JP2019536249A - 放射領域上に配置された導電性コーティングを含むデバイスおよびそのための方法 - Google Patents

Abstract

エレクトロルミネセントデバイスは、（１）第１の放射領域および第２の放射領域であって、第１の放射領域は、第２の放射領域と異なる波長の光を放射するように構成される、第１の放射領域および第２の放射領域と、（２）第１の放射領域および第２の放射領域内に配置される、導電性コーティングであって、導電性コーティングは、第１の放射領域内に配置される第１の部分と、第２の放射領域内に配置される第２の部分とを備え、第１の部分は、第１の厚さを有し、第２の部分は、第２の厚さを有する、導電性コーティングとを備え、第１の厚さは、第２の厚さと異なる。

Description

関連出願への相互参照
本出願は、２０１６年１２月２日に出願された米国仮出願番号第６２／４２９，６２５号に基づく利益および優先権を主張しており、その内容は、その全体が参考として本明細書中に援用される。

技術分野
以下は、概して、デバイスの放射領域にわたって配置される導電性コーティングを含む、デバイスと、デバイスの放射領域にわたって導電性材料を堆積させるための方法とに関する。具体的には、本方法は、デバイスの導電性構造を形成するための表面上の導電性材料の選択的堆積に関する。

背景
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、典型的には、有機層のうちの少なくとも１つがエレクトロルミネセント層である、導電性薄膜電極の間に間置される有機材料のうちのいくつかの層を含む。電圧が電極に印加されるとき、正孔および電子が、それぞれ、アノードならびにカソードから注入される。電極によって注入される正孔および電子は、エレクトロルミネセント層に到達するように有機層を通って移動する。正孔および電子が近接近しているとき、それらは、クーロン力に起因して相互に引き付けられる。正孔および電子は、次いで、励起子と称される束縛状態を形成するように合体し得る。励起子は、光子が放出される、放射再結合プロセスを通して減衰し得る。代替として、励起子は、光子が放出されない、非放射再結合プロセスを通しても減衰し得る。本明細書で使用されるように、内部量子効率（ＩＱＥ）は、放射再結合プロセスを通して減衰する、デバイスの中で生成される全ての電子・正孔対の割合であると理解されるであろうことに留意されたい。

放射再結合プロセスは、電子・正孔対（すなわち、励起子）のスピン状態に応じて、蛍光または燐光プロセスとして起こり得る。具体的には、電子・正孔対によって形成される励起子は、一重項または三重項スピン状態を有するものとして特徴付けられ得る。概して、一重項励起子の放射減衰が、蛍光をもたらす一方で、三重項励起子の放射減衰は、燐光をもたらす。

ごく最近では、熱的活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を含む、ＯＬＥＤ用の他の発光機構が提案および調査されている。簡潔には、ＴＡＤＦ発光は、熱エネルギーを用いた逆システム間交差プロセスを介した、一重項励起子への三重項励起子の変換を通して起こり、その後に、一重項励起子の放射減衰が続く。

ＯＬＥＤデバイスの外部量子効率（ＥＱＥ）は、デバイスによって放射されるいくつかの光子に対する、ＯＬＥＤデバイスに提供される電荷担体の比を指し得る。例えば、１００％のＥＱＥは、１つの光子がデバイスに注入される電子毎に放射されることを示す。理解されるであろうように、デバイスのＥＱＥは、概して、デバイスのＩＱＥよりも実質的に低い。ＥＱＥとＩＱＥとの間の差は、概して、デバイスの種々の構成要素によって引き起こされる光の吸収および反射等のいくつかの要因に起因し得る。

ＯＬＥＤデバイスは、典型的には、光がデバイスから放射される相対方向に応じて、「底面発光」または「上面発光」デバイスのいずれかであるものとして分類されることができる。底面発光デバイスでは、放射再結合プロセスの結果として生成される光が、デバイスのベース基板に向かった方向に放射される一方で、上面発光デバイスでは、光は、ベース基板から離れた方向に放射される。故に、ベース基板の近位にある電極が、概して、底面発光デバイスでは光透過性（例えば、実質的に透明または半透明）であるように作製される一方で、上面発光デバイスでは、ベース基板の遠位にある電極は、概して、光の減衰を低減させるために光透過性であるように作製される。具体的デバイス構造に応じて、アノードまたはカソードのいずれかは、上面発光および底面発光デバイスの中で透過型電極として作用してもよい。

ＯＬＥＤデバイスはまた、ベース基板に対して両方向に光を放射するように構成される、両面発光デバイスであってもよい。例えば、両面発光デバイスは、各ピクセルからの光が両方向に放射されるように、透過型アノードと、透過型カソードとを含んでもよい。別の実施例では、両面発光ディスプレイデバイスは、各ピクセルからの単一の電極が透過型であるように、一方の方向に光を放射するように構成されるピクセルの第１のセットと、他方の方向に光を放射するように構成されるピクセルの第２のセットとを含んでもよい。

上記のデバイス構成に加えて、デバイスが、外部光がデバイスを通して透過されることを可能にする透明部分を含む、透明または半透明ＯＬＥＤデバイスもまた、実装されることができる。例えば、透明ＯＬＥＤディスプレイデバイスでは、透明部分が、各隣接ピクセルの間の非放射領域中に提供されてもよい。別の実施例では、透明ＯＬＥＤ照明パネルが、パネルの放射領域の間に複数の透明領域を提供することによって形成されてもよい。透明または半透明ＯＬＥＤデバイスは、底面発光、上面発光、または両面発光デバイスであってもよい。

カソードまたはアノードのいずれかは、透過型電極として選択されることができるが、典型的上面発光デバイスは、光透過性カソードを含む。典型的には透過型カソードを形成するために使用される材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、ならびに銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、または体積比１：９〜約９：１に及ぶ組成物を伴うマグネシウム銀（Ｍｇ：Ａｇ）合金およびイッテルビウム銀（Ｙｂ：Ａｇ）合金等の種々の金属合金の薄い層を堆積させることによって形成されるもの等の薄膜を含む。ＴＣＯおよび／または薄い金属膜の２つもしくはそれを上回る層を含む、多層カソードもまた、使用されることができる。

特に、薄膜の場合、最大約数十ナノメートルの比較的薄い層の厚さは、ＯＬＥＤで上面発光電極として使用するための増進した透明度および有利な光学的性質に寄与する。上面発光電極は、複数のピクセルをコーティングする共通電極であってもよい。例えば、そのような共通電極は、デバイスを横断して実質的に一様な厚さを有する、比較的薄い導電性層であってもよい。

しかしながら、実質的に一様な厚さを有する共通電極が、ＯＬＥＤディスプレイデバイスの中で上面発光カソードとして提供されるとき、デバイスの光学的性能は、各サブピクセルと関連付けられる発光スペクトルに従って、容易に微調整されることができない。典型的ＯＬＥＤディスプレイデバイスでは、赤色、緑色、または青色サブピクセルが、ディスプレイデバイスのピクセルを形成するように提供される。異なるサブピクセル内に配置される有機層の厚さを変動させることによって、各サブピクセル色と関連付けられる光学的微小共振器効果を同調するために努力が行われているが、そのようなアプローチは、少なくともある場合において、光学的微小共振器効果の十分な程度の同調を提供しない場合がある。加えて、そのようなアプローチは、ＯＬＥＤディスプレイ生産環境内で実装することが困難であり得る。

要旨
いくつかの実施形態によると、エレクトロルミネセントデバイスは、（１）第１の放射領域および第２の放射領域であって、第１の放射領域は、第２の放射領域と異なる波長の光を放射するように構成される、第１の放射領域および第２の放射領域と、（２）第１の放射領域および第２の放射領域内に配置される、導電性コーティングであって、導電性コーティングは、第１の放射領域内に配置される第１の部分と、第２の放射領域内に配置される第２の部分とを備え、第１の部分は、第１の厚さを有し、第２の部分は、第２の厚さを有する、導電性コーティングとを備え、第１の厚さは、第２の厚さと異なる。

いくつかの実施形態によると、エレクトロルミネセントデバイスは、（１）複数のピクセル領域であって、各ピクセル領域は、第１のサブピクセル領域と、第２のサブピクセル領域とを備え、第１のサブピクセル領域は、第２のサブピクセル領域と異なる波長の光を放射するように構成される、複数のピクセル領域と、（２）複数のピクセル領域にわたって配置される、導電性コーティングであって、導電性コーティングは、ピクセル領域毎に、第１のサブピクセル領域にわたって配置される第１の部分と、第２のサブピクセル領域にわたって配置される第２の部分とを備える、導電性コーティングとを備え、第１の部分の厚さは、第２の部分の厚さと異なる。

いくつかの実施形態によると、ＯＬＥＤデバイスは、（１）複数の薄膜トランジスタを備える、バックプレーンと、（２）バックプレーンにわたって配置される、フロントプレーンであって、フロントプレーンは、複数のピクセルを備え、各ピクセルはさらに、相互に異なる波長の光を放射するように構成される、少なくとも２つのサブピクセルを備え、各サブピクセルは、（ｉ）複数の薄膜トランジスタのうちの１つの薄膜トランジスタに電気的に接続される、第１の電極と、（ｉｉ）第１の電極にわたって配置される、有機層と、（ｉｉｉ）有機層にわたって配置される、第２の電極とを備える、フロントプレーンとを備え、ピクセル毎に、１つのサブピクセル内に配置される第２の電極の厚さは、別のサブピクセル内に配置される第２の電極の厚さと異なる。

いくつかの実施形態によると、エレクトロルミネセントデバイスを製造するための方法は、（１）第１の放射領域と、第２の放射領域とを備える、基板にわたって、第１の導電性コーティングを堆積させるステップであって、第１の導電性コーティングは、第１の放射領域を被覆する第１の部分と、第２の放射領域を被覆する第２の部分とを備える、ステップと、（２）第１の導電性コーティングの第１の部分にわたって第１の核形成阻害コーティングを堆積させるステップと、（３）第１の導電性コーティングの第２の部分にわたって第２の核形成阻害コーティングを堆積させるステップとを含む。

いくつかの実施形態が、ここで、添付の図面を参照して、一例として説明される。

図１は、一実施形態による、デバイスを製作するための段階を図示するフロー図である。 図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、および図２Ｄは、図１の実施形態による、デバイス製作の種々の段階を図示する概略図である。 図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、および図２Ｄは、図１の実施形態による、デバイス製作の種々の段階を図示する概略図である。 図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、および図２Ｄは、図１の実施形態による、デバイス製作の種々の段階を図示する概略図である。 図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、および図２Ｄは、図１の実施形態による、デバイス製作の種々の段階を図示する概略図である。 図３は、別の実施形態による、デバイスである。 図４は、別の実施形態による、デバイスを製作する段階を図示するフロー図である。 図５Ａおよび図５Ｂは、図４の実施形態による、デバイス製作の種々の段階を図示する概略図である。 図５Ａおよび図５Ｂは、図４の実施形態による、デバイス製作の種々の段階を図示する概略図である。 図６は、さらなる実施形態による、デバイスを製作するための段階を図示するフロー図である。 図７Ａおよび図７Ｂは、図６の実施形態による、デバイス製作の種々の段階を図示する概略図である。 図７Ａおよび図７Ｂは、図６の実施形態による、デバイス製作の種々の段階を図示する概略図である。 図８は、一実施例による、アクティブマトリクスＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ）の回路図を図示する概略図である。 図９は、一実施例による、開放マスクを図示する略図である。 図１０は、一実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイスの断面を図示する概略図である。 図１１は、別の実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイスの断面を図示する概略図である。 図１２は、さらに別の実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイスの断面を図示する概略図である。 図１３は、さらに別の実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイスの断面を図示する概略図である。 図１４は、さらに別の実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイスの断面を図示する概略図である。 図１５は、さらに別の実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイスの断面を図示する概略図である。 図１６は、さらに別の実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイスの断面を図示する概略図である。 図１７は、一実施形態による、サブピクセル配列の上面図を図示する概略図である。 図１８は、図１７のサブピクセル配列の断面図を図示する概略図である。 図１９は、図１７のサブピクセル配列の別の断面図を図示する概略図である。 図２０Ａは、別の実施形態による、サブピクセル配列の上面図を図示する概略図である。 図２０Ｂは、図２０Ａのサブピクセル配列の顕微鏡写真である。 図２１Ａは、透明ディスプレイデバイスの一実施形態による、サブピクセル配列の上面図を図示する概略図である。 図２１Ｂは、ある実施形態による、図２１ＡのＡＭＯＬＥＤデバイスの断面を図示する概略図である。 図２１Ｃは、別の実施形態による、図２１ＡのＡＭＯＬＥＤデバイスの断面を図示する概略図である。 図２２は、ＱＣＭ実験設定を図示する概略図である。 図２３は、種々の核形成阻害材料に関する堆積厚さ対平均膜厚さのプロットである。 図２４は、種々の核形成阻害材料に関する付着確率対平均膜厚さのプロットである。 図２５は、例示的デバイスの上面図の概略図である。 図２６は、図２５のデバイスの断面図の概略図である。 図２７は、図２５のデバイスの別の断面図の概略図である。 図２８は、図２５の例示的デバイスの種々の領域から取得される発光スペクトルを示すプロットである。 図２９、図３０、図３１、および図３２は、種々の測定角における図２５の例示的デバイスの種々の領域から取得される発光スペクトルを示すプロットである。 図２９、図３０、図３１、および図３２は、種々の測定角における図２５の例示的デバイスの種々の領域から取得される発光スペクトルを示すプロットである。 図２９、図３０、図３１、および図３２は、種々の測定角における図２５の例示的デバイスの種々の領域から取得される発光スペクトルを示すプロットである。 図２９、図３０、図３１、および図３２は、種々の測定角における図２５の例示的デバイスの種々の領域から取得される発光スペクトルを示すプロットである。

詳細な説明
図示の簡潔化および明確化のために、適切と見なされるとき、参照番号が、対応または類似する構成要素を示すように図の間で繰り返され得ることを理解されたい。加えて、多数の具体的詳細が、本明細書に説明される例示的実施形態の徹底的な理解を提供するために記載される。しかしながら、本明細書に説明される例示的実施形態は、これらの具体的詳細のうちのいくつかを伴わずに実践され得ることが、当業者によって理解されるであろう。他の場合には、ある方法、手順、および構成要素は、本明細書に説明される例示的実施形態を曖昧にしないように、詳細に説明されていない。

本明細書で使用されるように、用語「核形成阻害」は、表面上の導電性材料または補助電極材料の堆積が阻害されるように、導電性材料堆積に向けて比較的低い親和性を呈する表面を有する、材料のコーティングまたは層を指すために使用される一方で、用語「核形成助長」は、表面上の導電性材料の堆積が促進されるように、導電性材料堆積に向けて比較的高い親和性を呈する表面を有する、材料のコーティングまたは層を指すために使用される。表面の核形成阻害または核形成助長性質の１つの尺度は、マグネシウム等の導電性材料の表面の初期付着確率である。例えば、マグネシウムに対する核形成阻害コーティングは、表面上のマグネシウムの堆積が阻害されるように、マグネシウム蒸気の比較的低い初期付着確率を呈する表面を有する、コーティングを指し得る一方で、マグネシウムに対する核形成助長コーティングは、表面上のマグネシウムの堆積が促進されるように、マグネシウム蒸気の比較的高い初期付着確率を呈する表面を有する、コーティングを指し得る。本明細書で使用されるように、用語「付着確率」および「付着係数」は、同義的に使用されてもよい。表面の核形成阻害または核形成助長性質の別の尺度は、両方の表面が導電性材料の蒸発束（ｆｌｕｘ）を受ける、またはそれに暴露される、別の（参照）表面上の導電性材料の初期堆積率に対する、表面上のマグネシウム等の導電性材料の初期堆積率である。

本明細書で使用されるように、用語「蒸発」および「昇華」は、概して、ソース材料が（例えば、加熱によって）蒸気に変換され、例えば、固体状態で標的表面上に堆積される、堆積プロセスを指す。

本明細書で使用されるように、材料を「実質的に含まない」または材料によって「実質的に被覆されていない」表面（または表面のある面積）は、表面（または表面のある面積）上の材料の実質的不在を指す。表面上の材料の量の１つの尺度は、材料による被覆率が約１０％以内、約８％以内、約５％以内、約３％以内、または約１％以内である場合に、表面が材料を実質的に含まないと見なされ得る場合等の材料による表面の被覆率である。表面被覆は、透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）、原子間力顕微鏡法（ＡＦＭ）、または走査電子顕微鏡法（ＳＥＭ）を使用すること等の撮像技法を使用して、査定されることができる。そのような撮像技法はまた、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）等の他の分析技法と組み合わせられてもよい。

一側面では、デバイスを製造するための方法が、提供される。例えば、本デバイスは、光電子デバイスおよび／またはエレクトロルミネセントデバイスであってもよい。いくつかの実施形態では、本方法は、基板上に第１の導電性コーティングを堆積させるステップを含む。基板は、第１の放射領域と、第２の放射領域とを含んでもよい。基板上に堆積される第１の導電性コーティングは、基板の第１の放射領域をコーティングする第１の部分と、第２の放射領域をコーティングする第２の部分とを含んでもよい。本方法はさらに、第１の導電性コーティングの第１の部分上に第１の核形成阻害コーティングを堆積させるステップと、次いで、第１の導電性コーティングの第２の部分上に第２の導電性コーティングを堆積させるステップとを含んでもよい。

図１は、一実施形態による、デバイスを製作する段階を要約するフロー図である。図２Ａ−２Ｄは、プロセスの各段階におけるデバイスを図示する概略図である。

図２Ａに図示されるように、基板１０２が、提供される。基板１０２は、第１の放射領域１１２と、第２の放射領域１１４を備える。基板１０２はさらに、１つまたはそれを上回る非放射領域１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃを備えてもよい。例えば、第１の放射領域１１２および第２の放射領域１１４は、エレクトロルミネセントデバイスのピクセル領域またはサブピクセル領域に対応してもよい。

段階１２では、第１の導電性コーティング１３１が、基板にわたって堆積される。図２Ｂに図示されるように、第１の導電性コーティング１３１は、第１の放射領域１１２、第２の放射領域１１４、および非放射領域１２１ａ−１２１ｃをコーティングするように堆積される。第１の導電性コーティング１３１は、第１の放射領域１１２をコーティングする部分に対応する第１の部分１３２と、第２の放射領域１１４をコーティングする部分に対応する第２の部分１３３とを含む。例えば、第１の導電性コーティング１３１は、熱蒸発および電子ビーム蒸発を含む、蒸発によって堆積されてもよい。いくつかの実施形態では、第１の導電性コーティング１３１は、開放マスクを使用して、またはマスクを用いることなく（例えば、マスクを含まない）堆積されてもよい。第１の導電性コーティング１３１は、限定されないが、スパッタリング、化学蒸着、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、およびミクロ接触転写印刷を含む）、有機気相堆積（ＯＶＰＤ）、レーザ誘起熱撮像（ＬＩＴＩ）、およびそれらの組み合わせを含む、他の方法を使用して、堆積されてもよい。

段階１４では、第１の核形成阻害コーティング１４１が、第１の導電性コーティング１３１の一部にわたって選択的に堆積される。図２Ｃに図示される実施形態では、第１の核形成阻害コーティング１４１は、第１の放射領域１１２に対応する、第１の導電性コーティング１３１の第１の部分１３２をコーティングするように堆積される。そのような実施形態では、第２の放射領域１１４にわたって配置される第１の導電性コーティング１３１の第２の部分１３３は、第１の核形成阻害コーティング１４１を実質的に含まない、またはそこから露出される。いくつかの実施形態では、第１の核形成阻害コーティング１４１はまた、随意に、１つまたはそれを上回る非放射領域にわたって堆積される第１の導電性コーティング１３１の部分をコーティングし得る。例えば、第１の核形成阻害コーティング１４１また、随意に、非放射領域１２１ａおよび／または１２１ｂ等の第１の放射領域１１２に隣接する１つまたはそれを上回る非放射領域にわたって堆積される、第１の導電性コーティング１３１の部分をコーティングし得る。限定されないが、蒸発（熱蒸発および電子ビーム蒸発を含む）、フォトリソグラフィ、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、およびミクロ接触転写印刷を含む）、ＯＶＰＤ、ＬＩＴＩパターン化、およびそれらの組み合わせを含む、表面上に材料を選択的に堆積させるための種々のプロセスが、第１の核形成阻害コーティング１４１を堆積させるために使用されてもよい。

いったん第１の核形成阻害コーティング１４１が第１の導電性コーティング１３１の表面の領域上に堆積されると、第２の導電性コーティング１５１が、核形成阻害コーティングが存在しない、表面の残りの被覆されていない領域上に堆積されてもよい。図２Ｄを参照すると、段階１６では、導電性コーティング源１０５は、第１の導電性コーティング１３１および第１の核形成阻害コーティング１４１の表面に向かって蒸着導電性材料を指向するものとして図示される。図２Ｄに図示されるように、導電性コーティング源１０５は、第１の導電性コーティング１３１の被覆または処理された面積（すなわち、核形成阻害コーティング１４１がその上に堆積された第１の導電性コーティング１３１の領域）および被覆または処理されていない面積の両方に入射するように、蒸着導電性材料を指向してもよい。しかしながら、第１の核形成阻害コーティング１４１の表面が、第１の導電性コーティング１３１の被覆されていない表面のものと比較して、相対的に低い初期付着係数を呈するため、第２の導電性コーティング１５１は、第１の核形成阻害コーティング１４１が存在しない、第１の導電性コーティング表面の面積上に選択的に堆積する。故に、第２の導電性コーティング１５１は、第２の放射領域１１４をコーティングする第１の導電性コーティング１３１の部分に対応する、第１の導電性コーティング１３１の第２の部分１３３をコーティングし得る。図２Ｄに図示されるように、第２の導電性コーティング１５１はまた、非放射領域１２１ａ、１２１ｂ、および１２１ｃをコーティングする部分を含む、第１の導電性コーティング１３１の他の部分または領域をコーティングし得る。第２の導電性コーティング１５１は、例えば、純粋または実質的に純粋なマグネシウムを含んでもよい。いくつかの実施例では、第２の導電性コーティング１５１は、第１の導電性コーティング１３１を形成するために使用されるものと同じである材料を使用して、形成されてもよい。第２の導電性コーティング１５１は、開放マスクを使用して、またはマスクを用いることなく（例えば、マスクを含まない堆積プロセス）堆積されてもよい。

いくつかの実施形態では、本方法はさらに、段階１６に続いて、付加的段階を含んでもよい。そのような付加的段階は、例えば、１つまたはそれを上回る付加的核形成阻害コーティングを堆積させるステップ、１つまたはそれを上回る付加的導電性コーティングを堆積させるステップ、補助電極を堆積させるステップ、アウトカップリングコーティングを堆積させるステップ、および／またはデバイスのカプセル化を含んでもよい。

図３に図示される別の実施形態では、基板１０２は、第１の放射領域１１２および第２の放射領域１１４に加えて、第３の放射領域１１６を備える。基板１０２はさらに、放射領域に隣接して配置される非放射領域１２１ａ−１２１ｄを備えてもよい。図３に図示されるデバイス１００は、上記で説明されるような図１の実質的に同一のプロセスを使用して、生産されてもよい。故に、図３のデバイス１００を生産するために着手される各段階の詳細は、省略される。簡潔に述べると、デバイス１００は、第１の放射領域１１２、第２の放射領域１１４、第３の放射領域１１６、および非放射領域１２１ａ−１２１ｄをコーティングする、第１の導電性コーティング１３１を備える。第１の放射領域１１２にわたって配置される第１の導電性コーティング１３１の一部は、第１の核形成阻害コーティング１４１でコーティングされ、第２の放射領域１１４、第３の放射領域１１６、および非放射領域１２１ａ−１２１ｄをコーティングする部分を含む、第１の導電性コーティング１３１の残りの部分は、第２の導電性コーティング１５１によってコーティングされる。

図４は、基板１０２が第３の放射領域を備える、一実施形態による、デバイスを製造する付加的段階を要約するフロー図である。図５Ａおよび図５Ｂは、プロセスの各段階におけるデバイスを図示する概略図である。

段階２２では、第２の核形成阻害コーティング１６１が、第２の導電性コーティング１５１の一部にわたって選択的に堆積される。図５Ａに図示される実施形態では、第２の核形成阻害コーティング１６１は、第２の放射領域１１４にわたって配置される第２の導電性コーティング１５１の一部をコーティングするように堆積される。そのような実施形態では、第３の放射領域１１６にわたって配置される第２の導電性コーティング１５１の一部は、第１の核形成阻害コーティング１４１または第２の核形成阻害コーティング１６１を実質的に含まない、もしくはそこから露出される。いくつかの実施形態では、第２の核形成阻害コーティング１６１はまた、随意に、１つまたはそれを上回る非放射領域にわたって堆積される第２の導電性コーティング１５１の部分をコーティングし得る。例えば、第２の核形成阻害コーティング１６１はまた、随意に、非放射領域１２１ａおよび／または１２１ｂ等の第１の放射領域１１２に隣接する１つまたはそれを上回る非放射領域、ならびに／もしくは非放射領域１２１ｂおよび／または１２１ｃ等の第２の放射領域１１４に隣接するものにわたって堆積される、第２の導電性コーティング１５１の部分をコーティングし得る。限定されないが、蒸発（熱蒸発および電子ビーム蒸発を含む）、フォトリソグラフィ、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、およびミクロ接触転写印刷を含む）、ＯＶＰＤ、ＬＩＴＩパターン化、およびそれらの組み合わせを含む、表面上に材料を選択的に堆積させるための種々のプロセスが、第２の核形成阻害コーティング１６１を堆積させるために使用されてもよい。

いったん第２の核形成阻害コーティング１６１が第２の導電性コーティング１５１の表面の領域上に堆積されると、第３の導電性コーティング１７１が、核形成阻害コーティングが存在しない、表面の残りの被覆されていない領域上に堆積されてもよい。図５Ｂを参照すると、段階２４では、導電性コーティング源１０６は、第２の導電性コーティング１５１、第１の核形成阻害コーティング１４１、および第２の核形成阻害コーティング１６１の表面に向かって蒸着導電性材料を指向するものとして図示される。図５Ｂに図示されるように、導電性コーティング源１０６は、第２の導電性コーティング１５１の被覆または処理された面積（すなわち、核形成阻害コーティング１４１および第２の核形成阻害コーティング１６１がその上に堆積される領域）および被覆または処理されていない面積の両方に入射するように、蒸着導電性材料を指向してもよい。しかしながら、第１の核形成阻害コーティング１４１および第２の核形成阻害コーティング１６１の表面が、第２の導電性コーティング１５１の被覆されていない表面のものと比較して、相対的に低い初期付着係数を呈するため、第３の導電性コーティング１７１は、第１の核形成阻害コーティング１４１および第２の核形成阻害コーティング１６１が存在しない面積上に選択的に堆積する。故に、第３の導電性コーティング１７１は、第３の放射領域１１６にわたって配置される第２の導電性コーティング１５１の部分をコーティングし得る。図５Ｂに図示されるように、第３の導電性コーティング１７１はまた、非放射領域１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、および１２１ｄをコーティングする部分を含む、第２の導電性コーティング１５１の他の部分または領域をコーティングし得る。第３の導電性コーティング１７１は、例えば、純粋または実質的に純粋なマグネシウムを含んでもよい。例えば、第３の導電性コーティング１７１は、第１の導電性コーティング１３１および／または第２の導電性コーティング１５１を形成するために使用されるものと同じである材料を使用して、形成されてもよい。第３の導電性コーティング１７１は、開放マスクを使用して、またはマスクを用いることなく（例えば、マスクを含まない堆積プロセス）堆積されてもよい。

さらなる実施形態では、段階２４に続いて、付加的コーティングが、デバイス上に堆積されてもよい。図６は、１つのそのようなさらなる実施形態による、付加的コーティング段階を要約するフロー図である。図７Ａおよび７Ｂは、プロセスの各段階におけるデバイスを図示する概略図である。

段階３２では、第３の核形成阻害コーティング１８１が、第３の導電性コーティング１７１の一部の上に選択的に堆積される。具体的には、図７Ａに図示される実施形態では、第３の核形成阻害コーティング１８１は、第３の放射領域１１６にわたって配置される第３の導電性コーティング１７１の部分をコーティングするように堆積される。いくつかの実施形態では、第３の核形成阻害コーティング１８１はまた、随意に、１つまたはそれを上回る非放射領域にわたって堆積される第３の導電性コーティング１７１の部分をコーティングし得る。例えば、第３の核形成阻害コーティング１８１はまた、随意に、１つまたはそれを上回る非放射領域１２１ａ−ｄにわたって堆積される第３の導電性コーティング１７１の部分をコーティングし得る。限定されないが、蒸発（熱蒸発および電子ビーム蒸発を含む）、フォトリソグラフィ、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、およびミクロ接触転写印刷を含む）、ＯＶＰＤ、ＬＩＴＩパターン化、およびそれらの組み合わせを含む、表面上に材料を選択的に堆積させるための種々のプロセスが、第３の核形成阻害コーティング１８１を堆積させるために使用されてもよい。

段階３４では、源１０７は、第３の導電性コーティング１７１、第１の核形成阻害コーティング１４１、第２の核形成阻害コーティング１６１、および第３の核形成阻害コーティング１８１の表面に向かって蒸着導電性材料を指向し、補助電極２０１を堆積させるものとして図示される。図７Ｂに図示されるように、導電性コーティング源１０７は、第３の導電性コーティング１７１の被覆または処理された面積（すなわち、第１の核形成阻害コーティング１４１、第２の核形成阻害コーティング１６１、および第３の核形成阻害コーティング１８１が存在する領域）および被覆または処理されていない面積の両方に入射するように、蒸着導電性材料を指向してもよい。しかしながら、第１の核形成阻害コーティング１４１、第２の核形成阻害コーティング１６１、および第３の核形成阻害コーティング１８１の表面が、第３の導電性コーティング１７１の被覆されていない表面のものと比較して、相対的に低い初期付着係数を呈するため、補助電極２０１は、第１の核形成阻害コーティング１４１、第２の核形成阻害コーティング１６１、および第３の核形成阻害コーティング１８１が存在しない場所の面積上に選択的に堆積する。故に、補助電極２０１は、非放射領域１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、および１２１ｄに対応する、第３の導電性コーティング１７１の部分をコーティングし得る。補助電極２０１は、例えば、純粋または実質的に純粋なマグネシウムを含んでもよい。例えば、補助電極２０１は、第１の導電性コーティング１３１、第２の導電性コーティング１５１、および／または第３の導電性コーティング１７１を形成するために使用されるものと同じである材料を使用して、形成されてもよい。補助電極２０１は、開放マスクを使用して、またはマスクを用いることなく（例えば、マスクを含まない堆積プロセス）堆積されてもよい。他の実施形態では、１つまたはそれを上回る非放射領域１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、および／または１２１ｄは、その上の第２の導電性コーティングおよび／または第３の導電性コーティングの堆積が実質的に防止されるように、第１の核形成阻害コーティングでコーティングされてもよい。

導電性コーティングがデバイスの光透過性電極を形成する場合において、補助電極を提供することが、特に有利であり得る。特に、そのような光透過性電極は、光の透過を可能にするように低い厚さを有してもよい。しかしながら、透過型電極の厚さの低減は、そのシート抵抗の増加を伴う。高いシート抵抗を伴う電極は、概して、ＯＬＥＤの性能および効率にとって有害である、デバイスが使用中であるときの大電流抵抗（ＩＲ）降下を生成するため、ＯＬＥＤ等のデバイスで使用するためには望ましくない。ＩＲ降下は、電力供給レベルを増加させることによって、ある程度補償されることができるが、しかしながら、電力供給レベルが１つのピクセルのために増加させられるとき、他の構成要素に供給される電圧もまた、デバイスの適切な動作を維持するように増加させられ、したがって、不利である。

上面発光ＯＬＥＤデバイスのための電力供給仕様を低減させるために、解決策が、デバイス上に母線構造または補助電極を形成するために提案されている。例えば、そのような補助電極は、ＯＬＥＤデバイスの透過型電極と電気通信する導電性コーティングを堆積させることによって形成されてもよい。そのような補助電極は、透過型電極のシート抵抗および関連付けられるＩＲ降下を低下させることによって、電流がデバイスの種々の領域により効果的に運搬されることを可能にし得る。

電極シート抵抗の効果が、ここで、ｐ型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を伴う上面発光アクティブマトリクスＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ）ピクセルの回路図の実施例を示す、図８を参照して解説されるであろう。図８では、回路８００は、電力供給（ＶＤＤ）ライン８１２と、制御ライン８１４と、ゲートライン８１６と、データライン８１８とを含む。第１のＴＦＴ８３１と、第２のＴＦＴ８３３と、蓄電コンデンサ８４１とを含む、駆動回路が、提供され、駆動回路構成要素は、図に図示される様式で、データライン８１８、ゲートライン８１６、およびＶＤＤライン８１２に接続される。概して、ＴＦＴ８３１および８３３の製造差異または経時的な劣化によって引き起こされる、トランジスタ性質の任意の偏差を補償するように作用する、補償回路８４３も、提供される。

ＯＬＥＤピクセルまたはサブピクセル８５０、および回路図内で抵抗器として表されるカソード８５２は、第２のＴＦＴ８３３（「駆動トランジスタ」とも称される）と直列に接続される。駆動トランジスタ８３３は、ＯＬＥＤピクセル８５０が所望の輝度を出力するように、蓄電コンデンサ８４１の中に貯蔵される電荷の電圧に従って、ＯＬＥＤピクセル８５０を通過させられる電流を調整する。蓄電コンデンサ８４１の電圧は、第１のＴＦＴ８３１（「スイッチトランジスタ」とも称される）を介して蓄電コンデンサ８４１をデータライン８１８に接続することによって設定される。

ＯＬＥＤピクセルまたはサブピクセル８５０およびカソード８５２を通した電流が、駆動トランジスタ８３３のゲート電圧とソース電圧との間の電位差に基づいて調整されるため、カソード８５２のシート抵抗の増加は、電力供給（ＶＤＤ）を増加させることによって補償される、より大きいＩＲ降下をもたらす。しかしながら、ＶＤＤが増加されるとき、ＴＦＴ８３３およびＯＬＥＤピクセル８５０に供給される他の電圧もまた、適切な動作を維持するように増加され、したがって、好ましくない。

図８を参照すると、補助電極８５４が、カソード８５２に並列に接続された抵抗器として図示される。補助電極８５４の抵抗がカソード８５２のものよりも実質的に低いため、補助電極８５４およびカソード８５２の複合有効抵抗は、カソード８５２単独のものよりも低い。故に、ＶＤＤの増加は、補助電極８５４の存在によって軽減されることができる。

補助電極が、典型的には、アノードと、１つまたはそれを上回る有機層と、カソードとを含む、ＯＬＥＤスタックの上に提供されるため、補助電極のパターン化は、伝統的に、例えば、物理蒸着（ＰＶＤ）プロセスによって、それを通して導電性コーティングが選択的に堆積させられる、マスク開口を伴うシャドウマスクを使用して達成される。しかしながら、マスクが、典型的には、金属マスクであるため、それらは、高温堆積プロセス中に撓み、それによって、マスク開口および結果として生じる堆積パターンを歪ませる傾向を有する。さらに、マスクは、典型的には、導電性コーティングがマスクに付着し、マスクの特徴を曖昧にするにつれて、連続的堆積を通して劣化させられる。その結果として、そのようなマスクは、時間のかかる高価なプロセスを使用して清掃されるべきであるか、またはいったんマスクが所望のパターンを生成することに無効であると見なされると処分されるべきかのいずれかであり、それによって、そのようなプロセスを高度に費用がかかり、複雑なものにする。故に、シャドウマスクを使用して、導電性コーティングを堆積させるためのプロセスは、ＯＬＥＤデバイスの大量生産のためには商業的に実行可能ではない場合がある。また、大型金属マスクが、典型的には、シャドウマスク堆積プロセス中に伸張されるため、シャドウマスクプロセスを使用して生成されることができる特徴のアスペクト比は、典型的には、陰影効果および金属マスクの機械的（例えば、引張）強度に起因して制約される。

シャドウマスクを通して表面上に導電性コーティングをパターン化することの別の課題は、全てではないが、あるパターンが、単一のマスクを使用して達成され得ることである。マスクの各部分が物理的に支持されると、全てのパターンが単一の処理段階で可能であるわけではない。例えば、パターンが単離された特徴を規定する場合、単一のマスク処理段階は、典型的には、所望のパターンを達成するために使用されることができない。加えて、デバイス表面全体を横断して拡散される反復構造（例えば、母線構造または補助電極）を生産するために使用されるマスクは、マスク上に形成される多数の穿孔または開口を含む。しかしながら、マスク上に多数の開口を形成することは、マスクの構造完全性を損ない、したがって、堆積させられた構造のパターンを歪ませ得る、処理中のマスクの有意な撓みまたは変形につながり得る。

上記に説明されるプロセス、特に、図６、７Ａ、および７Ｂを参照して説明されるプロセスを使用して、補助電極２０１は、補助電極堆積ステップ中に微細金属マスクを使用することなく、デバイスの非放射領域上に選択的に堆積され得る。さらに、第２の導電性コーティングおよび／または第３の導電性コーティングの選択的堆積を行うために使用される核形成阻害層が、デバイスの放射領域内の補助電極２０１の堆積を実質的に阻害するために使用されてもよいため、補助電極２０１の堆積が、さらに促進される。

第１の導電性コーティング１３１、第２の導電性コーティング１５１、および第３の導電性コーティング１７１は、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部では光透過性または実質的に透明であり得る。さらに明確にするために、第１の導電性コーティング１３１、第２の導電性コーティング１５１、および第３の導電性コーティング１７１はそれぞれ、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部では光透過性または実質的に透明であり得る。したがって、第２の導電性コーティングおよび／または第３の導電性コーティングが、マルチコーティング電極を形成するように第１の導電性コーティングの上に配置されるとき、そのような電極もまた、電磁スペクトルの可視波長部分では光透過性または実質的に透明であり得る。例えば、第１の導電性コーティング１３１、第２の導電性コーティング１５１、第３の導電性コーティング１７１、および／またはマルチコーティング電極の光透過率は、電磁スペクトルの可視部分では、約３０％を上回る、約４０％を上回る、約４５％を上回る、約５０％を上回る、約６０％を上回る、７０％を上回る、約７５％を上回る、または約８０％を上回り得る。少なくともある場合には、第１の導電性コーティング１３１、第２の導電性コーティング１５１、第３の導電性コーティング１７１、および／またはマルチコーティング電極が、（例えば、約３９０ｎｍ〜約７００ｎｍの波長範囲内で）電磁スペクトルの可視部分にわたって比較的高い光透過率を呈することが、特に好ましくあり得る。

いくつかの実施形態では、第１の導電性コーティング１３１、第２の導電性コーティング１５１、および第３の導電性コーティング１７１の厚さは、比較的高い光透過率を維持するように、比較的薄く作製されてもよい。例えば、第１の導電性コーティング１３１の厚さは、約５〜３０ｎｍ、約８〜２５ｎｍ、または約１０〜２０ｎｍであってもよい。第２の導電性コーティング１５１の厚さは、例えば、約１〜２５ｎｍ、約１〜２０ｎｍ、約１〜１５ｎｍ、約１〜１０ｎｍ、または約３〜６ｎｍであってもよい。第３の導電性コーティング１７１の厚さは、例えば、約１〜２５ｎｍ、約１〜２０ｎｍ、約１〜１５ｎｍ、約１〜１０ｎｍ、または約３〜６ｎｍであってもよい。故に、第１の導電性コーティング１３１ならびに第２の導電性コーティング１５１および／または第３の導電性コーティング１７１の組み合わせによって形成される、マルチコーティング電極の厚さは、例えば、約６〜３５ｎｍ、約１０〜３０ｎｍ、または約１０〜２５ｎｍ、もしくは約１２〜１８ｎｍであってもよい。

補助電極２０１の厚さは、第１の導電性コーティング１３１、第２の導電性コーティング１５１、第３の導電性コーティング、および／またはマルチコーティング電極の厚さを実質的に上回り得る。例えば、補助電極２０１の厚さは、約５０ｎｍを上回る、約８０ｎｍを上回る、約１００ｎｍを上回る、約１５０ｎｍを上回る、約２００ｎｍを上回る、約３００ｎｍを上回る、約４００ｎｍを上回る、約５００ｎｍを上回る、約７００ｎｍを上回る、約８００ｎｍを上回る、約１μｍを上回る、約１．２μｍを上回る、約１．５μｍを上回る、約２μｍを上回る、約２．５μｍを上回る、または約３μｍを上回り得る。いくつかの実施形態では、補助電極２０１は、実質的に非透明または不透明であり得る。しかしながら、補助電極２０１が、概して、デバイスの非放射領域内に提供されるため、補助電極２０１は、有意な光学干渉を引き起こし得ない。例えば、補助電極２０１の光透過率は、電磁スペクトルの可視部分では、約５０％未満、約７０％未満、約８０％未満、約８５％未満、約９０％未満、または約９５％未満であり得る。いくつかの実施形態では、補助電極２０１は、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部で光を吸収してもよい。

第１の放射領域１１２、第２の放射領域１１４、および／または第３の放射領域１１６は、いくつかの実施形態では、ＯＬＥＤディスプレイデバイスのサブピクセル領域に対応してもよい。故に、種々のコーティングが堆積される基板１０２は、前述の実施形態に具体的に図示または説明されていない、１つまたはそれを上回る付加的有機および／または無機層を含み得ることを理解されたい。例えば、ＯＬＥＤディスプレイデバイスは、アクティブマトリクスＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ）ディスプレイデバイスであってもよい。そのような実施形態では、基板１０２は、電極と、第１の導電性コーティング１３１が少なくとも１つの有機層にわたって堆積され得るように、各放射領域（例えば、サブピクセル）内で電極にわたって堆積される、少なくとも１つの有機層とを備えてもよい。例えば、電極は、アノードであってもよく、第１の導電性コーティング１３１は、単独で、もしくは第２の導電性コーティング１５１、第３の導電性コーティング１７１、および／または任意の付加的導電性コーティングとの組み合わせのいずれかで、カソードを形成してもよい。少なくとも１つの有機層は、エミッタ層を備えてもよい。少なくとも１つの有機層はさらに、正孔注入層、正孔輸送層、電子遮断層、正孔遮断層、電子輸送層、電子注入層、および／または任意の付加的層を備えてもよい。基板１０２はさらに、複数のＴＦＴを備えてもよい。デバイス内で提供される各アノードは、少なくとも１つのＴＦＴに電気的に接続されてもよい。例えば、基板１００は、１つまたはそれを上回る上面ゲートＴＦＴ、１つまたはそれを上回る底面ゲートＴＦＴ、および／または他のＴＦＴ構造を含んでもよい。ＴＦＴは、ｎ型ＴＦＴまたはｐ型ＴＦＴであってもよい。ＴＦＴ構造の実施例は、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、および低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）を含むものを含む。

基板１０２はまた、上記で識別される付加的有機および／または無機層を支持するためのベース基板を含んでもよい。例えば、ベース基板は、可撓性または剛性基板であってもよい。ベース基板は、例えば、シリコン、ガラス、金属、ポリマー（例えば、ポリイミド）、サファイア、またはベース基板として使用するために好適な他の材料を含んでもよい。

第１の放射領域１１２、第２の放射領域１１４、および第３の放射領域１１６は、相互に異なる波長または発光スペクトルの光を放射するように構成されるサブピクセルであってもよい。第１の放射領域１１２は、第１の波長または第１の発光スペクトルを有する光を放射するように構成されてもよく、第２の放射領域１１４は、第２の波長または第２の発光スペクトルを有する光を放射するように構成されてもよく、第３の放射領域１１６は、第３の波長または第３の発光スペクトルを有する光を放射するように構成されてもよい。第１の波長は、第２の波長および／または第３の波長未満もしくはそれを上回り得、第２の波長は、第１の波長および／または第３の波長未満もしくはそれを上回り得、第３の波長は、第１の波長および／または第２の波長未満もしくはそれを上回り得る。例えば、第１の放射領域１１２は、青色サブピクセルに対応してもよく、第２の放射領域１１４は、緑色サブピクセルに対応してもよく、第３の放射領域１１６は、赤色サブピクセルに対応してもよい。他の実施例では、第１の放射領域１１２、第２の放射領域１１４、および第３の放射領域１１６と関連付けられる発光スペクトルまたは発光色は、異なり得る。第２の放射領域１１４および／または第３の放射領域１１６と組み合わせた、第１の放射領域１１２は、ディスプレイデバイスのピクセルを形成してもよい。そのようなディスプレイデバイスは、典型的には、複数のピクセルを含むことを理解されたい。故に、本明細書に説明される種々の実施形態では、複数の第１の放射領域、複数の第２の放射領域、および複数の第３の放射領域が、提供されてもよい。例えば、複数の第１、第２、および／または第３の放射領域を形成する放射領域は、ディスプレイデバイスを横断して分散様式で配列されてもよく、放射領域の各グループは（例えば、第１の放射領域、第２の放射領域、および第３の放射領域はそれぞれ）、特定の発光色またはスペクトルのサブピクセルに対応してもよい。そのような実施例では、各グループに属する放射領域は、同一のグループ内の他の放射領域と実質的に同じ構造および構成を有してもよい。

いくつかの実施形態では、第１の核形成阻害コーティング１４１、第２の核形成阻害コーティング１６１、および／または第３の核形成阻害コーティング１８１は、少なくとも１つの有機層を堆積させるために使用される同一のシャドウマスクを使用して、選択的に堆積されてもよい。このように、光学的微小共振器効果は、核形成阻害コーティングを堆積させるための付加的マスク要件が存在しないことに起因して、費用効果的な様式でサブピクセル毎に同調されてもよい。

いくつかの実施形態では、本方法はさらに、段階２４または段階３４に続いて、付加的段階を含んでもよい。そのような付加的段階は、例えば、１つまたはそれを上回る付加的核形成阻害コーティングを堆積させるステップ、１つまたはそれを上回る付加的導電性コーティングを堆積させるステップ、補助電極を堆積させるステップ、アウトカップリングコーティングを堆積させるステップ、および／またはデバイスのカプセル化を含んでもよい。

いくつかの実施形態では、アウトカップリングコーティングが、段階１２における第１の導電性コーティングの堆積に続いて、堆積されてもよい。例えば、アウトカップリングコーティングは、段階１２の後に、かつ段階１６における第２の導電性コーティングの堆積の前に、第１の導電性コーティングの表面にわたって堆積されてもよい。別の実施例では、アウトカップリングコーティングは、段階１６における第２の導電性コーティングの堆積の後に、かつ段階２４における第３の導電性コーティングの堆積の前に、堆積されてもよく、したがって、アウトカップリングコーティングが第１の導電性コーティングと第２の導電性コーティングとの間に配置される、デバイスをもたらす。アウトカップリングコーティングは、例えば、小分子有機化合物、ポリマー、有機金属化合物、および／または無機化合物ならびに元素から成ってもよい。アウトカップリングコーティングの厚さは、例えば、約５〜６０ｎｍであってもよい。アウトカップリングコーティングは、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、堆積されてもよい。代替として、アウトカップリングコーティングは、限定されないが、蒸発（熱蒸発および電子ビーム蒸発を含む）、フォトリソグラフィ、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、およびミクロ接触転写印刷を含む）、ＯＶＰＤ、ＬＩＴＩパターン化、およびそれらの組み合わせを含む、上記に説明される種々のプロセスを使用して、選択的に堆積されてもよい。さらに解説されるであろうように、マグネシウム等のある導電性材料は、少なくともある場合には、特に、アウトカップリングコーティングが有機材料によって形成される場合に、アウトカップリングコーティングの表面上に容易に堆積されない場合がある。故に、いくつかの実施例では、核形成助長コーティングが、導電性コーティングが堆積されるアウトカップリングコーティングの部分にわたって堆積されてもよい。例えば、核形成助長コーティングが、その上で付加的導電性コーティングの堆積を可能にするように、放射領域にわたって堆積されてもよい。

また、いくつかの実施形態では、第１の導電性コーティング、第２の導電性コーティング、および／または第３の導電性コーティングが、開放マスクを使用して堆積され得ることも理解されたい。開放マスクは、概して、「覆い隠す」、すなわち、基板のある領域上の材料の堆積を防止する役割を果たす。しかしながら、約数十ミクロンまたはそれよりも小さい特徴サイズを伴う比較的小さい特徴を形成するために使用される、微細金属マスク（ＦＭＭ）と異なり、開放マスクによって画定される特徴サイズは、概して、製造されているＯＬＥＤデバイスのサイズに相当する。例えば、開放マスクは、製造中にディスプレイデバイスの縁を覆い隠してもよく、ディスプレイデバイスのサイズ（例えば、マイクロディスプレイに関して約１インチ、モバイルディスプレイに関して約４〜６インチ、ラップトップまたはタブレットディスプレイに関して約８〜１７インチ等）に近似的に対応する開口を有する、開放マスクをもたらすであろう。例えば、開放マスクの特徴サイズは、約１ｃｍまたはそれを上回り得る。

図９は、その中に形成された開口９３４を有する、または画定する、開放マスク９３１の実施例を図示する。図示される実施例では、マスク９３１の開口９３４は、マスク９３１が重ねられたときに、マスク９３１がデバイス９２１の縁を被覆するように、デバイス９２１のサイズよりも小さい。具体的には、図示される実施形態では、デバイス９２１の全てまたは実質的に全ての放射領域もしくはピクセル９２３が、開口９３４を通して露出される一方で、露出されていない領域９２７は、デバイス９２１の外縁９２５と開口９３４との間に形成される。理解されるであろうように、電気接点または他のデバイス構成要素は、これらの構成要素が開放マスク堆積プロセスを通して影響を受けていないままであるように、露出されていない領域９２７の中に位置してもよい。複数の独立デバイスが、単一の基板上に同時に製作される場合において、開放マスクは、複数の開口を備えてもよく、各開口は、デバイス領域に対応することを理解されたい。

いくつかの実施形態による、別の側面では、光電子デバイスが、提供される。光電子デバイスは、エレクトロルミネセントデバイスであってもよい。いくつかの実施形態では、本デバイスは、第１の放射領域と、第２の放射領域とを備える。第１の放射領域は、第２の放射領域と異なる波長の光を放射するように構成されてもよい。換言すると、例えば、第１の放射領域は、第１の波長を有する光を放射するように構成されてもよく、第２の放射領域は、第２の波長を有する光を放射するように構成されてもよい。第１の波長は、第２の波長を上回るまたは下回り得る。例えば、各放射領域によって放射される光の波長は、ピーク波長（例えば、放射発光スペクトルがその最大値にある波長）または主波長（例えば、人間の眼によって知覚される波長）に対応してもよい。本デバイスはさらに、第１の放射領域および第２の放射領域内に配置される、導電性コーティングを備える。導電性コーティングは、第１の放射領域内に配置される第１の部分と、第２の放射領域内に配置される第２の部分とを含んでもよい。第１の部分は、第１の厚さを有してもよく、第２の部分は、第２の厚さを有してもよく、第１の厚さは、第２の厚さと異なる。例えば、第１の厚さは、第２の厚さを上回るまたは下回り得る。例えば、第２の厚さは、第２の厚さが、第１の厚さの少なくとも約１．１倍、少なくとも約１．２倍、少なくとも約１．３倍、少なくとも約１．４倍、少なくとも約１．５倍、少なくとも約１．８倍、または少なくとも約２倍である場合等、第１の厚さを上回り得る。

図１０は、一実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイス１０００の一部を図示する断面概略図である。ＡＭＯＬＥＤデバイス１０００は、第１の放射領域１０３１ａと、第２の放射領域１０３１ｂとを含む。第１の放射領域１０３１ａおよび第２の放射領域１０３１ｂは、ＡＭＯＬＥＤデバイス１０００のサブピクセルであってもよい。

デバイス１０００は、ベース基板１０１０と、ベース基板１０１０の表面にわたって堆積される緩衝層１０１２とを含む。複数のＴＦＴ１００８ａ、１００８ｂが、次いで、緩衝層１０１２にわたって形成される。ＴＦＴ１００８ｂを具体的に参照すると、半導体活性面積１０１４が、緩衝層１０１２の一部にわたって形成され、ゲート絶縁層１０１６が、半導体活性面積１０１４を実質的に被覆するように堆積される。次に、ゲート電極１０１８が、ゲート絶縁層１０１６の上に形成され、層間絶縁層１０２０が、堆積される。ソース電極１０２４およびドレイン電極１０２２が、層間絶縁層１０２０およびゲート絶縁層１０１６を通して形成される開口部を通して延在し、半導体活性層１０１４と接触するように、形成される。絶縁層１０４２が、次いで、ＴＦＴ１００８ａ、１００８ｂにわたって形成される。第１の電極１０４４ａ、１０４４ｂが、次いで、それぞれ、絶縁層１０４２の一部にわたって、第１の放射領域１０３１ａおよび第２の放射領域１０３１ｂのそれぞれに形成される。図１０に図示されるように、第１の電極１０４４ａ、１１０４４ｂはそれぞれ、個別のＴＦＴ１００８ａ、１１００８ｂのドレイン電極１０２２と電気通信するように、絶縁層１０４２の開口部を通して延在する。ピクセル画定層（ＰＤＬ）１０４６ａ、１０４６ｂ、１０４６ｃが、次いで、各電極の外縁を含む、第１の電極１０４４ａ、１０４４ｂの少なくとも一部を被覆するように形成される。例えば、ＰＤＬ１０４６ａ、１０４６ｂ、１０４６ｃは、絶縁有機または無機材料を含んでもよい。有機層１０４８ａ、１０４８ｂが、次いで、特に、隣接するＰＤＬ１０４６ａ、１０４６ｂ、１０４６ｃの間の領域内で、個別の第１の電極１０４４ａ、１０４４ｂにわたって堆積される。第１の導電性コーティング１０７１が、有機層１０４８ａ、１０４８ｂおよびＰＤＬ１０４６ａ、１０４６ｂ、１０４６ｃの両方を実質的に被覆するように堆積される。例えば、第１の導電性コーティング１０７１は、共通カソードまたはその一部を形成してもよい。第１の核形成阻害コーティング１０６１が、第１の放射領域１０３１ａにわたって配置される第１の導電性コーティング１０７１の第１の部分１０３５ａにわたって選択的に堆積される。例えば、第１の核形成阻害コーティング１０６１は、微細金属マスクまたはシャドウマスクを使用して、選択的に堆積されてもよい。故に、第２の導電性コーティング１０７２が、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、第１の導電性コーティング１０７１の露出表面にわたって選択的に堆積される。さらなる具体性のために、開放マスクを使用して、またはマスクを用いることなく、第２の導電性コーティング１０７２（例えば、マグネシウムを含む）の熱堆積を行うことによって、第２の導電性コーティング１０７２は、第２の導電性コーティング１０７２の材料を実質的に含まない第１の核形成阻害コーティング１０６１の表面を残しながら、第１の導電性コーティング１０７１の露出表面にわたって選択的に堆積される。故に、第２の導電性コーティング１０７２は、第１の導電性コーティング１０７１の上に直接、またはそれと直接物理的に接触して、堆積され得る。

図１０に図示されるデバイス１０００では、第１の導電性コーティング１０７１および第２の導電性コーティング１０７２は、共通カソード１０７５を集合的に形成する。具体的には、共通カソード１０７５は、第１の導電性コーティング１０７１および第２の導電性コーティング１０７２の組み合わせによって形成されてもよく、第２の導電性コーティング１０７２は、第１の導電性コーティング１０７１の少なくとも一部にわたって直接配置される。共通カソード１０７５は、第１の放射領域１０３１ａ内で第１の厚さｔ_ｃ１と、第２の放射領域１０３１ｂ内で第２の厚さｔ_ｃ２とを有する。第１の厚さｔ_ｃ１は、第１の導電性コーティング１０７１の厚さに対応してもよく、第２の厚さｔ_ｃ２は、第１の導電性コーティング１０７１および第２の導電性コーティング１０７２の複合厚さに対応してもよい。第１の導電性コーティング１０７１の第１の部分１０３５ａおよび第２の部分１０３５ｂは、単一のモノリシック構造を提供するように、相互と一体的に形成されてもよい、または連続的であり得る。例えば、第１の導電性コーティング１０７１はさらに、第１の部分１０３５ａと第２の部分１０３５ｂとの間に配置される中間部分を備えてもよく、中間部分は、第１の部分１０３５ａおよび第２の部分１０３５ｂを接続する。代替として、いくつかの実施形態では、第１の部分１０３５ａおよび第２の部分１０３５ｂは、相互から離間される別個の構造として形成されてもよい。例えば、個別の放射領域をコーティングする第１の部分および第２の部分は、第１の導電性コーティングを堆積させることに先立って、第１の部分と第２の部分との間に核形成阻害コーティングを配置することによって、別個の構造として形成されてもよい。例えば、核形成阻害コーティングは、放射領域の間の非放射領域内に配置されてもよい。このように、核形成阻害コーティングでコーティングされる領域内の第１の導電性コーティング材料の堆積は、阻害されてもよく、したがって、第１の部分および第２の部分は、相互から離間される別個の構造として形成されてもよい。代替として、導電性コーティングを選択的に堆積させるための他の方法も、第１の部分および第２の部分を別個の構造として形成するために使用されてもよい。

いくつかの実施形態では、第１の核形成阻害コーティング１０６１は、有機層１０４８ａを選択的に堆積させるために使用される同一のシャドウマスクを使用して、第１の導電性コーティング１０７１の少なくとも第１の部分１０３５ａをコーティングするように選択的に堆積されてもよい。

いくつかの実施形態では、第１の核形成阻害コーティング１０６１は、光学アウトカップリングコーティングであってもよい。理解されるであろうように、光学アウトカップリングコーティングは、デバイスのアウトカップリング効率を増進させるように提供されてもよい。故に、核形成阻害コーティングは、例えば、比較的高い屈折率を呈する材料によって形成されてもよい。他の実施形態では、第１の核形成阻害コーティング１０６１から分離しているアウトカップリングコーティングが、提供されてもよい。

図１１は、図１０のデバイス１０００がさらに、アウトカップリングコーティング１１１０を含む、実施形態を図示する。図示されるように、アウトカップリングコーティング１１１０は、第１の放射領域１０３１ａおよび第２の放射領域１０３１ｂをコーティングするように堆積されてもよい。アウトカップリングコーティング１１１０はさらに、例えば、アウトカップリングコーティング１１１０が開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して堆積される場合において、デバイスの非放射領域をコーティングしてもよい。アウトカップリングコーティング１１１０は、第１の核形成阻害コーティング１０６１と同一の材料組成から成ってもよい。代替として、アウトカップリングコーティング１１１０は、第１の核形成阻害コーティング１０６１と異なる材料組成を有してもよい。

図１２は、図１０のデバイス１０００がさらに、補助電極１１３１を含む、別の実施形態を図示する。補助電極１１３１は、デバイス１０００の非放射部分内に提供されてもよい。図１２の実施形態では、補助電極１１３１は、ＰＤＬ１０４６ａ−ｃが存在する領域に対応する、放射領域１０３１ａ、１０３１ｂに隣接する領域内に配置される。例えば、補助電極１１３１は、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、堆積されてもよい。第１の放射領域１０３１ａおよび第２の放射領域１０３１ｂ内に補助電極１１３１を形成するために使用される材料の堆積は、それぞれ、第１の核形成阻害コーティング１０６１および第２の核形成阻害コーティング１０６２の存在によって実質的に防止され得る。いくつかの実施形態では、補助電極１１３１は、第１の導電性コーティング１０７１および／または第２の導電性コーティング１０７２と同一の材料を使用して形成されてもよい。例えば、補助電極１１３１は、マグネシウムを含んでもよい。例えば、補助電極１１３１は、実質的に純粋なマグネシウムから成ってもよい。

図１２の実施形態では、第１の核形成阻害コーティング１０６１の厚さおよび第２の核形成阻害コーティング１０６２の厚さは、実質的に同一であり得る。代替として、第１の核形成阻害コーティング１０６１の厚さは、いくつかの実施形態では、第２の核形成阻害コーティング１０６２の厚さを下回る、または上回り得る。例えば、核形成阻害コーティングがアウトカップリングコーティングとしても機能する場合において、デバイスの異なる放射領域またはサブピクセルにわたって堆積される核形成阻害コーティングの厚さを変動させることが特に有利であり得る。異なるサブピクセルの間の共通カソードの厚さに加えて、核形成阻害コーティング（したがって、アウトカップリングコーティング）の厚さを調節することによって、光学的微小共振器効果は、サブピクセル間スケールで変調されてもよい。他の実施形態では、図１２のデバイス１０００はさらに、核形成阻害コーティング、随意に、補助電極にわたって堆積される、付加的アウトカップリングコーティングを備えてもよい。

図１３は、ＡＭＯＬＥＤデバイス１３００の一部を図示する概略断面図である。簡単にするために、ＴＦＴ１３０８ａ、１３０８ｂ、１３０８ｃに関するものを含む、バックプレーンのある詳細は、以下の実施形態を説明する際に省略される。

図１３の実施形態では、デバイス１３００は、第１の放射領域１３３１ａと、第２の放射領域１３３１ｂと、第３の放射領域１３３１ｃとを含む。例えば、放射領域は、デバイス１３００のサブピクセルに対応してもよい。デバイス１３００では、第１の電極１３４４ａ、１３４４ｂ、１３４４ｃが、それぞれ、第１の放射領域１３３１ａ、第２の放射領域１３３１ｂ、および第３の放射領域１３３１ｃのそれぞれの中に形成される。図１３に図示されるように、第１の電極１３４４ａ、１３４４ｂ、１３４４ｃはそれぞれ、個別のＴＦＴ１３０８ａ、１３０８ｂ、１３０８ｃと電気通信するように、絶縁層１３４２の開口部を通して延在する。ＰＤＬ１３４６ａ−ｄが、次いで、各電極の外縁を含む、第１の電極１３４４ａ−ｃの少なくとも一部を被覆するように形成される。例えば、ＰＤＬ１３４６ａ−ｄは、絶縁有機または無機材料を含んでもよい。有機層１３４８ａ、１３４８ｂ、１３４８ｃが、次いで、特に、隣接するＰＤＬ１３４６ａ−ｄの間の領域内で、個別の第１の電極１３４４ａ、１３４４ｂ、１３４４ｃにわたって堆積される。第１の導電性コーティング１３７１が、有機層１３４８ａ−ｄおよびＰＤＬ１３４６ａ−ｄの両方を実質的に被覆するように堆積される。例えば、第１の導電性コーティング１３７１は、共通カソードまたはその一部を形成してもよい。第１の核形成阻害コーティング１３６１が、第１の放射領域１３３１ａにわたって配置される第１の導電性コーティング１３７１の一部にわたって選択的に堆積される。例えば、第１の核形成阻害コーティング１３６１は、微細金属マスクまたはシャドウマスクを使用して、選択的に堆積されてもよい。故に、第２の導電性コーティング１３７２が、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、第１の導電性コーティング１３７１の露出表面にわたって選択的に堆積される。さらなる具体性のために、開放マスクを使用して、またはマスクを用いることなく、第２の導電性コーティング１３７２（例えば、マグネシウムを含む）の熱堆積を行うことによって、第２の導電性コーティング１３７２は、第２の導電性コーティング１３７２の材料を実質的に含まない第１の核形成阻害コーティング１３６１の表面を残しながら、第１の導電性コーティング１３７１の露出表面にわたって選択的に堆積される。第２の導電性コーティング１３７２は、第２の放射領域１３３１ｂおよび第３の放射領域１３３１ｃにわたって配置される第１の導電性コーティング１３７１の部分をコーティングするように堆積されてもよい。

図１３に図示されるデバイス１３００では、第１の導電性コーティング１３７１および第２の導電性コーティング１３７２は、共通カソード１３７５を集合的に形成してもよい。具体的には、共通カソード１３７５は、第１の導電性コーティング１３７１および第２の導電性コーティング１３７２の組み合わせによって形成されてもよく、第２の導電性コーティング１３７２は、第１の導電性コーティング１３７１の少なくとも一部にわたって直接配置される。共通カソード１３７５は、第１の放射領域１３３１ａ内で第１の厚さｔ_ｃ１と、第２の放射領域１３３５ｂおよび第３の放射領域１３３５ｃ内で第２の厚さｔ_ｃ２とを有する。第１の厚さｔ_ｃ１は、第１の導電性コーティング１３７１の厚さに対応してもよく、第２の厚さｔ_ｃ２は、第１の導電性コーティング１３７１および第２の導電性コーティング１３７２の複合厚さに対応してもよい。故に、第２の厚さｔ_ｃ２は、第１の厚さｔ_ｃ１を上回る。

図１４は、共通カソード１３７５がさらに、第３の導電性コーティング１３７３を備える、デバイス１３００のさらなる実施形態を図示する。具体的には、図１４の実施形態では、デバイス１３００は、第２の放射領域１３３１ｂにわたって提供される第２の導電性コーティング１３７２の一部にわたって配置される、第２の核形成阻害コーティング１３６２を備える。第３の導電性コーティング１３７３が、次いで、第３の放射領域１３３１ｃにわたって配置される第２の導電性コーティング１３７２の部分を含む、第２の導電性コーティング１３７２の露出または未処理表面にわたって堆積される。このように、第１の放射領域１３３１ａ内で第１の厚さｔ_ｃ１と、第２の放射領域１３３１ｂ内で第２の厚さｔ_ｃ２と、第３の放射領域１３３１ｃ内で第３の厚さｔ_ｃ３とを有する、共通カソード１３７５が、提供されてもよい。理解されるであろうように、第１の厚さｔ_ｃ１は、第１の導電性コーティング１３７１の厚さに対応し、第２の厚さｔ_ｃ２は、第１の導電性コーティング１３７１および第２の導電性コーティング１３７２の複合厚さに対応し、第３の厚さｔ_ｃ３は、第１の導電性コーティング１３７１、第２の導電性コーティング１３７２、および第３の導電性コーティング１３７３の複合厚さに対応する。故に、第１の厚さｔ_ｃ１は、概して、第２の厚さｔ_ｃ２を下回り、第３の厚さｔ_ｃ３は、概して、第２の厚さｔ_ｃ２を上回る。

図１５に図示されるさらに別の実施形態では、デバイス１３００はさらに、第３の放射領域１３３１ｃにわたって配置される第３の核形成阻害コーティング１３６３を備える。具体的には、第３の核形成阻害コーティング１３６３は、第３の放射領域１３３１ｃに対応するデバイスの一部をコーティングする、第３の導電性コーティング１３７３の一部にわたって堆積されるものとして図示される。

図１６に図示されるさらに別の実施形態では、デバイス１３００はさらに、デバイス１３００の非放射領域内に配置される補助電極１３８１を備える。例えば、補助電極１３８１は、第２の導電性コーティング１３７２および／または第３の導電性コーティング１３７３を堆積させるために使用されるものと実質的に同一のプロセスを使用して、形成されてもよい。補助電極１３８１は、デバイス１３００の非放射領域に対応する、ＰＤＬ１３４６ａ−１３４６ｄにわたって堆積されるものとして図示される。補助電極１３８１は、放射領域１３３１ａ−ｃにわたって形成されないように実質的に阻害され得、したがって、放射領域１３３１ａ−ｃは、補助電極１３８１を形成するために使用される材料を実質的に含まなくてもよい。

第１の導電性コーティング１３７１、第２の導電性コーティング１３７２、および第３の導電性コーティング１３７３は、電磁スペクトルの可視波長部分では光透過性または実質的に透明であり得る。さらに明確するために、第１の導電性コーティング１３７１、第２の導電性コーティング１３７２、および第３の導電性コーティング１３７３はそれぞれ、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部では光透過性または実質的に透明であり得る。したがって、第２の導電性コーティングおよび／または第３の導電性コーティングが、共通カソード１３７５を形成するように第１の導電性コーティングの上に配置されるとき、そのような電極はまた、電磁スペクトルの可視波長部分では光透過性または実質的に透明であり得る。例えば、第１の導電性コーティング１３７１、第２の導電性コーティング１３７２、第３の導電性コーティング１３７３、および／または共通カソード１３７５の光透過率は、電磁スペクトルの可視部分では、約３０％を上回る、約４０％を上回る、約４５％を上回る、約５０％を上回る、約６０％を上回る、７０％を上回る、約７５％を上回る、または約８０％を上回り得る。

いくつかの実施形態では、第１の導電性コーティング１３７１、第２の導電性コーティング１３７２、および第３の導電性コーティング１３７３の厚さは、比較的高い光透過率を維持するように、比較的薄く作製されてもよい。例えば、第１の導電性コーティング１３７１の厚さは、約５〜３０ｎｍ、約８〜２５ｎｍ、または約１０〜２０ｎｍであってもよい。第２の導電性コーティング１３７２の厚さは、例えば、約１〜２５ｎｍ、約１〜２０ｎｍ、約１〜１５ｎｍ、約１〜１０ｎｍ、または約３〜６ｎｍであってもよい。第３の導電性コーティング１３７３の厚さは、例えば、約１〜２５ｎｍ、約１〜２０ｎｍ、約１〜１５ｎｍ、約１〜１０ｎｍ、または約３〜６ｎｍであってもよい。故に、第１の導電性コーティング１３７１ならびに第２の導電性コーティング１３７２および／または第３の導電性コーティング１３７３の組み合わせによって形成される、共通カソード１３７５の厚さは、例えば、約６〜３５ｎｍ、約１０〜３０ｎｍ、または約１０〜２５ｎｍ、もしくは約１２〜１８ｎｍであってもよい。

補助電極１３８１の厚さは、第１の導電性コーティング１３７１、第２の導電性コーティング１３７２、第３の導電性コーティング１３７３、および／または共通カソード１３７５の厚さを実質的に上回り得る。例えば、補助電極１３８１の厚さは、約５０ｎｍを上回る、約８０ｎｍを上回る、約１００ｎｍを上回る、約１５０ｎｍを上回る、約２００ｎｍを上回る、約３００ｎｍを上回る、約４００ｎｍを上回る、約５００ｎｍを上回る、約７００ｎｍを上回る、約８００ｎｍを上回る、約１μｍを上回る、約１．２μｍを上回る、約１．５μｍを上回る、約２μｍを上回る、約２．５μｍを上回る、または約３μｍを上回り得る。いくつかの実施形態では、補助電極１３７５は、実質的に非透明または不透明であり得る。しかしながら、補助電極１３７５が、概して、デバイスの非放射領域内に提供されるため、補助電極１３７５は、有意な光学干渉を引き起こし得ない。例えば、補助電極１３７５の光透過率は、電磁スペクトルの可視部分では、約５０％未満、約７０％未満、約８０％未満、約８５％未満、約９０％未満、または約９５％未満であり得る。いくつかの実施形態では、補助電極１３７５は、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部で光を吸収してもよい。

第１の導電性コーティング１３７１は、光透過性導電性層またはコーティングを形成するために使用される種々の材料から成ってもよい。例えば、第１の導電性コーティング１３７１は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、金属または非金属薄膜、およびそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。第１の導電性コーティング１３７１はさらに、２つまたはそれを上回る層もしくはコーティングを備えてもよい。例えば、そのような層またはコーティングは、相互の上に配置される明確に異なる層またはコーティングであってもよい。第１の導電性コーティング１３７１は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、フッ素スズ酸化物（ＦＴＯ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、および前述の材料のうちのいずれかを含有する合金を含む、それらの任意の組み合わせを含む、種々の材料から成ってもよい。例えば、第１の導電性コーティング１３７１は、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ｍｇ：Ｙｂ合金、またはそれらの組み合わせから成ってもよい。Ｍｇ：Ａｇ合金またはＭｇ：Ｙｂ合金に関して、合金組成は、約１：９〜約９：１体積比に及んでもよい。他の実施例では、第１の導電性コーティング１３７１は、Ｙｂ／Ａｇｂｉ層コーティングを備えてもよい。例えば、そのような二層コーティングは、銀コーティングが後に続く、イッテルビウムコーティングを堆積させることによって、形成されてもよい。銀コーティングの厚さは、イッテルビウムコーティングの厚さを上回り得る、またはその逆も同様である。さらに別の実施例では、第１の導電性コーティング１３７１は、フラーレンおよびマグネシウムから成ってもよい。例えば、そのようなコーティングは、マグネシウムコーティングが後に続く、フラーレンコーティングを堆積させることによって、形成されてもよい。別の実施例では、フラーレンが、フラーレン含有マグネシウム合金コーティングを形成するようにマグネシウムコーティング内に分散されてもよい。そのようなコーティングの実施例は、米国特許出願公開第ＵＳ２０１５／０２８７８４６号（２０１５年１０月８日公開）およびＰＣＴ出願第ＰＣＴ／ＩＢ２０１７／０５４９７０号（２０１７年８月１５日出願）でさらに説明されている。

第２の導電性コーティング１３７２および第３の導電性コーティング１３７３は、イッテルビウム（Ｙｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、およびマグネシウム（Ｍｇ）等の高蒸気圧材料から成ってもよい。いくつかの実施形態では、第２の導電性コーティング１３７２および第３の導電性コーティング１３７３は、純粋または実質的に純粋なマグネシウムから成ってもよい。

補助電極１３８１は、第２の導電性コーティング１３７２および／または第３の導電性コーティング１３７３と実質的に同一の材料から成ってもよい。いくつかの実施形態では、補助電極１３８１は、マグネシウムを含んでもよい。例えば、補助電極１３８１は、純粋または実質的に純粋なマグネシウムから成ってもよい。他の実施例では、補助電極１３８１は、Ｙｂ、Ｃｄ、および／またはＺｎから成ってもよい。

いくつかの実施形態では、放射領域１３３１ａ、１３３１ｂ、１３３１ｃ内に配置される核形成阻害コーティング１３６１、１３６２、１３６３の厚さは、各放射領域によって放射される光の色または発光スペクトルに従って変動され得る。図１５および１６に図示されるように、第１の核形成阻害コーティング１３６１は、第１の核形成阻害コーティング厚さｔ_ｎ１を有してもよく、第２の核形成阻害コーティング１３６２は、第２の核形成阻害コーティング厚さｔ_ｎ２を有してもよく、第３の核形成阻害コーティング１３６３は、第３の核形成阻害コーティング厚さｔ_ｎ３を有してもよい。第１の核形成阻害コーティング厚さｔ_ｎ１、第２の核形成阻害コーティング厚さｔ_ｎ２、および／または第３の核形成阻害コーティング厚さｔ_ｎ３は、相互と実質的に同一であり得る。代替として、第１の核形成阻害コーティング厚さｔ_ｎ１、第２の核形成阻害コーティング厚さｔ_ｎ２、および／または第３の核形成阻害コーティング厚さｔ_ｎ３は、相互と異なり得る。

相互から独立して、各放射領域またはサブピクセル内に配置される核形成阻害コーティングの厚さを変調することによって、各放射領域またはサブピクセル内の光学的微小共振器効果が、さらに制御されることができる。例えば、青色サブピクセルにわたって配置される核形成阻害コーティングの厚さは、緑色サブピクセルにわたって配置される核形成阻害コーティングの厚さを下回り得、緑色サブピクセルにわたって配置される核形成阻害コーティングの厚さは、赤色サブピクセルにわたって配置される核形成阻害コーティングの厚さを下回り得る。理解されるであろうように、各放射領域またはサブピクセル内の光学的微小共振器効果は、他の放射領域またはサブピクセルから独立して、放射領域またはサブピクセル毎に核形成阻害コーティング厚さおよび導電性コーティング厚さの両方を変調することによって、さらに大きい程度に制御されてもよい。

光学的微小共振器効果は、ＯＬＥＤ等の光電子デバイスを構築するために使用される、異なる屈折率を伴う多数の薄膜層およびコーティングによって作成される光学インターフェースの存在に起因して生じる。デバイスにおいて観察される光学的微小共振器効果に影響を及ぼす、いくつかの要因は、全経路長（例えば、それを通してデバイスから放射される光がアウトカップリングされる前に進行しなければならない、デバイスの全厚）と、種々の層およびコーティングの屈折率とを含む。現在、放射領域（例えば、サブピクセル）内のカソードの厚さを変調させることによって、放射領域内の光学的微小共振器効果が変動され得ることが、見出されている。そのような効果は、概して、全光学経路長の変化に起因し得る。本発明者らは、特に、薄いコーティングによって形成される光透過性カソードの場合に、カソード厚さの変化がまた、全光学経路長に加えて、カソードの屈折率も変化させ得ることを、さらに仮定している。さらに、光学経路長、したがって、光学的微小共振器効果はまた、放射領域内に配置される核形成阻害コーティングの厚さを変化させることによって、変調されてもよい。

光学的微小共振器効果を変調させることによって影響を受け得る、デバイスの光学的性質は、発光スペクトルと、強度（例えば、発光強度）と、出力光の輝度および色偏移の角度依存性を含む、出力光の角度分布を含む。

種々の実施形態が、２または３つの放射領域もしくはサブピクセルを用いて説明されているが、デバイスは、任意の数の放射領域またはサブピクセルを備え得ることを理解されたい。例えば、デバイスは、複数のピクセルを備えてもよく、各ピクセルは、２つ、３つ、またはそれを上回るサブピクセルを備える。さらに、他のピクセルまたはサブピクセルに対するピクセルまたはサブピクセルの具体的配列は、デバイス設計に応じて変動され得る。

いくつかの用途では、導電性コーティングが容易に堆積させられることができない基板表面上に、具体的材料性質を有する導電性コーティングを堆積させることが望ましくあり得る。例えば、純粋または実質的に純粋なマグネシウムは、典型的には、種々の有機表面上のマグネシウムの低い付着係数に起因して、有機表面上に容易に堆積させられることができない。故に、いくつかの実施形態では、第１の導電性コーティング、第２の導電性コーティング、第３の導電性コーティング、および／または補助電極が堆積される表面はさらに、マグネシウムを含むもの等の導電性コーティングを堆積させることに先立って、その上に核形成助長コーティングを堆積させることによって処理されてもよい。

所見および実験観察に基づいて、フラーレンならびに他の核形成助長材料は、本明細書でさらに解説されるであろうように、マグネシウムを含む導電性コーティングの堆積のための核形成部位として作用することが仮定される。例えば、マグネシウムが、フラーレン処理表面上に蒸発プロセスを使用して堆積させられる場合において、フラーレン分子は、マグネシウム堆積のための安定した核の形成を助長する核形成部位として作用する。フラーレンまたは他の核形成助長材料の単分子未満の層が、ある場合には、マグネシウムの堆積のための核形成部位として作用するように、処理された表面上に提供されてもよい。理解されるであろうように、核形成助長材料のいくつかの単分子層を堆積させることによって表面を処理することは、より多数の核形成部位、したがって、より高い初期付着確率をもたらし得る。

また、表面上に堆積されるフラーレンまたは他の材料（核形成助長コーティングとして作用し得る）の量は、１つを上回る、または１つ未満の単分子層であり得ることも理解されたい。例えば、表面は、核形成助長材料の０．１の単分子層、１つの単分子層、１０の単分子層、またはそれを上回るものを堆積させることによって処理されてもよい。核形成阻害コーティングを形成するように表面上に堆積される核形成阻害材料の量は、概して、約１つの単分子層またはそれを上回るであろう。本明細書で使用されるように、材料の１つの単分子層を堆積させることは、材料の構成分子または原子の単一の層で表面の所望の面積を被覆する材料の量を指す。同様に、本明細書で使用されるように、材料の０．１の単分子層を堆積させることは、材料の構成分子または原子の単一の層で表面の所望の面積の１０％を被覆する材料の量を指す。例えば、分子または原子の可能性として考えられる積層もしくはクラスタ化に起因して、堆積した材料の実際の厚さは、非一様であり得る。例えば、材料の１つの単分子層を堆積させることが、材料によって被覆されていない表面のいくつかの領域をもたらし得る一方で、表面の他の領域は、その上に堆積させられた複数の原子または分子層を有してもよい。

本明細書で使用されるように、「フラーレン」という用語は、炭素分子を含む材料を指す。フラーレン分子の実施例は、閉鎖シェルを形成し、形状が球形または半球形であり得る、複数の炭素原子を含む、３次元骨格を含む、炭素ケージ分子を含む。フラーレン分子は、ｎが、フラーレン分子の炭素骨格に含まれる炭素原子の数に対応する整数である、Ｃ_ｎとして指定されることができる。フラーレン分子の実施例は、ｎが、Ｃ_６０、Ｃ_７０、Ｃ_７２、Ｃ_７４、Ｃ_７６、Ｃ_７８、Ｃ_８０、Ｃ_８２、およびＣ_８４等の５０〜２５０の範囲内である、Ｃ_ｎを含む。フラーレン分子の付加的実施例は、単一壁炭素ナノチューブおよび多重壁炭素ナノチューブ等の管または円筒形の炭素分子を含む。

限定されないが、蒸発（熱蒸発および電子ビーム蒸発を含む）、フォトリソグラフィ、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、およびミクロ接触転写印刷を含む）、ＯＶＰＤ、ＬＩＴＩパターン化、およびそれらの組み合わせを含む、表面上に材料を選択的に堆積させるための種々のプロセスが、核形成助長コーティングを堆積させるために使用されてもよい。

例えば、図１および２Ａ−２Ｃの実施形態を参照すると、核形成助長コーティングを堆積させる付加的ステップが、段階１２に先立って行われてもよい。具体的には、基板１０２の表面は、第１の導電性コーティング１３１を堆積させることに先立って、核形成助長コーティングでコーティングされてもよい。他の実施形態では、第１の導電性コーティング１３１にわたって核形成助長コーティングを選択的に堆積させる付加的ステップが、段階１６において第２の導電性コーティングを堆積させることに先立って、含まれてもよい。例えば、そのような付加的ステップは、段階１４における第１の核形成阻害コーティングの選択的堆積の前、かつ段階１２における第１の導電性コーティングの堆積の後に、または段階１４における第１の核形成阻害コーティングの選択的堆積の後、かつ段階１６における第２の導電性コーティングの堆積の前に、含まれてもよい。例えば、そのような核形成助長コーティングは、処理されてない、または第１の核形成阻害コーティング１４１から露出される、第１の導電性コーティング１３１の部分にわたって配置されてもよい。例えば、核形成助長コーティングは、非放射領域１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、および第２の放射領域１１４にわたって提供される導電性コーティングの部分内で、第１の導電性コーティング１３１と第２の導電性コーティング１５１との間の界面に配置されてもよい。

別の実施例では、図１３−１６に図示されるデバイス１３００の種々の実施形態を参照すると、第１の核形成助長コーティングが、有機層１３４８ａ、１３４８ｂ、１３４８ｃと第１の導電性コーティング１３７１との間の界面に配置されてもよい。代替として、またはそれに加えて、さらなる核形成助長コーティングが、第１の導電性コーティング１３７１と第２の導電性コーティング１３７２との間の界面に、および／または第２の導電性コーティング１３７２と第３の導電性コーティング１３７３との間の界面に配置されてもよい。所望される場合、そのような核形成助長コーティングは、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、堆積されてもよい。故に、いくつかの実施例では、核形成助長コーティングは、第１の核形成阻害コーティング１３６１、第２の核形成阻害コーティング１３６２、および第３の核形成阻害コーティング１３６３と、核形成阻害コーティングのそれぞれの下に位置する個別の導電性コーティングまたは表面との間の界面に配置されてもよい。

ベース基板１０１０、１３１０は、可撓性または剛性基板であってもよい。ベース基板は、例えば、シリコン、ガラス、金属、ポリマー（例えば、ポリイミド）、サファイア、またはベース基板として使用するために好適な他の材料を含んでもよい。

有機層は、エレクトロルミネセント層を含む。エレクトロルミネセント層は、例えば、エミッタ材料でホスト材料をドープすることによって、形成されてもよい。エミッタ材料は、例えば、蛍光エミッタ、リン光エミッタ、またはＴＡＤＦエミッタであってもよい。複数のエミッタ材料もまた、エレクトロルミネセント層を形成するようにホスト材料の中へドープされてもよい。

前述の実施形態のうちのいくつかは、ＯＬＥＤに関連して説明されているが、そのようなプロセスおよびプロセスの結果として形成される導電性コーティングは、活性層材料として量子ドットを含む、光電子デバイスを形成するために使用され得ることを理解されたい。例えば、そのようなデバイスは、量子ドットを含む活性層を伴う一対の電極の間に配置される、活性層を含んでもよい。本デバイスは、例えば、光が、電極によって提供される電流の結果として、量子ドット活性層から放射される、エレクトロルミネセント量子ドットディスプレイデバイスであってもよい。導電性コーティングは、そのようなデバイス用の電極を形成してもよい。

上記の実施形態によると、導電性コーティングが、核形成阻害コーティングまたは核形成阻害および核形成助長コーティングの組み合わせの使用を通して、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、標的領域（例えば、放射領域またはサブピクセル領域）上に選択的に堆積させられてもよい。対照的に、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスにおける十分な選択性の欠如は、標的領域を越えて、かつ非放射領域または隣接する放射領域もしくはサブピクセル領域にわたって、導電性材料の堆積をもたらし、これは、隣接する放射領域またはサブピクセル領域にわたるそのような材料の堆積が、これらの領域内のデバイスの光学的性質の減少に寄与し得るため、望ましくない。また、標的領域上に導電性コーティングを堆積させることの高い選択性を提供することによって、導電性コーティングは、異なるサブピクセル領域の間で変動する厚さを伴う電極としての役割を果たし、ＯＬＥＤデバイスにおいて所望の光学的および電気的性能を達成することができる。例えば、上記の実施形態によって提供される高い選択性は、変動する厚さを有する共通カソードの堆積を可能にし、サブピクセル毎の光学的微小共振器効果およびそれと関連付けられる発光色スペクトルを同調または変調させる。

基板の表面上の蒸着中の薄膜の形成は、核形成および成長のプロセスを伴う。膜形成の初期段階中に、十分な数の蒸気モノマー（例えば、原子または分子）が、典型的には、表面上に初期核を形成するように気相から凝縮する。蒸気モノマーが表面に衝突し続けると、これらの初期核のサイズおよび密度は、小さいクラスタまたは島を形成するように増加する。飽和島密度に達した後、隣接する島が、典型的には、合体し始め、島密度を減少させながら、平均島サイズを増大させる。隣接する島の合体は、実質的に閉鎖された膜が形成されるまで継続する。

薄膜の形成のための３つの基本的成長モード、すなわち、１）島（フォルマー・ウェーバー）、２）層毎（フランク・ファン・デル・メルヴェ）、および３）ストランスキー・クラスタノフが存在し得る。島成長は、典型的には、モノマーの安定したクラスタが、表面上で核となり、離散島を形成するように成長するときに起こる。本成長モードは、モノマーの間の相互作用が、モノマーと表面との間のものよりも強いときに起こる。

核形成率は、単位時間につき表面上に形成する臨界サイズの核の数を説明する。膜形成の初期段階中に、核の密度が低く、したがって、核が表面の比較的小さい部分を被覆する（例えば、隣接する核の間に大きい間隙／空間がある）ため、核が表面上のモノマーの直接衝突から成長するであろう可能性は低い。したがって、臨界核が成長する速度は、典型的には、表面上の吸着されたモノマー（例えば、吸着原子）が移動し、近くの核に付着する速度に依存する。

表面上の吸着原子の吸着後、吸着原子は、表面から脱着し得るか、または脱着すること、小さいクラスタを形成するように他の吸着原子と相互作用すること、もしくは成長する核に付着することのいずれかの前に、表面上である距離を移動し得るかのいずれかである。吸着原子が初期吸着後に表面上に残留する平均時間量は、以下によって求められる。

上記の方程式では、ｖは、表面上の吸着原子の振動周波数であり、ｋは、ボルツマン定数であり、Ｔは、温度であり、Ｅ_ｄｅｓは、表面から吸着原子を脱着するために関与するエネルギーである。本方程式から、Ｅ_ｄｅｓの値が低いほど、吸着原子が表面から脱着することが容易であり、故に、吸着原子が表面上に残留するであろう時間が短いことに留意されたい。吸着原子が拡散することができる平均距離は、以下によって求められる。
式中、ａ_０は、格子定数であり、Ｅ_ｓは、表面拡散のための活性化エネルギーである。Ｅ_ｄｅｓの低い値および／またはＥ_ｓの高い値に関して、吸着原子は、脱着前に、より短い距離で拡散し、故に、成長する核に付着する、または別の吸着原子もしくは吸着原子のクラスタと相互作用する可能性が低い。

膜形成の初期段階中に、吸着された吸着原子は、クラスタを形成するように相互作用してもよく、単位面積あたりのクラスタの臨界濃度は、以下によって求められ、
式中、Ｅ_ｉは、ｉ個の吸着原子を含有する臨界クラスタを別個の吸着原子に解離するために関与するエネルギーであり、ｎ_０は、吸着部位の総密度であり、Ｎ_１は、以下によって求められるモノマー密度である。
式中、
は、蒸気衝突速度である。典型的には、ｉは、堆積させられている材料の結晶構造に依存し、安定した核を形成する臨界クラスタサイズを判定するであろう。

成長するクラスタの臨界モノマー供給速度は、蒸気衝突速度と、脱着前にそれを覆って吸着原子が拡散することができる平均面積とによって求められる。

臨界核形成速度は、したがって、上記の方程式の組み合わせによって求められる。

上記の方程式から、臨界核形成速度は、吸着された吸着原子のための低い脱着エネルギーと、吸着原子の拡散のための高い活性化エネルギーとを有する、高温である、または低い蒸気衝突速度を受ける表面のために抑制されるであろうことに留意されたい。

欠陥、レッジ、またはステップ縁等の基板の不均一性部位は、Ｅ_ｄｅｓを増加させ、そのような部位で観察される核のより高い密度につながり得る。また、表面上の不純物または汚染もまた、Ｅ_ｄｅｓを増加させ、核のより高い密度につながり得る。高真空条件下で行われる蒸着プロセスに関して、表面上の汚染物質のタイプおよび密度は、真空圧力ならびにその圧力を構成する残留ガスの組成による影響を受ける。

高真空条件下で、（ｃｍ^２・秒あたりの）表面に衝突する分子の流束は、以下によって求められる。
式中、Ｐは、圧力であり、Ｍは、分子量である。したがって、Ｈ_２Ｏ等の反応性ガスのより高い分圧は、Ｅ_ｄｅｓの増加、故に、核のより高い密度につながる、蒸着中の表面上の汚染のより高い密度につながり得る。

薄膜の核形成および成長を特徴付けるための有用なパラメータは、以下によって求められる付着確率である。
式中、Ｎ_ａｄｓは、表面上に残留する（例えば、膜に組み込まれる）吸着されたモノマーの数であり、Ｎ_{ｔｏｔａｌ}は、表面上の衝突するモノマーの総数である。１に等しい付着確率は、表面に衝突する全てのモノマーが吸着され、続いて、成長する膜に組み込まれることを示す。０に等しい付着確率は、表面に衝突する全てのモノマーが吸着され、続いて、いかなる膜も表面上に形成されないことを示す。種々の表面上の金属の付着確率は、Ｗａｌｋｅｒ ｅｔ ａｌ．， Ｊ． Ｐｈｙｓ． Ｃｈｅｍ． Ｃ２００７， １１１， ７６５（２００６年）によって、および以下の実施例の節で説明されるような二重水晶微量天秤（ＱＣＭ）技法等の付着確率を測定する種々の技法を使用して、評価されることができる。

島の密度が増加する（例えば、平均膜厚さを増加させる）と、付着確率が変化し得る。例えば、低い初期付着確率は、増加する平均膜厚さとともに増加し得る。これは、島がない表面（裸の基板）の面積と高密度の島を伴う面積との間の付着確率の差に基づいて、理解されることができる。例えば、島の表面に衝突するモノマーは、１に近い付着確率を有してもよい。

初期付着確率Ｓ_０は、したがって、任意の有意数の臨界核の形成に先立った、表面の付着確率として規定されることができる。初期付着確率の１つの尺度は、表面を横断する堆積させられた材料の平均厚さが閾値である、またはそれを下回る、材料の堆積の初期段階中の材料の表面の付着確率を伴うことができる。いくつかの実施形態の説明では、初期付着確率の閾値は、１ｎｍとして規定されることができる。平均付着確率は、次いで、以下によって求められる。
式中、Ｓ_ｎｕｃは、島によって被覆される面積の付着確率であり、Ａ_ｎｕｃは、島によって被覆される基板表面の面積の割合である。

核形成阻害コーティングを形成するように使用するための好適な材料は、約０．３（または３０％）以内または未満、もしくは約０．２以内または未満、もしくは約０．１以内または未満、もしくは約０．０５以内または未満、より具体的には、約０．０３以内または未満、約０．０２以内または未満、約０．０１以内または未満、約０．０８以内または未満、約０．００５以内または未満、約０．００３以内または未満、約０．００１以内または未満、約０．０００８以内または未満、約０．０００５以内または未満、もしくは約０．０００１以内または未満の導電性コーティングの材料の初期付着確率を呈する、または有するものとして特徴付けられるものを含む。特に、核形成阻害コーティングが受ける、蒸着導電性コーティング材料（第１の導電性コーティング、第２の導電性コーティング、第３の導電性コーティング、および／または補助電極を形成するために使用される材料を含む）の全流束が、例えば、約５０ｎｍ未満または約３０ｎｍ未満の全平均厚さを有する、比較的薄い導電性コーティングを形成するための量と同等である、実施形態では、核形成阻害コーティングの初期付着確率は、比較的高くあり得る（例えば、約０．３未満の初期付着確率）。しかしながら、核形成阻害コーティングが受ける、蒸着導電性コーティング材料の全流束が、例えば、約５０ｎｍを上回る、約８０ｎｍを上回る、約１００ｎｍを上回る、または約３００ｎｍを上回る全平均厚さを有する、比較的厚い導電性コーティングを形成するための量と同等である、実施形態では、核形成阻害コーティングの初期付着確率は、比較的低くあり得る（例えば、約０．１未満、約０．０５未満、または約０．０３未満の初期付着確率）。例えば、第１の核形成阻害コーティング、第２の核形成阻害コーティング、および／または第３の核形成阻害コーティングを形成するように使用するための好適な材料は、ＴＡＺ、ＢＡｌｑ、およびそれらの任意の混合物を含む。

核形成助長コーティングを形成するように使用するための好適な材料は、少なくとも約０．６（もしくは６０％）、少なくとも約０．７、少なくとも約０．７５、少なくとも約０．８、少なくとも約０．９、少なくとも約０．９３、少なくとも約０．９５、少なくとも約０．９８、または少なくとも約０．９９の導電性コーティングの材料の初期付着確率を呈する、または有するものとして特徴付けられるものを含む。

好適な核形成阻害材料は、小分子有機材料および有機ポリマー等の有機材料を含む。好適な有機材料の実施例は、随意に、窒素（Ｎ）、硫黄（Ｓ）、酸素（Ｏ）、リン（Ｐ）、およびアルミニウム（Ａｌ）等の１つまたはそれを上回るヘテロ原子を含み得る、有機分子を含む多環式芳香族化合物を含む。いくつかの実施形態では、多環式芳香族化合物は、核部分と、核部分に結合された少なくとも１つの末端部分とをそれぞれ含む、有機分子を含む。末端部分の数は、１またはそれを上回る、２またはそれを上回る、３またはそれを上回る、もしくは４またはそれを上回ってもよい。２つまたはそれを上回る末端部分の場合、末端部分は、同一もしくは異なり得る、または末端部分のサブセットは、同一であり得るが、少なくとも１つの残留末端部分と異なり得る。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの末端部分は、以下のような化学構造（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、および（Ｉｃ）のうちの１つによって表される、ビフェニリル部分である、またはそれを含む。
点線は、ビフェニリル部分と核部分との間に形成される結合を示す。一般に、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、および（Ｉ−ｃ）によって表されるビフェニリル部分は、非置換であり得る、またはその水素原子のうちの１つもしくはそれを上回るものを１つまたはそれを上回る置換基によって置換させることによって置換されてもよい。（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、および（Ｉ−ｃ）によって表される部分では、Ｒ_ａおよびＲ_ｂは、１つまたはそれを上回る置換基の随意の存在を独立して表し、Ｒ_ａは、一、二、三、または四置換を表してもよく、Ｒ_ｂは、一、二、三、四、または五置換を表してもよい。例えば、１つまたはそれを上回る置換基Ｒ_ａおよびＲ_ｂは、ジュウテロ、フルオロ、Ｃ_１−Ｃ_４アルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、シリル、アリール、ヘテロアリール、フルオロアルキルを含む、アルキル、およびそれらの任意の組み合わせから独立して選択されてもよい。具体的には、１つまたはそれを上回る置換基Ｒ_ａおよびＲ_ｂは、メチル、エチル、ｔ−ブチル、トリフルオロメチル、フェニル、メチルフェニル、ジメチルフェニル、トリメチルフェニル、ｔ−ブチルフェニル、ビフェニリル、メチルビフェニリル、ジメチルビフェニリル、トリメチルビフェニリル、ｔ−ブチルビフェニリル、フルオロフェニル、ジフルオロフェニル、トリフルオロフェニル、ポリフルオロフェニル、フルオロビフェニリル、ジフルオロビフェニリル、トリフルオロビフェニリル、およびポリフルオロビフェニリルから独立して選択されてもよい。特定の理論によって拘束されることを所望するわけではないが、表面上の露出したビフェニリル部分の存在は、マグネシウム等の導電性材料の堆積に向けた表面の親和性を低下させるように、表面エネルギー（例えば、脱着エネルギー）を調節または同調する役割を果たしてもよい。マグネシウムの堆積を阻害する表面エネルギーの類似同調を生じる、他の部分および材料が、核形成阻害コーティングを形成するために使用されてもよい。

別の実施形態では、少なくとも１つの末端部分は、以下のような構造（Ｉ−ｄ）によって表されるフェニル部分である、またはそれを含む。
点線は、フェニル部分と核部分との間に形成される結合を示す。一般に、（Ｉ−ｄ）によって表されるフェニル部分は、非置換であり得る、またはその水素原子のうちの１つもしくはそれを上回るものを１つまたはそれを上回る置換基によって置換させることによって置換されてもよい。（Ｉ−ｄ）によって表される部分では、Ｒ_ｃは、１つまたはそれを上回る置換基の随意の存在を表し、Ｒ_ｃは、一、二、三、四、または五置換を表してもよい。１つまたはそれを上回る置換基Ｒ_ｃは、ジュウテロ、フルオロ、Ｃ_１−Ｃ_４アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキルを含む、アルキル、およびそれらの任意の組み合わせから独立して選択されてもよい。具体的には、１つまたはそれを上回る置換基Ｒ_ｃは、メチル、エチル、ｔ−ブチル、フルオロメチル、ビフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオロエチル、ポリフルオロエチルから独立して選択されてもよい。

さらに別の実施形態では、少なくとも１つの末端部分は、フルオレン部分またはフェニレン部分（複数の（例えば、３つ、４つ、またはそれを上回る）縮合ベンゼン環を含有するものを含む）等の縮合環構造を含む、多環式芳香族部分である、もしくはそれを含む。そのような部分の実施例は、スピロビフルオレン部分、トリフェニレン部分、ジフフェニルフルオレン部分、ジメチルフルオレン部分、ジフルオロフルオレン部分、およびそれらの任意の組み合わせを含む。

いくつかの実施形態では、多環式芳香族化合物は、以下のような化学構造（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、および（ＩＶ）のうちの少なくとも１つによって表される有機分子を含む。

（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、および（ＩＶ）では、Ｃは、核部分を表し、Ｔ_１、Ｔ_２、およびＴ_３は、核部分に結合された末端部分を表す。１つ、２つ、および３つの末端部分が、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、ならびに（ＩＶ）で描写されているが、３つを上回る末端部分も含まれ得ることを理解されたい。

いくつかの実施形態では、Ｃは、実施例がトリアゾール部分である、１つまたはそれを上回る窒素原子を含む複素環部分等の複素環部分である、もしくはそれを含む。いくつかの実施形態では、Ｃは、アルミニウム原子、銅原子、イリジウム原子、および／または白金原子等の金属原子（遷移および遷移後原子を含む）である、もしくはそれを含む。いくつかの実施形態では、Ｃは、窒素原子、酸素原子、および／またはリン原子である、もしくはそれを含む。いくつかの実施形態では、Ｃは、芳香族であり得る、環状炭化水素部分である、またはそれを含む。いくつかの実施形態では、Ｃは、分岐または非分岐であり得る、置換もしくは非置換アルキル、シクロアルキニル（１〜７個の炭素原子を含有するものを含む）、アルケニル、アルキニル、アリール（フェニル、ナフチル、チエニル、およびインドリルを含む）、アリールアルキル、複素環部分（モルホリノ、ピペリジノ、およびピロリジノ等の環状アミンを含む）、環状エーテル部分（テトラヒドロフランおよびテトラヒドロピラン部分等）、ヘテロアリール（ピロール、フラン、チオフェン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、多環式複素芳香族部分、およびジベンジルチオフェニルを含む）、フルオレン部分、シリル、およびそれらの任意の組み合わせである、またはそれを含む。

（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、および（ＩＶ）では、Ｔ_１は、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分である、またはそれを含む。部分Ｔ_１は、核部分に直接結合されてもよい、またはリンカ部分を介して核部分に結合されてもよい。リンカ部分の実施例は、−Ｏ−（Ｏは酸素原子を表す）、−Ｓ−（Ｓは硫黄原子を表す）、および１つ、２つ、３つ、４つ、またはそれを上回る炭素原子を含み、非置換もしくは置換であり得、随意に、１つまたはそれを上回るヘテロ原子を含み得る、環状もしくは非環状炭化水素部分を含む。核部分と１つまたはそれを上回る末端部分との間の結合は、共有結合、もしくは特に有機金属化合物の場合、金属要素と有機要素との間に形成される結合であってもよい。

（ＩＩＩ）では、Ｔ_１およびＴ_２は、少なくともＴ_１が、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分である、またはそれを含む限り、同一であり得る、もしくは異なり得る。例えば、Ｔ_１およびＴ_２はそれぞれ、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分であってもよい、またはそれを含んでもよい。別の実施例として、Ｔ_１が、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分である、またはそれを含む一方で、Ｔ_２は、そのような部分が欠けていてもよい。いくつかの実施形態では、Ｔ_２は、芳香族であり得る、単環構造を含み得る、または多環式であり得る、置換または非置換であり得る、かつ核部分に直接結合され得る、またはリンカ部分を介して核部分に結合され得る、環状炭化水素部分である、もしくはそれを含む。いくつかの実施形態では、Ｔ_２は、単環構造を含み得る、または多環式であり得る、置換または非置換であり得る、かつ核部分に直接結合され得る、またはリンカ部分を介して核部分に結合され得る、１つまたはそれを上回る窒素原子を含む複素環部分等の複素環部分である、もしくはそれを含む。いくつかの実施形態では、Ｔ_２は、置換または非置換であり得る、随意に、１つまたはそれを上回るヘテロ原子を含み得る、かつ核部分に直接結合され得る、またはリンカ部分を介して核部分に結合され得る、環状炭化水素部分である、もしくはそれを含む。Ｔ_１およびＴ_２が異なる、いくつかの実施形態では、Ｔ_２は、Ｔ_１と同等のサイズを有する部分から選択されてもよい。具体的には、Ｔ_２は、Ｔ_１の分子量の約２倍以内、約１．９倍以内、約１．７倍以内、約１．５倍以内、約１．２倍以内、または約１．１倍以内の分子量を有する、上記に列挙された部分から選択されてもよい。特定の理論によって拘束されることを所望するわけではないが、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分と異なる、またはそれが欠けている、末端部分Ｔ_２が含まれるとき、Ｔ_１に対するＴ_２の同等のサイズは、分子積層、立体障害、またはそのような効果の組み合わせに起因して、Ｔ_１の暴露を妨げ得る大型末端基とは対照的に、表面上のＴ_１の暴露を助長し得ることが仮定される。

（ＩＶ）では、Ｔ_１、Ｔ_２、およびＴ_３は、少なくともＴ_１が、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分である、またはそれを含む限り、同一であり得る、もしくは異なり得る。例えば、Ｔ_１、Ｔ_２、およびＴ_３はそれぞれ、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分であってもよい、またはそれを含んでもよい。別の実施例として、Ｔ_１およびＴ_２がそれぞれ、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分であってもよい、またはそれを含んでもよい一方で、Ｔ_３は、そのような部分が欠けていてもよい。別の実施例として、Ｔ_１およびＴ_３がそれぞれ、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分であってもよい、またはそれを含んでもよい一方で、Ｔ_２は、そのような部分が欠けていてもよい。さらなる実施例として、Ｔ_１が、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分である、またはそれを含む一方で、Ｔ_２およびＴ_３は両方とも、そのような部分が欠けていてもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのＴ_２およびＴ_３は、芳香族であり得る、単環構造を含み得る、または多環式であり得る、置換または非置換であり得る、かつ核部分に直接結合され得る、またはリンカ部分を介して核部分に結合され得る、環状炭化水素部分である、もしくはそれを含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのＴ_２およびＴ_３は、単環構造を含み得る、または多環式であり得る、置換または非置換であり得る、かつ核部分に直接結合され得る、またはリンカ部分を介して核部分に結合され得る、１つまたはそれを上回る窒素原子を含む複素環部分等の複素環部分である、もしくはそれを含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのＴ_２およびＴ_３は、置換または非置換であり得る、随意に、１つまたはそれを上回るヘテロ原子を含み得る、かつ核部分に直接結合され得る、またはリンカ部分を介して核部分に結合され得る、非環状炭化水素部分である、もしくはそれを含む。Ｔ_１、Ｔ_２、およびＴ_３が異なる、いくつかの実施形態では、Ｔ_２およびＴ_３は、Ｔ_１と同等のサイズを有する部分から選択されてもよい。具体的には、Ｔ_２およびＴ_３は、Ｔ_１の分子量の約２倍以内、約１．９倍以内、約１．７倍以内、約１．５倍以内、約１．２倍以内、または約１．１倍以内の分子量を有する、上記に列挙された部分から選択されてもよい。特定の理論によって拘束されることを所望するわけではないが、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分と異なる、またはそれが欠けている、末端部分Ｔ_２およびＴ_３が含まれるとき、Ｔ_１に対するＴ_２およびＴ_３の同等のサイズは、分子積層、立体障害、またはそのような効果の組み合わせに起因して、Ｔ_１の暴露を妨げ得る大型末端基とは対照的に、表面上のＴ_１の暴露を助長し得ることが仮定される。

好適な核形成阻害材料は、ポリマー材料を含む。そのようなポリマー材料の実施例は、ペルフルオロ化ポリマーおよびポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリビニリビフェニル、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ならびに上記で説明されるような複数の多環式芳香族化合物を重合することによって形成されるポリマーを含むが、それらに限定されない、フッ素重合体を含む。別の実施例では、ポリマー材料は、複数のモノマーを重合することによって形成されるポリマーを含み、モノマーのうちの少なくとも１つは、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分である、もしくはそれを含む、末端部分を含む。

さらに明確するために、前述の核形成阻害材料のうちのいずれかは、第１の核形成阻害コーティング、第２の核形成阻害コーティング、第３の核形成阻害コーティング、および／または任意の他の核形成阻害コーティングを形成するために使用されてもよい。

いくつかの実施形態では、製作プロセス中に堆積される種々の核形成阻害コーティングは、例えば、導電性コーティングが堆積された後に、溶媒またはプラズマエッチングを使用することによって、除去されてもよい。故に、いくつかの実施形態では、本デバイスは、第１の放射領域および第２の放射領域と、第１および第２の放射領域にわたって配置される導電性コーティングとを備えてもよく、導電性コーティングは、第１の放射領域内で第１の厚さと、第２の放射領域内で第２の厚さとを有する。第１の厚さは、第２の厚さを下回るまたは上回り得る。第１の放射領域および第２の放射領域は、相互に異なる波長または発光スペクトルを有する光を放射するように構成されてもよい。例えば、第１の放射領域および第２の放射領域は、エレクトロルミネセントディスプレイデバイスのサブピクセル領域に対応してもよい。

上記の実施形態のうちの少なくともいくつかは、蒸発プロセスを使用して形成されている、第１、第２、および第３の核形成阻害コーティング、１つまたはそれを上回る核形成助長コーティング、第１、第２、および第３の導電性コーティング、ならびに補助電極を含む、種々の層またはコーティングを参照して説明されている。理解されるであろうように、蒸発プロセスは、１つまたはそれを上回るソース材料が、低圧（例えば、真空）環境下で蒸発もしくは昇華され、１つまたはそれを上回る蒸発したソース材料の凝結を通して標的表面上に堆積させられる、ＰＶＤプロセスのタイプである。種々の異なる蒸発ソースが、ソース材料を加熱するために使用されてもよく、したがって、ソース材料は、種々の方法で加熱され得ることが理解されるであろう。例えば、ソース材料は、電気フィラメント、電子ビーム、誘導加熱によって、または抵抗加熱によって、加熱されてもよい。加えて、そのような層またはコーティングは、フォトリソグラフィ、印刷、ＯＶＰＤ、ＬＩＴＩパターン化、およびそれらの組み合わせを含む、他の好適なプロセスを使用して、堆積および／またはパターン化されてもよい。これらのプロセスはまた、種々のパターンを達成するために、シャドウマスクと組み合わせて使用されてもよい。

例えば、マグネシウムが、毎秒約１０〜３０ｎｍまたはそれを上回る等のより高い堆積速度を達成するように、最大約６００℃のソース温度で堆積させられてもよい。以下の表１を参照すると、約１ｎｍのフラーレン処理有機表面上に実質的に純粋なマグネシウムを堆積させるために、クヌーセンセルソースを使用して測定された種々の堆積速度が提供されている。限定されないが、ソースと基板との間の距離、基板の特性、基板上の核形成助長コーティングの存在、使用されるソースのタイプ、およびソースから蒸発させられる材料の流束の形状を含む、他の要因もまた、堆積速度に影響を及ぼし得ることが理解されるであろう。

使用される特定の処理条件は、堆積を行うために使用されている機器に応じて変動し得ることが、当業者によって理解されるであろう。また、より高い堆積速度が、概して、より高いソース温度で達成されることも理解されるであろう。しかしながら、例えば、堆積ソースのより近くに基板を設置することによって等、他の堆積条件も選択されることができる。

導電性コーティングを堆積させるために使用される堆積ソース材料は、混合物または化合物であってもよく、いくつかの実施形態では、混合物または化合物のうちの少なくとも１つの成分は、堆積中に基板上に堆積させられない（もしくは、例えば、マグネシウムと比較して比較的少量で堆積させられる）。いくつかの実施形態では、ソース材料は、銅・マグネシウム（Ｃｕ−Ｍｇ）混合物またはＣｕ−Ｍｇ化合物であってもよい。いくつかの実施形態では、マグネシウム堆積ソースのためのソース材料は、マグネシウムと、例えば、Ｃｕ等のマグネシウムよりも低い蒸気圧を伴う材料とを含む。他の実施形態では、マグネシウム堆積ソースのためのソース材料は、実質的に純粋なマグネシウムである。具体的には、実質的に純粋なマグネシウムは、純粋なマグネシウム（９９．９９％およびそれより高い純度のマグネシウム）と比較して、実質的に類似する性質（例えば、核形成阻害および助長コーティング上の初期付着確率）を呈することができる。例えば、核形成阻害コーティング上の実質的に純粋なマグネシウムの初期付着確率は、核形成阻害コーティング上の９９．９９％純度マグネシウムの初期付着確率の±１０％以内または±５％以内であることができる。マグネシウムの純度は、約９５％またはそれより高く、約９８％またはそれより高く、約９９％またはそれより高く、もしくは約９９．９％またはそれより高くあり得る。導電性コーティングを堆積させるために使用される堆積ソース材料は、マグネシウムの代わりに、またはそれと組み合わせて、他の金属を含んでもよい。例えば、ソース材料は、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、亜鉛（Ｚｎ）、またはそれらの任意の組み合わせ等の高い蒸気圧材料を含んでもよい。

方法および上記で説明されるようなそのような方法を使用して形成される電極の種々の実施形態は、種々のピクセルおよびサブピクセル配列を有するデバイスと併せて使用されてもよい。例えば、本デバイスは、ＲＧＢデバイスであってもよく、本デバイスは、複数のピクセルを備え、各ピクセルは、赤色サブピクセルと、緑色サブピクセルと、青色サブピクセルとを備える。他の例示的サブピクセル配列が、図１７−２１に図示される。

図１７は、一実施形態による、菱形ピクセル配列を有する、ＯＬＥＤデバイス１７００の概略図である。ＯＬＥＤデバイス１７００は、複数のピクセル画定層１７３０と、隣接するＰＤＬ１７３０の間に配置される放射領域１７１２ａ−ｃ（サブピクセル）とを含む。放射領域１７１２ａ−ｃは、例えば、緑色サブピクセルに対応し得る、第１のサブピクセル１７１２ａと、例えば、青色サブピクセルに対応し得る、第２のサブピクセル１７１２ｂと、例えば、赤色サブピクセルに対応し得る、第３のサブピクセル１７１２ｃとを含む。

図１８は、図１７に示される線Ａ−Ａに沿って得られたＯＬＥＤデバイス１７００の概略図である。図１８でより明確に図示されるように。デバイス１７００は、基板１７０３と、ベース基板１７０３の表面上に形成される複数のアノードユニット１７２１とを含む。基板１７０３はさらに、明確にするために図から省略されている、複数のトランジスタと、ベース基板とを含んでもよい。有機層１７１５が、隣接するＰＤＬ１７３０の間の領域内で各アノードユニット１７２１の上に提供され、共通カソード１７４２が、第１のサブピクセル１７１２ａを形成するように、有機層１７１５およびＰＤＬ１７３０にわたって提供される。上記で説明されるように、共通カソード１７４５の厚さは、異なるサブピクセルの間で変動され得る。有機層１７１５は、複数の有機および／または無機層を含んでもよい。例えば、そのような層は、正孔輸送層、正孔注入層、エレクトロルミネセンス層、電子注入層、および／または電子輸送層を含んでもよい。核形成阻害コーティング１７４５が、第１のサブピクセル１７１２ａに対応する共通カソード１７４２の領域にわたって提供される。補助電極１７５１が、核形成阻害コーティング１７４５によって露出される、またはコーティングされていない領域にわたって配置されてもよい。例えば、そのような領域は、ＰＤＬ１７３０の実質的に平面的な領域に対応する共通カソード１７４２の部分を含んでもよい。核形成阻害コーティング１７４５はまた、屈折率整合コーティングとして作用してもよい。薄膜カプセル化層１７６１が、随意に、デバイス１７００をカプセル化するように提供されてもよい。核形成阻害コーティング１７４５の厚さはまた、サブピクセル毎に光学的微小共振器効果を同調するように、異なるサブピクセルの間で変動され得る。

図１９は、図１７に示される線Ｂ−Ｂに沿って得られたＯＬＥＤデバイス１７００の概略図を示す。デバイス１７００は、基板１７０３の表面上に形成される複数のアノードユニット１７２１と、隣接するＰＤＬ１７３０の間の領域中で各アノードユニット１７２１の上に提供される有機層１７１６または１７１７とを含む。共通カソード１７４２は、それぞれ、第２のサブピクセル１７１２ｂおよび第３のサブピクセル１７１２ｃを形成するように、有機層１７１６および１７１７ならびにＰＤＬ１７３０を覆って提供される。核形成阻害コーティング１７４５は、ＰＤＬ１７３０の実質的に平面的な領域に対応する、共通カソード１７４２の被覆されていない領域を覆って、補助電極１７５１の選択的堆積を可能にするように、サブピクセル１７１２ｂおよび１７１２ｃに対応する共通カソード１７４２の領域を覆って提供される。補助電極１７５１は、被覆されていない、または核形成阻害コーティング１７４５から露出されている共通カソード１７４２の領域にわたって配置される。例えば、これらの領域は、ＰＤＬ１７３０の実質的に平面的な領域をコーティングする領域に対応してもよい。核形成阻害コーティング１７４５はまた、指数合致コーティングとして作用してもよい。薄膜カプセル化層１７６１が、随意に、デバイス１７００をカプセル化するように提供されてもよい。

図２０Ａは、別の実施形態による、ピクセル配列を伴うＯＬＥＤデバイス２０００の概略図である。具体的には、デバイス２０００は、放射領域２０１２ａ−ｃ（サブピクセル）を分離する、複数のＰＤＬ２０３０を含む。例えば、第１のサブピクセル２０１２ａは、緑色サブピクセルに対応してもよく、第２のサブピクセル２０１２ｂは、青色サブピクセルに対応してもよく、第３のサブピクセル２０１２ｃは、赤色サブピクセルに対応してもよい。図２０Ｂは、図２０Ａの実施形態による、ピクセル配列を伴うＯＬＥＤデバイスの画像である。示されていないが、デバイス２０００はさらに、放射領域内で変動する厚さを伴う共通カソード、および／またはデバイス２０００の非放射領域にわたって提供される補助電極を含んでもよい。例えば、補助電極は、ＰＤＬ２０３０の実質的に平面的な部分に対応する、共通カソードの領域を覆って配置されてもよい。

図２１Ａは、ＡＭＯＬＥＤデバイス４３００が複数の光透過性領域を含む、さらに別の実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイス４３００の一部を図示する。図示されるように、ＡＭＯＬＥＤデバイス４３００は、複数のピクセル４３２１を含む。各ピクセル４３２１は、複数のサブピクセル４３３３、４３３５、４３３７をさらに含む、サブピクセル領域４３３１と、光透過性領域４３５１とを含む。例えば、サブピクセル４３３３は、赤色サブピクセルに対応してもよく、サブピクセル４３３５は、緑色サブピクセルに対応してもよく、サブピクセル４３３７は、青色サブピクセルに対応してもよい。解説されるであろうように、光透過性領域４３５１は、光がデバイス４３００を通過することを可能にするように実質的に透明である。

図２１Ｂは、一実施形態による、線Ａ−Ａに沿って得られたデバイス４３００の断面図を図示する。デバイス４３００は、ベース基板４３１０と、ＴＦＴ４３０８と、絶縁層４３４２と、絶縁層４３４２の上に形成され、ＴＦＴ４３０８と電気通信するアノード４３４４とを含む。第１のＰＤＬ４３４６ａおよび第２のＰＤＬ４３４６ｂが、絶縁層４３４２を覆って形成され、アノード４３４４の縁を被覆する。１つまたはそれを上回る有機層４３４８が、アノード４３４４の露出領域およびＰＤＬ４３４６ａ、４３４６ｂの一部を被覆するように堆積させられる。第１の導電性コーティング４３５０が、次いで、１つまたはそれを上回る有機層４３４８にわたって堆積される。図示される実施形態では、第１の導電性コーティング４３５０は、サブピクセル領域４３３１および光透過性領域４３５１の両方にわたって配置される。そのような実施形態では、第１の導電性コーティング４３５０は、実質的に透明または光透過性であり得る。例えば、第１の導電性コーティング４３５０の厚さは、第１の導電性コーティング４３５０の存在が、光透過性領域４３５１を通した光の透過を実質的に減衰させないように、比較的薄くあり得る。第１の導電性コーティング４３５０は、例えば、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、堆積されてもよい。次に、核形成阻害コーティング４３６２が、光透過性領域４３５１に対応するデバイス４３００の部分を被覆するように堆積される。デバイス表面全体が、次いで、第２の導電性コーティング４３５２を形成するために材料の蒸気束に暴露され、したがって、第１の導電性コーティング４３５０のコーティングされていない領域にわたって第２の導電性コーティング４３５２の選択的堆積を引き起こす。具体的には、第２の導電性コーティング４３５２は、サブピクセル領域４３３１に対応するデバイス４３００の一部にわたって配置される。このように、デバイス４３００用のカソードが、第１の導電性コーティング４３５０および第２の導電性コーティング４３５２の組み合わせによって形成される。

いくつかの実施形態では、第１の導電性コーティング４３５０の厚さは、第２の導電性コーティング４３５２の厚さを下回る。このように、比較的高い光透過率が、光透過性領域４３５１内で維持されてもよい。例えば、第１の導電性コーティング４３５０の厚さは、例えば、約３０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、約８ｎｍ未満、または約５ｎｍ未満であり得、第２の導電性コーティング４３５２の厚さは、例えば、約３０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、または約８ｎｍ未満であり得る。他の実施形態では、第１の導電性コーティング４３５０の厚さは、第２の導電性コーティング４３５２の厚さを上回る。さらに別の実施形態では、第１の導電性コーティング４３５０の厚さおよび第２の導電性コーティング４３５２の厚さは、実質的にほぼ同一であり得る。

第１の導電性コーティング４３５０および第２の導電性コーティング４３５２を形成するために使用され得る材料は、それぞれ、第１の導電性コーティング１３７１および第２の導電性コーティング１３７２を形成するために使用されるものと実質的に同一であり得る。そのような材料は、他の実施形態に関連して上記で説明されているため、これらの材料の説明は、簡潔にするために省略される。

デバイス４３００では、光透過性領域４３５１は、それを通る光の透過に実質的に影響を及ぼし得る、いかなる材料も実質的に含まない。具体的には、ＴＦＴ４３０８、アノード４３４４、および補助電極は全て、これらの構成要素が光透過性領域４３５１を通して透過されている光を減衰または妨害しないように、サブピクセル領域４３３１内に位置付けられる。そのような配列は、ピクセルがオフである、または発光していないときに、典型的視認距離からデバイス４３００を視認する視認者がデバイス４３００を通して見ることを可能にし、したがって、透明ＡＭＯＬＥＤディスプレイを作成する。

図２１Ｃは、第１の導電性コーティング４３５０’が、サブピクセル領域４３３１内に選択的に配置され、光透過性領域４３５１が、第１の導電性コーティング４３５０’を形成するために使用される材料を実質的に含まない、またはそれから露出される、別の実施形態による、デバイス４３００’の断面を図示する。例えば、デバイス４３００’の製作中に、核形成阻害コーティング４３６２は、第１の導電性コーティング４３５０’を堆積させることに先立って、光透過性領域４３５１内に堆積されてもよい。このように、第１の導電性コーティング４３５０’は、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、サブピクセル領域４３３１内で選択的に堆積されてもよい。上記で解説されるように、第１の導電性コーティング４３５０’を形成するために使用される材料は、概して、核形成阻害コーティング４３６２の表面上に堆積されることに向けて比較的不良な親和性（例えば、低い初期付着確率）を呈する。例えば、第１の導電性コーティング４３５０’は、イッテルビウム（Ｙｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、およびマグネシウム（Ｍｇ）等の高蒸気圧材料から成ってもよい。いくつかの実施形態では、第１の導電性コーティング４３５０’は、純粋または実質的に純粋なマグネシウムから成ってもよい。第１の導電性コーティング４３５０’を含まない、または実質的に含まない光透過性領域４３５１を提供することによって、そのような領域内の光透過率は、ある場合には、例えば、図２１Ｂのデバイス４３００と比較して、有利に増進され得る。

示されていないが、図２１ＢのＡＭＯＬＥＤデバイス４３００および図２１ＣのＡＭＯＬＥＤデバイス４３００’はそれぞれ、第１の導電性コーティング４３５０または４３５０’と下層表面（例えば、有機層４３４８）との間に配置される核形成助長コーティングを含んでもよい。そのような形成助長コーティングはまた、核形成阻害コーティング４３６２と下層表面（例えば、ＰＤＬ４３４６ａ−ｂ）との間に配置されてもよい。

いくつかの実施形態では、核形成阻害コーティング４３６２は、有機層４３４８のうちの少なくとも１つと同時に形成されてもよい。例えば、核形成阻害コーティング４３６２を形成するための材料はまた、有機層４３４８のうちの少なくとも１つを形成するために使用されてもよい。このように、デバイス４３００または４３００’を製作するための段階の数が、削減され得る。

いくつかの実施形態では、上記の他の実施形態に関連して説明されている、第２の導電性コーティングおよび第３の導電性コーティングを含む、付加的導電性コーティングもまた、サブピクセル４３３３、４３３５、および４３３７にわたって提供されてもよい。加えて、いくつかの実施形態では、補助電極もまた、デバイス４３００、４３００’の非放射領域内に提供されてもよい。例えば、そのような補助電極は、サブピクセル領域４３３１または光透過性領域４３５１内の光透過率に実質的に影響を及ぼさないように、隣接するピクセル４３２１の間の領域内に提供されてもよい。補助電極はまた、サブピクセル領域４３３１と光透過性領域４３５１との間の領域内に提供される、および／または所望される場合、隣接するピクセルの間に提供されてもよい。

いくつかの実施形態では、有機層４３４８を含む、種々の層またはコーティングは、そのような層またはコーティングが実質的に透明である場合、光透過性領域４３５１の一部を被覆してもよい。代替として、ＰＤＬ４３４６ａ、４３４６ｂは、所望である場合、光透過性領域４３５１から省略されてもよい。

図２１Ａおよび図２１Ｂに図示される配列以外のピクセルおよびサブピクセル配列も使用され得ることを理解されたい。

障壁コーティング（図示せず）が、ＡＭＯＬＥＤディスプレイデバイスを描写する前述の実施形態に図示されるデバイスをカプセル化するように提供されてもよい。理解されるであろうように、そのような障壁コーティングは、有機層と、酸化する傾向があり得る有機層およびカソードとを含む、種々のデバイス層が、湿気および周囲空気に暴露されないように阻止してもよい。例えば、障壁コーティングは、印刷、ＣＶＤ、スパッタリング、ＡＬＤ、前述の任意の組み合わせによって、または任意の他の好適な方法によって形成される、薄膜カプセル化であってもよい。障壁コーティングはまた、接着剤を使用して、デバイス上に事前形成された障壁膜を積層製作することによって提供されてもよい。例えば、障壁コーティングは、有機材料、無機材料、または両方の組み合わせを備える、多層コーティングであってもよい。障壁コーティングはさらに、いくつかの実施形態では、ゲッタ材料および／または乾燥剤を備えてもよい。

理解されるであろうように、ＴＦＴ（例えば、図２１Ｂに示されるＴＦＴ４３０８）を含む、バックプレーンの種々の層および部分が、種々の好適な材料ならびにプロセスを使用して製作されてもよい。例えば、ＴＦＴは、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、レーザ焼鈍、およびＰＶＤ（スパッタリングを含む）等の技法を使用して、堆積および／または処理され得る、有機もしくは無機材料を使用して製作されてもよい。理解されるであろうように、そのような層は、下層デバイス層を被覆するフォトレジストの選択的部分を紫外線に暴露するためにフォトマスクを使用する、フォトリソグラフィを使用してパターン化されてもよい。使用されるフォトレジストのタイプに応じて、フォトマスクの露出部分または露出されていない部分が、次いで、下層デバイス層の所望の部分を見せるように洗い落とされてもよい。パターン化された表面が、次いで、デバイス層の露出部分を効果的に除去するように、化学的または物理的にエッチングされてもよい。

さらに、上面ゲートＴＦＴが、上記のある実施形態で図示および説明されているが、他のＴＦＴ構造も使用され得ることが理解されるであろう。例えば、ＴＦＴは、底面ゲートＴＦＴであってもよい。ＴＦＴは、ｎ型ＴＦＴまたはｐ型ＴＦＴであってもよい。ＴＦＴ構造の実施例は、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、および低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）を利用するものを含む。

電極と、１つまたはそれを上回る有機層と、ピクセル画定層と、キャッピング層とを含む、フロントプレーンの種々の層および部分が、熱蒸発ならびに／もしくは印刷を含む、任意の好適な堆積プロセスを使用して堆積させられてもよい。例えば、シャドウマスクが、そのような材料を堆積させるときに、所望のパターンを生成するために適宜使用され得、種々のエッチングおよび選択的堆積プロセスもまた、種々の層をパターン化するために使用され得ることが理解されるであろう。そのような方法の実施例は、フォトリソグラフィ、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷およびリールツーリール印刷を含む）、ＣＶＤ、ＰＶＤ（スパッタリングを含む）、ＯＶＰＤ、およびＬＩＴＩパターン化を含むが、それらに限定されない。
（実施例）

いくつかの実施形態の側面が、ここで、いかようにも本開示の範囲を限定することを意図していない、以下の実施例を参照して図示および説明されるであろう。

本明細書の実施例で使用されるように、材料の層厚さという言及は、参照される層厚さを有する材料の一様に厚い層で標的表面を被覆する材料の量に対応する、標的表面（または選択的堆積の場合、表面の標的領域）上に堆積させられる材料の量を指す。一例として、１０ｎｍの層厚さを堆積させることは、厚さ１０ｎｍである材料の一様に厚い層を形成する材料の量に対応する、表面上に堆積させられる材料の量を示す。例えば、分子または原子の可能性として考えられる積層もしくはクラスタ化に起因して、堆積した材料の実際の厚さは、非一様であり得ることが理解されるであろう。例えば、１０ｎｍの層厚さを堆積させることは、１０ｎｍを上回る実際の厚さを有する堆積した材料のいくつかの部分、または１０ｎｍ未満の実際の厚さを有する堆積した材料の他の部分を生じてもよい。表面上に堆積させられる材料のある層厚さは、表面を横断する堆積した材料の平均厚さに対応することができる。

例証的実施例で使用される、ある材料の分子構造が、以下で提供される。

実施例１

核形成阻害コーティングまたは核形成助長コーティングとして使用するための種々の材料の性質を測定するために、一連の実験が、水晶微量天秤（ＱＣＭ）のセットを使用して行われた。

理解されるであろうように、ＱＣＭが、薄膜堆積プロセスにおいて堆積速度を監視するために使用されることができる。簡潔に述べると、そのような監視は、共振器の表面上の材料の追加または除去によって引き起こされる水晶共振器の周波数の変化を測定することによって行われる。

図２２は、ＱＣＭの表面上のマグネシウムの堆積プロファイルを測定するための実験装置を図示する概略図である。図示されるように、蒸発チャンバ２２０１は、第１の蒸発ソース２２１０と、第２の蒸発ソース２２１２とを含む。一対のＱＣＭ２２３１および２２４１が、ＱＣＭ２２３１および２２４１のそれぞれの共振器表面がソース２２１０および２２１２に向かって対面する状態でチャンバ２２０１の内側に位置付けられる。サンプルシャッタ２２２１およびソースシャッタ２２２５が、ＱＣＭ２２３１および２２４１と蒸発ソース２２１０および２２１２との間に配置される。サンプルシャッタ２２２１およびソースシャッタ２２２５は、それぞれ、ＱＣＭ２２３１および２２４１に入射する蒸気の流束ならびにソース２２１０および２２１２から流出する蒸気の流束を制御するように適合される、可動シャッタである。

図示される例示的設定では、本明細書では「参照ＱＣＭ」とも称されるであろう、第１のＱＣＭ２２３１は、本明細書では「サンプルＱＣＭ」とも称されるであろう、第２のＱＣＭ４２２４１上のマグネシウムの堆積プロファイルが、それに対して比較される、基準としての役割を果たす。ＬａｐＴｅｃｈ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｉｎｃ．から入手された、光学的に研磨された水晶（部品番号：ＸＬ１２５２、周波数：６．０００ＭＨｚ、ＡＴ１、中心：５．９８５ＭＨｚ、直径：１３．９７ｍｍ±３ｍｍ、光学的に研磨された）が、各実験で参照ＱＣＭおよびサンプルＱＣＭとして使用された。

各実験は、以下のように行われた。最初に、参照ＱＣＭ２２３１およびサンプルＱＣＭ２２４１が、図２２に図示されるように、蒸発チャンバ２２０１の内側に位置付けられた。チャンバ２２０１が、次いで、チャンバ圧力が約１０^−５Ｐａを下回るまで送出された。サンプルシャッタ２２２１が、次いで、参照ＱＣＭ２２３１およびサンプルＱＣＭ２２４１の両方の共振器表面が覆い隠されるように作動された。第１の蒸発ソース２２１０が、次いで、（本明細書では「核形成改質材料」とも称される）核形成助長または阻害材料の蒸発を開始するように起動された。いったん安定した蒸発速度が達成されると、サンプルシャッタ２２２１は、参照ＱＣＭ２２３１の表面を露出されていない状態で保ち、したがって、核形成改質材料がサンプルＱＣＭ２２４１の表面上に堆積させられることを可能にしながら、サンプルＱＣＭ２２４１の共振器表面が蒸気流束に暴露されるように移動された。サンプルＱＣＭ２２４１の表面上に核形成改質材料の所望の層厚さを堆積させることに応じて、ソースシャッタ２２２５は、第１のソース２２１０から流出する蒸気流束を遮断し、したがって、さらなる堆積を防止するように作動された。第１のソース２２１０が、次いで、遮断された。

次に、第２の蒸発ソース２２１２が、マグネシウムの蒸発を開始するように起動された。シャッタ２２２１は、安定した堆積速度に達するまで、ＱＣＭ２２３１および２２４１を被覆するために使用された。いったん安定した堆積速度に達すると、シャッタ２２２１は、マグネシウム蒸気がＱＣＭ２２３１および２２４１の両方の表面に入射するように、サンプルＱＣＭ２２４１の改質された表面および参照ＱＣＭ２２３１の表面の両方を被覆しないように作動された。ＱＣＭ２２３１および２２４１の共振周波数が、ＱＣＭ２２３１および２２４１のそれぞれの上のマグネシウムの堆積プロファイルを判定するように監視された。

核形成阻害コーティングを形成するために使用されることができるものを含む、種々の核形成改質材料が、その上に核形成改質コーティングを形成するように、サンプルＱＣＭ４７４１の共振器表面上に堆積させられた。核形成改質材料毎に図２２に図示されるチャンバ構成を使用して、上記の実験手順を繰り返すことによって、種々の表面上のマグネシウムの堆積速度が分析された。以下の材料、すなわち、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、アルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−キノリナト）−４−フェニルフェノラート（ＢＡｌｑ）、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾール（ＬＧ２０１）、８−ヒドロキシキノリンリチウム（Ｌｉｑ）、およびＮ（ジフェニル−４−イル）９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（ＨＴ２１１）が、核形成改質コーティングを形成するために使用された。

図２３は、サンプルＱＣＭ表面上に堆積させられるマグネシウムの層厚さ（サンプル層厚さ、または図２３で標識されるような「平均膜厚さ」）に対して、参照ＱＣＭ表面上に堆積させられるマグネシウムの層厚さ（参照層厚さ、または図５７で標識されるような「堆積した厚さ」）を示す、対数・対数プロットである。各場合において、参照ＱＣＭ表面は、実験を行うことに先立って実質的に純粋な銀で事前にコーティングされた。

図２３のプロットに基づいて、両方のＱＣＭ表面上に堆積させられるマグネシウムの層厚さ、したがって、表面を同一のマグネシウム蒸気流束に暴露することの結果としてのマグネシウムの堆積速度が、判定されることができる。具体的には、サンプルＱＣＭ表面上のマグネシウムの堆積速度を、サンプルＱＣＭ表面上のマグネシウムの比較的薄い層の形成中（すなわち、層厚さが最大１ｎｍまたは１０ｎｍの堆積の初期段階中）の参照ＱＣＭ表面上のものと比較することによって、サンプルＱＣＭ表面上に存在するコーティングの核形成阻害性質が判定されてもよい。議論を容易にするために、サンプルＱＣＭ表面上に堆積させられるマグネシウムの層厚さは、サンプル層厚さと称され、参照ＱＣＭ表面上に堆積させられるマグネシウムの層厚さは、参照層厚さと称されるであろう。

ある実験に関して、種々のサンプルのための１ｎｍおよび１０ｎｍにおけるサンプル層厚さに対応する、参照層厚さが、以下の表２で要約される。具体的には、表２で提供される参照層厚さは、サンプル毎に１ｎｍまたは１０ｎｍ層厚さがサンプルＱＣＭ表面上に堆積させられるための同一時間周期内の参照ＱＣＭ表面上に堆積させられるマグネシウムの層厚さに対応する。有機材料が、約１０^−５Ｐａの真空圧において約１Å／秒の堆積速度で堆積させられた。マグネシウムが、約５２０〜５３０℃のソース温度および約１０^−５Ｐａの真空圧において約２Å／秒の堆積速度で堆積させられた。

上記に基づいて、１ｎｍのサンプル層厚さに達したときに堆積させられた参照層厚さは、サンプルＱＣＭ表面を被覆する核形成改質材料に実質的に応じて、変動したことが分かり得る。１ｎｍの閾値サンプル層厚さが、本実施例では、サンプルＱＣＭ表面上の膜形成の初期段階中の相対堆積速度を判定するように選択された。参照ＱＣＭ表面が銀で事前にコーティングされたため、参照ＱＣＭ表面上のマグネシウムの堆積速度は比較的一定のままであったことが観察された。

ＴＡＺでコーティングされたサンプルＱＣＭのために１ｎｍのサンプル層厚さに達する前に、２０００ｎｍを超えるマグネシウムの比較的厚いコーティングが、参照ＱＣＭ上に堆積させられた。ＢＡｌｑでコーティングされたサンプルＱＣＭのために１ｎｍのサンプル層厚さに達する前に、１０４ｎｍの参照層厚さが堆積させられた。しかしながら、ＬＧ２０１、Ｌｉｑ、またはＨＴ２１１でコーティングされたサンプルＱＣＭのために閾値厚さに達する前に、６２ｎｍ未満の層厚さを伴うマグネシウムの比較的薄いコーティングが、参照ＱＣＭ上に堆積させられた。

理解されるであろうように、より優れた選択性が、概して、比較的高い参照層厚さ、したがって、比較的低い初期堆積速度および付着確率を呈する、核形成改質コーティングを使用することによって、導電性コーティング堆積中に達成されることができる。例えば、高い参照層厚さを呈する核形成改質コーティングは、効果的な核形成阻害コーティングであってもよく、標的表面がマグネシウム蒸気流束に暴露されるときに、マグネシウムが標的表面の被覆されていない領域を覆って選択的に形成し、核形成阻害コーティングの表面がマグネシウムを実質的に含まない、またはそれによって実質的に被覆されていないままであるように、標的表面の領域を被覆するために使用されてもよい。例えば、１ｎｍの閾値サンプル層厚さにおいて少なくとも約８０ｎｍまたはそれを上回る参照層厚さを呈する、核形成改質コーティングが、核形成阻害コーティングとして使用されてもよい。例えば、１ｎｍ閾値厚さにおいて少なくとも約１００ｎｍまたはそれを上回る、少なくとも約２００ｎｍまたはそれを上回る、少なくとも約５００ｎｍまたはそれを上回る、少なくとも約７００ｎｍまたはそれを上回る、少なくとも約１，０００ｎｍまたはそれを上回る、少なくとも約１，５００ｎｍまたはそれを上回る、少なくとも約１，７００ｎｍまたはそれを上回る、もしくは少なくとも約２，０００ｎｍまたはそれを上回る参照層厚さを呈する、核形成改質コーティングが、核形成阻害コーティングとして使用されてもよい。換言すると、参照表面上のマグネシウムの初期堆積速度は、核形成阻害コーティングの表面上のマグネシウムの初期堆積速度の少なくとも約８０倍またはそれを上回り、少なくとも約１００またはそれを上回り、少なくとも約２００またはそれを上回り、少なくとも約５００またはそれを上回り、少なくとも約７００またはそれを上回り、少なくとも約１，０００またはそれを上回り、少なくとも約１，５００またはそれを上回り、少なくとも約１，７００またはそれを上回り、もしくは少なくとも約２，０００またはそれを上回り得る。

図２４は、サンプルＱＣＭ表面上に堆積させられたマグネシウムの層厚さと対比した、サンプルＱＣＭ表面上のマグネシウム蒸気の付着確率の対数・対数プロットである。

付着確率は、以下の方程式に基づいて導出された。
式中、Ｎ_ａｄｓは、サンプルＱＣＭの表面上のマグネシウムコーティングに組み込まれる、吸着されたモノマーの数であり、Ｎ_{ｔｏｔａｌ}は、参照ＱＣＭ上のマグネシウムの堆積を監視することに基づいて判定された、表面上の衝突するモノマーの総数である。

図２４のプロットから分かり得るように、着確率は、概して、より多くのマグネシウムが表面上に堆積させられるにつれて増加する。マグネシウムコーティングの選択的堆積を達成する目的のために、比較的低い初期付着確率（例えば、初期堆積段階中の低い付着確率）を呈する核形成阻害コーティングが、望ましくは使用される。より具体的には、本実施例の初期付着確率は、核形成阻害コーティングの表面上の１ｎｍの平均厚さを伴う密集したマグネシウム層を形成することに対応する、マグネシウムの量を堆積させることに応じて測定される、付着確率を指す。種々の核形成阻害コーティング表面上のマグネシウムの１ｎｍ層厚さの堆積に応じて測定される付着確率は、以下の表３で要約される。

実験に基づいて、マグネシウム蒸気に対する約０．３（または３０％）以内または未満の初期付着確率を呈するコーティングは、核形成阻害コーティングとして作用してもよい。理解されるであろうように、より低い初期付着確率を伴う核形成阻害コーティングは、マグネシウムコーティングの堆積中により優れた選択性を達成するため等のいくつかの用途のために、より望ましくあり得る。例えば、約０．２以内また未満、約０．１以内また未満、もしくは約０．０７以内また未満の初期付着確率を伴うコーティングが、核形成阻害コーティングとして使用されてもよい。例えば、そのような核形成阻害コーティングは、ＴＡＺ、ＢＡｌｑ、ＬＧ２０１、Ｌｉｑ、および／またはＨＴ２１１を堆積させることによって形成されるものを含んでもよい。

いくつかの用途では、さらに低い初期付着確率を伴う核形成阻害コーティングが、特に、補助電極として使用するために、比較的厚いマグネシウムコーティングの堆積を達成するため等に、より望ましくあり得る。例えば、約０．０３以内または未満、約０．０２以内または未満、約０．０１以内または未満、約０．０８以内または未満、約０．００５以内または未満、約０．００３以内または未満、約０．００１以内または未満、約０．０００８以内または未満、約０．０００５以内または未満、もしくは約０．０００１以内または未満の初期付着確率を伴うコーティングが、核形成阻害コーティングとして使用されてもよい。例えば、そのような核形成阻害コーティングは、ＢＡｌｑおよび／またはＴＡＺを堆積させることによって形成されるものを含んでもよい。

実施例２

カソードの種々の厚さによって引き起こされる光学的微小共振器効果を評価するために、４つのデバイス領域を含む、ＯＬＥＤデバイスが製作された。

図２５は、製作されたＯＬＥＤデバイス２５００の上面図を図示する概略図である。デバイス２５００は、第１のデバイス領域２５１１と、第２のデバイス領域２５１２と、第３のデバイス領域２５１３と、第４のデバイス領域２５１４とを含む。各デバイス領域は、アノードと、有機層と、カソードと、キャッピング層とを備える。デバイス２５００の構造は、それぞれ、図２５に示される線Ａ−ＡおよびＢ−Ｂに沿って得られた断面図を図示する、図２６および２７にさらに詳述される。デバイス領域の全てに関して、同じアノードおよび有機層が、提供された。

ＯＬＥＤデバイス２５００は、以下の様式で製作された。反射アノード２５２０が、デバイス領域２５１１、２５１２、２５１３、２５１４のそれぞれの中に堆積された。有機層２５３０が、次いで、デバイス領域２５１１、２５１２、２５１３、２５１４のそれぞれの中で反射アノード２５２０にわたって堆積された。有機層２５３０は、緑色リン光エミッタを備える、エミッタ層を含んだ。第１の導電性コーティング２５５１が、次いで、デバイス領域２５１１、２５１２、２５１３、２５１４のそれぞれの中で有機層２５３０にわたって堆積された。第１の導電性コーティング２５５１は、体積で１：４のＭｇ：Ａｇ組成比を有する、マグネシウム・銀合金（Ｍｇ：Ａｇ）から成り、第１の導電性コーティングの厚さは、１２ｎｍであった。第１の核形成阻害コーティング２５６１が、次いで、第１のデバイス領域２５１１内の第１の導電性コーティング２５５１にわたって堆積された。第１の核形成阻害コーティング２５６１は、厚さ５ｎｍのＴＡＺコーティングによって形成された。

デバイス領域２５１１、２５１２、２５１３、２５１４は、次いで、第２のデバイス領域２５１２、第３のデバイス領域２５１３、および第４のデバイス領域２５１４内で第２の導電性コーティング２５５２を堆積させるように、蒸着マグネシウム束に暴露された。核形成阻害コーティング２５６１が、第１のデバイス領域２５１１内の第１の導電性コーティング２５５１にわたって提供されたため、第２の導電性コーティングが、第１のデバイス領域２５１１内に堆積されなかったことに留意されたい。第２の導電性コーティングは、実質的に純粋なマグネシウム（純度＞９９．９９％）の厚さ６ｎｍのコーティングによって形成された。第２の核形成阻害コーティング２５６２が、次いで、第２のデバイス領域２５１２内の第２の導電性コーティング２５５２にわたって堆積された。

デバイス領域２５１１、２５１２、２５１３、２５１４は、次いで、第３のデバイス領域２５１３および第４のデバイス領域２５１４内で第３の導電性コーティング２５５３を堆積させるように、蒸着マグネシウム束に暴露された。第１の核形成阻害コーティング２５６１および第２の核形成阻害コーティング２５６２が、それぞれ、第１のデバイス領域２５１１および第２のデバイス領域２５１２にわたって提供されたため、第３の導電性コーティングが、第１のデバイス領域２５１１または第２のデバイス領域２５１２にわたって堆積されなかったことに留意されたい。第３の導電性コーティングは、実質的に純粋なマグネシウム（純度＞９９．９９％）の厚さ６ｎｍのコーティングによって形成された。第３の核形成阻害コーティング２５６３が、次いで、第３のデバイス領域２５１３内の第３の導電性コーティング２５５３にわたって堆積された。

デバイス領域２５１１、２５１２、２５１３、２５１４は、次いで、第４のデバイス領域２５１４内で第４の導電性コーティング２５５４を堆積させるように、蒸着マグネシウム束に暴露された。第１の核形成阻害コーティング２５６１、第２の核形成阻害コーティング２５６２、および第３の核形成阻害コーティング２５６３が、それぞれ、第１のデバイス領域２５１１、第２のデバイス領域２５１２、および第３のデバイス領域２５１３内で提供されたため、第４の導電性コーティングが、第１のデバイス領域２５１１、第２のデバイス領域２５１２、または第３のデバイス領域２５１３にわたって堆積されなかったことに留意されたい。第４の導電性コーティングは、実質的に純粋なマグネシウム（純度＞９９．９９％）の厚さ６ｎｍのコーティングによって形成された。

キャッピング層２５７０が、次いで、デバイス領域２５１１、２５１２、２５１３、２５１４にわたって堆積された。キャッピング層２５７０は、厚さ３５ｎｍのＴＡＺコーティングを堆積させることによって形成された。

デバイス領域２５１１、２５１２、２５１３、２５１４のそれぞれからの発光スペクトルが、測定された。図２８は、デバイス領域のそれぞれから測定される発光の正規化された強度を示す、プロットである。図２８のプロットに示される発光スペクトルは、デバイス表面に対して法線である角度において測定された。第１のデバイス領域の発光スペクトルは、Ｓ１として標識され、第２のデバイス領域は、Ｓ２であり、第３のデバイス領域は、Ｓ３であり、第４のデバイス領域は、Ｓ４である。図２８のプロットから分かり得るように、発光スペクトルは、概して、より大きいカソード厚さを提供されるデバイス領域に関して、より長い波長に向かって偏移した（例えば、赤方偏移した）。特に、最大カソード厚さを提供された第４のデバイス領域Ｓ４が、概して、最大量の赤方偏移を呈し、その後に、第３のデバイス領域Ｓ３、次いで、第２のデバイス領域Ｓ２が続いたことが観察された。

図２９は、種々の角度において第１のデバイス領域Ｓ１から取得される発光スペクトルのプロットである。具体的には、発光スペクトルは、デバイス表面に対して法線（または垂直）である角度、デバイス表面の法線角から３０度の角度、およびデバイス表面の法線角から６０度の角度において取得された。発光スペクトルは、図３０−３２のプロットを作成するように、同じ角度において第２のデバイス領域Ｓ２、第３のデバイス領域Ｓ３、および第４のデバイス領域Ｓ４から測定された。

図２９−３２のプロットから分かり得るように、デバイス領域Ｓ１−Ｓ４の全てでは、発光スペクトルは、概して、法線角に対する角度偏差が増加されるにつれて、より短い波長に向かって偏移した（例えば、青方偏移した）。具体的には、最大青方偏移が、全てのデバイス領域Ｓ１−Ｓ４に関して法線から６０度の角度において取得された発光スペクトル、続いて、法線から３０度の角度において取得された発光スペクトルで観察された。

本明細書で使用されるように、「実質的に」、「実質的な」、「およそ」、および「約」という用語は、わずかな変動を表して構成するために使用される。事象または状況と併せて使用されるとき、用語は、事象または状況が精密に起こる事例、ならびに事象または状況が密接に接近して起こる事例を指すことができる。例えば、数値と併せて使用されるとき、用語は、±５％未満またはそれと等しい、±４％未満またはそれと等しい、±３％未満またはそれと等しい、±２％未満またはそれと等しい、±１％未満またはそれと等しい、±０．５％未満またはそれと等しい、±０．１％未満またはそれと等しい、もしくは±０．０５％未満またはそれと等しい等の数値の±１０％未満またはそれと等しい変動の範囲を指すことができる。例えば、第１の数値は、第１の数値が、±５％未満またはそれと等しい、±４％未満またはそれと等しい、±３％未満またはそれと等しい、±２％未満またはそれと等しい、±１％未満またはそれと等しい、±０．５％未満またはそれと等しい、±０．１％未満またはそれと等しい、もしくは±０．０５％未満またはそれと等しい等の第２の数値の±１０％未満またはそれと等しい変動の範囲内である場合に、第２の数値と「実質的に」同一であり得る。

いくつかの実施形態の説明では、別の構成要素の「上に」、またはそれを「覆って」提供される、もしくは別の構成要素を「被覆している」または「被覆する」構成要素は、後者の構成要素が前者の構成要素の直接上にある（例えば、物理的に接触する）場合、ならびに１つまたはそれを上回る介在構成要素が前者の構成要素と後者の構成要素との間に位置する場合を包含することができる。

加えて、量、比、および他の数値は、ある時は、本明細書では範囲形式で提示される。そのような範囲形式は、便宜上、簡潔にするために使用されることが理解され得るが、範囲の限界として明示的に規定される数値だけでなく、各数値および下位範囲が明示的に規定される場合のように、その範囲内に包含される全ての個々の数値または下位範囲も柔軟に含むことが理解されるべきである。

本開示は、ある具体的実施形態を参照して説明されているが、その種々の修正は、当業者に明白であろう。本明細書で提供される任意の実施例は、本開示のある側面を例証する目的のためのみに含まれ、いかようにも本開示を限定することを意図していない。本明細書で提供される任意の図面は、本開示のある側面を例証する目的のためのみのものであり、一定の縮尺で描かれない場合があり、いかようにも本開示を限定しない。本明細書に添付される請求項の範囲は、上記の説明に記載される具体的実施形態によって限定されるべきではないが、全体として本開示に一致する、それらの全範囲を与えられるべきである。本明細書に記載される全ての文書の開示は、参照することによってそれらの全体として本明細書に組み込まれる。

Claims (55)

1. エレクトロルミネセントデバイスであって、
   第１の放射領域および第２の放射領域であって、前記第１の放射領域は、前記第２の放射領域と異なる波長の光を放射するように構成される、第１の放射領域および第２の放射領域と、
   前記第１の放射領域および前記第２の放射領域内に配置される、導電性コーティングであって、前記導電性コーティングは、前記第１の放射領域内に配置される第１の部分と、前記第２の放射領域内に配置される第２の部分とを備え、前記第１の部分は、第１の厚さを有し、前記第２の部分は、第２の厚さを有する、導電性コーティングと、
   を備え、前記第１の厚さは、前記第２の厚さと異なる、
   エレクトロルミネセントデバイス。
2. 前記第１の部分および前記第２の部分は、相互と連続的に形成される、請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
3. 前記導電性コーティングは、第１のコーティングと、第２のコーティングを備え、前記第１のコーティングは、前記第１の放射領域および前記第２の放射領域内に配置され、前記第２のコーティングは、前記第２の放射領域内で前記第１のコーティングにわたって配置される、請求項２に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
4. 前記第１の放射領域内の第１のコーティングの表面は、前記第２のコーティングを実質的に含まない、請求項３に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
5. 前記第１の放射領域内で前記第１のコーティングにわたって配置される、有機コーティングをさらに備える、請求項３に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
6. 前記有機コーティングは、核形成阻害コーティングである、請求項５に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
7. 前記第２のコーティングは、マグネシウムを含む、請求項３に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
8. 前記第２のコーティングは、実質的に純粋なマグネシウムを含む、請求項７に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
9. 前記第１のコーティングは、マグネシウム、アルミニウム、銀、イッテルビウム、亜鉛、もしくはそれらの２つまたはそれを上回るものの任意の組み合わせを含む、請求項７に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
10. 前記導電性コーティングは、マグネシウムを含む、請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
11. 前記第２の厚さは、前記第１の厚さを上回る、請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
12. 前記第１の部分および前記第２の部分は、相互から離間される、請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
13. 前記第２の部分は、第１のコーティングと、第２のコーティングとを備え、前記第２のコーティングは、前記第１のコーティングにわたって配置される、請求項１２に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
14. 前記第１の部分にわたって配置される核形成阻害コーティングをさらに備える、請求項１３に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
15. 前記第２のコーティングは、マグネシウムを含む、請求項１３に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
16. 前記第２のコーティングは、実質的に純粋なマグネシウムを含む、請求項１５に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
17. 前記第１のコーティングは、マグネシウム、アルミニウム、銀、イッテルビウム、亜鉛、もしくはそれらの２つまたはそれを上回るものの任意の組み合わせを含む、請求項１５に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
18. 前記第２の厚さは、前記第１の厚さを上回る、請求項１２に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
19. 前記核形成阻害コーティングは、０．３以内の前記導電性コーティングの材料の初期付着確率を有するとして特徴付けられる、請求項６または１４に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
20. 前記核形成阻害コーティングは、核部分と、前記核部分に結合された末端部分とをそれぞれ含む、有機分子を含み、前記末端部分は、ビフェニリル部分、フェニル部分、フルオレン部分、またはフェニレン部分を含む、請求項６または１４に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
21. 前記核部分は、複素環部分を含む、請求項２０に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
22. 前記核形成阻害コーティングは、核部分と、前記核部分に結合された複数の末端部分とをそれぞれ含む、有機分子を含み、前記複数の末端部分のうちの第１の末端部分は、ビフェニリル部分、フェニル部分、フルオレン部分、またはフェニレン部分を含み、前記複数の末端部分のうちの各残留末端部分は、前記第１の末端部分の分子量の２倍以内である分子量を有する、請求項６または１４に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
23. 前記導電性コーティングは、光透過性である、請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
24. 前記第１の放射領域および前記第２の放射領域内で前記導電性コーティングの下方に配置される、第１の電極と、前記第１の電極と前記導電性コーティングとの間に配置される、少なくとも１つの有機層とをさらに備える、請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
25. 前記少なくとも１つの有機層は、エレクトロルミネセント層と、正孔注入層、正孔輸送層、正孔遮断層、電子注入層、電子輸送層、および電子遮断層から成る群から選択される、１つまたはそれを上回る層とを含む、請求項２４に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
26. 基板をさらに備え、前記第１の電極は、前記基板にわたって配置される、請求項２４に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
27. 前記基板は、前記第１の電極に電気的に接続される薄膜トランジスタを含む、請求項２６に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
28. 前記導電性コーティングに電気的に接続される補助電極をさらに備える、請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
29. エレクトロルミネセントデバイスであって、
    複数のピクセル領域であって、各ピクセル領域は、第１のサブピクセル領域と、第２のサブピクセル領域とを備え、前記第１のサブピクセル領域は、前記第２のサブピクセル領域と異なる波長の光を放射するように構成される、複数のピクセル領域と、
    前記複数のピクセル領域にわたって配置される、導電性コーティングであって、前記導電性コーティングは、ピクセル領域毎に、前記第１のサブピクセル領域にわたって配置される第１の部分と、前記第２のサブピクセル領域にわたって配置される第２の部分とを備える、導電性コーティングと、
    を備え、前記第１の部分の厚さは、前記第２の部分の厚さと異なる、
    エレクトロルミネセントデバイス。
30. 各ピクセル領域はさらに、第３のサブピクセル領域を備え、前記第３のサブピクセル領域は、前記第１のサブピクセル領域または前記第２のサブピクセル領域と異なる波長の光を放射するように構成される、請求項２９に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
31. 前記導電性コーティングはさらに、ピクセル領域毎に、前記第３のサブピクセル領域にわたって配置される第３の部分を備える、請求項３０に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
32. 前記第３の部分の厚さは、前記第１の部分の厚さまたは前記第２の部分の厚さと異なる、請求項３１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
33. 前記第３の部分の厚さは、前記第１の部分の厚さまたは前記第２の部分の厚さと実質的に同一である、請求項３１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
34. 前記エレクトロルミネセントデバイスは、有機発光ダイオードデバイスである、請求項１または２９に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
35. 有機発光ダイオードデバイスであって、
    複数の薄膜トランジスタを備える、バックプレーンと、
    前記バックプレーンにわたって配置される、フロントプレーンであって、前記フロントプレーンは、複数のピクセルを備え、各ピクセルはさらに、相互に異なる波長の光を放射するように構成される、少なくとも２つのサブピクセルを備え、各サブピクセルは、
    前記複数の薄膜トランジスタのうちの１つの薄膜トランジスタに電気的に接続される、第１の電極と、
    前記第１の電極にわたって配置される、有機層と、
    前記有機層にわたって配置される、第２の電極と、
    を備える、フロントプレーンと、
    を備え、ピクセル毎に、１つのサブピクセル内に配置される前記第２の電極の厚さは、別のサブピクセル内に配置される前記第２の電極の厚さと異なる、
    有機発光ダイオード。
36. ピクセル毎に、各サブピクセル内に配置される前記第２の電極の厚さは、相互に異なる、請求項３５に記載の有機発光ダイオード。
37. 相互から前記ピクセルまたはサブピクセルを分離する、ピクセル画定層をさらに備える、請求項３５または３６に記載の有機発光ダイオード。
38. エレクトロルミネセントデバイスを製造するための方法であって、
    第１の放射領域と、第２の放射領域とを備える、基板にわたって、第１の導電性コーティングを堆積させるステップであって、前記第１の導電性コーティングは、前記第１の放射領域を被覆する第１の部分と、前記第２の放射領域を被覆する第２の部分とを備える、ステップと、
    前記第１の導電性コーティングの第１の部分にわたって第１の核形成阻害コーティングを堆積させるステップと、
    前記第１の導電性コーティングの第２の部分にわたって第２の核形成阻害コーティングを堆積させるステップと、
    を含む、方法。
39. 前記第２の導電性コーティングを堆積させるステップは、前記第１の核形成阻害コーティングが前記第２の導電性コーティングによって実質的に被覆されていないままである間に、前記第１の核形成阻害コーティングおよび前記第１の導電性コーティングの第２の部分の両方を処理することであって、前記第２の部分にわたって前記第２の導電性コーティングを堆積させることを含む、請求項３８に記載の方法。
40. 前記第２の前記導電性コーティングを堆積させるみしは、開放マスクを使用して、またはマスクを使用することなく実施される、請求項３８に記載の方法。
41. 前記第１の放射領域および前記第２の放射領域は相互に異なる波長の光を放射するように構成される、請求項３８に記載の方法。
42. 前記第１の放射領域および前記第２の放射領域は、前記エレクトロルミネセンスデバイスのサブピクセル領域に対応する、請求項３８に記載の方法。
43. 前記基板はさらに、第３の放射領域を備え、前記第１の導電性コーティングは、前記第３の放射領域を被覆する第３の部分を備える、請求項３８に記載の方法。
44. 前記第２の導電性コーティングを堆積させることは、前記第１の導電性コーティングの第３の部分にわたって前記第２の導電性コーティングを堆積させることを含む、請求項４３に記載の方法。
45. 前記第２の導電性コーティングを堆積させることは、前記第１の核形成阻害コーティングが前記第２の導電性コーティングによって実質的に被覆されていないままである間に、前記第２の部分および前記第３の部分にわたって前記第２の導電性コーティングを堆積させるために、前記第１の核形成阻害コーティング、前記第１の導電性コーティングの第２の部分、および前記第１の導電性コーティングの第３の部分を処理することを含む、請求項４４に記載の方法。
46. 前記第１の導電性コーティングの第２の部分にわたって堆積される前記第２の導電性コーティングの一部にわたって、第２の核形成阻害コーティングを堆積させることをさらに含む、請求項４５に記載の方法。
47. 前記第１の導電性コーティングの第３の部分にわたって堆積される前記第２の導電性コーティングの一部にわたって、第３の導電性コーティングを堆積させることをさらに含む、請求項４６に記載の方法。
48. 前記第３の導電性コーティングにわたって第３の核形成阻害コーティングを堆積させることをさらに含む、請求項４７に記載の方法。
49. 前記基板はさらに、非放射領域を備え、前記非放射領域は、前記第１の導電性コーティング、前記第２の導電性コーティング、または前記第３の導電性コーティングのうちの少なくとも１つによって被覆される、請求項４８に記載の方法。
50. 前記非放射領域は、前記第１の核形成阻害コーティング、前記第２の核形成阻害コーティング、および前記第３の核形成阻害コーティングによって実質的に被覆されていない、請求項４９に記載の方法。
51. 前記非放射領域にわたって第４の導電性コーティングを堆積させることをさらに含む、請求項４９に記載の方法。
52. 前記第１の核形成阻害コーティング、前記第２の核形成阻害コーティング、および前記第３の核形成阻害コーティングは、光透過性である、請求項４８に記載の方法。
53. 前記第１の導電性コーティング、前記第２の導電性コーティング、および前記第３の導電性コーティングは、光透過性である、請求項４７に記載の方法。
54. 前記第３の放射領域は、前記第１の放射領域または前記第２の放射領域と異なる波長の光を放射するように構成される、請求項４３に記載の方法。
55. 前記第１の放射領域は、前記第２の放射領域と異なる波長の光を放射するように構成される、請求項３８に記載の方法。