CN111710793B - 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置，显示面板，一种显示面板，包括：阵列基板；像素限定层，设置于阵列基板，像素限定层包括本体部和阵列分布的多个像素开口，阻断部，设置在所述本体部背离所述阵列基板的一侧，阻断部位于至少部分相邻的所述像素开口之间，阻断部包括改性剂；第一载流子层，设置于像素限定层背离阵列基板的一侧，第一载流子层包括导流部和截流部，导流部设置于像素开口内，至少部分截流部位于阻断部远离阵列基板的一侧并被阻断部改性，截流部被阻断部改性的部分的电导率小于导流部的电导率。避免显示面板像素间电流串扰的问题，提高显示精确度及显示面板的显示效果。

Description

显示面板、显示面板的制备方法及显示装置

技术领域

本发明涉及显示备技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。

背景技术

液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)面板、有机发光二极管显示(OrganicLight Emitting Display，OLED)面板以及利用发光二极管(Light Emitting Diode，LED)器件的显示面板等平面显示面板因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

显示面板尤其是有机发光二极管显示面板中，第一载流子层中包含电子或空穴载流子因此通常具有较高的迁移率、电导率以及良好的导电特性。制备第一载流子层的浆料通常是经过通用掩膜版(common mask)进行蒸镀，蒸镀后第一载流子层覆盖在像素限定层的本体部上，其也同时覆盖在阵列基板通过本体部围成的像素开口暴露的区域上。由于第一载流子层的电导率高，具有良好的导电特性容易造成显示面板通电工作时像素间出现电流导通继而造成串扰的现象。

因此，亟需一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置，旨在解决显示面板像素间串扰的问题，提高显示面板的显示效果。

本发明实施例提供一种显示面板，包括：阵列基板；像素限定层，设置于阵列基板，像素限定层包括本体部和阵列分布的多个像素开口；阻断部，设置在所述本体部背离所述阵列基板的一侧，阻断部位于至少部分相邻的像素开口之间，阻断部包括改性剂；第一载流子层，设置于像素限定层背离阵列基板的一侧，第一载流子层包括导流部和截流部，导流部设置于像素开口内，至少部分截流部位于阻断部远离阵列基板的一侧并被阻断部改性，截流部被阻断部改性的部分的电导率小于导流部的电导率。

根据本发明的一个方面，本体部包括背离阵列基板的顶面和朝向像素开口的侧面，阻断部设置于顶面和/或侧面。

根据本发明的一个方面，第一载流子层包括P型或N型掺杂材料，P型或N型掺杂材料与改性剂发生反应形成截流部被阻断部改性的部分。

根据本发明的一个方面，第一载流子层包括P型掺杂材料，P型掺杂材料包括氟基和/或氰基中的一种或多种基团，改性剂为还原剂，基团被还原剂还原；

优选的，第一载流子层包括空穴注入层，阻断部与空穴注入层接触。

根据本发明的一个方面，阻断部还包括至少一种光引发剂，基团在光照下被具有还原性的光引发剂还原；

优选的，改性剂或改性剂和光引发剂在阻断部的重量百分比是0.1wt％～30wt％。

根据本发明的一个方面，光引发剂为自由基型光引发剂；

优选的，自由基型光引发剂包括2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮、1-羟基环己基苯基甲酮、2-甲基-2-(4-吗啉基)-1-[4-(甲硫基)苯基]-1-丙酮、二苯基乙酮、α-羟烷基苯酮、双苯甲酰基苯基氧化膦中的一种或多种。

根据本发明的一个方面，还原剂包括硫代硫酸盐、亚硫酸盐、亚磷酸酯类及金属碘化物中的一种或多种。

本发明实施例还提供一种显示面板的制备方法，包括：

在阵列基板上形成图案化的像素限定层，像素限定层包括本体部和阵列分布的多个像素开口；

在本体部上形成图案化的阻断部，阻断部位于至少部分相邻的像素开口之间，阻断部包括改性剂；

在图案化的像素限定层远离阵列基板的一侧蒸镀混合浆料，形成载流子膜；

与阻断部接触的载流子膜发生反应被改性，形成第一载流子层。

根据本发明的一个方面，在阵列基板上形成图案化的像素限定层和图案化的阻断部的步骤包括：

将成膜树脂、感光树脂及有机溶剂混合形成预制剂涂布固化形成本体膜层，并在本体膜层上涂布包含改性剂的阻断部预制剂形成阻断基体，

图案化处理本体膜层及阻断基体形成图案化的像素限定层和图案化的阻断部；

或，

将成膜树脂、感光树脂及有机溶剂混合形成预制剂涂布固化形成本体膜层，并图案化处理本体膜层形成图案化的像素限定层，

在本体部及像素开口涂布包含改性剂的阻断部预制剂形成阻断基体，图案化处理阻断基体形成图案化的阻断部；

或，

将成膜树脂、感光树脂及有机溶剂混合形成预制剂涂布固化形成本体膜层，并图案化处理本体膜层形成图案化的像素限定层，本体部在远离阵列基板的顶面具有多个凹槽；

在凹槽及像素开口涂布包含改性剂的阻断部预制剂形成阻断基体，图案化处理阻断基体形成图案化的阻断部。

再一方面本发明实施例提供一种显示装置，显示装置具有上述显示面板。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征。

图1是现有技术中显示面板的部分层结构示意图；

图2是现有技术中显示面板的第一载流子层的俯视图；

图3是本发明实施例提供的一种显示面板阵列基板上像素限定层和阻断部的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的一种显示面板的部分层结构示意图；

图5是本发明实施例提供的第一载流子层的俯视图；

图6是本发明又一实施例提供的一种显示面板阵列基板上像素限定层和阻断部的结构示意图；

图7是本发明又一实施例提供的一种显示面板的部分层结构示意图；

图8是本发明又一实施例提供的第一载流子层的俯视图；

图9是本发明再一实施例提供的一种显示面板的制备方法流程图；

图10是本发明还一实施例提供的一种显示面板的制备方法流程图；

图11a至图11j是本发明具体实施例的实验结果示意图。

附图标记说明：

10、阵列基板；11、第一电极层；111、第一电极；

20、像素限定层；21、本体部；211、本体部顶面；212、本体部侧面；22、像素开口；23、阻断部；

30、第一载流子层；31、导流部；311、像素限定层改进前导流部；32、截流部；321、像素限定层改进前截流部；322、截流部被阻断部改性部分；323、截流部未被阻断部改性部分。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本发明的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本发明造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了部分结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有说明，“多个”的含义是两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向，并不是对本发明的实施例的具体结构进行限定。在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

为了更好地理解本发明，下面结合图1至图11j对本发明的实施例的显示面板、显示面板的制备方法及显示装置进行详细描述。

请参见图1以及图2，其中图1现有技术中显示面板的层结构示意图，图2是现有技术中显示面板的第一载流子层的俯视图。如图1、图2所示，现有技术中显示面板尤其是有机发光二极管显示面板中包括阵列基板10，阵列基板10上形成第一电极层11，第一电极层11中包括多个阵列设置的第一电极111。在多个第一电极111上形成像素限定层20，其设置于阵列基板10，像素限定层20包括本体部21和阵列分布的多个像素开口22，上述每一个第一电极111对应一像素开口22设置。其中第一电极层11可以是作为阳极的第一电极层11，阳极材料可以采用氧化铟锡、氧化铟锌等。显示面板中还包括第一载流子层30，第一载流子层30设置于像素限定层20背离阵列基板10的一侧。

在显示面板的像素开口22中形成第一载流子层30，第一载流子层30覆盖本体部21及像素开口22。在阵列基板10上形成第一电极层、第一载流子层、有机发光层、第二载流子层和第二电极层，则每一像素开口22中形成一个像素点。

当第一电极层11作为阳极时，第一载流子层30中流经的载流子为空穴，第一载流子层30包含空穴注入层和/或空穴传输层，当第一载流子层中均包含有空穴注入层和空穴传输层时，空穴注入层覆盖本体部21及像素开口22，空穴传输层层叠设置在空穴注入层背向像素限定层的一侧。第一载流子层30包含空穴注入层和空穴传输层时，上述两者尤其空穴注入层中包含P型掺杂材料，用以增强空穴的注入和传输能力，P型掺杂材料使得第一载流子层30尤其是空穴注入层具有良好的导电特性。根据图1以及图2可知，现有技术中第一载流子层30覆盖本体部21及像素开口22，因为第一载流子层30其中包含P型掺杂材料与像素限定层改进前导流部311和像素限定层改进前截流部321中P型掺杂材料含量相同，两者间不存在电导率的差异均具有良好的导电特性，从而显示面板像素间容易产生串扰问题，影响显示面板显示效果。如图1所示，改进前像素限定层导流部311为第一电极111暴露出对应像素开口22的部分正投影到第一载流子层时，所对应的第一载流子层30的区域。改进前像素限定层截流部321为第一载流层30覆盖本体部21的区域。

在现有技术中，当第一电极层11作为阴极时，第一载流子层30中流经的载流子为电子，第一载流子层30包含电子注入层和/或电子传输层，当第一载流子层中均包含有电子注入层和电子传输层时，电子注入层先覆盖本体部21及像素开口22，电子传输层层叠设置在电子注入层背向像素限定层的一侧。第一载流子层30包含电子注入层和电子传输层时，上述两者尤其是电子注入层中包含N型掺杂材料，用以增强电子的注入和传输能力，N型掺杂材料使得第一载流子层30具有良好的导电特性。根据图1以及图2可知，现有技术中第一载流子层30覆盖本体部21及像素开口22时，因为第一载流子层30其中包含N型掺杂材料与像素限定层改进前导流部311和像素限定层改进前截流部321中N型掺杂材料含量相同，两者间不存在电导率的差异均具有良好的导电特性，从而显示面板像素间容易产生串扰问题，影响显示面板显示效果。另外，由于不同颜色发光单元之间的启亮电压不同，如，蓝色发光单元启亮电压大于绿色发光单元启亮电压大于红色发光单元启亮电压，当启动蓝色发光单元发光时，再加上改进前载流子层连接到其他颜色发光单元中，极易带动其他颜色发光单元发光，而引起串色，影响显示面板的显示效果。

因此为了解决上述因为第一载流子层所导致的像素间串扰的问题如图3至图4所示，本发明实施例提供一种显示面板，包括阵列基板10，阵列基板10上形成第一电极层11，第一电极层11中包括多个阵列设置的第一电极111。在多个第一电极111上形成像素限定层20，像素限定层20包括本体部21和阵列分布的多个像素开口22，上述每一个第一电极111对应一像素开口22设置。显示面板还包括阻断部23，阻断部23设置在本体部远离所述阵列基板的一侧，且所述阻断部23位于至少部分相邻的像素开口22之间，阻断部23包括改性剂。本申请实施例中，所述阻断部23包括与所述像素限定层的本体部相同的主体材料，如聚酰亚胺，其客体包含改性剂，通过预混的方式实现混合。所述阻断部覆盖至少部分所述本体部的表面或内部，只需要满足所述阻断部与所述第一载流子层接触即可。

显示面板中还包括第一载流子层30，第一载流子层30设置于像素限定层20背离阵列基板10的一侧。第一载流子层30包括导流部31和截流部32，导流部31设置于像素开口22内；导流部31是为第一电极111暴露出像素开口22的部分正投影到第一载流子层时，所对应的第一载流子层30的区域。第一载流子层30位于第一电极111上。至少部分截流部32位于阻断部23远离阵列基板10的一侧并被阻断部23改性，截流部被阻断部改性的部分322的电导率小于导流部31的电导率。

在一些实施例中，优选的，当第一电极层为阳极时，第一载流子层30包括空穴注入层和空穴传输层，截流部32和导流部31形成于空穴注入层，空穴注入层的截流部32与阻断部23接触的部分的电导率小于空穴注入层的导流部31电导率。当第一电极层为阴极时，第二电极层为阳极时，第二载流子层包括电子注入层和电子传输层时，截流部32和导流部31形成于电子注入层，电子注入层的截流部32与阻断部23接触的部分的电导率小于电子注入层的导流部31电导率。优选的，截流部32通过与阻断部23接触的部分被阻断部23的改性剂改性，使得其电导率变小。

在一些实施例中，请参照图3或图6所示，本体部21包括背离阵列基板10的本体部顶面211和朝向像素开口22的本体部侧面212，阻断部23设置于本体部顶面211和/或朝向像素开口的本体部侧面212。优选的，所述阻断部覆盖所述本体部及所述本体部侧面，所述阻断部23包括与所述像素限定层的本体部相同的主体材料，如聚酰亚胺，其客体材料包含改性剂。

在一些实施例中，参照图3所示，阻断部23设置于本体部顶面211，优选的，所述阻断部覆盖所述本体部顶面211或设置于所述本体部顶面211的一部分。

或者，在一些实施例中，参照图6所示，阻断部211设置于本体部顶面211和与其连接的本体部侧面212，优选的阻断部211覆盖于本体部顶面211和与其连接的本体部侧面212，或者设置于所述本体部顶面211和本体部侧面212的一部分。

在这些实施例中，如图4至图8所示，当第一载流子层30中流经的载流子为电子时，其包括N型掺杂材料，阻断部23中改性剂为氧化剂。可选的，改性剂包含一种或多种氧化剂。当制备第一载流子层30的混合浆料通过蒸镀工艺制备第一载流子层30时，在像素限定层20和阻断部23上制备第一载流子层30的混合浆料中的N型掺杂材料被阻断部23中的氧化剂氧化，阻断部23中的氧化剂破坏N型掺杂材料中利于电子传输的基团，从而降低截流部被阻断部改性部分322的电导率使其不再具有良好的电导性。而沉积在像素开口22的混合浆料形成第一载流子层的导流部，所述导流部因不与阻断部23接触，而不会发生氧化还原反应。由此截流部32的电导率尤其是截流部被阻断部改性部分322的电导率小于导流部31的电导率，截流部32电导率的降低，使得这部分的导电性变差，使截流部在显示面板使用过程中不会构成像素间的漏电通道反而阻碍了像素间通过第一载流子层漏电，避免显示面板像素间串扰的问题。

在这些实施例中，如图3至图5所示，当阻断部23覆盖于本体部顶面211，截流部被阻断部改性部分322的电导率降低，而使得这部分的导电性变差，阻碍像素间通过第一载流子层漏电。此时截流部未被阻断部改性部分323的电导率未下降。

如图6至图8所示，当阻断部211覆盖于本体部顶面211和与本体部顶面211连接的本体部侧面212，则截流部未被阻断部改性部分323面积缩小，可缩小至截流部未被阻断部改性部分323不存在状态，此时截流部被阻断部改性部分322面积最大。截流部被阻断部改性部分322面积越大则相应的像素间串扰问题出现概率越低。

在另一些实施例中，如图4至图8所示，当第一载流子层30中流经的载流子为空穴时，其包括P型掺杂材料，阻断部23中改性剂为还原剂。可选的，改性剂包含一种或多种还原剂。当制备第一载流子层30的混合浆料通过蒸镀工艺制备第一载流子层30时，在像素限定层20和阻断部23的制备第一载流子层30的混合浆料中的P型掺杂材料被阻断部23中的还原剂还原，阻断部23中的还原剂破坏P型掺杂材料中利于空穴传输的基团，从而降低第一载流子层30中截流部被阻断部改性部分322的电导率，使其不再具有良好的电导性。而沉积在像素开口22的混合浆料形成第一载流子层30的导流部31，所述导流部不与阻断部23接触而不会发生氧化还原反应。由此截流部32的电导率尤其是截流部被阻断部改性部分322的电导率小于导流部31的电导率，截流部32电导率的降低，使得截流部32的导电性变差，使截流部在显示面板使用过程中不会构成像素间的漏电通道反而阻碍了像素间通过第一载流子层漏电，避免显示面板像素间串扰的问题。

在这些实施例中，如图3至图5所示，当阻断部23覆盖于本体部顶面211，截流部被阻断部改性部分322电导率降低，而使得这部分的导电性变差，阻碍像素间通过第一载流子层漏电。此时截流部未被阻断部改性部分323的电导率未下降。如图6至图8所示，当阻断部23覆盖于本体部顶面211和与体部顶面211连接的本体部侧面212，则截流部未被阻断部改性部分323面积缩小，可缩小至截流部未被阻断部改性部分323不存在状态，此时截流部被阻断部改性部分322面积最大。截流部被阻断部改性部分322面积越大，使得所述截流部的电导率越低，则相应的像素间串扰问题出现概率越低。

在这些实施例中，阻断部23还包括至少一种光引发剂，在光照下光引发剂具有还原性使第一载流子层30的截流部32尤其是截流部被阻断部改性部分322发生还原反应；优选的，改性剂或改性剂和光引发剂在阻断部的重量百分比范围是0.1wt％～30wt％。其中光照条件包括可见光光照以及紫外光光照条件，本发明可选的实施例中不对光照条件做具体的限定，只要能使光引发剂产生可以还原P型掺杂材料的活性碎片即可，活性碎片可以是自由基、阳离子等。

在这些实施例中，第一载流子层包括的P型掺杂材料包括氟基(-F)和/或氰基(-CN)中的一种或多种基团，氟基(-F)和/或氰基(-CN)基团被还原剂和/或经光照的光引发剂还原，使截流部32与所述阻断部接触的部位的电导率小于导流部31的电导率。其中氟基(-F)和/或氰基(-CN)中的一种或多种基团具有较强的电负性利于P型掺杂材料中空穴传输。

在一些可选的实施例中，还原剂包括硫代硫酸盐、亚硫酸盐、亚磷酸酯类及金属碘化物中的一种或多种。其中硫代硫酸盐具有较强的还原能力，用于还原P型掺杂材料的硫代硫酸盐可以选取硫代硫酸钠。硫代硫酸钠的合成方法较多，有亚硫酸钠法、硫化碱法等。亚硫酸钠法由纯碱溶液与二氧化硫气体反应，加入烧碱中和，加硫化碱除去杂质，过滤，再将硫磺粉溶解在热亚硫酸钠溶液中进行反应，经过滤、除杂质、再过滤、加烧碱进行碱处理，经浓缩、过滤、结晶、离心脱水、筛选，制得硫代硫酸钠成品。硫化碱法利用硫化碱蒸发残渣、硫化钡废水(含有碳酸钠和硫化钠)配制成的原料液与二氧化硫反应，澄清后加入硫磺粉进行加热反应，经蒸发、冷却结晶、洗涤、分离、筛选，制得硫代硫酸钠成品。本体部21中的硫代硫酸盐可由实验室制得也可以购买商用的产品。

亚硫酸盐因其具有还原性强的亚硫酸根而具有很强的还原能力，亚硫酸盐中，硫的氧化数为+4，所以亚硫酸盐既有氧化性，又有还原性，但它们的还原性是主要的。亚硫酸钠是亚硫酸盐存在的最常见的形式，是优良的还原剂。本体部21中的亚硫酸盐可以是亚硫酸钾、亚硫酸钠、亚硫酸镁等。

亚磷酸酯类具有良好的还原能力，从三价磷化合物的基本性能出发，根据磷元素的原子结构理论，d轨道可以参与杂化过程，它与其他原子的P轨道重叠后往往形成稳定的p-dπ键。三价磷氧化产物的P＝O键能高达502～712kJ/mol，亚磷酸酯的氧化产物的P＝O键能也高达611kJ/mol，由此亚磷酸酯类化合物具有较强的还原能力。进一步的，磷是第Ⅴ主族元素，其三价化合物中具有一对未成键的电子，因此在有机反应中常常变现亲核能力较强。同时，磷原子的体积较大，受电子离域作用的影响，有机亚磷酸酯化合物中的磷原子有被亲核试剂作用的可能。本发明实施例中优选的，可以选用亚磷酸三甲酯，亚磷酸三乙酯作为还原剂。

在一些可选的实施例中，光引发剂为自由基型引发剂。大多数的自由基型光引发剂在紫外和可见光区域都有一定的感光度，自由基型光引发剂在光照条件下会产生大量的自由基，自由基具有较强的还原能力可作为还原剂使氟基(-F)和/或氰基(-CN)基团发生还原反应。其中自由基型光引发剂可分为裂解型自由基光引发剂和夺氢型光引发剂，通常裂解型自由基光引发剂在吸收光能后形成两对具有反应活性自由基的碳碳双键。而夺氢型光引发剂吸收光能后再激发态与助引发剂发生双分子作用，通过夺氢反应或电子/质子转移形成活性自由基，此类型的光引发剂需要基于双分子作用，引发速率低于裂解型光引发剂。所以在本发明实施例中优先选用裂解型自由基光引发剂。其中裂解型自由基光引发剂一般包括安息香醚类、苯偶酰缩酮类、苯乙酮类以及酰基磷氧化物。因此优选的，该自由基型光引发剂包括2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮、1-羟基环己基苯基甲酮、2-甲基-2-(4-吗啉基)-1-[4-(甲硫基)苯基]-1-丙酮、二苯基乙酮、α-羟烷基苯酮、双苯甲酰基苯基氧化膦中的一种或多种。

请参照图9，本发明再一实施例提供的一种显示面板的制备方法，其包括：

步骤S01：在阵列基板10上形成图案化的像素限定层20，像素限定层包括本体部21和阵列分布的多个像素开口22；

在本体部21上形成图案化的阻断部23，阻断部23位于至少部分相邻的像素开口22之间，阻断部23包括改性剂；

在一些实施例中，在阵列基板上形成图案化的像素限定层和图案化的阻断部的步骤包括：

步骤S01a：将成膜树脂、感光树脂及有机溶剂混合形成预制剂涂布固化形成本体膜层，并在本体膜层上涂布包含改性剂的阻断部预制剂形成阻断基体，其中阻断基体预制剂包括成膜树脂、感光树脂、有机溶剂和改性剂，或阻断基体预制剂包括成膜树脂、感光树脂、有机溶剂、改性剂和光引发剂；

在一些实施例中，阻断基体预制剂的制备步骤包括：

将改性剂，或将改性剂和光引发剂加入有机溶剂中进行溶解；

将改性剂，或将改性剂和光引发剂溶解完全后再在有机溶剂中加入感光树脂和成膜树脂获得阻断基体预制剂，优选的，在改性剂，或将改性剂和光引发剂溶解完全后再有机溶剂中加入感光树脂和成膜树脂过程中进行充分均匀混合，对充分混合均匀的方式不做限定，可以是磁力搅拌，机械搅拌等方式；

步骤S01b：图案化处理本体膜层及阻断基体形成成图案化的像素限定层和图案化的阻断部；

步骤S02：在图案化的像素限定层远离阵列基板的一侧蒸镀混合浆料，形成载流子膜；与阻断部接触的载流子膜发生反应被改性，形成第一载流子层。

具体的，在蒸镀的过程中包含有掺杂有P型掺杂材料或N型掺杂材料的混合浆料在沉积的过程中与阻断部23接触就开始与阻断部中的改性剂或改性剂和光引发剂发生氧化还原反应，使得混合浆料中的P型掺杂材料或N型掺杂材料失效继而蒸镀结束后形成第一载流子层30。

步骤S03：在第一载流子层上形成发光层。

步骤S04：在发光层上蒸镀第二载流子层，第二载流子层流经的载流子与第一载流子层流经的载流子电性相反。

步骤S05：在第二载流子层上形成第二电极层，第二电极层与第一电极层相对，如第一电极层为阳极层那么第二电极层就为阴极层。

本发明再一实施例中还提供一种显示装置，包括上述步骤制备得到的显示面板。

请参照图10，本发明还一实施例提供的一种显示面板的制备方法，其包括：

步骤S01’：在阵列基板10上形成图案化的像素限定层20，像素限定层包括本体部21和阵列分布的多个像素开口22；

在本体部21上形成图案化的阻断部23，阻断部23位于至少部分相邻的像素开口22之间，阻断部23包括改性剂；

在一些实施例中，在阵列基板10上形成图案化的像素限定层30和图案化的阻断部23的步骤包括：

步骤S01’a：将成膜树脂、感光树脂及有机溶剂混合形成预制剂涂布固化形成本体膜层，并图案化处理所述本体膜层形成所述图案化的像素限定层20；

步骤S01’b：在本体部21及所述像素开口22涂布包含改性剂的阻断部预制剂形成阻断基体，图案化处理阻断基体形成所述图案化的阻断部23；其中阻断基体预制剂包括成膜树脂、感光树脂、有机溶剂和改性剂，或阻断基体预制剂包括成膜树脂、感光树脂、有机溶剂、改性剂和光引发剂。

在一些实施例中，阻断基体预制剂的制备步骤包括：

将改性剂，或将改性剂和光引发剂加入有机溶剂中进行溶解；

在改性剂，或将改性剂和光引发剂溶解完全后再在有机溶剂中加入感光树脂和成膜树脂获得阻断基体预制剂，优选的，在改性剂，或将改性剂和光引发剂溶解完全后再有机溶剂中加入感光树脂和成膜树脂过程中进行充分均匀混合，对充分混合均匀的方式不做限定，可以是磁力搅拌，机械搅拌等方式。

步骤S02’：在图案化的像素限定层远离阵列基板的一侧蒸镀混合浆料，形成载流子膜；与阻断部接触的载流子膜发生反应被改性，形成第一载流子层。

具体的，在蒸镀的过程中包含有掺杂有P型掺杂材料或N型掺杂材料的混合浆料在沉积于本体部21的过程中与阻断部23接触就开始与阻断部中的改性剂或改性剂和光引发剂发生氧化还原反应，使得混合浆料中的P型掺杂材料或N型掺杂材料失效继而蒸镀结束后形成第一载流子层30。

步骤S03’：在第一载流子层上形成发光层。

步骤S04’：在发光层上蒸镀第二载流子层，第二载流子层流经的载流子是与第一载流子层流经的载流子电性相反的载流子。

步骤S05’：在第二载流子层上形成第二电极层，第二电极层与第一电极层相对，如第一电极层为阳极层那么第二电极层就为阴极层。

本发明还一实施例中提供一种显示装置，包括上述步骤制备得到的显示面板。

本发明又一实施例提供的一种显示面板的制备方法，其包括：

步骤S01”：在阵列基板10上形成图案化的像素限定层20，像素限定层包括本体部21和阵列分布的多个像素开口22；

在本体部21上形成图案化的阻断部23，阻断部23位于至少部分相邻的像素开口22之间，阻断部23包括改性剂；

在一些实施例中，在阵列基板10上形成图案化的像素限定层30和图案化的阻断部23的步骤包括：

步骤S01”a：将成膜树脂、感光树脂及有机溶剂混合形成预制剂涂布固化形成本体膜层，并图案化处理本体膜层形成图案化的像素限定层，本体部在远离阵列基板的顶面具有多个凹槽；

步骤S01”b：在所述凹槽及像素开口涂布包含改性剂的阻断部预制剂形成阻断基体，图案化处理阻断基体形成所图案化的阻断部23。其中阻断基体预制剂包括成膜树脂、感光树脂、有机溶剂和改性剂，或阻断基体预制剂包括成膜树脂、感光树脂、有机溶剂、改性剂和光引发剂。

在一些实施例中，阻断基体预制剂的制备步骤包括：

将改性剂，或将改性剂和光引发剂加入有机溶剂中进行溶解；

在改性剂，或将改性剂和光引发剂溶解完全后再在有机溶剂中加入感光树脂和成膜树脂获得阻断基体预制剂，优选的，在改性剂，或将改性剂和光引发剂溶解完全后再有机溶剂中加入感光树脂和成膜树脂过程中进行充分均匀混合，对充分混合均匀的方式不做限定，可以是磁力搅拌，机械搅拌等方式。

步骤S02”：在图案化的像素限定层远离阵列基板的一侧蒸镀混合浆料，形成载流子膜；与阻断部接触的载流子膜发生反应被改性，形成第一载流子层。

具体的，在蒸镀的过程中包含有掺杂有P型掺杂材料或N型掺杂材料的混合浆料在沉积于本体部21的过程中与阻断部23接触就开始与阻断部中的改性剂或改性剂和光引发剂发生氧化还原反应，使得混合浆料中的P型掺杂材料或N型掺杂材料失效继而蒸镀结束后形成第一载流子层30。

步骤S03”：在第一载流子层上形成发光层。

步骤S04”：在发光层上蒸镀第二载流子层，第二载流子层流经的载流子是与第一载流子层流经的载流子电性相反的载流子。

步骤S05”：在第二载流子层上形成第二电极层，第二电极层与第一电极层相对，如第一电极层为阳极层那么第二电极层就为阴极层。

本发明又一实施例中提供一种显示装置，包括上述步骤制备得到的显示面板。

【具体实施例】

下述实施例更具体地描述了本发明实施例公开的内容，这些实施例仅仅用于阐述性说明，因为在本发明公开内容的范围内进行各种修改和变化对本领域技术人员来说是明显的。除非另有声明，一下实施例中所报道的所有份、百分比、和比值都是基于重量计，而且实施例中使用的所有试剂都是可以商购获得或是按照常规方法进行合成获得，并且可直接使用而无需进一步处理，以及实施例中使用的仪器均可商购获得。

实施例1至9以及对比例1中的显示面板的制备均按照以下方法进行制备：

步骤一：阻断部预制剂的制备过程：将改性添加剂加入到有机溶剂中进行溶解，改性添加剂在有机溶剂中溶解完全后加入感光树脂和成膜树脂，将上述组合物进行均匀混合使得改性添加剂、感光树脂以及成膜树脂在有机溶剂中混合均匀，完成阻断部预制剂的制备。

其中成膜树脂具有羟基，可以是酚醛树脂、环氧树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、聚氨酯树脂等。成膜树脂为4～10份。

感光树脂为萘醌系重氮型感光树脂，通式如下：

其中R¹为2,1-重氮萘醌-5-磺酰酯基，R²为2,1-重氮萘醌-4-磺酰酯基，m，n为0至3的整数，且m+n≤3；x,y为0至3的整数，且x+y≤3。感光树脂10～15份。

改性添加剂为还原剂剂，或还原剂和光引发剂。改性添加剂为1至10份。

有机溶剂为乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、丙二醇单乙醚、甲乙酮、醋酸丁酯、二氧六环、N-甲基吡咯烷酮、甲醇、四氢呋喃等。有机溶剂为200～300份。

优选的，阻断部预制剂的配比为：

成膜树脂：酚醛树脂8份；

感光树脂：萘醌系重氮型感光树脂，通式中m＝n＝1,x＝y＝1,15份；

有机溶剂：乙二醇单乙醚，260份；

改性添加剂：添加量如表1所示。

本体部预制剂制备过程中不加入改性添加剂，其余组分和组分含量与阻断部预制剂相同，此处不再赘述。

将本体部预制剂涂布在阵列基板上，固化后形成本体膜层；再在本体膜层上涂布阻断部预制剂，阻断部预制剂膜层固化后在本体膜层上层叠形成阻断基体，通过曝光以及显影等图案化处理工艺处理阻断基体以及本体膜层形成图案化的像素限定层和图案化的阻断部。具体实施例中像素限定层的主体材料为聚酰亚胺高分子材料，其中阵列基板上设置的第一电极层11为阳极层。

步骤二：蒸镀混合浆料到本体部21和像素开口22，形成载流子膜，混合浆料与阻断部23接触就开始与阻断部中的改性剂或改性剂和光引发剂发生氧化还原反应，形成第一载流子层30。在本具体实施例中第一载流子层30包含空穴注入层和空穴传输层，空穴注入层中包含的P型掺杂材料与本体部中的改性添加剂(还原剂，或还原剂和光引发剂)发生氧化还原反应从而形成电导率较导流部电导率低的截流部被阻断部改性部分322。

步骤三：在第一载流子层上形成发光层。

步骤四：在发光层上蒸镀第二载流子层，第二载流子层流经的载流子与第一载流子层流经的载流子电性相反；在本具体实施例中第二载流层包括电子注入层和电子传输层。

步骤五：在第二载流子层上形成第二电极层，第二电极层与第一电极层相对，如第一电极层为阳极层那么第二电极层就为阴极层。

将制备得到的显示面板做如下测试：控制显示面板显示单色蓝光(3灰阶)，同时测试显示面板中红光像素光谱的相对于蓝光光谱的相对强度。测试设备为柯尼卡美能达分光辐射亮度计，型号为CS2000A。

对比例中改性添加剂的组分种类、各组分的份数以及实验结果如表1所示：

表1

图11a至图11j中光波长460nm代表的是蓝光特征波长，光波长526nm代表的是绿光特征波长，光波长627nm代表的是红光特征波长。其中以绿光或红光波长范围段内光强度的积分面积占蓝光波长范围段内光强度的积分面积的比值再乘以100％，具体的计算公式：

相对强度＝绿光波长范围内的峰值(526nm)或红光波长范围内的峰值(627nm)/蓝光波长范围段的峰值×100％

由表1以及图11a至图11j可知，在阻断部预制剂中未加入改性添加剂时如对比例1以及图11a所示，显示面板出现较为严重的像素间串扰的问题，具体的体现在单一蓝光显示(3灰阶)，红光像素光谱相对强度为6.6％，绿光像素光谱相对强度为2.8％。在硫代硫酸钠加入份数为两份时，绿光和蓝光的相对强度都有所下降，说明像素串扰的问题有所改善，但是因为改性添加剂的加入量较少仍然存在像素串扰的问题。

如图11b至图11d所示，硫代硫酸钠的添加量越多，像素串扰的现象越不明显，具体体现为绿光像素光谱的相对强度下降至零，同时红光像素光谱的相对强度也逐渐下降。

如图11d至图11f所示，相比图11a的结果，硫代硫酸钠、亚硫酸钠、亚磷酸三甲酯以及碘化钾添加入阻断部预制剂中均能使第一载流子层的截流部32尤其是截流部被阻断部改性部分322的电导率低于导流部的电导率，均可解决像素间串扰的问题。在相同份数的添加情况下，对第一载流子层中的P型掺杂材料的还原效果要从优到较优的排序为：硫代硫酸钠优于亚硫酸钠，亚硫酸钠优于碘化钾，碘化钾优于亚磷酸三甲酯。

如图11a、图11e以及图11h至图11j所示，光引发剂的加入和还原剂硫代硫酸钠具有协同作用，均可使第一载流子层的截流部32尤其是截流部被阻断部改性部分322的电导率低于导流部的电导率避免了显示面板像素间串扰的问题，其中在对显示面板显示效果的提升以及串扰问题的解决方面阻断部预制剂单纯加入还原剂硫代硫酸钠要优于同份数的还原剂硫代硫酸钠与光引发剂共同添加入阻断部预制剂的情形。

综上，从对比例1以及实施例1至9可以看出，当第一载流子层中包含P型掺杂材料用于加强空穴的传输和注入时，在阻断部预制剂中无论是单纯加入还原剂还是还原剂和光引发剂都可解决像素串扰的问题，提高显面板的显示效果。

本发明可以以其他的具体形式实现，而不脱离其精神和本质特征。例如，特定实施例中所描述的算法可以被修改，而系统体系结构并不脱离本发明的基本精神。因此，当前的实施例在所有方面都被看作是示例性的而非限定性的，本发明的范围由所附权利要求而非上述描述定义，并且，落入权利要求的含义和等同物的范围内的全部改变从而都被包括在本发明的范围之中。

Claims (12)

1.一种显示面板，包括：

阵列基板；

像素限定层，设置于所述阵列基板，所述像素限定层包括本体部和阵列分布的多个像素开口；

阻断部，设置在所述本体部背离所述阵列基板的一侧，所述阻断部位于至少部分相邻的所述像素开口之间，所述阻断部包括改性剂；

第一载流子层，设置于所述像素限定层背离所述阵列基板的一侧，所述第一载流子层包括导流部和截流部，所述导流部设置于所述像素开口内，至少部分所述截流部位于所述阻断部远离所述阵列基板的一侧并被所述阻断部改性，所述截流部被所述阻断部改性的部分的电导率小于所述导流部的电导率；

所述阻断部还包括至少一种光引发剂，所述截流部在光照下被具有还原性的所述光引发剂还原。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：

所述本体部包括背离所述阵列基板的顶面和朝向像素开口的侧面，所述阻断部设置于所述顶面和/或所述侧面。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一载流子层包括P型掺杂材料，所述P型掺杂材料与所述改性剂发生反应形成所述截流部被所述阻断部改性的部分。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一载流子层包括P型掺杂材料，所述P型掺杂材料包括氟基和/或氰基中的一种或多种基团，所述改性剂为还原剂，所述基团被所述还原剂还原。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一载流子层包括空穴注入层，所述阻断部与所述空穴注入层接触。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述改性剂或所述改性剂和所述光引发剂在阻断部的重量百分比是0.1wt%~30wt%。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述光引发剂为自由基型光引发剂。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述自由基型光引发剂包括2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮、1-羟基环己基苯基甲酮、2-甲基-2-(4-吗啉基)-1-[4-(甲硫基)苯基]-1-丙酮、二苯基乙酮、α-羟烷基苯酮、双苯甲酰基苯基氧化膦中的一种或多种。

9.根据权利要求4至8任一项所述的显示面板，其特征在于，所述改性剂包括硫代硫酸盐、亚硫酸盐、亚磷酸酯类及金属碘化物中的一种或多种。

10.一种用于制备权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

在阵列基板上形成图案化的像素限定层，所述像素限定层包括本体部和阵列分布的多个像素开口；

在所述本体部上形成图案化的阻断部，所述阻断部位于至少部分相邻的所述像素开口之间，所述阻断部包括改性剂和至少一种光引发剂；

在所述图案化的像素限定层远离所述阵列基板的一侧蒸镀混合浆料，形成载流子膜；

与所述阻断部接触的所述载流子膜发生反应被改性，形成所述第一载流子层，所述第一载流子层包括截流部，至少部分所述截流部位于所述阻断部远离所述阵列基板的一侧，所述截流部在光照下被具有还原性的所述光引发剂还原。

11.根据权利要求10所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在阵列基板上形成所述图案化的像素限定层和所述图案化的阻断部的步骤包括：

将成膜树脂、感光树脂及有机溶剂混合形成预制剂涂布固化形成本体膜层，并在所述本体膜层上涂布包含改性剂的阻断部预制剂形成阻断基体，

图案化处理所述本体膜层及所述阻断基体形成所述图案化的像素限定层和所述图案化的阻断部；

或，

将成膜树脂、感光树脂及有机溶剂混合形成预制剂涂布固化形成本体膜层，并图案化处理所述本体膜层形成所述图案化的像素限定层，

在所述本体部及所述像素开口涂布包含改性剂的阻断部预制剂形成阻断基体，图案化处理所述阻断基体形成所述图案化的阻断部；

或，

将成膜树脂、感光树脂及有机溶剂混合形成预制剂涂布固化形成本体膜层，并图案化处理所述本体膜层形成所述图案化的像素限定层，所述本体部在远离所述阵列基板的顶面具有多个凹槽；

在所述凹槽及所述像素开口涂布包含改性剂的阻断部预制剂形成阻断基体，图案化处理所述阻断基体形成所述图案化的阻断部。

12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置具有如权利要求1-9任一项所述的显示面板。

Images