CN112331799A - 一种封装结构及制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公布一种封装结构及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：在设置有发光器件的基板上制作第一无机薄膜，所述第一无机薄膜覆盖所述发光器件；制作具有凹凸结构的缓冲层，所述凹凸结构至少位于所述缓冲层的顶部侧边上，所述缓冲层覆盖所述第一无机薄膜；在凹凸结构的凹陷区填充纳米修复颗粒和/或吸水颗粒。上述技术方案中，缓冲层上设置有凹凸结构，凹凸结构具有较好的缓冲能力。凹凸结构能够施加到缓冲层上的压力分散开，龟裂的无机薄膜存在于波浪结构中的凹陷区，每个凹陷区均设置有纳米修复颗粒和/或吸水颗粒，并起到独立隔绝水汽和氧气的作用。纳米修复颗粒可以修复破损的缓冲层，吸水颗粒进一步吸收入侵的水汽。
Description
技术领域
本发明涉及面板封装领域，尤其涉及一种封装结构及制作方法。
背景技术
在有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，缩写OLED)显示面板具备自发光特性，低功耗，宽视角，响应速度快，超轻超薄，抗震性好等特点，可实现柔性显示与大面积全色显示等优势，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
传统的封装结构包括无机薄膜和有机薄膜的叠层，可以参见申请号为CN201710002946.5，名称为薄膜封装结构、柔性显示面板、及薄膜封装结构制作方法的专利。
传统的封装结构在制作过程中由于光罩(Mask)与基板不能完全贴合，导致薄膜进入到光罩(Mask)和基板之间缝隙，导致光罩(Mask)的阴影区域的增大。在使用激光切割大板时，镭射会切割到处于阴影区域中的无机薄膜，导致显示区域侧边的无机薄膜发生龟裂，水汽和氧气通过无机薄膜上的龟裂处(即孔洞H)渗透到发光器件(OLED器件或者LCD器件)，箭头的指向便是水汽渗透的路径，结构如图1所示，导致发光器件失效，进而增加了产品的故障率。
发明内容
为此，需要提供一种封装结构及制作方法，解决现有的封装结构抵御水汽和氧气入侵不足的问题。
为实现上述目的，本实施例提供了一种封装结构制作方法，包括如下步骤：
在设置有发光器件的基板上制作第一无机薄膜，所述第一无机薄膜覆盖所述发光器件；
制作具有凹凸结构的缓冲层，所述凹凸结构至少位于所述缓冲层的顶部侧边上，所述缓冲层覆盖所述第一无机薄膜；
在凹凸结构的凹陷区填充纳米修复颗粒和/或吸水颗粒。
进一步地，所述凹凸结构的横截面的形状为波浪形。
进一步地，还包括如下步骤：
制作第二无机薄膜，所述第二无机薄膜位于所述缓冲层上，所述第二无机薄膜覆盖所述凹凸结构，所述第二无机薄膜的上表面平整。
进一步地，所述“设置有发光器件的基板”通过如下步骤制得：
在基板上制作聚酰亚胺层；
制作薄膜晶体管器件；
制作发光器件，所述发光器件为OLED器件。
进一步地，在步骤“在基板上制作聚酰亚胺层”后，在步骤“制作薄膜晶体管器件”前，还包括如下步骤：
制作第三无机薄膜，所述第三无机薄膜位于聚酰亚胺层上；
制作第四无机薄膜，所述第四无机薄膜位于所述第三无机薄膜上，所述第四无机薄膜上表面用于设置所述薄膜晶体管器件。
本实施例还一种封装结构，包括基板和发光器件，所述发光器件设置在所述基板上，还包括第一无机薄膜和缓冲层；
所述第一无机薄膜覆盖所述发光器件；
所述缓冲层覆盖所述第一无机薄膜，所述缓冲层上设置有凹凸结构，所述凹凸结构至少位于所述缓冲层的顶部侧边上，在凹凸结构的凹陷区填充纳米修复颗粒和/或吸水颗粒。
进一步地，所述凹凸结构的横截面的形状为波浪形。
进一步地，还包括第二无机薄膜；
所述第二无机薄膜位于所述缓冲层上，所述第二无机薄膜覆盖所述凹凸结构，所述第二无机薄膜的上表面平整。
进一步地，还包括聚酰亚胺层和薄膜晶体管器件；
所述聚酰亚胺层设置在所述基板上；
所述薄膜晶体管器件设置在所述聚酰亚胺层上；
所述发光器件设置在所述薄膜晶体管器件上，所述发光器件为OLED器件。
进一步地，还包括第三无机薄膜和第四无机薄膜；
所述第三无机薄膜位于聚酰亚胺层上；
所述第四无机薄膜位于所述第三无机薄膜上，所述第四无机薄膜上表面用于设置所述薄膜晶体管器件。
区别于现有技术，上述技术方案中，缓冲层上设置有凹凸结构，凹凸结构具有较好的缓冲能力。在镭射切割基板时，凹凸结构能够施加到缓冲层上的压力分散开，龟裂的无机薄膜存在于波浪结构中的凹陷区，每个凹陷区均设置有纳米修复颗粒和/或吸水颗粒，并起到独立隔绝水汽和氧气的作用。纳米修复颗粒可以修复破损的缓冲层，吸水颗粒进一步吸收入侵的水汽。本申请通过多重的防护结构来对发光器件进行保护，增加发光器件的安全性，避免发光器件失效。
附图说明
图1为背景技术水汽和氧气入侵封装结构的结构示意图；
图2为本实施例所述发光器件的剖面结构示意图；
图3为本实施例所述第一无机薄膜的剖面结构示意图；
图4为本实施例所述缓冲层和凹凸结构的剖面结构示意图；
图5为本实施例所述纳米修复颗粒、吸水颗粒和第二无机薄膜的剖面结构示意图；
图6为本实施例所述封装结构的俯视图。
附图标记说明：
1、基板；
2、聚酰亚胺层；
3、第三无机薄膜；
4、第四无机薄膜；
5、薄膜晶体管器件；
6、发光器件；
7、第一无机薄膜；
8、缓冲层；
81、凹凸结构；
82、凹陷区；
83、凸起区；
9、纳米修复颗粒；
10、吸水颗粒；
11、第二无机薄膜。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图2至图6，本实施例一种封装结构制作方法，包括如下步骤：在基板1上制作聚酰亚胺层2，用于形成柔性的衬底，以适用于OLED器件；具体的，在基板1上涂布聚酰亚胺，从而在基板1上形成聚酰亚胺层2，结构如图2所示。所述聚酰亚胺层2的厚度为8um(微米)～12um(微米)，优选的，所述聚酰亚胺层2的厚度为10um。
为了在从柔性衬板上剥离基板时，保护薄膜晶体管器件5和发光器件6不被激光能量烧裂，依次制作第三无机薄膜3和第四无机薄膜4，结构如图2所示。通过化学气相沉积(Chemical Vapour Deposition，缩写CVD)镀上无机材料到基板上，然后进行光刻图形化，以光阻为掩模进行蚀刻(如ICP离子束辅助自由基刻蚀)去除不需要的无机物，在聚酰亚胺层2上形成第三无机薄膜3。所述第三无机薄膜3位于聚酰亚胺层2上。同理，所述第四无机薄膜4的制作步骤与所述第三无机薄膜3的制作步骤相同。所述第四无机薄膜4位于所述第三无机薄膜3上，所述第四无机薄膜4上表面用于设置所述薄膜晶体管器件5。所述第三无机薄膜3和所述第四无机薄膜4的厚度均为0.1um～0.2um。优选的，所述第三无机薄膜3和所述第四无机薄膜4的厚度均为0.15um，在较薄的范围下还具有较好的隔绝水汽和氧气的能力。第三无机薄膜和第四无机薄膜可以形成叠层的透明反射层，把要照射到薄膜晶体管器件处的激光反射到基板方向，以此来保护薄膜晶体管器件与发光器件。
其中，所述第三无机薄膜3和所述第四无机薄膜4的无机材料包括但不局限于氧化物、氮化物和氮氧化物，氧化物包括但不限于氧化铝、氧化锆、氧化锌、氧化钛、氧化镁、氧化硅。氮化物包括但不限于氮化硅、氮化铝、氮化钛。氮氧化物包括但不限于氮氧化硅、氮氧化铝、氮氧化钛。
优选的，所述第三无机薄膜3为氮化硅或者氧化硅。
优选的，所述第四无机薄膜4为氮化硅或者氧化硅，且所述第四无机薄膜4的无机材料与所述第三无机薄膜3的无机材料不同。例如，所述第四无机薄膜4为氧化硅，所述第三无机薄膜3为氮化硅。
第三无机薄膜3和第四无机薄膜4制作完毕后，制作薄膜晶体管器件5，结构如图2所示；薄膜晶体管器件5中包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，缩写TFT)，薄膜晶体管用于作为开关来控制线路的导通。所述薄膜晶体管器件5包括栅极、有源层、源极和漏极。所述薄膜晶体管器件5可以为底栅结构或者顶栅结构。在此举例底栅结构的薄膜晶体管器件5，所述栅极设置在下方，所述栅极上设置有一层绝缘层。绝缘层上设置有一层有源层，所述有源层位于所述栅极的正上方。所述有源层上设置有所述源极和所述漏极，所述源极和所述漏极的中间露出所述有源层的中部。
在制作薄膜晶体管器件5的时候，还可以一起制作连接线路，连接线路如行扫描线、列扫描线等，起到连接薄膜晶体管与其它部件的作用。
薄膜晶体管器件5制作完毕后，制作发光器件6，结构如图2所示；发光器件6可以是OLED(OrganicLight-Emitting Diode)器件，使得显示面板为OLED显示面板，OLED(OrganicLight-Emitting Diode)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。所述OLED器件包括阳极、像素定义层、发光层和阴极。所述阳极与所述薄膜晶体管的源极或者漏极连接。所述像素定义层设置在所述阳极上，定义显示面板的每一个独立子像素(即发光层)，其大小限定了显示面板单个像素的大小。所述发光层设置在所述像素定义层的孔中，所述发光层连接所述阳极。所述发光层可以形成R(红色，RED)、G(绿色，GREEN)、B(蓝色，BLUE)或者W(白色，WHITE)的子像素，以实现面板的显示功能。所述阴极覆盖所述发光层，并位于所述像素定义层上。一般地，所述封装结构便设置在所述阴极上。
在某些实施例中，如果想要制作的是LCD(Liquid Crystal Display)显示面板，LCD又称作液晶显示器，那么制作的发光器件6为LCD器件。同时是直接在基板上制作薄膜晶体管器件5和LCD器件，无需制作聚酰亚胺层2、第三无机薄膜3和第四无机薄膜4。
发光器件6制作完毕后，制作第一无机薄膜7，结构如图3所示；具体的，通过化学气相沉积(Chemical Vapour Deposition，缩写CVD)镀上无机材料到基板上，然后进行光刻图形化，以光阻为掩模进行蚀刻(如ICP离子束辅助自由基刻蚀)去除不需要的无机物，在聚酰亚胺层2上形成第三无机薄膜3。所述第一无机薄膜7覆盖所述发光器件6和所述薄膜晶体管器件5，完全包覆住所述发光器件6和所述TFT器件。第一无机薄膜7作为外界的水汽和氧气入侵到所述发光器件6和所述薄膜晶体管器件5中。
要说明的是，所述第一无机薄膜7的无机材料包括但不局限于氧化物、氮化物和氮氧化物，氧化物包括但不限于氧化铝、氧化锆、氧化锌、氧化钛、氧化镁、氧化硅。氮化物包括但不限于氮化硅、氮化铝、氮化钛。氮氧化物包括但不限于氮氧化硅、氮氧化铝、氮氧化钛。优选的，所述第一无机薄膜7为氮化硅或者氧化硅。
为了延长水汽和氧气入侵到内部的路径，从而有效减缓水汽和氧气扩散的速度，在第一无机薄膜7制作完毕后，制作具有凹凸结构81的缓冲层8，结构如图4和图6所示；具体的，通过喷墨打印技术涂布一层有机材料到基板上，或者通过化学气相沉积(ChemicalVapour Deposition，缩写CVD)镀上有机材料到基板上，从而在第一无机薄膜7上形成缓冲层8。然后涂布光阻，图形化光阻，即以光阻为掩膜蚀刻多余的有机材料，使得缓冲层8上形成有凹凸结构81。凹凸结构81制作完毕后，清除光阻。所述缓冲层8的厚度为1um～3um。优选的，所述缓冲层8的厚度为2um。图6展示的为封装结构中凹凸结构和凹陷区的俯视图。
凹凸结构81包括有凹陷区82和凸起区83，顾名思义，凸起区83是凹凸结构81处高度较高的缓冲层8，两个凸起区83之间的区域便是凹陷区82(即凸起区83设置在两个凹陷区82之间)，凹陷区82为深孔。优选的，凸起区83的宽度S为1mm～3mm，优选的，所述凸起区83的宽度S为2mm。
在优选的实施例中，所述凹凸结构81只要位于所述缓冲层8的顶部侧边即可。因为凹凸结构81主要是为了防止显示区域侧边的无机薄膜发生龟裂。当然，可以在缓冲层8的上表面全部制作凹凸结构81，使得所述凹凸结构81是设置在缓冲层8的一整面上。
在另一个优选的实施例中，为了增大有机薄膜和无机薄膜的接触面积，从缓冲层侧边至缓冲层中心的方向上，所述凹凸结构的多个凸起区83的高度是逐渐递减。凸起区83高度的不同可以是分别进行蚀刻的。增大有机薄膜和无机薄膜的接触面积后，可以延长水汽和氧气在有机薄膜运动的通道，延缓发光器件恶化的速度。
其中，所述凹凸结构的凹陷区82的横截面的形状可以是圆形、椭圆形、三角形、矩形、五边形等。在垂直于基板方向上，凹凸结构的横截面的形状可以是波浪形、锯齿形等。
其中，缓冲层的有机材料可以是有机聚合物材料，有机聚合物材料包括但不限于丙烯酸基聚合物(acryl-based polymer)、硅基聚合物(silicon-based polymer)和环氧基聚合物(epoxy-based polymer)，优选聚酰胺、聚酰亚胺、环氧类树脂等。
之后在凹凸结构81的凹陷区82填充纳米修复颗粒9和/或吸水颗粒10，结构如图5所示。在镭射切割制程中，纳米修复颗粒9有利于修复破裂的无机薄膜，减少无机薄膜切割时发生龟裂导致器件失效的风险。纳米修复颗粒9不限于SiNx、SiO2、Al2O3、TiO2等，其颗粒大小范围为50um～300um。不同粒径的纳米修复颗粒9适用于不同大小的裂缝。优选的，纳米修复颗粒9的粒径为50um和/或200um。吸水颗粒10可以较好地吸收水汽，该吸水颗粒10不限于石墨烯、铝粉等，其颗粒粒径大小为50um～300um，优选的，吸水颗粒10的粒径为100um。
要说明的是，每个凹陷区分别设置所述纳米修复颗粒或吸水颗粒，或者凹陷区分别设置所述纳米修复颗粒和吸水颗粒，这些都是可以的。
为了填平缓冲层8的凹凸不平，制作第二无机薄膜11，结构如图5所示；具体的，通过化学气相沉积(Chemical Vapour Deposition，缩写CVD)镀上无机材料到基板上，然后进行光刻图形化，以光阻为掩模进行蚀刻(如ICP离子束辅助自由基刻蚀)去除不需要的无机物，在缓冲层8上形成第二无机薄膜11。所述第二无机薄膜11位于所述缓冲层8上，所述第二无机薄膜11覆盖所述凹凸结构81，填平缓冲层8的凹凸不平。所述第二无机薄膜11的上表面平整，使得后续在封装结构上叠加新的膜层。
要说明的是，所述第二无机薄膜11的无机材料包括但不局限于氧化物、氮化物和氮氧化物，氧化物包括但不限于氧化铝、氧化锆、氧化锌、氧化钛、氧化镁、氧化硅。氮化物包括但不限于氮化硅、氮化铝、氮化钛。氮氧化物包括但不限于氮氧化硅、氮氧化铝、氮氧化钛。优选的，所述第二无机薄膜11为氮化硅或者氧化硅。
上述技术方案中，缓冲层上设置有凹凸结构，凹凸结构具有较好的缓冲能力。在镭射切割基板时，凹凸结构能够施加到缓冲层上的压力分散开，龟裂的无机薄膜存在于波浪结构中的凹陷区，每个凹陷区均设置有纳米修复颗粒和/或吸水颗粒，并起到独立隔绝水汽和氧气的作用。纳米修复颗粒可以修复破损的缓冲层，吸水颗粒进一步吸收入侵的水汽。本申请通过多重的防护结构来对发光器件进行保护，增加发光器件的安全性，避免发光器件失效。
请参阅图2至图6，本实施例还提供一种封装结构，包括基板和发光器件6。所述发光器件6设置在所述基板1上。所述封装材料还包括第一无机薄膜7和缓冲层8。所述第一无机薄膜7覆盖所述发光器件6。所述第一无机薄膜7覆盖所述发光器件6。所述缓冲层8覆盖所述第一无机薄膜7，所述缓冲层8上设置有凹凸结构81，所述凹凸结构81至少位于所述缓冲层8的顶部侧边上，在凹凸结构81的凹陷区82填充纳米修复颗粒9和/或吸水颗粒10。
上述技术方案中，缓冲层上设置有凹凸结构，凹凸结构具有较好的缓冲能力。在镭射切割基板时，凹凸结构能够施加到缓冲层上的压力分散开，龟裂的无机薄膜存在于波浪结构中的凹陷区，每个凹陷区均设置有纳米修复颗粒和/或吸水颗粒，并起到独立隔绝水汽和氧气的作用。纳米修复颗粒可以修复破损的缓冲层，吸水颗粒进一步吸收入侵的水汽。本申请通过多重的防护结构来对发光器件进行保护，增加发光器件的安全性，避免发光器件失效。
要说明的是，所述缓冲层8的厚度为1um～3um。优选的，所述缓冲层8的厚度为2um。缓冲层8的有机材料可以是有机聚合物材料，有机聚合物材料包括但不限于丙烯酸基聚合物(acryl-based polymer)、硅基聚合物(silicon-based polymer)和环氧基聚合物(epoxy-based polymer)，优选聚酰胺、聚酰亚胺、环氧类树脂等。
凹凸结构81包括有凹陷区82和凸起区83，结构如图4所示。顾名思义，凸起区83是凹凸结构81处高度较高的缓冲层8，两个凸起区83之间的区域便是凹陷区82(即凸起区83设置在两个凹陷区82之间)，凹陷区82为深孔。优选的，凸起区83的宽度S为1mm～3mm，优选的，所述凸起区83的宽度S为2mm。
在优选的实施例中，所述凹凸结构81只要位于所述缓冲层8的顶部侧边即可。因为凹凸结构81主要是为了防止显示区域侧边的无机薄膜发生龟裂。当然，可以在缓冲层8的上表面全部制作凹凸结构81，使得所述凹凸结构81是设置在缓冲层8的一整面(侧边和中部)上。
要说明的是，每个凹陷区分别设置所述纳米修复颗粒或吸水颗粒，或者凹陷区分别设置所述纳米修复颗粒和吸水颗粒，这些都是可以的。
在另一个优选的实施例中，为了增大有机薄膜和无机薄膜的接触面积，从缓冲层侧边至缓冲层中心的方向上，所述凹凸结构的多个凸起区83的高度是逐渐递减。凸起区83高度的不同可以是分别进行蚀刻的。增大有机薄膜和无机薄膜的接触面积后，可以延长水汽和氧气在有机薄膜运动的通道，延缓发光器件恶化的速度。
其中，所述凹凸结构的凹陷区82的横截面的形状可以是圆形、椭圆形、三角形、矩形、五边形等。在垂直于基板方向上，凹凸结构的横截面的形状可以是波浪形、锯齿形等。
要说明的是，在镭射切割制程中，纳米修复颗粒9有利于修复破裂的无机薄膜，减少无机薄膜切割时发生龟裂导致器件失效的风险，结构如图5所示。纳米修复颗粒9不限于SiNx、SiO2、Al2O3、TiO2等，其颗粒大小范围为50um～300um。不同粒径的纳米修复颗粒9适用于不同大小的裂缝。优选的，纳米修复颗粒9的粒径为50um和/或200um。吸水颗粒10可以较好地吸收水汽，结构如图5所示，该吸水颗粒10不限于石墨烯、铝粉等，其颗粒粒径大小为50um～300um，优选的，吸水颗粒10的粒径为100um。
要说明的是，发光器件6可以是OLED(OrganicLight-Emitting Diode)器件，使得显示面板为OLED显示面板，结构如图2所示。OLED(OrganicLight-Emitting Diode)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。所述OLED器件包括阳极、像素定义层、发光层和阴极。所述阳极与所述薄膜晶体管的源极或者漏极连接。所述像素定义层设置在所述阳极上，定义显示面板的每一个独立子像素(即发光层)，其大小限定了显示面板单个像素的大小。所述发光层设置在所述像素定义层的孔中，所述发光层连接所述阳极。所述发光层可以形成R(红色，RED)、G(绿色，GREEN)、B(蓝色，BLUE)或者W(白色，WHITE)的子像素，以实现面板的显示功能。所述阴极覆盖所述发光层，并位于所述像素定义层上。一般地，所述封装结构便设置在所述阴极上。
在某些实施例中，如果想要显示面板为LCD(Liquid Crystal Display)显示面板，LCD又称作液晶显示器，那么发光器件6为LCD器件。同时是直接在基板上只设置有薄膜晶体管器件5和LCD器件，无需在设置有聚酰亚胺层2、第三无机薄膜3和第四无机薄膜4。
要说明的是，所述第一无机薄膜7覆完全包覆住所述发光器件6和所述TFT器件，结构如图3所示。第一无机薄膜7作为外界的水汽和氧气入侵到所述发光器件6和所述薄膜晶体管器件5中。所述第一无机薄膜7的无机材料包括但不局限于氧化物、氮化物和氮氧化物，氧化物包括但不限于氧化铝、氧化锆、氧化锌、氧化钛、氧化镁、氧化硅。氮化物包括但不限于氮化硅、氮化铝、氮化钛。氮氧化物包括但不限于氮氧化硅、氮氧化铝、氮氧化钛。优选的，所述第一无机薄膜为氮化硅或者氧化硅。
为了填平缓冲层的凹凸不平，还包括第二无机薄膜11。所述第二无机薄膜11位于所述缓冲层上，所述第二无机薄膜11覆盖所述凹凸结构，结构如图5所示。所述第二无机薄膜11的上表面平整，使得后续在封装结构上叠加新的膜层。所述第二无机薄膜11的无机材料包括但不局限于氧化物、氮化物和氮氧化物，氧化物包括但不限于氧化铝、氧化锆、氧化锌、氧化钛、氧化镁、氧化硅。氮化物包括但不限于氮化硅、氮化铝、氮化钛。氮氧化物包括但不限于氮氧化硅、氮氧化铝、氮氧化钛。优选的，所述第二无机薄膜11为氮化硅或者氧化硅。
因为显示面板为OLED显示面板，还包括聚酰亚胺层2和薄膜晶体管器件5。所述聚酰亚胺层2设置在所述基板1上，以形成柔性的衬底，结构如图2所示。所述聚酰亚胺层2的厚度为8um(微米)～12um(微米)，优选的，所述聚酰亚胺层2的厚度为10um。
所述薄膜晶体管器件5设置在所述聚酰亚胺层2上，结构如图2所示。薄膜晶体管器件5中包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，缩写TFT)，薄膜晶体管用于作为开关来控制线路的导通。所述薄膜晶体管器件5包括栅极、有源层、源极和漏极。所述薄膜晶体管器件5可以为底栅结构或者顶栅结构。在此举例底栅结构的薄膜晶体管器件5，所述栅极设置在下方，所述栅极上设置有一层绝缘层。绝缘层上设置有一层有源层，所述有源层位于所述栅极的正上方。所述有源层上设置有所述源极和所述漏极，所述源极和所述漏极的中间露出所述有源层的中部。
薄膜晶体管器件5还包括连接线路，连接线路如行扫描线、列扫描线等，起到连接薄膜晶体管与其它部件的作用。
为了在从柔性衬板上剥离基板时，保护薄膜晶体管器件5和发光器件6不被激光能量烧裂，还包括第三无机薄膜3和第四无机薄膜4，结构如图2所示。所述第三无机薄膜3位于聚酰亚胺层2上。所述第四无机薄膜4位于所述第三无机薄膜3上，所述第四无机薄膜4上表面用于设置所述薄膜晶体管器件5。所述第三无机薄膜3和所述第四无机薄膜4的厚度均为0.1um～0.2um。优选的，所述第三无机薄膜3和所述第四无机薄膜4的厚度均为0.15um，在较薄的范围下还具有较好的隔绝水汽和氧气的能力。第三无机薄膜和第四无机薄膜可以形成叠层的透明反射层，把要照射到薄膜晶体管器件处的激光反射到基板方向，以此来保护薄膜晶体管器件与发光器件。
其中，所述第三无机薄膜3和所述第四无机薄膜4的无机材料包括但不局限于氧化物、氮化物和氮氧化物，氧化物包括但不限于氧化铝、氧化锆、氧化锌、氧化钛、氧化镁、氧化硅。氮化物包括但不限于氮化硅、氮化铝、氮化钛。氮氧化物包括但不限于氮氧化硅、氮氧化铝、氮氧化钛。
优选的，所述第三无机薄膜3为氮化硅或者氧化硅。
优选的，所述第四无机薄膜4为氮化硅或者氧化硅，且所述第四无机薄膜4的无机材料与所述第三无机薄膜3的无机材料不同。例如，所述第四无机薄膜4为氧化硅，所述第三无机薄膜3为氮化硅。
需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围之内。
Claims (10)
1.一种封装结构制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在设置有发光器件的基板上制作第一无机薄膜，所述第一无机薄膜覆盖所述发光器件；
制作具有凹凸结构的缓冲层，所述凹凸结构至少位于所述缓冲层的顶部侧边上，所述缓冲层覆盖所述第一无机薄膜；
在凹凸结构的凹陷区填充纳米修复颗粒和/或吸水颗粒。
2.根据权利要求1所述的一种封装结构制作方法，其特征在于，所述凹凸结构的横截面的形状为波浪形。
3.根据权利要求1所述的一种封装结构制作方法，其特征在于，还包括如下步骤：
制作第二无机薄膜，所述第二无机薄膜位于所述缓冲层上，所述第二无机薄膜覆盖所述凹凸结构，所述第二无机薄膜的上表面平整。
4.根据权利要求1所述的一种封装结构制作方法，其特征在于，所述“设置有发光器件的基板”通过如下步骤制得：
在基板上制作聚酰亚胺层；
制作薄膜晶体管器件；
制作发光器件，所述发光器件为OLED器件。
5.根据权利要求4所述的一种封装结构制作方法，其特征在于，在步骤“在基板上制作聚酰亚胺层”后，在步骤“制作薄膜晶体管器件”前，还包括如下步骤：
制作第三无机薄膜，所述第三无机薄膜位于聚酰亚胺层上；
制作第四无机薄膜，所述第四无机薄膜位于所述第三无机薄膜上，所述第四无机薄膜上表面用于设置所述薄膜晶体管器件。
6.一种封装结构，包括基板和发光器件，所述发光器件设置在所述基板上，其特征在于，还包括第一无机薄膜和缓冲层；
所述第一无机薄膜覆盖所述发光器件；
所述缓冲层覆盖所述第一无机薄膜，所述缓冲层上设置有凹凸结构，所述凹凸结构至少位于所述缓冲层的顶部侧边上，在凹凸结构的凹陷区填充纳米修复颗粒和/或吸水颗粒。
7.根据权利要求6所述的一种封装结构，其特征在于，所述凹凸结构的横截面的形状为波浪形。
8.根据权利要求6所述的一种封装结构，其特征在于，还包括第二无机薄膜；
所述第二无机薄膜位于所述缓冲层上，所述第二无机薄膜覆盖所述凹凸结构，所述第二无机薄膜的上表面平整。
9.根据权利要求6所述的一种封装结构，其特征在于，还包括聚酰亚胺层和薄膜晶体管器件；
所述聚酰亚胺层设置在所述基板上；
所述薄膜晶体管器件设置在所述聚酰亚胺层上；
所述发光器件设置在所述薄膜晶体管器件上，所述发光器件为OLED器件。
10.根据权利要求9所述的一种封装结构，其特征在于，还包括第三无机薄膜和第四无机薄膜；
所述第三无机薄膜位于聚酰亚胺层上；
所述第四无机薄膜位于所述第三无机薄膜上，所述第四无机薄膜上表面用于设置所述薄膜晶体管器件。
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