CN107331792A - Oled封装方法与oled封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种OLED封装方法与OLED封装结构。本发明的OLED封装方法通过形成缓冲颗粒层来实现薄膜封装层的平坦化，降低位于发光像素边缘的薄膜封装层断裂的概率，所述缓冲颗粒层同时能阻隔水氧，提升制得的OLED封装结构的封装效果。本发明的OLED封装结构通过设置缓冲颗粒层实现了薄膜封装层的平坦化，降低位于发光像素边缘的薄膜封装层断裂的概率，具有优异的封装效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED封装方法与OLED封装结构。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
OLED通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层(Hole InjectLayer，HIL)、设于空穴注入层上的空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)、设于电子传输层上的电子注入层(Electron Inject Layer，EIL)、及设于电子注入层上的阴极。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED显示器件通常采用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
OLED与液晶显示面板(TFT-LCD)相比，最大的优势就是可制备大尺寸、超薄的柔性OLED显示器件，目前柔性OLED显示器件是显示领域未来的一个主要研究方向，其主要是采用薄膜封装的方法进行制备，但是由于OLED基板的像素区与非像素区之间存在高度差，因此在薄膜封装过程中容易使薄膜封装层形成凹凸不平的非平坦状态，较易造成像素区边缘的薄膜封装层断裂，从而使器件失效。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED封装方法，能够实现薄膜封装层的平坦化，降低位于发光像素边缘的薄膜封装层断裂的概率，提升制得的OLED封装结构的封装效果，从而保证高效的发光效率。
本发明的目的还在于提供一种OLED封装结构，薄膜封装层的表面平坦，位于发光像素边缘的薄膜封装层断裂的概率较低，具有优异的封装效果，从而保证高效的发光效率。
为实现上述目的，本发明提供一种OLED封装方法，包括如下步骤：
步骤1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成发光像素层，所述发光像素层包括间隔设置的数个发光像素；
步骤2、在所述衬底基板上对应于所述数个发光像素之间的区域形成缓冲颗粒层，所述缓冲颗粒层的厚度与所述数个发光像素的厚度接近或相同；
步骤3、在所述发光像素层与缓冲颗粒层上形成薄膜封装层。
所述缓冲颗粒层为单层颗粒层，所述缓冲颗粒的粒径大于或等于所述数个发光像素的厚度；所述缓冲颗粒为金属氧化物颗粒。
所述步骤2包括：采用一道掩膜遮挡住所述数个发光像素，在所述衬底基板上对应于所述数个发光像素之间的区域上涂布或喷滴缓冲颗粒溶胶，干燥后形成缓冲颗粒层。
本发明还提供一种OLED封装结构，包括衬底基板、设于所述衬底基板上的发光像素层与缓冲颗粒层、以及设于所述发光像素层与缓冲颗粒层上的薄膜封装层；
所述发光像素层包括间隔设置的数个发光像素，所述缓冲颗粒层设于所述衬底基板上对应于所述数个发光像素之间的区域，所述缓冲颗粒层的厚度与所述数个发光像素的厚度接近或相同。
所述缓冲颗粒层为单层颗粒层，所述缓冲颗粒的粒径大于或等于所述数个发光像素的厚度；所述缓冲颗粒为金属氧化物颗粒。
本发明还提供另一种OLED封装方法，包括如下步骤：
步骤1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成发光像素层，所述发光像素层包括间隔设置的数个发光像素；
步骤2、在所述衬底基板与发光像素层上形成第一薄膜封装层，在所述第一薄膜封装层上对应于所述数个发光像素之间的区域形成缓冲颗粒层，所述缓冲颗粒层的厚度与所述数个发光像素的厚度接近或相同；
步骤3、在所述缓冲颗粒层与第一薄膜封装层上形成第二薄膜封装层。
所述步骤2包括：采用一道掩膜遮挡住所述第一薄膜封装层上对应于数个发光像素的区域，在所述第一薄膜封装层上对应于所述数个发光像素之间的区域上涂布或喷滴缓冲颗粒溶胶，干燥后形成缓冲颗粒层。
所述缓冲颗粒层为单层颗粒层，所述缓冲颗粒的粒径大于或等于所述数个发光像素的厚度；所述缓冲颗粒为金属氧化物颗粒。
本发明还提供另一种OLED封装结构，包括衬底基板、设于所述衬底基板上的发光像素层、设于所述衬底基板与发光像素层上的第一薄膜封装层、设于所述第一薄膜封装层上的缓冲颗粒层、以及设于所述缓冲颗粒层与第一薄膜封装层上的第二薄膜封装层；
所述发光像素层包括间隔设置的数个发光像素，所述缓冲颗粒层设于所述第一薄膜封装层上对应于所述数个发光像素之间的区域，所述缓冲颗粒层的厚度与所述数个发光像素的厚度接近或相同。
所述缓冲颗粒层为单层颗粒层，所述缓冲颗粒的粒径大于或等于所述数个发光像素的厚度；所述缓冲颗粒为金属氧化物颗粒。
本发明的有益效果：本发明提供的一种OLED封装方法，通过形成缓冲颗粒层来实现薄膜封装层的平坦化，降低位于发光像素边缘的薄膜封装层断裂的概率，所述缓冲颗粒层同时能阻隔水氧，提升制得的OLED封装结构的封装效果。本发明提供的一种OLED封装结构，通过设置缓冲颗粒层实现了薄膜封装层的平坦化，降低位于发光像素边缘的薄膜封装层断裂的概率，具有优异的封装效果。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的OLED封装方法的第一实施例的流程图；
图2为本发明的OLED封装方法的第一实施例与第二实施例的步骤1的示意图；
图3与图4为本发明的OLED封装方法的第一实施例的步骤2的示意图；
图5为本发明的OLED封装方法的第一实施例的步骤3的示意图及本发明的OLED封装结构的第一实施例的示意图；
图6为本发明的OLED封装方法的第二实施例的流程图；
图7与图8为本发明的OLED封装方法的第二实施例的步骤2的示意图；
图9为本发明的OLED封装方法的第二实施例的步骤3的示意图及本发明的OLED封装结构的第二实施例的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明提供一种OLED封装方法，包括如下步骤：
步骤1、如图2所示，提供衬底基板10，在所述衬底基板10上形成发光像素层20，所述发光像素层20包括间隔设置的数个发光像素21。
具体的，所述数个发光像素21的厚度接近或相同。
具体的，所述衬底基板10为柔性基板，优选为聚酰亚胺薄膜。
具体的，所述数个发光像素21包括数个红色发光像素211、数个绿色发光像素212及数个蓝色发光像素213。
步骤2、如图3与图4所示，在所述衬底基板10上对应于所述数个发光像素21之间的区域形成缓冲颗粒层30，所述缓冲颗粒层30的厚度与所述数个发光像素21的厚度接近或相同。
具体的，所述步骤2通过在所述衬底基板10上对应于所述数个发光像素21之间的区域形成缓冲颗粒层30，有利于实现后续在所述发光像素层20与缓冲颗粒层30上形成的薄膜封装层40的平坦化，降低位于发光像素21边缘的薄膜封装层40断裂的概率，所述缓冲颗粒层30同时能阻隔水氧，提升后续制得的OLED封装结构的封装效果。
优选的，所述缓冲颗粒层30为单层颗粒层，所述缓冲颗粒的粒径大于或等于所述数个发光像素21的厚度。
具体的，所述缓冲颗粒为金属氧化物颗粒，优选的，所述金属氧化物颗粒的材料包括氧化镁、氧化钙及氧化锆中的一种或多种。
具体的，所述步骤2包括：采用一道掩膜遮挡住所述数个发光像素21，在所述衬底基板10上对应于所述数个发光像素21之间的区域上涂布或喷滴缓冲颗粒溶胶，干燥后形成缓冲颗粒层30。
优选的，所述步骤2中，采用喷墨打印、喷墨列印或者丝网印刷的方式在所述衬底基板10上对应于所述数个发光像素21之间的区域上涂布或喷滴缓冲颗粒溶胶。
具体的，所述缓冲颗粒溶胶包括缓冲颗粒与有机溶剂。
具体的，所述有机溶剂包括乙醇与异丙醇中的一种或多种。
步骤3、如图5所示，在所述发光像素层20与缓冲颗粒层30上形成薄膜封装层40。
具体的，所述薄膜封装层40包括层叠设置的多层封装薄膜401。进一步的，所述多层封装薄膜401包括交替设置的至少一个阻挡层与至少一个缓冲层，所述阻挡层采用无机材料制备，起到阻隔水氧功能，所述缓冲层采用有机材料制备，起到平坦化及增强柔韧性的作用。所述薄膜封装层40中直接与所述发光像素层20与缓冲颗粒层30相接触的结构层为阻挡层。
上述OLED封装方法通过在衬底基板10上对应于数个发光像素21之间的区域形成缓冲颗粒层30，有利于实现后续在发光像素层20与缓冲颗粒层30上形成的薄膜封装层40的平坦化，降低位于发光像素21边缘的薄膜封装层40断裂的概率，所述缓冲颗粒层30同时能阻隔水氧，提升制得的OLED封装结构的封装效果。
请参阅图5，基于上述OLED封装方法，本发明还提供一种OLED封装结构，包括衬底基板10、设于所述衬底基板10上的发光像素层20与缓冲颗粒层30、以及设于所述发光像素层20与缓冲颗粒层30上的薄膜封装层40；
所述发光像素层20包括间隔设置的数个发光像素21，所述缓冲颗粒层30设于所述衬底基板10上对应于所述数个发光像素21之间的区域，所述缓冲颗粒层30的厚度与所述数个发光像素21的厚度接近或相同。
具体的，所述数个发光像素21的厚度接近或相同。
具体的，所述衬底基板10为柔性基板，优选为聚酰亚胺薄膜。
具体的，所述数个发光像素21包括数个红色发光像素211、数个绿色发光像素212及数个蓝色发光像素213。
优选的，所述缓冲颗粒层30为单层颗粒层，所述缓冲颗粒的粒径大于或等于所述数个发光像素21的厚度。
具体的，所述缓冲颗粒为金属氧化物颗粒，优选的，所述金属氧化物颗粒的材料包括氧化镁、氧化钙及氧化锆中的一种或多种。
具体的，所述薄膜封装层40包括层叠设置的多层封装薄膜401。进一步的，所述多层封装薄膜401包括交替设置的至少一个阻挡层与至少一个缓冲层，所述阻挡层采用无机材料制备，起到阻隔水氧功能，所述缓冲层采用有机材料制备，起到平坦化及增强柔韧性的作用。所述薄膜封装层40中直接与所述发光像素层20与缓冲颗粒层30相接触的结构层为阻挡层。
上述OLED封装结构通过在衬底基板10上对应于数个发光像素21之间的区域设置缓冲颗粒层30，有利于实现在发光像素层20与缓冲颗粒层30上形成的薄膜封装层40的平坦化，降低位于数个发光像素21边缘的薄膜封装层40断裂的概率，所述缓冲颗粒层30同时能阻隔水氧，提升OLED封装结构的封装效果。
请参阅图6，本发明还提供另一种OLED封装方法，包括如下步骤：
步骤1、如图2所示，提供衬底基板10，在所述衬底基板10上形成发光像素层20，所述发光像素层20包括间隔设置的数个发光像素21。
具体的，所述数个发光像素21的厚度接近或相同。
具体的，所述衬底基板10为柔性基板，优选为聚酰亚胺薄膜。
具体的，所述数个发光像素21包括数个红色发光像素211、数个绿色发光像素212及数个蓝色发光像素213。
步骤2、如图7与图8所示，在所述衬底基板10与发光像素层20上形成第一薄膜封装层41，在所述第一薄膜封装层41上对应于所述数个发光像素21之间的区域形成缓冲颗粒层30，所述缓冲颗粒层30的厚度与所述数个发光像素21的厚度接近或相同。
具体的，所述第一薄膜封装层41包括至少一层封装薄膜401，所述第一薄膜封装层41的厚度小于后续步骤3形成的第二薄膜封装层42的厚度。
所述第一薄膜封装层41包括两层或两层以上的封装薄膜401时，所述多层封装薄膜401包括交替设置的至少一个阻挡层与至少一个缓冲层，所述阻挡层采用无机材料制备，起到阻隔水氧功能，所述缓冲层采用有机材料制备，起到平坦化及增强柔韧性的作用。所述第一薄膜封装层41中直接与所述衬底基板10与发光像素层20相接触的结构层为阻挡层；
所述第一薄膜封装层41包括一层封装薄膜401时，该层封装薄膜401为阻挡层。
优选的，所述第一薄膜封装层41包括一层封装薄膜401或者层叠设置的两层封装薄膜401。
所述步骤2中，通过形成第一薄膜封装层41，使所述缓冲颗粒层30不能直接与所述数个发光像素21相接触，避免所述缓冲颗粒层30对所述数个发光像素21造成损伤，同时为所述数个发光像素21增加一道保护屏障，提升后续制得的OLED封装结构的阻水阻氧能力。
通过在所述第一薄膜封装层41上对应于所述数个发光像素21之间的区域形成缓冲颗粒层30，有利于实现后续在所述第一薄膜封装层41与第一薄膜封装层41上形成的第二薄膜封装层42的平坦化，降低位于发光像素21边缘的第二薄膜封装层42断裂的概率，所述缓冲颗粒层30同时能阻隔水氧，提升后续制得的OLED封装结构的封装效果。
优选的，所述缓冲颗粒层30为单层颗粒层，所述缓冲颗粒的粒径大于或等于所述数个发光像素21的厚度。
具体的，所述缓冲颗粒为金属氧化物颗粒，优选的，所述金属氧化物颗粒的材料包括氧化镁、氧化钙及氧化锆中的一种或多种。
具体的，所述步骤2包括：采用一道掩膜遮挡住所述第一薄膜封装层41上对应于数个发光像素21的区域，在所述第一薄膜封装层41上对应于所述数个发光像素21之间的区域上涂布或喷滴缓冲颗粒溶胶，干燥后形成缓冲颗粒层30。
优选的，所述步骤2中，采用喷墨打印、喷墨列印或者丝网印刷的方式在所述第一薄膜封装层41上对应于所述数个发光像素21之间的区域上涂布或喷滴缓冲颗粒溶胶。
具体的，所述缓冲颗粒溶胶包括缓冲颗粒与有机溶剂。
具体的，所述有机溶剂包括乙醇与异丙醇中的一种或多种。
步骤3、如图9所示，在所述缓冲颗粒层30与第一薄膜封装层41上形成第二薄膜封装层42。
具体的，所述第二薄膜封装层42包括层叠设置的多层封装薄膜401。进一步的，所述多层封装薄膜401包括交替设置的至少一个阻挡层与至少一个缓冲层，所述阻挡层采用无机材料制备，起到阻隔水氧功能，所述缓冲层采用有机材料制备，起到平坦化及增强柔韧性的作用。
上述OLED封装方法通过在第一薄膜封装层41上对应于数个发光像素21之间的区域形成缓冲颗粒层30，有利于实现后续在第一薄膜封装层41与缓冲颗粒层30上形成的第二薄膜封装层42的平坦化，降低位于发光像素21边缘的第二薄膜封装层42断裂的概率，所述缓冲颗粒层30同时能阻隔水氧，提升制得的OLED封装结构的封装效果。
请参阅图9，基于上述OLED封装方法，本发明还提供另一种OLED封装结构，包括衬底基板10、设于所述衬底基板10上的发光像素层20、设于所述衬底基板10与发光像素层20上的第一薄膜封装层41、设于所述第一薄膜封装层41上的缓冲颗粒层30、以及设于所述缓冲颗粒层30与第一薄膜封装层41上的第二薄膜封装层42；
所述发光像素层20包括间隔设置的数个发光像素21，所述缓冲颗粒层30设于所述第一薄膜封装层41上对应于所述数个发光像素21之间的区域，所述缓冲颗粒层30的厚度与所述数个发光像素21的厚度接近或相同。
具体的，所述数个发光像素21的厚度接近或相同。
具体的，所述衬底基板10为柔性基板，优选为聚酰亚胺薄膜。
具体的，所述数个发光像素21包括数个红色发光像素211、数个绿色发光像素212及数个蓝色发光像素213。
优选的，所述缓冲颗粒层30为单层颗粒层，所述缓冲颗粒的粒径大于或等于所述数个发光像素21的厚度。
具体的，所述缓冲颗粒为金属氧化物颗粒，优选的，所述金属氧化物颗粒的材料包括氧化镁、氧化钙及氧化锆中的一种或多种。
具体的，所述第一薄膜封装层41包括至少一层封装薄膜401，所述第一薄膜封装层41的厚度小于第二薄膜封装层42的厚度。
所述第一薄膜封装层41包括两层或两层以上的封装薄膜401时，所述多层封装薄膜401包括交替设置的至少一个阻挡层与至少一个缓冲层，所述阻挡层采用无机材料制备，起到阻隔水氧功能，所述缓冲层采用有机材料制备，起到平坦化及增强柔韧性的作用。所述第一薄膜封装层41中直接与所述衬底基板10与发光像素层20相接触的结构层为阻挡层；
所述第一薄膜封装层41包括一层封装薄膜401时，该层封装薄膜401为阻挡层。
优选的，所述第一薄膜封装层41包括一层封装薄膜401或者层叠设置的两层封装薄膜401。
具体的，所述第二薄膜封装层42包括层叠设置的多层封装薄膜401。进一步的，所述多层封装薄膜401包括交替设置的至少一个阻挡层与至少一个缓冲层，所述阻挡层采用无机材料制备，起到阻隔水氧功能，所述缓冲层采用有机材料制备，起到平坦化及增强柔韧性的作用。
上述OLED封装结构通过在第一薄膜封装层41上对应于数个发光像素21之间的区域设置缓冲颗粒层30，有利于实现在第一薄膜封装层41与缓冲颗粒层30上形成的第二薄膜封装层42的平坦化，降低位于发光像素21边缘的第二薄膜封装层42断裂的概率，所述缓冲颗粒层30同时能阻隔水氧，提升OLED封装结构的封装效果。
以上两种OLED封装方法与两种OLED封装结构，均利用了缓冲颗粒层这一技术特征来实现薄膜封装层的平坦化的技术效果，因此属于同一发明构思，具有单一性。
综上所述，本发明提供一种OLED封装方法与OLED封装结构。本发明的OLED封装方法通过形成缓冲颗粒层来实现薄膜封装层的平坦化，降低位于发光像素边缘的薄膜封装层断裂的概率，所述缓冲颗粒层同时能阻隔水氧，提升制得的OLED封装结构的封装效果。本发明的OLED封装结构通过设置缓冲颗粒层实现了薄膜封装层的平坦化，降低位于发光像素边缘的薄膜封装层断裂的概率，具有优异的封装效果。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成发光像素层(20)，所述发光像素层(20)包括间隔设置的数个发光像素(21)；
步骤2、在所述衬底基板(10)上对应于所述数个发光像素(21)之间的区域形成缓冲颗粒层(30)，所述缓冲颗粒层(30)的厚度与所述数个发光像素(21)的厚度接近或相同；
步骤3、在所述发光像素层(20)与缓冲颗粒层(30)上形成薄膜封装层(40)。
2.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述缓冲颗粒层(30)为单层颗粒层，所述缓冲颗粒的粒径大于或等于所述数个发光像素(21)的厚度；所述缓冲颗粒为金属氧化物颗粒。
3.如权利要求1所述的OLED封装方法，其特征在于，所述步骤2包括：采用一道掩膜遮挡住所述数个发光像素(21)，在所述衬底基板(10)上对应于所述数个发光像素(21)之间的区域上涂布或喷滴缓冲颗粒溶胶，干燥后形成缓冲颗粒层(30)。
4.一种OLED封装结构，其特征在于，包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的发光像素层(20)与缓冲颗粒层(30)、以及设于所述发光像素层(20)与缓冲颗粒层(30)上的薄膜封装层(40)；
所述发光像素层(20)包括间隔设置的数个发光像素(21)，所述缓冲颗粒层(30)设于所述衬底基板(10)上对应于所述数个发光像素(21)之间的区域，所述缓冲颗粒层(30)的厚度与所述数个发光像素(21)的厚度接近或相同。
5.如权利要求4所述的OLED封装结构，其特征在于，所述缓冲颗粒层(30)为单层颗粒层，所述缓冲颗粒的粒径大于或等于所述数个发光像素(21)的厚度；所述缓冲颗粒为金属氧化物颗粒。
6.一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成发光像素层(20)，所述发光像素层(20)包括间隔设置的数个发光像素(21)；
步骤2、在所述衬底基板(10)与发光像素层(20)上形成第一薄膜封装层(41)，在所述第一薄膜封装层(41)上对应于所述数个发光像素(21)之间的区域形成缓冲颗粒层(30)，所述缓冲颗粒层(30)的厚度与所述数个发光像素(21)的厚度接近或相同；
步骤3、在所述缓冲颗粒层(30)与第一薄膜封装层(41)上形成第二薄膜封装层(42)。
7.如权利要求6所述的OLED封装方法，其特征在于，所述步骤2包括：采用一道掩膜遮挡住所述第一薄膜封装层(41)上对应于数个发光像素(21)的区域，在所述第一薄膜封装层(41)上对应于所述数个发光像素(21)之间的区域上涂布或喷滴缓冲颗粒溶胶，干燥后形成缓冲颗粒层(30)。
8.如权利要求6所述的OLED封装方法，其特征在于，所述缓冲颗粒层(30)为单层颗粒层，所述缓冲颗粒的粒径大于或等于所述数个发光像素(21)的厚度；所述缓冲颗粒为金属氧化物颗粒。
9.一种OLED封装结构，其特征在于，包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的发光像素层(20)、设于所述衬底基板(10)与发光像素层(20)上的第一薄膜封装层(41)、设于所述第一薄膜封装层(41)上的缓冲颗粒层(30)、以及设于所述缓冲颗粒层(30)与第一薄膜封装层(41)上的第二薄膜封装层(42)；
所述发光像素层(20)包括间隔设置的数个发光像素(21)，所述缓冲颗粒层(30)设于所述第一薄膜封装层(41)上对应于所述数个发光像素(21)之间的区域，所述缓冲颗粒层(30)的厚度与所述数个发光像素(21)的厚度接近或相同。
10.如权利要求9所述的OLED封装结构，其特征在于，所述缓冲颗粒层(30)为单层颗粒层，所述缓冲颗粒的粒径大于或等于所述数个发光像素(21)的厚度；所述缓冲颗粒为金属氧化物颗粒。
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