CN106876426B - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

公开了一种根据实施方案的有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示装置包括：阳极电极，其在限定在基板上的多个像素中的每一个中；在阳极电极上的堤部和有机发光层；在有机发光层上的阴极电极；以及连接至阴极电极的辅助电极。辅助电极布置在堤部上，从而辅助电极设置在与阳极电极不同的层上。

Description

有机发光显示装置及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年10月29日提交的韩国专利申请第10-2015-0151375号的优先权权益，其全部内容通过引用并入本文中，就好像在本文中完全阐述一样。

技术领域

本发明涉及有机发光显示装置，更具体地，涉及顶部发光型透明有机发光显示装置及其制造方法。

背景技术

有机发光显示装置是自发光装置并且具有低功耗、快速响应时间、高发光效率、高亮度、以及宽视角。基于从有机发光装置发射的光的透射方向，有机发光显示装置分为顶部发光型和底部发光型。在底部发光型中，电路元件设置在发光层与图像显示表面之间，并且为此，开口率降低。另一方面，在顶部发光型中，电路元件没有设置在发光层与图像显示表面之间，并且由此，开口率增强。

图1是示出了相关技术的顶部发光型有机发光显示装置的示意性截面图。如图1中所示，可以在基板10上的有源区AA中形成薄膜晶体管(TFT)层T、钝化层20，第一平坦化层31、第二平坦化层32、第一阳极电极40、第二阳极电极60、第一辅助电极50、第二辅助电极70、堤部80、隔壁92、有机发光层94、以及阴极电极96。

TFT层T包括有源层11、栅极绝缘层12、栅电极13、层间电介质14、源电极15、以及漏电极16。第一阳极电极40和第一辅助电极50形成在第一平坦化层31上，并且第二阳极电极60和第二辅助电极70形成在第二平坦化层32上。第一辅助电极50连同第二辅助电极70一起减小阴极电极96的电阻。

堤部80形成在第二阳极电极60和第二辅助电极70上以限定像素区，并且有机发光层94形成在由堤部80限定的像素区中。阴极电极96形成在有机发光层94上。

隔壁92形成在第二辅助电极70上。隔壁92与堤部80间隔一定距离，并且第二辅助电极70和阴极电极96通过隔壁92与堤部80之间的间隔空间而彼此连接，以减小阴极电极96的电阻。

在顶部发光型中，从有机发光层94发射的光通过阴极电极96被释放。因此，阴极电极96由透明导电材料形成，并且为此，阴极电极96的电阻高。为了降低阴极电极96的电阻，阴极电极96连接至第一辅助电极50和第二辅助电极70。

特别地，在图1中所示的相关技术的有机发光显示装置中，形成有彼此连接的两个辅助电极(例如，第一辅助电极50和第二辅助电极70)用于减小阴极电极96的电阻。在这种情况下，第二辅助电极70与第二阳极电极60形成在同一层上，并且由此，如果第二辅助电极70的宽度被扩大以减小阴极电极96的电阻，则第二辅助电极60的宽度应减小。在这种情况下，显示装置的像素区减小，并且为此，存在对可以扩大第二辅助电极70的宽度的量的限制。因此，在相关技术中，为了解决该问题，第一辅助电极50附加地形成在第二辅助电极70下方，从而减小阴极电极96的电阻而像素区没有减小。

相关技术的顶部发光型有机发光显示装置具有以下问题。在包括透光部和发光部的透明有机发光显示装置中，透光部应形成为使透光率最大化，并且对此，所有元件应堆叠在发光部中。然而，当TFT层T堆叠在发光部中时，难以使得辅助电极以合适的方式堆叠在发光部中，并且为此，辅助电极应与TFT层T分开堆叠。应垂直堆叠两个辅助电极用于在有限空间中堆叠两个辅助电极。另外，由于使用分别的掩模用于在一个之上堆叠另一个地堆叠两个辅助电极，所以掩模的数量增加，并且为此，制造工艺变得复杂。因此，需要有效地减小阴极电极96的电阻而不增加掩模数量的技术。

发明内容

因此，本发明涉及提供一种顶部发光型的透明有机发光显示装置及其制造方法，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。

本发明的一个方面涉及提供一种顶部发光型透明有机发光显示装置及其制造方法，其提供了有效减小阴极电极的电阻并且减少掩模数量的辅助电极的区域，从而简化了制造工艺。

本发明的另外的优点和特征将阐述于下面的说明中，并且由于该说明而部分明显，或者可以从本发明的实施方案的实践中获知本发明的另外的特征和优点。通过在所撰写的说明书及其权利要求中以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的这些目的和其他优点。

为了实现这些和其他优点，并且根据本发明的实施方案的目的，如本文中体现和宽泛地描述的，提供了一种有机发光显示装置，其包括：限定在基板上的多个像素中的每一个中的阳极电极；在阳极电极上的堤部和有机发光层；在有机发光层上的阴极电极，以及连接至阴极电极的辅助电极，其中辅助电极设置为与阳极电极分开并且设置在堤部上的层。

在本发明的另一方面中，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，其包括：在基板上形成阳极电极；在阳极电极上形成第一堤部；在第一堤部上形成辅助电极；以及在辅助电极上形成第二堤部，在阳极电极上形成有机发光层；以及在有机发光层上形成连接至辅助电极的阴极电极。

应理解，本发明的以上一般描述和以下详细描述是示例性和说明性的，并意图对要求保护的本发明提供进一步的解释。

附图说明

本申请包括附图以提供对本发明的进一步理解，附图并入本文中并且构成本申请的一部分，附图示出本发明的实施方案并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是相关技术的顶部发光型有机发光显示装置的示意性截面图；

图2是示出根据本发明的实施方案的有机发光显示装置的像素的俯视图；

图3是在根据本发明的实施方案的有机发光显示装置中沿图2的线A-A截取的截面图；以及

图4A至图4H是示出制造根据本发明的实施方案的有机发光显示装置的方法的工艺截面图。

具体实施方式

现在将详细参照本发明的示例性实施方案，其示例在附图中示出。在任何可能的情况下，遍及附图将使用相同的附图标记指代相同或相似的部件。

将参照附图通过下述实施方案来阐明本发明的优点和特征及其实现方法。然而，本发明可以以不同的形式实现，并且不应解释为限于本文中所阐述的实施方案。而是，提供这些实施方案以使得对于本领域技术人员而言本公开是彻底并且完整的，并且充分表达本发明的概念。此外，本发明仅由权利要求的范围限定。

在用于描述本发明的实施方案的附图中所公开的形状、尺寸、比例、角度以及数字仅是示例，并且由此，本发明不限于所示细节。相似的附图标记指代相似的元件。在下面的描述中，当相关已知功能或配置的详细描述确定为不必要地模糊本发明的重要点时，将省略其详细说明。在使用本说明书中描述的“包含”、“具有”、以及“包括”的情况下，除非使用“仅”，否则可以添加另一部分。除非有相反指代，否则单数形式的术语可以包括复数形式。

在解释元件时，尽管没有明确描述，但是元件解释为包括误差范围。

在描述位置关系时，例如，当两个部件之间的位置关系被描述为“在...上”、“在...上方”、“在...下方”、以及“在...旁”时，除非使用“仅(just)”或“直接”，否则可以在这两个部件之间设置一个或更多个其他部件。

在描述时间关系时，例如，当时间顺序描述为“之后”、“随后”、“接下来”、以及“之前”时，除非使用“仅(just)”或“直接”，否则可以包括不连续的情况。

应理解，虽然术语“第一”、“第二”等可以在本文中用来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与其他元件。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

本发明的各种实施方案的特征可以部分地或整体地彼此结合或组合，并且可以如本领域技术人员所能够充分理解的那样彼此各种交互操作和技术驱动。本发明的实施方案可以彼此独立地实现，或者可以以共同依赖的关系一起实现。

下文中，将参照附图详细描述本发明的示例性实施方案。

图2是示出根据本发明的实施方案有机发光显示装置的像素的俯视图。可以在根据本发明的实施方案的有机发光显示装置的基板上限定多个像素。如图2中所示，多个像素中的每一个可以包括设置有四个子像素的发光区，以及透射区。

四个子像素可以包括发射红色(R)光的子像素、发射白色(W)光的子像素、发射蓝色(B)光的子像素、以及发射绿色(G)光的子像素，但不限于此。下文中，将详细描述四个子像素中的每一个的结构。

子像素中的每一个可以包括薄膜晶体管(TFT)T、阳极电极180、第一堤部191、辅助电极200、以及阴极电极。TFT T可以响应于通过栅极线提供的栅极信号而向阳极电极180提供通过数据线提供的数据信号。

阳极电极180可以布置在每一个子像素的发光区中。阳极电极180可以通过接触孔连接至TFT T的源电极，并且可以通过TFT T提供有数据信号。

辅助电极200可以布置在第一堤部191上以在一个平面上围绕相邻子像素之间的边界区域。特别地，辅助电极200可以布置在每一个子像素的四侧上。即，由于辅助电极200布置在第一堤部191上，所以辅助电极200可以设置在与阳极电极180不同的层上，以使辅助电极200与阳极电极180分开。辅助电极200可以连接至下述的阴极电极以减小阴极电极的电阻。虽然辅助电极200可以设置成以闭合的形式围绕一个子像素的四侧的闭合形式，但不限于此。在其他实施方案中，辅助电极200基于阴极电极的电阻减小的程度可以设置成仅围绕一个子像素的四侧中的一些。

如上所述，透明有机发光显示装置可以包括发光区和透射区。为了不影响透射区的开口率，辅助电极200可以设置在相邻子像素之间的边界区域中的线(例如，栅极线和感测线)上。

特别地，在相关技术的有机发光显示装置中，辅助电极形成为用于充分扩大辅助电极的区域以有效减小阴极电极的电阻的多个层。另一方面，在本实施方案中，由于辅助电极200仅形成为一层，所以垂直堆叠辅助电极200的掩模工艺的数量减少。

然而，由于辅助电极200仅形成为一层，所以按照相关技术可能不充分获得用于减小阴极电极的电阻所需的辅助电极200的区域。为此，在本实施方案中，由于辅助电极200形成为围绕每一个子像素的四侧，所以使得充分获得了用于减小阴极电极的电阻所需的辅助电极200的区域。此外，在本实施方案中，由于辅助电极200形成在相邻子像素之间的边界区域中，所以每一个子像素的开口率保持为原样。

阴极电极形成在包括像素区以及像素区之间的空间的整个区域中，像素区包括发光区和透射区。阴极电极可以连接至驱动电源单元并且被提供驱动电力。

图3是在根据本发明的实施方案的有机发光显示装置中沿图2的线A-A截取的截面图。如图3中所示，根据本发明的实施方案的有机发光显示装置可以包括布置在基板100上的有源区AA和焊盘区。

可以在基板100上的有源区AA中形成TFT层T、钝化层165、平坦化层170、阳极电极180、第一堤部191、辅助电极200、第二堤部192、有机发光层210、以及阴极电极220。TFT层T可以包括有源层110、栅极绝缘层120、栅电极130、层间电介质140、源电极150、以及漏电极160。

有源层110可以形成在基板100上以交叠栅电极130。有源层110可以由硅基半导体材料形成，或者可以由氧化物基半导体材料形成。还可以在基板100与有源层110之间形成遮光层，并且在这种情况下，通过基板100的底部入射的外部光被遮光层阻挡，从而防止有源层110因外部光而受损。

栅极绝缘层120可以形成在有源层110上。栅极绝缘层120可以使有源层110与栅电极130绝缘。栅极绝缘层120可以由无机绝缘材料例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多层形成，但不限于此。栅极绝缘层120可以延伸至包括透射区TA的有源区AA的整个部分。

栅电极130可以形成在栅极绝缘层120上。栅电极130可以形成为交叠有源层110，在其之间具有栅极绝缘层120。栅电极130可以由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、以及铜(Cu)或其合金之一的单层或多层形成，但不限于此。

层间电介质140可以形成在栅电极130上。层间电介质140可以由与栅极绝缘层120相同的无机绝缘材料形成，例如可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多层形成，但不限于此。层间电介质140可以延伸至包括透射区TA的有源区AA的整个部分。

源电极150和漏电极160可以在层间电介质140上形成为彼此面对。可以在栅极绝缘层120和层间电介质140中包含用于使有源层110的一个末端区域露出的第一接触孔CH1，以及用于使有源层110的另一末端区域露出的第二接触孔CH2。源电极150可以通过第二接触孔CH2连接至有源层110的所述另一末端区域，并且漏电极160可以通过第一接触孔CH1连接至有源层110的所述一个末端区域。

源电极150可以包括下源电极151和上源电极152。下源电极151可以形成在层间电介质140与上源电极152之间，以增强层间电介质140与上源电极152之间的粘附力。另外，下源电极151保护上源电极152的底部，从而防止上源电极152的底部被腐蚀。因此，下源电极151的氧化速率可以低于上源电极152的氧化速率。即，下源电极151可以由相比于包括在上源电极152中的材料耐腐蚀性更强的材料形成。如上所述，下源电极151可以用作为粘附增强层或抗腐蚀层，并且可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。

上源电极152可以形成在下源电极151的顶部上。上源电极152可以由电阻低的金属Cu形成，但不限于此。上源电极152可以由相比于下源电极151电阻相对更低的金属形成。为了降低源电极150的总电阻，上源电极152的厚度可以形成为厚于下源电极151的厚度。

与上述源电极150类似，漏电极160可以包括下漏电极161和上漏电极162。下漏电极161可以形成在层间电介质140与上漏电极162之间，以增强层间电介质140与上漏电极162之间的粘附力，并且防止上漏电极162的底部被腐蚀。因此，下漏电极161的氧化速率可以低于上漏电极162的氧化速率。即，下漏电极161可以由相比于包括在上漏电极162中的材料耐腐蚀性更强的材料形成。如上所述，下漏电极161可以由与下源电极151的上述材料相同的Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。

上漏电极162可以形成在下漏电极161的顶部上，并且可以由与上源电极152的上述材料相同的Cu形成，但不限于此。上漏电极162的厚度可以形成为厚于下漏电极161的厚度，从而降低漏电极160的总电阻。

上漏电极162可以由与上源电极152相同的材料形成，以具有与上源电极152相同的厚度，并且下漏电极161可以由与下源电极151相同的材料形成，并且具有与下源电极151相同的厚度。在这种情况下，漏电极160和源电极150可以通过相同的工艺同时形成。

TFT T的结构不限于所示结构，并且可以以各种不同方式调整成本领域技术人员已知的结构。例如，在附图中示出了栅电极130形成在有源层110上的顶部栅极结构，但是TFT T可以形成为栅电极130形成在有源层110下方的底部栅极结构。

钝化层165可以形成在TFT层T上，并且特别地，可以形成在源电极150和漏电极160的顶部上。钝化层165保护TFT层T。钝化层165可以由无机绝缘材料(例如，SiOx和SiNx)形成，但不限于此。钝化层165可以延伸至包括透射区TA的有源区AA的整个部分。

平坦化层170可以形成在钝化层165上。平坦化层170可以使基板100的包括TFT层T的上表面平坦化。平坦化层170可以由有机绝缘材料例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等形成，但不限于此。平坦化层170可以延伸至包括透射区TA的有源区AA的整个部分。

阳极电极180可以形成在平坦化层170上。可以在钝化层165和平坦化层170中包括使源电极150露出的第三接触孔CH3，并且源电极150可以通过第三接触孔CH3连接至阳极电极180。

阳极电极180可以使从有机发光层220发射的光向上方向反射，并且由此可以包括反射性良好的材料。阳极电极180可以包括下阳极电极181、中心阳极电极182、以及上阳极电极183。

下阳极电极181可以形成在平坦化层170与中心阳极电极182之间。下阳极电极181保护中心阳极电极182的底部，从而防止中心阳极电极182的底部被腐蚀。因此，下阳极电极181的氧化速率可以低于中心阳极电极182的氧化速率。即，下阳极电极181可以由相比于包括在中心阳极电极182中的材料耐腐蚀性更强的材料形成。下阳极电极181可以由透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)等形成，但不限于此。

中心阳极电极182可以形成在下阳极电极181与上阳极电极183之间。中心阳极电极182可以由相比于下阳极电极181和上阳极电极183电阻更低并且反射性更良好的材料形成，并且例如，可以由银(Ag)等形成。然而，本实施方案不限于此。电阻相对低的中心阳极电极182的厚度可以形成为厚于电阻相对高的下阳极电极181和上阳极电极183中的每一个，从而降低阳极电极180的总电阻。

上阳极电极183可以形成在中心阳极电极182的顶部上，从而防止中心阳极电极182的顶部被腐蚀。对此，上阳极电极183的氧化速率可以低于中心阳极电极182的氧化速率。即，上阳极电极183可以由相比于包括在中心阳极电极182中的材料耐腐蚀性更强的材料形成。上阳极电极183可以由透明导电材料例如ITO等形成，但不限于此。

第一堤部191可以形成在阳极电极180上。第一堤部191可以形成在阳极电极180的一侧和另一侧上以使阳极电极180的顶部露出。由于第一堤部191形成为使阳极电极180的顶部露出，所以获得了显示图像的区域。另外，由于第一堤部191形成在阳极电极180的一侧和另一侧上，所以阳极电极180易受腐蚀的侧表面不暴露于外部，从而防止阳极电极180的侧表面被腐蚀。第一堤部191可以由有机绝缘材料(例如，聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、苯并环丁烯(BCB)等)形成，但不限于此。

辅助电极200可以形成在第一堤部191上。即，在本发明的实施方案中，辅助电极200可以形成在第一堤部191上，第一堤部191形成在阳极电极180上，并且由此形成在与阳极电极180不同的层上，以将辅助电极与阳极电极分开。辅助电极200可以连接至阴极电极220以降低阴极电极220的电阻。

如上所述，透明有机发光显示装置可以包括发光区和透射区，并且为了不影响透射区的开口率，辅助电极200可以设置在相邻子像素之间的边界区域中的线(例如，数据线、栅极线以及感测线)上。特别地，在相关技术的有机发光显示装置中，辅助电极形成在用于充分扩大辅助电极的面积以有效减小阴极电极的电阻的多个层上。而另一方面，在本实施方案中，由于辅助电极200仅形成在与在其上形成阳极电极180的层不同的一层上，所以垂直堆叠辅助电极200的掩模工艺的数量减少。

然而，由于辅助电极200仅形成在一层上，所以根据相关技术无法充分获得用于减小阴极电极220的电阻所需的辅助电极200的区域。为此，在本实施方案中，由于辅助电极200形成为围绕每一个子像素的四侧，所以用于减小阴极电极220的电阻所需的辅助电极200的充分的区域得以实现。

辅助电极200可以包括下辅助电极201、上辅助电极202、以及盖辅助电极203。

下辅助电极201可以形成在第一堤部191与上辅助电极202之间，以增强第一堤部191与上辅助电极202之间的粘附力，并且防止上辅助电极202的底部被腐蚀。因此，下辅助电极201的氧化速率可以低于上辅助电极202的氧化速率。即，下辅助电极201可以由相比于包括在上辅助电极202中的材料耐腐蚀性更强的材料形成。如上所述，下辅助电极201可以用作为粘附增强层或抗腐蚀层并且可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。

上辅助电极202可以形成在下辅助电极201与盖辅助电极203之间。上辅助电极202可以由电阻低的铜(Cu)形成，但不限于此。上辅助电极202可以由相比于下辅助电极201和盖辅助电极203电阻相对更低的材料形成。电阻相对低的上辅助电极202的厚度可以形成为厚于电阻相对高的下辅助电极201和盖辅助电极203中的每一个，从而降低辅助电极200的总电阻。

盖辅助电极203可以形成在上辅助电极202上。盖辅助电极203可以形成为覆盖上辅助电极202的顶表面和侧表面，从而防止上辅助电极202被腐蚀。对此，盖辅助电极203的氧化速率可以低于上辅助电极202的氧化速率。即，盖辅助电极203可以由相比于包括在上辅助电极202中的材料耐腐蚀性更强的材料形成。

此外，盖辅助电极203可以形成为覆盖(cover up)下辅助电极201的顶表面和侧表面。在这种情况下，盖辅助电极203的氧化速率可以低于下辅助电极201的氧化速率。即，盖辅助电极203可以由相比于包括在下辅助电极201中的材料耐腐蚀性更强的材料形成。盖辅助电极203可以由透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)等形成，但不限于此。

在本发明的一种实施方案中，盖辅助电极203可以形成为在阴极电极220连接至辅助电极200的特定区域中不覆盖下辅助电极201和上辅助电极202中的每一个的侧表面，使得阴极电极220连接至辅助电极200以减小阴极电极220的电阻。

由于辅助电极200在特定区域中仅包括下辅助电极201和盖辅助电极203，所以下辅助电极201和盖辅助电极203可以在特定区域中彼此隔开对应于上辅助电极202的高度的距离，并且下辅助电极201和阴极电极220可以通过下辅助电极201与盖辅助电极203之间的间隔空间而彼此电连接。

同时，辅助电极200连接至阴极电极的特定区域C的宽度X(如图2中所示)可以基于阴极电极沉积在辅助电极200上的状态来确定。即，如果阴极电极无法正常连接至辅助电极200，则期望特定区域C扩大。

具体地，特定区域C可以设置在通过蚀刻辅助电极200的上辅助电极202而形成的在下辅助电极201与盖辅助电极203之间的间隔空间中，并且因此，在本实施方案中，特定区域C的宽度X可以通过使上辅助电极被蚀刻的区域变宽或变窄来调整。

如上所述，与图1中所示的相关技术的有机发光显示装置不同，在本发明的一种实施方案中，在特定区域中下辅助电极201和阴极电极220可以通过去除上辅助电极202获得的空间彼此电连接，而没有为了获得使阴极电极和辅助电极能够彼此连接的空间而分立地形成隔壁。

在本发明的实施方案中，盖辅助电极203和第二堤部192可以用作为檐部，并且由此，由于有机发光层210没有沉积在檐部下方，所以下辅助电极201可以露出。特别地，有机发光层210可以通过沉积工艺例如沉积材料的平直性优异的蒸渡工艺形成，并且由此，在沉积有机发光层210的过程中，有机发光层210没有沉积在下辅助电极201与盖辅助电极203之间的间隔空间S中。

在图3中，示出辅助电极200和阳极电极180彼此不交叠，但是本发明不限于此。在其他实施方案中，基于设计裕度，辅助电极200和阳极电极180可以形成为使得辅助电极200的部分区域交叠阳极电极180的部分区域。

第二堤部192可以形成在辅助电极200上。第二堤部192可以形成在辅助电极200上以使辅助电极200的特定区域露出。即，由于第二堤部192形成在辅助电极200上，所以辅助电极200不暴露于外部，并且由此，有机发光层210不沉积在辅助电极200上。然而，如上所述，第二堤部192可以形成在辅助电极200上以使辅助电极200的特定区域露出，使得能够使阴极电极220连接至辅助电极200的空间暴露于外部。

特别地，由于第二堤部192通过使用用于形成辅助电极200的掩模而与辅助电极200同时形成，所以与图1中所示的相关技术的有机发光显示装置相比，掩模的数量减少。下面将描述形成第二堤部192的详细过程。

第二堤部192可以由与第一堤部191相同的有机绝缘材料(例如，聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、苯并环丁烯(BCB)等)形成，但不限于此。第一堤部191和第二堤部192可以由不同材料形成。

有机发光层210可以形成在阳极电极180上。有机发光层210可以包括空穴注射层、空穴传输层、发光层、电子传输层、以及电子注射层。有机发光层210可以被调整成具有本领域技术人员已知的各种结构。

有机发光层210可以延伸至第二堤部192的顶部，然而，有机发光层210可以不延伸至覆盖辅助电极200的特定区域的辅助电极200的顶部。这是因为当有机发光层210覆盖辅助电极200(特别地，下辅助电极201)的顶部时，难以将下辅助电极201电连接至阴极电极220。如上所述，有机发光层210可以在没有覆盖辅助电极200的顶部的掩模的情况下通过沉积工艺形成，并且在这种情况下，有机发光层210可以形成在下辅助电极201的在特定区域中露出的侧表面上。

阴极电极220可以形成在有机发光层210上。阴极电极220可以形成在光从其被发射的表面上，并且由此可以由透明导电材料形成。由于阴极电极220由透明导电材料形成，所以阴极电极220的电阻高，并且为此，为了降低阴极电极220的电阻，阴极电极220可以连接至辅助电极200。具体地，阴极电极220可以通过下辅助电极201与盖辅助电极203之间的间隔空间而连接至下辅助电极201。阴极电极220可以通过沉积工艺(例如，沉积材料不具有良好平直性的溅射工艺)形成，并且由此，在沉积阴极电极220的过程中，阴极电极220可以沉积在下辅助电极201与盖辅助电极203之间的间隔空间中。

还可以在阴极电极220上形成防止水的渗透的封装层。封装层可以使用本领域技术人员已知的各种材料。另外，还可以对于每一个子像素以及在阴极电极220上形成滤色器，并且在这种情况下，可以从有机发光层220发射白色光。

图4A至图4H是示出制造根据本发明的实施方案的有机发光显示装置的方法的工艺截面图，以及涉及制造上述图3的有机发光显示装置的方法。由此，相似的附图标记指代相似的元件，并且对于每一个元件的材料和结构，不重复相同或相似的描述。

首先，如图4A所示，可以在基板100上依次形成有源层110、栅极绝缘层120、栅电极130、层间电介质140、源电极150、以及漏电极160。特别地，可以在基板100上形成有源层110，可以在有源层110上形成栅极绝缘层120，并且可以在栅极绝缘层120上形成栅电极130，可以在栅电极130上形成层间电介质140，并且可以在栅极绝缘层120和层间电介质140中形成第一接触孔CH1和第二接触孔CH2。接着，可以形成通过接触孔CH1连接至有源层110的一个末端区域的漏电极160，以及可以形成通过第二接触孔CH2连接至有源层110的另一末端区域的源电极150。

具体地，有源层110、栅电极130、源电极150、以及漏电极160可以形成在基板100的发光区中。栅极绝缘层120和层间电介质140可以形成在包括透射区和发光区的有源区AA中。

源电极150可以包括下源电极151和上源电极152，并且漏电极160可以包括下漏电极161和上漏电极162。源电极150和漏电极160可以通过相同的图案化工艺由相同材料同时形成。

接着，如图4B中所示，可以在源电极150和漏电极160上形成钝化层165，以及可以在钝化层165上形成平坦化层170。钝化层165和平坦化层170可以形成在包括透射区和发光区的有源区AA中。可以在有源区AA中的钝化层165和平坦化层170中形成第三接触孔，并且源电极150可以通过第三接触孔CH3暴露于外部。

接着，如图4C中所示，可以在有源区AA中的平坦化层170上形成阳极电极180，并且可以在阳极电极180上形成第一堤部191。阳极电极180可以形成为通过第三接触孔CH3而连接至源电极150。阳极电极180可以包括下阳极电极181、中心阳极电极182、以及上阳极电极183。

第一堤部191可以通过使用半色调掩模而形成为具有不同厚度。特别地，第一堤部191可以形成为在阳极电极180的一侧和另一侧具有相对厚的厚度。即，第一堤部191可以形成为在下述图4G中的有机发光层210直接形成在阳极电极180的顶部上的区域中具有相对薄的厚度。这是用于在下述蚀刻过程中保护阳极电极180，并且通过灰化第一堤部191的过程仅使除了阳极电极180的所述一侧和所述另一侧之外的其他区域露出。

接着，如图4D中所示，可以在第一堤部191上形成辅助电极200。即，辅助电极200可以形成在第一堤部191上，第一堤部191形成在阳极电极180上，并且由此，辅助电极200可以形成在与阳极电极180不同的层上。辅助电极200可以包括下辅助电极201、上辅助电极202、以及盖辅助电极203。

特别地，盖辅助电极203可以形成为覆盖上辅助电极202的上表面和侧表面，以及覆盖下辅助电极201的侧表面。盖辅助电极203可以形成为在图4D中所示的特定区域中不覆盖上辅助电极202和下辅助电极201中的每一个的侧表面。上辅助电极202和下辅助电极201仅在特定区域中没有被盖辅助电极203覆盖的原因是上辅助电极202仅在特定区域中被蚀刻，以及阴极电极220可以通过借助蚀刻上辅助电极202获得的空间而连接至下辅助电极201。

接着，如图4E中所示，可以在辅助电极200上形成光致抗蚀剂图案PR并且使光致抗蚀剂图案PR在辅助电极200上对准。特别地，在图4G中，光致抗蚀剂图案PR可以形成为不覆盖有机发光层210直接形成在阳极电极180的顶部上的区域以及辅助电极200的特定区域的图案。

接着，如图4F中所示，可以通过使用光致抗蚀剂图案PR作为掩模在特定区域中蚀刻上辅助电极202，以及可以通过使用剩余的光致抗蚀剂图案PR在辅助电极200上形成第二堤部192。即，由于图4E中所示的光致抗蚀剂图案PR被用作为掩模，所以辅助电极200在除了特定区域之外的其他区域中没有被蚀刻。另外，由于第一堤部191形成为通过使用上述图4C中的半色调掩模而覆盖第一阳极电极180的整个部分，所以阳极电极180没有被蚀刻，以及上辅助电极202可以仅在特定区域中被蚀刻并且被去除。

特别地，当上辅助电极202由Cu形成时，下辅助电极201由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，并且盖辅助电极203由ITO形成，仅上辅助电极202可以通过仅用于选择性地蚀刻Cu的蚀刻剂被去除。例如，可以在蚀刻过程中通过包括磷酸、硝酸、以及醋酸的三元混合酸系统的蚀刻剂来仅去除由Cu形成的上辅助电极202，但不限于此。另外，可以基于上辅助电极202的材料来改变蚀刻剂的成分。如图4F中所示，通过在形成辅助电极200之后仅去除上辅助电极202，可以在下辅助电极201与盖辅助电极203之间形成间隔空间S。

此外，第二堤部192可以通过使用剩余的光致抗蚀剂图案PR形成在辅助电极200上。通过灰化如图4C中所示形成的第二堤部192和第一堤部191，可以如图4F中所示形成在阳极电极180的顶部暴露于外部的状态下的基板100。因此，在形成辅助电极200的过程中，由于第二堤部192通过使用剩余的光致抗蚀剂图案PR与辅助电极200一起形成，所以在没有附加地执行另外的掩模工艺的情况下，防止了辅助电极200暴露于外部。

接着，如图4G中所示，可以在阳极电极180上形成有机发光层210。有机发光层210可以通过沉积工艺例如沉积材料的直线性优异的蒸渡工艺形成，并且由此，有机发光层210没有沉积在下辅助电极201与盖辅助电极203之间的间隔空间S中，不过有机发光层210沉积在第二堤部192的顶部上。即，由于第二堤部192在沉积有机发光层210时用作好比檐部，所以即使当沉积有机发光层210时，有机发光层210亦无法沉积在下辅助电极201与盖辅助电极203之间的间隔空间S中。

接着，如图4H中所示，可以在有机发光层210上形成阴极电极220。阴极电极220可以通过下辅助电极201与盖辅助电极203之间的间隔空间S而形成为连接至下辅助电极201。阴极电极220可以通过沉积工艺例如沉积材料的直线性不佳的溅射工艺形成，并且由此，在沉积阴极电极220的过程中，阴极电极220可以沉积在下辅助电极201与盖辅助电极203之间的间隔空间S中。

如上所述，根据本发明的实施方案，由于辅助电极设置成在平面上围绕子像素，所以在没有影响透明有机发光显示装置的透光率的情况下获得辅助电极的区域，由此有效调整阴极电极的电阻。特别地，由于阳极电极和辅助电极中的每一个仅形成为一个层，所以掩模工艺的数量减少。

此外，根据本发明的实施方案，通过省略为了仅将阴极电极连接至辅助电极而形成用作为檐部的隔壁的过程，减少了制造过程所耗费的时间和成本。特别地，可以通过使用用于形成辅助电极的连接至阴极电极的内部间隔空间的光致抗蚀剂图案来形成第二堤部，从而减少掩模工艺的数量。

对于本领域技术人员明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下可以对本发明进行各种修改和变化。因此，本发明旨在覆盖落入所述权利要求及其等同内容的范围内的本发明所提供的修改和变化。

本发明包括本文中所讨论的示例和实施方案中的每一个的各种修改方案。根据本发明，一个实施方案或示例中的上述一个或更多个特征等同地适用于上述其他实施方案或示例。上述一个或更多个实施方案或示例的特征可以与上述实施方案或示例中的每一个结合。本发明的一个或更多个实施方案或示例的全部或部分结合也是本发明的一部分。

Claims (18)

1.一种有机发光显示装置，包括：

限定在基板上的多个像素中的每一个中的阳极电极；

在所述阳极电极上的堤部和有机发光层；

在所述有机发光层上的阴极电极；以及

连接至所述阴极电极的辅助电极，

其中所述辅助电极布置在所述堤部上，由此所述辅助电极设置在与所述阳极电极不同的层上；

所述辅助电极包括下辅助电极、上辅助电极、以及盖辅助电极，

在所述辅助电极的连接至所述阴极电极的特定区域中，所述辅助电极不具有所述上辅助电极；以及

其中所述阴极电极通过所述下辅助电极与所述盖辅助电极之间的间隔空间连接至所述特定区域中的所述下辅助电极。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述堤部包括：

第一堤部，所述第一堤部设置在所述阳极电极的一侧和另一侧中的每一个上；以及

第二堤部，所述第二堤部设置在所述辅助电极的除所述特定区域之外的其他区域中。

3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中：

所述下辅助电极和所述盖辅助电极中的每一个的氧化速率低于所述上辅助电极的氧化速率，以及

所述上辅助电极的电阻低于所述下辅助电极和所述盖辅助电极中的每一个的电阻。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中：

所述阳极电极包括下阳极电极、中心阳极电极、以及上阳极电极，

所述下阳极电极和所述上阳极电极中的每一个的氧化速率低于所述中心阳极电极的氧化速率，以及

所述中心阳极电极的电阻低于所述下阳极电极和所述上阳极电极中的每一个的电阻。

5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述辅助电极设置成在平面上围绕所述多个像素的每一个中的子像素。

6.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：

在基板上形成阳极电极；

在所述阳极电极上形成第一堤部；

在所述第一堤部上形成辅助电极；

在所述阳极电极上形成有机发光层；以及

在所述有机发光层上形成连接至所述辅助电极的阴极电极；

其中形成所述辅助电极包括形成下辅助电极、在所述下辅助电极上方的上辅助电极、以及所述上辅助电极上方的盖辅助电极；

还包括在所述辅助电极上形成第二堤部，其中所述形成第二堤部包括：

在所述辅助电极上形成光致抗蚀剂图案；

通过使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模来去除所述辅助电极的特定区域中的所述上辅助电极；以及

通过使用所述光致抗蚀剂图案来形成所述第二堤部。

7.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述第一堤部包括通过使用半色调掩模形成所述第一堤部，以在所述阳极电极的一侧和另一侧中具有相对较厚的厚度，以及在另一区域中具有相对较薄的厚度。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在形成所述第二堤部之后，灰化所述第一堤部和所述第二堤部以在除所述阳极电极的所述一侧和所述另一侧之外的区域中使所述阳极电极暴露于外部。

9.根据权利要求6或8所述的方法，其中在已去除所述上辅助电极的所述特定区域中不沉积所述有机发光层，以及在已经去除所述上辅助电极的所述特定区域中沉积所述阴极电极。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述形成辅助电极形成围绕所述阳极电极的露出区域的所述辅助电极。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述辅助电极形成为围绕所述有机发光显示装置的每一个子像素的每侧或者四侧的闭合的形式。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述辅助电极形成为围绕少于所述有机发光显示装置的每一个子像素的所有侧。

13.一种有机发光显示装置，包括：

在基板上的多个像素，

所述多个像素中的每一个包括设置有多个子像素的发光区，以及透射区，

所述子像素中的每一个包括薄膜晶体管、堤部、阳极电极、阴极电极、以及辅助电极，所述阳极电极设置在所述发光区中以及所述辅助电极设置在所述透射区中，所述薄膜晶体管响应于通过栅极线提供的栅极信号向所述阳极电极提供通过数据线输入的数据信号，

其中所述辅助电极连接至所述阴极电极并且设置在所述堤部上以在平面上围绕相邻子像素之间的边界区域；

所述辅助电极包括下辅助电极、上辅助电极、以及盖辅助电极，

在所述辅助电极的连接至所述阴极电极的特定区域中，所述辅助电极不具有所述上辅助电极；以及

其中所述阴极电极通过所述下辅助电极与所述盖辅助电极之间的间隔空间连接至所述特定区域中的所述下辅助电极。

14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中所述辅助电极设置在所述相邻子像素之间的所述边界区域中的所述栅极线上。

15.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中所述辅助电极设置成围绕所述子像素中的每一个的每侧的闭合的形式。

16.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中所述辅助电极设置成围绕少于所述子像素中的每一个的所有侧。

17.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中所述堤部包括：

第一堤部，所述第一堤部设置在所述阳极电极的一侧和另一侧中的每一个上；以及

第二堤部，所述第二堤部设置在所述辅助电极的除所述特定区域之外的区域中。

18.根据权利要求17所述的有机发光显示装置，其中：

所述下辅助电极和所述盖辅助电极中的每一个的氧化速率低于所述上辅助电极的氧化速率，以及

所述上辅助电极的电阻低于所述下辅助电极和所述盖辅助电极中的每一个的电阻。

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