CN204361103U - 一种oled像素单元、oled显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例提供一种OLED像素单元、OLED显示面板及显示装置,涉及有机电致发光领域,无需减小FMM开口,提高显示装置的PPI,且克服了混色、发光效率低、显示质量差等缺陷。OLED像素单元包括阳极层与阴极层;第一、第二、第三与第四子像素区域;依次远离阳或阴极层有:至少覆盖第一、第四子像素区域的第一发光层;覆盖除第一子像素区域外的电荷阻挡层;覆盖除第三子像素区域外的第二发光层;至少覆盖包括第三子像素区域在内的相邻两个子像素区域的第三发光层;电荷阻挡层、第三发光层、第二发光层与第一发光层的LUMO能级依次降低或HOMO能级依次升高。用于OLED像素单元及包括OLED像素单元的显示面板的制备。
Description
技术领域
本实用新型涉及有机电致发光领域,尤其涉及一种OLED像素单元、OLED显示面板及显示装置。
背景技术
有机电致发光显示装置(Organic Light-Emitting Device,简称OLED)相对于液晶显示装置具有自发光、反应快、亮度高、轻薄等诸多优点,被认为是下一代主流显示技术。
OLED显示装置包括阵列排布的多个像素单元,每个像素单元包括有红、绿、蓝三种颜色的子像素单元(简称为R/G/B子像素单元)。其中,如图1所示,任一个子像素单元具体包括阳极层10、空穴传输层50、可发出红光/绿光/蓝光的发光层30、电子传输层60以及阴极层20。
目前,OLED显示装置中的R/G/B子像素单元通常采用像素并置法(Side by Side)的排列方式,在制备各子像素单元时主要是采用FMM(Fine Metal Mask,高精度金属掩膜)技术,利用掩膜板遮挡区域的屏蔽作用将R/G/B子像素单元中的两种子像素单元(如R子像素单元和G子像素单元)遮挡住,通过蒸镀或喷墨打印的方法沉积对应于另一种颜色的子像素单元(如B子像素单元)的发光层(Emitting Layer,简称为EML)的主体材料。
其中,显示装置的重要参数之一PPI(Pixels Per Inch,分辨率)与R/G/B子像素单元的大小有直接关系,而R/G/B子像素单元的大小取决于掩膜板的开口大小。随着显示装置PPI的要求逐渐提高,单个R/G/B子像素单元的大小也随之减小,相应地要求掩膜板的开口也较小。然而,掩膜板的开口变得更小后,不但会造成掩膜板的制作工艺(主要是刻蚀和焊接工艺)、成本以及清洗难度显著增加,更会造成掩膜时的对位精度下降,导致制备出的R/G/B子像素单元混色现象严重,生产良率降低。因此,受制于FMM制作工艺的诸多限制,掩膜板的开口不能任意变形,这就使得高PPI的OLED显示装置难以实现。
在不减小FMM开口大小的前提下,为了提高OLED显示装置的PPI,现有技术主要是通过以下两种像素单元的设计方式实现的:
设计方式一:如图2a所示,同时制作对应于两种颜色的子像素(如R子像素单元和G子像素单元)的发光层(图中标注为EML1+EML2),再通过R子像素单元与G子像素单元不同厚度的ITO阳极层10,以微腔效应萃取出其中一种颜色,之后再制作对应于第三种颜色的子像素(如B子像素单元)的发光层(图中标注为EML3)时,通过B子像素单元与R、G子像素单元不同厚度的ITO阳极层10,可以在整个像素单元内都形成第三种颜色的发光层EML3。
然而,采用上述设计方式获得的OLED显示装置,当观看者视角变换时,RGB混色问题非常严重,使得制备出的显示装置实际使用价值非常低;并且,由于R子像素单元和G子像素单元的发光层是同时制作的,最终从R子像素单元和G子像素单元发出的红光和绿光的发光效率也会有所损失。
设计方式二、如图2b所示,采用开口较大的FMM(例如参考图中所示的开口对应于4个B子像素单元),同时形成不同像素单元01中具有相同颜色子像素(如B子像素)的发光层(图中标注为B)。
然而,采用上述设计方式会造成R/G/B子像素排列顺序不一致,导致OLED显示装置显示图像时,产生线条不连续的锯齿图像,降低了显示品质。
实用新型内容
鉴于此,为解决现有技术的不足,本实用新型的实施例提供一种OLED像素单元、OLED显示面板及显示装置,可在相同FMM开口精度的条件下,显著提高OLED显示装置的PPI,且克服了现有技术中混色、发光效率低、图像显示品质差等缺陷。此外,本实用新型实施例提供的OLED像素单元还可以应用子像素渲染算法,进一步提高OLED显示装置的显示品质。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
一方面,本实用新型实施例提供了一种OLED像素单元,包括相对设置的阳极层与阴极层;所述阳极层与所述阴极层相对的区域包括依次排列的第一子像素区域、第二子像素区域、第三子像素区域以及第四子像素区域;依次远离所述阳极层或所述阴极层设置有:至少覆盖所述第一子像素区域与所述第四子像素区域的第一发光层;覆盖除所述第一子像素区域外的电荷阻挡层;覆盖除所述第三子像素区域外的第二发光层;至少覆盖包括所述第三子像素区域在内的相邻两个子像素区域的第三发光层;其中,针对所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阳极层设置的情况,所述电荷阻挡层的主体材料、所述第三发光层的主体材料、所述第二发光层的主体材料以及所述第一发光层的主体材料的最低未占轨道LUMO能级依次降低;针对所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阴极层设置的情况,所述电荷阻挡层的主体材料、所述第三发光层的主体材料、所述第二发光层的主体材料以及所述第一发光层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级依次升高。
可选的,所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阳极层设置;其中,所述第一发光层覆盖四个子像素区域;所述第三发光层覆盖所述第二子像素区域与所述第三子像素区域;或者,所述第三发光层覆盖除所述第一子像素区域之外的区域。
可选的,所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阳极层;其中,所述第一发光层覆盖所述第一子像素区域与所述第四子像素区域;所述第三发光层覆盖所述第二子像素区域与所述第三子像素区域。
可选的,所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阴极层设置;其中,所述第一发光层覆盖四个子像素区域;所述第三发光层覆盖所述第二子像素区域与所述第三子像素区域;或者,所述第三发光层覆盖除所述第一子像素区域之外的区域。
可选的,所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阴极层设置;其中,所述第一发光层覆盖所述第一子像素区域与所述第四子像素区域;所述第三发光层覆盖所述第二子像素区域与所述第三子像素区域。
在上述基础上,所述OLED像素单元还包括:空穴传输层和/或电子传输层;其中,针对所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阳极层设置的情况,所述空穴传输层位于所述阳极层与所述第一发光层之间;和/或,所述电子传输层位于所述第三发光层与所述阴极层之间;针对所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阴极层设置的情况,所述空穴传输层位于所述阳极层与所述第三发光层之间;和/或,所述电子传输层位于所述第一发光层与所述阴极层之间。
在上述基础上优选的,所述第一发光层、所述第二发光层以及所述第三发光层共发出三种颜色的光,且所述三种颜色包括红色、绿色以及蓝色。
在上述基础上优选的,所述阳极层采用透明导电材料;所述阴极层采用金属材料。
又一方面、本实用新型实施例还提供了一种OLED显示面板,包括上述的OLED像素单元。
再一方面、本实用新型实施例还提供了一种显示装置,包括上述的OLED显示面板。
基于此,本实用新型实施例提供一种OLED像素单元、OLED显示面板及显示装置,一方面,在本实用新型实施例提供的上述OLED像素单元中,由于依次远离阳极层或阴极层设置有:至少覆盖第一子像素区域与第四子像素区域的第一发光层;覆盖除第一子像素区域外的电荷阻挡层;覆盖除第三子像素区域外的第二发光层;至少覆盖包括第三子像素区域在内的相邻的两个子像素区域的第三发光层,即利用FMM制作各发光层时,FMM的最小开口可以对应于现有技术中的两个子像素单元的大小,从而能够在不改变FMM开口精度的前提下,将上述OLED像素单元应用于OLED显示面板后的PPI提高至现有技术的至少两倍。
另一方面,根据上述各发光层与电荷阻挡层具体靠近阳极层或阴极层设计的不同,在本实用新型实施例提供的上述各发光层与电荷阻挡层还满足电荷阻挡层、第三发光层、第二发光层以及第一发光层的各主体材料的LUMO能级依次降低,或HOMO能级依次升高,从而在满足上述的各发光层至少覆盖两个子像素区域的设计条件下,使各子像素区域发出相应的颜色的光,而不需要依靠光学效应将某一光色取出,因此不会产生混色及损失发光效率的缺陷;同时,由于本实用新型实施例提供的上述OLED像素单元中并未造成R/G/B子像素排列顺序不一致,因此,在上述OLED像素单元应用于OLED显示面板进行显示时,不会产生线条不连续的锯齿图像,不会对画面显示造成影响,从而保证了OLED显示面板的正常显示品质。
再一方面,由于本实用新型实施例提供的上述OLED像素单元中包含有四个子像素区域,可以通过调整第一发光层、第二发光层以及第三发光层发出的不同颜色光的组合,例如使OLED像素单元中各子像素区域依次发出红光R、绿光G、蓝光B以及红光R,从而使上述OLED像素单元包含有四个子像素区域的设计可应用于子像素渲染算法,从而配合渲染算法进一步提高OLED像素单元应用于OLED显示面板进行显示时的显示品质。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为OLED像素单元中R/G/B子像素单元的剖面结构示意图;
图2a为现有技术提供的一种OLED像素单元的剖面结构示意图;
图2b为现有技术提供的采用掩膜板及相应获得的另一种OLED像素单元的剖面结构示意图;
图3a为本实用新型实施例提供的一种OLED像素单元的剖面结构示意图一;
图3b为本实用新型实施例提供的一种OLED像素单元的剖面结构示意图二;
图4a为对应于图3a中电荷阻挡层、第三发光层、第二发光层以及第一发光层的各主体材料的LUMO能级大小示意图;
图4b为对应于图3b中电荷阻挡层、第三发光层、第二发光层以及第一发光层的各主体材料的HOMO能级大小示意图;
图5为本实用新型具体实施例2提供的一种OLED像素单元的剖面结构示意图;
图6为本实用新型具体实施例3提供的一种OLED像素单元的剖面结构示意图;
图7为本实用新型具体实施例5提供的一种OLED像素单元的剖面结构示意图;
图8为本实用新型具体实施例6提供的一种OLED像素单元的剖面结构示意图。
附图标记;
01-OLED像素单元;011-第一子像素区域;012-第二子像素区域;013-第三子像素区域;014-第四子像素区域;10-阳极层;20-阴极层;30-发光层;31-第一发光层;32-第二发光层;33-第三发光层;40-电荷阻挡层;50-空穴传输层;60-电子传输层。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型实施例提供一种OLED像素单元01,如图3a和图3b所示,OLED像素单元包括相对设置的阳极层10与阴极层20;阳极层10与阴极层20相对的区域包括依次排列的第一子像素区域011、第二子像素区域012、第三子像素区域013以及第四子像素区域014;依次远离阳极层10或阴极层20设置有:至少覆盖第一子像素区域011与第四子像素区域014的第一发光层31;覆盖除第一子像素区域011外的电荷阻挡层40(Charge Blocking Layer,简称CBL);覆盖除第三子像素区域013外的第二发光层32;至少覆盖包括第三子像素区域013在内的相邻的两个子像素区域的第三发光层33。
其中,如图4a所示,针对第一发光层31、电荷阻挡层40、第二发光层32以及第三发光层33依次远离阳极层10设置的情况,电荷阻挡层40的主体材料、第三发光层33的主体材料、第二发光层32的主体材料以及第一发光层31的主体材料的最低未占轨道LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital,未占有电子的能级最低的轨道)能级依次降低。
如图4b所示,针对第一发光层31、电荷阻挡层40、第二发光层32以及第三发光层33依次远离阴极层20设置的情况,电荷阻挡层40的主体材料、第三发光层33的主体材料、第二发光层32的主体材料以及第一发光层31的主体材料的最高已占轨道HOMO(HighestOccupied Molecular Orbital,已占有电子的能级最高的轨道)能级依次升高。
需要说明的是,第一、图3a与图3b中仅以阳极层10位于阴极层20的下方为例,二者的上下位置也可相反,具体不作不限。
第二、本领域技术人员应当理解,上述的OLED像素单元01是呈矩阵排布于OLED显示面板中,因此,在第一发光层31仅覆盖第一子像素区域011与第四子像素区域014的情况下,利用FMM制作第一发光层31时,FMM的开口即对应于任一OLED像素单元01内的第一子像素区域011(或第四子像素区域014)以及与其相邻的靠近第一子像素区域011(或第四子像素区域014)的另一个OLED像素单元01内的第四子像素区域014(或第一子像素区域011)。
同样的,由上述描述可知,电荷阻挡层40、第二发光层32以及第三发光层33均至少覆盖有两个相邻的子像素区域。
即,在利用FMM制作电荷阻挡层40与上述各发光层时,FMM的最小开口对应于现有技术中的两个子像素单元的大小。因此,能够在不改变FMM开口精度的前提下,将上述OLED像素单元01应用于OLED显示面板后的PPI提高至现有技术的至少两倍,从而达到了在不增加FMM制作难度的同时,显著提升OLED显示面板的PPI。
在上述基础上,结合图3a与图4a所示,针对第一发光层31、电荷阻挡层40、第二发光层32以及第三发光层33依次远离阳极层10设置的情况,电荷阻挡层40、第三发光层33、第二发光层32以及第一发光层31的主体材料的LUMO能级依次降低,因此,本实用新型实施例提供的上述OLED像素单元01应用于OLED显示面板后,以不增加FMM制作难度为前提,显著提升OLED显示面板PPI的同时,能够克服现有技术在提高PPI时不可避免地引入例如混色、发光效率低以及影响显示品质等缺陷,具体原理如下所述:
下面为了清楚示意,在图3a中,以第一发光层31、第二发光层32以及第三发光层33的主体材料分子受电子与空穴复合的能量而分别发出红光(图中标记为R)、绿光(图中标记为G)以及蓝光(图中标记为B),且出光方向为从阳极层10一侧发出为例进行说明。
参考图4a所示,由于电荷阻挡层40、第三发光层33、第二发光层32以及第一发光层31的各主体材料的LUMO能级满足以下关系式:
LUMO-4>LUMO-3>LUMO-2>LUMO-1;
其中,LUMO-4、LUMO-3、LUMO-2以及LUMO-1依次表示电荷阻挡层40、第三发光层33、第二发光层32以及第一发光层31的各主体材料的LUMO能级。
而LUMO能级表示的是未占有电子的能级最低的轨道,对电子有较高的亲和势,由能量最低原理(即,在不违反泡利原理和洪特规则的条件下,电子优先占据能量较低的原子轨道,使整个原子体系能量处于最低)可知,参考图4a所示,当上述OLED像素单元01受到外加电场的作用时,从阴极层20激发出的电子,容易从LUMO能级较高的发光层(如第三发光层33)跃迁到LUMO能级较低的发光层(如第二发光层32);但是,反之电子难以从LUMO能级较低的发光层(如第一发光层31)跃迁到LUMO能级较高的发光层(如电荷阻挡层40)。
当电子停留在某一发光层与进入到该发光层的由阳极层10激发出的空穴相遇复合而释放出能量后,能量将传递给发光层(如第一发光层31)主体材料的分子,后者受到激发,从基态跃迁至激发态。由于激发态能量较高不稳定,受激分子将从激发态再次回到基态,这一过程伴随有辐射跃迁而产生发光现象(如第一发光层31发出红光R)。
基于上述原理,在图3a所示的OLED像素单元01中,对于第一子像素区域011而言,电子从阴极层20激发出后,由于LUMO-2高于LUMO-1,电子将穿过第二发光层32进入并停留在第一发光层31中与空穴相遇,使第一发光层31对应于第一像素区域011的区域发出红光R,即第一子像素区域011发出红光R。
同理可得,对于第二子像素区域012而言,由于LUMO-3、LUMO-4均高于LUMO-2,因此,电子穿过第三发光层33进入第二发光层32后,不会再次穿过LUMO能级更高的电荷阻挡层40而进入到第一发光层31中,因此,电子最终停留在第二发光层32中使第二发光层32对应于第二子像素区域012的区域发出绿光G,即第二子像素区域012发出绿光G。
对于第三子像素区域013而言,由于LUMO-4高于LUMO-3,因此,电子不会穿过LUMO能级更高的电荷阻挡层40而进入到第一发光层31中,由阴极层20激发出的电子将进入并停留在第三发光层33中,从而使第三发光层33对应于第三子像素区域013的区域发出蓝光B,即第三子像素区域013发出蓝光B。
对于第四子像素区域013而言,由于LUMO-4高于LUMO-2,因此,电子不会穿过LUMO能级更高的电荷阻挡层40而进入到第一发光层31中,由阴极层20激发出的电子将进入并停留在第二发光层32中,从而使第二发光层32对应于第四子像素区域013的区域同样发出绿光G,即第四子像素区域013与第二子像素区域012间隔第三子像素区域013而同样发出绿光G。
同样的,针对第一发光层31、电荷阻挡层40、第二发光层32以及第三发光层33依次远离阴极层20设置的情况,参考图4b所示,由于电荷阻挡层40、第三发光层33、第二发光层32以及第一发光层31的各主体材料的HOMO能级满足以下关系式:
HOMO-4<HOMO-3<HOMO-2<HOMO-1;
其中,HOMO-4、HOMO-3、HOMO-2以及HOMO-1依次表示电荷阻挡层40、第三发光层33、第二发光层32以及第一发光层31的各主体材料的HOMO能级。
而HOMO能级表示的是已占有电子的能级最高的轨道,由于在HOMO能级中已经包含有电子,因此,HOMO能级越高,其电子离化势相应地也更高,更有利于接收注入的空穴。因此,参考图4b所示,当上述OLED像素单元01受到外加电场的作用时,从阳极层10激发出的空穴,容易从HOMO能级较低的发光层(如第三发光层33)跃迁到HOMO能级较高的发光层(如第二发光层32);但是,反之空穴难以从HOMO能级较高的发光层(如第一发光层31)跃迁到HOMO能级较低的发光层(如电荷阻挡层40)。
当空穴停留在某一发光层与进入到该发光层的由阴极层20激发出的电子相遇复合而释放出能量后,能量将传递给发光层(如第一发光层31)主体材料的分子,后者受到激发,从基态跃迁至激发态。由于激发态能量较高不稳定,受激分子将从激发态再次回到基态,这一过程伴随有辐射跃迁而产生发光现象(如第一发光层31发出红光R)。
基于上述原理,在图3b所示的OLED像素单元01中,对于第一子像素区域011而言,空穴从阳极层10激发出后,由于HOMO-2低于HOMO-1,空穴将穿过第二发光层32进入并停留在第一发光层31中从而与电子相遇,使第一发光层31对应于第一像素区域011的区域发出红光R,即第一子像素区域011发出红光R。
同理可得,对于第二子像素区域012而言,由于HOMO-2高于HOMO-3和HOMO-4,且由于外加电场的作用,空穴迁移的方向为从阳极层10指向阴极层20,因此,空穴最终停留在第二发光层32中,而不会穿过电荷阻挡层40进入到HOMO能级更高的第一发光层31中,从而使第二发光层32对应于第二子像素区域012的区域发出绿光G,即第二子像素区域012发出绿光G。
对于第三子像素区域013而言,由于HOMO-3高于HOMO-4,因此,由阳极层10激发出的空穴将进入并停留在第三发光层33中,而不会穿过电荷阻挡层40进入到HOMO能级更高的第一发光层31中,从而使第三发光层33对应于第三子像素区域013的区域发出蓝光B,即第三子像素区域013发出蓝光B。
对于第四子像素区域013而言,由于HOMO-2高于HOMO-4,因此,由阳极层10激发出的空穴将进入并停留在第二发光层32中,从而使第二发光层32对应于第四子像素区域013的区域同样发出绿光G,即第四子像素区域013与第二子像素区域012间隔第三子像素区域013而同样发出绿光G。
基于此,一方面,在本实用新型实施例提供的上述OLED像素单元01中,由于依次远离阳极层10或阴极层20设置有:至少覆盖第一子像素区域011与第四子像素区域014的第一发光层31;覆盖除第一子像素区域011外的电荷阻挡层40;覆盖除第三子像素区域013外的第二发光层32;至少覆盖包括第三子像素区域013在内的相邻的两个子像素区域的第三发光层33,即利用FMM制作各发光层时,FMM的最小开口可以对应于现有技术中的两个子像素单元的大小,从而能够在不改变FMM开口精度的前提下,将上述OLED像素单元01应用于OLED显示面板后的PPI提高至现有技术的至少两倍。
另一方面,根据上述各发光层与电荷阻挡层40具体靠近阳极层10或阴极层20设计的不同,在本实用新型实施例提供的上述各发光层与电荷阻挡层40还满足电荷阻挡层40、第三发光层33、第二发光层32以及第一发光层31的各主体材料的LUMO能级依次降低,或HOMO能级依次降低,从而在满足上述的各发光层至少覆盖两个子像素区域的设计条件下,使各子像素区域发出相应的颜色的光,而不需要依靠光学效应将某一光色取出,因此不会产生混色及损失发光效率的缺陷;同时,由于本实用新型实施例提供的上述OLED像素单元01中并未造成R/G/B子像素排列顺序不一致,因此,在上述OLED像素单元01应用于OLED显示面板进行显示时,不会产生线条不连续的锯齿图像,不会对画面显示造成影响,从而保证了OLED显示面板的正常显示品质。
再一方面,由于本实用新型实施例提供的上述OLED像素单元01中包含有四个子像素区域,可以通过调整第一发光层31、第二发光层32以及第三发光层33发出的不同颜色光的组合,例如为参考图3a和图3b所示的,OLED像素单元01中各子像素区域依次发出红光R、绿光G、蓝光B以及红光R,从而使上述OLED像素单元01包含有四个子像素区域的设计可应用于子像素渲染算法,从而配合渲染算法进一步提高OLED像素单元01应用于OLED显示面板进行显示时的显示品质。
在上述基础上,由于上述OELD像素单元01应用于OLED显示时通常是以红绿蓝三原色进行显示,因此,上述的第一发光层31、第二发光层32以及第三发光层33共发出三种颜色的光,且三种颜色包括红色、绿色以及蓝色。
即,第一发光层31、第二发光层32以及第三发光层33发出的光为红光R、绿光G以及蓝光B的3×2=6种组合。
在上述基础上,为了提高电子与空穴的复合率,增加出光效率,在本实用新型实施例提供的上述OLED像素单元01中,阳极层10采用功函数较高的透明导电材料,如ITO(Indium Tin Oxide,氧化铟锡);阴极层20采用功函数较低的金属材料。
这里,由于阳极层10采用透明材料,而阴极层20采用的金属材料通常不透光,因此,参考图3a或图3b所示,本实用新型实施例提供的上述OELD像素单元01的出光方向为从阳极层10一侧发出,即当阳极层10相对于阴极层20靠近衬底基板设置时,上述OELD像素单元01的出光方式为底发光。
进一步的,上述的OLED像素单元01还包括:空穴传输层50和/或电子传输层60。
这里,空穴传输层50和/或电子传输层60用于传输空穴和/或电子以使其更有效地注入相应的光学层中。
其中,参考图3a所示,针对第一发光层31、电荷阻挡层40、第二发光层32以及第三发光层33依次远离阳极层10设置的情况,空穴传输层50位于阳极层10与第一发光层31之间;和/或,电子传输层60位于第三发光层33与阴极层20之间。
参考图3b所示,针对第一发光层31、电荷阻挡层40、第二发光层32以及第三发光层33依次远离阴极层20设置的情况,空穴传输层50位于阳极层10与第三发光层33之间;和/或,电子传输层60位于第一发光层31与阴极层20之间。
下面提供6个具体实施例,用于示例上述的OLED像素单元01的具体结构;
实施例1、参考图3a所示,本实用新型实施例提供一种OLED像素单元01,包括相对设置的阳极层10与阴极层20;阳极层10与阴极层20相对的区域包括依次排列的第一子像素区域011、第二子像素区域012、第三子像素区域013以及第四子像素区域014。
其中,在上述的OLED像素单元01中,依次远离阳极层10设置有:覆盖四个子像素区域的第一发光层31;覆盖除第一子像素区域011外的电荷阻挡层40;覆盖除第三子像素区域013外的第二发光层32;覆盖第三子像素区域013与第四子像素区域014的第三发光层33。
实施例2、如图5所示,本实用新型实施例提供一种OLED像素单元01,包括相对设置的阳极层10与阴极层20;阳极层10与阴极层20相对的区域包括依次排列的第一子像素区域011、第二子像素区域012、第三子像素区域013以及第四子像素区域014。
其中,在上述的OLED像素单元01中,依次远离阳极层10设置有:覆盖四个子像素区域的第一发光层31;覆盖除第一子像素区域011外的电荷阻挡层40;覆盖除第三子像素区域013外的第二发光层32;覆盖除所述第一子像素区域011外的第三发光层33。
实施例3、如图6所示,本实用新型实施例提供一种OLED像素单元01,包括相对设置的阳极层10与阴极层20;阳极层10与阴极层20相对的区域包括依次排列的第一子像素区域011、第二子像素区域012、第三子像素区域013以及第四子像素区域014。
其中,在上述的OLED像素单元01中,依次远离阳极层10设置有:覆盖所述第一子像素区域011与所述第四子像素区域014的第一发光层31;覆盖除第一子像素区域011外的电荷阻挡层40;覆盖除第三子像素区域013外的第二发光层32;覆盖第二子像素区域012与第三子像素区域013的第三发光层33。
这里,参考图3a、图5以及图6所示,本实用新型实施例1至3中,上述的OLED像素单元01还包括:位于阳极层10与第一发光层31之间的空穴传输层50,位于第三发光层33与阴极层20之间的电子传输层60。
其中,电荷阻挡层40的主体材料、第三发光层33的主体材料、第二发光层32的主体材料以及第一发光层31的主体材料的LUMO能级依次降低。
实施例4、参考图3b所示,本实用新型实施例提供一种OLED像素单元01,包括相对设置的阳极层10与阴极层20;阳极层10与阴极层20相对的区域包括依次排列的第一子像素区域011、第二子像素区域012、第三子像素区域013以及第四子像素区域014。
其中,在上述的OLED像素单元01中,依次远离阴极层20设置有:覆盖四个子像素区域的第一发光层31;覆盖除第一子像素区域011外的电荷阻挡层40;覆盖除第三子像素区域013外的第二发光层32;覆盖第三子像素区域013与第四子像素区域014的第三发光层33。
实施例5、如图7所示,本实用新型实施例提供一种OLED像素单元01,包括相对设置的阳极层10与阴极层20;阳极层10与阴极层20相对的区域包括依次排列的第一子像素区域011、第二子像素区域012、第三子像素区域013以及第四子像素区域014。
其中,在上述的OLED像素单元01中,依次远离阴极层20设置有:覆盖四个子像素区域的第一发光层31;覆盖除第一子像素区域011外的电荷阻挡层40;覆盖除第三子像素区域013外的第二发光层32;覆盖除所述第一子像素区域011外的第三发光层33。
实施例6、如图8所示,本实用新型实施例提供一种OLED像素单元01,包括相对设置的阳极层10与阴极层20;阳极层10与阴极层20相对的区域包括依次排列的第一子像素区域011、第二子像素区域012、第三子像素区域013以及第四子像素区域014。
其中,在上述的OLED像素单元01中,依次远离阴极层20设置有:覆盖所述第一子像素区域011与所述第四子像素区域014的第一发光层31;覆盖除第一子像素区域011外的电荷阻挡层40;覆盖除第三子像素区域013外的第二发光层32;覆盖第二子像素区域012与第三子像素区域013的第三发光层33。
这里,参考图3b、图7以及图8所示,本实用新型实施例1至3中,上述的OLED像素单元01还包括:位于阳极层10与第三发光层33之间的空穴传输层50,位于第一发光层31与阴极层20之间的电子传输层60。
其中,电荷阻挡层40的主体材料、第三发光层33的主体材料、第二发光层32的主体材料以及第一发光层31的主体材料的HOMO能级依次升高。
本实用新型实施例还提供了一种OLED显示面板,包括上述的OLED像素单元01。
进一步的,本实用新型实施例还提供了一种显示装置,包括上述的OLED显示面板。
这里,上述的显示装置具体可以为:电子纸、电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。
其中,显示装置其他结构可参考现有技术,在此不再赘述。
需要说明的是,本实用新型所有附图是上述OLED像素单元的简略的示意图,只为清楚描述本方案体现了与发明点相关的结构,对于其他的与发明点无关的结构是现有结构,在附图中并未体现或只体现部分。
以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种OLED像素单元,包括相对设置的阳极层与阴极层;其特征在于,所述阳极层与所述阴极层相对的区域包括依次排列的第一子像素区域、第二子像素区域、第三子像素区域以及第四子像素区域;依次远离所述阳极层或所述阴极层设置有:
至少覆盖所述第一子像素区域与所述第四子像素区域的第一发光层;
覆盖除所述第一子像素区域外的电荷阻挡层;
覆盖除所述第三子像素区域外的第二发光层;
至少覆盖包括所述第三子像素区域在内的相邻两个子像素区域的第三发光层;
其中,针对所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阳极层设置的情况,所述电荷阻挡层的主体材料、所述第三发光层的主体材料、所述第二发光层的主体材料以及所述第一发光层的主体材料的最低未占轨道LUMO能级依次降低;
针对所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阴极层设置的情况,所述电荷阻挡层的主体材料、所述第三发光层的主体材料、所述第二发光层的主体材料以及所述第一发光层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级依次升高。
2.根据权利要求1所述的OLED像素单元,其特征在于,所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阳极层设置;
其中,所述第一发光层覆盖四个子像素区域;
所述第三发光层覆盖所述第二子像素区域与所述第三子像素区域;或者,所述第三发光层覆盖除所述第一子像素区域之外的区域。
3.根据权利要求1所述的OLED像素单元,其特征在于,所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阳极层;
其中,所述第一发光层覆盖所述第一子像素区域与所述第四子像素区域;
所述第三发光层覆盖所述第二子像素区域与所述第三子像素区域。
4.根据权利要求1所述的OLED像素单元,其特征在于,所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阴极层设置;
其中,所述第一发光层覆盖四个子像素区域;
所述第三发光层覆盖所述第二子像素区域与所述第三子像素区域;或者,所述第三发光层覆盖除所述第一子像素区域之外的区域。
5.根据权利要求1所述的OLED像素单元,其特征在于,所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阴极层设置;
其中,所述第一发光层覆盖所述第一子像素区域与所述第四子像素区域;
所述第三发光层覆盖所述第二子像素区域与所述第三子像素区域。
6.根据权利要求1至5任一项所述的OLED像素单元,其特征在于,所述OLED像素单元还包括:空穴传输层和/或电子传输层;
其中,针对所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阳极层设置的情况,所述空穴传输层位于所述阳极层与所述第一发光层之间;和/或,所述电子传输层位于所述第三发光层与所述阴极层之间;
针对所述第一发光层、所述电荷阻挡层、所述第二发光层以及所述第三发光层依次远离所述阴极层设置的情况,所述空穴传输层位于所述阳极层与所述第三发光层之间;和/或,所述电子传输层位于所述第一发光层与所述阴极层之间。
7.根据权利要求1至5任一项所述的OLED像素单元,其特征在于,所述第一发光层、所述第二发光层以及所述第三发光层共发出三种颜色的光,且所述三种颜色包括红色、绿色以及蓝色。
8.根据权利要求1至5任一项所述的OLED像素单元,其特征在于,所述阳极层采用透明导电材料;所述阴极层采用金属材料。
9.一种OLED显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的OLED像素单元。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的OLED显示面板。
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