CN117642023A - 显示装置及显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示装置及显示装置的制造方法，根据一个实施方式，显示装置具备：基板；下电极，其配置在所述基板的上方；肋部，其由无机绝缘材料形成，具有与所述下电极重叠的开口；隔壁，其具有配置在所述肋部之上的由导电材料形成的下部、和配置在所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部；有机层，其在所述开口中配置在所述下电极之上；上电极，其覆盖所述有机层，与所述隔壁的所述下部相接；密封层，其覆盖所述上电极，与所述隔壁的所述下部相接；和公共密封层，其由无机绝缘材料形成，并在所述密封层的上方遍及比所述密封层更宽范围地配置，所述密封层由硅氮化物或透明氧化物形成。

Description

显示装置及显示装置的制造方法
关联申请的交叉参照
本申请主张基于2022年8月26日提出的日本专利申请第2022-134876号的优先权，并引用该日本申请记载的全部记载内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置及显示装置的制造方法。
背景技术
近年来，应用有机发光二极管(OLED)作为显示元件的显示装置被实用化。该显示元件具备包含薄膜晶体管的像素电路、与像素电路连接的下电极、覆盖下电极的有机层、和覆盖有机层的上电极。有机层除了发光层以外还包含空穴传输层、电子传输层等功能层。
在这种显示元件中，需要改善发光效率且抑制由水分引起的劣化的技术。
发明内容
实施方式的目的在于提供能够改善发光效率且抑制由水分引起的劣化的显示装置及显示装置的制造方法。
根据一个实施方式，显示装置具备：
基板；下电极，其被配置在所述基板的上方；肋部，其由无机绝缘材料形成，并具有与所述下电极重叠的开口；隔壁，其具有被配置在所述肋部之上的由导电材料形成的下部、和被配置在所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部；有机层，其在所述开口中被配置在所述下电极之上；上电极，其覆盖所述有机层，与所述隔壁的所述下部相接；密封层，其覆盖所述上电极，与所述隔壁的所述下部相接；和公共密封层，其由无机绝缘材料形成，并在所述密封层的上方遍及比所述密封层更宽范围地配置，所述密封层由硅氮化物或透明氧化物形成。
根据一个实施方式，显示装置的制造方法为，
在基板的上方形成第1下电极及第2下电极，形成具有与所述第1下电极重叠的第1开口及与所述第2下电极重叠的第2开口的肋部，形成具有在所述第1开口与所述第2开口之间位于所述肋部之上的下部、和位于所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部的隔壁，在所述第1下电极及所述第2下电极之上形成第1有机层，在所述第1有机层之上形成第1上电极，形成覆盖所述第1上电极并与所述隔壁的所述下部相接的第1密封层，在所述第1下电极的正上方，在所述第1密封层之上形成第1抗蚀剂，在所述第2下电极的正上方，以所述第1抗蚀剂为掩模，将所述第1密封层、所述第1上电极及所述第1有机层除去，在所述第1密封层及所述第2下电极之上形成第2有机层，在所述第2有机层之上形成第2上电极，形成覆盖所述第2上电极并与所述隔壁的所述下部相接的第2密封层，在所述第2下电极的正上方，在所述第2密封层之上形成第2抗蚀剂，在所述第1密封层的正上方，以所述第2抗蚀剂为掩模，将所述第2密封层、所述第2上电极及所述第2有机层除去，在所述第1密封层及所述第2密封层的上方形成公共密封层，所述第1密封层及所述第2密封层由硅氮化物或透明氧化物形成，所述公共密封层由无机绝缘材料形成。
根据实施方式，能够提供能改善发光效率且抑制由水分引起的劣化的显示装置及显示装置的制造方法。
附图说明
图1是示出显示装置DSP的构成例的图。
图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。
图3是示出沿着图2中的A-B线的显示装置DSP的一个构成例的剖视图。
图4是示出图3所示的显示元件201至203的图。
图5是示出沿着图2中的A-B线的显示装置DSP的另一构成例的剖视图。
图6是示出图5所示的显示元件201至203的图。
图7是关于设置于显示元件201的光学调整层的高折射率层示出与厚度相关的BI值的模拟结果的图。
图8是用于说明显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。
图9是用于说明图3所示的显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。
图10是用于说明图5所示的显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。
图11是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
图12是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
图13是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
图14是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
图15是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
图16是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
图17是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
图18是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
图19是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
图20是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
图21是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
图22是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
图23是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
图24是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
图25是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
图26是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
图27是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
图28是用于说明显示装置DSP的制造方法的图。
具体实施方式
参照附图说明一个实施方式。
公开文本只不过是一例，本领域技术人员能够容易想到的未脱离发明主旨的适当变更当然包含在本发明范围内。另外，就附图而言，为了使说明更加明确，与实际方式相比，有时示意性表示各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一例，并非限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对于与关于已出现的附图说明过的构成要素发挥相同或类似功能的构成要素，存在标注同一参考标记并适当省略重复的详细说明的情况。
需要说明的是，为了便于理解而根据需要在附图中记载有相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向，将沿着Y轴的方向称为第2方向，将沿着Z轴的方向称为第3方向。将与第3方向Z平行地观察各种要素的情形称为俯视观察。
本实施方式涉及的显示装置是具备作为显示元件的有机发光二极管(OLED)的有机电致发光显示装置，能够搭载于电视、个人电脑、车载设备、平板终端、智能手机、移动电话终端等。
图1是示出显示装置DSP的构成例的图。
显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA和显示区域DA周边的周边区域SA。基板10可以是玻璃，也可以是具有挠性的树脂膜。
在本实施方式中，俯视观察的基板10的形状为长方形。但是，基板10的俯视观察的形状不限于长方形，也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。
显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上以矩阵状排列的多个像素PX。像素PX包含多个子像素SP。在一例中，像素PX包含第1色的子像素SP1、第2色的子像素SP2及第3色的子像素SP3。第1色、第2色及第3色为相互不同的颜色。需要说明的是，像素PX也可以与子像素SP1、SP2、SP3一起或取代子像素SP1、SP2、SP3中的任一者而包含白色等其他颜色的子像素SP。
子像素SP具备像素电路1和由像素电路1驱动的显示元件20。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3是例如由薄膜晶体管构成的开关元件。
像素开关2的栅电极与扫描线GL连接。像素开关2的源电极及漏电极中的一者与信号线SL连接，另一者与驱动晶体管3的栅电极及电容器4连接。在驱动晶体管3中，源电极及漏电极中的一者与电源线PL及电容器4连接，另一者与显示元件20的阳极连接。
需要说明的是，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。
显示元件20是作为发光元件的有机发光二极管(OLED)，有时称为有机EL元件。
虽未详述，但周边区域SA中设有用于连接IC芯片、柔性印刷电路基板的端子。
图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。
在图2的例子中，子像素SP2与子像素SP3在第2方向Y上排列。此外，子像素SP2及子像素SP3分别与子像素SP1在第1方向X上排列。
在子像素SP1、SP2、SP3为这种布局的情况下，在显示区域DA中形成有子像素SP2及子像素SP3在第2方向Y上交替配置的列和多个子像素SP1在第2方向Y上重复配置的列。这些列在第1方向X上交替排列。
需要说明的是，子像素SP1、SP2、SP3的布局不限于图2的例子。作为另一例，各像素PX中的子像素SP1、SP2、SP3也可以在第1方向X上依次排列。
在显示区域DA中配置有肋部5及隔壁6。肋部5在子像素SP1、SP2、SP3中分别具有开口AP1、AP2、AP3。
隔壁6在俯视观察时与肋部5重叠。隔壁6具有沿第1方向X延伸的多个第1隔壁6x和沿第2方向Y延伸的多个第2隔壁6y。多个第1隔壁6x分别配置于在第2方向Y上相邻的开口AP2、AP3之间及在第2方向Y上相邻的两个开口AP1之间。第2隔壁6y分别配置于在第1方向X上相邻的开口AP1、AP2之间及在第1方向X上相邻的开口AP1、AP3之间。
在图2的例子中，第1隔壁6x与第2隔壁6y相互连接。由此，隔壁6作为整体形成为包围开口AP1、AP2、AP3的格子状。隔壁6也可以与肋部5同样地在子像素SP1、SP2、SP3中具有开口。
子像素SP1、SP2、SP3分别具备显示元件201、202、203作为显示元件20。
子像素SP1具备分别与开口AP1重叠的下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1。子像素SP2具备分别与开口AP2重叠的下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2。子像素SP3具备分别与开口AP3重叠的下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3。
在图2的例子中，下电极LE1、LE2、LE3的外形以虚线表示，有机层OR1、OR2、OR3及上电极UE1、UE2、UE3的外形以单点划线表示。下电极LE1、LE2、LE3各自的周缘部与肋部5重叠。需要说明的是，图示的下电极、有机层、上电极各自的外形不限于反映准确的形状的情况。
下电极LE1、上电极UE1及有机层OR1构成子像素SP1的显示元件201。下电极LE2、上电极UE2及有机层OR2构成子像素SP2的显示元件202。下电极LE3、上电极UE3及有机层OR3构成子像素SP3的显示元件203。
下电极LE1、LE2、LE3例如相当于显示元件的阳极。上电极UE1、UE2、UE3相当于显示元件的阴极或公共电极。
下电极LE1通过接触孔CH1而与子像素SP1的像素电路1(参见图1)连接。下电极LE2通过接触孔CH2而与子像素SP2的像素电路1连接。下电极LE3通过接触孔CH3而与子像素SP3的像素电路1连接。
在图2的例子中，开口AP1的面积大于开口AP2的面积，开口AP2的面积大于开口AP3的面积。换言之，从开口AP1露出的下电极LE1的面积大于从开口AP2露出的下电极LE2的面积，从开口AP2露出的下电极LE2的面积大于从开口AP3露出的下电极LE3的面积。
例如，子像素SP1的显示元件201构成为发出蓝色波长区域的光。另外，子像素SP2的显示元件202构成为发出绿色波长区域的光，另外，子像素SP3的显示元件203构成为发出红色波长区域的光。
图3是示出沿着图2中的A-B线的显示装置DSP的一个构成例的剖视图。
在上述基板10之上配置有电路层11。电路层11包含图1所示的像素电路1、扫描线GL、信号线SL、电源线PL等各种电路、布线。电路层11由绝缘层12覆盖。绝缘层12作为使由电路层11产生的凹凸平坦化的平坦化膜发挥功能。
下电极LE1、LE2、LE3配置在绝缘层12之上。肋部5配置在绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3之上。下电极LE1、LE2、LE3的端部由肋部5覆盖。在下电极LE1、LE2、LE3中的相互邻接的下电极之间，绝缘层12由肋部5覆盖。
隔壁6包含配置在肋部5之上的下部(杆部(stem))61和配置在下部61之上的上部(阴影部(shade))62。图左侧所示的隔壁6的下部61位于开口AP1与开口AP2之间。图右侧所示的隔壁6的下部61位于开口AP2与开口AP3之间。上部62具有比下部61大的宽度。由此，上部62的两端部比下部61的侧面突出。这样的隔壁6的形状也可以称为悬臂状。上部62中的、与下部61相比朝向开口AP1突出的部分称为突出部621，与下部61相比朝向开口AP2突出的部分称为突出部622，与下部61相比朝向开口AP3突出的部分被为突出部623。
有机层OR1通过开口AP1而与下电极LE1接触，覆盖下电极LE1，并与肋部5的一部分重叠。上电极UE1与下电极LE1相对且配置在有机层OR1之上。此外，上电极UE1与下部61的侧面接触。有机层OR1及上电极UE1与上部62相比位于下方。
有机层OR2通过开口AP2而与下电极LE2接触，覆盖下电极LE2，并与肋部5的一部分重叠。上电极UE2与下电极LE2相对且配置在有机层OR2之上。此外，上电极UE2与下部61的侧面接触。有机层OR2及上电极UE2与上部62相比位于下方。
有机层OR3通过开口AP3而与下电极LE3接触，覆盖下电极LE3，并与肋部5的一部分重叠。上电极UE3与下电极LE3相对且配置在有机层OR3之上。此外，上电极UE3与下部61的侧面接触。有机层OR3及上电极UE3与上部62相比位于下方。
在子像素SP1、SP2、SP3中分别配置有密封层SE1、SE2、SE3及透明层TL。
密封层SE1位于子像素SP1，覆盖上电极UE1，在突出部621的下方与隔壁6的下部61及上部62相接。
密封层SE2位于子像素SP2，覆盖上电极UE2，在突出部622的下方与隔壁6的下部61及上部62相接。
密封层SE3位于子像素SP3，覆盖上电极UE3，在突出部623的下方与隔壁6的下部61及上部62相接。
在图示的例子中，密封层SE1、SE2、SE3各自的端部位于隔壁6之上。
有机层OR1的一部分及上电极UE1的一部分位于隔壁6与密封层SE1之间，使上部62的一部分露出，与相比于上部62位于下方的部分分离。
有机层OR2的一部分及上电极UE2的一部分位于隔壁6与密封层SE2之间，使上部62的一部分露出，与相比于上部62位于下方的部分分离。
有机层OR3的一部分及上电极UE3的一部分位于隔壁6与密封层SE3之间，使上部62的一部分露出，与相比于上部62位于下方的部分分离。
在子像素SP1、SP2之间的隔壁6的正上方，有机层OR1与有机层OR2分离，上电极UE1与上电极UE2分离，密封层SE1与密封层SE2分离。
在子像素SP2、SP3之间的隔壁6的正上方，有机层OR2与有机层OR3分离，上电极UE2与上电极UE3分离，密封层SE2与密封层SE3分离。
透明层TL分别配置在密封层SE1、SE2、SE3之上。另外，透明层TL配置在隔壁6之上，与上部62相接。
在子像素SP1、SP2之间的隔壁6的正上方，透明层TL分别配置在有机层OR1与有机层OR2之间、上电极UE1与上电极UE2之间及密封层SE1与密封层SE2之间，与上部62相接。
在子像素SP2、SP3之间的隔壁6的正上方，透明层TL分别配置在有机层OR2与有机层OR3之间、上电极UE2与上电极UE3之间及密封层SE2与密封层SE3之间，与上部62相接。
在子像素SP1中，密封层SE1及透明层TL的层叠体作为用于调整从有机层OR1的发光层放射的光的光学特性的光学调整层发挥功能。
同样地，子像素SP2中的密封层SE2与透明层TL的层叠体及子像素SP3中的密封层SE3与透明层TL的层叠体作为光学调整层发挥功能。
公共密封层SE11遍及子像素SP1、SP2、SP3而连续配置。也就是说，公共密封层SE11位于密封层SE1、SE2、SE3的上方，覆盖透明层TL，遍及比密封层SE1、SE2、SE3的各自更宽范围地配置。
公共密封层SE12被配置在公共密封层SE11之上。
公共密封层SE13被配置在公共密封层SE12之上。
公共密封层SE14被配置在公共密封层SE13之上。
绝缘层12、公共密封层SE12及公共密封层SE14是有机绝缘层。肋部5、公共密封层SE11及公共密封层SE13是无机绝缘层。
肋部5由作为无机绝缘材料的一例的硅氮化物(SiNx)形成。需要说明的是，肋部5也可以形成为作为其他无机绝缘材料的硅氧化物(SiOx)、硅氧氮化物(SiON)、或氧化铝(Al2O3)中的任一种的单层体。另外，肋部5也可以形成为硅氮化物层、硅氧化物层、硅氧氮化物层及氧化铝层中的至少两层组合而成的层叠体。
肋部5的厚度与隔壁6、绝缘层12的厚度相比充分小。在一例中，肋部5的厚度为200nm以上且400nm以下。
隔壁6的下部61的厚度(从肋部5的上表面到上部62的下表面为止的厚度)T61大于肋部5的厚度。
密封层SE1、SE2、SE3例如由相同的材料形成。
密封层SE1、SE2、SE3例如由硅氮化物(SiNx)等无机绝缘材料形成。或者，密封层SE1、SE2、SE3也可以由铟锌氧化物(IZO)、铟锡氧化物(ITO)等透明氧化物形成。
密封层SE1的厚度T1、密封层SE2的厚度T2及密封层SE3的厚度T3相互不同，均为1μm以下。在一例中，厚度T2大于厚度T1(T1＜T2)，厚度T3大于厚度T2(T2＜T3)。另外，厚度T1、T2、T3小于下部61的厚度T61(T1、T2、T3＜T61)。另外，厚度T1、T2、T3小于公共密封层SE11的厚度T11(T1、T2、T3＜T11)。
透明层TL例如由氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF)等无机系氟化物形成。透明层TL的折射率小于密封层SE1、SE2、SE3的折射率。也就是说，透明层TL与光学调整层的低折射率层相当，密封层SE1、SE2、SE3与光学调整层的高折射率层相当。透明层TL的折射率与密封层SE1、SE2、SE3的折射率的差为0.2以上。
公共密封层SE11及公共密封层SE13例如由硅氮化物(SiNx)、硅氧氮化物(SiON)等无机绝缘材料形成。在该情况下，公共密封层SE11的折射率大于透明层TL的折射率。
需要说明的是，公共密封层SE11及公共密封层SE13也可以由作为其他无机绝缘材料的硅氧化物(SiOx)、氧化铝(Al2O3)形成。另外，公共密封层SE11及公共密封层SE13也可以由相互不同的无机绝缘材料形成。
隔壁6的下部61由导电材料形成，与各上电极UE1、UE2、UE3电连接。隔壁6的上部62也可以由导电材料形成。在密封层SE1、SE2、SE3由IZO等导电材料形成的情况下，密封层SE1、SE2、SE3与下部61及上电极UE1、UE2、UE3分别相接，能够辅助下部与上电极的电连接。
下电极LE1、LE2、LE3形成为由银(Ag)等形成的金属层(反射电极)与由ITO等形成的透明导电层的层叠体。上电极UE1、UE2、UE3由例如镁和银的合金(MgAg)等金属材料形成。
有机层OR1包含发光层EM1。有机层OR2包含发光层EM2。有机层OR3包含发光层EM3。发光层EM1、发光层EM2及发光层EM3由相互不同的材料形成。
形成发光层EM1的材料、形成发光层EM2的材料及形成发光层EM3的材料是发出相互不同的波长区域的光的材料。在一例中，发光层EM1由发出蓝色波长区域的光的材料形成，发光层EM2由发出绿色波长区域的光的材料形成，发光层EM3由发出红色波长区域的光的材料形成。
对隔壁6供给公共电压。该公共电压被分别供给至与下部61的侧面接触的各上电极UE1、UE2、UE3。像素电压经由子像素SP1、SP2、SP3各自具有的像素电路1而被供给至下电极LE1、LE2、LE3。
若在下电极LE1与上电极UE1之间形成电位差，则有机层OR1中的发光层EM1发出蓝色波长区域的光。若在下电极LE2与上电极UE2之间形成电位差，则有机层OR2中的发光层EM2发出绿色波长区域的光。若在下电极LE3与上电极UE3之间形成电位差，则有机层OR3中的发光层EM3发出红色波长区域的光。
图4是示出图3所示的显示元件201至203的构成的图。
需要说明的是，在这里，以下电极相当于阳极、上电极相当于阴极的情况为例进行说明。
显示元件201在下电极LE1与上电极UE1之间包含有机层OR1。
在有机层OR1中，空穴注入层HIL1、空穴传输层HTL1、电子阻挡层EBL1、蓝色(B)的发光层EM1、空穴阻挡层HBL1、电子传输层ETL1及电子注入层EIL1依次层叠。
作为高折射率层的密封层SE1配置在上电极UE1之上。作为低折射率层的透明层TL配置在密封层SE1之上。公共密封层SE11配置在透明层TL之上。
显示元件202在下电极LE2与上电极UE2之间包含有机层OR2。
在有机层OR2中，空穴注入层HIL2、空穴传输层HTL2、电子阻挡层EBL2、绿(G)的发光层EM2、空穴阻挡层HBL2、电子传输层ETL2及电子注入层EIL2依次层叠。
作为高折射率层的密封层SE2配置在上电极UE2之上。作为低折射率层的透明层TL配置在密封层SE2之上。公共密封层SE11配置在透明层TL之上。
如上所述，密封层SE2的厚度T2大于密封层SE1的厚度T1。与密封层SE2重叠的透明层TL的厚度和与密封层SE1重叠的透明层TL的厚度相等。
显示元件203在下电极LE3与上电极UE3之间包含有机层OR3。
在有机层OR3中，空穴注入层HIL3、空穴传输层HTL3、电子阻挡层EBL3、红色(R)的发光层EM3、空穴阻挡层HBL3、电子传输层ETL3及电子注入层EIL3依次层叠。
作为高折射率层的密封层SE3配置在上电极UE3之上。作为低折射率层的透明层TL配置在密封层SE3之上。公共密封层SE11配置在透明层TL之上。
如上所述，密封层SE3的厚度T3大于密封层SE2的厚度T2。与密封层SE3重叠的透明层TL的厚度和与密封层SE2重叠的透明层TL的厚度相等。
在一例中，密封层SE1、SE2、SE3的折射率为1.7以上，透明层TL的折射率为1.6以下，公共密封层SE11的折射率为1.7以上。
有机层OR1、OR2、OR3除了上述功能层以外，可以根据需要包含载流子产生层等其他功能层，也可以省略上述功能层中的至少一个。
另外，上述功能层分别单独形成显示元件201至203。因此，上述功能层各自的厚度可能存在按显示元件201至203不同的情况。
另外，在着眼于同一功能层时，可能存在显示元件201至203中的一个显示元件的功能层由与其他两个显示元件的功能层不同的材料形成的情况，也可能存在显示元件201至203的全部功能层由相互不同的材料形成的情况。
另外，可能存在显示元件201至203中的一个显示元件的层构成与其他两个显示元件的层构成不同的情况，也可能存在显示元件201至203的全部层构成相互不同的情况。例如，在着眼于一个功能层时，可能存在显示元件201至203中的一个显示元件不包含该功能层的情况，也可能存在显示元件201至203中的仅一个显示元件包含该功能层的情况。另外，在着眼于一个功能层时，可能存在显示元件201至203中的一个显示元件的该功能层多层化的情况等。
根据图3及图4所示的构成例，显示元件201至203各自分别具备作为光学调整层发挥功能的密封层SE1、SE2、SE3及透明层TL。因此，由发光层EM1至EM3分别放射的光在密封层与透明层的界面上反射，由上电极再次反射。根据这种使用反射光干涉的微腔效应，能够提高每个显示元件的发光效率。
另外，作为用于形成透明层TL的材料的一例的氟化锂具有富有吸湿性的特征。透明层TL是遍及子像素SP1、SP2、SP3而配置的公共层，不需要光刻等加工。另外，透明层TL由密封层SE1、SE2、SE3和公共密封层SE11密封。因此，能够抑制透明层TL的由水分引起的劣化。
图5是示出沿着图2中的A-B线的显示装置DSP的另一构成例的剖视图。
图5所示的显示装置DSP的截面构造与图3所示的显示装置DSP比较，区别在于省略透明层TL。以下说明主要区别。
密封层SE1位于子像素SP1，覆盖上电极UE1，与隔壁6的下部61及上部62相接。
密封层SE2位于子像素SP2，覆盖上电极UE2，与隔壁6的下部61及上部62相接。
密封层SE3位于子像素SP3，覆盖上电极UE3，与隔壁6的下部61及上部62相接。
公共密封层SE11遍及子像素SP1、SP2、SP3而连续配置。公共密封层SE11直接覆盖密封层SE1、SE2、SE3，遍及比密封层SE1、SE2、SE3的各自更宽范围地配置。另外，公共密封层SE11配置在隔壁6之上，与上部62相接。
在子像素SP1、SP2之间的隔壁6的正上方，公共密封层SE11分别配置在有机层OR1与有机层OR2之间、上电极UE1与上电极UE2之间及密封层SE1与密封层SE2之间，与上部62相接。
在子像素SP2、SP3之间的隔壁6的正上方，公共密封层SE11分别配置在有机层OR2与有机层OR3之间、上电极UE2与上电极UE3之间及密封层SE2与密封层SE3之间，与上部62相接。
在子像素SP1中，密封层SE1与公共密封层SE11的层叠体作为用于调整从有机层OR1的发光层放射的光的光学特性的光学调整层发挥功能。
同样地，子像素SP2中的密封层SE2与公共密封层SE11的层叠体及子像素SP3中的密封层SE3与公共密封层SE11的层叠体作为光学调整层发挥功能。
公共密封层SE12被配置在公共密封层SE11之上。
公共密封层SE13被配置在公共密封层SE12之上。
公共密封层SE14被配置在公共密封层SE13之上。
密封层SE1、SE2、SE3例如由硅氮化物(SiNx)等无机绝缘材料形成。或者，密封层SE1、SE2、SE3也可以由铟锌氧化物(IZO)、铟锡氧化物(ITO)等透明氧化物形成。
公共密封层SE11例如由硅氧化物(SiOx)、硅氧氮化物(SiON)等无机绝缘材料形成。在该情况下，公共密封层SE11的折射率小于密封层SE1、SE2、SE3的折射率。也就是说，公共密封层SE11与光学调整层的低折射率层相当，密封层SE1、SE2、SE3与光学调整层的高折射率层相当。公共密封层SE11的折射率与密封层SE1、SE2、SE3的折射率的差为0.2以上。
图6是示出图5所示的显示元件201至203的构成的图。
需要说明的是，在这里，以下电极相当于阳极、上电极相当于阴极的情况为例进行说明。
显示元件201在下电极LE1与上电极UE1之间包含有机层OR1。
作为高折射率层的密封层SE1配置在上电极UE1之上。作为低折射率层的公共密封层SE11配置在密封层SE1之上。
显示元件202在下电极LE2与上电极UE2之间包含有机层OR2。
作为高折射率层的密封层SE2配置在上电极UE2之上。作为低折射率层的公共密封层SE11配置在密封层SE2之上。
显示元件203在下电极LE3与上电极UE3之间包含有机层OR3。
作为高折射率层的密封层SE3配置在上电极UE3之上。作为低折射率层的公共密封层SE11配置在密封层SE3之上。
密封层SE2的厚度T2大于密封层SE1的厚度T1。密封层SE3的厚度T3大于密封层SE2的厚度T2。与密封层SE1重叠的公共密封层SE11的厚度、与密封层SE2重叠的公共密封层SE11的厚度及与密封层SE3重叠的公共密封层SE11的厚度相等。
在一例中，密封层SE1、SE2、SE3的折射率为1.7以上，公共密封层SE11的折射率为1.6以下。
根据图5及图6所示的构成例，显示元件201至203的各自分别具备作为光学调整层发挥功能的密封层SE1、SE2、SE3及公共密封层SE11。因此，由发光层EM1至EM3分别放射的光在密封层与公共密封层的界面上被反射，由上电极再次反射。通过这种利用反射光干涉的微腔效应，从而能够提高每个显示元件的发光效率。
另外，在图3的构成例中说明的透明层TL被省略。因此，由透明层TL的特性引起的故障被消除。另外，显示元件201至203的构成被简化，能够降低制造成本。
图7是针对显示元件201中设置的光学调整层的高折射率层示出了蓝色发光效率与厚度相关的模拟结果的图。
图的横轴是高折射率层的厚度(nm)，图的纵轴是蓝色发光效率(cd/A)除以蓝色色度的y值得到的数值(cd/A/y)。将该数值称为蓝色指数(Blue Index；BI值)。此处的蓝色发光效率(cd/A)表示为显示装置DSP的正面方向上的单位电流的亮度(电流亮度效率)。在发出色度不同的蓝色发光的情况下，由于存在能见度的影响，因此无法单纯比较发光效率(cd/A)。通过将该蓝色发光效率(cd/A)除以蓝色色度的y值，从而能够将色度不同的蓝色发光彼此的发光效率以BI值进行简单比较。
需要说明的是，本实施方式中的高折射率层与图3及图5中示出的密封层SE1相当。
图中的“A”相当于由有机材料形成高折射率层的情况的模拟结果(与比较例相当)。
图中的“B”相当于由SiN形成高折射率层的情况的模拟结果(与本实施方式相当)。
图中的“C”相当于由IZO形成高折射率层的情况的模拟结果(与本实施方式相当)。
根据这些模拟结果确认到，即使在高折射率层由SiN或IZO形成的情况下，也获得与高折射率层由有机材料形成的情况相等的发光效率。
也就是说，根据高折射率层由SiN形成的本实施方式，与高折射率层由有机材料形成的情况比较，能够获得相等的发光效率，而且，能够获得对水分具有高密封性能的密封层SE1。
另外，根据高折射率层由IZO形成的本实施方式，与高折射率层由有机材料形成的情况比较，能够获得相等的发光效率，而且，能够获得对水分具有高密封性能的密封层SE1。另外，由IZO形成的高折射率层具有导电性，因此能够辅助上电极UE1与隔壁6的下部61的电连接。
接下来，参照图8及图9来说明图3所示的显示装置DSP的制造方法的一例。
首先，如图8所示，在步骤ST1中，在基板10之上形成子像素SP1的下电极LE1、子像素SP2的下电极LE2、子像素SP3的下电极LE3、肋部5及隔壁6。如图3所示，在基板10与下电极LE1、LE2、LE3之间还形成电路层11及绝缘层12。
在步骤ST2中，首先，遍及子像素SP1、子像素SP2及子像素SP3而形成包含发光层EM1的第1薄膜31(步骤ST21)。第1薄膜31是图3中示出的有机层OR1、上电极UE1及密封层SE1的层叠体。然后，在第1薄膜31之上形成图案化为规定形状的第1抗蚀剂41(步骤ST22)。然后，通过以第1抗蚀剂41为掩模的蚀刻将第1薄膜31的一部分除去(步骤ST23)。此时，例如在子像素SP2及子像素SP3中配置的第1薄膜31被除去。然后，将第1抗蚀剂41除去(步骤ST24)。由此形成子像素SP1。子像素SP1具备具有规定形状的第1薄膜31的显示元件201。
在步骤ST3中，首先，遍及子像素SP1、子像素SP2及子像素SP3而形成包含发光层EM2的第2薄膜32(步骤ST31)。第2薄膜32是图3中示出的有机层OR2、上电极UE2及密封层SE2的层叠体。然后，在第2薄膜32之上形成图案化为规定形状的第2抗蚀剂42(步骤ST32)。然后，通过以第2抗蚀剂42为掩模的蚀刻将第2薄膜32的一部分除去(步骤ST33)。此时，例如在子像素SP1及子像素SP3中配置的第2薄膜32被除去。然后，将第2抗蚀剂42除去(步骤ST34)。由此形成子像素SP2。子像素SP2具备具有规定形状的第2薄膜32的显示元件202。
在步骤ST4中，首先，遍及子像素SP1、子像素SP2及子像素SP3而形成包含发光层EM3的第3薄膜33(步骤ST41)。第3薄膜33是图3中示出的有机层OR3、上电极UE3及密封层SE3的层叠体。然后，在第3薄膜33之上形成图案化为规定形状的第3抗蚀剂43(步骤ST42)。然后，通过以第3抗蚀剂43为掩模的蚀刻，从而将第3薄膜33的一部分除去(步骤ST43)。此时，例如在子像素SP1及子像素SP2中配置的第3薄膜33被除去。然后，将第3抗蚀剂43除去(步骤ST44)。由此形成子像素SP3。子像素SP3具备具有规定形状的第3薄膜33的显示元件203。
接下来，如图9所示，进行密封层SE1、SE2、SE3的蚀刻，减小密封层SE1、SE2、SE3各自的厚度(步骤ST51)。
然后，在密封层SE1、SE2、SE3之上形成透明层TL(步骤ST52)。
然后，形成覆盖透明层TL的公共密封层SE11(步骤ST53)。
然后，在公共密封层SE11之上形成公共密封层SE12(步骤ST54)。
然后，在公共密封层SE12之上形成公共密封层SE13(步骤ST55)。
然后，在公共密封层SE13之上形成公共密封层SE14(步骤ST56)。
图10是用于说明图5所示的显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。
在经过图8所示的步骤ST1至ST4后，进行密封层SE1、SE2、SE3的蚀刻，减小密封层SE1、SE2、SE3各自的厚度(步骤ST51)。
然后，在密封层SE1、SE2、SE3之上形成公共密封层SE11(步骤ST53)。然后，形成公共密封层SE12(步骤ST54)，形成公共密封层SE13(步骤ST55)，并形成公共密封层SE14(步骤ST56)。
以下，参照图11至图24说明图3中示出的显示装置DSP的制造方法。图11至图24所示的各剖面与例如沿着图2中的A-B线的包含子像素SP1及SP2的剖面相当。需要说明的是，在图11至图24的各图中，省略与绝缘层12相比位于下层的基板10及电路层11的图示。
首先，在步骤ST1中，如图11所示，在基板10之上形成电路层11及绝缘层12，然后形成子像素SP1的下电极LE1及子像素SP2的下电极LE2。虽未图示，但此时也形成子像素SP3的下电极LE3。然后，形成具有与下电极LE1、LE2各自重叠的开口AP1、AP2的肋部5。然后，形成具有在开口AP1与开口AP2之间位于肋部5之上的下部61、和位于下部61之上并从下部61的侧面突出的上部62的隔壁6。
接下来，在步骤ST21中，遍及子像素SP1及子像素SP2的范围内形成第1薄膜31。另外，在未图示的子像素SP3中也形成第1薄膜31。形成第1薄膜31的工序包括形成包含发光层EM1的有机层OR1的工序、在有机层OR1之上形成上电极UE1的工序、和在上电极UE1之上形成密封层SE1的工序。
有机层OR1分别形成在下电极LE1及下电极LE2之上，并且也形成在隔壁6之上。有机层OR1中的、形成在上部62之上的部分与形成在下电极LE1、LE2之上的部分分离。
上电极UE1在下电极LE1及下电极LE2的正上方分别形成在有机层OR1之上，覆盖肋部5，并与隔壁6的下部61相接。另外，上电极UE1在上部62的正上方也形成在有机层OR1之上。上电极UE1之中，形成在上部62正上方的部分与形成在下电极LE1、LE2正上方的部分分离。
密封层SE1在下电极LE1及下电极LE2的正上方以覆盖上电极UE1的方式形成。另外，密封层SE1在隔壁6的上部62的正上方以覆盖上电极UE1的方式形成，并与隔壁6的下部61相接。在密封层SE1中，形成在上部62正上方的部分与形成在各下电极正上方的部分相连。密封层SE1由例如硅氮化物形成。密封层SE1例如通过CVD法形成。
接下来，在步骤ST22中，如图12所示，形成密封层SE1之上的经图案化的第1抗蚀剂41。第1抗蚀剂41覆盖子像素SP1的第1薄膜31，使子像素SP2的第1薄膜31露出。需要说明的是，第1抗蚀剂41也使子像素SP3的第1薄膜31露出。也就是说，第1抗蚀剂41与位于下电极LE1正上方的密封层SE1重叠。
接下来，在步骤ST23中，如图13所示，以第1抗蚀剂41为掩模进行蚀刻，将从第1抗蚀剂41露出的子像素SP2的第1薄膜31除去，在子像素SP1中残留第1薄膜31。需要说明的是，此时，也将从第1抗蚀剂41露出的子像素SP3的第1薄膜31除去。
除去第1薄膜31的工序例如如下。
首先，使用第1抗蚀剂41作为掩模，进行干式蚀刻，将从第1抗蚀剂41露出的密封层SE1除去。
然后，使用第1抗蚀剂41作为掩模，进行湿式蚀刻，将从密封层SE1露出的上电极UE1除去。
然后，使用第1抗蚀剂41作为掩模，进行灰化(照射氧等离子体的干式蚀刻)，将从上电极UE1露出的有机层OR1除去。
由此，在子像素SP2中，下电极LE2露出，另外，包围下电极LE2的肋部5露出。另外，在子像素SP1与子像素SP2之间的隔壁6处，子像素SP2侧露出。
接下来，在步骤ST24中，如图14所示，将第1抗蚀剂41除去。由此，子像素SP1的密封层SE1露出。经过这些步骤ST21至ST24，在子像素SP1中形成显示元件201。显示元件201包含：下电极LE1、包含发光层EM1的有机层OR1、及上电极UE1。显示元件201由密封层SE1覆盖。
接下来，在步骤ST31中，如图15所示，遍及子像素SP1及子像素SP2形成第2薄膜32。另外，在未图示的子像素SP3中也形成第2薄膜32。形成第2薄膜32的工序包括形成包含发光层EM2的有机层OR2的工序、在有机层OR2之上形成上电极UE2的工序、在上电极UE2之上形成密封层SE2的工序。密封层SE2以与密封层SE1不同的厚度形成。
有机层OR2分别形成在密封层SE1及下电极LE2之上，并且，也形成在隔壁6之上。有机层OR2中的、形成在上部62之上的部分与形成在下电极LE2之上的部分分离。
上电极UE2在密封层SE1及下电极LE2的正上方分别形成在有机层OR2之上，覆盖肋部5，并在子像素SP2侧与隔壁6的下部61相接。另外，上电极UE2在上部62的正上方也形成在有机层OR2之上。上电极UE2中的、形成在上部62正上方的部分与在下电极LE2正上方形成的部分分离。
密封层SE2在密封层SE1及下电极LE2的正上方以覆盖上电极UE2的方式形成。另外，密封层SE2在隔壁6的上部62的正上方以覆盖上电极UE2的方式形成，在子像素SP2侧与隔壁6的下部61相接。在密封层SE2中，形成在上部62正上方的部分与形成在密封层SE1及下电极LE2正上方的部分相连。密封层SE2由例如硅氮化物形成。密封层SE2通过例如CVD法形成。
接下来，在步骤ST32中，如图16所示，形成密封层SE2之上的经图案化的第2抗蚀剂42。第2抗蚀剂42覆盖子像素SP2的第2薄膜32，使子像素SP1的第2薄膜32露出。需要说明的是，第2抗蚀剂42也使子像素SP3的第2薄膜32露出。也就是说，第2抗蚀剂42与位于下电极LE2正上方的密封层SE2重叠。
接下来，在步骤ST33中，如图17所示，以第2抗蚀剂42为掩模进行蚀刻，将从第2抗蚀剂42露出的子像素SP1的第2薄膜32除去，在子像素SP2中残留第2薄膜32。需要说明的是，此时，也将从第2抗蚀剂42露出的子像素SP3的第2薄膜32除去。
将第2薄膜32除去的工序例如如下。
首先，使用第2抗蚀剂42作为掩模，进行干式蚀刻，将从第2抗蚀剂42露出的密封层SE2除去。
然后，使用第2抗蚀剂42作为掩模，进行湿式蚀刻，将从密封层SE2露出的上电极UE2除去。
然后，使用第2抗蚀剂42作为掩模，进行灰化，将从上电极UE2露出的有机层OR2除去。
由此，在子像素SP1中，密封层SE1露出。
接下来，在步骤ST34中，如图18所示，将第2抗蚀剂42除去。由此，子像素SP2的密封层SE2露出。经过这些步骤ST31至ST34，在子像素SP2中形成显示元件202。显示元件202包含：下电极LE2、包含发光层EM2的有机层OR2、及上电极UE2。显示元件202由密封层SE2覆盖。
此时，密封层SE1的厚度T10与密封层SE2的厚度T20相互不同。例如，厚度T20大于厚度T10(T10＜T20)。
图8中示出的步骤ST41至ST44与上述步骤ST21至ST24相同，省略说明。经过这些步骤ST41至ST44，在图3所示的子像素SP3中形成显示元件203。显示元件203包含：下电极LE3、包含发光层EM3的有机层OR3及上电极UE3。显示元件203由密封层SE3覆盖。
接下来，在步骤ST51中，如图19所示，进行密封层SE1、SE2的干式蚀刻。由此，形成厚度T1的密封层SE1，并且，形成厚度T2的密封层SE2。此时，厚度T10与厚度T1的差量和厚度T20与厚度T2的差量相等。另外，通过该干式蚀刻，从而厚度T3的密封层SE3也同时形成。
作为蓝色波长用的光学调整层的高折射率层，厚度T1是最佳厚度。
作为绿色波长用的光学调整层的高折射率层，厚度T2是最佳厚度。
作为红色波长用的光学调整层的高折射率层，厚度T3是最佳厚度。
接下来，在步骤ST52中，如图20所示，在密封层SE1、SE2之上形成透明层TL。在隔壁6的正上方，透明层TL形成在密封层SE1、SE2之上，并且与隔壁6的上部62相接。这种透明层TL例如由氟化锂形成。透明层TL例如不设置掩模而通过蒸镀法形成。
接下来，在步骤ST53中，如图21所示，形成位于密封层SE1、SE2的上方并覆盖透明层TL的公共密封层SE11。公共密封层SE11由例如硅氮化物形成。公共密封层SE11例如不设置掩模而通过CVD法形成。
然后，虽未图示，但形成公共密封层SE11之上的图案化的抗蚀剂。该抗蚀剂遍及显示区域DA的全部区域而覆盖公共密封层SE11，使周边区域SA的公共密封层SE11露出。并且，在以该抗蚀剂为掩模进行蚀刻并将从抗蚀剂露出的公共密封层SE11除去后，进一步将透明层TL除去。由此，设置于周边区域SA的端子露出。然后，将抗蚀剂除去。
接下来，在步骤ST54中，如图22所示，在公共密封层SE11之上形成公共密封层SE12。公共密封层SE12例如通过喷墨法来涂布透明树脂而形成。由此，公共密封层SE12遍及显示区域DA的全部区域而形成，使周边区域SA的端子露出。
接下来，在步骤ST55中，如图23所示，在公共密封层SE12之上形成公共密封层SE13。公共密封层SE13由例如硅氮化物形成。公共密封层SE13例如不设置掩模而通过CVD法形成。因此，公共密封层SE13覆盖周边区域SA的端子。
接下来，在步骤ST56中，如图24所示，在公共密封层SE13之上形成公共密封层SE14。公共密封层SE14例如通过喷墨法来涂布透明树脂而形成。由此，公共密封层SE14遍及显示区域DA的全部区域而形成，另外，与周边区域SA的端子不重叠。
然后，虽未图示，但以公共密封层SE14为掩模进行蚀刻，将在周边区域SA中从公共密封层SE14露出的公共密封层SE13除去。由此，周边区域SA的端子露出。
经过以上工序，制造图3所示的显示装置DSP。
接下来，参照图25至图28来说明图5所示的显示装置DSP的制造方法。需要说明的是，直至进行密封层SE1、SE2的干式蚀刻的步骤ST51为止的工序如上所述，省略说明。
图25至图28所示的各剖面与例如沿着图2中的A-B线的包含子像素SP1及SP2的剖面相当。需要说明的是，在图25至图28的各图中，省略与绝缘层12相比位于下层的基板10及电路层11的图示。
首先，在步骤ST53中，如图25所示，在密封层SE1、SE2之上形成公共密封层SE11。在隔壁6的正上方，公共密封层SE11形成在密封层SE1、SE2之上，并与隔壁6的上部62相接。公共密封层SE11由例如硅氧化物或硅氧氮化物形成。公共密封层SE11例如不设置掩模而通过CVD法形成。
接下来，在步骤ST54中，如图26所示，在公共密封层SE11之上形成公共密封层SE12。公共密封层SE12例如通过喷墨法来涂布透明树脂而形成。由此，公共密封层SE12遍及显示区域DA的全部区域而形成，另外，与周边区域SA的端子不重叠。
接下来，在步骤ST55中，如图27所示，在公共密封层SE12之上形成公共密封层SE13。公共密封层SE13由例如硅氮化物形成。公共密封层SE13例如不设置掩模而通过CVD法形成。
接下来，在步骤ST56中，如图28所示，在公共密封层SE13之上形成公共密封层SE14。公共密封层SE14例如通过喷墨法来涂布透明树脂而形成。由此，公共密封层SE14遍及显示区域DA的全部区域而形成，另外，与周边区域SA的端子不重叠。
然后，虽未图示，但以公共密封层SE14为掩模进行蚀刻，在将周边区域SA中从公共密封层SE14露出的公共密封层SE13除去后，进一步将公共密封层SE11除去。由此，周边区域SA的端子露出。
经过以上工序制造图5中示出的显示装置DSP。
在上述实施方式中，下电极LE1与第1下电极相当，下电极LE2与第2下电极相当，开口AP1与第1开口相当，开口AP2与第2开口相当，有机层OR1与第1有机层相当，有机层OR2与第2有机层相当，上电极UE1与第1上电极相当，上电极UE2与第2上电极相当，密封层SE1与第1密封层相当，密封层SE2与第2密封层相当。
如以上说明，根据本实施方式，能够提供能够改善发光效率、抑制由水分引起的劣化的显示装置及其制造方法。
只要包含本发明的要旨，本领域技术人员基于以上作为本发明的实施方式说明的显示装置及其制造方法，适当设计变更实施得到的全部显示装置及其制造方法也属于本发明的范围。
应知本领域技术人员在本发明的思想范畴内能够想到的各种变形例及其变形例也属于本发明的范围。例如，只要具备本发明的要旨，本领域技术人员针对上述实施方式、适当进行构成要素的追加、删除、或设计变更得到的技术方案或进行工序增加、省略或条件变更得到的技术方案也包含在本发明的范围内。
另外，就上述实施方式中说明的方式所带来的其他作用效果而言，根据本说明书的记载所能明确的或本领域技术人员能够适当想到的作用效果当然应视为本发明带来的作用效果。

Claims (20)

1.显示装置，其具备：
基板；
下电极，其被配置在所述基板的上方；
肋部，其由无机绝缘材料形成，并具有与所述下电极重叠的开口；
隔壁，其具有被配置在所述肋部之上的由导电材料形成的下部、和被配置在所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部；
有机层，其在所述开口中被配置在所述下电极之上；
上电极，其覆盖所述有机层，并与所述隔壁的所述下部相接；
密封层，其覆盖所述上电极，并与所述隔壁的所述下部相接；和
公共密封层，其由无机绝缘材料形成，并在所述密封层的上方遍及比所述密封层更宽范围地配置，
所述密封层由硅氮化物或透明氧化物形成。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其进一步具备：
透明层，其由无机系氟化物形成，被配置在所述密封层之上，由所述公共密封层覆盖，并在所述隔壁之上与所述上部相接，
所述透明层的折射率小于所述密封层的折射率。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述透明层的折射率与所述密封层的折射率的差为0.2以上。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述公共密封层由硅氮化物或硅氧氮化物形成。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述公共密封层的折射率大于所述透明层的折射率。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述公共密封层覆盖所述密封层，并在所述隔壁之上与所述上部相接，
所述公共密封层的折射率小于所述密封层的折射率。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述公共密封层的折射率与所述密封层的折射率的差为0.2以上。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述公共密封层由硅氧化物或硅氧氮化物形成。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述密封层的厚度小于所述隔壁的所述下部的厚度。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述密封层的厚度小于所述公共密封层的厚度。
11.显示装置的制造方法，其在基板的上方形成第1下电极及第2下电极，
形成具有与所述第1下电极重叠的第1开口及与所述第2下电极重叠的第2开口的肋部，
形成具有在所述第1开口与所述第2开口之间位于所述肋部之上的下部、和位于所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部的隔壁，
在所述第1下电极及所述第2下电极之上形成第1有机层，
在所述第1有机层之上形成第1上电极，
形成覆盖所述第1上电极并与所述隔壁的所述下部相接的第1密封层，
在所述第1下电极的正上方，在所述第1密封层之上形成第1抗蚀剂，
在所述第2下电极的正上方，以所述第1抗蚀剂为掩模，将所述第1密封层、所述第1上电极及所述第1有机层除去，
在所述第1密封层及所述第2下电极之上形成第2有机层，
在所述第2有机层之上形成第2上电极，
形成覆盖所述第2上电极并与所述隔壁的所述下部相接的第2密封层，
在所述第2下电极的正上方，在所述第2密封层之上形成第2抗蚀剂，
在所述第1密封层的正上方，以所述第2抗蚀剂为掩模，将所述第2密封层、所述第2上电极及所述第2有机层除去，
在所述第1密封层及所述第2密封层的上方形成公共密封层，
所述第1密封层及所述第2密封层由硅氮化物或透明氧化物形成，
所述公共密封层由无机绝缘材料形成。
12.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1密封层及所述第2密封层以相互不同的厚度形成。
13.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其中，在形成所述公共密封层之前，形成位于所述第1密封层及所述第2密封层之上、且在所述隔壁之上与所述上部相接的透明层，
所述透明层由无机系氟化物形成，
所述透明层的折射率小于所述第1密封层及所述第2密封层的折射率。
14.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，所述公共密封层由硅氮化物或硅氧氮化物形成。
15.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，在形成所述透明层之前，进行所述第1密封层及所述第2密封层的蚀刻，使所述第1密封层及所述第2密封层各自的厚度减小。
16.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其中，所述公共密封层覆盖所述第1密封层及所述第2密封层，并在所述隔壁之上与所述上部相接，
所述公共密封层的折射率小于所述第1密封层及所述第2密封层的折射率。
17.根据权利要求16所述的显示装置的制造方法，其中，所述公共密封层由硅氧化物或硅氧氮化物形成。
18.根据权利要求16所述的显示装置的制造方法，其中，在形成所述公共密封层之前，进行所述第1密封层及所述第2密封层的蚀刻，使所述第1密封层及所述第2密封层各自的厚度减小。
19.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1密封层及所述第2密封层各自的厚度小于所述隔壁的所述下部的厚度。
20.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其中，所述第1密封层及所述第2密封层各自的厚度小于所述公共密封层的厚度。
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