DE112012000766T5

DE112012000766T5 - Licht emittierende Einrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben, Beleuchtungsvorrichtung und Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE112012000766T5
Application number: DE112012000766.2T
Authority: DE
Inventors: Hiroki Adachi; Shingo Eguchi; Yoshifumi Tanada; Naoya Sakamoto; Koji Ono; Kensuke Yoshizumi; Hiroto Shinoda
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2011-02-10
Filing date: 2012-01-30
Publication date: 2014-02-06
Also published as: JP2017059549A; TWI609514B; KR102050505B1; JP6378745B2; WO2012108366A1; KR20180118827A; US9577209B2; US20120205700A1; KR20140048087A; JP2012182121A; TW201248962A

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Aufbau, in dem eine Hilfsverdrahtung zum Erhöhen der Leitfähigkeit einer oberen Elektrode auf der Substratseite vorgesehen ist. Die leitende Hilfsverdrahtung einer Licht emittierenden Einrichtung ist über einem Substrat vorgesehen, wobei ein oberer Teil der Hilfsverdrahtung in einer Richtung parallel zu dem Substrat vorsteht. Weiterhin wird eine in einem Bereich einschließlich einer unteren Elektrodenschicht und der Hilfsverdrahtung ausgebildete EL-Schicht physikalisch durch die Hilfsverdrahtung geteilt. Eine obere Elektrodenschicht, die ähnlich wie die untere Elektrodenschicht ausgebildet ist, kann elektrisch mit wenigstens einem Teil einer Seitenfläche der Hilfsverdrahtung verbunden sein. Eine derartige Hilfsverdrahtung kann in einer Beleuchtungsvorrichtung und in einer Anzeigevorrichtung verwendet werden.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Licht emittierende Einrichtung und ein Verfahren zum Herstellen derselben. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine Beleuchtungsvorrichtung und eine Anzeigevorrichtung.
Stand der Technik
Die Forschung und die Entwicklung beschäftigen sich mit organischen EL-Elementen. In dem grundlegenden Aufbau eines organischen EL-Elements ist eine Schicht mit einer darin enthaltenen Licht emittierenden organischen Verbindung zwischen einem Paar von Elektroden angeordnet. Indem eine Spannung an diesem Element angelegt wird, kann eine Lichtemission von der Licht emittierenden organischen Verbindung erhalten werden.
Das organische EL-Element kann mit einer Folienform ausgebildet werden, sodass einfach ein großflächiges Element hergestellt werden kann. Das organische EL-Element weist einen hohen Nutzungswert als eine Oberflächenlichtquelle auf, die für eine Beleuchtung oder ähnliches angewendet werden kann.
Zum Beispiel wird eine Beleuchtungsvorrichtung mit einem organischen EL-Element in dem Patentdokument 1 beschrieben.
Weiterhin wurde eine Anzeigevorrichtung entwickelt, in der ein organisches EL-Element und ein Dünnfilmtransistor kombiniert sind. Eine Anzeigevorrichtung mit einem organischen EL-Element benötigt im Gegensatz zu einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung keine Hintergrundbeleuchtung, sodass die Dicke reduziert werden kann und die Leuchtdichte und der Kontrast erhöht werden können.
Ein organisches EL-Element kann von einem unten emittierenden Typ, bei dem die Lichtemission zu der Seite einer unteren Elektrodenschicht extrahiert wird, von einem oben emittierenden Typ, bei dem die Lichtemission zu der Seite einer oberen Elektrodenschicht extrahiert wird, und von einem dualen Emissionstyp sein, in dem die Lichtemission sowohl zu der Seite der unteren Elektrodenschicht als auch zu der Seite der oberen Elektrodenschicht emittiert wird.
[Referenz]
[Patentdokument]

[Patentdokument 1] Veröffentlichte japanische Patentanmeldung Nr. 2009-130132

Beschreibung der Erfindung
Wenn die Fläche des Licht emittierenden Teils in einer Beleuchtungsvorrichtung oder einer Anzeigevorrichtung mit einem großen Bildschirm größer wird, neigt ein Potentialabfall aufgrund des Widerstands einer oberen Elektrode oder einer unteren Elektrode eines EL-Element zu einer beträchtlichen Größe. Wenn der Potentialabfall in den Elektroden beträchtlich groß ist, ergibt sich das Problem, dass eine Ungleichmäßigkeit in der Leuchtdichte erkennbar werden kann. Um dies zu verhindern, muss eine Hilfsverdrahtung unter Verwendung eines Materials mit einem geringen Widerstand mit den Elektroden verbunden werden.
Insbesondere weiset ein für eine transparente Elektrode verwendetes lichtdurchlässiges Material einen relativ hohen Widerstand auf, sodass der Bedarf für eine Hilfsverdrahtung groß ist. Die Hilfsverdrahtung sollte derart vorgesehen werden, dass die Hilfsverdrahtung möglichst wenig des von einem EL-Element emittierten Lichts blockiert. Jedoch muss die Hilfsverdrahtung insbesondere bei einem oben emittierenden Typ (oder einem dual emittierenden Typ), in dem die Lichtemission zu der Seite einer oberen Elektrodenschicht extrahiert wird, nach der Ausbildung eines EL-Elements ausgebildet werden, wodurch das EL-Element unter Umständen beschädigt werden kann. Wenn zum Beispiel eine Verarbeitung durch ein Photolithographieverfahren durchgeführt wird, nachdem ein leitender Film durch ein Kathodenzerstäubungsverfahren ausgebildet wurde, können durch das Kathodenzerstäubungsverfahren bedingte thermische und physikalische Beschädigungen, durch das Photolithographieverfahren bedingte optische und thermische Beschädigungen, ein durch ein organisches Lösungsmittel oder ähnliches beim Entfernen eines Resists bedingtes Schmelzen des EL-Elements oder ähnliches auftreten.
Als ein Verfahren zum Stapeln einer Schicht mit einer darin enthaltenen organischen Verbindung und einer oberen Elektrode in dieser Reihenfolge über einer unteren Elektrode, die über einem Substrat mit einer isolierenden Oberfläche ausgebildet ist, während der Ausbildung eines EL-Elements kann zum Beispiel ein Vakuumverdampfungsverfahren verwendet werden. Als ein Verfahren zum Ausbilden einer inselförmigen Schicht unter Verwendung eines Vakuumaufdampfungsverfahrens ist ein Verfahren unter Verwendung einer Metallmaske (auch als Schattenmaske bezeichnet), die eine Metallplatte mit einer Öffnung ist, bekannt. Die Metallmaske wird zwischen einem Substrat und einer Verdampfungsquelle in einem Kontakt mit dem Substrat vorgesehen, wobei eine Verdampfung auf dem Substrat durch die Öffnung in der Metallmaske durchgeführt wird, wodurch eine Schicht mit einer Form in Entsprechung zu der Form der Öffnung ausgebildet werden kann. Wenn die Distanz zwischen einer Metallmaske und einem Substrat kurz ist, kann eine inselförmige Schicht mit einer klaren Form auf der Basis einer Öffnung ausgebildet werden, sodass also die Peripherie der Form weniger obskur ist.
Mit anderen Worten muss eine unter Verwendung einer Metallmaske ausgebildete Schicht eine Inselform aufweisen, weil die Schicht entlang eines Öffnungsteils der Maske ausgebildet wird. Das heißt, dass sich eine lange kontinuierliche Form oder eine Form mit einem Schleifenteil ähnlich wie bei einem Verdrahtungsmuster nur schwer ausbilden lässt.
Die Wahrscheinlichkeit des Auftretens von Problemen wird groß, wenn eine Metallmaske in einem Kontakt mit einem Substrat verwendet wird. Zum Beispiel kann eine Oberfläche des Substrats durch eine Kante eines Öffnungsteils in der Metallmaske beschädigt werden. Insbesondere wenn die Metallmaske in einem Kontakt mit dem Substrat vorgesehen wird, reibt die Metallmaske auf der Oberfläche des Substrats, sodass eine andere bereits auf dem Substrat ausgebildete Schicht gebrochen werden kann. Weiterhin kann auf der Metallmaske haftender Staub (einschließlich von kleinen Fremdstoffen, die als Partikel bezeichnet werden) von der Metallmaske auf das Substrat übertragen werden.
Die vorliegende Erfindung nimmt auf den vorstehend geschilderten technischen Hintergrund Bezug. Es ist eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, eine sehr zuverlässige Licht emittierende Einrichtung anzugeben, in der ein Potentialabfall aufgrund des Widerstands einer oberen Elektrode unterdrückt wird. Eine weitere Aufgabe besteht darin, eine sehr zuverlässige Licht emittierende Einrichtung anzugeben, in der eine EL-Schicht und eine obere Elektrode ohne eine Metallmaske ausgebildet werden können. Eine weitere Aufgabe besteht darin, eine Beleuchtungsvorrichtung und eine Anzeigevorrichtung, in denen eine derartige Licht emittierende Einrichtung verwendet wird, anzugeben.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erfüllt wenigstens eine der oben genannten Aufgaben.
Damit die oben genannten Aufgaben erfüllt werden können, konzentriert sich die vorliegende Erfindung auf einen Aufbau, in dem eine Hilfsverdrahtung zum Erhöhen der Leitfähigkeit einer oberen Elektrode auf der Substratseite vorgesehen ist. Die leitende Hilfsverdrahtung einer Licht emittierenden Einrichtung ist über einem Substrat vorgesehen, wobei ein oberer Teil der Hilfsverdrahtung in einer Richtung parallel zu dem Substrat vorsteht. Weiterhin wird eine in einem Bereich einschließlich einer unteren Elektrodenschicht und der Hilfsverdrahtung ausgebildete EL-Schicht physikalisch durch die Hilfsverdrahtung geteilt. Eine obere Elektrodenschicht, die ähnlich wie die untere Elektrodenschicht ausgebildet ist, kann elektrisch mit wenigstens einem Teil einer Seitenfläche der Hilfsverdrahtung verbunden sein. Eine derartige Hilfsverdrahtung kann in einer Beleuchtungsvorrichtung und in einer Anzeigevorrichtung verwendet werden.
Mit anderen Worten enthält eine Licht emittierende Einrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine untere Elektrodenschicht über einem Substrat, eine Hilfsverdrahtung, die elektrisch von der unteren Elektrodenschicht isoliert ist, eine EL-Schicht über der unteren Elektrodenschicht und eine obere Elektrodenschicht über der EL-Schicht. Die Hilfsverdrahtung weist eine Leitfähigkeit auf und ist mit einer Form ausgebildet, in der ein oberer Teil in einer Richtung parallel zu dem Substrat vorsteht. Die obere Elektrodenschicht ist elektrisch mit der Hilfsverdrahtung verbunden.
In einer Licht emittierenden Einrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Hilfsverdrahtung zum Erhöhen der Leitfähigkeit einer oberen Elektrode auf der Substratseite ausgebildet. Die Hilfsverdrahtung ist mit einer Form ausgebildet, in welcher ein oberer Teil in einer Richtung parallel zu dem Substrat vorsteht. Mit anderen Worten ist die Hilfsverdrahtung derart ausgebildet, dass ein Kontaktbereich eines unteren Teils in einem auf die Substratfläche projizierten Bereich enthalten ist. Wenn die Hilfsverdrahtung mit dieser Form auf der Substratseite ausgebildet wird und die EL-Schicht ohne eine Metallmaske ausgebildet wird, kann die EL-Schicht durch die Hilfsverdrahtung geteilt werden. Weiterhin ist die obere Elektrode in einem Kontakt mit wenigstens einem Teil einer Seitenfläche der Hilfsverdrahtung ausgebildet, sodass die oberen Elektroden, die dazwischen mit der Hilfsverdrahtung versehen sind, über die Hilfsverdrahtung elektrisch miteinander verbunden werden können.
Mit einer derartigen Hilfsverdrahtung kann eine sehr zuverlässige Licht emittierende Einrichtung vorgesehen werden, in der ein Potentialabfall aufgrund des Widerstands einer oberen Elektrode unterdrückt wird. Weiterhin können eine EL-Schicht und die obere Elektrodenschicht ohne eine Metallmaske ausgebildet werden.
In einer Hilfsverdrahtung in einer Licht emittierenden Einrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Raum zwischen einer Seitenfläche der Hilfsverdrahtung und einer Linie, die den äußersten Punkt in einem unteren Teil der Hilfsverdrahtung mit dem am weitesten vorstehenden Punkt in einem Seitenteil der Hilfsverdrahtung verbindet, vorgesehen.
Wenn die Hilfsverdrahtung einen Raum zwischen der Seitenfläche der Hilfsverdrahtung und einer Linie, die den äußersten Punkt in einem unteren Teil der Hilfsverdrahtung mit dem am weitesten vorstehenden Punkt in einem Seitenteil der Hilfsverdrahtung verbindet, aufweist, wird eine Ausbildung einer EL-Schicht an dem Seitenteil der Hilfsverdrahtung unterdrückt, sodass die EL-Schicht effektiv geteilt werden kann.
In einer Licht emittierenden Einrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung lässt eine obere Elektrodenschicht von einer EL-Schicht emittiertes Licht durch und reflektiert eine untere Elektrodenschicht das Licht.
Insbesondere kann in einer Licht emittierenden Einrichtung des oben emittierenden Typs, die eine obere Elektrode mit einem Licht emittierenden Material umfasst, die Leitfähigkeit der oberen Elektrode durch die Verwendung der Hilfsverdrahtung effektiv erhöht werden.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Beleuchtungsvorrichtung, die die Licht emittierende Einrichtung enthält.
Die Licht emittierende Einrichtung wird in einer Beleuchtungsvorrichtung verwendet, wodurch ein Potentialabfall aufgrund des Widerstands der oberen Elektrode unterdrückt werden kann und die EL-Schicht und die obere Elektrode ohne eine Metallmaske ausgebildet werden können. Deshalb weist die Beleuchtungsvorrichtung eine hohe Zuverlässigkeit auf.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Anzeigevorrichtung, die die Licht emittierende Einrichtung enthält.
Zum Beispiel kann die Hilfsverdrahtung in einer Anzeigevorrichtung verwendet werden, in der eine Vielzahl von Bildpunktsteilen vorgesehen sind. Dementsprechend kann ein Potentialabfall aufgrund des Widerstands einer oberen Elektrode unterdrückt werden und können eine EL-Schicht und die obere Elektrode ohne eine Metallmaske ausgebildet werden. Deshalb weist die Anzeigevorrichtung eine hohe Zuverlässigkeit auf.
Ein Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Einrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst die folgenden Schritte: Ausbilden einer unteren Elektrodenschicht über einem Substrat; Ausbilden einer leitenden Hilfsverdrahtung, deren Seitenteil in einer Richtung parallel zu dem Substrat vorsteht; Ausbilden einer EL-Schicht über der unteren Elektrodenschicht; und Ausbilden einer oberen Elektrodenschicht über der EL-Schicht, sodass die obere Elektrodenschicht elektrisch mit wenigstens einem Teil einer Seitenfläche der Hilfsverdrahtung verbunden ist.
Durch das oben genannte Herstellungsverfahren kann eine sehr zuverlässige Licht emittierende Einrichtung hergestellt werden, in der eine EL-Schicht und eine obere Elektrodenschicht ohne eine Metallmaske ausgebildet werden. Und weil eine Hilfsverdrahtung nicht über der oberen Elektrode, sondern auf der Seite des Substrats vorgesehen ist, wird die EL-Schicht in dem Schritt zum Ausbilden der Hilfsverdrahtung nicht beschädigt, sodass eine sehr zuverlässige Licht emittierende Einrichtung hergestellt werden kann, in der ein Potentialabfall aufgrund des Widerstands der oberen Elektrode unterdrückt wird.
Es ist zu beachten, dass in der vorliegenden Beschreibung eine „EL-Schicht” eine Schicht zwischen einem Paar von Elektroden in einem Licht emittierenden Element ist. Eine Licht emittierende Schicht, die eine organische Verbindung als eine Licht emittierende Substanz enthält und zwischen den Elektroden angeordnet ist, ist also eine Ausführungsform der EL-Schicht.
Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine sehr zuverlässige Licht emittierende Einrichtung vorgesehen werden, in der ein Potentialabfall aufgrund des Widerstands einer oberen Elektrode unterdrückt wird. Weiterhin kann eine sehr zuverlässige Licht emittierende Einrichtung vorgesehen werden, in der eine EL-Schicht und eine obere Elektrode ohne eine Metallmaske ausgebildet werden können. Weiterhin können eine Beleuchtungsvorrichtung und eine Anzeigevorrichtung vorgesehen werden, in der eine derartige Licht emittierende Einrichtung verwendet wird.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
1A bis 1C zeigen eine Licht emittierende Einrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
2 zeigt eine Licht emittierende Einrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
3A bis 3F zeigen jeweils eine Licht emittierende Einrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
4A bis 4C zeigen jeweils eine Licht emittierende Einrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
5A bis 5D zeigen ein Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Einrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
6A bis 6C zeigen ein Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Einrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
7A und 7B zeigen eine Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
8A und 8B zeigen jeweils eine Beleuchtungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
9A bis 9C zeigen jeweils eine EL-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
10A und 10B zeigen Beleuchtungsvorrichtungen gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
11A bis 11C zeigen jeweils eine Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung
Im Folgenden werden Ausführungsformen im Detail mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. Es ist zu beachten, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die hier beschriebenen Ausführungsformen beschränkt ist, wobei der Fachmann verschiedene Änderungen und Modifikationen an den hier beschriebenen Ausführungsformen vornehmen kann, ohne dass deshalb der Erfindungsumfang verlassen wird. Einander entsprechende Aufbauten mit gleichen Teilen oder ähnlichen Funktionen werden in den verschiedenen Zeichnungen durch gleiche Bezugszeichen angegeben, wobei hier auf eine wiederholte Beschreibung dieser Aufbauten verzichtet wird.
Es ist zu beachten, dass in den Zeichnungen die Größe, die Schichtdicke oder die Fläche der Komponenten der Deutlichkeit der halber übertrieben groß dargestellt sein kann. Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind nicht auf diese Maße beschränkt.
(Ausführungsform 1)
In dieser Ausführungsform wird ein Beispiel einer Licht emittierenden Einrichtung, die eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, mit Bezug auf 1A bis 1C, 2, 3A bis 3F und 4A bis 4C beschrieben.
<Beispielhafter Aufbau>
1A ist eine schematische Draufsicht auf eine Licht emittierende Einrichtung 100. 1B ist eine schematische Querschnittansicht entlang der Linie A-A' von 1A. 1C ist eine schematische Querschnittansicht entlang der Linie B-B' von 1A. Es ist zu beachten, dass eine EL-Schicht und eine obere Elektrodenschicht der Einfachheit halber in 1A nicht gezeigt sind.
Die Licht emittierende Einrichtung 100 enthält über einem Substrat 101 eine untere Elektrodenschicht 103, einen Trennteil 109, eine Hilfsverdrahtung 111, eine EL-Schicht 105 und eine obere Elektrodenschicht 107. Weiterhin sind eine Verdrahtung 113, die mit der Hilfsverdrahtung 111 verbunden ist, und eine Trennschicht 115, die den Umfang der Licht emittierenden Einrichtung 100 umgibt, vorgesehen.
Obwohl nicht gezeigt, kann die Licht emittierende Einrichtung 100 einen Basisfilm, der in Kontakt mit dem Substrat 101 ist, und einen Dichtungsfilm, der die obere Elektrodenschicht 107 bedeckt, umfassen. Mit dem Basisfilm und dem Dichtungsfilm kann eine Beeinträchtigung der EL-Schicht unterdrückt werden, wodurch die Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Einrichtung 100 vergrößert werden kann.
In der Licht emittierenden Einrichtung 100 wird eine Spannung an einem Licht emittierenden Element angelegt, das die untere Elektrodenschicht 103, die obere Elektrodenschicht 107 und die dazwischen eingeschlossene EL-Schicht 105 umfasst, sodass eine Lichtemission erhalten werden kann.
Der Trennteil 109 ist über einem Endteil der unteren Elektrodenschicht 103 und unter der Hilfsverdrahtung 111 ausgebildet. Der Trennteil 109 ist über dem Endteil der unteren Elektrodenschicht 103 ausgebildet, damit die EL-Schicht 105 und die obere Elektrodenschicht 107 nicht an dem Endteil der unteren Elektrodenschicht 103 gebrochen werden. Deshalb weist der Trennteil 109 vorzugsweise eine sich nach vorne verjüngende Form auf, sodass ein darüber ausgebildeter Film nicht gebrochen wird. In der sich nach vorne verjüngenden Form wird die Dicke einer Schicht von ihrer Kante ausgehend allmählich größer, wobei die Schicht in Kontakt mit einer Schicht ist, die im Querschnitt als eine Basis dient.
Die Hilfsverdrahtung 111 wird unter Verwendung eines leitenden Materials ausgebildet, das einen ausreichend niedrigeren Widerstand als wenigstens ein Material der oberen Elektrodenschicht 107 aufweist und über dem über der unteren Elektrodenschicht 103 vorgesehenen Trennteil 109 ausgebildet ist. Ein oberer Teil der Hilfsverdrahtung 111 steht in einer Richtung parallel zu dem Substrat vor. Wenn also mit anderen Worten die Hilfsverdrahtung 111 auf die Oberfläche des Substrats projiziert wird, ist die Fläche eines Bereichs, der in Kontakt mit dem Trennteil 109 ist, kleiner als die größte projizierte Fläche und ist innerhalb der größten projizierten Fläche enthalten.
Die mit einer derartigen Form versehene Hilfsverdrahtung 111 wird vorgesehen und die EL-Schicht 105 und die obere Elektrodenschicht 107 werden durch weiter unten beschriebene Verfahren ausgebildet, sodass wie in 1B gezeigt die EL-Schicht 105 durch die Hilfsverdrahtung 111 geteilt wird und die obere Elektrodenschicht 107 in Kontakt mit wenigstens einem Teil einer Seitenfläche der Hilfsverdrahtung 111 ist, sodass sie elektrisch mit der Hilfsverdrahtung 111 verbunden ist.
Dementsprechend wird die obere Elektrodenschicht 107 nicht elektrisch getrennt, wobei die elektrische Verbindung der oberen Elektrodenschicht 107 durch die Hilfsverdrahtung 111 über den gesamten Licht emittierenden Bereich der Licht emittierenden Einrichtung 100 sichergestellt wird. Weiterhin kann ein Potentialabfall aufgrund des Widerstands der oberen Elektrodenschicht 107 durch die elektrisch mit der oberen Elektrodenschicht 107 verbundene Hilfsverdrahtung 111 unterdrückt werden.
Wie in 1C gezeigt, ist die Hilfsverdrahtung 111 elektrisch mit der Verdrahtung 113 verbunden, die in Nachbarschaft zu der Licht emittierenden Einrichtung 100 vorgesehen ist. Die Verdrahtung 113 kann ein Potential zuführen, das an der oberen Elektrodenschicht 107 anzulegen ist. Es ist zu beachten, dass die Verdrahtung 113 in dieser Ausführungsform unter Verwendung desselben Materials und in demselben Schritt wie die untere Elektrode 103 ausgebildet wird. Die Verdrahtung 113 kann jedoch auch unter Verwendung eines Materials mit einem ausreichend niedrigeren Widerstand als die obere Elektrodenschicht 107 in einem anderen Schritt ausgebildet werden. Weiterhin kann die Hilfsverdrahtung 111 aus der Licht emittierenden Einrichtung 100 nach außen geführt werden, um direkt mit einem Potential versorgt zu werden.
2 ist eine schematische Querschnittansicht entlang der Linie C-C' in 1A. Die Trennschicht 115, die um die Licht emittierende Einrichtung 100 herum vorgesehen ist, teilt die EL-Schicht 105 und die obere Elektrodenschicht 107. Wenn die Licht emittierenden Einrichtungen 100 nebeneinander vorgesehen sind, können sie elektrisch voneinander durch die Trennschicht 115 isoliert werden.
Die Trennschicht 115 wird unter Verwendung eines isolierenden Materials ausgebildet und teilt die EL-Schicht 105 und die obere Elektrodenschicht 107. Wie in der Hilfsverdrahtung 111 steht ein oberer Teil der Trennschicht 115 in einer Richtung parallel zu dem Substrat vor. Damit die EL-Schicht 105 und die obere Elektrodenschicht 107 geteilt werden können, weist die Trennschicht 115 eine Form auf, die nicht gestattet, dass die obere Elektrodenschicht 107 auf dem Seitenteil der Trennschicht 115 ausgebildet wird. Zum Beispiel kann die Trennschicht 115 derart ausgebildet werden, dass ein Winkel zwischen der Oberfläche des Substrats und einer Linie, die den am weitesten vorstehenden Punkt der Trennschicht 115 mit einem Punkt einer Seitenfläche der Trennschicht 115, der in Kontakt mit dem Trennteil 109 ist, verbindet, kleiner ist als ein Winkel zwischen der Oberfläche des Substrats und einer Linie, die den am weitesten vorstehenden Punkt der Hilfsverdrahtung 111 mit einem Punkt einer Seitenfläche der Hilfsverdrahtung 111, der in Kontakt mit dem Trennteil 109 ist, verbindet. Alternativ hierzu kann die Trennschicht 115 eine nach innen gekrümmte Form aufweisen, sodass also ein Raum zwischen der Linie und der Seitenfläche der Trennschicht 115 vorgesehen sein kann.
Die Trennschicht 115 ist nicht notwendigerweise vorgesehen, wenn nur eine Licht emittierende Einrichtung 100 verwendet wird oder wenn die benachbarten Licht emittierenden Einrichtungen 100 nicht notwendigerweise elektrisch voneinander isoliert sind.
Es ist zu beachten, dass die Verdrahtung 113 und die Licht emittierende Einrichtung 100 in diesem beispielhaften Aufbau über dem Substrat 101 vorgesehen sind, wobei jedoch auch ein Planarisierungsfilm mit einem Öffnungsteil über der über dem Substrat 101 ausgebildeten Verdrahtung 113 ausgebildet sein kann und die Licht emittierende Einrichtung 100 über dem Planarisierungsfilm vorgesehen sein kann. Die Verdrahtung 113 wird unterhalb der Licht emittierenden Einrichtung 100 geführt, wodurch der Licht emittierende Bereich in Bezug auf die Fläche des Substrats 101 vergrößert werden kann.
Eine derartige Hilfsverdrahtung 111 wird in der Licht emittierenden Einrichtung 100 verwendet, weshalb die EL-Schicht 105 und die obere Elektrodenschicht 107 ohne eine Metallmaske ausgebildet werden können. Und weil die Hilfsverdrahtung 111 unter Verwendung eines Materials mit einem niedrigen Widerstand ausgebildet wird, kann die unerwünschte Auswirkung eines Potentialabfalls aufgrund des Widerstands der oberen Elektrodenschicht 107 extrem unterdrückt werden und kann eine sehr zuverlässige Licht emittierende Einrichtung vorgesehen werden. Insbesondere ist eine große Wirkung bei einer Licht emittierenden Einrichtung des oben emittierenden Typs, die einen transparenten leitenden Film mit einem hohen Widerstand als die obere Elektrodenschicht 107 enthält, zu erwarten. Und weil die EL-Schicht und die obere Elektrodenschicht ohne eine Metallmaske ausgebildet werden können, tritt kein Problem aufgrund eines Kontakts zwischen einer Metallmaske und einem Substrat auf und kann eine sehr zuverlässige Licht emittierende Einrichtung vorgesehen werden.
Und auch wenn eine Vielzahl von Licht emittierenden Einrichtungen 100 nebeneinander vorgesehen sind, ist die Trennschicht 115 derart vorgesehen, dass sie die Licht emittierenden Einrichtungen 100 wie oben beschrieben umgibt, wodurch die Licht emittierenden Einrichtungen 100 elektrisch voneinander isoliert werden können, wenn die EL-Schicht 105 und die obere Elektrodenschicht 107 ohne eine Metallmaske ausgebildet werden.
<Modifikationsbeispiele>
Die oben beispielhaft beschriebene Hilfsverdrahtung kann verschiedene Formen aufweisen, solange die Hilfsverdrahtung die EL-Schicht 105 teilt und mit der oberen Elektrodenschicht 107 verbunden ist, damit sie nicht elektrisch von der oberen Elektrodenschicht 107 getrennt wird. Im Folgenden werden Beispiele von Formen für die Hilfsverdrahtung mit Bezug auf 3A bis 3F beschrieben.
In einer in 3A gezeigten Hilfsverdrahtung 121 krümmt sich eine Seitenfläche nach innen. Insbesondere wenn eine große Menge eines Materials der EL-Schicht 105 an einem Seitenteil der Hilfsverdrahtung während der Ausbildung aufgetragen wird, kann die EL-Schicht 105 effektiv durch die Hilfsverdrahtung 121 mit einer derart nach innen gekrümmten Form geteilt werden.
Eine in 3B gezeigte Hilfsverdrahtung 131 weist einen gestapelten Aufbau mit einem Schenkelteil 131a, der unter Verwendung eines leitenden Materials ausgebildet ist, und einem Plattformteil 131b auf. Der Bereich des Schenkelteils 131a, der in Kontakt mit dem Trennteil 109 ist, befindet sich innerhalb des am weitesten vorstehenden Bereichs des Plattformteils 131b. Die obere Elektrodenschicht 107 wird aufgrund des Kontakts mit wenigstens dem Schenkelteil 131a nicht elektrisch getrennt. Der Plattformteil 131b kann eine isolierende Eigenschaft aufweisen, wobei jedoch vorzugsweise ein leitendes Material für die Ausbildung des Plattformteils 131b verwendet wird, weil dadurch der Widerstand der Hilfsverdrahtung 131 reduziert werden kann. Und wenn der Schenkelteil 131a eine sich nach vorne verjüngende Form aufweist, kann die Kontaktfläche zwischen der oberen Elektrodenschicht 107 und dem Schenkelteil 131a auch dann groß sein, wenn eine relativ kleine Menge des Materials der oberen Elektrodenschicht 107 an einem Seitenteil des Plattformteils 131b aufgetragen ist, was vorteilhaft ist.
Eine in 3C gezeigte Hilfsverdrahtung 141 umfasst wie die Hilfsverdrahtung 131 einen Schenkelteil 141a und einen Plattformteil 141b. In dem Plattformteil 141b liegt eine dem Substrat 101 zugewandte Bodenfläche teilweise frei, sodass die EL-Schicht 105 effektiver geteilt werden kann. Weiterhin kann der Schenkelteil 141a eine sich nach vorne verjüngende Form aufweisen. Die obere Elektrodenschicht 107 ist in einem Kontakt mit wenigstens dem Schenkelteil 141a ausgebildet. Dabei kann der Plattformteil 141b wie in dem weiter oben beschriebenen Fall unter Verwendung eines isolierenden Materials ausgebildet werden, wobei jedoch vorzugsweise ein leitendes Material verwendet wird.
Die oben genannten Hilfsverdrahtungen sind nicht notwendigerweise über dem Trennteil 109 vorgesehen. Zum Beispiel ist eine in 3D gezeigte Hilfsverdrahtung 151 auf und in Kontakt mit einer Verdrahtung 153 vorgesehen, die unter Verwendung eines ähnlichen Materials und in ähnlichen Schritten wie die untere Elektrodenschicht 103 ausgebildet wird. Bei einem derartigen Aufbau kann der Widerstand der Hilfsverdrahtung 151 weiter reduziert werden, sodass die Auswirkung eines Potentialabfalls aufgrund des Widerstands der oberen Elektrodenschicht 107 extrem reduziert werden kann. Es ist zu beachten, dass die Verdrahtung 153 unter Verwendung eines anderen Materials und in anderen Schritten ausgebildet werden kann als die untere Elektrodenschicht 103. Die Verdrahtung 153 wird vorzugsweise unter Verwendung eines Materials mit einem niedrigen Widerstand ausgebildet.
In dem in 3E gezeigten Aufbau ist eine Hilfsverdrahtung 171 über der Verdrahtung 153 ausgebildet. Eine Verbindungsschicht 175 ist zwischen einem Schenkelteil 171a und einem Plattformteil 171b ausgebildet. Die Verbindungsschicht 175 ist in Kontakt mit einer oberen Oberfläche der Verdrahtung 153 und bedeckt wenigstens eine Seitenfläche des Schenkelteils 171a. Bei diesem Aufbau gestattet die Verbindungsschicht 175 auch dann, wenn der Schenkelteil 171a und der Plattformteil 171b unter Verwendung eines isolierenden Materials wie etwa eines organischen Kunstharzes ausgebildet werden, dass ein Teil der Seitenfläche der Hilfsverdrahtung 171 im Wesentlichen eine Leitfähigkeit aufweist. Wenn dabei der Schenkelteil 171a unter Verwendung eines organischen Kunstharzes ausgebildet wird, kann die Höhe des Schenkelteils 171a einfach vergrößert werden und kann also die obere Elektrodenschicht 107 einfach an dem Seitenteil des Schenkelteils 171a ausgebildet werden. Dementsprechend kann der Kontaktwiderstand reduziert werden, wenn die Kontaktfläche zwischen der oberen Elektrodenschicht 107 und der Verbindungsschicht 175 größer wird, was vorteilhaft ist. Und wenn ein die Verdrahtung 153 bildender leitender Film aufgrund eines Kontakts zwischen einem die obere Elektrodenschicht 107 bildenden leitenden Film und dem die Verdrahtung 153 bildenden leitenden Film (z. B. wenn ITO (Indiumzinnoxid) und Aluminium verwendet werden) korrodiert, kann der nachteilige Effekt der Korrosion beseitigt werden, wenn die unter Verwendung eines leitenden Films mit einer hohen Affinität mit diesen leitenden Filmen ausgebildete Verbindungsschicht 175 zwischen der oberen Elektrodenschicht 107 und der Verdrahtung 153 vorgesehen ist.
Alternativ hierzu kann eine Hilfsverdrahtung unter Verwendung desselben Materials wie eine untere Elektrodenschicht ausgebildet werden. In einem in 3F gezeigten Aufbau enthält eine untere Elektrodenschicht 183 drei übereinander gestapelte leitende Filme. Wenn zum Beispiel ein gestapelter Film, in dem ein leitender Film mit einem geringen Widerstand zwischen chemisch stabilen (kaum eine Reaktion oder Korrosion verursachenden) leitenden Filmen eingeschlossen ist, werden die Leitfähigkeit und die Zuverlässigkeit erhöht, was vorteilhaft ist. Eine Hilfsverdrahtung 181 wird unter Verwendung derselben leitenden Filme wie zwei obere Schichten der unteren Elektrodenschicht 183 ausgebildet. Die Hilfsverdrahtung 181 umfasst einen Schenkelteil 181a und einen Plattformteil 181b. Weiterhin wird die Hilfsverdrahtung 181 über einer Verdrahtung 185 ausgebildet, die unter Verwendung desselben leitenden Films wie die unterste Schicht der unteren Elektrodenschicht 183 ausgebildet wird. Eine Seitenfläche des Schenkelteils 181a ist innerhalb eines Endteils des Plattformteils 181b positioniert. Die Hilfsverdrahtung 181 mit dem oben beschriebenen Aufbau kann über der Verdrahtung 185 zum Beispiel derart ausgebildet werden, dass die Seitenfläche des Schenkelteils 181a durch ein Ätzen vertieft wird, wobei eine Differenz in der Ätzrate des den Schenkelteil 181a bildenden leitenden Films und der den Plattformteil 181b und die Verdrahtung 185 bildenden leitenden Filme genutzt wird. Weil die Hilfsverdrahtung 181 einen derartigen Aufbau aufweist, können die Herstellungsschritte vereinfacht werden.
Die Licht emittierende Einrichtung 100 kann einen Aufbau aufweisen, in dem eine Hilfsverdrahtung auch für die untere Elektrodenschicht 103 vorgesehen ist. Insbesondere bei einer Licht emittierenden Einrichtung des unten emittierenden Typs (oder des dual emittierenden Typs) wird ein lichtdurchlässiges leitendes Material mit einem relativ hohen Widerstand für die untere Elektrodenschicht 103 verwendet. Es ist deshalb effektiv, die Hilfsverdrahtung für die untere Elektrodenschicht 103 vorzusehen. Auch bei einer Licht emittierenden Einrichtung des oben emittierenden Typs kann der Widerstand der unteren Elektrodenschicht 103 in einigen Fällen ignoriert werden, wenn die Licht emittierende Fläche vergrößert ist. In einem derartigen Fall wird die Hilfsverdrahtung nicht benötigt. Im Folgenden werden Beispiele für Hilfsverdrahtungen für die untere Elektrodenschicht 103 mit Bezug auf 4A bis 4C beschrieben.
In 4A ist eine Hilfsverdrahtung 117 in Kontakt mit einer unteren Seite der unteren Elektrodenschicht 103 vorgesehen. In einem derartigen Aufbau ist ein Licht blockierender Bereich nur durch die Hilfsverdrahtung 117 in einem unten emittierenden Typ gegeben, sodass das Öffnungsverhältnis vergrößert werden kann. Bei einem oben emittierenden Typ kann ein Bereich direkt über der Hilfsverdrahtung 117 ein Licht emittierender Bereich sein. Das Öffnungsverhältnis ist also nicht verkleinert, was vorteilhaft ist.
Wenn die EL-Schicht 105 und die obere Elektrodenschicht 107 an einem Endteil der Hilfsverdrahtung 117 getrennt werden können, kann ein den Endteil der Hilfsverdrahtung 117 bedeckender Trennteil 119 vorgesehen werden. 4B zeigt einen Aufbau, in dem der den Endteil der Hilfsverdrahtung 117 bedeckende Trennteil 119 in Kontakt mit der unteren Elektrodenschicht 103 vorgesehen ist. Ein Stapel aus der EL-Schicht 105 und der oberen Elektrodenschicht 107 ist in Kontakt mit dem Trennteil 119 über dem Endteil der Hilfsverdrahtung 117 vorgesehen, sodass eine Trennung derselben verhindert werden kann. Alternativ hierzu kann der Trennteil 119 wie in 4C gezeigt zwischen der Hilfsverdrahtung 117 und der unteren Elektrodenschicht 103 vorgesehen werden. Insbesondere wenn ein derartiger Aufbau in einem oben emittierenden Typ verwendet wird, kann ein Bereich direkt über dem Trennteil 119 ein Licht emittierender Bereich sein, was vorteilhaft ist.
Es ist zu beachten, dass in dieser Ausführungsform Aufbauten beschrieben werden, in denen die Hilfsverdrahtung 117 unter der unteren Elektrodenschicht 103 vorgesehen ist. Die Hilfsverdrahtung 117 kann jedoch auch über der unteren Elektrodenschicht 103 vorgesehen sein. In diesem Fall kann der Trennteil 109 in angemessener Weise vorgesehen sein, um einen nachteiligen Effekt des Endteils der Hilfsverdrahtung 117 zu reduzieren.
<Material>
Im Folgenden werden Beispiele für die in den entsprechenden Schichten verwendeten Materialien beschrieben.
[Substrat]
Wenn die Licht emittierende Einrichtung 100 von einem unten emittierenden Typ oder von einem dual emittierenden Typ ist, kann ein lichtdurchlässiges Material wie etwa Glas, Quarz oder ein organisches Kunstharz als Material für das Substrat 101 verwendet werden. Bei einem oben emittierenden Typ ist nicht immer eine lichtdurchlässige Eigenschaft erforderlich, sodass ein Material wie etwa ein Metall, ein Halbleiter, Keramik oder ein gefärbtes organisches Kunstharz anstelle der oben genannten Materialien verwendet werden kann. Wenn ein leitendes Substrat verwendet wird, weist das Substrat vorzugsweise eine isolierende Eigenschaft auf, indem seine Oberfläche oxidiert wird oder ein Isolationsfilm auf seiner Oberfläche ausgebildet wird.
Wenn ein organisches Kunstharz für das Substrat 101 verwendet wird, kann zum Beispiel ein Polyesterkunstharz wie etwa Polyethylenterephthalat (PET) oder Polyethylennaphthalat (PEN), ein Polyacrylnitril-Kunstharz, ein Polyimid-Kunstharz, ein Polymethylmethacrylat-Kunstharz, ein Polycarbonat(PC)-Kunstharz, ein Polyethersulfon(PES)-Kunstharz, ein Polyamid-Kunstharz, ein Cycloolefin-Kunstharz, ein Polystyren-Kunstharz, ein Polyamidimid-Kunstharz, ein Polyvinylchlorid-Kunstharz oder ähnliches als ein organisches Kunstharz verwendet werden. Weiterhin kann auch ein Substrat, in dem eine Glasfaser mit einem organischen Kunstharz imprägniert ist, oder ein Substrat, in dem ein anorganischer Füller mit einem organischen Kunstharz gemischt ist, verwendet werden.
Insbesondere wird bei einer Licht emittierenden Einrichtung 100 des oben emittierenden Typs vorzugsweise ein Substrat mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit wie etwa ein Metallsubstrat verwendet. Bei einer großen Beleuchtungsvorrichtung mit einem darin enthaltenen EL-Element wird die Wärme von dem EL-Element unter Umständen zu einem Problem, wobei die Wärmeableitung durch die Verwendung eines Substrats mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit erhöht werden kann. Wenn zum Beispiel ein Substrat aus Aluminiumoxid, Duraluminium oder ähnlichem anstelle eines Substrats aus Edelstahl verwendet wird, können ein leichtes Gewicht und eine hohe Wärmeableitung erzielt werden. Wenn ein Stapel aus Aluminium und Aluminiumoxid, ein Stapel aus Duraluminium und Aluminiumoxid, ein Stapel aus Duraluminium und Magnesiumoxid oder ähnliches verwendet wird, kann die Oberfläche des Substrats eine isolierende Eigenschaft aufweisen, was vorteilhaft ist.
[Dichtungsfilm und Basisfilm]
Bei einer Licht emittierenden Einrichtung des unten emittierenden oder dual emittierenden Typs können ein Dichtungsfilm und ein Basisfilm unter Verwendung eines Materials mit einer lichtdurchlässigen Eigenschaft und einer Grenzeigenschaft ausgebildet werden. Bei einer Licht emittierenden Einrichtung des oben emittierenden Typs ist nicht immer eine lichtdurchlässige Eigenschaft erforderlich.
Für den Dichtungsfilm und den Basisfilm kann ein anorganischer Isolationsfilm zum Beispiel mittels eines Kathodenzerstäubungsverfahrens ausgebildet werden. Zum Beispiel kann ein Siliciumnitridfilm, ein Aluminiumoxidfilm, ein Siliciumoxidfilm oder ähnliches ausgebildet werden. Der Dichtungsfilm oder Basisfilm, der auf der zu der Lichtextraktionsrichtung gegenüberliegenden Seite vorgesehen ist, kann ein Stapel aus einem Metallfilm und dem oben genannten anorganischen Isolationsfilm sein.
Der Dichtungsfilm ist vorzugsweise ein Gasgrenzfilm, in dem die Durchlässigkeit für Feuchtigkeit zum Beispiel kleiner oder gleich 10^–6 g/m²·Tag ist. Ein Stapelschichtaufbau, in dem wenigstens eine Schicht mit einem darin enthaltenen anorganischen Material zwischen Schichten mit einem darin enthaltenen organischen Material vorgesehen ist, kann zum Beispiel für den Dichtungsfilm verwendet werden. Als die Schicht mit einem darin enthaltenen organischen Material kann zum Beispiel eine Kleberschicht wie etwa eine Epoxid-basierte Kleberschicht verwendet werden. Als die Schicht mit einem darin enthaltenen anorganischen Material kann zum Beispiel ein Film mit einer Grenzeigenschaft wie etwa ein Siliciumoxidfilm oder ein Siliciumnitridfilm verwendet werden.
Wenn ein organisches Kunstharz für ein Substrat verwendet wird, kann eine Glasschicht mit einer Dicke größer oder gleich 25 μm und kleiner oder gleich 100 μm als eine Basisschicht verwendet werden. Die Dicke der Glasschicht ist gewöhnlich größer oder gleich 45 μm und kleiner oder gleich 80 μm. Indem ein Substrat aus einem organischen Kunstharz und eine Glasschicht kombiniert werden, kann verhindert werden, dass Feuchtigkeit, Verunreinigungen oder ähnliches in eine organische Verbindung oder ein Metallmaterial in dem Licht emittierenden Element von außerhalb der Licht emittierenden Einrichtung eindringen, und kann das Gewicht der Licht emittierenden Einrichtung reduziert werden.
[Trennschicht]
Eine Trennschicht kann unter Verwendung eines anorganischen isolierenden Materials oder eines organischen isolierenden Materials ausgebildet werden. Zum Beispiel kann ein negatives oder positives lichtempfindliches Kunstharzmaterial, ein nicht-lichtempfindliches Kunstharzmaterial oder ähnliches verwendet werden.
[Licht emittierendes Element]
Als ein lichtdurchlässiges Material für eine Elektrodenschicht, durch welche Licht extrahiert wird, können Indiumoxid, Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid, Zinkoxid, Zinkoxid mit zugesetzten Gallium, Graphen oder ähnliches verwendet werden.
Alternativ hierzu kann für die Elektrodenschicht ein Metallmaterial wie etwa Gold, Silber, Platin, Magnesium, Nickel, Wolfram, Chrom, Molybdän, Eisen, Cobalt, Kupfer, Palladium oder Titan oder eine Legierung mit einem beliebigen dieser Metallmaterialien verwendet werden. Es kann aber auch ein Nitrid des Metallmaterials (z. B. Titannitrid) oder ähnliches verwendet werden. Wenn das Metallmaterial (oder das Nitrid desselben) verwendet wird, kann die Elektrodenschicht derart verdünnt werden, dass sie Licht durchlassen kann. Außerdem kann Graphen verwendet werden.
Weiterhin kann ein gestapelter Film aus beliebigen der oben genannten Materialien für die Elektrodenschicht verwendet werden. Wenn zum Beispiel ein gestapelter Film aus ITO und einer Legierung aus Silber und Magnesium verwendet wird, kann die Leitfähigkeit erhöht werden, was vorteilhaft ist.
Die Dicke der Elektrodenschicht, durch die Licht extrahiert wird, ist zum Beispiel größer oder gleich 50 nm und kleiner oder gleich 300 nm, vorzugsweise größer oder gleich 80 nm und kleiner oder gleich 130 nm und noch besser größer oder gleich 100 nm und kleiner oder gleich 110 nm.
Eine EL-Schicht umfasst wenigstens eine Schicht, die eine lichtdurchlässige organische Verbindung enthält. Außerdem kann die EL-Schicht einen Stapelschichtaufbau aufweisen, in dem eine Schicht mit einer darin enthaltenen Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft, eine Schicht mit einer darin enthaltenen Substanz mit einer hohen Lochtransporteigenschaft, eine Schicht mit einer darin enthaltenen Substanz mit einer hohen Elektroneninjektionseigenschaft, eine Schicht mit einer darin enthaltenen Substanz mit einer hohen Lochinjektionseigenschaft, eine Schicht mit einer darin enthaltenen bipolaren Substanz (einer Substanz, die sowohl eine hohe Elektronentransporteigenschaft als auch eine hohe Lochtransporteigenschaft aufweist) und ähnliches in angemessener Weise kombiniert sind.
Es ist zu beachten, dass in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Licht emittierendes Element (ein Licht emittierendes Tandemelement), in dem eine Vielzahl von EL-Schichten zwischen einer oberen Elektrodenschicht und einer unteren Elektrodenschicht vorgesehen sind, verwendet werden können. Vorzugsweise wird ein Stapelschichtaufbau mit zwei Schichten, drei Schichten oder vier Schichten (und insbesondere ein Stapelschichtaufbau mit drei Schichten) verwendet. Beispielhafte Aufbauten der EL-Schicht werden im Detail in der Ausführungsform 5 beschrieben.
Eine Elektrodenschicht, die auf der Seite gegenüber der Seite, von der Licht extrahiert wird, vorgesehen ist, wird unter Verwendung eines reflexiven Materials ausgebildet. Als das reflexive Material kann ein Metallmaterial wie etwa Aluminium, Gold, Platin, Silber, Nickel, Wolfram, Chrom, Molybdän, Eisen, Cobalt, Kupfer oder Palladium verwendet werden. Außerdem kann ein beliebiges der folgenden Materialien verwendet werden: Aluminium enthaltende Legierungen (Aluminiumlegierungen) wie etwa eine Legierung aus Aluminium und Titan, eine Legierung aus Aluminium und Nickel und eine Legierung aus Aluminium und Neodym; und Silber enthaltende Legierungen wie etwa eine Legierung aus Silber und Kupfer oder eine Legierung aus Silber und Magnesium. Eine Legierung aus Silber und Kupfer ist zu bevorzugen, weil sie eine hohe Wärmebeständigkeit aufweist. Weiterhin wird ein Metallfilm oder ein Metalloxidfilm über einem Aluminiumlegierungsfilm gestapelt, wodurch eine Oxidation des Aluminiumlegierungsfilms verhindert werden kann. Beispiele für ein Material für den Metallfilm oder den Metalloxidfilm sind Titan, Titanoxid und ähnliches.
[Hilfsverdrahtung und Verdrahtung]
Eine Hilfsverdrahtung und eine Verdrahtung können mit einer einzelnen Schicht oder einer gestapelten Schicht unter Verwendung eines Materials wie etwa Kupfer (Cu), Titan (Ti), Tantal (Ta), Wolfram (W), Molybdän (Mo), Chrom (Cr), Neodym (Nd), Scandium (Sc) oder Nickel (Ni) oder unter Verwendung eines Legierungsmaterials, das eines dieser Materialien als Hauptkomponente enthält, ausgebildet werden. Aluminium kann auch für das Material der Verdrahtung verwendet werden, wobei jedoch in diesem Fall die Verdrahtung korrodieren kann, wenn die Verdrahtung in einem direkten Kontakt mit ITO oder ähnlichem vorgesehen wird. Deshalb weist die Verdrahtung vorzugsweise einen Stapelschichtaufbau auf, wobei das Aluminium für eine Schicht verwendet werden kann, die nicht in Kontakt mit ITO oder ähnlichem ist. Vorzugsweise kann Kupfer verwendet werden, weil es einen niedrigen Widerstand aufweist. Die Dicke der Verdrahtung ist vorzugsweise größer oder gleich 100 nm und kleiner oder gleich 35 μm.
[Trennteil]
Als ein Material für einen Trennteil kann zum Beispiel ein organisches Kunstharz wie etwa ein Polyamid, Acryl, Polyamid oder ein Epoxid oder ein anorganisches isolierendes Material verwendet werden.
Der Winkel einer Seitenwandfläche einer Schicht, deren Endteil mit einer sich nach vorne verjüngenden Form in Kontakt mit einer als Basis zu verwendenden Schicht ist, ist größer oder gleich 10° und kleiner oder gleich 85° und vorzugsweise größer oder gleich 60° und kleiner oder gleich 80°.
Insbesondere wird der Trennteil vorzugsweise unter Verwendung eines lichtempfindlichen Materials mit einem Öffnungsteil ausgebildet, sodass eine Seitenwand des Öffnungsteils als eine geneigte Fläche mit einer kontinuierlichen Krümmung ausgebildet ist. Insbesondere beträgt der Krümmungsradius einer durch einen Querschnitt eines Isolationsfilms gezogenen Kurve vorzugsweise 0,2 μm bis 2 μm.
Hinsichtlich des Verfahrens zum Ausbilden des Trennteils werden keine besonderen Beschränkungen vorgegeben. Es kann ein Kathodenzerstäubungsverfahren, ein Aufdampfungsverfahren, ein Tröpfchenausstoßverfahren (z. B. ein Tintenstrahlverfahren), ein Druckverfahren (z. B. ein Siebdruckverfahren oder ein Offsetdruckverfahren) oder ähnliches verwendet werden.
Die Dicke des Trennteils kann zum Beispiel größer oder gleich 20 nm und kleiner oder gleich 20 μm sein. Die Dicke des Trennteils ist vorzugsweise größer oder gleich 50 nm und kleiner oder gleich 3 μm.
[Planarisierungsfilm]
Ein Planarisierungsfilm kann unter Verwendung eines anorganischen isolierenden Materials oder eines organischen isolierenden Materials ausgebildet werden. Es ist zu beachten, dass ein wärmebeständiges organisches isolierendes Material wie etwa ein Acrylkunstharz, Polyimid, ein Benzocyclobuten-basiertes Kunstharz, Polyamid oder ein Epoxidkunstharz vorzugsweise als ein Planarisierungs-Isolationsfilm verwendet wird. Neben den oben genannten organischen isolierenden Materialien kann ein Material mit einer niedrigen dielektrischen Konstante, ein Siloxan-basiertes Kunstharz, ein Phosphosilikatglas (PSG), ein Borphosphosilikatglas (BPSG) oder ähnliches verwendet werden. Es ist zu beachten, dass der Planarisierungsfilm ausgebildet werden kann, indem eine Vielzahl von Isolationsfilmen, die unter Verwendung dieser Materialien ausgebildet wurden, gestapelt werden.
Hinsichtlich des Verfahrens zum Ausbilden des Planarisierungsfilms werden keine besonderen Beschränkungen vorgegeben, wobei ein Kathodenzerstäubungsverfahren, ein Rotationsbeschichtungsverfahren, ein Eintauchverfahren, ein Druckverfahren, ein Tintenstrahlverfahren oder ähnliches je nach dem Material des Planarisierungsfilms verwendet werden können.
Diese Ausführungsform kann mit beliebigen anderen der hier beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden.
(Ausführungsform 2)
In dieser Ausführungsform wird ein Beispiel für ein Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Einrichtung 100 gemäß einem Beispiel der Ausführungsform 1 mit Bezug auf 5A bis 5D und 6A bis 6C beschrieben.
Es ist zu beachten, dass in dieser Ausführungsform eine Licht emittierende Einrichtung des oben emittierenden Typs als ein Beispiel für die Licht emittierende Einrichtung 100 beschrieben wird. Bei einer Licht emittierenden Einrichtung des unten emittierenden Typs kann jedoch ein lichtdurchlässiges Material für eine untere Elektrodenschicht verwendet werden und kann ein reflexives Material für eine obere Elektrodenschicht verwendet werden. Im Fall einer Licht emittierenden Einrichtung des dualen Typs kann ein lichtdurchlässiges Material für jede der Elektrodenschichten verwendet werden.
Zuerst wird ein leitender Film für die untere Elektrodenschicht 103 über dem Substrat 101 ausgebildet. Der leitende Film kann unter Verwendung eines beliebigen der in der Ausführungsform 1 beschriebenen Materialien durch ein Filmausbildungsverfahren wie etwa ein Kathodenzerstäubungsverfahren oder ein Aufdampfungsverfahren ausgebildet werden. Danach wird ein nicht benötigter Teil des leitenden Films durch ein Verarbeitungsverfahren wie etwa ein Photolithographieverfahren entfernt, wodurch die untere Elektrodenschicht 103 ausgebildet wird.
Dabei kann ein Basisfilm ausgebildet werden, bevor die untere Elektrodenschicht 103 ausgebildet wird. Ein als ein Grenzfilm dienender Isolationsfilm kann als der Basisfilm verwendet werden und kann durch ein Filmausbildungsverfahren wie etwa ein CVD-Verfahren oder ein Kathodenzerstäubungsverfahren ausgebildet werden.
Alternativ hierzu kann die untere Elektrodenschicht 103 ausgebildet werden, nachdem eine Verdrahtung wie etwa die Verdrahtung 113 über dem Substrat 101 ausgebildet wurde und ein die Verdrahtung 113 bedeckender Planarisierungsfilm ausgebildet wurde. In diesem Fall kann wie bei der Ausbildung der unteren Elektrodenschicht 103 die Verdrahtung 113 ausgebildet werden, indem ein leitender Film ausgebildet wird und ein nicht benötigter Teil desselben entfernt wird. Der Planarisierungsfilm kann unter Verwendung eines Materials und eines Verfahrens wie in der Ausführungsform 1 beschrieben ausgebildet werden.
Wenn die Hilfsverdrahtung 117 in Kontakt mit der unteren Elektrodenschicht 103 näher an dem Substrat vorgesehen ist als die untere Elektrodenschicht 103, wird die Hilfsverdrahtung 117 ausgebildet, bevor die untere Elektrodenschicht 103 ausgebildet wird. Wie in der unteren Elektrodenschicht 103 kann die Hilfsverdrahtung 117 ausgebildet werden, indem ein leitender Film ausgebildet wird und ein unnötiger Teil desselben entfernt wird. Der Trennteil 119 wird bei Bedarf zu diesem Zeitpunkt ausgebildet.
Wenn die Verdrahtung 113 unter Verwendung eines anderen Materials als dem Material der unteren Elektrodenschicht 103 ausgebildet wird, wird die Verdrahtung 113 ausgebildet, bevor oder nachdem die untere Elektrodenschicht 103 ausgebildet wurde.
Im Folgenden wird der Trennteil 109 ausgebildet. Der Trennteil 109 kann unter Verwendung des Materials und des Verfahrens 1 ausgebildet werden, die in der Ausführungsform 1 beschrieben werden.
5A ist eine schematische Querschnittansicht der Licht emittierenden Einrichtung 100 in dieser Phase.
Dann wird die Hilfsverdrahtung 111 ausgebildet. Es wird hier in Fall beschrieben, in dem die Hilfsverdrahtung 111 unter Verwendung einer einzelnen Metallschicht ausgebildet wird.
Zuerst wird ein leitender Film 161 für die Hilfsverdrahtung 111 ausgebildet. Der leitende Film 161 kann unter Verwendung eines beliebigen der in der Ausführungsform 1 beschriebenen Materialien durch ein Kathodenzerstäubungsverfahren, ein Aufdampfungsverfahren oder ähnliches ausgebildet werden.
Danach wird ein Resist 163, das als eine Ätzmaske dient, über dem leitenden Film 161 ausgebildet. Das Resist 163 kann unter Verwendung eines bekannten Photolithographieschritts ausgebildet werden, in dem ein lichtempfindliches Kunstharzmaterial aufgetragen wird und eine Belichtung und Entwicklung durchgeführt werden. 5B ist eine schematische Querschnittansicht zu diesem Zeitpunkt.
Dann wird der leitende Film 161 unter Verwendung des Resist 163 als einer Ätzmaske geätzt, um die Hilfsverdrahtung 111 auszubilden. Dabei wird die Hilfsverdrahtung 111, die einem Ätzen unterworfen wurde, derart ausgebildet, dass eine Kontaktfläche zwischen dem unteren Teil der Hilfsverdrahtung 111 und dem Trennteil 109 kleiner als eine projizierte Fläche der Hilfsverdrahtung 111 auf einer Oberfläche parallel zu dem Substrat ist und in der projizierten Fläche enthalten ist.
Damit die Hilfsverdrahtung 111 zum Beispiel mit der oben genannten Form durch das Ätzen des leitenden Films 161 ausgebildet wird, nachdem der leitende Film 161 durch ein Trockenätzen geätzt wurde und dabei das Resist 163 nicht oder mit einer viel geringeren Ätzrate als derjenigen des leitenden Films 161 geätzt wurde, wird die Ätzzeit verlängert, sodass der untere Teil des leitenden Films 161 geätzt wird.
Nachdem die Hilfsverdrahtung 111 ausgebildet wurde, wird das Resist 163 entfernt. 5C ist eine schematische Querschnittansicht zu dieser Phase.
Im Folgenden wird mit Bezug auf 6A bis 6C ein Verfahren zum Herstellen der Hilfsverdrahtung 111 beschrieben, das sich von dem oben beschriebenen Verfahren unterscheidet.
Nach dem Ausbilden des Trennteils 109 wird eine Opferschicht 165 mit einer Öffnung in einem Bereich, in dem die Hilfsverdrahtung 111 ausgebildet werden soll, ausgebildet (6A). Zu diesem Zeitpunkt weist der Öffnungsteil in der Opferschicht 165 vorzugsweise eine Form auf, in welcher der Öffnungsteil der Opferschicht 165 in dem Bereich näher am dem Substrat 101 kleiner ist. Die Opferschicht 165 kann unter Verwendung eines lichtempfindlichen organischen Materials oder ähnlichem ausgebildet werden.
Danach wird ein leitender Film 167 ausgebildet, um den Öffnungsteil in der Opferschicht 165 zu füllen (6B). Der leitende Film 167 kann ausgebildet werden, indem ein dicker leitender Film durch ein Kathodenzerstäubungsverfahren, ein Aufdampfungsverfahren oder ähnliches ausgebildet wird und ein oberer Teil desselben durch zum Beispiel eine chemisch-mechanische Polierbehandlung (CMP) entfernt wird. Alternativ hierzu kann der leitende Film 167 ausgebildet werden, indem eine Seed-Schicht in einem Bodenteil des Öffnungsteils in der Opferschicht 165 ausgebildet wird und ein Elektroplattierungsverfahren oder ein chemisches Plattierungsverfahren verwendet wird. Die Seed-Schicht kann durch ein Tröpfchenausstoßverfahren oder ähnliches ausgebildet werden.
Dann wird die Opferschicht 165 entfernt, sodass die Hilfsverdrahtung 111 mit der Form des Öffnungsteils in der Opferschicht 165 ausgebildet werden kann (6C). Die Opferschicht 165 wird vorzugsweise unter der Bedingung entfernt, dass der Trennteil 109, die untere Elektrodenschicht 103 und ähnliches, die in Kontakt mit der Opferschicht 165 sind, nicht geätzt werden.
Wenn die Hilfsverdrahtung zum Beispiel zwei Schichten wie etwa die in 3B gezeigte Hilfsverdrahtung 131 oder die in 3C gezeigte Hilfsverdrahtung 141 wie in der Ausführungsform 1 beschrieben aufweist, kann zuerst ein Plattformteil verarbeitet werden und kann dann ein Schenkelteil unter Verwendung des Plattformteils als einer Maske verarbeitet werden, wobei der Plattformteil und der Schenkelteil aber auch gleichzeitig durch ein anisotropisches Ätzen verarbeitet werden können und ein zusätzliches Ätzen durchgeführt werden kann, um eine Seitenfläche des Schenkelteils zu vertiefen. Alternativ hierzu kann der Schenkelteil zuerst verarbeitet werden und kann dann ein Plattformteil ausgebildet werden. Das Verfahren zum Herstellen einer Hilfsverdrahtung mit zwei oder mehr Schichten kann gemäß den verwendeten Materialien gewählt werden.
Und wenn die Hilfsverdrahtung 151 über der Verdrahtung 153 wie in 3D gezeigt ausgebildet wird, kann der Trennteil 109, der die Endteile der unteren Elektrodenschicht 103 und die Verdrahtung 153 bedeckt und einen Öffnungsteil über der Verdrahtung 153 aufweist, ausgebildet werden und kann die Hilfsverdrahtung 151 in dem Öffnungsteil in dem Trennteil 109 ausgebildet werden. Dabei wird für das Ätzen eines leitenden Films für die Hilfsverdrahtung 151 ein Verfahren gewählt, mit dem die Verdrahtung 153 nicht vollständig entfernt wird.
Durch die vorstehend erläuterten Schritte kann die Hilfsverdrahtung 111 ausgebildet werden.
Dann werden die EL-Schicht 105 und die obere Elektrodenschicht 107 ohne eine Metallmaske ausgebildet (5D).
Die EL-Schicht 105 kann durch ein Aufdampfungsverfahren ausgebildet werden. Dabei wird die EL-Schicht 105 physikalisch durch die Hilfsverdrahtung 111 geteilt. Ein Endteil der EL-Schicht 105 wird in einem Kontakt mit dem Trennteil 109 ausgebildet, und ein Teil der EL-Schicht 105 wird über der Hilfsverdrahtung 111 ausgebildet.
Die obere Elektrodenschicht 107 kann durch ein Aufdampfungsverfahren oder ein Kathodenzerstäubungsverfahren ausgebildet werden. Bei der Ausbildung der oberen Elektrodenschicht 107 ist es wichtig, dass die obere Elektrodenschicht 107 in einem Kontakt mit wenigstens einem Teil der Seitenfläche der Hilfsverdrahtung 111 ausgebildet wird. Damit die obere Elektrodenschicht 107 in einem Kontakt mit wenigstens einem Teil der Seitenfläche der Hilfsverdrahtung 111 ausgebildet wird, wird die obere Elektrodenschicht 107 zum Beispiel derart ausgebildet, dass die Distanz zwischen einer Verdampfungsquelle oder einem Kathodenzerstäubungsziel und dem Substrat 101 verkürzt wird. Wenn zum Beispiel ein Magnetron-Kathodenzerstäubungsverfahren verwendet wird, kann die Distanz zwischen einem Kathodenzerstäubungsziel und dem Substrat 101 auf größer oder gleich 5 mm und kleiner oder gleich 200 mm und vorzugsweise auf größer oder gleich 30 mm und kleiner oder gleich 150 mm gesetzt werden, wenn das Kathodenzerstäubungsziel an einer Position vorgesehen ist, wo das Kathodenzerstäubungsziel dem Substrat 101 zugewandt ist. Weiterhin wird als ein anderes Verfahren eine Filmausbildung derart durchgeführt, dass ein Kathodenzerstäubungsziel in einer Richtung parallel zu einer Oberfläche des Substrats 101 von der Position verschoben wird, wo das Kathodenzerstäubungsziel dem Substrat 101 zugewandt ist, oder dass eine Fläche eines Kathodenzerstäubungsziels zu der Oberfläche des Substrats 101 gekippt wird. Wenn ein Mirrortron-Kathodenzerstäubungsverfahren verwendet wird, kann ein Film in einem Kontakt mit einem Teil der Seitenfläche der Hilfsverdrahtung 111 ausgebildet werden.
Die auf diese Weise ausgebildete obere Elektrodenschicht 107 ist in Kontakt mit wenigstens einem Teil der Seitenfläche der Hilfsverdrahtung 111, sodass die obere Elektrodenschicht 107 elektrisch mit der Hilfsverdrahtung 111 verbunden ist. Dementsprechend kann ein Spannungsabfall aufgrund des Widerstands der oberen Elektrodenschicht 107 in der Lichtemission der Licht emittierenden Einrichtung 100 unterdrückt werden.
Die Trennschicht 115 kann ausgebildet werden, bevor die EL-Schicht 105 ausgebildet wird oder bevor die obere Elektrodenschicht 107 ausgebildet wird, wenn eine Vielzahl von Licht emittierenden Einrichtung 100 nebeneinander vorgesehen sind und die Trennschicht 115 vorgesehen wird, um die Licht emittierenden Einrichtungen 100 elektrisch zu isolieren.
Die Trennschicht 115 kann zum Beispiel wie folgt ausgebildet werden: ein negatives lichtempfindliches organisches Kunstharz wird ausgebildet, wobei dann eine Belichtung und Entwicklung durchgeführt werden. Dabei wird die Belichtung derart durchgeführt, dass die Intensität des in der Belichtung verwendeten Lichts in einem Bereich näher an dem Substrat in der Dickenrichtung geringer wird. Auf diese Weise kann die Trennschicht 115 eine umgekehrte sich verjüngende Form wie in 2 gezeigt aufweisen.
Es ist wichtig, dass die Trennschicht 115 eine Form aufweist, die gestattet, dass die Trennschicht 115 die obere Elektrodenschicht 107 bei der Ausbildung physikalisch teilt. Zum Beispiel steht im Vergleich zu der Form der Hilfsverdrahtung 111 ein oberer Teil der Trennschicht 115 weiter in einer Richtung parallel zu dem Substrat vor oder krümmt sich die Trennschicht 115 weiter nach innen, sodass während der Ausbildung zumindest verhindert werden kann, dass die obere Elektrodenschicht 107 an der Seitenfläche der Trennschicht 115 ausgebildet wird.
Die Trennschicht 115 kann eine einzelne Schicht wie oben beschrieben sein oder kann eine Mehrfachschicht mit zwei oder mehr Schichten sein. Im Fall einer Mehrfachschicht kann die Trennschicht 115 unter Verwendung eines isolierenden organischen Materials und eines isolierenden anorganischen Materials in einer Kombination ausgebildet werden.
Danach wird ein die obere Elektrodenschicht 107 bedeckender Dichtungsfilm ausgebildet. Durch den Dichtungsfilm kann das Eindringen einer Verunreinigung wie etwa Wasser von außen unterdrückt werden, sodass eine sehr zuverlässige Licht emittierende Einrichtung 100 vorgesehen werden kann.
Durch die oben genannten Schritte kann die Licht emittierende Einrichtung 100 hergestellt werden. Durch das oben genannte Herstellungsverfahren kann die Licht emittierende Einrichtung 100 ohne eine Metallmaske ausgebildet werden, sodass ein durch einen Kontakt zwischen einer Metallmaske und einem Substrat verursachtes Problem nicht auftritt und eine sehr zuverlässige Licht emittierende Einrichtung vorgesehen werden kann.
Diese Ausführungsform kann mit beliebigen anderen der hier beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden.
(Ausführungsform 3)
In dieser Ausführungsform wird ein Beispiel, in dem die in einer der vorstehenden Ausführungsformen beschriebene Hilfsverdrahtung in einer Anzeigevorrichtung mit einer Vielzahl von Bildpunktteilen verwendet wird, mit Bezug auf 7A und 7B beschrieben.
7A ist eine schematische Draufsicht auf eine Anzeigevorrichtung 200 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Die Anzeigevorrichtung 200 umfasst eine Vielzahl von zyklisch angeordneten Bildpunktteilen 201 und eine die Bildpunktteile umgebende Hilfsverdrahtung 211. Der Einfachheit sind nur eine untere Elektrodenschicht 203, ein Licht emittierender Bereich über der unteren Elektrodenschicht 203, der durch eine Strichlinie umgeben ist, und ein durch einen gestrichelten Kreis umgebener Kontaktbereich in dem Bildpunktteil von 7A gezeigt.
7B ist eine schematische Querschnittansicht entlang der Linie D-D' und der Linie E-E' in 7A. Der Querschnitt entlang der Linie D-D' ist eine schematische Querschnittansicht eines Bereichs einschließlich des Kontaktbereichs und eines Transistors 220 in dem Bildpunktteil 201. Der Querschnitt entlang der Linie E-E' ist eine schematische Querschnittansicht eines Bereichs, der zwei benachbarte Bildpunktteile 201 und die Hilfsverdrahtung 211 zwischen den Bildpunktteilen 201 umfasst.
Der Bildpunktteil 201 umfasst wenigstens einen Transistor (den Transistor 220). Der Bildpunktteil 201 umfasst weiterhin die untere Elektrodenschicht 203, die mit dem Transistor 220 über den Kontaktbereich verbunden ist, eine EL-Schicht 205 und eine obere Elektrodenschicht 207. Weiterhin ist ein Trennteil 209 vorgesehen, der einen Endteil der unteren Elektrodenschicht 203 und den Kontaktbereich bedeckt.
Es ist zu beachten, dass vorzugsweise ein Dichtungsfilm ausgebildet wird, der wenigstens den Bildpunktteil 201 bedeckt.
Der Transistor 220 ist über dem Substrat 101 mit einem dazwischen angeordneten Basisfilm 221 versehen und umfasst eine Halbleiterschicht 223 und eine Gate-Elektrode 225. Weiterhin ist eine erste Elektrode 227 mit einer Source oder einem Drain in der Halbleiterschicht 223 über ein Kontaktloch in einer den Transistor 220 bedeckenden ersten Isolationsschicht 231 verbunden, und ist eine zweite Elektrode 229 entsprechend mit dem Drain oder der Source über ein anderes Kontaktloch in der den Transistor 220 bedeckenden ersten Isolationsschicht 231 verbunden.
Weiterhin ist die erste Elektrode 227 mit der unteren Elektrodenschicht 203 über einen Kontaktbereich in einer den Transistor 220, die erste Elektrode 227, die zweite Elektrode 229 und die erste Isolationsschicht 231 bedeckenden zweiten Isolationsschicht 223 verbunden. Dementsprechend ist der Transistor 220 mit der unteren Elektrodenschicht 203 verbunden.
Eine zu der unteren Elektrodenschicht 203 zugeführte Spannung oder ein zu derselben zugeführter Strom wird durch eine Schaltoperation des Transistors 220 gesteuert, sodass die Lichtemission von dem Bildpunktteil 201 gesteuert wird.
Die Hilfsverdrahtung 211 ist über dem Endteile der unteren Elektrodenschichten 203 der zwei benachbarten Bildpunktteile 201 bedeckenden Trennteil 209 ausgebildet, wobei wenigstens ein Teil einer Seitenfläche der Hilfsverdrahtung 211 in Kontakt mit der oberen Elektrodenschicht 207 ist. Dementsprechend sind die oberen Elektrodenschichten 207 in der Vielzahl von Bildpunktteilen 201 elektrisch miteinander über die Hilfsverdrahtung 211 verbunden.
Es können verschiedene Modi der in der vorstehenden Ausführungsform beschriebenen Hilfsverdrahtungen für die Hilfsverdrahtung 211 verwendet werden. Die Hilfsverdrahtung 211 kann über einer Verdrahtung ausgebildet werden.
Es ist zu beachten, dass der Bildpunktteil 201 wenigstens einen Transistor enthält und eine Vielzahl von Transistoren und ein Schaltungselement wie etwa einen Kondensator jede nach dem Treiberverfahren, dem Schaltungsaufbau oder ähnlichem der Anzeigevorrichtung 200 enthalten kann.
Der Bildpunktteil 201 kann von einem oben emittierenden Typ, von einem unten emittierenden Typ oder von einem dual emittierenden Typ sein, wobei jedoch ein oben emittierender Typ zu bevorzugen ist, weil das Öffnungsverhältnis in einem Licht emittierenden Bereich vergrößert werden kann. Bei einem unten emittierenden Typ oder einem dual emittierenden Typ wird ein lichtdurchlässiges Material als ein in dem Transistor 220 (z. B. in der Halbleiterschicht 223, der Gate-Elektrode 225, der ersten Elektrode 227 oder der zweiten Elektrode 229) enthaltenes Material verwendet, wodurch die Lichtemission effizient erhalten werden kann, was vorteilhaft ist.
Vorzugsweise ist die Farbe des von jedem der Bildpunktteile 201 emittierten Lichts gleich, wobei es sich vorzugsweise um weißes Licht handelt und das Licht durch mit den Bildpunktteilen 201 überlappende Filter extrahiert werden kann. Das Farbfilter kann über dem Substrat 101 oder über einem Gegensubstrat ausgebildet sein. Wenn die Farbe des von jedem der Bildpunktteile 201 emittierten Lichts gleich ist, müssen die EL-Schichten 205 in den Bildpunktteilen 201 nicht separat ausgebildet werden und können in einem Schritt ohne eine Metallmaske ausgebildet werden.
Bei einem oben emittierenden Typ kann ein Lichtpfadlängen-Einstellungsfilm über der unteren Elektrodenschicht 203 ausgebildet werden, sodass das von der EL-Schicht 205 emittierte Licht und das durch die untere Elektrodenschicht 203 reflektierte Licht einander stören und ein Licht mit einer spezifischen Wellenlänge verstärkt wird. Als der Lichtpfadlängen-Einstellungsfilm wird vorzugsweise ein lichtdurchlässiger Film verwendet, der die Injektion von Trägern in die EL-Schicht 205 nicht beeinflusst.
Es ist zu beachten, dass die Hilfsverdrahtung 211 einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung als eine gemeinsame Verdrahtung um die Anzeigevorrichtung 200 herum verwendet werden kann. Ein an der oberen Elektrodenschicht 207 anzulegendes Potential wird zu der gemeinsamen Verdrahtung geführt. Wenn die Hilfsverdrahtung 211 zum Beispiel als eine gemeinsame Verdrahtung verwendet wird, kann die Hilfsverdrahtung 211 direkt über einem Treiberschaltungsteil zum Steuern der Lichtemission der Vielzahl von Bildpunktteilen 201, der mit der Anzeigevorrichtung 200 verbunden ist, vorgesehen werden. Wenn die als eine gemeinsame Verdrahtung verwendete Hilfsverdrahtung 211 direkt über dem Treiberschaltungsteil vorgesehen ist, kann die Fläche eines Kontaktteils zwischen dem Treiberschaltungsteil und der Anzeigevorrichtung 200 reduziert werden, was vorteilhaft ist.
Wie oben beschrieben, wird eine Hilfsverdrahtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in einer Anzeigevorrichtung verwendet, wodurch ein Potentialabfall aufgrund des Widerstands einer oberen Elektrode unterdrückt werden kann und eine sehr zuverlässige Anzeigevorrichtung vorgesehen werden kann. Weiterhin können eine EL-Schicht und eine obere Elektrode ohne eine Metallmaske ausgebildet werden, sodass ein durch einen Kontakt zwischen einer Metallmaske und einem Substrat verursachtes Problem nicht auftritt. Auf diese Weise kann eine sehr zuverlässige Anzeigevorrichtung vorgesehen werden.
Diese Ausführungsform kann mit beliebigen anderen der hier beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden.
(Ausführungsform 4)
In dieser Ausführungsform wird ein Beispiel einer Beleuchtungsvorrichtung des oben emittierenden Typs, in der die Licht emittierende Einrichtung der Ausführungsform 1 verwendet wird, mit Bezug auf 8A und 8B beschrieben.
In einer in 8A gezeigten Beleuchtungsvorrichtung 300 sind eine Vielzahl von Licht emittierenden Einrichtungen 303 auf einem ersten Substrat 301a ausgebildet. Das erste Substrat 301a und ein demselben zugewandtes zweites Substrat 301b mit einer lichtdurchlässigen Eigenschaft sind aneinander befestigt, wobei ein Dichtungsmittel 305a zum Bedecken der Licht emittierenden Einrichtungen 303 und ein Dichtungsmittel 305b an einem Endteil der Substrate vorgesehen sind.
Eine beliebige der oben in der Ausführungsform 1 beschriebenen Licht emittierenden Einrichtungen kann als die Licht emittierende Einrichtung 303 verwendet werden.
Vorzugsweise wird ein Substrat mit einer hohen thermischen Leitfähigkeit wie etwa ein Metallsubstrat als das erste Substrat 301a verwendet. Im Fall einer großen Beleuchtungsvorrichtung einschließlich eines EL-Elements kann die Wärme von dem EL-Element unter Umständen zu einem Problem werden, sodass die Wärmeableitung vorzugsweise durch die Verwendung eines Substrats mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit erhöht wird. Wenn zum Beispiel ein Substrat aus Aluminiumoxid, Duraluminium oder ähnlichem anstelle eines Substrats aus Edelstahl verwendet wird, können ein leichtes Gewicht und eine hohe Wärmeableitung erzielt werden. Wenn ein Stapel aus Aluminium und Aluminiumoxid, ein Stapel aus Duraluminium und Aluminiumoxid, ein Stapel aus Duraluminium und Magnesiumoxid oder ähnliches verwendet wird, kann die Oberfläche des Substrats eine isolierende Eigenschaft aufweisen, was vorteilhaft ist.
Ein lichtdurchlässiges Substrat wird als das zweite Substrat 301b verwendet. Ungleichmäßige Strukturen können auf einer das von der Licht emittierenden Einrichtung 303 emittierte Licht kreuzenden Oberfläche wie etwa der Oberfläche der Licht emittierenden Einrichtung 303 oder auf den oberen und unteren Oberflächen des zweiten Substrats 301b vorgesehen sein, um eine totale Reflexion zu verhindern. Zum Beispiel kann eine halbkugelförmige Linse, eine Mikrolinsenanordnung, ein Film mit einer ungleichmäßigen Struktur, ein Lichtstreufilm oder ähnliches angebracht sein oder kann eine ungleichmäßige Struktur direkt ausgebildet werden.
Als Dichtungsmittel 305a und 305b kann ein Material verwendet werden, mit dem die einander zugewandten Flächen aneinander befestigt werden können. Zum Beispiel kann ein bekanntes Dichtungsmittel aus einem unter Wärme aushärtenden Material, einem unter ultravioletten Strahlen aushärtenden Material oder ähnlichem verwendet werden. Insbesondere wird vorzugsweise ein lichtdurchlässiges Material für das Dichtungsmittel 305a verwendet. Das hierfür verwendete Material ist vorzugsweise ein Material, das möglichst keine Feuchtigkeit und keinen Sauerstoff durchlässt. Außerdem kann auch ein Dichtungsmittel verwendet werden, das ein Dehydrierungsmittel enthält.
In einer in 8B gezeigten Beleuchtungsvorrichtung 320 ist ein Aufbau, in dem eine Vielzahl von auf einer ersten Glasschicht 307a ausgebildeten Licht emittierenden Einrichtungen 303 durch eine zweite Glasschicht 307b abgedichtet sind, durch das erste Substrat 301a und das zweite Substrat 301b umgeben.
Die erste Glasschicht 307a und die zweite Glasschicht 307b werden durch das Dichtungsmittel 305a aneinander befestigt. Das erste Substrat 301a und das zweite Substrat 301b werden durch das Dichtungsmittel 305b aneinander befestigt.
Weiterhin kann ein Raum zwischen der ersten Glasschicht 307a und der zweiten Glasschicht 307b durch einen Füller wie etwa ein Edelgas (z. B. Stickstoff oder Argon) oder durch ein Dichtungsmittel mit einer lichtdurchlässigen Eigenschaft gefüllt werden.
Weil die Licht emittierenden Einrichtungen 303 zwischen zwei dünnen Glasschichten in der Beleuchtungsvorrichtung 320 gedichtet sind, kann das Eindringen von Verunreinigungen wie etwa Feuchtigkeit oder Sauerstoff von außen verhindert werden, sodass eine sehr zuverlässige Licht emittierende Einrichtung vorgesehen werden kann.
Weiterhin ist jede der Beleuchtungsvorrichtungen 300 und 320 auf dem ersten Substrat 301a mit einem Wandler 309 versehen, der mit den Licht emittierenden Einrichtungen 303 verbunden ist. Der Wandler 309 wandelt zum Beispiel eine Haushalts-Stromversorgungsspannung zu einer Stromversorgungsspannung zum Betreiben der Beleuchtungsvorrichtung. Es ist zu beachten, dass der Wandler 309 weiter innen als das Dichtungsmittel 305b ausgebildet sein kann
Weiterhin wird ein flexibles Material wie etwa ein organisches Kunstharz, ein dünnes Glasssubstrat oder ein Metalldünnfilm als ein Material für die Substrate in den Beleuchtungsvorrichtungen 300 und 320 verwendet, sodass die Beleuchtungsvorrichtung leicht und flexibel sein kann.
Es ist zu beachten, dass in dieser Ausführungsform eine Beleuchtungsvorrichtung des oben emittierenden Typs beschrieben wurde. Im Fall einer Beleuchtungsvorrichtung des unten emittierenden Typs ist zum Beispiel ein Substrat, für das eine Licht emittierende Einrichtung vorgesehen wird, vorzugsweise ein lichtdurchlässiges Substrat.
Diese Ausführungsform kann mit beliebigen anderen der hier beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden.
(Ausführungsform 5)
In dieser Ausführungsform wird ein Beispiel einer EL-Schicht, die auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angewendet werden kann, mit Bezug auf 9A bis 9C beschrieben.
Wie in 9A gezeigt, ist eine EL-Schicht 105 zwischen einer ersten Elektrode 103 und einer zweiten Elektrode 107 vorgesehen. Die erste Elektrode 103 und die zweite Elektrode 107 können ähnliche Aufbauten wie in den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen aufweisen.
Die EL-Schicht 105 umfasst wenigstens eine Licht emittierende Schicht, die eine Licht emittierende organische Verbindung enthält. Außerdem kann die EL-Schicht 105 einen Stapelschichtaufbau aufweisen, in dem eine Schicht mit einer darin enthaltenen Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft, eine Schicht mit einer darin enthaltenen Substanz mit einer hohen Lochtransporteigenschaft, eine Schicht mit einer darin enthaltenen Substanz mit einer hohen Elektroneninjektionseigenschaft, eine Schicht mit einer darin enthaltenen Substanz mit einer hohen Lochinjektionseigenschaft, eine Schicht mit einer darin enthaltenen bipolaren Substanz (einer Substanz, die sowohl eine hohe Elektronentransporteigenschaft als auch eine hohe Lochtransporteigenschaft aufweist) und ähnliches in geeigneter Weise kombiniert sein können. In dieser Ausführungsform sind in der EL-Schicht 105 eine Lochinjektionsschicht 701, eine Lochtransportschicht 702, eine Schicht 703 mit einer darin enthaltenen Licht emittierenden organischen Verbindung, eine Elektronentransportschicht 704 und eine Elektroneninjektionsschicht 705 in dieser Reihenfolge von der Seite der ersten Elektrode 103 ausgehend gestapelt. Es ist zu beachten, dass die Stapelreihenfolge aber auch umgekehrt sein kann.
Im Folgenden wird ein Herstellungsverfahren für das Licht emittierende Element von 9A beschrieben.
Die Lochinjektionsschicht 701 ist eine Schicht, die eine Substanz mit einer hohen Lochinjektionseigenschaft enthält. Als die Substanz mit einer hohen Lochinjektionseigenschaft können zum Beispiel Metalloxide wie etwa Molybdänoxid, Titanoxid, Vanadiumoxid, Rheniumoxid, Rutheniumoxid, Chromoxid, Zirkoniumoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid, Silberoxid, Wolframoxid und Manganoxid verwendet werden. Es kann eine Phthalocyanin-basierte Verbindung wie etwa Phthalocyanin (Abkürzung: H₂Pc) oder Kupfer(II)phthalocyanin (Abkürzung: CuPc) verwendet werden.
Es kann eine der folgenden aromatischen Aminverbindungen, die niedermolekulare organische Verbindungen sind, verwendet werden: 4,4',4''-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamin (Abkürzung TDATA), 4,4',4''-Tris[N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]triphenylamin (Abkürzung MTDATA), 4,4'-Bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: DPAB), 4,4'-Bis[N-{4-[N'-(3-methylphenyl)-N'-phenylamino]phenyl]-N-phenylamino)biphenyl (Abkürzung DNTPD), 1,3,5-Tris[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino)benzen (Abkürzung: DPA3B), 3-[N-(9-Phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCA1), 3,6-Bis[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCA2) und 3-[N-(1-Nahpthyl)-N-(9-phenylcarbazol-3-yl)amino]-9-phenylcarbazol (Abkürzung: PCzPCN1).
Es können beliebige hochmolekulare Verbindungen (z. B. Oligomere, Dendrimere oder Polymere) verwendet werden. Beispiele für die hochmolekularen Verbindungen sind: Poly(N-vinylcarbazol) (Abkürzung: PVK), Poly(4-vinyltriphenylamin) (Abkürzung: PVTPA), Poly[N-(4-{N'-[4-(4-diphenylamino)phenyl]phenyl-N'-phenylamino}phenyl)methacrylamid] (Abkürzung: PTPDMA), Poly[N,N'-Bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidin] (Abkürzung: Poly-TPD) und ähnliches. Es kann auch eine hochmolekulare Verbindung, zu der eine Säure wie etwa Poly(3,4-ethylendioxythiopen)/Poly(styrenschwefelsäure) (PEDOT/PSS) oder Polyanilin/Poly(styrenschwefelsäure) (PAni/PSS) hinzugesetzt wird, verwendet werden.
Insbesondere wird vorzugsweise ein Verbundmaterial, in dem eine Akzeptorsubstanz mit einer organischen Verbindung mit einer hohen Lochtransporteigenschaft gemischt ist, für die Lochinjektionsschicht 701 verwendet. Durch die Verwendung des Verbundmaterials, in dem eine Akzeptorsubstanz mit einer Substanz mit einer hohen Lochtransporteigenschaft gemischt ist, kann eine hervorragende Lochinjektion von der ersten Elektrode 103 erzielt werden, was eine Reduktion der Treiberspannung des Licht emittierenden Elements zur Folge hat. Ein derartiges Verbundmaterial kann durch die Coverdampfung einer Substanz mit einer hohen Lochtransporteigenschaft und einer Akzeptorsubstanz erzeugt werden. Die Lochinjektionsschicht 701 wird unter Verwendung des Verbundmaterials ausgebildet, wodurch eine Lochinjektion von der ersten Elektrode 103 zu der EL-Schicht 105 veranlasst wird.
Als die organische Verbindung für das Verbundmaterial kann eine beliebige von verschiedenen Verbindungen wie etwa aromatischen Aminverbindungen, Carbazolderivaten, aromatischen Kohlenwasserstoffen und hochmolekularen Verbindungen (z. B. Oligomeren, Dendrimeren und Polymeren) verwendet werden. Die für das Verbundmaterial verwendete organische Verbindung ist vorzugsweise eine organische Verbindung mit einer hohen Lochtransporteigenschaft. Insbesondere wird vorzugsweise eine Substanz mit einer Lochmobilität von 10^–6 cm²/Vs oder mehr verwendet. Es ist zu beachten, dass auch andere Substanzen verwendet werden können, solange deren Lochtransporteigenschaft höher ist als deren Elektronentransporteigenschaft. Spezifische Beispiele der organischen Verbindungen, die für das Verbundmaterial verwendet werden können, werden im Folgenden gegeben.
Beispiele für die organische Verbindung, die für das Verbundmaterial verwendet werden kann, umfassen aromatische Aminverbindungen wie etwa TDATA, MTDATA, DPAB, DNTPD, DPA3B, PCzPCA1, PCzPCA2, PCzPCN1, 4,4'-Bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: NPB oder α-NPD), N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]4,4'-diamin (Abkürzung: TPD) und 4-Phenyl-4'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamin (Abkürzung: BPAFLP) und Carbazolderivate wie etwa 4,4'-Di(N-carbazolyl)biphenyl (Abkürzung: CBP), 1,3,5-Tris[4-(N-carbazolyl)phenyl]benzen (Abkürzung: TCPB), 9-[4-(10-Phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazol (Abkürzung: CzPA), 9-Phenyl-3-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazol (Abkürzung: PCzPa) und 1,4-Bis[4-(N-carbazolyl)phenyl]-2,3,5,6-tetraphenylbenzen.
Es kann auch eine der folgenden aromatischen Kohlenwasserstoffverbindungen verwendet werden: 2-tert-Butyl-9,10-Di(2-naphthyl)anthracen (Abkürzung: t-BuDNA), 2-tert-Butyl-9,10-Di(1-naphthyl)anthracen, 9,10-Bis(3,5-diphenylphenyl)anthracen (Abkürzung: DPPA), 2-tert-Butyl-9,10-bis(4-phenylphenyl)anthracen (Abkürzung: t-BuDBA), 9,10-Di(2-naphthyl)anthracen (Abkürzung: DNA), 9,10-Diphenylanthracen (Abkürzung: DPAnth), 2-tert-Butylanthracen (Abkürzung: t-BuAnth), 9,10-Bis(4-methyl-1-naphthyl)anthracen (Abkürzung: DMNA), 9,10-Bis[2-(1-naphthyl)phenyl]-2-tert-butylanthracen, 9,10-Bis[2-(1-naphthyl)phenyl]anthracen, 2,3,6,7-Tetramethyl-9,10-di(1-naphthyl)anthracen und ähnliches.
Es kann auch eine der folgenden aromatischen Kohlenwasserstoffverbindungen verwendet werden: 2,3,6,7-Tetramethyl-9,10-Di(2-naphthyl)antracen, 9,9'-Bianthryl, 10,10'-Diphenyl-9,9'-bianthryl, 10,10'-Bis(2-phenylphenyl)-9,9'-bianthryl, 10,10'-Bis[(2,3,4,5,6-pentaphenyl)phenyl]-9,9'-bianthryl, Anthracen, Tetracen, Rubren, Perylen, 2,5,8,11-Tetra(tert-butyl)perylen, Pentacen, Coronen, 4,4'-Bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl (Abkürzung: DPVBi), 9,10-Bis[4-(2,2-diphenylvinyl)phenyl]anthracen (Abkürzung: DPVPA) und ähnliches.
Beispiele für den Elektronenakzeptor sind organische Verbindungen wie etwa 7,7,8,8-Tetracyano-2,3,5,6-Tetrafluorochinodimethan (Abkürzung: F₄-TCNQ) und Chloranil sowie Übergangsmetalloxide. Andere Beispiele umfassen Oxide von Metallen, die zu den Gruppen 4 bis 8 des Periodensystems gehören. Insbesondere sind Vanadiumoxid, Nioboxid, Tantaloxid, Chromoxid, Molybdänoxid, Wolframxoid, Manganoxid und Rheniumoxid wegen ihrer hohen Elektronenakzeptanzeigenschaft zu bevorzugen. Unter diesen ist insbesondere Molybdänoxid zu bevorzugen, weil es in der Luft stabil ist, eine geringe hygroskopische Eigenschaft aufweist und einfach zu handhaben ist.
Es ist zu beachten, dass das Verbundmaterial unter Verwendung eines beliebigen der oben genannten Elektronenakzeptoren ausgebildet werden kann und eine beliebige der oben genannten hochmolekularen Verbindungen wie etwa PVK, PVTPA, PTPDMA oder Poly-TPD für die Lochinjektionsschicht 701 verwendet werden kann.
Die Lochtransporteigenschaft 702 ist eine Schicht, die eine Substanz mit einer hohen Lochtransporteigenschaft enthält. Als die Substanz mit einer hohen Lochtransporteigenschaft kann eine beliebige der folgenden aromatischen Aminverbindungen verwendet werden: NPB, TPD, BPAFLP, 4,4'-Bis[N-(9,9-dimethylfluoren-2-yl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: DFLDPBi) und 4,4'-Bis[N-(spiro-9,9'-bifluoren-2-yl)-N-phenylamino]biphenyl (Abkürzung: BSPB). Die hier angegebenen Substanzen sind vor allem solche, die eine Lochmobilität von 10^–6 cm²/Vs oder mehr aufweisen. Es ist zu beachten, dass auch andere Substanzen verwendet werden können, solange deren Lochtransporteigenschaft höher ist als deren Elektronentransporteigenschaft. Es ist zu beachten, dass die Schicht mit einer darin enthaltenen Substanz mit einer Lochtransporteigenschaft nicht auf eine einzelne Schicht beschränkt ist und auch ein Stapel aus zwei oder mehr Schichten sein kann, die beliebige der oben genannten Substanzen enthalten.
Es kann auch ein Carbazolderivat wie etwa CBP, CzPa oder PCzPa oder ein Anthracenderivat wie etwa t-BuDNA, DNA oder DPAnth für die Lochtransportschicht 702 verwendet werden.
Es kann auch eine hochmolekulare Verbindung wie etwa PVK, PVTPA, PTPDMA oder Poly-TPD für die Lochtransportschicht 702 verwendet werden.
Für die Schicht 703, die eine Licht emittierende organische Verbindung enthält, kann eine fluoreszierende Verbindung oder eine phosphoreszierende Verbindung verwendet werden.
Als die fluoreszierende Verbindung für die Schicht 703 mit einer Licht emittierenden organischen Verbindung können ein Material für die Emission eines blauen Lichts, ein Material für die Emission eines grünen Lichts, ein Material für die Emission eines gelben Lichts und ein Material für die Emission eines roten Lichts verwendet werden. Beispiele für das Material für die Emission eines blauen Lichts sind N,N'-Bis[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-N,N'-diphenylstilben-4-4'-diamin (Abkürzung: YGA2S), 4-(9H-Carbazol-9-yl)-4'-(10-phenyl-9-anthryl)triphenylamin (Abkürzung: YGAPA) und 4-(10-Phenyl-9-anthryl)-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamin (Abkürzung: PCBAPA). Beispiele für das Material für die Emission eines grünen Lichts sind N-(9,10-diphenyl-2-anthryl)-N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amin (Abkürzung: 2PCAPA), N-[9,10-Bis(1,1'-biphenyl-2-yl)-2-anthryl]-N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amin (Abkürzung: 2PCABPhA), N-(9,10-Diphenyl-2-anthryl)-N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylendiamin (Abkürzung: 2DPAPA), N-[9,10-Bis(1,1'-biphenyl-2-yl)-2-anthryl]-N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylendiamin (Abkürzung: 2DPABPhA), N-[9,10-Bis(1,1'-biphenyl-2-yl)]-N-[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-N-phenylanthracen-2-amin (Abkürzung: 2YGABPhA) und N,N,9-Triphenylanthracen-9-amin (Abkürzung: DPhAPhA). Beispiele für das Material für die Emission eines gelben Lichts sind Rubren und 5,12-Bis(1,1'-biphenyl-4-yl)-6,11-diphenyltetracen (Abkürzung: BPT). Beispiele für das Material für die Emission eines roten Lichts sind N,N,N',N'-Tetrakis(4-methylphenyl)tetracen-5,11-diamin (Abkürzung: p-mPhTD) und 7,14-Phenyl-N,N,N',N'-tetrakis(4-methylphenyl)acenaphthol[1,2-α]fluoranthen-3,10-diamin (Abkürzung: p-mPhAFD).
Als die phosphoreszierende Verbindung für die Schicht 703 mit einer Licht emittierenden organischen Verbindung können ein Material für die Emission eines blauen Lichts, ein Material für die Emission eines grünen Lichts, ein Material für die Emission eines gelben Lichts, ein Material für die Emission eines orangen Lichts und ein Material für die Emission eines roten Lichts verwendet werden. Beispiele für das Material für die Emission eines blauen Lichts sind Bis[2-(4',6'-difluorphenyl)pyridinato-N,C^2']iridium(III)tetrakis(1-pyrazolyl)borat (Abkürzung: FIr6), Bis [2-(4',6'-difluorphenyl)pyridinato-N,C^2']iridium(III)picolinat (Abkürzung: FIrpic), Bis{2-[3',5'-Bis(trifluormethyl)phenyl]pyridinato-N,C^2'}iridium(III)picolinat (Abkürzung: Ir(CF₃ppy)₂(pic)) und Bis[2-(4',6'-difluorphenyl)pyridinato-N,C^2']iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: FIr(acac)). Beispiele für das Material für die Emission eines grünen Lichts sind Tris(2-phenylpyridinato-N,C^2')iridium(III) (Abkürzung: Ir(ppy)₃), Bis(2-phenylpyridinato-N,C^2')iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(ppy)₂(acac)), Bis(1,2-diphenyl-1H-benzimidazolato)iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(pbi)₂(acac)), Bis(benzo[h]chinolinato)iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(bzq)₂(acac)) und Tris(benzo[h]chinolinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(bzq)₃). Beispiele für das Material für die Emission eines gelben Lichts sind Bis(2,4-diphenyl-1,3-oxazolato-N,C^2')iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(dpo)₂(acac)), Bis{2-[4'-(perfluorphenylphenyl)]pyridinato-N,C^2'}iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(p-PF-ph)₂(acac)), Bis(2-phenylbenzothiazolato-N,C^2')iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(bt)₂(acac)), (Acetylacetonato)bis[2,3-bis(4-fluorphenyl)-5-methylpyrazinato]iridium(III) (Abkürzung: Ir(Fdppr-Me)₂(acac)), und (Acetylacetonato)bis{2-(4-methoxyphenyl)-3,5-dimethylpyrazinato}iridium(III) (Abkürzung: Ir(dmmoppr)₂(acac)). Beispiele für das Material für die Emission eines orangen Lichts sind Tris(2-phenylchinolinato-N,C^2')iridium(III) (Abkürzung: Ir(pq)₃), Bis(2-phenylchinolinato-N,C²)iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(pq)₂(acac)), (Acetylacetonato)bis(3,5-dimethyl-2-phenylpyrazinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(mppr-Me)₂(acac)) und (Acetylacetonato)bis(5-isopropyl-3-methyl-2-phenylpyrazinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(mppr-iPr)₂(acac)). Beispiele für das Material für die Emission eines roten Lichts sind organometallische Komplexe wie etwa Bis[2-(2'-benzo[4,5-α]thienyl)pyridinato-N,C^3']iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(btp)₂(acac)), Bis(1-phenylisochinolinato-N,C^2')iridium(III)acetylacetonat (Abkürzung: Ir(piq)₂(acac)), (Acetylacetonato)bis[2,3-bis(4-fluorphenyl)chinoxalinato]iridium(III) (Abkürzung: Ir(Fdpq)₂(acac)), (Acetylacetonato)bis(2,3,5-triphenylpyrazinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(tppr)₂(acac)), (Dipivaloylmethanato) bis (2,3,5-triphenylpyrazinato)iridium(III) (Abkürzung: Ir(tppr)₂(dpm)) und 2,3,7,8,12,13,17,18-Octaethyl-21H,23H-porphyrinplatin(II) (Abkürzung: PtOEP). Außerdem weisen Seltenerdmetallkomplexe wie etwa Tris(acetylacetonato)(monophenanthrolin)terbium(III) (Abkürzung: Tb(acac)₃(Phen)), Tris(1,3-diphenyl-1,3-propandionato)(monophenanthrolin)europium(III) (Abkürzung: Eu(DBM)₃(Phen)) und Tris[1-(2-thenoyl)-3,3,3-trifluoracetonato](monophenanthrolin)europium(III) (Abkürzung: Eu(TTA)₃(Phen)) eine Lichtemission von Seltenerdmetallionen (einen Elektronenübergang zwischen verschiedenen Multiplizitäten) auf, sodass sie als phosphoreszierende Verbindungen verwendet werden können.
Es ist zu beachten, dass die Schicht 703 mit einer darin enthaltenen Licht emittierenden organischen Verbindung einen Aufbau aufweisen kann, in dem eine beliebige der oben genannten Licht emittierenden organischen Verbindungen (ein Gastmaterial) in einer anderen Substanz (einem Wirtmaterial) dispergiert ist. Als ein Wirtmaterial können verschiedene Arten von Materialien verwendet werden, wobei vorzugsweise eine Substanz verwendet wird, die eine höhere niedrigste unbesetzte molekulare Orbitalebene (LUMO-Pegel) als das Licht emittierende Material und eine niedrigere höchste besetzte molekulare Orbitalebene (HOMO-Pegel) als das Licht emittierende Material aufweist.
Spezifische Beispiele für das Wirtmaterial sind Metallkomplexe wie etwa Tris(8-chinolinolato)aluminium(III) (Abkürzung: Alq), Tris(4-methyl-8-chinolinolato)aluminium(III) (Abkürzung: Almq₃), Bis(10-hydroxybenzo[h]chinolinato)beryllium(II) (Abkürzung: BeBq₂), Bis(2-methyl-8-chinolinolato)(4-phenylphenolato)aluminium(III) (Abkürzung: BAlq), Bis(8-chinolinolato)zink(II) (Abkürzung: ZnQ), Bis[2-(2-benzoxazolyl)phenolato]zink(II) (Abkürzung: ZnPBO) und Bis[2-(2-benzothiazolyl)phenolato]zink(II) (Abkürzung: ZnBTZ), heterocyclische Verbindungen wie etwa 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol (Abkürzung: PBD), 1,3-Bis[5-(tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]benzen (Abkürzung: OXD-7), 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-(4-tert-butylphenyl)-1,2,4-triazol (Abkürzung: TAZ), 2,2',2''-(1,3,5-Benzentriyl)tris(1-phenyl-1H-benzimidazol) (Abkürzung: TBPI), Bathophenanthrolin (Abkürzung: BPhen), und Bathocurproin (Abkürzung: BCP), verdichtete aromatische Verbindungen wie etwa 9-[4-(10-Phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazol (Abkürzung: CzPA), 3,6-Diphenyl-9-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazol (Abkürzung: DPCzPA), 9,10-Bis(3,5-diphenylphenyl)anthracen (Abkürzung: DPPA), 9,10-Di(2-naphthyl)anthracen (Abkürzung: DNA), 2-tert-Butyl-9,10-Di(2-naphthyl)anthracen (Abkürzung: t-BuDNA), 9,9'-Bianthryl (Abkürzung: BANT), 9,9'-(Stilben-3,3'-diyl)diphenanthren (Abkürzung: DPNS), 9,9'-(Stilben-4,4'-diyl)diphenanthren (Abkürzung: DPNS2), 3,3',3''-(Benzen-1,3,5-triyl)tripyren (Abkürzung: TPB3), 9,10-Diphenylanthracen (Abkürzung: DPAnth) und 6,12-Dimethoxy-5,11-diphenylchrysen sowie aromatische Aminverbindungen wie etwa N,N-Diphenyl-9-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]9H-carbazol-3-amin (Abkürzung: CzA1PA), 4-(10-Phenyl-9-anthryl)triphenylamin (Abkürzung: DPhPA), N,9-Diphenyl-N-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-Carbazol-3-Amin (Abkürzung: PCAPA), N,9-Diphenyl-N-{4-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]phenyl}-9H-carbazol-3-amin (Abkürzung: PCAPBA), N-(9,10-Diphenyl-2-anthryl)-N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amin (Abkürzung: 2PCAPA), NPB (oder α-NPD), TPD, DFLDPBi und BSPB.
Es können mehrere Arten von Materialien als das Wirtmaterial verwendet werden. Um zum Beispiel eine Kristallisation zu unterdrücken, kann eine Substanz wie etwa Rubren, das eine Kristallisation unterdrückt, zugesetzt werden. Außerdem können NPB, Alq oder ähnliches zugesetzt werden, um Energie effizient zu dem Gastmaterial zu übertragen.
Wenn ein Aufbau verwendet wird, in dem ein Gastmaterial in einem Wirtmaterial dispergiert ist, kann eine Kristallisation der Schicht 703 mit der darin enthaltenen Licht emittierenden organischen Verbindung unterdrückt werden. Außerdem kann eine Konzentrationslöschung aufgrund einer hohen Konzentration eines Gastmaterials unterdrückt werden.
Es kann eine hochmolekulare Verbindung für die Schicht 703 mit einer darin enthaltenen Licht emittierenden organischen Verbindung verwendet werden. Insbesondere können ein Material für die Emission eines blauen Lichts, ein Material für die Emission eines grünen Lichts und ein Material für die Emission eines orangen bis roten Lichts verwendet werden. Beispiele für das Material für die Emission eines blauen Lichts sind Poly(9,9-dioctylfluoren-2,7-diyl) (Abkürzung: PFO), Poly(9,9-dioctylfluoren-2,7-diyl-co-(2,5-dimethoxybenzen-1,4-diyl) (Abkürzung: PF-DMOP) und Poly{(9,9-dioctylfluoren-2,7-diyl)-co-[N,N'-di-(p-butylphenyl)-1,4-diaminobenzen]} (Abkürzung: TAB-PFH). Beispiele für das Material für die Emission eines grünen Lichts sind Poly(p-phenylenvinylen) (Abkürzung: PPV), Poly[(9,9-dihexylfluoren-2,7-diyl)-alt-co-(benzo[2,1,3]thiadiazol-4,7-diyl)] (Abkürzung: PFBT), und Poly[(9,9-dioctyl-2,7-divinylenfluorenylen)-alt-co-(2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1-4-phenylen)]. Beispiele für das Material für die Emission eines orangen bis roten Lichts sind Poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexoxy)-1-4-phenylenvinylen] (Abkürzung: MEH-PPV), Poly(3-butylthiophen-2,5-diyl) (Abkürzung: R4-PAT), Poly{[9,9-dihexyl-2,7-bis(1-cyanovinylen)fluorenylen]-alt-co-(2,5-bis(N,N'-diphenylamino)-1,4-phenylen)} und Poly{[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-bis(1-cyanovinylenphenylen)]-alt-co-12,5-bis(N,N'-diphenylamino)-1,4-phenylen]} (Abkürzung: CN-PPV-DPD).
Indem weiterhin eine Vielzahl von Schichten vorgesehen werden, die jeweils eine Licht emittierende organische Verbindung enthalten und die Emissionsfarben der Schichten unterschiedlich vorgesehen werden, kann eine Lichtemission mit einer gewünschten Farbe insgesamt von dem Licht emittierenden Element erhalten werden. Zum Beispiel werden in einem Licht emittierenden Element, das zwei Schichten mit jeweils darin enthaltenen Licht emittierenden organischen Verbindungen umfasst, die Emissionsfarbe einer ersten Schicht mit einer darin enthaltenen Licht emittierenden organischen Verbindung und die Emissionsfarbe einer zweiten Schicht mit einer darin enthaltenen Licht emittierenden organischen Verbindung komplementär vorgesehen, sodass das Licht emittierende Element insgesamt weißes Licht emittieren kann. Es ist zu beachten, dass hier unter „komplementär” eine Farbbeziehung zu verstehen ist, in der eine achromatische Farbe erhalten wird, wenn Farben gemischt werden. Wenn also aus den Substanzen emittiertes Licht mit komplementären Farben gemischt wird, kann eine Emission eines weißen Lichts erhalten werden. Dieses Prinzip kann auch auf ein Licht emittierendes Element angewendet werden, das drei oder mehr Schichten mit jeweils darin enthaltenen Licht emittierenden organischen Verbindungen umfasst.
Die Elektronentransportschicht 704 ist eine Schicht, die eine Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft enthält. Beispiele für die Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft sind Metallkomplexe mit einem Chinolinskelett oder einem Benzochinolinskelett wie zum Beispiel Tris(8-chinolinato)aluminium (Abkürzung Alq), Tris(4-methyl-8-chinolinato)aluminium (Abkürzung Almq₃), Bis(10-hydroxybenzo[h]chinolinato)beryllium (Abkürzung BeBq₂) und Bis(2-methyl-8-chinolinato)(4-phenylphenolato)aluminium (Abkürzung: BAlq). Andere Beispiele sind Metallkomplexe mit einem Oxazol-basierten oder Thiazol-basierten Ligand wie etwa Bis[2-(2-hydroxyphenyl)benzoxazolato]zink (Abkürzung: Zn(BOX)₂) und Bis[2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazolato]zink (Abkürzung Zn(BTZ)₂). Außerdem können 2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol (Abkürzung: PBD), 1,3-bis[5-(p-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]benzen (Abkürzung: OXD-7), 3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-(4-tert-butylphenyl)-1,2,4-triazol (Abkürzung: TAZ), Bathophenanthrolin (Abkürzung: BPhen), Bathocuproin (Abkürzung: BCP) oder ähnliches verwendet werden. Die hier genannten Substanzen sind vor allem solche, die eine Elektronenmobilität von 10^–6 cm²/Vs oder mehr aufweisen. Weiterhin ist die Elektronentransportschicht nicht auf eine einzelne Schicht begrenzt, wobei es sich um einen Stapel von zwei oder mehr Schichten handeln kann, die beliebige der oben genannten Substanzen enthalten.
Die Elektroneninjektionsschicht 705 ist eine Schicht, die eine Substanz mit einer hohen Elektroneninjektionseigenschaft enthält. Für die Elektroneninjektionsschicht 705 kann ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall oder eine Verbindung davon wie etwa Lithium, Cäsium, Calcium, Lithiumfluorid, Cäsiumfluorid, Calciumfluorid oder Lithiumoxid verwendet werden. Es kann auch eine Seltenerdmetallverbindung wie etwa Erbiumfluorid verwendet werden. Es kann auch eine beliebige der oben genannten Substanzen für das Ausbilden der Elektronentransportschicht 704 verwendet werden.
Es ist zu beachten, dass die Lochinjektionsschicht 701, die Lochtransportschicht 702, die Schicht 703 mit der darin enthaltenen Licht emittierenden organischen Verbindung, die Elektronentransportschicht 704 und die Elektroneninjektionsschicht 705 jeweils durch ein Verfahren wie etwa ein Aufdampfungsverfahren (z. B. ein Vakuumaufdampfungsverfahren), ein Tintenstrahlverfahren oder ein Beschichtungsverfahren ausgebildet werden können.
Es ist zu beachten, dass eine Vielzahl von EL-Schichten zwischen der ersten Elektrode 103 und der zweiten Elektrode 107 wie in 9B gezeigt gestapelt werden können. In diesem Fall wird vorzugsweise eine Ladungserzeugungsschicht 803 zwischen einer ersten EL-Schicht 800 und einer damit gestapelten zweiten EL-Schicht 801 vorgesehen. Die Ladungserzeugungsschicht 803 kann unter Verwendung des oben genannten Verbundmaterials ausgebildet werden. Weiterhin kann die Ladungserzeugungsschicht 803 einen gestapelten Aufbau aufweisen, der eine unter Verwendung des Verbundmaterials ausgebildete Schicht und eine unter Verwendung eines anderen Materials ausgebildete Schicht umfasst. In diesem Fall kann eine Schicht mit einer darin enthaltenen Substanz, die Elektronen spendenden Substanz und einer darin enthaltenen Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft, eine Schicht, die aus einem transparenten leitenden Film ausgebildet ist, oder ähnliches als die ein anderes Material enthaltende Schicht verwendet werden. Bei einem Licht emittierenden Element mit einem derartigen Aufbau treten kaum Probleme wie etwa eine Energieübertragung oder eine Löschung auf. Durch die erweiterte Auswahl der Materialien kann einfach ein Licht emittierendes Element erhalten werden, das sowohl eine hohe Emissionseffizienz als auch eine lange Lebensdauer aufweist. Außerdem kann einfach ein Licht emittierendes Element erhalten werden, das eine Phosphoreszenz aus einer EL-Schicht und eine Fluoreszenz aus einer anderen EL-Schicht vorsieht. Dieser Aufbau kann mit beliebigen der oben genannten Aufbauten der EL-Schicht kombiniert werden.
Und indem EL-Schichten ausgebildet werden, die Licht mit jeweils verschiedenen Farben emittieren, kann das Licht emittierende Element insgesamt eine Lichtemission in einer gewünschten Farbe vorsehen. Indem zum Beispiel ein Licht emittierendes Element mit zwei EL-Schichten ausgebildet wird, wobei die Emissionsfarbe einer ersten EL-Schicht und die Emissionsfarbe einer zweiten EL-Schicht komplementäre Farben sind, kann das Licht emittierende Element insgesamt eine weiße Lichtemission vorsehen. Es ist zu beachten, dass unter „komplementär” hier eine Farbbeziehung zu verstehen ist, in der eine achromatische Farbe erhalten wird, wenn Farben gemischt werden. Wenn also komplementär gefärbtes Licht von verschiedenen Substanzen gemischt wird, kann eine weiße Lichtemission erhalten werden. Dieses Prinzip kann auch auf ein Licht emittierendes Element mit drei oder mehr EL-Schichten angewendet werden.
Wie in 9C gezeigt, kann die EL-Schicht 105 die Lochinjektionsschicht 701, die Lochtransportschicht 702, die Schicht 703 mit der darin enthaltenen Licht emittierenden organischen Verbindung, die Elektronentransportschicht 704, eine Elektroneninjektions-Pufferschicht 706, eine Elektronenrelaisschicht 707, und eine Verbundmaterialschicht 708, die in Kontakt mit der zweiten Elektrode 107 ist, zwischen der ersten Elektrode 103 und der zweiten Elektrode 107 enthalten.
Vorzugsweise wird die Verbundmaterialschicht 708 in einem Kontakt mit der zweiten Elektrode 107 vorgesehen, weil dadurch eine Beschädigung der EL-Schicht 105 reduziert werden kann, insbesondere wenn die zweite Elektrode 107 durch ein Kathodenzerstäubungsverfahren ausgebildet wird. Die Verbundmaterialschicht 708 kann unter Verwendung des oben beschriebenen Verbundmaterials ausgebildet werden, in dem eine Akzeptorsubstanz mit einer organischen Verbindung mit einer hohen Lochtransporteigenschaft gemischt ist.
Indem weiterhin die Elektroneninjektions-Pufferschicht 706 vorgesehen wird, kann eine Injektionsgrenze zwischen der Verbundmaterialschicht 708 und der Elektronentransportschicht 704 reduziert werden, sodass in der Verbundmaterialschicht 708 erzeugte Elektronen einfach in die Elektronentransportschicht 704 injiziert werden können.
Eine Substanz mit einer hohen Elektroneninjektionseigenschaft kann für die Elektroneninjektions-Pufferschicht 706 verwendet werden, wobei zum Beispiel ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall, ein Seltenerdmetall oder eine Verbindung mit einem der vorstehend genannten Metalle (z. B. eine Alkalimetallverbindung (einschließlich eines Oxids wie etwa Lithiumoxid, eines Halogenids oder eines Carbonats wie etwa Lithiumcarbonat oder Cäsiumcarbonat), eine Erdalkalimetallverbindung (einschließlich eines Oxids, eines Halogenids oder eines Carbonats) oder eine Seltenerdmetallverbindung (einschließlich eines Oxids, eines Halogenids oder eines Carbonats)) verwendet werden kann.
Wenn die Elektroneninjektions-Pufferschicht 706 eine Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft und eine Donatorsubstanz enthält, wird die Donatorsubstanz vorzugsweise derart zugesetzt, dass das Massenverhältnis der Donatorsubstanz zu der Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft zwischen 0,001:1 und 0,1:1 beträgt. Es ist zu beachten, dass als Donatorsubstanz eine organische Verbindung wie etwa Tetrathianaphthacen (Abkürzung: TTN), Nickelocen oder Decamethylnickelocen sowie ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall, ein Seltenerdmetall und eine Verbindung mit einem der vorstehend genannten Metalle (z. B. eine Alkalimetallverbindung (einschließlich eines Oxids wie etwa Lithiumoxid, eines Halogenids oder eines Carbonats wie etwa Lithiumcarbonat oder Cäsiumcarbonat), eine Erdalkalimetallverbindung (einschließlich eines Oxids, eines Halogenids oder eines Carbonats) oder eine Seltenerdmetallverbindung (einschließlich eines Oxids, eines Halogenids oder eines Carbonats)) verwendet werden kann. Es ist zu beachten, dass als die Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft ein Material verwendet werden kann, das dem weiter oben beschriebenen Material für die Elektronentransportschicht 704 ähnlich ist.
Weiterhin wird die Elektronenrelaisschicht 707 vorzugsweise zwischen der Elektroneninjektions-Pufferschicht 706 und der Verbundmaterialschicht 708 ausgebildet. Die Elektronenrelaisschicht 707 muss nicht notwendigerweise vorgesehen werden, wobei jedoch durch das Vorsehen einer Elektronenrelaisschicht 707 mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft Elektronen schnell zu der Elektroneninjektions-Pufferschicht 706 transportiert werden können.
Der Aufbau, in dem die Elektronenrelaisschicht 707 zwischen der Verbundmaterialschicht 708 und der Elektroneninjektions-Pufferschicht 706 eingeschlossen ist, ist ein Aufbau, in dem die in der Verbundmaterialschicht 708 enthaltene Akzeptorsubstanz und die in der Elektroneninjektions-Pufferschicht 706 enthaltene Donatorsubstanz weniger wahrscheinlich miteinander interagieren, sodass ihre jeweiligen Funktionen einander nicht stören. Dadurch kann eine Erhöhung in der Treiberspannung verhindert werden.
Die Elektronenrelaisschicht 707 enthält eine Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft und ist derart ausgebildet, dass der LUMO-Pegel der Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft zwischen dem LUMO-Pegel der in der Verbundmaterialschicht 708 enthaltenen Akzeptorsubstanz und dem LUMO-Pegel der in der Elektronentransportschicht 704 enthaltenen Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft liegt. Wenn die Elektronenrelaisschicht 707 eine Donatorsubstanz enthält, wird der Donatorpegel der Donatorsubstanz derart gesteuert, dass er zwischen dem LUMO-Pegel der Akzeptorsubstanz in der Verbundmaterialschicht 708 und dem LUMO-Pegel der in der Elektronentransportschicht 704 enthaltenen Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft liegt. Als ein spezifischer Wert des Energiepegels ist der LUMO-Pegel der in der Elektronenrelaisschicht 707 enthaltenen Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft vorzugsweise höher als oder gleich –5,0 eV und noch besser höher als oder gleich –5,0 Ev und kleiner als oder gleich –3,0 eV.
Als die in der Elektronenrelaisschicht 707 enthaltene Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft wird vorzugsweise ein Phthalocyanin-basiertes Material oder ein Metallkomplex mit einer Metall-Sauerstoff-Bindung und einem aromatischen Ligand verwendet.
Als das Phthalocyanin-basierte Material in der Elektronenrelaisschicht 707 wird insbesondere vorzugsweise eines der Folgenden verwendet: CuPc, ein Phthalocyanin-Zinn(II)-Komplex (SnPc), ein Phthalocyanin-Zink-Komplex (ZnPc), eine Cobalt(II)-Phthalocyanin-β-Form (CoPc), Phthalocyanin-Eisen (FePc) und Vanadyl-2,9,16,23-tetraphenoxy-29H,31H-phthalocyanin (PhO-VOPc).
Als der Metallkomplex mit einer Metall-Sauerstoff-Bindung und einem aromatischen Ligand in der Elektronenrelaisschicht 707 wird vorzugsweise ein Metallkomplex mit einer Metall-Sauerstoff-Doppelbindung verwendet. Die Metall-Sauerstoff-Doppelbindung weist Akzeptoreigenschaften (Eigenschaften zum einfachen Annehmen von Elektronen) auf, sodass Elektronen einfacher übertragen (gespendet und angenommen) werden können. Weiterhin wird ein Metallkomplex mit einer Metall-Sauerstoff-Doppelbindung als stabil betrachtet. Die Verwendung des Metallkomplexes mit der Metall-Sauerstoff-Doppelbindung ermöglicht also, dass das Licht emittierende Element stabiler mit einer niedrigen Spannung getrieben wird.
Ein Phthalocyanin-basiertes Material ist als der Metallkomplex mit einer Metall-Sauerstoff-Bindung und einem aromatischen Ligand zu bevorzugen. Insbesondere ist Vanadylphthalocyanin (VOPc), ein Phthalocyanin-Zinn(IV)oxid-Komplex (SnOPc) oder ein Phthalocyanin-Titanoxid-Komplex (TiOPc) zu bevorzugen, weil eine Metall-Sauerstoff-Doppelbindung wahrscheinlicher auf anderen Molekülen hinsichtlich des Molekularaufbaus wirkt und eine hohe Akzeptoreigenschaft aufweist.
Es ist zu beachten, dass ein Phthalocyanin-basiertes Material mit einer Phenoxygruppe als ein Phthocyanin-basiertes Material zu bevorzugen ist. Insbesondere ist ein Phthalocyanin-Derivat mit einer Phenoxygruppe wie etwa PhO-VOPc zu bevorzugen. Das Phthalocyanin-Derivat mit einer Phenoxygruppe kann in einem Lösungsmittel gelöst werden, sodass das Phthalocyanin-Derivat den Vorteil aufweist, dass es einfach während der Ausbildung eines Licht emittierenden Elements gehandhabt werden kann, und weiterhin den Vorteil aufweist, dass die Wartung einer für die Auftragung verwendeten Vorrichtung vereinfacht wird.
Die Elektronenrelaisschicht 707 kann weiterhin eine Donatorsubstanz enthalten. Beispiele für die Donatorsubstanz sind organische Verbindungen wie etwa Tetrathianaphthacen (Abkürzung TTN), Nickelocen und Decamethylnickelocen zusätzlich zu einem Alkalimetall, einem Erdalkalimetall, einem Seltenerdmetall und einer Verbindung mit einem der vorstehend genannten Metalle (z. B. einer Alkalimetallverbindung (einschließlich eines Oxids wie etwa Lithiumoxid, eines Halogenids oder eines Carbonats wie etwa Lithiumcarbonat oder Cäsiumcarbonat), einer Erdalkalimetallverbindung (einschließlich eines Oxids, eines Halogenids oder eines Carbonats) und einer Seltenerdverbindung (einschließlich eines Oxids, eines Halogenids und eines Carbonats)). Wenn eine derartige Donatorsubstanz in der Elektronenrelaisschicht 707 enthalten ist, können Elektronen einfach übertragen werden und kann das Licht emittierende Element mit einer niedrigeren Spannung getrieben werden.
Wenn eine Donatorsubstanz in der Elektronenrelaisschicht 707 zusätzlich zu den oben beschriebenen Materialien enthalten ist, kann eine Substanz mit einem LUMO-Pegel, der höher als der Akzeptorpegel der Akzeptorsubstanz in der Verbundmaterialschicht 708 ist, als die Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft verwendet werden. Insbesondere wird vorzugsweise eine Substanz mit einem LUMO-Pegel von größer als oder gleich –5,0 eV und noch besser von größer als oder gleich –5,0 eV und kleiner als oder gleich –3,0 eV verwendet. Beispiele für eine derartige Substanz sind ein Perylen-Derivat und eine Stickstoff enthaltende verdichtete aromatische Verbindung. Es ist zu beachten, dass eine Stickstoff enthaltende verdichtete aromatische Verbindung wegen ihrer Stabilität für das Ausbilden der Elektronenrelaisschicht 707 zu bevorzugen ist.
Spezifische Beispiele für das Perylen-Derivat sind 3,4,9,10-Perylentetracarboxyldianhydrid (Abkürzung: PTCDA), 3,4,9,10-Perylentetracarboxyl-bis-benzimidazol (Abkürzung: PTCBI), N,N'-Dioctyl-3,4,9,10-perylentetracarboxyldiimid (Abkürzung: PTCDI-C8H) und N,N'-Dihexyl-3,4,9,10-perylentetracarboxyldiimied (Abkürzung: Hex PTC).
Spezifische Beispiele für die Stickstoff enthaltende verdichtete aromatische Verbindung sind Pyrazino[2,3-f][1,10]phenanthrolin-2,3-dicarbonitril (Abkürzung: PPDN), 2,3,6,7,10,11-Hexacyano-1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylen (Abkürzung: HAT(CN)₆), 2,3-Diphenylpyrido[2,3-b]pyrazin (Abkürzung: 2PYPR) und 2,3-Bis(4-fluorophenyl)pyrido[2,3-b]pyrazin (Abkürzung: F2PYPR).
Außerdem können 7,7,8,8-Tetracyanochinodimethan (Abkürzung: TCNQ), 1,4,5,8-Naphthalentetracarboxyldianhydrid (Abkürzung: NTCDA), Perfluorpentacen, Kupferhexadecafluorphthalocyanin (Abkürzung F₁₆CuPc), N,N'-Bis(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluoroctyl)-1,4,5,8-Naphthalentetracarboxyldiimid (Abkürzung: NTCDI-C8F), 3',4'-Dibutyl-5-5''-bis(dicyanomethylen)-5,5'-dihydro-2,2':5',2''terthiophen (Abkürzung: DCMT), ein Methanofulleren (z. B. [6,6]-Phenyl-C₆₁-Butansäuremethylester) oder ähnliches verwendet werden.
Wenn eine Donatorsubstanz in der Elektronenrelaisschicht 707 enthalten ist, kann die Elektronenrelaisschicht 707 durch ein Verfahren wie etwa eine Coverdampfung der Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft und der Donatorsubstanz ausgebildet werden.
Die Lochinjektionsschicht 701, die Lochtransportschicht 702, die Schicht 703 mit einer darin enthaltenen organischen Licht emittierenden Verbindung und die Elektronentransportschicht 704 können jeweils unter Verwendung eines der oben beschriebenen Materialien ausgebildet werden.
Die EL-Schicht 105 dieser Ausführungsform kann in der oben beschriebenen Weise hergestellt werden.
Diese Ausführungsform kann mit beliebigen der anderen hier beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden.
(Ausführungsform 6)
In dieser Ausführungsform werden Beispiele für eine Beleuchtungsvorrichtung, die eine Licht emittierende Einrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält, mit Bezug auf 10A und 10B beschrieben.
Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Beleuchtungsvorrichtung, in der ein Licht emittierender Teil eine gekrümmte Fläche aufweist, realisiert werden.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann für eine Beleuchtung in einem Kraftfahrzeug verwendet werden, wobei die Beleuchtung zum Beispiel in einem Armaturenbrett, in einem Fahrzeughimmel oder an einer ähnlichen Position vorgesehen werden kann.
10A zeigt eine Innenraum-Beleuchtungsvorrichtung 901, eine Schreibtischlampe 903 und eine planare Beleuchtungsvorrichtung 904, auf die eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angewendet wird. Weil die Licht emittierende Einrichtung eine größere Fläche aufweisen kann, kann sie als eine großflächige Beleuchtungsvorrichtung verwendet werden. Und weil die Licht emittierende Einrichtung dünn ist, kann die Licht emittierende Einrichtung an einer Wand montiert werden. Weiterhin kann die Licht emittierende Einrichtung als eine gerollte Beleuchtungsvorrichtung 902 verwendet werden.
10B zeigt ein weiteres Beispiel der Beleuchtungsvorrichtung. Eine in 10B gezeigte Schreibtischlampe umfasst einen Beleuchtungsteil 9501, einen Halteteil 9503, eine Haltebasis 9505 usw. Der Beleuchtungsteil 9501 umfasst eine Licht emittierende Einrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann auf diese Weise eine Beleuchtungsvorrichtung mit einer gekrümmten Fläche oder eine Beleuchtungsvorrichtung mit einem flexiblen Beleuchtungsteil realisiert werden. Die Verwendung einer flexiblen Licht emittierenden Einrichtung für eine wie oben beschriebene Beleuchtungsvorrichtung erhöht nicht nur den Freiheitsgrad beim Entwurf der Beleuchtungsvorrichtung, sondern ermöglicht auch, dass die Beleuchtungsvorrichtung an einem Teil mit einer gekrümmten Fläche wie etwa einem Himmel oder einem Armaturenbrett in einem Fahrzeug montiert wird.
Diese Ausführungsform kann mit beliebigen der anderen hier beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden.
(Ausführungsform 7)
In dieser Ausführungsform werden Halbleitervorrichtungen, in denen die Licht emittierenden Einrichtungen gemäß den weiter oben beschriebenen Ausführungsformen verwendet werden, mit Bezug auf 11A bis 11C beschrieben.
Bei der Halbleitervorrichtung, in der eine Licht emittierende Einrichtung gemäß einer der weiter oben beschriebenen Ausführungsformen verwendet wird, kann es sich um verschiedene elektronische Geräte (wie etwa auch ein Unterhaltungsgerät) handeln. Beispiele für derartige elektronische Geräte sind ein Fernsehgerät, ein Monitor für einen Computer oder ähnliches, eine Kamera wie etwa eine digitale Foto- oder Videokamera, ein digitaler Bilderrahmen, ein Mobiltelefon, eine tragbare Spielekonsole, ein tragbares Informationsterminal, ein Audiowiedergabegerät, ein großformatiges Spielegerät wie etwa ein Glücksspielautomat und ähnliches.
11A zeigt ein Beispiel für ein Fernsehgerät. In einem Fernsehgerät 500 ist ein Anzeigeteil 503 in einem Gehäuse 501 integriert. Bilder können an dem Anzeigeteil 503 angezeigt werden. Das Gehäuse 501 wird durch einen Ständer 505 gehalten.
Das Fernsehgerät 500 kann über einen Bedienungsschalter am Gehäuse 501 oder über eine separate Fernbedienung 510 eingeschaltet werden. Über die Bedienungstasten 509 der Fernbedienung 510 kann zwischen Sendern gewechselt werden und kann die Lautstärke eingestellt werden, wodurch ein auf dem Anzeigeteil 503 angezeigtes Bild gesteuert werden kann. Die Fernbedienung 510 kann mit einem Anzeigeteil 507 zum Anzeigen einer Datenausgabe aus der Fernbedienung 510 versehen sein.
Es ist zu beachten, dass das Fernsehgerät 500 mit einem Empfänger, einem Modem und ähnlichem ausgestattet ist. Unter Verwendung des Empfängers können allgemein Fernsehübertragungen empfangen werden. Und wenn das Fernsehgerät 500 drahtgebunden oder drahtlos über das Modem mit einem Kommunikationsnetzwerk verbunden ist, kann eine unidirektionale (von einem Sender zu einem Empfänger) erfolgende oder eine bidirektionale (zwischen einem Sender und einem Empfänger oder zwischen Empfängern) erfolgende Informationskommunikation durchgeführt werden.
11B zeigt ein Beispiel für einen digitalen Bilderrahmen. Zum Beispiel ist ein Anzeigeteil 523 in einem Gehäuse 521 eines digitalen Bilderrahmens 520 integriert. Der Anzeigeteil 523 kann verschiedene Bilder anzeigen. Zum Beispiel kann der Anzeigeteil 523 Daten eines mit einer digitalen Kamera oder ähnlichem aufgenommenen Bilds anzeigen und wie ein gewöhnlicher Bilderrahmen genutzt werden.
Es ist zu beachten, dass der digitale Bilderrahmen 520 mit einem Bedienungsteil, einem externen Verbindungsteil (einem USB-Anschluss, einem Anschluss der mit verschiedenen Kabeln wie etwa einem USB-Kabel verbunden werden kann, oder ähnlichem), mit einem Aufzeichnungsmedium-Einsteckteil und ähnlichem versehen sein kann. Obwohl alle diese Komponenten an der Fläche vorgesehen sein können, an der auch der Anzeigeteil vorgesehen ist, sind sie vorzugsweise an einer Seitenfläche oder an der Rückfläche des digitalen Bilderrahmens 520 vorgesehen. Zum Beispiel wird ein Speicher mit darauf gespeicherten Daten zu mit einer digitalen Kamera aufgenommenen Bildern in den Aufzeichnungsmedium-Einsteckteil des digitalen Bilderrahmens eingesteckt und werden die Bilddaten importiert, damit die importierten Bilddaten dann an dem Anzeigeteil 523 angezeigt werden können.
Der digitale Bilderrahmen 520 kann einen Aufbau aufweisen, mit dem Daten drahtlos gesendet und empfangen werden können. Dabei kann ein Aufbau verwendet werden, in dem gewünschte Bilddaten drahtlos für die Anzeige übertragen werden können.
11C ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel für einen tragbaren Computer zeigt.
In einem tragbaren Computer 540 von 11C können ein oberes Gehäuse 541 mit einem Anzeigeteil 543 und ein unteres Gehäuse 542 mit einer Tastatur 544 übereinander gelegt werden, indem eine das obere Gehäuse 541 mit dem unteren Gehäuse 542 verbindende Scharniereinheit geschlossen wird. In diesem Zustand kann der tragbare Computer von 11C praktisch getragen werden. Wenn die Tastatur für eine Eingabe verwendet werden soll, wird die Scharniereinheit geöffnet, sodass der Benutzer eine Eingabe vornehmen und dabei auf den Anzeigeteil 543 blicken kann.
Das untere Gehäuse 542 weist zusätzlich zu der Tastatur 544 eine Zeigeeinrichtung 546 auf, mit der eine Eingabe vorgenommen werden kann. Wenn der Anzeigeteil 543 ein Berührungsbildschirm ist, kann eine Eingabe vorgenommen werden, indem ein Teil des Anzeigeteils 543 berührt wird. Das untere Gehäuse 542 umfasst einen arithmetischen Funktionsteil wie etwa eine CPU oder eine Festplatte. Außerdem weist das untere Gehäuse 542 einen externen Verbindungsanschluss 545 auf, in den zum Beispiel ein den USB-Kommunikationsstandards entsprechendes Kommunikationskabel eingesteckt werden kann.
Das obere Gehäuse 541 umfasst weiterhin einen Anzeigeteil 547, der in dem oberen Gehäuse 541 gehalten werden kann, indem er in dasselbe eingeschoben wird. Es kann also ein großer Anzeigebildschirm realisiert werden. Außerdem kann der Benutzer die Ausrichtung eines Bildschirms auf dem Anzeigeteil 547, der in dem oberen Gehäuse 541 gehalten werden kann, einstellen. Wenn der Anzeigeteil 547, der in dem oberen Gehäuse 541 gehalten werden kann, ein Berührungsbildschirm ist, können Informationen eingegeben werden, indem ein Teil des Anzeigeteils 547, der in dem oberen Gehäuse 541 gehalten werden kann, berührt wird.
Außerdem kann der tragbare Computer 540 in 11C mit einem Empfänger oder ähnlichem versehen sein und eine Fernsehübertragung für die Anzeige auf dem Anzeigeteil empfangen. Der Benutzer kann also eine Fernsehübertragung ansehen, wenn der gesamte Bildschirm des Anzeigeteils 547 durch das Schieben des Anzeigeteils 547 freigelegt wird und der Winkel des Bildschirms eingestellt wird, während die Scharniereinheit, die das obere Gehäuse 541 mit dem unteren Gehäuse 542 verbindet, geschlossen gehalten wird. In diesem Fall wird die Scharniereinheit nicht geöffnet und wird keine Anzeige an dem Anzeigeteil 543 durchgeführt. Außerdem wird nur ein Schaltungsaufbau zum Anzeigen der Fernsehübertragung gestartet. Dadurch kann der Stromverbrauch minimal gehalten werden, was für einen tragbaren Computer mit einer begrenzten Akkukapazität vorteilhaft ist.
Die in dieser Ausführungsform beschriebene Anzeigevorrichtung wird in einem Anzeigeteil einer Halbleitervorrichtung wie etwa einem elektronischen Gerät verwendet, wodurch eine sehr zuverlässige Halbleitervorrichtung vorgesehen werden kann.
Diese Ausführungsform kann mit beliebigen anderen der hier beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden.
Liste der Bezugszeichen

100: Licht emittierende Einrichtung; 101: Substrat; 103: untere Elektrodenschicht; 105: EL-Schicht; 107: obere Elektrodenschicht; 109: Trennteil; 111: Hilfsverdrahtung; 113: Verdrahtung; 115: Trennschicht; 117: Hilfsverdrahtung; 119: Trennteil; 121: Hilfsverdrahtung; 131: Hilfsverdrahtung; 131a: Schenkelteil; 131b: Plattformteil; 141: Hilfsverdrahtung; 141a: Schenkelteil; 141b: Plattformteil; 151: Hilfsverdrahtung; 153: Verdrahtung; 161: leitender Film; 163: Resist; 165: Opferschicht; 167: leitender Film; 171: Hilfsverdrahtung; 171a: Schenkelteil; 171b: Plattformteil; 175: Verbindungsschicht; 181: Hilfsverdrahtung; 181a: Schenkelteil; 181b: Plattformteil; 183: untere Elektrodenschicht; 185: Verdrahtung; 200: Anzeigevorrichtung; 201: Bildpunktteil; 203: untere Elektrodenschicht; 205: EL-Schicht; 207: obere Elektrodenschicht; 209: Trennteil; 211: Hilfsverdrahtung; 220: Transistor; 221: Basisfilm; 223: Halbleiterschicht; 225: Gate-Elektrode; 227: erste Elektrode; 229: zweite Elektrode; 231: erste Isolationsschicht; 233: zweite Isolationsschicht; 300: Beleuchtungsvorrichtung; 301a: erstes Substrat; 301b: zweites Substrat; 303: Licht emittierende Einrichtung; 305a: Dichtungsmittel; 305b: Dichtungsmittel; 307a: erste Glasschicht; 307b: zweite Glasschicht; 309: Wandler; 320: Beleuchtungsvorrichtung; 500: Fernsehgerät; 501: Gehäuse; 503: Anzeigeteil; 505: Ständer; 507: Anzeigeteil; 509: Bedienungstaste; 510: Fernbedienung; 520: digitaler Bilderrahmen; 521: Gehäuse; 523: Anzeigeteil; 540: Computer; 541: oberes Gehäuse; 542: unteres Gehäuse; 543: Anzeigeteil; 544: Tastatur; 545: externer Verbindungsteil; 546: Zeigeeinrichtung; 547: Anzeigeteil; 701: Lochinjektionsschicht; 702: Lochtransportschicht; 703: Schicht mit einer darin enthaltenen Licht emittierenden organischen Verbindung; 704: Elektronentransportschicht; 705: Elektroneninjektionsschicht; 706: Elektroneninjektions-Pufferschicht; 707: Elektronenrelaisschicht; 708: Verbundmaterialschicht; 800: erste EL-Schicht; 801: zweite EL-Schicht; 803: Ladungserzeugungsschicht; 901: Beleuchtungsvorrichtung; 902: Beleuchtungsvorrichtung; 903: Schreibtischlampe; 904: planare Beleuchtungsvorrichtung; 9501: Beleuchtungsteil; 9503: Halteteil; und 9505: Haltebasis.

Die vorliegende Anmeldung beruht auf der japanischen Patentanmeldung mit der Seriennummer 2011-027602 , die am 10. Februar 2011 am japanischen Patentamt eingereicht wurde und hier vollständig unter Bezugnahme eingeschlossen ist.

Claims

Beleuchtungsvorrichtung, die umfasst: eine untere Elektrodenschicht über einem Substrat, eine Hilfsverdrahtung über der unteren Elektrodenschicht, wobei die Hilfsverdrahtung elektrisch von der unteren Elektrodenschicht isoliert ist, eine EL-Schicht über der unteren Elektrodenschicht, und eine obere Elektrodenschicht über der EL-Schicht, wobei die Hilfsverdrahtung eine Leitfähigkeit aufweist, wobei eine untere Oberfläche der Hilfsverdrahtung in Kontakt mit einer ersten Oberfläche ist, wobei die untere Oberfläche kleiner als eine projizierte Fläche der Hilfsverdrahtung auf der ersten Oberfläche ist, wobei die untere Oberfläche in der projizierten Fläche enthalten ist, und wobei die obere Elektrodenschicht elektrisch mit der Hilfsverdrahtung verbunden ist.
Licht emittierende Einrichtung nach Anspruch 1, wobei ein Raum zwischen einer Seitenfläche der Hilfsverdrahtung und einer Linie, die einen äußersten Punkt in einem unteren Teil der Hilfsverdrahtung mit einem am weitesten vorstehenden Punkt in einem Seitenteil der Hilfsverdrahtung verbindet, vorgesehen ist.
Licht emittierende Einrichtung nach Anspruch 1, wobei die obere Elektrodenschicht von der EL-Schicht emittiertes Licht durchlässt, und die untere Elektrodenschicht das Licht reflektiert.
Beleuchtungsvorrichtung, die die Licht emittierende Einrichtung nach Anspruch 1 umfasst.
Anzeigevorrichtung, die die Licht emittierende Einrichtung nach Anspruch 1 umfasst.
Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Einrichtung, das folgende Schritte umfasst: Ausbilden einer unteren Elektrodenschicht über einem Substrat, Ausbilden einer Hilfsverdrahtung mit einer Leitfähigkeit, Ausbilden einer EL-Schicht über der unteren Elektrodenschicht, und Ausbilden einer oberen Elektrodenschicht über der EL-Schicht derart, dass sie elektrisch mit der Hilfsverdrahtung verbunden ist, wobei eine untere Oberfläche der Hilfsverdrahtung in Kontakt mit einer ersten Oberfläche ist, wobei die untere Oberfläche kleiner als eine projizierte Fläche der Hilfsverdrahtung auf der ersten Oberfläche ist, und wobei die untere Oberfläche in der projizierten Fläche enthalten ist.