CN116583139A - 显示装置及显示装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示装置及显示装置的制造方法。根据一实施方式，显示装置包括：基板；配置在基板的上方的下电极；由硅氧化物或硅氧氮化物形成且具有与下电极重叠的开口的肋部；具有配置在肋部之上的下部和配置在下部之上并从下部的侧面突出的上部的隔壁；有机层，具有配置在下电极之上并与隔壁的下部分离的第1部分和配置在上部之上的第2部分，第1部分和第2部分包含由同一材料形成的发光层；上电极，其具有配置在有机层的第1部分之上并与隔壁的下部相接的第1部分和配置在有机层的第2部分之上的第2部分；盖层，其具有配置在上电极的第1部分之上的第1部分和配置在上电极的第2部分之上的第2部分；和封固层，其覆盖盖层的第1部分及第2部分。

Description

显示装置及显示装置的制造方法

关联申请的交叉参照

本申请基于2022年2月8日提出申请的日本专利申请第2022-018015号主张优先权，并引用该日本申请记载的全部记载内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及显示装置及显示装置的制造方法。

背景技术

近年来，作为显示元件应用有机发光二极管(OLED)的显示装置被实用化。该显示元件包括：包含薄膜晶体管的像素电路；与像素电路连接的下电极；覆盖下电极的有机层；和覆盖有机层的上电极。有机层除了发光层以外，还包含空穴传输层、电子传输层等功能层。

在制造这样的显示元件的过程中，需要抑制可靠性降低的技术。

发明内容

实施方式的目的在于提供能够抑制可靠性降低的显示装置及显示装置的制造方法。

根据一个实施方式，显示装置包括：

基板；下电极，其配置在所述基板的上方；肋部，其由硅氧化物或硅氧氮化物形成，具有与所述下电极重叠的开口；隔壁，其具有配置在所述肋部之上的下部、和配置在所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部；有机层，其具有配置在所述下电极之上并与所述隔壁的所述下部分离的第1部分、和配置在所述上部之上的第2部分，所述第1部分和所述第2部分包含由同一材料形成的发光层；上电极，其具有配置在所述有机层的所述第1部分之上并与所述隔壁的所述下部相接的第1部分、和配置在所述有机层的所述第2部分之上的第2部分；盖层，其具有配置在所述上电极的所述第1部分之上的第1部分、和配置在所述上电极的所述第2部分之上的第2部分；和封固层，其覆盖所述盖层的所述第1部分及所述第2部分。

根据一个实施方式，在显示装置的制造方法中：

在基板的上方形成下电极；将形成有所述下电极的处理基板配置在腔室内的载置台之上，向所述腔室内导入四氢化硅(SiH₄)及一氧化二氮(N₂O)的混合气体，形成与所述下电极重叠的硅氧化物层；使所述硅氧化物层图案化，形成具有与所述下电极重叠的开口的肋部，形成具有位于所述肋部之上的下部和位于所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部的隔壁；形成有机层，所述有机层包含位于所述下电极之上并与所述隔壁的所述下部分离的第1有机层、和位于所述上部之上的第2有机层，所述第1有机层及所述第2有机层包含由同一材料形成的发光层；形成上电极，所述上电极包含位于所述第1有机层之上并与所述隔壁的所述下部相接的第1上电极、和位于所述第2有机层之上的第2上电极；形成盖层，所述盖层包含位于所述第1上电极之上的第1盖层、和位于所述第2上电极之上的第2盖层，形成覆盖所述第1盖层及所述第2盖层的封固层。

根据一个实施方式，在显示装置的制造方法中：

在基板的上方形成下电极；将形成有所述下电极的处理基板配置在腔室内的载置台之上，向所述腔室内导入四氢化硅(SiH₄)、一氧化二氮(N₂O)及氮气(N₂)的混合气体，形成与所述下电极重叠的硅氧氮化物层；使所述硅氧氮化物层图案化，形成具有与所述下电极重叠的开口的肋部；形成具有位于所述肋部之上的下部和位于所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部的隔壁；形成有机层，所述有机层包含位于所述下电极之上并与所述隔壁的所述下部分离的第1有机层、和位于所述上部之上的第2有机层，所述第1有机层及所述第2有机层包含由同一材料形成的发光层；形成上电极，所述上电极包含位于所述第1有机层之上并与所述隔壁的所述下部相接的第1上电极、和位于所述第2有机层之上的第2上电极；形成盖层，所述盖层包含位于所述第1上电极之上的第1盖层、和位于所述第2上电极之上的第2盖层；形成覆盖所述第1盖层及所述第2盖层的封固层。

根据实施方式，能够提供能够抑制可靠性降低的显示装置及显示装置的制造方法。

附图说明

图1是示出显示装置DSP的构成例的图。

图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。

图3是沿着图2中的III-III线的显示装置DSP的示意性剖视图。

图4是示出显示元件20的构成的一例的图。

图5是用于说明显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。

图6是用于说明准备处理基板SUB的工序的图。

图7是用于说明准备处理基板SUB的工序的图。

图8是用于说明准备处理基板SUB的工序的图。

图9是用于说明准备处理基板SUB的工序的图。

图10是用于说明准备处理基板SUB的工序的图。

图11是经过步骤ST1准备的处理基板SUB的剖视图。

图12是用于说明形成第1薄膜31的工序的图。

图13是用于说明形成抗蚀剂41的工序的图。

图14是用于说明以抗蚀剂41为掩模进行蚀刻的工序的图。

图15是用于说明以抗蚀剂41为掩模进行蚀刻的工序的图。

图16是用于说明将抗蚀剂41除去的工序的图。

具体实施方式

参照附图说明一个实施方式。

本公开文本只不过是一例，本领域技术人员容易想到的保持发明主旨的适当变更当然包含在本发明的范围内。另外，为了使说明更加明确，与实际方式相比，附图有时示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一例，并非限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，存在对发挥与关于前文出现的附图已说明的构成要素相同或类似功能的构成要素标注同一附图标记，并适当省略重复的详细说明的情况。

需要说明的是，根据需要，为了便于理解而在附图中记载相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向，将沿着Y轴的方向称为第2方向，将沿着Z轴的方向称为第3方向。将与第3方向Z平行地观察各种要素称为俯视观察。

本实施方式的显示装置是作为显示元件具备有机发光二极管(OLED)的有机电致发光显示装置，能够搭载于电视、个人计算机、车载设备、平板电脑终端、智能手机、移动电话终端等。

图1是示出显示装置DSP的构成例的图。

显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA和显示区域DA周边的周边区域SA。基板10既可以是玻璃，也可以是具有挠性的树脂膜。

在本实施方式中，俯视观察的基板10的形状为长方形。需要说明的是，基板10的俯视观察的形状不限于长方形，也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。

显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上排列为矩阵状的多个像素PX。像素PX包含多个子像素SP。在一个例子中，像素PX包含红色的子像素SP1、绿色的子像素SP2及蓝色的子像素SP3。需要说明的是，像素PX也可以与子像素SP1、SP2、SP3一起或取代子像素SP1、SP2、SP3中的任一者而包含白色等其他颜色的子像素SP。

子像素SP包括像素电路1和由像素电路1驱动的显示元件20。像素电路1包括像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3是由例如薄膜晶体管构成的开关元件。

像素开关2的栅电极与扫描线GL连接。像素开关2的源电极及漏电极中的一者与信号线SL连接，另一者与驱动晶体管3的栅电极及电容器4连接。在驱动晶体管3中，源电极及漏电极中的一者与电源线PL及电容器4连接，另一者与显示元件20的阳极连接。

需要说明的是，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。

显示元件20是作为发光元件的有机发光二极管(OLED)，存在称为有机EL元件的情况。例如，子像素SP1具备发出红色波长区域的光的显示元件20，子像素SP2具备发出绿色波长区域的光的显示元件20，子像素SP3具备发出蓝色波长区域的光的显示元件20。

图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。

在图2的例子中，子像素SP1与子像素SP2在第2方向Y上排列。此外，子像素SP1、SP2分别与子像素SP3在第1方向X上排列。

在子像素SP1、SP2、SP3为这样的布局的情况下，在显示区域DA中形成子像素SP1、SP2在第2方向Y上交替配置的列和多个子像素SP3在第2方向Y上重复配置的列。这些列在第1方向X上交替排列。

需要说明的是，子像素SP1、SP2、SP3的布局不限于图2的例子。作为另一例，也可以是各像素PX中的子像素SP1、SP2、SP3在第1方向X上依次排列。

在显示区域DA中配置有肋部5及隔壁6。肋部5在子像素SP1、SP2、SP3中分别具有开口AP1、AP2、AP3。在图2的例子中，开口AP2比开口AP1大、开口AP3比开口AP2大。

隔壁6在俯视观察时与肋部5重叠。隔壁6具有沿第1方向X延伸的多个第1隔壁6x和沿第2方向Y延伸的多个第2隔壁6y。多个第1隔壁6x分别配置于在第2方向Y上相邻的开口AP1、AP2之间及在第2方向Y上相邻的两个开口AP3之间。第2隔壁6y分别配置于在第1方向X上相邻的开口AP1、AP3之间以及在第1方向X上相邻的开口AP2、AP3之间。

在图2的例子中，第1隔壁6x及第2隔壁6y相互连接。由此，隔壁6作为整体形成为包围开口AP1、AP2、AP3的格子状。隔壁6也可以与肋部5同样地在子像素SP1、SP2、SP3中具有开口。

子像素SP1具备分别与开口AP1重叠的下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1。子像素SP2具备分别与开口AP2重叠的下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2。子像素SP3具备分别与开口AP3重叠的下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3。

在图2的例子中，下电极LE1、LE2、LE3的外形以虚线表示，有机层OR1、OR2、OR3及上电极UE1、UE2、UE3的外形以单点划线表示。下电极LE1、LE2、LE3各自的周缘部与肋部5重叠。上电极UE1的外形与有机层OR1的外形大致一致，上电极UE1及有机层OR1各自的周缘部与隔壁6重叠。上电极UE2的外形与有机层OR2的外形大致一致，上电极UE2及有机层OR2各自的周缘部与隔壁6重叠。上电极UE3的外形与有机层OR3的外形大致一致，上电极UE3及有机层OR3各自的周缘部与隔壁6重叠。

下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1构成子像素SP1的显示元件20。下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2构成子像素SP2的显示元件20。下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3构成子像素SP3的显示元件20。下电极LE1、LE2、LE3例如与显示元件20的阳极相当。上电极UE1、UE2、UE3与显示元件20的阴极或公共电极相当。

下电极LE1经由接触孔CH1与子像素SP1的像素电路1(参见图1)连接。下电极LE2经由接触孔CH2与子像素SP2的像素电路1连接。下电极LE3经由接触孔CH3与子像素SP3的像素电路1连接。

图3是沿着图2中的III-III线的显示装置DSP的示意性剖视图。

在上述基板10之上配置有电路层11。电路层11包含图1中示出的像素电路1、扫描线GL、信号线SL及电源线PL等各种电路、布线。电路层11由绝缘层12覆盖。绝缘层12作为使由电路层11产生的凹凸平坦化的平坦化膜发挥功能。

下电极LE1、LE2、LE3配置在绝缘层(有机绝缘层)12之上。绝缘层(无机绝缘层)5配置在绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3之上。下电极LE1、LE2、LE3的端部由肋部5覆盖。

隔壁6包含配置在肋部5之上的下部(杆部)61和覆盖下部61的上表面的上部(伞部)62。上部62具有比下部61大的宽度。由此，在图3中，上部62的两端部比下部61的侧面突出。这样的隔壁6的形状也可以称为悬臂状。

图2中示出的有机层OR1如图3所示，包含相互分离的第1部分OR1a和第2部分OR1b。第1部分OR1a经由开口AP1而与下电极LE1接触，覆盖下电极LE1，并与肋部5的一部分重叠。第2部分OR1b位于上部62之上。

另外，图2中示出的上电极UE1如图3所示，包含相互分离的第1部分UE1a和第2部分UE1b。第1部分UE1a与下电极LE1相对并位于第1部分OR1a之上。此外，第1部分UE1a与下部61的侧面接触。第2部分UE1b位于隔壁6的上方，并位于第2部分OR1b之上。

图2中示出的有机层OR2如图3所示，包含相互分离的第1部分OR2a好第2部分OR2b。第1部分OR2a经由开口AP2而与下电极LE2接触，覆盖下电极LE2，并与肋部5的一部分重叠。第2部分OR2b位于上部62之上。

另外，图2中示出的上电极UE2如图3所示，包含相互分离的第1部分UE2a和第2部分UE2b。第1部分UE2a与下电极LE2相对并位于第1部分OR2a之上。此外，第1部分UE2a与下部61的侧面接触。第2部分UE2b位于隔壁6的上方，并位于第2部分OR2b之上。

图2中示出的有机层OR3如图3所示，包含相互分离的第1部分OR3a和第2部分OR3b。第1部分OR3a经由开口AP3而与下电极LE3接触，覆盖下电极LE3，并与肋部5的一部分重叠。第2部分OR3b位于上部62之上。

另外，图2中示出的上电极UE3如图3所示，包含相互分离的第1部分UE3a和第2部分UE3b。第1部分UE3a与下电极LE3相对并位于第1部分OR3a之上。此外，第1部分UE3a与下部61的侧面接触。第2部分UE3b位于隔壁6的上方，并位于第2部分OR3b之上。

在图3所示的例子中，子像素SP1、SP2、SP3包含用于调整有机层OR1、OR2、OR3的发光层发出的光的光学特性的盖层(光学调整层)CP1、CP2、CP3。

盖层CP1包含相互分离的第1部分CP1a和第2部分CP1b。第1部分CP1a位于开口AP1，并位于第1部分UE1a之上。第2部分CP1b位于隔壁6的上方，并位于第2部分UE1b之上。

盖层CP2包含相互分离的第1部分CP2a和第2部分CP2b。第1部分CP2a位于开口AP2，并位于第1部分UE2a之上。第2部分CP2b位于隔壁6的上方，并位于第2部分UE2b之上。

盖层CP3包含相互分离的第1部分CP3a和第2部分CP3b。第1部分CP3a位于开口AP3，并位于第1部分UE3a之上。第2部分CP3b位于隔壁6的上方，并位于第2部分UE3b之上。

子像素SP1、SP2、SP3分别配置有封固层SE1、SE2、SE3。封固层SE1连续覆盖包含第1部分CP1a、隔壁6及第2部分CP1b的子像素SP1的各部件。封固层SE2连续覆盖包含第1部分CP2a、隔壁6及第2部分CP2b的子像素SP2的各部件。封固层SE3连续覆盖包含第1部分CP3a、隔壁6及第2部分CP3b的子像素SP3的各部件。

在图3的例子中，子像素SP1、SP3之间的隔壁6上的第2部分OR1b、第2部分UE1b、第2部分CP1b及封固层SE1与该隔壁6上的第2部分OR3b、第2部分UE3b、第2部分CP3b及封固层SE3分离。另外，子像素SP2、SP3之间的隔壁6上的第2部分OR2b、第2部分UE2b、第2部分CP2b及封固层SE2与该隔壁6上的第2部分OR3b、第2部分UE3b、第2部分CP3b及封固层SE3分离。

封固层SE1、SE2、SE3由树脂层13覆盖。树脂层13由封固层14覆盖。此外，封固层14由树脂层15覆盖。

绝缘层12是由有机材料形成的有机绝缘层。

肋部5是由与封固层SE1、SE2、SE3不同的材料形成的无机绝缘层。肋部5例如由硅氧化物(SiOx)或硅氧氮化物(SiON)形成。封固层14、SE1、SE2、SE3是无机绝缘层，例如由硅氮化物(SiNx)形成。肋部5的厚度与隔壁6、绝缘层12的厚度相比足够小。在一个例子中，肋部5的厚度为200nm以上且400nm以下。

隔壁6的下部61由导电材料形成。也可以是，隔壁6的下部61及上部62均具有导电性。

下电极LE1、LE2、LE3既可以由ITO等透明导电材料形成，也可以具有银(Ag)等金属材料和透明导电材料的层叠构造。上电极UE1、UE2、UE3由例如镁与银的合金(MgAg)等金属材料形成。上电极UE1、UE2、UE3也可以由ITO等透明导电材料形成。

在下电极LE1、LE2、LE3的电位与上电极UE1、UE2、UE3的电位相比相对较高的情况下，下电极LE1、LE2、LE3与阳极相当，上电极UE1、UE2、UE3与阴极相当。另外，在上电极UE1、UE2、UE3的电位与下电极LE1、LE2、LE3的电位相比相对较高的情况下，上电极UE1、UE2、UE3与阳极相当，下电极LE1、LE2、LE3与阴极相当。

有机层OR1、OR2、OR3包含多个功能层。另外，有机层OR1的第1部分OR1a及第2部分OR1b包含由同一材料形成的发光层EM1。有机层OR2的第1部分OR2a及第2部分OR2b包含由同一材料形成的发光层EM2。有机层OR3的第1部分OR3a及第2部分OR3b包含由同一材料形成的发光层EM3。发光层EM1、发光层EM2及发光层EM3由发出相互不同波长区域的光的材料形成。

盖层CP1、CP2、CP3例如由透明薄膜的多层体形成。多层体作为薄膜也可以包含由无机材料形成的薄膜及由有机材料形成的薄膜。另外，上述多个薄膜具有相互不同的折射率。构成多层体的薄膜的材料与上电极UE1、UE2、UE3的材料不同，另外，也与封固层SE1、SE2、SE3的材料不同。需要说明的是，盖层CP1、CP2、CP3也可以省略。

隔壁6被供给公共电压。该公共电压分别供给至与下部61的侧面接触的各上电极的第1部分UE1a、UE2a、UE3a。下电极LE1、LE2、LE3经由子像素SP1、SP2、SP3分别具有的像素电路1被供给像素电压。

当在下电极LE1与上电极UE1之间形成电位差时，有机层OR1中的第1部分OR1a的发光层EM1发出红色波长区域的光。当在下电极LE2与上电极UE2之间形成电位差时，有机层OR2中的第1部分OR2a的发光层EM2发出绿色波长区域的光。当在下电极LE3与上电极UE3之间形成电位差时，有机层OR3中的第1部分OR3a的发光层EM3发出蓝色波长区域的光。

作为另一例，有机层OR1、OR2、OR3的发光层也可以发出相同颜色(例如白色)的光。在该情况下，显示装置DSP也可以具备将发光层发出的光转换为与子像素SP1、SP2、SP3对应的颜色的光的滤色部。另外，显示装置DSP也可以具备包含量子点的层，其中，该量子点由发光层发出的光激发而生成与子像素SP1、SP2、SP3对应的颜色的光。

图4是示出显示元件20的构成的一例的图。

图4所示的下电极LE与图3的下电极LE1、LE2、LE3各自相当。图4所示的有机层OR与图3的有机层OR1、OR2、OR3各自相当。图4所示的上电极UE与图3的上电极UE1、UE2、UE3各自相当。

有机层OR具有载流子调整层CA1、发光层EM和载流子调整层CA2。载流子调整层CA1位于下电极LE与发光层EM之间，载流子调整层CA2位于发光层EM与上电极UE之间。载流子调整层CA1及CA2包含多个功能层。以下，以下电极LE与阳极相当、上电极UE与阴极相当的情况为例进行说明。

载流子调整层CA1作为功能层包含空穴注入层F11、空穴传输层F12、电子阻挡层F13等。空穴注入层F11配置在下电极LE之上，空穴传输层F12配置在空穴注入层F11之上，电子阻挡层F13配置在空穴传输层F12之上，发光层EM配置在电子阻挡层F13之上。

载流子调整层CA2作为功能层包含空穴阻挡层F21、电子传输层F22、电子注入层F23等。空穴阻挡层F21配置在发光层EM之上，电子传输层F22配置在空穴阻挡层F21之上，电子注入层F23配置在电子传输层F22之上，上电极UE配置在电子注入层F23之上。

需要说明的是，载流子调整层CA1及CA2除了上述功能层以外，既可以根据需要包含载流子发生层等其他功能层，也可以省略至少一个上述功能层。

接下来，说明显示装置DSP的制造方法的一例。

图5是用于说明显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。

此处所示的制造方法大致包括准备成为子像素SPα、SPβ、SPγ的基底的处理基板SUB的工序(步骤ST1)和形成子像素SPα的工序(步骤ST2)。在步骤ST2之后，进行与形成子像素SPα的工序相同的形成子像素SPβ的工序，此外，进行形成子像素SPγ的工序。需要说明的是，此处的子像素SPα、SPβ、SPγ是上述子像素SP1、SP2、SP3中的任一者。

在步骤ST1中，首先，准备在基板10之上形成下电极LEα、LEβ、LEγ、肋部5及隔壁6的处理基板SUB。详细见后述。

在步骤ST2中，首先，在处理基板SUB上形成包含发光层EMα的第1薄膜31(步骤ST21)。之后，在第1薄膜31之上形成图案化为规定形状的抗蚀剂41(步骤ST22)。之后，通过以抗蚀剂41为掩模的蚀刻将第1薄膜31的一部分除去(步骤ST23)。之后，将抗蚀剂41除去(步骤ST24)。由此，形成子像素SPα。子像素SPα具备具有规定形状的第1薄膜31的显示元件21。

形成子像素SPβ的工序包含与步骤ST21至步骤ST24相同的工序，但在步骤ST21中，取代第1薄膜31形成包含发光层EMβ的第2薄膜32。并且，通过使第2薄膜32图案化而形成子像素SPβ。子像素SPβ具备具有规定形状的第2薄膜32的显示元件22。

形成子像素SPγ的工序包含与步骤ST21至步骤ST24相同的工序，但在步骤ST21中，取代第1薄膜31形成包含发光层EMγ的第3薄膜33。并且，通过使第3薄膜33图案化而形成子像素SPγ。子像素SPγ具备具有规定形状的第3薄膜33的显示元件23。

发光层EMα、发光层EMβ及发光层EMγ由发出相互不同的波长区域的光的材料形成。

需要说明的是，省略第2薄膜32、发光层EMβ、显示元件22、第3薄膜33、发光层EMγ及显示元件23的图示。

图6至图10是用于说明准备处理基板SUB的工序的图。需要说明的是，在各图中，将处理基板SUB中的形成子像素SPα与子像素SPβ之间的隔壁6的部分放大示出。

在此，说明用于由硅氧化物(SiO)形成肋部5的一种方法。

首先，如图6的左侧所示，在基板10的上方形成下电极LEα、LEβ。电路层11及绝缘层12介于基板10与下电极LEα、LEβ之间。下电极LEα、LEβ位于绝缘层12之上。

如图6的右侧所示，用于形成作为硅氧化物层的绝缘层IL的制造装置100是例如等离子体CVD装置，包括载置台101、与载置台101对置的对置电极102和收容载置台101及对置电极102的腔室103。作为一例，制造装置100构成为，作为反应性气体，将四氢化硅(SiH₄)及一氧化二氮(N₂O)的混合气体导入腔室103。

形成有下电极LEα、LEβ的处理基板SUB被导入腔室103并配置在载置台101之上。之后，将上述混合气体导入腔室103的内部，产生等离子体。由此，形成与下电极LEα、LEβ重叠的作为硅氧化物层绝缘层IL。绝缘层IL在与下电极LEα、LEβ之间与绝缘层12重叠。

接下来，说明由硅氧氮化物(SiON)形成肋部5的一种方法。

首先，如图7的左侧所示，在基板10的上方形成下电极LEα、LEβ。准备形成有下电极LEα、LEβ的处理基板SUB的阶段与图6的例子相同。

如图7的右侧所示，形成有作为硅氧氮化物层的绝缘层IL的制造装置100是例如等离子体CVD装置，包括载置台101、与载置台101对置的对置电极102、和收容载置台101及对置电极102的腔室103。作为一例，制造装置100构成为，作为反应性气体，将四氢化硅(SiH₄)、一氧化二氮(N₂O)及氮气(N₂)的混合气体导入腔室103。

形成有下电极LEα、LEβ的处理基板SUB被导入腔室103并配置在载置台101之上。之后，将上述混合气体导入腔室103的内部，产生等离子体。由此，形成与下电极LEα、LEβ重叠的作为硅氧氮化物的绝缘层IL。绝缘层IL在下电极LEα、LEβ之间与绝缘层12重叠。

之后，如图8所示，使绝缘层IL图案化。

首先，如图8的上部所示，在绝缘层IL之上形成图案化为规定形状的抗蚀剂R。需要说明的是，此处的绝缘层IL既可以是图6中示出的硅氧化物层，也可以是图7中示出的硅氧氮化物层。

并且，如图8的中部所示，以抗蚀剂R为掩模对绝缘层IL进行蚀刻。由此，在绝缘层IL中形成贯通至下电极LEα的开口APα及贯通至下电极LEβ的开口APβ。

并且，如图8的下部所示，将抗蚀剂R除去。由此，形成肋部5。肋部5的厚度例如为200nm以上且400nm以下。

之后，如图9所示，在下电极LEα、Leβ之上及肋部5之上形成金属层611。

接下来，在金属层611之上形成金属层612。金属层612比肋部5厚，且比金属层611厚。金属层611及612的总厚度大于500nm，例如，进一步为700nm以上。

接下来，在金属层612之上形成薄膜621。之后，在薄膜621之上形成薄膜622。薄膜621及622的总厚度比金属层612薄、比肋部5薄。薄膜622比薄膜621薄。

接下来，如图10所示，进行金属层611、金属层612、薄膜621及薄膜622的蚀刻。由此，形成具有下部61及上部62的隔壁6。下部61包含金属层611及金属层612。上部62包含薄膜621及薄膜622。构成上部62的薄膜621及薄膜622比构成下部61的金属层611及金属层612各自的侧面611S、612S突出。

将经过上述工序准备的处理基板SUB示于图11。

处理基板SUB在基板10的上方具备：子像素SPα的下电极LEα；子像素SPβ的下电极Leβ；子像素SPγ的下电极LEγ；具有与下电极LEα、LEβ、LEγ的各自重叠的开口APα、APβ、APγ的肋部5；和配置在肋部5之上的隔壁6。需要说明的是，在图12至图15中，省略比绝缘层12靠下层的基板10及电路层11的图示。

以下，说明形成图5中示出的子像素SPα的工序(步骤ST2)。

在步骤ST21中，如图12所示，在子像素SPα、子像素SPβ及子像素SPγ的范围内形成第1薄膜31。形成第1薄膜31的工序包括：在处理基板SUB之上形成包含发光层EMα的有机层OR10的工序；在有机层OR10之上形成上电极UE10的工序；在上电极UE10之上形成盖层CP10的工序；和在盖层CP10之上形成封固层SE10的工序。此处的封固层SE10由硅氮化物形成。也就是说，在图示的例子中，第1薄膜31包含有机层OR10、上电极UE10、盖层CP10及封固层SE10。

有机层OR10包含第1有机层OR11、第2有机层OR12、第3有机层OR13、第4有机层OR14及第5有机层OR15。第1有机层OR11、第2有机层OR12、第3有机层OR13、第4有机层OR14及第5有机层OR15均包含发光层EMα。

第1有机层OR11以覆盖下电极LEα的方式形成。第2有机层OR12与第1有机层OR11分离，在下电极LEα与下电极LEβ之间位于隔壁6的上部62之上。第3有机层OR13与第2有机层OR12分离，以覆盖下电极LEβ的方式形成。第4有机层OR14与第3有机层OR13分离，在下电极LEβ与下电极LEγ之间位于隔壁6的上部62之上。第5有机层OR15与第4有机层OR14分离，以覆盖下电极LEγ的方式形成。

上电极UE10包含第1上电极UE11、第2上电极UE12、第3上电极UE13、第4上电极UE14及第5上电极UE15。

第1上电极UE11位于第1有机层OR11之上，在下电极LEα与下电极LEβ之间与隔壁6的下部61相接。第2上电极UE12与第1上电极UE11分离，在下电极LEα与下电极LEβ之间位于第2有机层OR12之上。第3上电极UE13与第2上电极UE12分离，位于第3有机层OR13之上。另外，在图示的例子中，第3上电极UE13在下电极LEα与下电极LEβ之间与隔壁6的下部61相接，在下电极LEβ与下电极LEγ之间与隔壁6的下部61相接，但也可以与其中一者的下部61相接。第4上电极UE14与第3上电极UE13分离，在下电极LEβ与下电极LEγ之间位于第4有机层OR14之上。第5上电极UE15与第4上电极UE14分离，位于第5有机层OR15之上，在下电极LEβ与下电极LEγ之间与隔壁6的下部61相接。

盖层CP10包含第1盖层CP11、第2盖层CP12、第3盖层CP13、第4盖层CP14及第5盖层CP15。

第1盖层CP11位于第1上电极UE11之上。第2盖层CP12与第1盖层CP11分离，位于第2上电极UE12之上。第3盖层CP13与第2盖层CP12分离，位于第3上电极UE13之上。第4盖层CP14与第3盖层CP13分离，位于第4上电极UE14之上。第5盖层CP15与第4盖层CP14分离，位于第5上电极UE15之上。

封固层SE10以覆盖第1盖层CP11、第2盖层CP12、第3盖层CP13、第4盖层CP14、第5盖层CP15及隔壁6的方式形成。

之后，在步骤ST22中，如图13所示，在封固层SE10之上形成抗蚀剂41。抗蚀剂41覆盖子像素SPα。也就是说，抗蚀剂41配置在下电极LEα、第1有机层OR11、第1上电极UE11及第1盖层CP11的正上方。另外，抗蚀剂41从子像素SPα向隔壁6的上方延伸。在子像素SPα与子像素SPβ之间，抗蚀剂41配置在子像素SPα侧(图的左侧)，在子像素SPβ侧(图的右侧)使封固层SE10露出。在图示的例子中，抗蚀剂41在子像素SPβ及子像素SPγ处使封固层SE10露出。

之后，在步骤ST23中，以抗蚀剂41为掩模进行蚀刻，将从抗蚀剂41中露出的第1薄膜31除去。除去第1薄膜31的工序包括：将封固层SE10的一部分除去的工序；将盖层CP10的一部分除去的工序；将上电极UE10的一部分除去的工序；和将有机层OR10的一部分除去的工序。

首先，如图14所示，以抗蚀剂41掩模进行干蚀刻，将从抗蚀剂41中露出的封固层SE10的一部分除去。在图示的例子中，封固层SE10中的、覆盖子像素SPα的部分(覆盖第1盖层CP11的部分)及隔壁6正上方的子像素SPα侧(图的左侧)的部分(覆盖第2盖层CP12中的子像素SPα侧的部分)残留。另一方面，封固层SE10中的、隔壁6正上方的子像素SPβ侧(图的右侧)的部分(覆盖第2盖层CP12中的子像素SPβ侧的部分)、覆盖子像素SPβ的部分(覆盖第3盖层CP13的部分)、覆盖子像素SPβ与子像素SPγ之间的隔壁6的部分(覆盖第4盖层CP14的部分)及覆盖子像素SPγ的部分(覆盖第5盖层CP15的部分)被除去。由此，第2盖层CP12的一部分、第3盖层CP13、第4盖层CP14及第5盖层CP15从封固层SE10中露出。

并且，如图15所示，以抗蚀剂41为掩模进行蚀刻，将从抗蚀剂41及封固层SE10中露出的盖层CP10的一部分除去。在图示的例子中，将第2盖层CP12的一部分、第3盖层CP13的全部、第4盖层CP14的全部及第5盖层CP15的全部除去。

然后，以抗蚀剂41为掩模进行蚀刻，将从抗蚀剂41、封固层SE10及盖层CP10中露出的上电极UE10的一部分除去。在图示的例子中，将第2上电极UE12的一部分、第3上电极UE13的全部、第4上电极UE14的全部及第5上电极UE15的全部除去。

然后，以抗蚀剂41为掩模进行蚀刻，将从抗蚀剂41、封固层SE10、盖层CP10及上电极UE10中露出的有机层OR10的一部分除去。在图示的例子中，将第2有机层OR12的一部分、第3有机层OR13的全部、第4有机层OR14的全部及第5有机层OR15的全部除去。

由此，在子像素SPβ中，下电极LEβ露出，在子像素SPγ中，下电极LEγ露出。

就子像素SPα与子像素SPβ之间的隔壁6而言，在上部62的正上方，第2有机层OR12、第2上电极UE12、第2盖层CP12、封固层SE10残留在子像素SPα侧，在子像素SPβ侧，第2有机层OR12、第2上电极UE12、第2盖层CP12、封固层SE10被除去。因此，隔壁6的子像素SPβ侧露出。

另外，子像素SPβ与子像素SPγ之间的隔壁6也露出。

之后，在步骤ST24中，如图16所示，将抗蚀剂41除去。由此，子像素SPα的封固层SE10露出。经过这些步骤ST21至ST24，在子像素SPα中形成显示元件21。显示元件21由下电极LEα、包含发光层EMα的第1有机层OR11、第1上电极UE11及第1盖层CP11构成。另外，显示元件21由封固层SE10覆盖。

在子像素SPα与子像素SPβ之间的隔壁6之上形成包含发光层EMα的第2有机层OR12、第2上电极UE12及第2盖层CP12的层叠体，该层叠体由封固层SE10覆盖。另外，隔壁6中的子像素SPα侧的部分由封固层SE10覆盖。

根据本实施方式，肋部5由与封固层SE10不同的无机材料形成。封固层SE10由硅氮化物形成，与此相对，肋部5由与硅氮化物(SiN)相比对于干蚀刻具有高耐性的材料即硅氧化物(SiO)或硅氧氮化物(SiON)形成。

因此，即使封固层SE10与肋部5相接，在封固层SE10的干蚀刻时，肋部5的损伤也可被减轻。另外，能够抑制肋部5形成贯通至绝缘层12的不期望的孔(水分浸入路径)。

另外，通过由硅氧氮化物形成肋部5，从而肋部5的防水性提高。

因此，能够抑制可靠性降低。

上述例子的子像素SPα为图2中示出的子像素SP1、SP2、SP3中的任一者。例如，在子像素SPα与子像素SP1相当的情况下，下电极LEα与下电极LE1相当，第1有机层OR11与第1部分OR1a相当，第2有机层OR12与第2部分OR1b相当，发光层EMα与发光层EM1相当，第1上电极UE11与第1部分UE1a相当，第2上电极UE12与第2部分UE1b相当，第1盖层CP11与第1部分CP1a相当，第2盖层CP12与第2部分CP1b相当，封固层SE10与封固层SE1相当。

如上所述，根据本实施方式，能够提供能够抑制可靠性降低、提高制造成品率的显示装置及其制造方法。

只要包含本发明的要旨，本领域技术人员基于以上作为本发明的实施方式说明的显示装置及其制造方法能够适当设计变更、实施的全部显示装置及其制造方法均属于本发明的范围。

在本发明的思想范围内，本领域技术人员能够想到的各种的变形例也属于本发明的范围。例如，本领域技术人员针对上述实施方式适当进行构成要素的追加、删除、或设计变更得到的内容或进行工序的追加、省略或条件变更得到的内容只要具备本发明的要旨，则也包含在本发明的范围内。

另外，关于由上述实施方式中描述的方式带来的其他作用效果，根据本说明书的记载明确的效果或本领域技术人员能够适当想到的效果当然应视为本发明所带来的效果。

Claims (14)

1.显示装置，其包括：

基板；

下电极，其配置在所述基板的上方；

肋部，其由硅氧化物或硅氧氮化物形成，具有与所述下电极重叠的开口；

隔壁，其具有配置在所述肋部之上的下部、和配置在所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部；

有机层，其具有配置在所述下电极之上并与所述隔壁的所述下部分离的第1部分、和配置在所述上部之上的第2部分，所述第1部分和所述第2部分包含由同一材料形成的发光层；

上电极，其具有配置在所述有机层的所述第1部分之上并与所述隔壁的所述下部相接的第1部分、和配置在所述有机层的所述第2部分之上的第2部分；

盖层，其具有配置在所述上电极的所述第1部分之上的第1部分、和配置在所述上电极的所述第2部分之上的第2部分；和

封固层，其覆盖所述盖层的所述第1部分及所述第2部分。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述封固层由硅氮化物形成。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述肋部的厚度比所述隔壁的厚度小。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述肋部的厚度为200nm以上且400nm以下。

5.显示装置的制造方法，其中，

在基板的上方形成下电极，

将形成有所述下电极的处理基板配置在腔室内的载置台之上，向所述腔室内导入四氢化硅(SiH₄)及一氧化二氮(N₂O)的混合气体，从而形成与所述下电极重叠的硅氧化物层，

使所述硅氧化物层图案化，形成具有与所述下电极重叠的开口的肋部，

形成具有位于所述肋部之上的下部和位于所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部的隔壁，

形成有机层，所述有机层包含位于所述下电极之上并与所述隔壁的所述下部分离的第1有机层、和位于所述上部之上的第2有机层，所述第1有机层及所述第2有机层包含由同一材料形成的发光层，

形成上电极，所述上电极包含位于所述第1有机层之上并与所述隔壁的所述下部相接的第1上电极、和位于所述第2有机层之上的第2上电极，

形成盖层，所述盖层包含位于所述第1上电极之上的第1盖层、和位于所述第2上电极之上的第2盖层，

形成覆盖所述第1盖层及所述第2盖层的封固层。

6.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，所述封固层由硅氮化物形成。

7.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法，其中，进一步在所述封固层之上形成抗蚀剂，

以所述抗蚀剂为掩模进行干蚀刻，在所述上部的正上方将所述封固层的一部分除去。

8.根据权利要求7所述的显示装置的制造方法，其中，进一步以所述抗蚀剂为掩模进行蚀刻，将所述第2盖层的一部分、所述第2上电极的一部分及所述第2有机层的一部分除去。

9.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，所述肋部的厚度为200nm以上且400nm以下。

10.显示装置的制造方法，其中，

在基板的上方形成下电极，

将形成有所述下电极的处理基板配置在腔室内的载置台之上，向所述腔室内导入四氢化硅(SiH₄)、一氧化二氮(N₂O)及氮气(N₂)的混合气体，形成与所述下电极重叠的硅氧氮化物层，

使所述硅氧氮化物层图案化，形成具有与所述下电极重叠的开口的肋部，

形成具有位于所述肋部之上的下部和位于所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部的隔壁，

形成有机层，所述有机层包含位于所述下电极之上并与所述隔壁的所述下部分离的第1有机层、和位于所述上部之上的第2有机层，所述第1有机层及所述第2有机层包含由同一材料形成的发光层，

形成上电极，所述上电极包含位于所述第1有机层之上并与所述隔壁的所述下部相接的第1上电极、和位于所述第2有机层之上的第2上电极，

形成盖层，所述盖层包含位于所述第1上电极之上的第1盖层、和位于所述第2上电极之上的第2盖层，

形成覆盖所述第1盖层及所述第2盖层的封固层。

11.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，所述封固层由硅氮化物形成。

12.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其中，进一步在所述封固层之上形成抗蚀剂，

以所述抗蚀剂为掩模进行干蚀刻，在所述上部的正上方将所述封固层的一部分除去。

13.根据权利要求12所述的显示装置的制造方法，其中，进一步以所述抗蚀剂为掩模进行蚀刻，将所述第2盖层的一部分、所述第2上电极的一部分及所述第2有机层的一部分除去。

14.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，所述肋部的厚度为200nm以上且400nm以下。