JP2017059549A - 発光装置、照明装置、及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】上部電極の抵抗に起因する電位降下が抑制され、且つ信頼性の高い発光装置を提供すること。また、メタルマスクを用いずにＥＬ層及び上部電極を形成可能で、且つ信頼性の高い発光装置を提供すること。また、このような発光装置が適用された照明装置、及び表示装置を提供すること。【解決手段】上部電極の導電性を補助するための補助配線を基板側に設ける構成に着眼した。発光装置が有する導電性の補助配線は基板上に設けられ、側面の一部が基板に水平方向にせり出した形状とする。さらに下部電極層および補助配線を含む領域に形成されたＥＬ層は当該補助配線で物理的に分断され、また同様に形成された上部電極層は少なくとも補助配線の側面の一部に電気的に接続する構成とすればよい。またこのような補助配線を照明装置、及び表示装置に適用すればよい。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置とその作製方法に関する。また照明装置に関する。また表示装置に
関する。

有機ＥＬ素子の研究開発が盛んに行われている。有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対
の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加す
ることにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。

有機ＥＬ素子は膜状に形成することが可能であるため大面積の素子を容易に形成するこ
とができ、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。

例えば、特許文献１には、有機ＥＬ素子を用いた照明器具が開示されている。

また、有機ＥＬ素子と薄膜トランジスタとを組み合わせた、表示装置の開発も盛んに行
われている。有機ＥＬ素子を用いた表示装置は、液晶表示装置で必要であったバックライ
トを無くすことができ、薄型、高輝度、高コントラストの表示装置とすることができる。

有機ＥＬ素子には、下部電極層側に光を取り出す下面発光型と、上部電極層側に光を取
り出す上面発光型、または下部電極層側と上部電極層側の両面から光を取り出す両面発光
型とがある。

特開２００９−１３０１３２号公報

ところで、照明装置や、大画面の表示装置において発光部の面積が広くなると、ＥＬ素
子の上部電極や下部電極の抵抗に起因する電位降下が著しくなる傾向にある。当該電極に
おける電位降下が著しい場合、輝度の不均一が視認されてしまう問題がある。このような
問題を回避するため、当該電極に抵抗率の低い材料で形成された補助としての配線を接続
する必要がある。

特に透明電極に用いられる光透過性を有する材料は、比較的抵抗が高く、補助配線を設
ける必要性が高い。当該補助配線は、ＥＬ素子からの発光をなるべく遮らないようにレイ
アウトする必要がある。しかしながら、特に上部電極層側から発光を得る上面発光型（両
面発光型も含む）の場合、ＥＬ素子を形成した後に、補助配線を形成する必要があるため
、ＥＬ素子にダメージが加わる場合がある。例えばスパッタリング法で導電膜を形成した
後にフォトリソグラフィ法を用いて加工する場合、スパッタリングによる熱、及び物理的
なダメージや、フォトリソグラフィ法での加工における光や熱によるダメージ、レジスト
の除去時の有機溶媒などによるＥＬ素子の溶解の問題などが挙げられる。

また、ＥＬ素子を形成する際、絶縁表面を有する基板上に形成した下部電極上に有機化
合物を含む層と、上部電極とを順次積層する方法としては、例えば真空蒸着法がある。真
空蒸着法を用いて島状の層を形成する方法としては、金属板に開口部を設けたメタルマス
ク（シャドーマスクともいう）を用いる方法が知られている。基板に接して蒸着源との間
に当該メタルマスクを設け、当該メタルマスクの開口部を介して基板に蒸着を行うと、開
口部の形状に応じた形状の層を形成できる。なお、メタルマスクと基板との距離が短いほ
ど、開口部に応じた明瞭な形状で、言い換えると周辺部のボケが少ない形状で、島状の層
が形成できる。

逆に言えば、メタルマスクで形成できる層の形状は、マスクの開口部に沿って形成され
るものであるから、島状の形状とならざるを得ない。すなわち、配線パターンのように、
長く繋がった形状、あるいはループ部を含む形状を形成することは困難である。

また、メタルマスクを基板に接して使用すると不具合が生じる確率が高まる。例えば、
メタルマスクの開口部にある開口端が基板表面を傷つけてしまう場合がある。具体的には
、メタルマスクを基板に接触する際に、メタルマスクが基板表面を擦り、基板上に形成済
みの他の層を破壊してしまう場合がある。また、メタルマスクに付着したゴミ（パーティ
クルと呼ばれる小さな異物を含む）をメタルマスクから基板に転写してしまう場合もある
。

本発明はこのような技術的背景のもとでなされたものである。したがって本発明の一態
様は、上部電極の抵抗に起因する電位降下が抑制され、且つ信頼性の高い発光装置を提供
することを課題の一とする。また、メタルマスクを用いずにＥＬ層及び上部電極を形成可
能で、且つ信頼性の高い発光装置を提供することを課題の一とする。また、このような発
光装置が適用された照明装置、及び表示装置を提供することを課題の一とする。

本発明は、上記課題の少なくとも一を解決するものである。

上記目的を達成するために、本発明は、上部電極の導電性を上げるための補助配線を基
板側に設ける構成に着眼した。発光装置が有する導電性の補助配線は基板上に設けられ、
その上部が基板に水平方向にせり出した形状とする。さらに下部電極層および補助配線を
含む領域に形成されたＥＬ層は当該補助配線で物理的に分断され、また同様に形成された
上部電極層は少なくとも補助配線の側面の一部に電気的に接続する構成とすればよい。ま
たこのような補助配線を照明装置、及び表示装置に適用すればよい。

すなわち、本発明の一態様の発光装置は、基板上に下部電極層と、下部電極層と電気的
に分離された補助配線と、下部電極層上にＥＬ層と、ＥＬ層上に上部電極層と、を有する
。また、当該補助配線は、導電性を有し、その上部が基板に水平な方向にせり出した形状
を有する。上部電極層は、補助配線と電気的に接続する。

本発明の一態様の発光装置は、上部電極の導電性を補助する補助配線を基板側に形成す
る。当該補助配線は、その上部が基板に水平な方向にせり出した形状を有するように、言
い換えると、基板面に対する投影面よりも、底部の接触面が内側になるように形成される
。このような形状の補助配線を基板側に形成することにより、メタルマスクを用いずにＥ
Ｌ層を形成した場合に、当該補助配線によって分断させることができる。また、上部電極
を補助配線の少なくとも側面の一部に接触するように形成することで、補助配線を隔てて
形成される上部電極同士は補助配線を介して電気的に接続される。

このような補助配線を用いることにより、上部電極の抵抗に起因する電位降下が抑制さ
れ、且つ信頼性の高い発光装置とすることができ、また、メタルマスクを用いなくともＥ
Ｌ層及び上部電極層を形成可能となる。

また、本発明の一態様の発光装置の有する補助配線は、その側面と、当該補助配線の底
部の最も外側の点と、当該補助配線の側部の最もせり出した点とを結んだ線との間に、空
間を有する。

上記の補助配線を、その側面と、当該補助配線の底部の最も外側の点と、当該補助配線
の側部の最もせり出した点とを結んだ線との間に、空間を有する形状とすることにより、
ＥＬ層が側部に形成されることを抑制し、効果的にＥＬ層を分断させることができる。

また、本発明の一態様の発光装置の上部電極層は、ＥＬ層が発する光を透過し、下部電
極層は、当該光を反射する。

特に、上部電極に透光性を有する材料を用いた上面発光型の発光装置においては、上記
補助配線を適用することにより、効果的に上部電極の導電性を補助することができる。

また、本発明の一態様は、上記発光装置を具備する、照明装置である。

上記の発光装置を照明装置に適用することにより、上部電極の抵抗に起因する電位降下
が抑制され、また、メタルマスクを用いずにＥＬ層及び上部電極を形成可能であるため、
信頼性の高い照明装置とすることができる。

また、本発明の一態様は、上記発光装置を具備する、表示装置である。

例えば画素部が複数配置された構成を有する表示装置に、上記の補助配線を適用するこ
とができる。したがって、上部電極の抵抗に起因する電位降下が抑制され、また、メタル
マスクを用いずにＥＬ層及び上部電極を形成可能であるため、信頼性の高い表示装置とす
ることができる。

また、本発明の一態様の発光装置の作製方法は、基板上に下部電極層を形成する工程と
、導電性を有し、基板に水平な方向にせり出した側部を有する補助配線を形成する工程と
、上記下部電極層上にＥＬ層を形成する工程と、当該ＥＬ層上に、補助配線の少なくとも
側面の一部と電気的に接続するように、上部電極層を形成する工程と、を有する。

上記作製方法により、メタルマスクを用いずにＥＬ層及び上部電極層が形成された、信
頼性の高い発光装置を作製することができる。また上部電極上ではなく基板側に補助配線
を設けるため、補助配線形成工程におけるＥＬ層へのダメージを無くすことができ、信頼
性が高く、また上部電極の抵抗に起因する電位降下が抑制された発光装置を作製すること
ができる。

なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられた層を示すも
のとする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はＥＬ層の
一態様である。

本発明の実施の形態によれば、上部電極の抵抗に起因する電位降下が抑制され、且つ信
頼性の高い発光装置を提供できる。また、メタルマスクを用いずにＥＬ層及び上部電極を
形成可能で、且つ信頼性の高い発光装置を提供できる。また、このような発光装置が適用
された照明装置、及び表示装置を提供できる。

本発明の一態様の、発光装置を説明する図。 本発明の一態様の、発光装置を説明する図。 本発明の一態様の、発光装置を説明する図。 本発明の一態様の、発光装置を説明する図。 本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。 本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。 本発明の一態様の、表示装置を説明する図。 本発明の一態様の、照明装置を説明する図。 本発明の一態様の、ＥＬ層を説明する図。 本発明の一態様の、照明装置を説明する図。 本発明の一態様の、半導体装置を説明する図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成におい
て、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い
、その繰り返しの説明は省略する。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置の一例について、図１乃至図４を用
いて説明する。

＜構成例＞
図１（Ａ）は発光装置１００の上面概略図である。また、図１（Ｂ）は図１（Ａ）内の
切断線Ａ−Ａ’における断面概略図であり、図１（Ｃ）は切断線Ｂ−Ｂ’における断面概
略図である。なお、明瞭化のため、図１（Ａ）にはＥＬ層及び上部電極層は明示していな
い。

発光装置１００は、基板１０１上に下部電極層１０３、隔壁１０９、補助配線１１１、
ＥＬ層１０５、及び上部電極層１０７を有する。また、補助配線１１１と接続する、配線
１１３、及び発光装置１００の外周を囲う、分離層１１５を備える。

また図示しないが、発光装置１００は、基板１０１に接する下地膜、及び上部電極層１
０７を覆う封止膜を有していてもよい。下地膜や封止膜を設けることにより、ＥＬ層の劣
化を抑制することができ、発光装置１００の信頼性を高めることができる。

発光装置１００は、下部電極層１０３と上部電極層１０７と、これらに挟持されたＥＬ
層１０５とからなる発光素子に電圧を印加することにより発光を得ることができる。

隔壁１０９は、下部電極層１０３の端部、及び補助配線１１１の下部に形成される。下
部電極層１０３の端部に形成された隔壁１０９は、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７が
、下部電極層１０３の端部において断線することのないように設けられる。そのため、隔
壁１０９は、その上面に形成される膜が途切れないよう、順テーパ形状を有していること
が好ましい。順テーパ形状とは、断面において、ある層がその端部からなだらかに厚さを
増して下地となる層と接する構成を言う。

補助配線１１１は少なくとも上部電極層１０７よりも十分に低抵抗な導電性材料からな
り、下部電極層１０３上に設けられた隔壁１０９上に形成される。補助配線１１１は、そ
の上部が基板と平行な方向にせり出した形状を有している。言い換えると、補助配線１１
１を基板表面に投影した場合において、その最も大きい投影面積よりも、隔壁１０９と接
触する領域の面積が小さく、且つ内側に設けられる形状を有する。

このような形状の補助配線１１１を設け、後に説明する方法でＥＬ層１０５及び上部電
極層１０７を形成することにより、図１（Ｂ）に示すように、ＥＬ層１０５は補助配線１
１１によって分断され、また上部電極層１０７は補助配線１１１の少なくとも側面の一部
と接し、電気的に接続された構成とすることができる。

したがって上部電極層１０７は、電気的に分断されること無く、補助配線１１１を介し
て発光装置１００の発光領域全域に渡って電気的接続が保証される。さらに、上部電極層
１０７の抵抗に起因する電位降下は当該上部電極層１０７と電気的に接続された補助配線
１１１によって抑制される。

また、図１（Ｃ）に示すように、補助配線１１１は、発光装置１００に隣接して設けら
れた配線１１３と電気的に接続する。配線１１３は上部電極層１０７に印加する電位を与
えることができる。なお、本実施の形態では、配線１１３を下部電極層１０３と同じ材料
、工程で形成する構成としたが、上部電極層１０７よりも十分に低抵抗な材料を用いて別
途作製してもよい。また、補助配線１１１を発光装置１００よりも外側に引き回し、直接
電位を与える構成としてもよい。

図２は図１（Ａ）の切断線Ｃ−Ｃ’における断面概略図である。発光装置１００を囲う
ようにして設けられた分離層１１５は、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を分断する。
分離層１１５を設けることにより、発光装置１００同士を隣接して配置する場合にこれら
を電気的に分離することができる。

分離層１１５は、絶縁性の材料で構成され、ＥＬ層１０５、及び上部電極層１０７を共
に分断する。分離層１１５は、補助配線１１１と同様に、その上部が基板に平行な方向に
せり出した形状を有している。ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を分断させるために、
分離層１１５が、分離層１１５の側部に上部電極層１０７が形成されないような形状を有
する。例えば、分離層１１５の最もせり出した点と、分離層１１５の側面が隔壁１０９と
接する点とを結んだ線と基板面との角度が補助配線１１１と比較して小さくなるように形
成すればよい。また、上記の線と分離層１１５の側面との間に空間を設けるように、くび
れた形状としてもよい。

なお、発光装置１００を単体で用いる場合や、隣接する発光装置１００間を電気的に分
離する必要のない場合は、分離層１１５は設けなくてもよい。

なお、本構成例では配線１１３と発光装置１００を基板１０１上に併設する構成とした
が、例えば基板１０１上に形成された配線１１３上に開口部を有する平坦化膜を設け、そ
の上に発光装置１００を設ける構成としてもよい。配線１１３を発光装置１００の下側に
引き回すことにより、基板１０１の面積に対する発光面積を大きくすることができる。

上記のような補助配線１１１を発光装置１００に適用することにより、ＥＬ層１０５、
及び上部電極層１０７を、メタルマスクを用いずに形成することができる。また、低抵抗
な材料からなる補助配線１１１により、上部電極層１０７の抵抗に起因する電位降下の影
響を極めて抑制し、信頼性の高い発光装置とすることができる。特に、上部電極層１０７
として抵抗の高い透明導電膜を用いた上面発光型の発光装置の場合において大きな効果を
奏する。また、メタルマスクを用いずにＥＬ層及び上部電極層を形成することが可能なた
め、メタルマスクと基板との接触による不具合が排除され、信頼性の高い発光装置とする
ことができる。

また、発光装置１００を隣接して複数配置する場合においても、上記のように各発光装
置１００を囲うように分離層１１５を設けることにより、メタルマスクを用いずにＥＬ層
１０５及び上部電極層１０７を形成した際にこれらを電気的に分離することができる。

＜変形例＞
上記で例示した補助配線は、ＥＬ層１０５を分断し、且つ上部電極層１０７と接続し電
気的に分断させない形状であれば、様々な形態をとることができる。以下、図３を用いて
補助配線として用いることのできる形状の例について説明する。

図３（Ａ）に示す補助配線１２１は、その側面がくびれた形状を有している。特に、多
量のＥＬ層１０５の材料が補助配線の側部に成膜される場合には、このようにくびれた形
状とすることにより、効果的にＥＬ層１０５を分断することができる。

図３（Ｂ）に示す補助配線１３１は、導電性材料からなる脚部１３１ａと、台部１３１
ｂの積層構造をなしている。台部１３１ｂの最もせり出した領域に対し、脚部１３１ａの
隔壁１０９と接する領域が内側になるよう形成される。上部電極層１０７は、少なくとも
脚部１３１ａと接触することにより、電気的に分断されない。台部１３１ｂは、絶縁性を
有していてもよいが、導電性材料を用いて形成すると補助配線１３１の抵抗を小さくする
ことができるため好ましい。また、脚部１３１ａの形状を順テーパ形状とすることにより
、比較的少量の上部電極層１０７の材料が台部１３１ｂの側部に成膜される場合にも上部
電極層１０７と脚部１３１ａとの接触面積を大きくすることができるため好ましい。

図３（Ｃ）に示す補助配線１４１は、上記補助配線１３１と同様に脚部１４１ａ及び台
部１４１ｂから構成される。ここで台部１４１ｂを、底部の基板１０１と対向した面が部
分的に露出するように形成することにより、より効果的にＥＬ層１０５を分断することが
できる。また、脚部１４１ａは、順テーパ形状としてもよく、上部電極層１０７は、少な
くとも脚部１４１ａと接するように形成する。ここで台部１４１ｂは、上記と同様に絶縁
性の材料を用いて形成してもよいが、導電性材料を用いることが好ましい。

また、上述の各々の補助配線は、必ずしも隔壁１０９上に設けなくともよい。例えば図
３（Ｄ）に示す補助配線１５１は、下部電極層１０３と同様の材料、工程で形成された配
線１５３上に接して形成される。このような構成とすることにより、補助配線１５１の抵
抗をさらに小さくできるため、上部電極層１０７の抵抗に起因する電位降下の影響を極め
て抑制することができる。なお、ここで示した配線１５３は下部電極層１０３とは異なる
材料、工程で形成してもよく、低抵抗な材料で形成することが好ましい。

図３（Ｅ）に示す構成では、補助配線１７１は配線１５３上に形成されている。また、
脚部１７１ａと台部１７１ｂとの間に接続層１７５が形成されている。接続層１７５は、
配線１５３の上面に接し、且つ脚部１７１ａの少なくとも側面を覆うように形成されてい
る。このような構成とすることにより、脚部１７１ａ及び台部１７１ｂを有機樹脂などの
絶縁性材料で形成しても接続層１７５により実質的に補助配線１７１の側面の一部に導電
性を持たせることができる。ここで、脚部１７１ａを有機樹脂で形成すると、脚部１７１
ａの高さを大きくすることが容易であり、脚部１７１ａの側部に上部電極層１０７を容易
に形成できるため、上部電極層１０７と接続層１７５の接触面積の増大に伴い接触抵抗が
低減されるため好ましい。また、上部電極層１０７を構成する導電膜と、配線１５３を構
成する導電膜とが接触することにより、配線１５３を構成する導電膜が腐食してしまう場
合（例えばＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ）とアルミニウムを用いた場合）においては
、上部電極層１０７と配線１５３の間に、これらを構成する導電膜と親和性の高い導電膜
で構成される接続層１７５を用いると、上記腐食の影響をなくすことができる。

また、補助配線を下部電極層と同じ材料を用いて形成することもできる。図３（Ｆ）に
示す構成では、下部電極層１８３は３層の導電膜が積層されて構成されている。例えば、
低抵抗な導電膜を化学的に安定な（反応や腐食が起こりにくい）導電膜で挟持した積層膜
を用いると、導電性と信頼性が高まるため好ましい。補助配線１８１は下部電極層１８３
を構成する上層の２層と同一の導電膜で構成され、脚部１８１ａ、台部１８１ｂを有する
。また、補助配線１８１は下部電極層１８３を構成する最下層と同一の導電膜で構成され
た配線１８５上に形成されている。脚部１８１ａの側面は、台部１８１ｂの端部よりも内
側に設けられるように形成されている。このような形状は、例えば脚部１８１ａを構成す
る導電膜と、台部１８１ｂ及び配線１８５を構成する導電膜のエッチング速度の違いを利
用して、脚部１８１ａの側面をエッチングにより後退させることにより、配線１８５上に
補助配線１８１を形成することができる。このような構成の補助配線１８１を用いること
により、作製工程を簡略化することができる。

発光装置１００は、その下部電極層１０３にも補助配線を設けた構成としてもよい。特
に下面発光型（両面発光型を含む）の発光装置の場合、下部電極層１０３として比較的抵
抗の高い光透過性の導電材料を用いるため、下部電極層１０３に当該補助配線を設けるこ
とは有効である。また、上面発光型の発光装置においても、発光面積を大きくすると下部
電極層１０３の抵抗値が無視できなくなる場合があるため、当該補助配線が必要な場合が
ある。以下、下部電極層１０３に設ける補助配線の一例について図４を用いて説明する。

図４（Ａ）は、下部電極層１０３の下側に接する補助配線１１７を設けた構成である。
このような構成は、下面発光型の場合その光を遮蔽する領域が補助配線１１７のみとなる
ため、開口率を大きくすることができる。また上面発光型の場合は、補助配線１１７の直
上も発光領域とすることができるため、開口率の低下がなく好ましい。

補助配線１１７の端部での段差によって、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７の断線が
懸念される場合は、補助配線１１７の端部を覆う隔壁１１９を備える構成としてもよい。
図４（Ｂ）は、補助配線１１７の端部を覆う隔壁１１９を下部電極層１０３に接して設け
る構成である。ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７の積層は、補助配線１１７の端部上に
おいて隔壁１１９に接して形成されるため、断線が抑制される。また、図４（Ｃ）のよう
に当該隔壁１１９を補助配線１１７と下部電極層１０３との間に設ける構成としてもよい
。特に上面発光型の場合はこのような構成とすることにより、隔壁１１９の真上も発光領
域とすることができるため好ましい。

なお、本実施の形態では補助配線１１７を下部電極層１０３の下側に設ける構成のみを
例示したが、上側に設ける構成としてもよい。また、その場合、補助配線１１７の端部に
起因する段差の影響を緩和するため、適宜隔壁１１９を設ければよい。

＜材料＞
以下にそれぞれの層に用いることができる材料の一例を記す。

［基板］
発光装置１００が下面発光型、両面発光型の場合、基板１０１の材料としては、ガラス
、石英、有機樹脂などの透光性を有する材料を用いることができる。また上面発光型の場
合は、透光性を有していなくともよく、上記の材料に加え金属、半導体、セラミック、有
色の有機樹脂などの材料を用いることができる。導電性の基板を用いる場合、その表面を
酸化させる、若しくは表面に絶縁膜を形成することにより絶縁を持たせることが好ましい
。

基板１０１として有機樹脂を用いる場合、有機樹脂としては、例えば、ポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、
ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカー
ボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シク
ロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはポリ塩化ビニル樹
脂などを用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィ
ラーを有機樹脂に混ぜた基板を使用することもできる。

特に、上面発光型の発光装置１００の場合、基板には金属基板などの熱伝導性の高い基
板を用いることが好ましい。ＥＬ素子を用いた大型の照明装置の場合、ＥＬ素子からの発
熱が問題となる場合があるため、このような熱伝導性の高い基板を用いると放熱性が高ま
る。例えば、ステンレス基板のほかに、アルミニウム酸化物、ジュラルミンなどを用いる
と、軽量且つ放熱性を高めることができる。また、アルミニウムとアルミニウム酸化物と
の積層、ジュラルミンとアルミニウム酸化物との積層、ジュラルミンとマグネシウム酸化
物との積層などを用いると、基板表面を絶縁性とすることができるため好ましい。

［封止膜・下地膜］
下面発光型、両面発光型の発光装置の場合、封止膜・下地膜は、透光性且つバリア性を
有する材料を用いて形成することができる。上面発光型の発光装置では、必ずしも透光性
を有していなくともよい。

封止膜・下地膜としては、例えば、無機絶縁膜をスパッタリング法で形成することがで
きる。例えば、窒化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜、酸化ケイ素膜などを形成すればよい
。また、光射出方向と反対側に設けられる封止膜、または下地膜は、金属膜と上記無機絶
縁膜を積層したものを用いてもよい。

封止膜は、例えば水分の透過率が１０^−６ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下程度のガスバリア性を
備えるものが好ましい。また、封止膜の構成としては、例えば無機物を含む層を少なくと
も一層、有機物を含む層の間に挟んで積層したものを用いることができる。有機物を含む
層としては、例えばエポキシ系などの接着材層を一例として挙げることができ、無機物を
含む層としては酸化珪素、窒化珪素などバリア性を有する膜を一例として挙げることがで
きる。

また、基板として有機樹脂を用いる場合には、下地膜として、２５μｍ以上１００μｍ
以下の厚さのガラス層を用いてもよい。ガラス層の厚さは、代表的には、４５μｍ以上８
０μｍ以下である。有機樹脂基板とガラス層とを組み合わせることで水分又は不純物等が
発光装置の外部から発光素子に含まれる有機化合物や金属材料に侵入することを抑制する
ことができ、かつ発光装置の軽量化を実現することができる。

［分離層］
分離層は無機絶縁材料、有機絶縁材料を用いて形成することができる。例えば、ネガ型
やポジ型の感光性を有する樹脂材料、非感光性の樹脂材料などを用いることができる。

［発光素子］
光射出側の電極層に用いることができる透光性を有する材料としては、酸化インジウム
、酸化インジウム酸化スズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを
添加した酸化亜鉛、グラフェンなどを用いることができる。

また、上記電極層として、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、ク
ロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料や、これら
の合金を用いることができる。または、それら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）
等を用いてもよい。なお、金属材料（又はその窒化物）を用いる場合、透光性を有する程
度に薄くすればよい。また、グラフェンを用いることもできる。

また、上記材料の積層膜を電極層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウ
ムの合金とＩＴＯとの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい
。

光射出側の電極層の膜厚は、例えば５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、好ましくは８
０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。

ＥＬ層は、少なくとも発光性の有機化合物を含む層を有する。そのほか、電子輸送性の
高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正
孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物
質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。

なお、本発明の一態様では、上部電極層と下部電極層との間に、複数のＥＬ層が設けら
れた発光素子（タンデム型発光素子）を適用することができる。好ましくは、２〜４層（
特に３層）構造とする。ＥＬ層の構成例は実施の形態５で詳細に説明する。

光射出とは反対側に設けられる電極層は、反射性を有する材料を用いて形成される。反
射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、ク
ロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用いることができ
る。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニ
ウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や銀と銅の合
金、銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は
、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、又は金属酸
化物膜を積層することでアルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、
金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。

［補助配線・配線］
補助配線・配線の材料としては、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タ
ングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、スカンジ
ウム（Ｓｃ）、ニッケル（Ｎｉ）、から選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料
を用いて、単層で又は積層して形成する。また、配線の材料としてアルミニウムを用いる
こともできるが、その場合にはＩＴＯなどと直接接して設けると腐食する恐れがある。よ
って、配線を積層構造とし、ＩＴＯなどと接しない層にアルミニウムを用いればよい。ま
た銅は抵抗が低いため、好適に用いることができる。配線の膜厚は、１００ｎｍ以上３５
μｍ以下とすることが好ましい。

［隔壁］
隔壁の材料としては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の有機
樹脂、無機絶縁材料を用いることができる。

下地となる層に順テーパ状の端部を接する他の層の側壁面の角度としては、例えば１０
度以上８５度以下、好ましくは６０度以上８０度以下を有する。

特に感光性の樹脂材料を用いて開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持
って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。具体的には、絶縁膜の断面
が描いている曲線の曲率半径が、０．２〜２μｍ程度であることが望ましい。

隔壁の形成方法は、特に限定されないが、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法（インクジ
ェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）などを用いればよい。

隔壁の膜厚としては、例えば、２０ｎｍ以上２０μｍ以下とすればよい。好ましくは、
５０ｎｍ以上３μｍ以下である。

［平坦化膜］
平坦化膜は、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成することができる。なお、ア
クリル樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の、
耐熱性を有する有機絶縁材料を用いると、平坦化絶縁膜として好適である。また上記有機
絶縁材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガ
ラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料で
形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化膜を形成してもよい。

平坦化膜の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、スピン
コート法、ディッピング法、印刷法、インクジェット法等を用いることができる。

本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施するこ
とができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で例示した発光装置１００の作製方法の一例について
、図５及び図６を用いて説明する。

なお、本実施の形態では発光装置１００として上面射出型の発光装置を例に挙げて説明
するが、下面射出型とする場合は下部電極層に透光性の材料を用い、上部電極層に反射性
を有する材料を用いればよい。また両面射出型とする場合はその両方の電極層に透光性の
材料を用いればよい。

まず、基板１０１上に下部電極層１０３となる導電膜を形成する。当該導電膜は、実施
の形態１で例示した材料を用い、スパッタリング法、蒸着法等の成膜方法を適用すること
ができる。その後、当該導電膜に対し、フォトリソグラフィ法などの加工方法を用いて不
要な部分を除去することにより、下部電極層１０３が形成される。

ここで、下部電極層１０３を形成する前に、下地膜を形成してもよい。下地膜はバリア
膜として機能する絶縁膜を用いることができ、ＣＶＤ法、スパッタリング法等の成膜方法
により形成できる。

また、基板１０１上に配線１１３などの配線を形成し、当該配線１１３を覆う平坦化膜
を形成した後、下部電極層１０３を形成してもよい。その場合、配線１１３は下部電極層
１０３の形成と同様、導電膜を形成した後に不要な部分を除去することにより形成できる
。また、平坦化膜は実施の形態１で例示した材料、方法で形成することができる。

また、下部電極層１０３に接する補助配線１１７を下部電極層１０３よりも基板側に設
ける場合は、下部電極層１０３の形成工程よりも前に補助配線１１７を形成する。補助配
線１１７も下部電極層１０３と同様に、導電膜を形成した後に不要な部分を除去すること
により形成できる。また必要であれば隔壁１１９もこの時点で形成する。

また、配線１１３を、下部電極層１０３とは異なる材料で形成する場合は、下部電極層
１０３の形成前又は後の段階で形成する。

続いて隔壁１０９を形成する。隔壁１０９は、実施の形態１で例示した材料、方法によ
り適宜形成することができる。

この段階における発光装置１００の断面概略図が図５（Ａ）に相当する。

次に、補助配線１１１を形成する。ここでは単層の金属からなる補助配線１１１を形成
する場合について説明する。

まず、補助配線１１１を構成する導電膜１６１を形成する。導電膜１６１は、実施の形
態１で例示した材料を用いることができ、スパッタリング法、蒸着法などを用いて成膜す
ることができる。

その後、導電膜１６１上にエッチングマスクとなるレジスト１６３を形成する。レジス
ト１６３の形成は公知のフォトリソグラフィ工程を適用可能で、感光性を有する樹脂材料
を塗布し、露光、現像処理を行うことにより形成できる。この時点での断面概略図を図５
（Ｂ）に示す。

続いて、レジスト１６３をエッチングマスクとして、導電膜１６１をエッチングして補
助配線１１１を形成する。この際、エッチング後の補助配線１１１の形状が、基板１０１
に平行な面に対する投影面よりも、底部と隔壁１０９との接触面が小さく、且つ当該投影
面の内側になるように形成する。

導電膜１６１をエッチングして上記のような形状を有する補助配線１１１を形成する方
法としては、例えば、ドライエッチング法を用いてレジスト１６３がエッチングされない
、若しくは極めてエッチング速度の遅い条件で導電膜１６１をエッチングした後、さらに
下部がエッチングされるようにエッチング時間を延長することにより形成することができ
る。

補助配線１１１を形成した後、レジスト１６３を除去する。この時点での断面概略図が
図５（Ｃ）に相当する。

ここで、上記とは異なる補助配線１１１の作製方法について図６を用いて説明する。

隔壁１０９を形成した後、後の補助配線１１１にあたる部分を開口するように、犠牲層
１６５を形成する（図６（Ａ））。このとき、犠牲層１６５の開口部が、基板１０１に近
いほど狭くなるような形状とすることが望ましい。犠牲層１６５は、感光性の有機材料な
どを用いて形成すればよい。

その後、当該犠牲層１６５の開口部を埋めるように、導電膜１６７を形成する（図６（
Ｂ））。導電膜１６７は、例えばスパッタリング法や蒸着法などを用いて厚い導電膜を成
膜した後、化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ
ｉｎｇ：ＣＭＰ）処理によって上層を除去して形成することができる。または、犠牲層１
６５の開口部の底部にシード層を形成した後、電気めっきや化学めっき法を用いて形成す
ることができる。シード層は液滴吐出法などを用いることができる。

続いて、犠牲層１６５を除去することにより、犠牲層１６５の開口部の形状を有する補
助配線１１１が形成される（図６（Ｃ））。犠牲層１６５の除去は、これと接する隔壁１
０９や下部電極層１０３などの各層をエッチングしないような条件で行うことが好ましい
。

なお、実施の形態１で例示した、図３（Ｂ）に示す補助配線１３１や、図３（Ｃ）に示
す補助配線１４１のような、２層からなる補助配線を形成する場合は、例えば台部を加工
した後に、台部をマスクとして脚部を加工してもよいし、台部と脚部をまず異方性エッチ
ングにより同時に加工した後に脚部の側面を後退させるように追加でエッチングしてもよ
い。また、先に脚部を加工してから台部を形成することもできる。２層以上からなる補助
配線は、用いる材料に応じて作製方法を選択することができる。

また、図３（Ｄ）に示すように、配線１５３上に補助配線１５１を形成する場合は、下
部電極層１０３及び配線１５３のそれぞれの端部を覆い、且つ配線１５３上に開口部を有
する隔壁１０９を形成し、当該隔壁１０９の開口部に補助配線１５１を形成すればよい。
ここで、補助配線１５１となる導電膜のエッチングの際、配線１５３が完全には除去され
ない方法を適宜選択する。

以上の工程により、補助配線１１１を形成することができる。

続いて、メタルマスクを用いることなく、ＥＬ層１０５、上部電極層１０７を形成する
（図５（Ｄ））。

ＥＬ層１０５は、蒸着法を用いて形成することができる。ここで、成膜されるＥＬ層１
０５は補助配線１１１によって物理的に分断される。ＥＬ層１０５の端部は隔壁１０９に
接して形成されるとともに、一部が補助配線１１１上にも形成される。

上部電極層１０７は、蒸着法、スパッタリング法を用いて形成することができる。上部
電極層１０７の形成において、上部電極層１０７が補助配線１１１の少なくとも側面の一
部に接触することが重要である。上部電極層１０７が補助配線１１１の少なくとも側面の
一部に接触するために、例えば蒸着源やスパッタリング用ターゲットと基板１０１との距
離を短くして成膜することなどが挙げられる。例えばマグネトロンスパッタリング法を用
いた場合、基板１０１と対向する位置にスパッタリング用ターゲットを配置したときのス
パッタリング用ターゲットと基板１０１との距離を５ｍｍ以上２００ｍｍ以下、好ましく
は３０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下に設定すればよい。また、他の方法としては、スパッタリ
ング用ターゲットを基板１０１と対向した位置から、基板１０１の表面に平行な方向にず
らして成膜を行う、または基板１０１の表面に対してスパッタリング用ターゲットの表面
を傾けて成膜してもよい。また、ミラートロンスパッタリング法を用いると、補助配線１
１１の側面の一部に接して成膜できる。

このようにして形成された上部電極層１０７は、補助配線１１１の少なくとも側面の一
部に接触するため、補助配線１１１と電気的に接続される。したがって発光装置１００の
発光時における、上部電極層１０７の抵抗に起因する電位降下を抑制することが可能とな
る。

ここで、発光装置１００を隣接して複数設ける場合に、これらを電気的に分断するため
の分離層１１５を設ける場合は、ＥＬ層１０５を形成する前、または上部電極層１０７を
形成する前に分離層１１５を形成すればよい。

分離層１１５は、例えばネガ型の感光性を有する有機樹脂を形成した後、露光、現像を
行うことにより形成することができる。このとき、露光に用いる光の強度が膜厚方向に基
板に近い領域ほど弱くなるように露光することにより、図２に示したように逆テーパ形状
とすることができる。

分離層１１５は、上部電極層１０７の成膜時に、これを物理的に分断させるような形状
であることが重要である。例えば、補助配線１１１の形状にくらべて、より上部が基板に
平行な方向に突き出るか、くびれの大きな形状とすることにより、上部電極層１０７の成
膜時の回りこみを抑制することができる。

分離層１１５は、上記のように単層で形成してもよいし、２層以上の多層としてもよく
、絶縁性の有機材料、無機材料を組み合わせて形成してもよい。

その後、上部電極層１０７を覆う封止膜を形成する。封止膜を形成することにより、外
部からの水などの不純物の浸入を抑制できるため、信頼性の高い発光装置１００とするこ
とができる。

以上の作製工程により、発光装置１００を作製することができる。このような作製方法
を適用することにより、メタルマスクを用いることなく発光装置１００を形成することが
できるため、メタルマスクと基板との接触による不具合が排除され、信頼性の高い発光装
置とすることができる。

本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施するこ
とができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態で例示した補助配線を複数の画素部を有する表示装
置に適用した例について、図７を用いて説明する。

図７（Ａ）は本発明の一態様である表示装置２００の上面概略図である。

表示装置２００は、周期的に複数配置された画素部２０１と、画素部２０１を囲む補助
配線２１１を有する。明瞭化のため、図７（Ａ）には、画素部には下部電極層２０３と、
下部電極層２０３上に破線で囲って示した発光領域と、円形の破線で示したコンタクト領
域のみを図示している。

図７（Ｂ）は、図７（Ａ）中に示す切断線Ｄ−Ｄ’、及び切断線Ｅ−Ｅ’における断面
概略図である。断面Ｄ−Ｄ’は、上記コンタクト領域と、画素部２０１に設けられるトラ
ンジスタ２２０とを含む領域の断面概略図であり、断面Ｅ−Ｅ’は、隣接する２つの画素
部２０１と、その間の補助配線２１１とを含む領域の断面概略図である。

画素部２０１は、少なくとも一つのトランジスタ（トランジスタ２２０）を有し、当該
トランジスタ２２０にコンタクト領域を介して接続された下部電極層２０３と、ＥＬ層２
０５と、上部電極層２０７とを有する。また、下部電極層２０３の端部、及びコンタクト
領域を覆う隔壁２０９を有する。

なお、少なくとも画素部２０１を覆う封止膜を形成することが好ましい。

トランジスタ２２０は、基板１０１上に下地膜２２１を介して形成され、半導体層２２
３、ゲート電極２２５を有する。また、トランジスタ２２０を覆う第１絶縁層２３１に形
成されたコンタクトホールを介して、半導体層２２３に設けられるソース又はドレインの
一方に第１電極２２７が、ソース又はドレインの他方に第２電極２２９がそれぞれ接続さ
れる。

またトランジスタ２２０、第１電極２２７、第２電極２２９及び第１絶縁層２３１を覆
う第２絶縁層２３３に設けられたコンタクト領域を介して、第１電極２２７と下部電極層
２０３とが接続される。したがって、トランジスタ２２０と下部電極層２０３とが接続さ
れる。

トランジスタ２２０のスイッチング動作により、下部電極層２０３へ供給される電圧あ
るいは電流が制御され、画素部２０１からの発光が制御される。

補助配線２１１は、隣接する２つの画素部２０１の下部電極層２０３の端部を覆う隔壁
２０９上に形成され、その少なくとも側面の一部が上部電極層２０７と接触する。したが
って、複数の画素部２０１が有する上部電極層２０７は、補助配線２１１を介して電気的
に接続されている。

補助配線２１１は、上記実施の形態で例示した様々な形態の補助配線を適用することが
できる。また、補助配線２１１は、配線上に形成されていてもよい。

なお、画素部２０１は、少なくとも一つのトランジスタを有していれば良く、表示装置
２００の駆動方法、回路構成などにより、複数のトランジスタや、容量素子などの回路素
子を有していてもよい。

また画素部２０１は上面発光型、下面発光型、両面発光型のいずれであってもよいが、
上面発光型とすることで発光領域の開口率を大きくすることができるため好ましい。また
、下面発光型、両面発光型とする場合は、トランジスタ２２０を構成する材料（半導体層
２２３、ゲート電極２２５、第１電極２２７、第２電極２２９等）に透光性を有する材料
を適用すると、効率的に発光を得られるため好ましい。

また、画素部２０１からの発光を単色、好ましくは白色とし、画素部２０１に重なるカ
ラーフィルターを設けて光を取り出すことが好ましい。当該カラーフィルターは、基板１
０１上に形成してもよいし、対向基板上に形成してもよい。画素部２０１からの発光色を
同一とすると、画素部２０１ごとにＥＬ層２０５を塗り分ける必要が無く、メタルマスク
を用いずに一度の工程でＥＬ層２０５を形成することができる。

また上面発光型の場合、ＥＬ層２０５からの上面発光と、下部電極層２０３で反射した
下面発光とが干渉して特定の波長の光が強めあうように、下部電極層２０３上に光路長調
整膜を形成してもよい。当該光路長調整膜は透光性を有し、ＥＬ層２０５へのキャリアの
注入に影響しない膜を用いることが好ましい。

なおここで、本発明の一態様の補助配線２１１は、表示装置２００を囲うようにして設
ける共通配線としても用いることができる。当該共通配線には、上部電極層２０７に印加
される電位が与えられる。補助配線２１１をこのような共通配線として用いる場合は、例
えば補助配線２１１を表示装置２００に接続された、複数の画素部２０１の発光を制御す
る駆動回路部の直上に設けることができる。当該駆動回路部の直上に共通配線として用い
る補助配線２１１を設けることにより、駆動回路部と表示装置２００との接合部の面積を
小さくすることができ、好適である。

以上のように、本発明の一態様の補助配線を表示装置に適用することにより、上部電極
の抵抗に起因する電位降下が抑制され、且つ信頼性の高い表示装置とすることができる。
また、メタルマスクを用いずにＥＬ層及び上部電極を形成することが可能なため、メタル
マスクと基板との接触による不具合が排除され、信頼性の高い表示装置とすることができ
る。

本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施するこ
とができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態１で例示した発光装置が適用された、上面発光型の照明
装置の例について図８を用いて説明する。

図８（Ａ）に示す照明装置３００は、第１の基板３０１ａ上に複数の発光装置３０３が
形成されている。また第１の基板３０１ａと、これと対向する透光性を有する第２の基板
３０１ｂとは、発光装置３０３を覆うシール材３０５ａと、端部に設けられるシール材３
０５ｂによって貼り合わされた構成となっている。

発光装置３０３は、実施の形態１で例示した発光装置を適宜用いることができる。

第１の基板３０１ａには、金属基板などの熱伝導性の高い基板を用いることが好ましい
。ＥＬ素子を用いた大型の照明装置の場合、ＥＬ素子からの発熱が問題となる場合がある
ため、このような熱伝導性の高い基板を用いると放熱性が高まる。例えば、ステンレス基
板のほかに、アルミニウム酸化物、ジュラルミンなどを用いると、軽量且つ放熱性を高め
ることができる。また、アルミニウムとアルミニウム酸化物との積層、ジュラルミンとア
ルミニウム酸化物との積層、ジュラルミンとマグネシウム酸化物との積層などを用いると
、基板表面を絶縁性とすることができるため好ましい。

第２の基板３０１ｂには透光性の基板を用いる。また、発光装置３０３の表面や、第２
の基板３０１ｂの表裏面など、発光装置３０３からの発光と交差する面に凹凸形状を設け
、全反射を抑制する構成としてもよい。例えば、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹
凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルムなどを貼り付けてもよいし、直接凹凸形状を
形成してもよい。

シール材３０５ａ、３０５ｂとしては、対向する面同士を接着することができる材料を
用いることができる。例えば熱硬化型の材料、紫外線硬化型の材料などからなる公知のシ
ール材を用いることができる。特に、シール材３０５ａには透光性を有する材料を用いる
ことが好ましい。これらの材料は、できるだけ水分や酸素などの不純物を透過しない材料
であることが望ましい。また、乾燥剤入りのシール材を用いることもできる。

図８（Ｂ）に示す照明装置３２０は、第１のガラス層３０７ａ上に形成された複数の発
光装置３０３が、第２のガラス層３０７ｂで封止されたものを、第１の基板３０１ａ及び
第２の基板３０１ｂで囲う構成となっている。

第１のガラス層３０７ａと第２のガラス層３０７ｂとはシール材３０５ａを用いて貼り
合わされており、第１の基板３０１ａと、第２の基板３０１ｂとはシール材３０５ｂで貼
り合わされている。

また、第１のガラス層３０７ａと第２のガラス層３０７ｂとの間の空間は、充填材とし
て不活性気体（窒素、アルゴン等）を充填してもよいし、透光性を有するシール材で充填
していてもよい。

照明装置３２０は、発光装置３０３が２枚の薄いガラス層で封止された構成となってい
るため、外部からの水分、酸素などの不純物の浸入を抑制でき、信頼性の高い発光装置と
することができる。

また、照明装置３００及び３２０には、第１の基板３０１ａ上に発光装置３０３と接続
するコンバータ３０９が設けられている。コンバータ３０９は例えば家庭用電源の電源電
圧から、照明駆動用の電源電圧に変換する。なお、コンバータ３０９はシール材３０５ｂ
よりも内側に形成されていてもよい。

また、照明装置３００及び３２０に用いる基板の材料として、有機樹脂や薄いガラス基
板、金属薄膜などの可撓性を有する材料を用いることにより、軽量で可撓性を有する照明
装置とすることができる。

なお、本実施の形態では上面発光型の照明装置について説明したが、例えば下面発光型
とする場合には、発光装置が設けられる側の基板に透光性の基板を用いればよい。

本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施するこ
とができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様に適用できるＥＬ層の一例について、図９を用いて
説明する。

図９（Ａ）に示すＥＬ層１０５は、第１の電極１０３と第２の電極１０７の間に設けら
れている。第１の電極１０３及び第２の電極１０７は、上記実施の形態と同様の構成を適
用することができる。

ＥＬ層１０５は、少なくとも発光性の有機化合物を含む発光層が含まれていればよい。
そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性
の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性
及び正孔輸送性が高い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することがで
きる。本実施の形態において、ＥＬ層１０５は、第１の電極１０３側から、正孔注入層７
０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、電子輸送層７０４、及び
電子注入層７０５の順で積層されている。なお、これらを反転させた積層構造としてもよ
い。

図９（Ａ）に示す発光素子の作製方法について説明する。

正孔注入層７０１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質と
しては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物
、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル
酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることが
できる。また、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：
ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。

また、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミ
ノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−
メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、
４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェ
ニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）
−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴ
ＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３
，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９
−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−
（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：
ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。

さらに、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもでき
る。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリ
フェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェ
ニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド
］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−
ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げら
れる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸
）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／Ｐ
ＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。

特に、正孔注入層７０１として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を
含有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物
質を含有させた複合材料を用いることにより、第１の電極１０３からの正孔注入性を良好
にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の
高い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材
料を用いて正孔注入層７０１を形成することにより、第１の電極１０３からＥＬ層１０５
への正孔注入が容易となる。

複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳
香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化
合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の
高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移
動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であ
れば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機
化合物を具体的に列挙する。

複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴ
Ａ、ＤＰＡＢ、ＤＮＴＰＤ、ＤＰＡ３Ｂ、ＰＣｚＰＣＡ１、ＰＣｚＰＣＡ２、ＰＣｚＰＣ
Ｎ１、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称
：ＮＰＢ又はα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル
−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬ
Ｐ）等の芳香族アミン化合物や、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：
ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：
ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバ
ゾール（略称：ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリ
ル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−
カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール
誘導体を用いることができる。

また、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ
−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、
９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−
ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−
ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０
−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン
（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセ
ン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒ
ｔ−ブチルアントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセ
ン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン等の芳
香族炭化水素化合物を用いることができる。

さらに、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン
、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０
，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビ
ス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、ア
ントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−
ブチル）ペリレン、ペンタセン、コロネン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル
）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル
）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等の芳香族炭化水素化合物を用いること
ができる。

また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラ
フルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等の有機化合物や、遷移金
属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金
属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タン
タル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは
電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、
吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

なお、上述したＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ等の高分子化合
物と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層７０１に用いてもよい
。

正孔輸送層７０２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質と
しては、例えば、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ＢＰＡＦＬＰ、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメ
チルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ
）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニ
ルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等の芳香族アミン化合物を用いることができる
。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である
。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい
。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層
が二層以上積層したものとしてもよい。

また、正孔輸送層７０２には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘
導体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても
よい。

また、正孔輸送層７０２には、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ
などの高分子化合物を用いることもできる。

発光性の有機化合物を含む層７０３は、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する
燐光性化合物を用いることができる。

発光性の有機化合物を含む層７０３に用いることができる蛍光性化合物としては、例え
ば、青色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）
フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ
）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル
）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）
−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：
ＰＣＢＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジ
フェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（
略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２
−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣ
ＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ
フェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス
（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニ
ル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（
１，１’−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フ
ェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ
，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられ
る。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル
−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。ま
た、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）
テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ
，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオ
ランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。

また、発光性の有機化合物を含む層７０３に用いることができる燐光性化合物としては
、例えば、青色系の発光材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピ
リジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（
略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ
^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，
５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（Ｉ
ＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，
６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルア
セトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、緑色系の発光材料と
して、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉ
ｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）
アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェ
ニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：
Ｉｒ（ｐｂｉ）_２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ
）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ
］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_３）などが挙げられる。ま
た、黄色系の発光材料として、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，
Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａ
ｃ））、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニルフェニル）］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２
’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａ
ｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）
アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）
ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）−５−メチルピラジナト］イリジウム（Ｉ
ＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビ
ス｛２−（４−メトキシフェニル）−３，５−ジメチルピラジナト｝イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の
発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）
（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（
ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセ
トナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略
称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソ
プロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（
ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として
、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジ
ウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（
１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート
（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス
（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐ
ｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジ
ナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））、（ジピバロイ
ルメタナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタ
エチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属
錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テル
ビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェ
ニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（
略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−
トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅ
ｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異
なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。

なお、発光性の有機化合物を含む層７０３としては、上述した発光性の有機化合物（ゲ
スト材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。ホスト材料として
は、各種のものを用いることができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位
）が高く、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。

ホスト材料としては、具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ
）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）
（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（
ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフ
ェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛
（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（
ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（
ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−
ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イ
ル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（
４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２
’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイ
ミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキ
ュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物や、９−［４−（１０−フェニル−９−
アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル
−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略
称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略
称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）
、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジ
イル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイ
ル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，
５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略
称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセンなどの縮合
芳香族化合物、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フ
ェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェ
ニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル
−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３
−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニ
ル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：
ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル
−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ
）、ＴＰＤ、ＤＦＬＤＰＢｉ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物などを用いることがで
きる。

また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブ
レン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギ
ー移動をより効率良く行うためにＮＰＢ、あるいはＡｌｑ等をさらに添加してもよい。

ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光性の有機化合物を含
む層７０３の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる
濃度消光を抑制することができる。

また、発光性の有機化合物を含む層７０３として高分子化合物を用いることができる。
具体的には、青色系の発光材料として、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−
ジイル）（略称：ＰＦＯ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）
−ｃｏ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＤＭＯＰ）
、ポリ｛（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−［Ｎ，Ｎ’−ジ−
（ｐ−ブチルフェニル）−１，４−ジアミノベンゼン］｝（略称：ＴＡＢ−ＰＦＨ）など
が挙げられる。また、緑色系の発光材料として、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（略称
：ＰＰＶ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ａｌｔ−ｃｏ
−（ベンゾ［２，１，３］チアジアゾール−４，７−ジイル）］（略称：ＰＦＢＴ）、ポ
リ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−ａｌｔ−ｃｏ−（２
−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−フェニレン）］などが挙げられ
る。また、橙色〜赤色系の発光材料として、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘ
キソキシ）−１，４−フェニレンビニレン］（略称：ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ（３−ブチ
ルチオフェン−２，５−ジイル）（略称：Ｒ４−ＰＡＴ）、ポリ｛［９，９−ジヘキシル
−２，７−ビス（１−シアノビニレン）フルオレニレン］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５−ビ
ス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン］｝、ポリ｛［２−メトキシ−
５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−ビス（１−シアノビニレンフェニレン）］−
ａｌｔ−ｃｏ−［２，５−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン］
｝（略称：ＣＮ−ＰＰＶ−ＤＰＤ）などが挙げられる。

また、発光性の有機化合物を含む層を複数設け、それぞれの層の発光色を異なるものに
することで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光性
の有機化合物を含む層を２つ有する発光素子において、第１の発光性の有機化合物を含む
層の発光色と第２の発光性の有機化合物を含む層の発光色を補色の関係になるようにする
ことで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色
とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光
する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、発光性の有
機化合物を含む層を３つ以上有する発光素子の場合でも同様である。

電子輸送層７０４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質と
しては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（
４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒド
ロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、
キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビ
ス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）
_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（Ｂ
ＴＺ）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いるこ
とができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビ
ス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル
］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェ
ナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いるこ
とができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する
物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以
上積層したものとしてもよい。

電子注入層７０５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層７０５には、
リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム
、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用
いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることがで
きる。また、上述した電子輸送層７０４を構成する物質を用いることもできる。

なお、上述した正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７
０３、電子輸送層７０４、電子注入層７０５は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）
、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

ＥＬ層は、図９（Ｂ）に示すように、第１の電極１０３と第２の電極１０７との間に複
数積層されていてもよい。この場合、積層された第１のＥＬ層８００と第２のＥＬ層８０
１との間には、電荷発生層８０３を設けることが好ましい。電荷発生層８０３は上述の複
合材料で形成することができる。また、電荷発生層８０３は複合材料からなる層と他の材
料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与
性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることが
できる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こ
り難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子と
することが容易である。また、一方のＥＬ層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容
易である。この構造は上述のＥＬ層の構造と組み合わせて用いることができる。

また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所
望の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第
１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光
素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合す
ると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から
得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、３つ以上のＥＬ層を有す
る発光素子の場合でも同様である。

ＥＬ層１０５は、図９（Ｃ）に示すように、第１の電極１０３と第２の電極１０７との
間に、正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、電子
輸送層７０４、電子注入バッファー層７０６、電子リレー層７０７、及び第２の電極１０
７と接する複合材料層７０８を有していてもよい。

第２の電極１０７と接する複合材料層７０８を設けることで、特にスパッタリング法を
用いて第２の電極１０７を形成する際に、ＥＬ層１０５が受けるダメージを低減すること
ができるため、好ましい。複合材料層７０８は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物に
アクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。

さらに、電子注入バッファー層７０６を設けることで、複合材料層７０８と電子輸送層
７０４との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層７０８で生じた電子を
電子輸送層７０４に容易に注入することができる。

電子注入バッファー層７０６には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、お
よびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭
酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロ
ゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩
を含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。

また、電子注入バッファー層７０６が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで
形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以
下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アル
カリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物
（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含
む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類
金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（
略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることも
できる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層７０４の材料と
同様の材料を用いて形成することができる。

さらに、電子注入バッファー層７０６と複合材料層７０８との間に、電子リレー層７０
７を形成することが好ましい。電子リレー層７０７は、必ずしも設ける必要は無いが、電
子輸送性の高い電子リレー層７０７を設けることで、電子注入バッファー層７０６へ電子
を速やかに送ることが可能となる。

複合材料層７０８と電子注入バッファー層７０６との間に電子リレー層７０７が挟まれ
た構造は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層７
０６に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造
である。したがって、駆動電圧の上昇を防ぐことができる。

電子リレー層７０７は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のＬＵ
ＭＯ準位は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸
送層７０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるように形成する
。また、電子リレー層７０７がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー
準位も複合材料層７０８におけるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層７０
４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるようにする。具体的なエ
ネルギー準位の数値としては、電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質のＬ
ＵＭＯ準位は−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とすると
よい。

電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料
又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

電子リレー層７０７に含まれるフタロシアニン系材料としては、具体的にはＣｕＰｃ、
ＳｎＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｎ（ＩＩ） ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＺｎＰ
ｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｚｉｎｃ ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＣｏＰｃ（Ｃｏｂａ
ｌｔ（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ， β−ｆｏｒｍ）、ＦｅＰｃ（Ｐｈｔｈａ
ｌｏｃｙａｎｉｎｅ Ｉｒｏｎ）及びＰｈＯ−ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ ２，９，１６
，２３−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｏｘｙ−２９Ｈ，３１Ｈ−ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）
のいずれかを用いることが好ましい。

電子リレー層７０７に含まれる金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体として
は、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重
結合はアクセプター性（電子を受容しやすい性質）を有するため、電子の移動（授受）が
より容易になる。また、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられ
る。したがって、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を
低電圧でより安定に駆動することが可能になる。

金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好ま
しい。具体的には、ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｓｎ
ＯＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｎ（ＩＶ） ｏｘｉｄｅ ｃｏｍｐｌｅｘ
）及びＴｉＯＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ ｃ
ｏｍｐｌｅｘ）のいずれかは、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作
用しやすく、アクセプター性が高いため好ましい。

なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい
。具体的にはＰｈＯ−ＶＯＰｃのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が
好ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため
、発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため
、成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。

電子リレー層７０７はさらにドナー性物質を含んでいてもよい。ドナー性物質としては
、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物（アルカリ金属化合
物（酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸
塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、又は希
土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセ
ン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いる
ことができる。電子リレー層７０７にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子
の移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。

電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上
記した材料の他、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位よ
り高いＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位として
は、−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下の範囲にＬＵＭＯ
準位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘
導体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、
安定であるため、電子リレー層７０７を形成する為に用いる材料として、好ましい材料で
ある。

ペリレン誘導体の具体例としては、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無
水物（略称：ＰＴＣＤＡ）、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシリックビスベ
ンゾイミダゾール（略称：ＰＴＣＢＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチル−３，４，９，１０−ペ
リレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＰＴＣＤＩ−Ｃ８Ｈ）、Ｎ，Ｎ’−ジヘキシル
−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｈｅｘ ＰＴＣ）等が
挙げられる。

また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０
］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ）、２，３，６，７，
１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略
称：ＨＡＴ（ＣＮ）_６）、２，３−ジフェニルピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称：２
ＰＹＰＲ）、２，３−ビス（４−フルオロフェニル）ピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略
称：Ｆ２ＰＹＰＲ）等が挙げられる。

その他にも、７，７，８，８，−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、１，
４，５，８，−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＮＴＣＤＡ）、パーフルオ
ロペンタセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（略称：Ｆ_１６ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ
’−ビス（２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−ペンタデカ
フルオロオクチル）−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｎ
ＴＣＤＩ−Ｃ８Ｆ）、３’，４’−ジブチル−５，５’’−ビス（ジシアノメチレン）−
５，５’’−ジヒドロ−２，２’：５’，２’’−テルチオフェン）（略称：ＤＣＭＴ）
、メタノフラーレン（例えば、［６，６］−フェニルＣ_６１酪酸メチルエステル等を用い
ることができる。

なお、電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とド
ナー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層７０７を形成すればよい。

正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、及び電子
輸送層７０４は前述の材料を用いてそれぞれ形成すればよい。

以上により、本実施の形態のＥＬ層１０５を作製することができる。

本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施するこ
とができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を用いて完成させた照明装置の一例につ
いて、図１０を用いて説明する。

本発明の一態様では、発光部が曲面を有する照明装置を実現することができる。

本発明の一態様は、自動車の照明にも適用することができ、例えば、ダッシュボードや
、天井等に照明を設置することもできる。

図１０（Ａ）では、本発明の一態様を適用した、室内の照明装置９０１、卓上照明器具
９０３、及び面状照明装置９０４を示す。発光装置は大面積化も可能であるため、大面積
の照明装置として用いることができる。また、厚みが薄いため、壁に取り付けて使用する
ことができる。その他、ロール型の照明装置９０２として用いることもできる。

図１０（Ｂ）に別の照明装置の例を示す。図１０（Ｂ）に示す卓上照明装置は、照明部
９５０１、支柱９５０３、支持台９５０５等を含む。照明部９５０１は、本発明の一態様
の発光装置を含む。このように、本発明の一態様では、曲面を有する照明装置、又はフレ
キシブルに曲がる照明部を有する照明装置を実現することができる。このように、フレキ
シブルな発光装置を照明装置として用いることで、照明装置のデザインの自由度が向上す
るのみでなく、例えば、自動車の天井、ダッシュボード等の曲面を有する場所にも照明装
置を設置することが可能となる。

本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施するこ
とができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、上記実施の形態で作製した発光装置を適用した半導体装置について
、図１１を用いて説明する。

また、上記実施の形態にて作製した発光装置を適用した半導体装置としてさまざまな電
子機器（遊技機も含む）が挙げられる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（
テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタル
カメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯
電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの
大型ゲーム機などが挙げられる。

図１１（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置５００は、
筐体５０１に表示部５０３が組み込まれている。表示部５０３により、映像を表示するこ
とが可能である。また、ここでは、スタンド５０５により筐体５０１を支持した構成を示
している。

テレビジョン装置５００の操作は、筐体５０１が備える操作スイッチや、別体のリモコ
ン操作機５１０により行うことができる。リモコン操作機５１０が備える操作キー５０９
により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部５０３に表示される映像を操
作することができる。また、リモコン操作機５１０に、当該リモコン操作機５１０から出
力する情報を表示する表示部５０７を設ける構成としてもよい。

なお、テレビジョン装置５００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機に
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向
（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図１１（Ｂ）は、デジタルフォトフレームの一例を示している。例えば、デジタルフォ
トフレーム５２０は、筐体５２１に表示部５２３が組み込まれている。表示部５２３は、
各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影した画像データ
を表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。

なお、デジタルフォトフレーム５２０は、操作部、外部接続用端子（ＵＳＢ端子、ＵＳ
Ｂケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える構
成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に
備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒
体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像デー
タを取り込み、取り込んだ画像データを表示部５２３に表示させることができる。

また、デジタルフォトフレーム５２０は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。
無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。

図１１（Ｃ）は携帯型のコンピュータの一例を示す斜視図である。

図１１（Ｃ）の携帯型のコンピュータ５４０は、上部筐体５４１と下部筐体５４２とを
接続するヒンジユニットを閉状態として表示部５４３を有する上部筐体５４１と、キーボ
ード５４４を有する下部筐体５４２とを重ねた状態とすることができ、持ち運ぶことが便
利であるとともに、使用者がキーボード入力する場合には、ヒンジユニットを開状態とし
て、表示部５４３を見て入力操作を行うことができる。

また、下部筐体５４２はキーボード５４４の他に入力操作を行うポインティングデバイ
ス５４６を有する。また、表示部５４３をタッチ入力パネルとすれば、表示部の一部に触
れることで入力操作を行うこともできる。また、下部筐体５４２はＣＰＵやハードディス
ク等の演算機能部を有している。また、下部筐体５４２は他の機器、例えばＵＳＢの通信
規格に準拠した通信ケーブルが差し込まれる外部接続ポート５４５を有している。

上部筐体５４１には更に上部筐体５４１内部にスライドさせて収納可能な表示部５４７
を有しており、広い表示画面を実現することができる。また、収納可能な表示部５４７の
画面の向きを使用者は調節できる。また、収納可能な表示部５４７をタッチ入力パネルと
すれば、収納可能な表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。

また、図１１（Ｃ）の携帯型のコンピュータ５４０は、受信機などを備えた構成として
、テレビ放送を受信して映像を表示部に表示することができる。また、上部筐体５４１と
下部筐体５４２とを接続するヒンジユニットを閉状態としたまま、表示部５４７をスライ
ドさせて画面全面を露出させ、画面角度を調節して使用者がテレビ放送を見ることもでき
る。この場合には、ヒンジユニットを閉状態として表示部５４３を表示させず、さらにテ
レビ放送を表示するだけの回路の起動のみを行うため、最小限の消費電力とすることがで
き、バッテリー容量の限られている携帯型のコンピュータにおいて有用である。

上記実施の形態で例示した表示装置をこのような電子機器等の半導体装置に各表示部に
適用することにより、信頼性の高い半導体装置を実現することができる。

本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施するこ
とができる。

１００ 発光装置
１０１ 基板
１０３ 下部電極層
１０５ ＥＬ層
１０７ 上部電極層
１０９ 隔壁
１１１ 補助配線
１１３ 配線
１１５ 分離層
１１７ 補助配線
１１９ 隔壁
１２１ 補助配線
１３１ 補助配線
１３１ａ 脚部
１３１ｂ 台部
１４１ 補助配線
１４１ａ 脚部
１４１ｂ 台部
１５１ 補助配線
１５３ 配線
１６１ 導電膜
１６３ レジスト
１６５ 犠牲層
１６７ 導電膜
１７１ 補助配線
１７１ａ 脚部
１７１ｂ 台部
１７５ 接続層
１８１ 補助配線
１８１ａ 脚部
１８１ｂ 台部
１８３ 下部電極層
１８５ 配線
２００ 表示装置
２０１ 画素部
２０３ 下部電極層
２０５ ＥＬ層
２０７ 上部電極層
２０９ 隔壁
２１１ 補助配線
２２０ トランジスタ
２２１ 下地膜
２２３ 半導体層
２２５ ゲート電極
２２７ 第１電極
２２９ 第２電極
２３１ 第１絶縁層
２３３ 第２絶縁層
３００ 照明装置
３０１ａ 第１の基板
３０１ｂ 第２の基板
３０３ 発光装置
３０５ａ シール材
３０５ｂ シール材
３０７ａ 第１のガラス層
３０７ｂ 第２のガラス層
３０９ コンバータ
３２０ 照明装置
５００ テレビジョン装置
５０１ 筐体
５０３ 表示部
５０５ スタンド
５０７ 表示部
５０９ 操作キー
５１０ リモコン操作機
５２０ デジタルフォトフレーム
５２１ 筐体
５２３ 表示部
５４０ コンピュータ
５４１ 上部筐体
５４２ 下部筐体
５４３ 表示部
５４４ キーボード
５４５ 外部接続ポート
５４６ ポインティングデバイス
５４７ 表示部
７０１ 正孔注入層
７０２ 正孔輸送層
７０３ 発光性の有機化合物を含む層
７０４ 電子輸送層
７０５ 電子注入層
７０６ 電子注入バッファー層
７０７ 電子リレー層
７０８ 複合材料層
８００ 第１のＥＬ層
８０１ 第２のＥＬ層
８０３ 電荷発生層
９０１ 照明装置
９０２ 照明装置
９０３ 卓上照明器具
９０４ 面状照明装置
９５０１ 照明部
９５０３ 支柱
９５０５ 支持台

Claims (4)

1. 基板上の下部電極層と、
   前記下部電極層と同層に設けられた配線と、
   前記配線上の補助配線と、
   前記下部電極層上のＥＬ層と、
   前記ＥＬ層上の上部電極層と、を有し、
   前記補助配線は、導電性を有し、且つその上部が前記基板に水平な方向にせり出した形状を有し、
   前記補助配線は、前記下部電極層と電気的に分離され、
   前記上部電極層は、前記補助配線と電気的に接続され、
   前記補助配線は、第１の層と、第２の層と、前記第１の層及び前記第２の層の間に設けられた導電層と、を有し、
   前記第１の層は、有機樹脂を含み、
   前記第１の層は、前記配線上に設けられ、
   前記導電層は、前記第１の層の少なくとも側面を覆うとともに、前記配線の上面と接する領域を有し、
   前記第２の層は、前記導電層上に設けられることを特徴とする発光装置。
2. 請求項１において、
   前記上部電極層は、前記ＥＬ層が発する光に対して透光性を有し、
   前記下部電極層は、前記光に対して反射性を有することを特徴とする発光装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の発光装置を具備した照明装置。
4. 請求項１または請求項２に記載の発光装置を具備した表示装置。

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