CN108091774B - 有机发光器件的封装结构及制备方法 - Google Patents

有机发光器件的封装结构及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108091774B
CN108091774B CN201711439706.8A CN201711439706A CN108091774B CN 108091774 B CN108091774 B CN 108091774B CN 201711439706 A CN201711439706 A CN 201711439706A CN 108091774 B CN108091774 B CN 108091774B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light emitting
nano
emitting pixel
barrier layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711439706.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108091774A (zh
Inventor
黄辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201711439706.8A priority Critical patent/CN108091774B/zh
Priority to US15/767,511 priority patent/US20200365832A1/en
Priority to PCT/CN2018/077085 priority patent/WO2019127883A1/zh
Priority to US15/965,529 priority patent/US10741795B2/en
Publication of CN108091774A publication Critical patent/CN108091774A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108091774B publication Critical patent/CN108091774B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Packages (AREA)

Abstract

本申请公开了一种有机发光器件封装结构及制备方法，封装结构包括：衬底基板，衬底基板上制备有发光像素；第一阻挡层，设置于衬底基板上；纳米颗粒层，设置于第一阻挡层对应发光像素的位置；缓冲层，设置于第一阻挡层的非纳米颗粒层区域；第二阻挡层，设置于纳米颗粒层和缓冲层上。通过上述方式，本申请能够对发光像素进行单独的光提取，避免了材料的浪费及降低了生产成本。

Description

有机发光器件的封装结构及制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种有机发光器件的封装结构及制备方法。
背景技术
在目前照明和显示领域中，因有机电致发光自身的特点，如低启动电压、轻薄以及自发光等，越来越多的被应用于开发照明产品以及面板行业中，以满足低能耗，轻薄和面光源等需求。
目前柔性有机发光二极管显示(Organic Light-Emitting Diode,OLED)是将来的一个主要研究方向，其主要是采用薄膜封装的方法进行制备，但是由于像素区与非像素区会有高度差，这就造成在薄膜封装过程中容易使膜层形成凹凸不平的非平坦状态，较易造成发光区域边缘膜层断裂，从而使器件失效。而光取出的技术，目前主要是在器件内或者在基板上，增加了制备难度且会影响到器件的发光效率。
发明内容
本申请提供一种有机发光器件封装结构及制备方法，能够实现对发光像素进行单独的光提取，提高光提取效率和器件的发光效率，且避免了材料的浪费及降低了生产成本。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种有机发光器件封装结构，包括：衬底基板，所述衬底基板上制备有发光像素；第一阻挡层，设置于所述衬底基板上；纳米颗粒层，设置于所述第一阻挡层对应所述发光像素的位置，用于对所述发光像素进行光提取；缓冲层，设置于所述第一阻挡层的非纳米颗粒层区域；第二阻挡层，设置于所述纳米颗粒层和所述缓冲层上。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种有机发光器件封装结构的制备方法，所述方法包括，制备具有发光像素的衬底基板；在所述具有发光像素的衬底基板上制备第一阻挡层；在所述第一阻挡层对应所述发光像素的位置制备纳米颗粒层，所述纳米颗粒层用于对所述发光像素进行光提取；在所述第一阻挡层的非纳米颗粒层区域制备缓冲层；在所述缓冲层和所述纳米颗粒层上制备第二阻挡层。
本申请的有益效果是：提供一种有机发光器件封装结构及制备方法，通过将纳米颗粒层设置在薄膜封装的一侧，和发光像素一一对应设置，可实现对发光像素进行单独的光提取，提高光提取效率和器件的发光效率，且避免了材料的浪费及降低了生产成本。
附图说明
图1是本申请有机发光器件封装结构制备方法一实施方式的流程示意图；
图2是本申请有机发光器件封装结构的制备示意图；
图3是本申请有机发光器件封装结构一实施方式的结构示意图；
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请有机发光器件封装结构制备方法一实施方式的流程示意图。
S10，制备具有发光像素的衬底基板。
请一并参阅图2，图2为本申请有机发光器件封装结构的制备示意图，且在步骤S10中，先提供一衬底基板100，其中，衬底基板100可以为透明材质，具体可以是玻璃、陶瓷基板或者透明塑料等任意形式的基板，此处本发明不做具体限定。
进一步在该衬底基板100上制备发光像素110，其中发光像素110的制备和现有技术中的制备方法类似，此处不再进一步赘述。
S11，在具有发光像素的衬底基板上制备第一阻挡层。
在上述具有发光像素的衬底基板100上进一步制备第一阻挡层120。其中，第一阻挡层120用于阻隔水氧，且该第一阻挡层120可以是专门用以阻隔水氧的材料，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate,PET)、无机薄膜等等，此处不做进一步限定。
S12，在第一阻挡层对应发光像素的位置制备纳米颗粒层，纳米颗粒层用于对发光像素进行光提取。
本实施例中，在第一阻挡层120对应所述发光像素110的位置，制备纳米颗粒层130。其中，在制备纳米颗粒层130之前，采用掩膜的方式将第一阻挡层120上的非发光像素区域进行遮挡，然后在第一阻挡层120上对应发光像素110处制备纳米颗粒层130，且该纳米颗粒层130用于单独对每种发光像素110进行光提取。
可选地，本实施例中的纳米颗粒层130的制备方法可以采用蒸镀或喷涂中的一种形成于第一阻挡层120上对应发光像素110处。且在具体实施方式中，纳米颗粒层130的材料可以选用粒径较大的金属氧化物，具体可以为氧化镁、氧化钙以及氧化锆中的一种，在发光像素110发出的光进入到该纳米颗粒层130时，改变光线发生全反射时的角度，使得更多的光折射出去，以提高该纳米颗粒层的光提取效率，进而增强有机发光器件的发光效率。
进一步，本实施例中，采用将纳米颗粒层130与发光像素110一一对应设置，可以实现对每种发光像素110进行单独的光提取，且将纳米颗粒层130设置在薄膜封装的一侧，可以减少对OLED器件内部有机膜层的破坏，避免了材料的浪费及降低了生产成本。
S13，在第一阻挡层的非纳米颗粒层区域制备缓冲层。
进一步，在第一阻挡层120的非纳米颗粒层区域制备缓冲层140，其中，该缓冲层140用于释放弯曲应力，同时也可以起到平坦化与实现柔性的功能。在本实施例中，缓冲层140的材料可以为包括但不限于氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)中的一种，此处不做进一步限定，且缓冲层150可以采用涂布或者喷墨打印中的一种方式来实现。
可选地，为避免像素区和非像素区存在高度差而导致薄膜封装过程的非平坦状态，进而导致发光区域边缘膜层断裂，从而使器件失效的问题，本实施例中的缓冲层140的厚度设置为不小于发光像素110位置处对应的纳米颗粒层130和第一阻挡层120的厚度之和。在一具体实施方式中，缓冲层140的厚度设置为等于发光像素110位置处对应的纳米颗粒层130和第一阻挡层120的厚度之和，即可以加强封装效果，使膜层之间不会出现段差过大而导致封装效果降低。
S14，在缓冲层和纳米颗粒层上制备第二阻挡层。
在制备完缓冲层140后，最后在缓冲层140和纳米颗粒层130上制备整面的第二阻挡层150以完成封装。其中，第二阻挡层150用于进一步阻隔水氧，且该第二阻挡层150可以是专门用以阻隔水氧的材料，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate,PET)、无机薄膜等等，此处不做进一步限定。
上述实施方式中，通过将纳米颗粒层设置在薄膜封装的一侧，且和发光像素一一对应设置，可实现对发光像素进行单独的光提取，避免了材料的浪费及降低了生产成本，且通过将冲层的厚度设置为和发光像素位置处对应的纳米颗粒层和第一阻挡层的厚度之和相同，可以加强封装效果，使膜层之间不会出现段差过大而导致封装效果降低。
请参见图3，图3为本申请有机发光器件封装结构一实施方式的结构示意图。本实施例中，该封装结构可以包括：衬底基板100、发光像素110、第一阻挡层120、纳米颗粒层130、缓冲层140以及第二阻挡层150。
其中，衬底基板100可以为透明材质，具体可以是玻璃、陶瓷基板或者透明塑料等任意形式的基板，此处本发明不做具体限定。且该衬底基板100上制备有发光像素110。
第一阻挡层120设置于衬底基板上，用于阻隔水氧，且该第一阻挡层120可以是专门用以阻隔水氧的材料，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate,PET)、无机薄膜等等，此处不做进一步限定。
纳米颗粒层130设置于第一阻挡层120对应发光像110素的位置，纳米颗粒层130用于单独对每种发光像素110进行光提取。可选地，纳米颗粒层130的材料可以选用粒径较大的金属氧化物，具体可以为氧化镁、氧化钙以及氧化锆中的一种。在发光像素110发出的光进入到该纳米颗粒层130时，改变光线发生全反射时的角度，使得更多的光折射出去，以提高该纳米颗粒层的光提取效率，进而增强有机发光器件的发光效率。
缓冲层140设置于第一阻挡层120的非纳米颗粒层区域，用于释放弯曲应力，同时也可以起到平坦化与实现柔性的功能。在本实施例中，缓冲层140的材料可以为包括但不限于氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)中的一种，此处不做进一步限定。
第二阻挡层150设置于纳米颗粒层130和缓冲层140上，用于进一步阻隔水氧，且该第二阻挡层150可以是专门用以阻隔水氧的材料，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate,PET)、无机薄膜等等，此处不做进一步限定。
本实施例封装结构中的衬底基板、发光像素、第一阻挡层、纳米颗粒层、缓冲层以及第二阻挡层的具体制备工艺和方法详细参见上述第一实施方式中制备流程工艺，此处不再赘述。
上述实施方式中，通过将纳米颗粒层设置在薄膜封装的一侧，且和发光像素一一对应设置，可实现对发光像素进行单独的光提取，避免了材料的浪费及降低了生产成本，且通过将冲层的厚度设置为和发光像素位置处对应的纳米颗粒层和第一阻挡层的厚度之和相同，可以加强封装效果，使膜层之间不会出现段差过大而导致封装效果降低。
综上所述，本领域技术人员容易理解，本申请提供一种有机发光器件封装结构及制备方法，通过将纳米颗粒层设置在薄膜封装的一侧，且和发光像素一一对应设置，可实现对发光像素进行单独的光提取，提高光提取效率和器件的发光效率，且避免了材料的浪费及降低了生产成本，进一步通过将冲层的厚度设置为和发光像素位置处对应的纳米颗粒层和第一阻挡层的厚度之和相同，可以加强封装效果，使膜层之间不会出现段差过大而导致封装效果降低。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种有机发光器件封装结构，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板上制备有间隔设置的发光像素；
第一阻挡层，设置于所述衬底基板上，且覆盖发光像素以及发光像素之间的区域；
纳米颗粒层，设置于所述第一阻挡层对应所述发光像素的位置，所述纳米颗粒层用于对所述发光像素进行光提取；
缓冲层，设置于所述第一阻挡层的非纳米颗粒层区域；
第二阻挡层，设置于所述纳米颗粒层和所述缓冲层上；
其中，所述缓冲层的厚度不小于所述发光像素位置处对应的所述纳米颗粒层和所述第一阻挡层的厚度之和。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述纳米颗粒层的材料为金属氧化物。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述纳米颗粒层为氧化镁、氧化钙以及氧化锆中的一种。
4.一种有机发光器件封装结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
制备具有间隔设置的发光像素的衬底基板；
在所述具有发光像素的衬底基板上制备第一阻挡层，所述第一阻挡层覆盖发光像素以及发光像素之间的区域；
在所述第一阻挡层对应所述发光像素的位置制备纳米颗粒层，所述纳米颗粒层用于对所述发光像素进行光提取；
在所述第一阻挡层的非纳米颗粒层区域制备缓冲层；
在所述缓冲层和所述纳米颗粒层上制备第二阻挡层；
其中，所述缓冲层的厚度不小于所述发光像素位置处对应的所述纳米颗粒层和所述第一阻挡层的厚度之和。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述纳米颗粒层的制备采用蒸镀或喷涂中的一种。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述纳米颗粒层的材料为金属氧化物。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述纳米颗粒层为氧化镁、氧化钙以及氧化锆中的一种。
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述缓冲层的制备采用涂布或喷墨打印中的一种。
CN201711439706.8A 2017-12-26 2017-12-26 有机发光器件的封装结构及制备方法 Active CN108091774B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711439706.8A CN108091774B (zh) 2017-12-26 2017-12-26 有机发光器件的封装结构及制备方法
US15/767,511 US20200365832A1 (en) 2017-12-26 2018-02-24 Package structure of organic light emitting component and method for manufacturing the same
PCT/CN2018/077085 WO2019127883A1 (zh) 2017-12-26 2018-02-24 有机发光器件的封装结构及制备方法
US15/965,529 US10741795B2 (en) 2017-12-26 2018-04-27 Package structure of organic light emitting component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711439706.8A CN108091774B (zh) 2017-12-26 2017-12-26 有机发光器件的封装结构及制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108091774A CN108091774A (zh) 2018-05-29
CN108091774B true CN108091774B (zh) 2019-08-02

Family

ID=62179555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711439706.8A Active CN108091774B (zh) 2017-12-26 2017-12-26 有机发光器件的封装结构及制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20200365832A1 (zh)
CN (1) CN108091774B (zh)
WO (1) WO2019127883A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109037470A (zh) 2018-07-16 2018-12-18 云谷（固安）科技有限公司 显示屏、显示装置
CN111864112B (zh) * 2020-07-22 2022-06-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板
CN112259693A (zh) * 2020-10-14 2021-01-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN112259694A (zh) * 2020-10-14 2021-01-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN112331799A (zh) * 2020-10-23 2021-02-05 福建华佳彩有限公司 一种封装结构及制作方法
CN113097410A (zh) * 2021-03-19 2021-07-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN113871546A (zh) * 2021-09-16 2021-12-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法、发光装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1964095A (zh) * 2005-11-10 2007-05-16 铼宝科技股份有限公司 顶部发光型有机发光二极管显示装置
CN102468322A (zh) * 2010-11-03 2012-05-23 三星移动显示器株式会社 有机发光显示装置
CN103633109A (zh) * 2012-08-29 2014-03-12 昆山维信诺显示技术有限公司 具有高光取出率的有机电致发光显示器件及其制备方法
CN103928594A (zh) * 2014-03-21 2014-07-16 京东方科技集团股份有限公司 一种发光装置
CN104538430A (zh) * 2014-12-30 2015-04-22 北京维信诺科技有限公司 一种有机发光显示装置及其制备方法
CN104576703A (zh) * 2015-01-22 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN105789484A (zh) * 2016-03-09 2016-07-20 纳晶科技股份有限公司 发光器件及其制作方法
CN107331792A (zh) * 2017-07-24 2017-11-07 深圳市华星光电技术有限公司 Oled封装方法与oled封装结构

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070077349A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Eastman Kodak Company Patterning OLED device electrodes and optical material
US7982396B2 (en) * 2007-06-04 2011-07-19 Global Oled Technology Llc Light-emitting device with light-scattering particles and method of making the same
KR101579457B1 (ko) * 2014-12-22 2015-12-22 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1964095A (zh) * 2005-11-10 2007-05-16 铼宝科技股份有限公司 顶部发光型有机发光二极管显示装置
CN102468322A (zh) * 2010-11-03 2012-05-23 三星移动显示器株式会社 有机发光显示装置
CN103633109A (zh) * 2012-08-29 2014-03-12 昆山维信诺显示技术有限公司 具有高光取出率的有机电致发光显示器件及其制备方法
CN103928594A (zh) * 2014-03-21 2014-07-16 京东方科技集团股份有限公司 一种发光装置
CN104538430A (zh) * 2014-12-30 2015-04-22 北京维信诺科技有限公司 一种有机发光显示装置及其制备方法
CN104576703A (zh) * 2015-01-22 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN105789484A (zh) * 2016-03-09 2016-07-20 纳晶科技股份有限公司 发光器件及其制作方法
CN107331792A (zh) * 2017-07-24 2017-11-07 深圳市华星光电技术有限公司 Oled封装方法与oled封装结构

Also Published As

Publication number Publication date
US20200365832A1 (en) 2020-11-19
CN108091774A (zh) 2018-05-29
WO2019127883A1 (zh) 2019-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108091774B (zh) 有机发光器件的封装结构及制备方法
CN108269835B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
CN106654047B (zh) Oled显示面板及其制作方法
TWI654591B (zh) 資料處理裝置
CN107331792B (zh) Oled封装方法与oled封装结构
TWI337049B (en) Light-emitting device
CN107731883A (zh) Oled显示器及其制作方法
CN108666349B (zh) 彩色滤光基板及其制作方法与woled显示器
CN104795425A (zh) 有机发光二极管触控显示屏及其制作方法
CN109087935A (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板
KR102469844B1 (ko) 기능 패널과 그 제작 방법
CN111430445B (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN105810718A (zh) 一种oled显示面板及其制备方法
KR101676291B1 (ko) 광전환층을 포함하는 백색 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법
CN108565360A (zh) 一种oled显示装置及其制备方法
KR20140140869A (ko) 유기발광 표시장치 및 그것의 제조 방법
CN103531609A (zh) 有源矩阵有机发光二极管显示器件、显示面板及显示装置
US8749132B2 (en) Organic light emitting device and method of manufacturing the same
CN109671755A (zh) 显示面板以及显示装置
KR101577222B1 (ko) 터치 센서를 포함하는 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
CN108666440A (zh) 一种oled显示装置及其制备方法
US9231229B2 (en) Light emitting panel and manufacturing method of light emitting panel
CN107732025A (zh) 一种有机发光显示面板及有机发光显示装置
US20180331323A1 (en) Top-emitting oled and a manufacturing method thereof
US10741795B2 (en) Package structure of organic light emitting component

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: No.9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee after: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co.,Ltd.

Address before: No.9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder