に繋がっている一方で、第３下電極ＬＥγの直上に形成された部分から離間している。

第３封止層ＳＥ１３は、第３キャップ層ＣＰ１３、及び、隔壁６を覆うように形成される。つまり、第３封止層ＳＥ１３は、第１下電極ＬＥα、第２下電極ＬＥβ、及び、第３下電極ＬＥγの直上において、第３キャップ層ＣＰ１３の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、第３キャップ層ＣＰ１３の上にも形成される。第３封止層ＳＥ１３のうち、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分と繋がっている。

続いて、ステップＳＴ４２においては、図２０に示すように、第４レジスト４４を形成する。第４レジスト４４は、第１副画素ＳＰα及び第２副画素ＳＰβの第３薄膜３３を露出するとともに、第３副画素ＳＰγの第３薄膜３３を覆うように形成される。つまり、第３副画素ＳＰγにおいては、第４レジスト４４は、第３封止層ＳＥ１３に接している。また、第１副画素ＳＰα及び第２副画素ＳＰβにおいては、第３封止層ＳＥ１３が第４レジスト４４から露出する。

第４レジスト４４の端部は、隔壁６のほぼ中央に重なっている。つまり、第２副画素ＳＰβと第３副画素ＳＰγとの間の隔壁６上において、第４レジスト４４は、第３副画素ＳＰγ側に配置され、第２副画素ＳＰβ側では第３封止層ＳＥ１３を露出する。

続いて、ステップＳＴ４３においては、図２１に示すように、第４レジスト４４をマスクとしてエッチングを行い、第４レジスト４４から露出した第１副画素ＳＰα及び第２副画素ＳＰβの第３薄膜３３を除去する。つまり、第１副画素ＳＰα及び第２副画素ＳＰβにおける第３封止層ＳＥ１３、第３キャップ層ＣＰ１３、第３上電極ＵＥ１３、及び、第３有機層ＯＲ１３が除去される。これにより、第１副画素ＳＰαの第１封止層ＳＥ１１が露出するとともに、第２副画素ＳＰβの第２封止層ＳＥ１２が露出する。

また、第１副画素ＳＰαと第２副画素ＳＰβとの間の隔壁６上において、第３封止層ＳＥ１３、第３キャップ層ＣＰ１３、第３上電極ＵＥ１３、及び、第３有機層ＯＲ１３が除去される。

また、第２副画素ＳＰβと第３副画素ＳＰγとの間の隔壁６上において、第３封止層ＳＥ１３の一部、第３キャップ層ＣＰ１３の一部、第３上電極ＵＥ１３の一部、及び、第３有機層ＯＲ１３の一部が除去される。図示した例では、隔壁６の上において、第２薄膜３２と第３薄膜３３とが分離されている。

続いて、ステップＳＴ４４においては、図２２に示すように、第４レジスト４４を除去する。これにより、第３副画素ＳＰγの第３封止層ＳＥ１３が露出する。これらのステップＳＴ４１乃至ＳＴ４４を経て、第３副画素ＳＰγにおいて、表示素子２３が形成される。表示素子２３は、第３下電極ＬＥγ、第３有機層ＯＲ１３、第３上電極ＵＥ１３、及び、第３キャップ層ＣＰ１３によって構成される。また、表示素子２３は、第３封止層ＳＥ１３によって覆われる。

以上の工程により、第１副画素ＳＰαには表示素子２１が形成され、第２副画素ＳＰβには表示素子２２が形成され、第３副画素ＳＰγには表示素子２３が形成される。

本実施形態によれば、複数回にわたるエッチングによるリブ５のダメージを抑制することができる。例えば、第２下電極ＬＥβを囲むリブ５については、図１０に示した第１薄膜３１のエッチングの際に露出するが、それ以前の工程及びそれ以降の工程では、エッチングによって露出することはない。また、第３下電極ＬＥγを囲むリブ５については、図１７に示した第１薄膜３１のエッチングの際に露出するが、それ以前の工程及びそれ以降の工程では、エッチングによって露出することはない。したがって、リブ５を絶縁層１２まで貫通する不所望な孔（水分浸入経路）の形成が抑制される。したがって、信頼性を向上することができる。

例えば、上記の例において、第１副画素ＳＰαが上記の副画素ＳＰ１に相当する場合、第１下電極ＬＥαは下電極ＬＥ１に相当し、第１有機層ＯＲ１１は第１部分ＯＲ１ａ及び第２部分ＯＲ１ｂを有する有機層ＯＲ１に相当し、第１上電極ＵＥ１１は第１部分ＵＥ１ａ及び第２部分ＵＥ１ｂを有する上電極ＵＥ１に相当し、第１キャップ層ＣＰ１１は第１部分ＣＰ１ａ及び第２部分ＣＰ１ｂを有するキャップ層ＣＰ１に相当し、第１封止層ＳＥ１１は封止層ＳＥ１に相当する。

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性を向上し、製造歩留まりを向上することが可能な表示装置の製造方法を提供することができる。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置の製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置
１０…基板 １２…絶縁層 ５…リブ ６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰα，ＳＰβ，ＳＰγ…副画素
２０，２１，２２，２３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ，ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３，ＬＥα，ＬＥβ，ＬＥγ…下電極（アノード）
ＵＥ，ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３，ＵＥ１１，ＵＥ１２，ＵＥ１３…上電極（カソード）
ＯＲ，ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３，ＯＲ１１，ＯＲ１２，ＯＲ１３…有機層
ＣＰ，ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰ１１，ＣＰ１２，ＣＰ１３…キャップ層
ＳＥ，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３…封止層

Claims (11)

1. 第１副画素、第２副画素、及び、第３副画素を有する処理基板を用意し、
   前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、第１発光層を含む第１薄膜を形成し、
   前記第２副画素の前記第１薄膜を露出するとともに前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第１薄膜を覆う第１レジストを形成し、
   前記第１レジストをマスクとして前記第２副画素の前記第１薄膜を除去し、
   前記第１レジストを除去し、
   前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、第２発光層を含む第２薄膜を形成し、
   前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第２薄膜を露出するとともに前記第２副画素の前記第２薄膜を覆う第２レジストを形成し、
   前記第２レジストをマスクとして前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第２薄膜を除去し、
   前記第２レジストを除去し、
   前記第３副画素の前記第１薄膜を露出するとともに前記第１副画素の前記第１薄膜及び前記第２副画素の前記第２薄膜を覆う第３レジストを形成し、
   前記第３レジストをマスクとして前記第３副画素の前記第１薄膜を除去し、
   前記第３レジストを除去し、
   前記第１副画素、前記第２副画素、及び、前記第３副画素に亘って、第３発光層を含む第３薄膜を形成し、
   前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第３薄膜を露出するとともに前記第３副画素の前記第３薄膜を覆う第４レジストを形成し、
   前記第４レジストをマスクとして前記第１副画素及び前記第２副画素の前記第３薄膜を除去し、
   前記第４レジストを除去する、表示装置の製造方法。
2. 前記処理基板を用意する工程では、
   基板の上方に、前記第１副画素の第１下電極、前記第２副画素の第２下電極、及び、前記第３副画素の第３下電極を形成し、
   前記第１下電極、前記第２下電極、及び、前記第３下電極の各々と重なる開口を有するリブを形成し、
   前記リブの上に配置された下部及び前記下部の上に配置され前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 前記リブは、無機材料によって形成する、請求項２に記載の表示装置の製造方法。
4. 前記隔壁の前記下部は、導電材料によって形成する、請求項２に記載の表示装置の製造方法。
5. 前記第１薄膜、前記第２薄膜、及び、前記第３薄膜を形成する工程では、それぞれ
   有機層を形成し、
   前記有機層の上に、上電極を形成し、
   前記上電極の上に、キャップ層を形成し、
   前記キャップ層の上に、封止層を形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
6. 前記封止層は、無機材料によって形成する、請求項５に記載の表示装置の製造方法。
7. 前記第１薄膜を形成する工程では、
   前記第１下電極、前記第２下電極、及び、前記第３下電極の上に、前記第１発光層を含む第１有機層を形成し、
   前記第１有機層の上に、第１上電極を形成し、
   前記第１上電極の上に、第１キャップ層を形成し、
   前記第１キャップ層の上に、第１封止層を形成する、請求項２に記載の表示装置の製造方法。
8. 前記第２薄膜を形成する工程では、
   前記第２下電極の上、及び、前記第１副画素及び前記第３副画素の前記第１封止層の上に、前記第２発光層を含む第２有機層を形成し、
   前記第２有機層の上に、第２上電極を形成し、
   前記第２上電極の上に、第２キャップ層を形成し、
   前記第２キャップ層の上に、第２封止層を形成する、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
9. 前記第３薄膜を形成する工程では、
   前記第３下電極の上、前記第１副画素の前記第１封止層の上、及び、前記第２副画素の前記第２封止層の上に、前記第３発光層を含む第３有機層を形成し、
   前記第３有機層の上に、第３上電極を形成し、
   前記第３上電極の上に、第３キャップ層を形成し、
   前記第３キャップ層の上に、第３封止層を形成する、請求項８に記載の表示装置の製造方法。
10. 前記第１封止層、前記第２封止層、及び、前記第３封止層は、同一の無機材料によって形成する、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
11. 前記隔壁の前記下部は、導電材料によって形成し、
    前記第１上電極、前記第２上電極、及び、前記第３上電極は、それぞれ前記下部に接している、請求項９に記載の表示装置の製造方法。

Images