CN116615055A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

根据一实施方式，显示装置具备：有机绝缘层；由无机绝缘材料形成且配置在有机绝缘层之上的阻断层；由无机绝缘材料形成且配置在阻断层之上的肋部；隔壁，其具有位于阻断层的正上方且配置在肋部之上的下部、和配置在下部之上且从下部的侧面突出的上部；在有机绝缘层与肋部之间具有端部的下电极；有机层，其包括发光层，该发光层具有在肋部的开口中配置在下电极之上且与隔壁的下部分离的第1部分、和配置在上部之上的第2部分，第1部分以及第2部分以相同的材料形成；以及上电极，其具有配置在有机层的第1部分之上且与隔壁的下部相接的第1部分、和配置在有机层的第2部分之上的第2部分。

Description

显示装置

参照关联申请

本申请主张基于在2022年2月15日日提出的日本专利申请第第2022-021352号的优先权，将该日本申请记载的所有记载内容援引至此。

技术领域

本发明的实施方式涉及显示装置。

背景技术

近年来，作为显示元件而应用了有机发光二极管(OLED)的显示装置实现实用化。该显示元件具备包括薄膜晶体管的像素电路、与像素电路连接的下电极、覆盖下电极的有机层、以及覆盖有机层的上电极。有机层除了发光层以外，还包括空穴传输层或电子传输层等的功能层。

在制造这种显示元件的过程中，需要抑制可靠性下降的技术。

发明内容

实施方式的目的在于提供一种能够抑制可靠性下降的显示装置。

根据一实施方式，显示装置具备：

基板；配置在所述基板的上方的有机绝缘层；由无机绝缘材料形成且配置在所述有机绝缘层之上的阻断层；由无机绝缘材料形成且配置在所述阻断层之上的肋部；隔壁，其具有位于所述阻断层的正上方且配置在所述肋部之上的下部、和配置在所述下部之上且从所述下部的侧面突出的上部；在所述有机绝缘层与所述肋部之间具有端部的下电极；有机层，其包括发光层，该发光层具有在所述肋部的开口中配置在所述下电极之上且与所述隔壁的所述下部分离的第1部分、和配置在所述上部之上的第2部分，所述第1部分以及所述第2部分以相同的材料形成；上电极，其具有配置在所述有机层的所述第1部分之上且与所述隔壁的所述下部相接的第1部分、和配置在所述有机层的所述第2部分之上的第2部分；盖层，其具有配置在所述上电极的所述第1部分之上的第1部分、和配置在所述上电极的所述第2部分之上的第2部分；以及覆盖所述盖层的所述第1部分以及所述第2部分的封固层。

根据实施方式，提供能够抑制可靠性下降的显示装置。

附图说明

图1是示出显示装置DSP的构成例的图。

图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。

图3是示出沿着图2中的III-III线的显示装置的概略性剖视图。

图4是示出阻断层BL的一构成例的平面图。

图5是示出显示元件20的构成的一例的图。

图6是用于说明显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。

图7是用于说明步骤ST1的图。

图8是用于说明步骤ST21的图。

图9是用于说明步骤ST22的图。

图10是用于说明步骤ST23的图。

图11是用于说明步骤ST23的图。

图12是用于说明步骤ST24的图。

图13是示出阻断层BL的另一构成例的平面图。

图14是示出显示装置的另一构成例的剖视图。

图15是示出显示装置的另一构成例的剖视图。

图16是示出显示装置的另一构成例的剖视图。

具体实施方式

参照附图说明一实施方式。

本公开只不过为一例，本领域技术人员容易想到的保持发明的主旨的适当变更当然包含在本发明的范围内。另外，为了使说明更明确，与实际的形态相比，有时示意性示出附图各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过为一例，不限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对与关于已经出现的图说明的构成要素发挥相同或者类似的功能的构成要素标注相同的附图标记，有时适当省略重复的详细说明。

此外，根据需要，为了易于理解，记载了彼此正交的X轴、Y轴以及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向，将沿着Y轴的方向称为第2方向，将沿着Z轴的方向称为第3方向。将与第3方向Z平行地观察各种要素称为俯视。

本实施方式的显示装置为作为显示元件而具备有机发光二极管(OLED)的有机电致发光显示装置，可搭载于电视机、个人计算机、车载设备、车载设备、智能手机、便携电话等。

图1是示出显示装置DSP的构成例的图。

显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA、以及显示区域DA的周边的周边区域SA。基板10可以为玻璃，也可以为具有挠性的树脂薄膜。

在本实施方式中，俯视下的基板10的形状为长方形。但基板10的俯视下的形状不限于长方形，也可以为正方形、圆形或者椭圆形等的其他形状。

显示区域DA具备在第1方向X以及第2方向Y上呈矩阵状排列的多个像素PX。像素PX包括多个子像素SP。在一例子，像素PX包括红色的子像素SP1、绿色的子像素SP2以及蓝色的子像素SP3。此外，像素PX可以一并包含子像素SP1、SP2、SP3以及白色等其他颜色的子像素SP，或者可以取代子像素SP1、SP2、SP3的某一个而包括白色等其他颜色的子像素SP。

子像素SP具备像素电路1、以及由像素电路1驱动的显示元件20。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3以及电容4。像素开关2以及驱动晶体管3例如为由薄膜晶体管构成的开关元件。

像素开关2的栅极电极连接于扫描线GL。像素开关2的源极电极以及漏极电极的一方连接于信号线SL，另一方连接于驱动晶体管3的栅极电极以及电容4。在驱动晶体管3中，源极电极以及漏极电极的一方连接于电源线PL以及电容4，另一方连接于显示元件20的阳极。

此外，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管以及电容。

显示元件20为作为发光元件的有机发光二极管(OLED)，有时称为有机EL元件。例如，子像素SP1具备发出红色的波长域的光的显示元件20，子像素SP2具备发出绿色的波长域的光的显示元件20，子像素SP3具备发出蓝色的波长域的光的显示元件20。

图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。

在图2的例子中，子像素SP1与子像素SP2在第2方向Y上排列。而且，子像素SP1、SP2分别与子像素SP3在第1方向X上排列。

在子像素SP1、SP2、SP3为这种布局的情况下，在显示区域DA形成有子像素SP1、SP2在第2方向Y上交替配置的列、以及多个子像素SP3在第2方向Y上反复配置的列。这些列在第1方向X上交替排列。

此外，子像素SP1、SP2、SP3的布局不限于图2的例子。作为另一例，也可以为各像素PX中的子像素SP1、SP2、SP3在第1方向X上按该顺序排列。

在显示区域DA配置有肋部5以及隔壁6。肋部5在子像素SP1、SP2、SP3中分别具有开口AP1、AP2、AP3。在图2的例子中，开口AP2比开口AP1大，开口AP3比开口AP2大。

隔壁6在俯视下与肋部5重叠。隔壁6具备沿第1方向X延伸的多个第1隔壁6x、以及沿第2方向Y延伸的多个第2隔壁6y。多个第1隔壁6x分别配置于在第2方向Y上相邻的开口AP1、AP2之间，以及在第2方向Y上相邻的两个开口AP3之间。第2隔壁6y分别配置于在第1方向X上相邻的开口AP1、AP3之间、以及在第1方向X上相邻的开口AP2、AP3之间。

在图2的例子中，第1隔壁6x以及第2隔壁6y彼此连接在一起。由此，隔壁6整体上形成为包围开口AP1、AP2、AP3的格子状。隔壁6也能够设为与肋部5同样地，在子像素SP1、SP2、SP3中具有开口。

子像素SP1具备与开口AP1分别重叠的下电极LE1、上电极UE1以及有机层OR1。子像素SP2具备与开口AP2分别重叠的下电极LE2、上电极UE2以及有机层OR2。子像素SP3具备与开口AP3分别重叠的下电极LE3、上电极UE3以及有机层OR3。

在图2的例子中，下电极LE1、LE2、LE3的外形用虚线示出，有机层OR1、OR2、OR3、以及上电极UE1、UE2、UE3的外形用点划线示出。下电极LE1、LE2、LE3各自的周缘部与肋部5重叠。上电极UE1的外形与有机层OR1的外形基本一致，上电极UE1以及有机层OR1各自的周缘部与隔壁6重叠。上电极UE2的外形与有机层OR2的外形基本一致，上电极UE2以及有机层OR2各自的周缘部与隔壁6重叠。上电极UE3的外形与有机层OR3的外形基本一致,上电极UE3以及有机层OR3各自的周缘部与隔壁6重叠。

下电极LE1、上电极UE1以及有机层OR1构成子像素SP1的显示元件20。下电极LE2、上电极UE2以及有机层OR2构成子像素SP2的显示元件20。下电极LE3、上电极UE3以及有机层OR3构成子像素SP3的显示元件20。下电极LE1、LE2、LE3例如相当于显示元件20的阳极。上电极UE1、UE2、UE3相当于显示元件20的阴极、或者共用电极。

下电极LE1从接触孔CH1通过而连接于子像素SP1的像素电路1(参照图1)。下电极LE2从接触孔CH2通过而连接于子像素SP2的像素电路1。下电极LE3从接触孔CH3通过而连接于子像素SP3的像素电路1。

图3是沿着图2中的III-III线的显示装置DSP的概略性剖视图。

在上述基板10之上配置有电路层11。电路层11包括图1示出的像素电路1、扫描线GL、信号线SL以及电源线PL等各种电路或布线。电路层11由绝缘层12覆盖。绝缘层12作为将由电路层11形成的凹凸平坦化的平坦化膜发挥作用。阻断层BL配置在绝缘层12之上。在图示的例子中，阻断层BL与绝缘层12相接，覆盖绝缘层12的几乎整个面。

下电极LE1、LE2、LE3配置在阻断层BL之上。肋部5配置在阻断层BL以及下电极LE1、LE2、LE3之上。下电极LE1、LE2、LE3的端部由肋部5覆盖。下电极LE1、LE2、LE3的端部由肋部5覆盖。也就是说，下电极LE1、LE2、LE3的端部配置在绝缘层12与肋部5之间，在图示的例子中，配置在阻断层BL与肋部5之间。在下电极LE1、LE2、LE3中的、彼此相邻的下电极之间，阻断层BL由肋部5覆盖。在与肋部5的开口AP1、AP2、AP3重叠的位置，下电极LE1、LE2、LE3配置在阻断层BL之上。

隔壁6包括位于阻断层BL的正上方且配置在肋部5之上的下部(茎部)61、和配置在下部61之上的上部(笠部)62。上部62具有比下部61大的宽度。由此，在图3中上部62的两端部与下部61的侧面相比更突出。这种隔壁6的形状也能够称为悬垂状。

在隔壁6的正下方，阻断层BL配置在绝缘层12与肋部5之间。另外，阻断层BL在隔壁6的下部61的侧面与下电极LE1、LE2、LE3的各个端部之间配置在绝缘层12与肋部5之间。

如图3所示，图2示出的有机层OR1包括彼此分离的第1部分OR1a以及第2部分OR1b。第1部分OR1a从开口AP1通过与下电极LE1接触而覆盖下电极LE1，并且与肋部5的一部分重叠。第2部分OR1b配置在上部62之上。

另外，如图3所示，图2示出的上电极UE1包括彼此分离的第1部分UE1a以及第2部分UE1b。第1部分UE1a与下电极LE1相对置，并且配置在第1部分OR1a之上。而且，第1部分UE1a与下部61的侧面接触。第2部分UE1b位于隔壁6的上方，配置在第2部分OR1b之上。

如图3所示，图2示出的有机层OR2包括彼此分离的第1部分OR2a以及第2部分OR2b。第1部分OR2a从开口AP2通过与下电极LE2接触而覆盖下电极LE2，并且与肋部5的一部分重叠。第2部分OR2b配置在上部62之上。

另外，如图3所示，图2示出的上电极UE2包括彼此分离的第1部分UE2a以及第2部分UE2b。第1部分UE2a与下电极LE2相对置，并且配置在第1部分OR2a之上。而且，第1部分UE2a与下部61的侧面接触。第2部分UE2b位于隔壁6的上方，配置在第2部分OR2b之上。

如图3所示，图2示出的有机层OR3包括彼此分离的第1部分OR3a以及第2部分OR3b。第1部分OR3a从开口AP3通过与下电极LE3接触而覆盖下电极LE3，并且与肋部5的一部分重叠。第2部分OR3b配置在上部62之上。

另外，图2示出的上电极UE3如图3所示包括彼此分离的第1部分UE3a以及第2部分UE3b。第1部分UE3a与下电极LE3相对置，并且配置在第1部分OR3a之上。而且，第1部分UE3a与下部61的侧面接触。第2部分UE3b位于隔壁6的上方，配置在第2部分OR3b之上。

在图3示出的例子中，子像素SP1、SP2、SP3包括用于对有机层OR1、OR2、OR3的发光层发出的光的光学特性进行调节的盖层(光学调节层)CP1、CP2、CP3。

盖层CP1包括彼此分离的第1部分CP1a以及第2部分CP1b。第1部分CP1a位于开口AP1，配置在第1部分UE1a之上。第2部分CP1b位于隔壁6的上方，配置在第2部分UE1b之上。

盖层CP2包括彼此分离的第1部分CP2a以及第2部分CP2b。第1部分CP2a位于开口AP2，配置在第1部分UE2a之上。第2部分CP2b位于隔壁6的上方，配置在第2部分UE2b之上。

盖层CP3包括彼此分离的第1部分CP3a以及第2部分CP3b。第1部分CP3a位于开口AP3，配置在第1部分UE3a之上。第2部分CP3b位于隔壁6的上方，配置在第2部分UE3b之上。

在子像素SP1、SP2、SP3分别配置有封固层SE1、SE2、SE3。封固层SE1连续覆盖包含第1部分CP1a、隔壁6、以及第2部分CP1b在内的子像素SP1的各部件。封固层SE2连续覆盖包含第1部分CP2a、隔壁6、以及第2部分CP2b在内的子像素SP2的各部件。封固层SE3连续覆盖包含第1部分CP3a、隔壁6、以及第2部分CP3b在内的子像素SP3的各部件。

在图3的例子中，子像素SP1，SP3间的隔壁6上的第2部分OR1b、第2部分UE1b、第2部分CP1b、以及封固层SE1与该隔壁6上的第2部分OR3b、第2部分UE3b、第2部分CP3b、以及封固层SE3分离。另外，子像素SP2、SP3间的隔壁6上的第2部分OR2b、第2部分UE2b、第2部分CP2b、以及封固层SE2与该隔壁6上的第2部分OR3b、第2部分UE3b、第2部分CP3b、以及封固层SE3分离。

封固层SE1、SE2、SE3由树脂层13覆盖。树脂层13由封固层14覆盖。而且，封固层14由树脂层15覆盖。

绝缘层12为有机绝缘层。阻断层BL、肋部5、封固层SE1、SE2、SE3、以及封固层14为无机绝缘层。这种阻断层BL具有阻断从绝缘层12向有机层OR1、OR2、OR3的水分通过、或者从绝缘层12向上电极UE1、UE2、UE3的水分通过的功能。通过配置有阻断层BL，抑制有机层OR1、OR2、OR3、上电极UE1、UE2、UE3因水分而劣化。

阻断层BL、以及肋部5以彼此不同的无机绝缘材料形成。

肋部5、以及封固层SE1、SE2、SE3以相同的无机绝缘材料形成。

阻断层BL、以及封固层SE1、SE2、SE3以彼此不同的无机绝缘材料形成。

例如，阻断层BL由氧化硅(SiOx)或者氮氧化硅(SiON)形成。肋部5例如以氮化硅(SiNx)形成。封固层14、SE1、SE2、SE3例如以氮化硅(SiNx)形成。

肋部5的厚度与隔壁6或绝缘层12的厚度相比足够小。在一例子，肋部5的厚度在200nm以上且400nm以下。阻断层BL的厚度与肋部5的厚度相同、或者比肋部5的厚度小。

隔壁6的下部61由导电材料形成，与各上电极的第1部分UE1a，UE2a，UE3a电连接。隔壁6的下部61以及上部62也可以都具有导电性。

下电极LE1、LE2、LE3可以由ITO等透明导电材料形成，具有银(Ag)等的金属材料和透明导电材料的层叠构造。上电极UE1、UE2、UE3由例如镁和银的合金(MgAg)等的金属材料形成。上电极UE1、UE2、UE3也可以由ITO等透明导电材料形成。

在下电极LE1、LE2、LE3的电位与上电极UE1、UE2、UE3的电位相比相对高的情况下，下电极LE1、LE2、LE3相当于阳极，上电极UE1、UE2、UE3相当于阴极。另外，在上电极UE1、UE2、UE3的电位与下电极LE1、LE2、LE3的电位相比相对高的情况下，上电极UE1、UE2、UE3相当于阳极，下电极LE1、LE2、LE3相当于阴极。

有机层OR1、OR2、OR3具有多个功能层。另外，有机层OR1的第1部分OR1a以及第2部分OR1b包括以相同的材料形成的发光层EM1。有机层OR2的第1部分OR2a以及第2部分OR2b包括以相同的材料形成的发光层EM2。有机层OR3的第1部分OR3a以及第2部分OR3b包括以相同的材料形成的发光层EM3。发光层EM1、发光层EM2、以及发光层EM3由发出彼此不同的波长范围的光的材料来形成。

盖层CP1、CP2、CP3例如由透明的薄膜的多层体来形成。多层体作为薄膜，可以包括由无机材料形成的薄膜以及由有机材料形成的薄膜。另外，这些多个薄膜具有彼此不同的折射率。构成多层体的薄膜的材料与上电极UE1、UE2、UE3的材料不同，另外，也与封固层SE1、SE2、SE3的材料不同。此外，也可以省略盖层CP1、CP2、CP3。

向隔壁6供给共用电压。将该共用电压分别供给至与下部61的侧面接触的各上电极的第1部分UE1a、UE2a、UE3a。从子像素SP1、SP2、SP3分别具有的像素电路1通过而向下电极LE1、LE2、LE3供给像素电压。

若在下电极LE1与上电极UE1之间形成有电位差，则有机层OR1中的第1部分OR1a的发光层EM1发出红色的波长域的光。若在下电极LE2与上电极UE2之间电位差形成有电位差，则有机层OR2中的第1部分OR2a的发光层EM2发出绿色的波长域的光。若在下电极LE3与上电极UE3之间电位差形成有电位差，则有机层OR3的第1部分OR3a的发光层EM3发出蓝色的波长域的光。

作为另一例，有机层OR1、OR2、OR3的发光层也可以发出同一颜色(例如白色)的光。在该情况下，显示装置DSP也可以具备将发光层发出的光转换为与子像素SP1、SP2、SP3对应的颜色的光的彩色滤光片。另外，显示装置DSP也可以具备包括因发光层发出的光激发而生成与子像素SP1、SP2、SP3对应的颜色的光的量子点的层。

图4是示出阻断层BL的一构成例的平面图。此外，在图4中仅图示了阻断层BL以及下电极LE1、LE2、LE3，省略了其他构成要素的图示。

在俯视下，下电极LE1、LE2、LE3与阻断层BL重叠。阻断层BL具有与接触孔CH1重叠的开口AP11、与接触孔CH2重叠的开口AP12、以及与接触孔CH3重叠的开口AP13。

也就是说，下电极LE1从开口AP11以及接触孔CH1通过与图1示出的子像素SP1的像素电路1连接。同样地，下电极LE2从开口AP12以及接触孔CH2通过与子像素SP2的像素电路1连接。另外，下电极LE3从开口AP13以及接触孔CH3通过与子像素SP3的像素电路1连接。

此外，在图1示出的周边区域SA中，出于从绝缘层12除去水分的目的，也可以在阻断层BL设置贯穿孔。

图5是示出显示元件20的构成的一例的图。

图5示出的下电极LE相当于图3的下电极LE1、LE2、LE3的每一个。图5示出的有机层OR相当于图3的有机层OR1、OR2、OR3的每一个。图5示出的上电极UE相当于图3的上电极UE1、UE2、UE3的每一个。

有机层OR具有载流子调节层CA1、发光层EM、载流子调节层CA2。载流子调节层CA1位于下电极LE与发光层EM之间，载流子调节层CA2位于发光层EM与上电极UE之间。载流子调节层CA1以及CA2包括多个功能层。以下，以下电极LE相当于阳极且上电极UE相当于阴极的情况为例进行说明。

载流子调节层CA1作为功能层而包括空穴注入层F11、空穴传输层F12、电子阻挡层F13等。空穴注入层F11配置在下电极LE之上，空穴传输层F12配置在空穴注入层F11之上，电子阻挡层F13配置在空穴传输层F12之上，发光层EM配置在电子阻挡层F13之上。

载流子调节层CA2作为功能层，包括空穴阻挡层F21、电子传输层F22、电子注入层F23等。空穴阻挡层F21配置在发光层EM之上，电子传输层F22配置在空穴阻挡层F21之上，电子注入层F23配置在电子传输层F22之上，上电极UE配置在电子注入层F23之上。

此外，载流子调节层CA1以及CA2除了上述功能层以外，也可以根据需要而包括载流子产生层等其他功能层，也可以省略上述功能层的至少一个。

接下来，说明显示装置DSP的制造方法的一例。

图6是用于说明显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。

在此示出的制造方法大体包括准备成为子像素SPα、SPβ、SPγ的基底的处理基板SUB的工序(步骤ST1)、形成子像素SPα的工序(步骤ST2)、形成子像素SPβ的工序(步骤ST3)、形成子像素SPγ的工序(步骤ST4)。此外，在此的子像素SPα、SPβ、SPγ为上述的子像素SP1、SP2、SP3的某一种。

在步骤ST1中，首先，准备在基板10之上形成了阻断层BL、下电极LEα、LEβ、LEγ、肋部5、以及隔壁6的处理基板SUB。如图3所示，在基板10与阻断层BL之间也形成有电路层11以及绝缘层12。在后面说明详细内容。

在步骤ST2中，首先，在处理基板SUB形成包括第1发光层EMα在内的第1薄膜31(步骤ST21)。此后，在第1薄膜31之上形成图案化成规定的形状的第1抗蚀剂41(步骤ST22)。此后，利用以第1抗蚀剂41作为掩膜的蚀刻来除去第1薄膜31的一部分(步骤ST23)。此后，除去第1抗蚀剂41(步骤ST24)。由此，形成有子像素SPα。子像素SPα具备具有规定的形状的第1薄膜31的显示元件21。

在步骤ST3中，在处理基板SUB形成包括第2发光层EMβ的第2薄膜32(步骤ST31)。此后，在第2薄膜32之上形成图案化成规定的形状的第2抗蚀剂42(步骤ST32)。此后，利用以第2抗蚀剂42为掩膜的蚀刻来除去第2薄膜32的一部分(步骤ST33)。此后，除去第2抗蚀剂42(步骤ST34)。由此，形成有子像素SPβ。子像素SPβ具备具有规定的形状的第2薄膜32的显示元件22。

在步骤ST4中，在处理基板SUB形成包括第3发光层EMγ在内的第3薄膜33(步骤ST41)。此后，在第3薄膜33之上形成图案化成规定的形状的第3抗蚀剂43(步骤ST42)。此后，利用以第3抗蚀剂43为掩膜的蚀刻除去第3薄膜33的一部分(步骤ST43)。此后，除去第3抗蚀剂43(步骤ST44)。由此，形成有子像素SPγ。子像素SPγ具备具有规定的形状的第3薄膜33的显示元件23。

第1发光层EMα、第2发光层EMβ、以及第3发光层EMγ由发出波长范围彼此不同的光的材料来形成。

此外，省略第2薄膜32、第2发光层EMβ、显示元件22、第3薄膜33、第3发光层EMγ、以及显示元件23的详细图示。

以下，参照图7～图12说明步骤ST1以及步骤ST2。

首先，在步骤ST1中，如图7所示，准备处理基板SUB。准备处理基板SUB的工序包括：在基板10之上形成电路层11的工序；在电路层11之上形成绝缘层12的工序；在绝缘层12之上形成阻断层BL的工序；在阻断层BL之上形成子像素SPα的下电极LEα、子像素SPβ的下电极LEβ、子像素SPγ的下电极LEγ的工序；形成具有与下电极LEα、LEβ、LEγ的每一个重叠的开口APα、APβ、APγ的肋部5的工序；形成包括配置在肋部5之上的下部61以及配置在下部61之上且从下部61的侧面突出的上部62在内的隔壁6的工序。此外，在图8～图12中，省略在绝缘层12下层的基板10以及电路层11的图示。

接下来，在步骤ST21中，如图8所示，跨过子像素SPα、子像素SPβ、以及子像素SPγ地形成第1薄膜31。形成第1薄膜31的工序包括：在处理基板SUB之上形成包括第1发光层EMα在内的有机层OR10的工序；在有机层OR10之上形成上电极UE10的工序；在上电极UE10之上形成盖层CP10的工序；在盖层CP10之上形成封固层SE10的工序。也就是说，在图示的例子中，第1薄膜31包括有机层OR10、上电极UE10、盖层CP10、以及封固层SE10。

有机层OR10包括第1有机层OR11、第2有机层OR12、第3有机层OR13、第4有机层OR14、以及第5有机层OR15。第1有机层OR11、第2有机层OR12、第3有机层OR13、第4有机层OR14、以及第5有机层OR15均包括第1发光层EMα。

第1有机层OR11以覆盖下电极LEα的方式来形成。第2有机层OR12与第1有机层OR11分离，在下电极LEα与下电极LEβ之间位于隔壁6的上部62之上。第3有机层OR13以与第2有机层OR12分离且覆盖下电极LEβ的方式来形成。第4有机层OR14与第3有机层OR13分离，在下电极Leβ与下电极LEγ之间位于隔壁6的上部62之上。第5有机层OR15以与第4有机层OR14分离且覆盖下电极LEγ的方式来形成。

上电极UE10包括第1上电极UE11、第2上电极UE12、第3上电极UE13、第4上电极UE14、以及第5上电极UE15。

第1上电极UE11位于第1有机层OR11之上，在下电极LEα与下电极LEβ之间与隔壁6的下部61相接。第2上电极UE12与第1上电极UE11分离，在下电极LEα与下电极LEβ之间位于第2有机层OR12之上。第3上电极UE13与第2上电极UE12分离，位于第3有机层OR13之上。另外，第3上电极UE13在图示的例子中，在下电极LEα与下电极LEβ之间与隔壁6的下部61相接，在下电极LEβ与下电极LEγ之间与隔壁6的下部61相接，但也可以与某一方的下部61相接。第4上电极UE14与第3上电极UE13分离，在下电极LEβ与下电极LEγ之间位于第4有机层OR14之上。第5上电极UE15与第4上电极UE14分离位于第5有机层OR15之上，在下电极LEβ与下电极LEγ之间与隔壁6的下部61相接。

盖层CP10包括第1盖层CP11、第2盖层CP12、第3盖层CP13、第4盖层CP14、以及第5盖层CP15。

第1盖层CP11位于第1上电极UE11之上。第2盖层CP12与第1盖层CP11分离，位于第2上电极UE12之上。第3盖层CP13与第2盖层CP12分离，位于第3上电极UE13之上。第4盖层CP14与第3盖层CP13分离，位于第4上电极UE14之上。第5盖层CP15与第4盖层CP14分离，位于第5上电极UE15之上。

封固层SE10以覆盖第1盖层CP11、第2盖层CP12、第3盖层CP13、第4盖层CP14、第5盖层CP15、以及隔壁6的方式来形成。覆盖隔壁6的封固层SE10与上部62的下方相接，并且与下部61的侧面相接。

在图8示出的例子中，肋部5由有机层OR10以及上电极UE10覆盖。因此，肋部5与封固层SE10彼此不相接。但在有机层OR10、上电极UE10、以及盖层CP10均没有延伸至到达隔壁6的下部61的情况下，肋部5的上表面中的、隔壁6附近的区域可能会与封固层SE10相接。

此后，在步骤ST22中，如图9所示，在封固层SE10之上涂敷抗蚀剂，将该抗蚀剂图案化。通过这种图案化形成的第1抗蚀剂41覆盖子像素SPα。也就是说，第1抗蚀剂41配置在下电极LEα、第1有机层OR11、第1上电极UE11、以及第1盖层CP11的正上方。另外，第1抗蚀剂41从子像素SPα延伸至隔壁6的上方。在子像素SPα与子像素SPβ之间，第1抗蚀剂41配置在子像素SPα侧(图的左侧)，在子像素SPβ侧(图的右侧)露出了封固层SE10。在图示的例子中，第1抗蚀剂41在子像素SPβ以及子像素SPγ中露出了封固层SE10。

此后，在步骤ST23中，以第1抗蚀剂41为掩膜进行蚀刻，除去从第1抗蚀剂41露出的第1薄膜31。除去第1薄膜31的工序包括：除去封固层SE10的一部分的工序；除去盖层CP10的一部分的工序；除去上电极UE10的一部分的工序；以及除去有机层OR10的一部分的工序。

首先，如图10所示，以第1抗蚀剂41为掩膜进行干式蚀刻，除去从第1抗蚀剂41露出的封固层SE10的一部分。在图示的例子中，残留封固层SE10中的、覆盖子像素SPα的部分(覆盖第1盖层CP11的部分)、以及隔壁6的正上方中的子像素SPα侧(图的左侧)的部分(第2盖层CP12中的覆盖子像素SPα侧的部分)。另一方面，除去封固层SE10中的、隔壁6的正上方中的子像素SPβ侧(图的右侧)的部分(第2盖层CP12中的覆盖子像素SPβ侧的部分)、覆盖子像素SPβ的部分(覆盖第3盖层CP13的部分)、覆盖子像素SPβ与子像素SPγ之间的隔壁6的部分(覆盖第4盖层CP14的部分)、以及覆盖子像素SPγ的部分(覆盖第5盖层CP15的部分)。由此，第2盖层CP12的一部分、第3盖层CP13、第4盖层CP14、以及第5盖层CP15从封固层SE10露出。

如参照图8说明的那样，例如在子像素SPβ以及SPγ的隔壁6附近封固层SE10与肋部5相接的情况下，在除去封固层SE10时，担心肋部5也受到破坏。然而，即使肋部5受到破坏，也通过阻断层BL防止绝缘层12的露出。

然后，如图11所示，以第1抗蚀剂41为掩膜进行蚀刻除去从第1抗蚀剂41以及封固层SE10露出的盖层CP10的一部分。在图示的例子中，除去第2盖层CP12的一部分、第3盖层CP13的全部、第4盖层CP14的全部、以及第5盖层CP15的全部。

然后，以第1抗蚀剂41为掩膜进行蚀刻，除去从第1抗蚀剂41、封固层SE10、以及盖层CP10露出的上电极UE10的一部分。在图示的例子中，除去第2上电极UE12的一部分、第3上电极UE13的全部、第4上电极UE14的全部、以及第5上电极UE15的全部。

然后，以第1抗蚀剂41为掩膜进行蚀刻除去从第1抗蚀剂41、封固层SE10、盖层CP10、以及上电极UE10露出的有机层OR10的一部分。在图示的例子中，除去第2有机层OR12的一部分、第3有机层OR13的全部、第4有机层OR14的全部、以及第5有机层OR15的全部。

由此，在子像素SPβ中下电极LEβ露出，在子像素SPγ中下电极LEγ露出。

关于子像素SPα与子像素SPβ之间的隔壁6，在上部62的正上方，在子像素SPα侧残留第2有机层OR12、第2上电极UE12、第2盖层CP12、封固层SE10，在子像素SPβ侧除去第2有机层OR12、第2上电极UE12、第2盖层CP12、封固层SE10。因此，隔壁6的子像素SPβ侧露出。

另外，子像素SPβ与子像素SPγ之间的隔壁6也露出。

此后，在步骤ST24中，如图12所示，除去第1抗蚀剂41。由此，子像素SPα的封固层SE10露出。经由这些步骤ST21～ST24，在子像素SPα中，形成显示元件21。显示元件21由下电极LEα、包括第1发光层EMα在内的第1有机层OR11、第1上电极UE11、以及第1盖层CP11来构成。另外，显示元件21由封固层SE10覆盖。

在子像素SPα与子像素SPβ之间的隔壁6之上形成有包含第1发光层EMα在内的第2有机层OR12、第2上电极UE12、以及第2盖层CP12的层叠体，该层叠体由封固层SE10覆盖。另外，隔壁6中的、子像素SPα一侧的部分由封固层SE10覆盖。

上述例子的子像素SPα为图2示出的子像素SP1、SP2、SP3的某一种。例如，在子像素SPα相当于子像素SP1的情况下，下电极LEα相当于下电极LE1，第1有机层OR11相当于第1部分OR1a，第2有机层OR12相当于第2部分OR1b，第1发光层EMα相当于发光层EM1，第1上电极UE11相当于第1部分UE1a，第2上电极UE12相当于第2部分UE1b，第1盖层CP11相当于第1部分CP1a，第2盖层CP12相当于第2部分CP1b，封固层SE10相当于封固层SE1。

根据本实施方式，在作为无机绝缘层的肋部5与作为有机绝缘层的绝缘层12之间，配置有作为无机绝缘层的阻断层BL。阻断层BL以与肋部5以及封固层SE10不同的无机绝缘材料来形成。例如，与肋部5以及封固层SE10由氮化硅形成相对地，阻断层BL以作为与氮化硅(SiN)相比相对于干式蚀刻具有更高的耐受性的材料氧化硅(SiO)或者氮氧化硅(SiON)来形成。

因此，即使封固层SE10与肋部5相接配置而在对封固层SE10进行干式蚀刻时使肋部5受到破坏，肋部5的正下方的阻断层BL也防止绝缘层12露出。由此，抑制从肋部5到绝缘层12的不期望的孔(水分浸入路径)的形成。因此，阻断从绝缘层12向有机层OR10的水分通过、或者从绝缘层12向上电极UE10的水分通过，抑制有机层OR10以及上电极UE10因水分而劣化。因此，能够抑制可靠性下降。

接下来，说明显示装置的另一构成例。

图13是示出阻断层BL的另一构成例的平面图。此外，在图13中，仅图示了阻断层BL以及下电极LE1、LE2、LE3，省略了其他的构成要素的图示。

在俯视下，下电极LE1、LE2、LE3的各个端部与阻断层BL重叠。阻断层BL具有与接触孔CH1重叠的开口AP11、与接触孔CH2重叠的开口AP12、以及与接触孔CH3重叠的开口AP13。

图13示出的构成例与图4示出的构成例相比，不同点在于，各个开口AP11、AP12、AP13被扩大。开口AP11以与接触孔CH1重叠并且与下电极LE1的中央部重叠的方式被扩大。同样地，开口AP12以与接触孔CH2重叠并且与下电极LE2的中央部重叠的方式被扩大，开口AP13以与接触孔CH3重叠并且与下电极LE3的中央部重叠的方式被扩大。

图14是示出显示装置的另一构成例的剖视图。图14示出沿着图13的A-B线的主要部分的剖面，省略了盖层或封固层的图示。

阻断层BL配置在绝缘层12之上。阻断层BL的开口AP11与肋部5的开口AP1重叠，开口AP12与开口AP2重叠。下电极LE1、LE2配置在绝缘层12之上。下电极LE1的端部以及下电极LE2的端部分别配置在阻断层BL与肋部5之间。阻断层BL在隔壁6与下电极LE1之间、以及隔壁6与下电极LE2之间配置在绝缘层12与肋部5之间。另外，阻断层BL位于隔壁6的正下方，在下电极LE1与下电极LE2之间覆盖绝缘层12。

在与肋部5的开口AP1重叠的位置，下电极LE1不隔着阻断层BL地配置在绝缘层12之上。另外，在与肋部5的开口AP2重叠的位置，下电极LE2不隔着阻断层BL地配置在绝缘层12之上。未图示的下电极LE3也同样地，在与肋部5的开口AP3重叠的位置不隔着阻断层BL地配置在绝缘层12之上。

在这种构成例中，也得到与上述效果相同的效果。

图15是示出显示装置的另一构成例的剖视图。图15示出沿着图13的A-B线的主要部分的剖面，省略了盖层或封固层的图示。

图15示出的构成例与图14示出的构成例相比，不同点在于，下电极LE1的端部以及下电极LE2的端部分别配置在绝缘层12与阻断层BL之间。未图示的下电极LE3的端部也同样地，配置在绝缘层12与阻断层BL之间。阻断层BL整体由肋部5覆盖。

与图14的构成例同样地，阻断层BL在隔壁6与下电极LE1之间、以及隔壁6与下电极LE2之间配置在绝缘层12与肋部5之间。另外，阻断层BL位于隔壁6的正下方，在下电极LE1与下电极LE2之间覆盖绝缘层12。

在这种构成例中，也会得到与上述效果同样的效果。

图16是示出显示装置的另一构成例的剖视图。此外，在图16中省略了盖层或封固层的图示。

图16示出的构成例与图14示出的构成例相比，不同点在于，下电极LE1的端部以及下电极LE2的端部分别与阻断层BL分离。下电极LE1以及下电极LE2分别配置在绝缘层12之上。下电极LE1的端部以及下电极LE2的端部分别由肋部5覆盖。阻断层BL整体由肋部5覆盖。在下电极LE1与阻断层BL之间、以及下电极LE2与阻断层BL之间，肋部5覆盖绝缘层12。

在这种构成例中，也会得到与上述效果相同的效果。

如以上说明的那样，根据本实施方式，能够提供抑制可靠性下降而提高制造成品率的显示装置。

以上，以作为本发明的实施方式进行了说明的显示装置为基础，本领域技术人员进行适当设计变更可实施得到的全部显示装置只要包含本发明的主旨，也属于本发明的范围。

在本发明的思想范畴中，本领域技术人员可想到各种变形例，应理解为这些变形例也属于本发明的范围。例如，本领域技术人员相对于上述实施方式适当进行构成要素的追加、削除、或设计变更、或者进行工序的追加、省略或条件变更而得到的变形例只要具备本发明的要旨，也包含在本发明的范围内。

另外，针对由在上述实施方式中说明的形态带来的其他作用效果，从本说明书的记载可明确得出的或者本领域技术人员会适当想到的当然应理解为是由本发明带来的。

Claims (14)

1.一种显示装置，其具备：

基板；

配置在所述基板的上方的有机绝缘层；

由无机绝缘材料形成且配置在所述有机绝缘层之上的阻断层；

由无机绝缘材料形成且配置在所述阻断层之上的肋部；

隔壁，其具有位于所述阻断层的正上方且配置在所述肋部之上的下部、和配置在所述下部之上且从所述下部的侧面突出的上部；

在所述有机绝缘层与所述肋部之间具有端部的下电极；

有机层，其包括发光层，该发光层具有在所述肋部的开口中配置在所述下电极之上且与所述隔壁的所述下部分离的第1部分、和配置在所述上部之上的第2部分，所述第1部分以及所述第2部分以相同的材料形成；

上电极，其具有配置在所述有机层的所述第1部分之上且与所述隔壁的所述下部相接的第1部分、和配置在所述有机层的所述第2部分之上的第2部分；

盖层，其具有配置在所述上电极的所述第1部分之上的第1部分、和配置在所述上电极的所述第2部分之上的第2部分；以及

覆盖所述盖层的所述第1部分以及所述第2部分的封固层。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述阻断层在所述隔壁的所述侧面与所述下电极的所述端部之间配置在所述有机绝缘层与所述肋部之间。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述下电极的所述端部配置在所述阻断层与所述肋部之间。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，

在与所述肋部的所述开口重叠的位置，所述下电极配置在所述阻断层之上。

5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，

在与所述肋部的所述开口重叠的位置，所述下电极不隔着所述阻断层地配置在所述有机绝缘层之上。

6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述下电极的所述端部配置在所述有机绝缘层与所述阻断层之间。

7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述下电极的所述端部与所述阻断层分离。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述阻断层以及所述肋部以彼此不同的无机绝缘材料形成。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述阻断层以氧化硅或者氮氧化硅形成，

所述肋部以氮化硅形成。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述肋部以及所述封固层以相同的无机绝缘材料形成。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述肋部以及所述封固层以氮化硅形成。

12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述阻断层以及所述封固层以彼此不同的无机绝缘材料形成。

13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述阻断层以氧化硅或者氮氧化硅形成，

所述封固层以氮化硅形成。

14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述隔壁的所述下部以导电材料形成，与所述上电极的所述第1部分电连接。