CN116507181A - 显示装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示装置的制造方法。根据一个实施方式，显示装置的制造方法中：准备形成有下电极、肋部、和包含下部及上部的隔壁的处理基板；形成覆盖下电极的第1有机层及位于上部之上的第2有机层；形成位于第1有机层之上的第1上电极及位于第2有机层之上的第2上电极；形成位于第1上电极之上的第1透明层及位于第2上电极之上的第2透明层；形成位于第1透明层之上的第1无机层及位于第2透明层之上的第2无机层；形成位于第1无机层及第2无机层之上并覆盖隔壁的密封层；形成覆盖密封层的一部分的抗蚀剂；将从抗蚀剂露出的密封层除去；以抗蚀剂为掩模，进行使用了酸性溶液的湿式蚀刻，将从抗蚀剂露出的第2无机层除去。

Description

显示装置的制造方法

关联申请的交叉参照

本申请基于2022年1月27日提出申请的日本专利申请第2022-011094号主张优先权，并引用该日本申请所记载的全部记载内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及显示装置的制造方法。

背景技术

近年来，作为显示元件应用有机发光二极管(OLED)的显示装置被实用化。该显示元件具备包含薄膜晶体管的像素电路、与像素电路连接的下电极、覆盖下电极的有机层和覆盖有机层的上电极。有机层除了发光层以外，还包含空穴传输层、电子传输层等功能层。

这样的显示元件容易因水分而劣化。因此，需要可靠地密封显示元件的技术。

发明内容

实施方式的目的在于提供能提高可靠性的显示装置的制造方法。

根据一个实施方式，在显示装置的制造方法中，

准备在基板的上方形成有下电极、具有与前述下电极重叠的开口的肋部、和隔壁的处理基板，其中，该隔壁包含配置在前述肋部之上的下部及配置在前述下部之上并从前述下部的侧面突出的上部；形成第1有机层及第2有机层，该第1有机层覆盖前述下电极，该第2有机层与前述第1有机层分离并位于前述上部之上；形成第1上电极及第2上电极，该第1上电极位于前述第1有机层之上并与前述下部相接，该第2上电极与前述第1上电极分离并位于前述第2有机层之上；形成第1透明层及第2透明层，该第1透明层位于前述第1上电极之上，该第2透明层与前述第1透明层分离并位于前述第2上电极之上；形成第1无机层及第2无机层，该第1无机层位于前述第1透明层之上，该第2无机层与前述第1无机层分离并位于前述第2透明层之上；形成密封层，该密封层位于前述第1无机层及前述第2无机层之上，并覆盖前述隔壁；形成抗蚀剂，该抗蚀剂覆盖前述下电极的正上方的前述密封层、并且覆盖前述隔壁的正上方的前述密封层的一部分；以前述抗蚀剂作为掩模进行干式蚀刻，将从前述抗蚀剂露出的前述密封层除去；以前述抗蚀剂为掩模，进行使用了酸性溶液的湿式蚀刻，将从前述抗蚀剂露出的前述第2无机层除去。

根据实施方式，能够提供能提高可靠性的显示装置的制造方法。

附图说明

图1是示出显示装置DSP的构成例的图。

图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。

图3是沿着图2中的III-III线的显示装置DSP的示意性剖视图。

图4是示出显示元件20的构成的一例的图。

图5是用于说明显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。

图6是用于说明准备处理基板的工序的图。

图7是用于说明形成第1薄膜的工序的图。

图8是用于说明形成抗蚀剂的工序的图。

图9是用于说明第1薄膜的第1蚀刻(干式蚀刻)的图。

图10是用于说明第1薄膜的第2蚀刻(湿式蚀刻)的图。

图11是用于说明第1薄膜的第3蚀刻的图。

图12是用于说明除去抗蚀剂的工序的图。

图13是示出实验1的结果的图。

图14是示出实验2的结果的图。

具体实施方式

参照附图对一个实施方式进行说明。

公开只不过是一例，本领域技术人员能够容易想到的未脱离发明主旨的适当变更当然包含在本发明范围内。另外，附图是为了使说明更加明确，各部分的宽度、厚度、形状等存在与实际方式相比示意性表示的情况，但只不过是一例，并非限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对于与关于已出现的附图说明过的构成要素发挥相同或类似功能的构成要素，存在标注同一附图标记并适当省略重复的详细说明的情况。

需要说明的是，为了便于理解而根据需要在附图中记载有相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向，将沿着Y轴的方向称为第2方向，将沿着Z轴的方向称为第3方向。将在由第1方向X及第2方向Y所规定出的X－Y平面对构成要素进行观察的情况称为“俯视”。

本实施方式涉及的显示装置是作为显示元件具备有机发光二极管(OLED)的有机电致发光显示装置，能够搭载于电视、个人电脑、车载设备、平板电脑终端、智能手机、移动电话终端等。

图1是示出显示装置DSP的构成例的图。

显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA和显示区域DA周边的周边区域SA。基板10可以是玻璃，也可以是具有挠性的树脂膜。

在本实施方式中，俯视观察的基板10的形状为长方形。但是，基板10的俯视观察的形状不限于长方形，也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。

显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上以矩阵状排列的多个像素PX。像素PX包含多个子像素SP。在一例中，像素PX包含红色的子像素SP1、绿色的子像素SP2及蓝色的子像素SP3。需要说明的是，像素PX也可以与子像素SP1、SP2、SP3一起或取代子像素SP1、SP2、SP3中的任一者而包含白色等其他颜色的子像素SP。

子像素SP具备像素电路1和由像素电路1驱动的显示元件20。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3是由例如薄膜晶体管构成的开关元件。

像素开关2的栅电极与扫描线GL连接。像素开关2的源电极及漏电极中的一者与信号线SL连接，另一者与驱动晶体管3的栅电极及电容器4连接。在驱动晶体管3中，源电极及漏电极中的一者与电源线PL及电容器4连接，另一者与显示元件20的阳极连接。

需要说明的是，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。

显示元件20是作为发光元件的有机发光二极管(OLED)，有时称为有机EL元件。例如，子像素SP1具备发出红色波长区域的光的显示元件20，子像素SP2具备发出绿色波长区域的光的显示元件20，子像素SP3具备发出蓝色波长区域的光的显示元件20。

图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。

在图2的例子中，子像素SP1和子像素SP2在第2方向Y上排列。此外，子像素SP1、SP2分别与子像素SP3在第1方向X上排列。

在子像素SP1、SP2、SP3为这种布局的情况下，在显示区域DA中形成有子像素SP1、SP2在第2方向Y上交替配置的列和多个子像素SP3在第2方向Y上重复配置的列。这些列在第1方向X上交替排列。

需要说明的是，子像素SP1、SP2、SP3的布局不限于图2的例子。作为另一例，各像素PX中的子像素SP1、SP2、SP3也可以在第1方向X上依次排列。

显示区域DA中配置有肋部5及隔壁6。肋部5在子像素SP1、SP2、SP3处分别具有开口AP1、AP2、AP3。在图2的例子中，开口AP2比开口AP1大，开口AP3比开口AP2大。

隔壁6在俯视观察时与肋部5重叠。隔壁6具有沿第1方向X延伸的多个第1隔壁6x、和沿第2方向Y延伸的多个第2隔壁6y。多个第1隔壁6x分别配置于在第2方向Y上相邻的开口AP1、AP2之间和在第2方向Y上相邻的2个开口AP3之间。第2隔壁6y分别配置于在第1方向X上相邻的开口AP1、AP3之间和在第1方向X上相邻的开口AP2、AP3之间。

在图2的例子中，第1隔壁6x与第2隔壁6y相互连接。由此，隔壁6作为整体形成为包围开口AP1、AP2、AP3的格子状。隔壁6也可以与肋部5同样地在子像素SP1、SP2、SP3中具有开口。

子像素SP1具备分别与开口AP1重叠的下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1。子像素SP2具备分别与开口AP2重叠的下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2。子像素SP3具备分别与开口AP3重叠的下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3。

在图2的例子中，下电极LE1、LE2、LE3的外形以虚线表示，有机层OR1、OR2、OR3及上电极UE1、UE2、UE3的外形以单点划线表示。下电极LE1、LE2、LE3各自的周缘部与肋部5重叠。上电极UE1的外形与有机层OR1的外形大致一致，上电极UE1及有机层OR1各自的周缘部与隔壁6重叠。上电极UE2的外形与有机层OR2的外形大致一致，上电极UE2及有机层OR2各自的周缘部与隔壁6重叠。上电极UE3的外形与有机层OR3的外形大致一致，上电极UE3及有机层OR3各自的周缘部与隔壁6重叠。

下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1构成子像素SP1的显示元件20。下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2构成子像素SP2的显示元件20。下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3构成子像素SP3的显示元件20。下电极LE1、LE2、LE3例如与显示元件20的阳极相当。上电极UE1、UE2、UE3与显示元件20的阴极或公共电极相当。

下电极LE1通过接触孔CH1与子像素SP1的像素电路1(参见图1)连接。下电极LE2通过接触孔CH2与子像素SP2的像素电路1连接。下电极LE3通过接触孔CH3与子像素SP3的像素电路1连接。

图3是沿着图2中的III-III线的显示装置DSP的示意性剖视图。

在上述基板10之上配置有电路层11。电路层11包含图1所示的像素电路1、扫描线GL、信号线SL及电源线PL等各种电路、布线。电路层11由绝缘层12覆盖。绝缘层12作为使由电路层11产生的凹凸平坦化的平坦化膜发挥功能。

下电极LE1、LE2、LE3配置在绝缘层(有机绝缘层)12之上。肋部(无机绝缘层)5配置在绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3之上。下电极LE1、LE2、LE3的端部由肋部5覆盖。

隔壁6包括配置在肋部5之上的下部(杆部)61、和覆盖下部61的上表面的上部(伞部)62。上部62具有比下部61大的宽度。由此，在图3中，上部62的两端部比下部61的侧面突出。这样的隔壁6的形状也可以称为悬臂状。

如图3所示，图2所示的有机层OR1包含相互分离的第1部分OR1a及第2部分OR1b。第1部分OR1a通过开口AP1而与下电极LE1接触，覆盖下电极LE1且与肋部5的一部分重叠。第2部分OR1b位于上部62之上。

另外，如图3所示，图2所示的上电极UE1包含相互分离的第1部分UE1a及第2部分UE1b。第1部分UE1a与下电极LE1相对，并且位于第1部分OR1a之上。此外，第1部分UE1a与下部61的侧面接触。第2部分UE1b位于隔壁6的上方，并位于第2部分OR1b之上。

如图3所示，图2所示的有机层OR2包含相互分离的第1部分OR2a及第2部分OR2b。第1部分OR2a通过开口AP2而与下电极LE2接触，覆盖下电极LE2且与肋部5的一部分重叠。第2部分OR2b位于上部62之上。

另外，如图3所示，图2所示的上电极UE2包含相互分离的第1部分UE2a及第2部分UE2b。第1部分UE2a与下电极LE2相对，并且位于第1部分OR2a之上。并且，第1部分UE2a与下部61的侧面接触。第2部分UE2b位于隔壁6的上方，并位于第2部分OR2b之上。

如图3所示，图2所示的有机层OR3包含相互分离的第1部分OR3a及第2部分OR3b。第1部分OR3a通过开口AP3而与下电极LE3接触，覆盖下电极LE3且与肋部5的一部分重叠。第2部分OR3b位于上部62之上。

另外，如图3所示，图2所示的上电极UE3包含相互分离的第1部分UE3a及第2部分UE3b。第1部分UE3a与下电极LE3相对，并且位于第1部分OR3a之上。并且，第1部分UE3a与下部61的侧面接触。第2部分UE3b位于隔壁6的上方，并位于第2部分OR3b之上。

在图3所示的例子中，子像素SP1、SP2、SP3包含用于调整有机层OR1、OR2、OR3的发光层发出的光的光学特性的盖层(cap layer)(光学调整层)CP1、CP2、CP3。

盖层CP1包含相互分离的第1部分CP1a及第2部分CP1b。第1部分CP1a位于开口AP1处，并位于第1部分UE1a之上。第2部分CP1b位于隔壁6的上方，并位于第2部分UE1b之上。

盖层CP2包含相互分离的第1部分CP2a及第2部分CP2b。第1部分CP2a位于开口AP2处，并位于第1部分UE2a之上。第2部分CP2b位于隔壁6的上方，并位于第2部分UE2b之上。

盖层CP3包含相互分离的第1部分CP3a及第2部分CP3b。第1部分CP3a位于开口AP3处，并位于第1部分UE3a之上。第2部分CP3b位于隔壁6的上方，并位于第2部分UE3b之上。

在子像素SP1、SP2、SP3上分别配置有密封层SE1、SE2、SE3。密封层SE1连续地覆盖包含第1部分CP1a、隔壁6、及第2部分CP1b的子像素SP1的各构件。密封层SE2连续地覆盖包含第1部分CP2a、隔壁6、及第2部分CP2b的子像素SP2的各构件。密封层SE3连续地覆盖包含第1部分CP3a、隔壁6、及第2部分CP3b的子像素SP3的各构件。

在图3的例子中，子像素SP1、SP3之间的隔壁6上的第2部分OR1b、第2部分UE1b、第2部分CP1b以及密封层SE1与该隔壁6上的第2部分OR3b、第2部分UE3b、第2部分CP3b以及密封层SE3分离。另外，子像素SP2、SP3之间的隔壁6上的第2部分OR2b、第2部分UE2b、第2部分CP2b及密封层SE2与该隔壁6上的第2部分OR3b、第2部分UE3b、第2部分CP3b及密封层SE3分离。

密封层SE1、SE2、SE3由树脂层13覆盖。树脂层13由密封层14覆盖。并且，密封层14由树脂层15覆盖。

绝缘层12由有机材料形成。肋部5及密封层14、SE1、SE2、SE3由例如硅氮化物(SiNx)等无机材料形成。由无机材料形成的肋部5的厚度与隔壁6、绝缘层12的厚度相比充分小。在一例中，肋部5的厚度为200nm以上且400nm以下。

隔壁6的下部61由导电材料形成。隔壁6的下部61及上部62均可以具有导电性。

下电极LE1、LE2、LE3既可以由ITO等透明导电材料形成，也可以具有银(Ag)等金属材料与透明导电材料的层叠构造。上电极UE1、UE2、UE3由例如镁和银的合金(MgAg)等金属材料形成。上电极UE1、UE2、UE3也可以由ITO等透明导电材料形成。

在下电极LE1、LE2、LE3的电位与上电极UE1、UE2、UE3的电位相比相对高的情况下，下电极LE1、LE2、LE3相当于阳极，上电极UE1、UE2、UE3相当于阴极。此外，在上电极UE1、UE2、UE3的电位与下电极LE1、LE2、LE3的电位相比相对高的情况下，上电极UE1、UE2、UE3相当于阳极，下电极LE1、LE2、LE3相当于阴极。

有机层OR1、OR2、OR3包含多个功能层。另外，有机层OR1的第1部分OR1a及第2部分OR1b包含由同一材料形成的发光层EM1。有机层OR2的第1部分OR2a及第2部分OR2b包含由同一材料形成的发光层EM2。有机层OR3的第1部分OR3a及第2部分OR3b包含由同一材料形成的发光层EM3。发光层EM1、发光层EM2及发光层EM3由发出彼此不同的波长区域的光的材料形成。

盖层CP1、CP2、CP3例如由透明的薄膜的多层体形成。就多层体而言，作为薄膜，可以包含由无机材料形成的薄膜及由有机材料形成的薄膜。另外，上述多个薄膜具有彼此不同的折射率。构成多层体的薄膜的材料与上电极UE1、UE2、UE3的材料不同，另外，与密封层SE1、SE2、SE3的材料也不同。需要说明的是，盖层CP1、CP2、CP3也可以省略。

隔壁6被供给公共电压。该公共电压分别被供给至与下部61的侧面接触的各上电极的第1部分UE1a、UE2a、UE3a。下电极LE1、LE2、LE3分别经由各子像素SP1、SP2、SP3各自所具有的像素电路1而被供给像素电压。

当在下电极LE1和上电极UE1之间形成电位差时，有机层OR1之中的第1部分OR1a的发光层EM1发出红色波长区域的光。当在下电极LE2和上电极UE2之间形成电位差时，有机层OR2之中的第1部分OR2a的发光层EM2发出绿色波长区域的光。当在下电极LE3和上电极UE3之间形成电位差时，有机层OR3之中的第1部分OR3a的发光层EM3发出蓝色波长区域的光。

作为另一例，有机层OR1、OR2、OR3的发光层也可以发出同一颜色(例如白色)的光。在该情况下，显示装置DSP也可以具备用于将发光层发出的光转换为与子像素SP1、SP2、SP3对应的颜色的光的滤色部。另外，显示装置DSP也可以具备包含量子点的层，其中，该量子点由发光层发出的光激发而生成与子像素SP1、SP2、SP3对应的颜色的光。

图4是示出显示元件20的构成的一例的图。

图4所示的下电极LE与图3的下电极LE1、LE2、LE3的各自相当。图4所示的有机层OR与图3的有机层OR1、OR2、OR3的各自相当。图4所示的上电极UE与图3的上电极UE1、UE2、UE3的各自相当。

有机层OR具有载流子调整层CA1、发光层EM及载流子调整层CA2。载流子调整层CA1位于下电极LE与发光层EM之间，载流子调整层CA2位于发光层EM与上电极UE之间。载流子调整层CA1及CA2包含多个功能层。以下，以下电极LE相当于阳极、上电极UE相当于阴极的情况为例进行说明。

载流子调整层CA1作为功能层包含空穴注入层F11、空穴传输层F12、电子阻挡层F13等。空穴注入层F11配置于下电极LE之上，空穴传输层F12配置于空穴注入层F11之上，电子阻挡层F13配置于空穴传输层F12之上，发光层EM配置于电子阻挡层F13之上。

载流子调整层CA2作为功能层包含空穴阻挡层F21、电子传输层F22、电子注入层F23等。空穴阻挡层F21配置于发光层EM之上，电子传输层F22配置于空穴阻挡层F21之上，电子注入层F23配置于电子传输层F22之上，上电极UE配置于电子注入层F23之上。

需要说明的是，载流子调整层CA1及CA2除了上述功能层以外，也可以根据需要包含载流子产生层等其他功能层，上述功能层中的至少一个也可以省略。

图4所示的盖层CP与图3的盖层CP1、CP2、CP3的各自相当。盖层CP包含透明层(第1层)TL和无机层(第2层)IL。透明层TL配置在上电极UE之上，无机层IL配置在透明层TL之上。透明层TL例如是由有机材料形成的薄膜，并且是具有比上电极UE大的折射率的高折射率层。无机层IL例如是由氟化锂(LiF)形成的透明的薄膜，且为具有比透明层TL小的折射率的低折射率层。

需要说明的是，在图4所示的例子中，盖层CP是透明层TL和无机层IL这2层的层叠体，但也可以是3层以上的层叠体。在盖层CP中，无机层IL位于最上层，与图3所示的密封层SE1、SE2、SE3相接。

接下来，对显示装置DSP的制造方法的一例进行说明。

图5是用于说明显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。

在此所示的制造方法大致包括：准备成为子像素SPα、SPβ、SPγ的基底的处理基板SUB的工序(步骤ST1)；和形成子像素SPα的工序(步骤ST2)。在步骤ST2之后，进行与形成子像素SPα的工序同样的形成子像素SPβ的工序，并且进行形成子像素SPγ的工序。需要说明的是，这里的子像素SPα、SPβ、SPγ是上述子像素SP1、SP2、SP3中的任一者。

在步骤ST2中，首先，在处理基板SUB上形成包含发光层EMα的第1薄膜31(步骤ST21)。作为形成第1薄膜31的工序，首先，在处理基板SUB之上形成有机层OR10(步骤ST211)。然后，在有机层OR10之上形成上电极UE10(步骤ST212)。然后，在上电极UE10之上形成构成盖层的透明层TL10(步骤ST213)。然后，在透明层TL10之上形成构成盖层的无机层IL10(步骤ST214)。然后，在无机层IL10之上形成密封层SE10(步骤ST215)。

然后，在第1薄膜31之上形成图案化为规定形状的抗蚀剂41(步骤ST22)。

然后，利用以抗蚀剂41为掩模的蚀刻来将第1薄膜31的一部分除去(步骤ST23)。作为除去第1薄膜31的一部分的工序，首先，将从抗蚀剂41露出的密封层SE10除去(步骤ST231)。然后，将从抗蚀剂41及密封层SE10露出的无机层IL10除去(步骤ST232)。然后，将从抗蚀剂41、密封层SE10及无机层IL10露出的透明层TL10除去(步骤ST233)。然后，将从抗蚀剂41、密封层SE10、无机层IL10及透明层TL10露出的上电极UE10除去(步骤ST234)。然后，将从抗蚀剂41、密封层SE10、无机层IL10、透明层TL10及上电极UE10露出的有机层OR10除去(步骤ST235)。

然后，将抗蚀剂41除去(步骤ST24)。

由此，形成子像素SPα。子像素SPα包括具有规定形状的第1薄膜31的显示元件21。

形成子像素SPβ的工序包括与步骤ST21至步骤ST24同样的工序，但在步骤ST21中形成包含发光层EMβ的第2薄膜32来代替第1薄膜31。然后，通过将第2薄膜32图案化来形成子像素SPβ。子像素SPβ包括具有规定形状的第2薄膜32的显示元件22。需要说明的是，在此省略第2薄膜32、发光层EMβ、及显示元件22的图示。

形成子像素SPγ的工序包括与步骤ST21至步骤ST24同样的工序，但在步骤ST21中形成包含发光层EMγ的第3薄膜33来代替第1薄膜31。然后，通过将第3薄膜33图案化来形成子像素SPγ。子像素SPγ包括具有规定形状的第3薄膜33的显示元件23。需要说明的是，在此省略第3薄膜33、发光层EMγ、及显示元件23的图示。

发光层EMα、发光层EMβ及发光层EMγ由发出彼此不同的波长区域的光的材料形成。

以下，针对步骤ST1及步骤ST2进行具体地说明。

首先，在步骤ST1中，如图6所示，准备处理基板SUB，该处理基板SUB在基板10的上方形成有：子像素SPα的下电极LEα；子像素SPβ的下电极LEβ；子像素SPγ的下电极LEγ；具有与下电极LEα、LEβ、LEγ的各自重叠的开口APα、APβ、APγ的肋部5；和隔壁6，该隔壁6包含配置在肋部5之上的下部61及配置在下部61之上并从下部61的侧面突出的上部62。需要说明的是，在图7至图12中，省略了比绝缘层12更靠下层的基板10及电路层11的图示。

接着，在步骤ST21中，如图7所示，遍及子像素SPα、子像素SPβ及子像素SPγ而形成第1薄膜31。形成第1薄膜31的工序包括：在处理基板SUB之上形成包含发光层EMα的有机层OR10的工序(ST211)；在有机层OR10之上形成上电极UE10的工序(ST212)；在上电极UE10之上形成透明层TL10的工序(ST213)；在透明层TL10之上形成无机层IL10的工序(ST214)；和在无机层IL10之上形成密封层SE10的工序(ST215)。即，在图示的例子中，第1薄膜31包含有机层OR10、上电极UE10、透明层TL10、无机层IL10及密封层SE10。

有机层OR10包含第1有机层OR11、第2有机层OR12、第3有机层OR13、第4有机层OR14及第5有机层OR15。第1有机层OR11、第2有机层OR12、第3有机层OR13、第4有机层OR14及第5有机层OR15均包含由同一材料形成的发光层EMα。

第1有机层OR11形成为覆盖下电极LEα。第2有机层OR12与第1有机层OR11分离，并在下电极LEα和下电极LEβ之间位于隔壁6的上部62之上。第3有机层OR13与第2有机层OR12分离，并形成为覆盖下电极LEβ。第4有机层OR14与第3有机层OR13分离，并在下电极LEβ和下电极LEγ之间位于隔壁6的上部62之上。第5有机层OR15与第4有机层OR14分离，并形成为覆盖下电极LEγ。

上电极UE10包含第1上电极UE11、第2上电极UE12、第3上电极UE13、第4上电极UE14及第5上电极UE15。

第1上电极UE11位于第1有机层OR11之上，并在下电极LEα和下电极LEβ之间与隔壁6的下部61接触。第2上电极UE12与第1上电极UE11分离，并在下电极LEα和下电极LEβ之间位于第2有机层OR12之上。第3上电极UE13与第2上电极UE12分离，并位于第3有机层OR13之上。另外，在图示的例子中，第3上电极UE13在下电极LEα和下电极LEβ之间与隔壁6的下部61相接、在下电极LEβ和下电极LEγ之间与隔壁6的下部61相接，但也可以与任一者的下部61相接。第4上电极UE14与第3上电极UE13分离，并在下电极LEβ和下电极LEγ之间位于第4有机层OR14之上。第5上电极UE15与第4上电极UE14分离，位于第5有机层OR15之上，并在下电极LEβ和下电极LEγ之间与隔壁6的下部61相接。

透明层TL10包含第1透明层TL11、第2透明层TL12、第3透明层TL13、第4透明层TL14及第5透明层TL15。

第1透明层TL11位于第1上电极UE11之上。第2透明层TL12与第1透明层TL11分离，并位于第2上电极UE12之上。第3透明层TL13与第2透明层TL12分离，并位于第3上电极UE13之上。第4透明层TL14与第3透明层TL13分离，并位于第4上电极UE14之上。第5透明层TL15与第4透明层TL14分离，并位于第5上电极UE15之上。

无机层IL10包含第1无机层IL11、第2无机层IL12、第3无机层IL13、第4无机层IL14及第5无机层IL15。第1无机层IL11、第2无机层IL12、第3无机层IL13、第4无机层IL14及第5无机层IL15是由氟化锂形成的单层的薄膜。第1无机层IL11、第2无机层IL12、第3无机层IL13、第4无机层IL14及第5无机层IL15的各自的厚度为20nm以上、200nm以下。

第1无机层IL11位于第1透明层TL11之上。第1无机层IL11的折射率比第1透明层TL11的折射率小。

第2无机层IL12与第1无机层IL11分离，并位于第2透明层TL12之上。第2无机层IL12的折射率比第2透明层TL12的折射率小。

第3无机层IL13与第2无机层IL12分离，并位于第3透明层TL13之上。第3无机层IL13的折射率比第3透明层TL13的折射率小。

第4无机层IL14与第3无机层IL13分离，并位于第4透明层TL14之上。第4无机层IL14的折射率比第4透明层TL14的折射率小。

第5无机层IL15与第4无机层IL14分离，并位于第5透明层TL15之上。第5无机层IL15的折射率比第5透明层TL15的折射率小。

密封层SE10形成为覆盖第1无机层IL11、第2无机层IL12、第3无机层IL13、第4无机层IL14、第5无机层IL15及隔壁6。密封层SE10由作为无机材料的硅氮化物形成。覆盖隔壁6的密封层SE10与上部62的下方相接，并且与下部61的侧面相接。

然后，在步骤ST22中，如图8所示，在密封层SE10之上涂布抗蚀剂，并将该抗蚀剂图案化。通过这样的图案化形成的抗蚀剂41覆盖子像素SPα。即，抗蚀剂41配置在下电极LEα、第1有机层OR11、第1上电极UE11、第1透明层TL11及第1无机层IL11的正上方。另外，抗蚀剂41从子像素SPα向隔壁6的上方延伸。在子像素SPα和子像素SPβ之间的隔壁6的正上方，抗蚀剂41配置在子像素SPα侧(图的左侧)，在子像素SPβ侧(图的右侧)露出密封层SE10。在图示的例子中，抗蚀剂41在子像素SPβ及子像素SPγ中露出密封层SE10。

然后，在步骤ST231中，如图9所示，作为以抗蚀剂41为掩模的第1薄膜31的第1蚀刻，进行干式蚀刻，将从抗蚀剂41露出的密封层SE10除去。

通过该干式蚀刻，子像素SPβ及子像素SPγ的密封层SE10被除去，子像素SPβ的第3无机层IL13及子像素SPγ的第5无机层IL15从密封层SE10露出。密封层SE10残留于子像素SPα。

另外，针对子像素SPα和子像素SPβ之间的下部61、上部62、第2无机层IL12，其各自的子像素SPα侧被密封层SE10覆盖，而另一方面，各自的子像素SPβ侧从密封层SE10露出。子像素SPβ和子像素SPγ之间的下部61、上部62、第4无机层IL14从密封层SE10露出。当通过干式蚀刻除去密封层SE10时，这样的无机层IL10作为蚀刻停止层发挥功能。

如此，第1薄膜31之中的密封层SE10通过进行干式蚀刻而形成为具有规定形状。

然后，在步骤ST232中，如图10所示，作为以抗蚀剂41为掩模的第1薄膜31的第2蚀刻，进行使用了酸性溶液的湿式蚀刻，将从抗蚀剂41露出的无机层IL10除去。这里的酸性溶液例如为甲酸、乙酸、丙酸及丁酸中的至少一种有机酸的溶液。或者，这里的酸性溶液为硝酸及盐酸中的至少一种无机酸的溶液。在一例中，应用乙酸作为酸性溶液。乙酸浓度为0.01％以上，例如优选为0.1％以上、15％以下的范围。酸性溶液的pH例如为2.5以上、3.6以下。这些数值范围的根据是基于后文说明的实验1及实验2的结果得来的。

通过该湿式蚀刻，第2无机层IL12的一部分(子像素SPβ侧)被除去，另外，第3无机层IL13的全部、第4无机层IL14的全部、及第5无机层IL15的全部被除去。因此，第2透明层TL12的一部分(子像素SPβ侧)露出，另外，第3透明层TL13、第4透明层TL14、及第5透明层TL15露出。第1透明层TL11残留于子像素SPα。

然后，如图11所示，进行以抗蚀剂41为掩模的第1薄膜31的第3蚀刻。在该第3蚀刻中，首先，在步骤ST233中，将从抗蚀剂41露出的第2透明层TL12的一部分、第3透明层TL13的全部、第4透明层TL14的全部、及第5透明层TL15的全部除去。然后，在步骤ST234中，将从抗蚀剂41露出的第2上电极UE12的一部分、第3上电极UE13的全部、第4上电极UE14的全部、及第5上电极UE15的全部除去。然后，在步骤ST235中，将从抗蚀剂41露出的、第2有机层OR12的一部分、第3有机层OR13的全部、第4有机层OR14的全部、及第5有机层OR15的全部除去。

由此，在子像素SPβ中，下电极LEβ露出，在子像素SPγ中，下电极LEγ露出。

对于子像素SPα和子像素SPβ之间的隔壁6，在上部62的正上方，在子像素SPα侧残留有第2有机层OR12、第2上电极UE12、第2透明层TL12、第2无机层IL12、密封层SE10，而在子像素SPβ侧第2有机层OR12、第2上电极UE12、第2透明层TL12、第2无机层IL12、密封层SE10被除去。因此，在子像素SPβ侧，上部62露出。

另外，关于子像素SPα和子像素SPβ之间的肋部5，子像素SPβ侧露出。

另外，关于子像素SPβ和子像素SPγ之间的隔壁6，下部61及上部62露出。

另外，关于子像素SPβ和子像素SPγ之间的肋部5，子像素SPβ侧及子像素SPγ侧分别露出。

然后，如图12所示，在步骤ST24中，除去抗蚀剂41。由此，子像素SPα的密封层SE10露出。经过上述步骤ST21至ST24，在子像素SPα中形成显示元件21。显示元件21由下电极LEα、第1有机层OR11、第1上电极UE11、第1盖层CP11(第1透明层TL11及第1无机层IL11)构成。另外，显示元件21由密封层SE10覆盖。

上述例子的子像素SPα为图2所示的子像素SP1、SP2、SP3中的任一者。例如，在子像素SPα与子像素SP1相当的情况下，下电极LEα与下电极LE1相当，第1有机层OR11与第1部分OR1a相当，第2有机层OR12与第2部分OR1b相当，发光层EMα与第1发光层EM1相当，第1上电极UE11与第1部分UE1a相当，第2上电极UE12与第2部分UE1b相当，第1盖层CP11(第1透明层TL11及第1无机层IL11)与第1部分CP1a相当，第2盖层CP12(第2透明层TL12及第2无机层IL12)与第2部分CP1b相当，密封层SE10与密封层SE1相当。

根据本实施方式，能够确立构成盖层CP的无机层IL的图案化技术。另外，作为用于除去由氟化锂形成的无机层IL的酸性溶液，能够应用乙酸溶液。由于酸性溶液为单一组成，因此浓度管理容易，且环境负荷小。

另外，通过可靠地除去在上述例子中说明的覆盖子像素SPβ及SPγ的无机层IL，能够除去透明层TL、上电极UE、及有机层OR。因此，在后续的子像素形成工序中，能够在其他子像素SPβ及SPγ上分别形成所期望的形状的显示元件。另外，在各子像素中，能够将上电极UE和隔壁6的下部61可靠地电连接。因此，能够提高可靠性。

接着，本申请的发明人准备浓度(重量％浓度)不同的乙酸溶液，使用这些乙酸溶液来进行确认氟化锂能否溶解的实验1。实验1中，首先，准备在形成参照图7说明的有机层OR10及上电极UE10之后形成有氟化锂层的处理基板。氟化锂层的厚度为约80nm。将处理基板浸渍于乙酸溶液的时间为2分钟。然后，对是否残留有氟化锂层、以及是否存在由隔壁6在乙酸溶液中溶解所带来的损伤(damage)进行确认。

图13为示出实验1的结果的图。

在应用浓度0.01％(pH3.6)的乙酸溶液的情况下，氟化锂层的一部分残留，另外，没有确认到隔壁6的损伤。

在应用浓度0.1％(pH3.4)的乙酸溶液的情况下，氟化锂层未残留，另外，没有确认到隔壁6的损伤。

在应用浓度0.5％(pH3.0)的乙酸溶液的情况下，氟化锂层未残留，另外，没有确认到隔壁6的损伤。

在应用浓度1％(pH2.8)的乙酸溶液的情况下，氟化锂层未残留，另外，没有确认到隔壁6的损伤。

在应用浓度2％(pH2.7)的乙酸溶液的情况下，氟化锂层未残留，另外，没有确认到隔壁6的损伤。

在应用浓度99.8％(pH2.5)的乙酸溶液的情况下，氟化锂层未残留，另外，没有确认到隔壁6的损伤。

本申请的发明人使用同一浓度的乙酸溶液多次重复同样的实验，结果确认了在乙酸溶液的浓度为0.1％的情况下能够稳定地溶解氟化锂层。另外，还确认了在乙酸溶液的浓度为99.8％的情况下，即使将浸渍时间延长至10分钟，也没有隔壁6的损伤。

另外，通过延长处理基板在乙酸溶液中的浸渍时间来进行氟化锂层的溶解。因此，即使在乙酸浓度为0.01％的情况下，通过将浸渍时间延长得比2分钟长，也能够将氟化锂层全部除去。

基于上述实验1的结果，确认了从可靠地除去氟化锂层并且抑制对隔壁6的损伤的观点考虑，应用乙酸溶液作为酸性溶液是合适的。另外，还确认了如果乙酸浓度为0.01％以上的范围(pH3.6以下的范围)、优选乙酸浓度为大于0.01％的范围(小于pH3.6的范围)，则能够除去氟化锂层。根据实验1的结果可知，能够除去氟化锂层的乙酸浓度为0.01％以上、99.8％以下的范围、优选乙酸浓度为大于0.01％、99.8％以下的范围。另外，作为能够除去氟化锂层的酸性溶液的pH，为2.5以上、3.6以下的范围，优选pH为2.5以上、小于3.6的范围。

接着，本申请的发明人准备浓度(重量％浓度)不同的乙酸溶液，改变使用这些乙酸溶液的浸渍时间，进行确认氟化锂能否溶解的实验2。在实验2中，首先，准备在形成参照图7说明的有机层OR10及上电极UE10之后形成有氟化锂层的处理基板。氟化锂层的厚度为约100nm。然后，确认是否残留有氟化锂层。

图14是示出实验2的结果的图。

在应用浓度0.1％的乙酸溶液的情况下，在浸渍时间为5分钟时氟化锂层稍有残留，在浸渍时间为10分钟及15分钟时氟化锂层未残留。

在应用浓度0.5％的乙酸溶液的情况下，在浸渍时间为5分钟时氟化锂层稍有残留，在浸渍时间为10分钟及15分钟时氟化锂层未残留。

在应用浓度1％的乙酸溶液的情况下，在浸渍时间为5分钟时氟化锂层稍有残留，在浸渍时间为10分钟及15分钟时氟化锂层未残留。

在应用浓度2％的乙酸溶液的情况下，在浸渍时间为5分钟时氟化锂层稍有残留，在浸渍时间为10分钟及15分钟时氟化锂层未残留。

在应用浓度5％的乙酸溶液的情况下，在浸渍时间为5分钟时氟化锂层稍有残留，在浸渍时间为10分钟及15分钟时氟化锂层未残留。

在应用浓度10％的乙酸溶液的情况下，在浸渍时间为5分钟时氟化锂层稍有残留，在浸渍时间为10分钟及15分钟时氟化锂层未残留。

在应用浓度15％的乙酸溶液的情况下，在浸渍时间为5分钟时氟化锂层稍有残留，在浸渍时间为10分钟及15分钟时氟化锂层未残留。

基于上述实验2的结果，确认了在乙酸浓度为0.1％以上、15％以下的范围内，氟化锂层的溶解速度几乎没有差别。用于可靠地除去氟化锂层的最合适的浸渍时间根据氟化锂层的厚度来确定。例如，如上述实验2所示，在氟化锂层的厚度为100nm的情况下，将浸渍时间设定得比5分钟长、优选将浸渍时间设定为10分钟以上即可。

如上所述，根据本实施方式，能够提供能提高可靠性、且能提高制造成品率的显示装置的制造方法。

只要包含本发明要旨，本领域技术人员基于以上作为本发明的实施方式说明的显示装置的制造方法能够适当进行设计变更来实施的全部显示装置的制造方法也属于本发明的范围。

应知本领域技术人员在本发明的思想范畴内能够想到的各种变形例及其变形例也属于本发明的范围。例如，只要具备本发明的要旨，本领域技术人员针对上述实施方式、适当进行构成要素的追加、删除、或设计变更得到的技术方案或进行工序增加、省略或条件变更得到的技术方案也包含在本发明的范围内。

另外，就上述实施方式中说明的方式所带来的其他作用效果而言，根据本说明书的记载所能明确的或本领域技术人员能够适当想到的作用效果当然应视为本发明带来的作用效果。

Claims (13)

1.显示装置的制造方法，其中，准备在基板的上方形成有下电极、具有与所述下电极重叠的开口的肋部、和隔壁的处理基板，其中，该隔壁包含配置在所述肋部之上的下部及配置在所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部，

形成第1有机层以及第2有机层，所述第1有机层覆盖所述下电极，所述第2有机层与所述第1有机层分离并位于所述上部之上，

形成第1上电极以及第2上电极，所述第1上电极位于所述第1有机层之上并与所述下部相接，所述第2上电极与所述第1上电极分离并位于所述第2有机层之上，

形成第1透明层以及第2透明层，所述第1透明层位于所述第1上电极之上，所述第2透明层与所述第1透明层分离并位于所述第2上电极之上，

形成第1无机层以及第2无机层，所述第1无机层位于所述第1透明层之上，所述第2无机层与所述第1无机层分离并位于所述第2透明层之上，

形成密封层，所述密封层位于所述第1无机层及所述第2无机层之上，并覆盖所述隔壁，

形成抗蚀剂，所述抗蚀剂覆盖所述下电极的正上方的所述密封层、并且覆盖所述隔壁的正上方的所述密封层的一部分，

将所述抗蚀剂作为掩模进行干式蚀刻，将从所述抗蚀剂露出的所述密封层除去，

以所述抗蚀剂为掩模进行使用了酸性溶液的湿式蚀刻，将从所述抗蚀剂露出的所述第2无机层除去。

2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1无机层及所述第2无机层由氟化锂(LiF)形成。

3.如权利要求2所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1无机层及所述第2无机层的厚度为20nm以上、200nm以下。

4.如权利要求2所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1无机层及所述第2无机层的折射率比所述第1透明层及所述第2透明层的折射率小。

5.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述酸性溶液为甲酸、乙酸、丙酸、及丁酸中的至少一种有机酸的溶液。

6.如权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，所述酸性溶液为乙酸溶液，

乙酸浓度为0.01％以上。

7.如权利要求6所述的显示装置的制造方法，其中，所述乙酸浓度为0.1％以上、15％以下。

8.如权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，所述酸性溶液的pH为2.5以上、3.6以下。

9.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述酸性溶液为硝酸及盐酸中的至少一种无机酸的溶液。

10.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1有机层及所述第2有机层包含由同一材料形成的发光层。

11.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，进一步将所述抗蚀剂作为掩模来将从所述抗蚀剂露出的所述第2透明层除去。

12.如权利要求11所述的显示装置的制造方法，其中，进一步将所述抗蚀剂作为掩模来将从所述抗蚀剂露出的所述第2上电极除去。

13.如权利要求12所述的显示装置的制造方法，其中，进一步将所述抗蚀剂作为掩模来将从所述抗蚀剂露出的所述第2有机层除去。