WO2016004662A1 - Oled像素结构 - Google Patents

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刘亚伟
王宜凡
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深圳市华星光电技术有限公司
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    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole

Definitions

  • the present invention relates to the field of fabrication of organic electroluminescent display devices, and more particularly to an OLED pixel structure. Background technique
  • the flat display device has many advantages such as thin body, power saving, no radiation, and has been widely used.
  • the existing flat display devices mainly include a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting display (OLED).
  • Organic electroluminescent devices have the advantages of high backlight, high contrast, thin thickness, wide viewing angle, fast response, flexible panel, wide temperature range, simple structure and simple process. , is considered to be the next generation of flat panel display emerging application technology.
  • the organic electroluminescent device is classified into a small molecule organic electroluminescent device (OLED) and a polymer electroluminescent device (PLED), and organic electroluminescence due to the difference in molecular weight
  • OLED organic electroluminescent device
  • PLED polymer electroluminescent device
  • the process of the device is also very different.
  • the OLED is mainly prepared by thermal evaporation
  • the PLED is prepared by spin coating or inkjet printing.
  • the OLED generally includes: a substrate, an ITO transparent anode disposed on the substrate, a hole injection layer (; HIL;) disposed on the ITO transparent anode, and a hole transport layer HTL disposed on the hole injection layer; A light-emitting layer (EML;) on the hole transport layer, an electron transport layer (ETL;) placed on the light-emitting layer, an electron injection layer (EIL) placed on the electron transport layer, and a cathode placed on the electron injection layer.
  • the luminescent layer usually employs a host/guest doping system.
  • NCs Semiconductor nanocrystals
  • QDs quantum dots
  • Quantum Dots Light Emitting Diodes have important commercial applications and have attracted strong research interest in the last decade.
  • quantum dot light-emitting diodes have many advantages over organic light-emitting diodes (OLEDs): (1) quantum dots emit light with a line width of 20-30 nm, relative to organic light emission >5011111, half The full width at half maximum (FWHM) is narrow, which plays a key role in the color purity of the real picture; (2) The inorganic material exhibits better thermal stability than the organic material. When the device is at high brightness or high current density, Joule heat is the main cause of device degradation.
  • inorganic material-based devices Due to excellent thermal stability, inorganic material-based devices will exhibit long service life; (3) due to red, green and blue The lifetime of organic materials is different, and the color of organic light-emitting diode displays will change with time.
  • quantum dots of different sizes by synthesizing quantum dots of different sizes with the same material, the illumination of the three primary colors can be achieved due to the quantum confinement effect.
  • the same material can exhibit a similar degraded lifetime;
  • quantum dot light-emitting diodes can achieve infrared light emission, while organic materials have an emission wavelength of less than 1 micron; (5) there is no limitation of spin statistics for quantum dots.
  • the external quantum efficiency (EQE) is likely to reach 100%.
  • ⁇ is the probability of electrons and holes forming excitons
  • ⁇ ⁇ is the internal quantum efficiency
  • ⁇ is the probability of the radiation transition
  • ⁇ ⁇ ⁇ is the efficiency of the outcoupling .
  • the limit of the organic fluorescent dye is 25%, wherein the ratio of the singlet to the triplet is 1:3, and only the singlet exciton recombination leads to luminescence. However, due to spin-orbit coupling, organic phosphorescent materials are greater than 25%.
  • organic phosphorescent materials cause degradation of the parent material.
  • the ⁇ ⁇ ⁇ of the planar light-emitting device is about 20%, and the outcoupling efficiency can be improved by the microcavity structure.
  • ⁇ ⁇ ⁇ can reach 100%, and when the electron and hole energy levels are suitable, it can also reach 100%.
  • Quantum dot LEDs can be classified into organic-inorganic hybrid devices and all inorganic devices.
  • the former can achieve high brightness and can be made flexibly, and the latter has advantages in terms of device stability.
  • the first one is RGB three-primary color light. It is represented by Samsung. This technology is only suitable for organic small molecular materials that are easy to sublimate. The advantage is that the process is simple and mature, and the process is simple. However, due to the need for high-precision masks and precise alignment when preparing high-resolution displays, low productivity and high cost are required.
  • the second is white light + RGB filter technology, represented by LG, because the use of liquid crystal display (LCD) mature CF technology, does not require mask alignment, greatly simplifying the evaporation process, Therefore, the production cost can be reduced, and it can be used to prepare a large-sized high-resolution organic light emitting diode.
  • the filter absorbs most of the light energy, only about 30% of the light energy is transmitted, so a high-performance white light material is required, otherwise the efficiency of the device is low, and it is generally used for display of organic light-emitting diodes for small molecules.
  • the third type is a blue light organic light emitting diode, which is color-displayed by a green color conversion method (CCM). Since the same production technology as the color filter can be used, the pixel density is improved compared to RGB colorization, and A higher yield can be achieved. This technology was developed by Idemitsu and Fuji Electric.
  • the present invention provides an OLED pixel structure, an OLED pixel structure, including: red, green, and blue sub-pixels, a red sub-pixel having a red light-emitting layer, and a green sub-pixel having a green light-emitting layer, blue
  • the chromonic sub-pixel has a blue luminescent layer, characterized in that the material of the blue luminescent layer comprises blue quantum dots.
  • a white sub-pixel having a white light emitting layer.
  • the material of the white light emitting layer comprises inorganic quantum dots, the inorganic quantum dots are white light quantum dots, or the inorganic quantum dots are red light quantum dots, a combination of green light quantum dots and blue light quantum dots, or the inorganic quantum dots are A combination of blue quantum dots and yellow quantum dots.
  • the material of the white light emitting layer further includes a white organic organic host material.
  • the white light quantum dots are ll-VI quantum dots such as CdSe, CdS, CdTe, CdMnS, ZnSe, or ZnMnSe, and the blue quantum dots are ZnCdS, CdSe/ZnS, or nano SiN 4 , and the green light quantum dots are CdSe. /ZnS, or ZnSe: Cu 2+ , the red light quantum dot is CdSe/CdS/ZnS, and the yellow light quantum dot is CdSe/CdS/ZnS, or ZnS: Mn 2+ .
  • the material of the blue light emitting layer further comprises a blue organic organic material mixed with the blue quantum dot particles and the solvent, coated and volatilized to remove the solvent to obtain a blue light quantum dot;
  • the solvent is chloroform, toluene, chlorobenzene or Methanol.
  • the blue organic host material is TCTA or TRZ.
  • the blue light quantum dot is mixed with the surface coating agent and the solvent, coated and evaporated to remove the solvent to obtain a blue light quantum dot, and the surface coating agent comprises stearic acid, trimethylphosphine oxide, or polymethyl methacrylate;
  • the solvent is chloroform, toluene, chlorobenzene or methanol.
  • the blue quantum dots are ZnCdS, CdSe/ZnS, or nano SiN 4 .
  • the red light emitting layer is formed of a red organic light emitting material, which is Ir(piq) 3
  • the green light emitting layer is formed of a green organic light emitting material, which is Ir(ppy) 3 .
  • the red sub-pixel comprises: an anode on the substrate, a thin film transistor on the anode, a hole injection layer on the thin film transistor, a hole transport layer on the hole injection layer, a red light emitting layer on the hole transport layer, an electron transport layer on the red light emitting layer, and a cathode on the electron transport layer;
  • the green subpixel includes: An anode on the substrate, a thin film transistor on the anode, a hole injection layer on the thin film transistor, a hole transport layer on the hole injection layer, a green light-emitting layer on the hole transport layer, and a green light An electron transport layer on the light emitting layer and a cathode on the electron transport layer;
  • the white sub-pixel comprises: located on the substrate An anode, a thin film transistor on the anode, a hole injection layer on the thin film transistor, a hole transport layer on the hole injection layer, a white light emitting layer on the hole transport layer, and an electron transport on the white light emitting layer And a cathode on the electron transport layer;
  • the electron transport layer material is octahydroxyquinoline aluminum, the hole transport layer material is polytriphenylamine, and the hole injection layer material is PEDOT.
  • the red light emitting layer and the green light emitting layer are formed by vacuum evaporation, and are formed after forming a blue light emitting layer.
  • the invention also provides an OLED pixel structure, comprising: red, green and blue sub-pixels, the red sub-pixel has a red light-emitting layer, the green sub-pixel has a green light-emitting layer, and the blue sub-pixel has a blue light-emitting layer, the characteristics thereof
  • the material of the blue light emitting layer comprises blue quantum dots;
  • the material of the blue light emitting layer further comprises a blue organic organic material mixed with the blue quantum dot particles and the solvent, coated and volatilized to remove the solvent to obtain a blue light quantum dot;
  • the solvent is chloroform, toluene, chlorobenzene or Methanol
  • the blue organic host material is TCTA or TRZ;
  • the blue light quantum dot is mixed with the surface coating agent and the solvent, coated and evaporated to remove the solvent to obtain a blue light quantum dot, and the surface coating agent comprises stearic acid, trimethylphosphine oxide, or polymethyl methacrylate;
  • the solvent is chloroform, toluene, chlorobenzene or methanol;
  • the blue light quantum dots are ZnCdS, CdSe/ZnS, or nano SiN 4 ;
  • the red light emitting layer is formed of a red organic light emitting material, which is Ir(piq) 3
  • the green light emitting layer is formed of a green organic light emitting material, which is Ir(ppy) 3 ; Further comprising a substrate and a cover layer sealedly connected to the substrate, wherein the red, green and blue sub-pixels are respectively disposed on the substrate and covered by the cover layer, and the material of the substrate and the cover layer is glass or a flexible material.
  • the red sub-pixel includes: an anode on the substrate, a thin film transistor on the anode, a hole injection layer on the thin film transistor, and a hole injection layer a hole transport layer thereon, a red light emitting layer on the hole transport layer, an electron transport layer on the red light emitting layer, and a cathode on the electron transport layer;
  • the green subpixel includes: on the substrate An anode, a thin film transistor on the anode, a hole injection layer on the thin film transistor, a hole transport layer on the hole injection layer, a green light-emitting layer on the hole transport layer, and a green light-emitting layer An electron transport layer, and a cathode on the electron transport layer;
  • the blue subpixel includes: an anode on the substrate, and a thin film crystal on the anode a tube, a hole injection layer on the thin film transistor, a hole transport layer on the hole injection layer, a blue light emitting layer on the hole transport layer
  • the OLED pixel structure of the present invention adopts a blue light quantum dot through a blue light emitting layer material of a blue sub-pixel, so that the blue sub-pixel is more stable and has a longer service life, thereby making the stability of the entire OLED device better. , longer life; at the same time, due to the higher efficiency of the blue quantum dots, the driving voltage of the blue sub-pixels can be appropriately reduced.
  • the OLED pixel structure may further include a white sub-pixel having a white light emitting layer, and the material of the white light emitting layer includes inorganic quantum dots, and the increase of the white sub-pixel may improve the brightness of the OLED device.
  • FIG. 1 is a schematic structural view of a first embodiment of an OLED pixel structure according to the present invention
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing a first embodiment of an OLED pixel structure according to the present invention
  • FIG. 3 is a schematic view of the pixel structure shown in FIG. 2 for a display panel
  • 4 is another schematic view of the pixel structure shown in FIG. 2 when used for a display panel
  • FIG. 5 is a schematic structural diagram of a TFT driving circuit of the pixel structure of FIG. 2;
  • FIG. 6 is a schematic structural view of a second embodiment of an OLED pixel structure according to the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic plan view showing a second embodiment of an OLED pixel structure according to the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic structural view of the pixel structure shown in FIG. 7 when used for a display panel;
  • FIG. 9 is a schematic structural diagram of a TFT driving circuit of the pixel structure of FIG. 7;
  • FIG. 10 is a schematic plan view showing a pixel structure of a third embodiment of the OLED pixel structure of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic structural view of the pixel structure shown in FIG. 10 for a display panel. detailed description
  • the present invention provides an OLED pixel structure 20, including: red, green, and blue sub-pixels 11, 22, 33, and red sub-pixels.
  • the pixel 11 has a red light emitting layer 63
  • the green sub-pixel 22 has a green light emitting layer 62
  • the blue sub-pixel 33 has a blue light emitting layer 61.
  • the material of the blue light emitting layer 61 includes blue light quantum dots.
  • the blue quantum dots are ZnCdS, CdSe/ZnS, or nano SiN 4 .
  • the blue light quantum dot is manufactured by mixing a blue light quantum dot with a surface coating agent and a solvent, coating and volatilizing to remove the solvent to obtain a blue light quantum dot.
  • the surface coating agent includes stearic acid, tri-zinc-phosphine oxide, or polymethyl methacrylate; and the solvent is chloroform, toluene, chlorobenzene or methanol.
  • the material of the blue light emitting layer 61 may further include a blue organic organic material.
  • the blue light quantum dot is manufactured by: mixing the blue organic organic material with blue quantum dot particles and a solvent, and coating and volatilizing to remove the solvent. A blue light quantum dot is obtained; the solvent is chloroform, toluene, chlorobenzene or methanol.
  • the blue organic host material is TCTA (4,4',4"-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine) or TRZ (2,4,6-tris(9H-carbazol-9-yl)- 1,3,5-triazine).
  • the structure is as follows:
  • Both the organic host material and the surface coating agent have an effect of preventing agglomeration and oxidation of inorganic quantum dots. Because inorganic quantum dots are nanoparticles, zero-dimensional materials have large surface activity and are prone to agglomeration, leading to oxidation and quenching of fluorescence.
  • the red light emitting layer 63 is formed of a red organic light emitting material, the red light emitting material is Ir(piq) 3 , and the green light emitting layer 62 is formed of a green organic light emitting material, the green organic light emitting layer The material is Ir(ppy) 3 .
  • the red light emitting layer 63 and the green light emitting layer 62 are formed by vacuum evaporation, and are formed after the blue light emitting layer 61 is formed.
  • the OLED pixel structure 20 of the present invention further includes a substrate 1 and a cover layer 9 sealedly connected to the substrate 1.
  • the red, green and blue sub-pixels 11, 22, 33 are respectively disposed on the substrate 1 and are a cover layer. Covered by 9 , the material of the substrate 1 and the cover layer 9 is glass or a flexible material, at least one of the substrate 1 and the cover layer 9 is transparent; the red sub-pixel 11 includes: an anode located on the substrate 1 2.
  • a thin film transistor 3 on the anode 2 a hole injection layer 4 on the thin film transistor 3, a hole transport layer 5 on the hole injection layer 4, and a red light-emitting layer 63 on the hole transport layer 5.
  • the green sub-pixel 22 includes: an anode 2 on the substrate 1, a thin film transistor 3 on the anode 2, a hole injection layer 4 on the thin film transistor 3, and a hole injection layer.
  • the sub-pixel 33 includes: an anode 2 on the substrate 1, a thin film transistor 3 on the anode 2, a hole injection layer 4 on the thin film transistor 3, a hole transport layer 5 on the hole injection layer 4, and a blue light emitting layer 61 on the hole transporting layer 5, an electron transporting layer 7 on the blue light emitting layer 61, and a cathode 8 on the electron transporting layer 7;
  • the electron transporting layer 7 is made of octahydroxyquinoline aluminum.
  • the material of the hole transport layer 5 is polytriphenylamine, and the material of the hole injection layer 4 layer is PEDOT (polyethylenedioxythiophene).
  • the substrate 1 and the cover layer 9 are bonded together by a sealant 10 to seal and protect the internal electronic components.
  • FIG. 3 and FIG. 4 are schematic structural diagrams of an OLED pixel structure for displaying a panel according to a first embodiment of the present invention.
  • the red sub-pixel 11, the green sub-pixel 22, and the blue sub-pixel 33 are all driven by the TFT transistor 3.
  • a second embodiment of the present invention is different from the first embodiment shown in FIG. 1 in that the OLED pixel structure 20' further includes a white sub-pixel 44.
  • the white sub-pixel 44 has a white light emitting layer 64.
  • the material of the white light emitting layer 64 includes inorganic quantum dots, the inorganic quantum dots are white light quantum dots, or the inorganic quantum dots are red light quantum dots, a combination of green light quantum dots and blue light quantum dots, or the inorganic quantum dots. It is a combination of blue quantum dots and yellow light quantum dots.
  • the white light quantum dots are ll-VI quantum dots such as CdSe, CdS, CdTe, CdMnS, ZnSe, or ZnMnSe, and the blue quantum dots are ZnCdS, CdSe/ZnS, or nano SiN 4 , and the green light quantum dots are CdSe. /ZnS, or ZnSe: Cu 2+ , the red light quantum dot is CdSe/CdS/ZnS, and the yellow light quantum dot is CdSe/CdS/ZnS, or ZnS: Mn 2+ .
  • the material of the white light emitting layer 64 may also include a white organic organic host material.
  • the OLED pixel structure 20 ′ further includes a substrate 1 and a cover layer 9 sealedly connected to the substrate 1 , wherein the red, green, blue and white sub-pixels 11 , 22 , 33 , 44 respectively Arranged in a row on the substrate 1 and covered by the cover layer 9; the white sub-pixel 44 includes: an anode 2 on the substrate 1, a thin film transistor 3 on the anode 2, and a hole on the thin film transistor 3.
  • the electron transport layer 7 material is octahydroxyquinoline aluminum
  • the hole transport layer 5 material is polytriphenylamine
  • the hole injection layer 4 layer material is PEDOT (poly B Dioxythiophene).
  • FIG. 8 is a schematic structural diagram of an OLED pixel structure used for a display panel according to a second embodiment of the present invention.
  • the red sub-pixel 11, the green sub-pixel 22, the blue sub-pixel 33, and the white sub-pixel 44 are all driven by the TFT transistor 3.
  • a schematic diagram of an OLED pixel structure 20" according to a third embodiment of the present invention is a red sub-pixel 11", a green sub-pixel 22", and a blue sub-pixel 33". And the white sub-pixels 44" are arranged in two rows.
  • the OLED pixel structure of the present invention adopts blue light quantum dots through the blue light emitting layer material of the blue sub-pixel, so that the blue sub-pixel is more stable and has a longer service life, thereby making the stability of the entire OLED device better.
  • the lifetime is longer; at the same time, due to the higher efficiency of the blue quantum dots, the driving voltage of the blue sub-pixels can be appropriately lowered.
  • the OLED pixel structure may further include a white sub-pixel having a white light emitting layer, and the material of the white light emitting layer includes inorganic quantum dots, and the increase of the white sub-pixel may improve the brightness of the OLED device.

Abstract

一种OLED像素结构，包括：红色、绿色及蓝色子像素（11，22，33），红色子像素（11）具有红光发光层（63），绿色子像素（22）具有绿光发光层（62），蓝色子像素（33）具有蓝光发光层（61），所述蓝光发光层（61）的材料包括蓝光量子点；所述 OLED像素结构中的蓝色子像素（33）更稳定，使得整个OLED器件的稳定性更好；并且，所述OLED像素结构中的蓝色子像素（33）寿命更长，使得OLED器件的使用寿命更长；同时由于蓝光量子点的效率更高，使得蓝色子像素（33）的驱动电压可以适当降低。所述OLED像素结构还可以包括一白色子像素（44），所述白色子像素（44）具有白光发光层（64），所述白光发光层（64）的材料包括无机量子点，所述白色子像素（44）的增加可以提高OLED器件的亮度。

Description

OLED像素结构
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示器件制作领域， 尤其涉及一种 OLED像 素结构。 背景技术
平面显示器件具有机身薄、 省电、 无辐射等众多优点， 得到了广泛的 应用。 现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件 （Liquid Crystal Display, LCD) 及有机电致发光显示器件 （Organic Light Emitting Display, OLED)。
有机电致发光器件由于同时具备自发光， 不需背光源、 对比度高、 厚 度薄、 视角广、 反应速度快、 可用于挠曲性面板、 使用温度范围广、 构造 及制程较简单等优异之特性， 被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。 从使用的有机电致发光材料的分子量来看， 有机电致发光器件分为小分子 有机电致发光器件 （OLED)和高分子电致发光器件 (PLED), 由于分子量的 不同， 有机电致发光器件的制程也有很大的区别， OLED 主要通过热蒸镀 方式制备， PLED通过旋涂或者喷墨打印方式制备。
OLED通常包括： 基板、 置于基板上的 ITO 透明阳极、 置于 ITO 透明 阳极上的空穴注入层 (； HIL；)、 置于空穴注入层上的空穴传输层 HTL；)、 置于 空穴传输层上的发光层 (EML；)、 置于发光层上的电子传输层 (ETL；)、 置于电 子传输层上的电子注入层 (EIL) 以及置于电子注入层上的阴极。为了提高效 率， 发光层通常采用主 /客体摻杂系统。
半导体纳米晶 （semiconductor nanocrystals, 縮写 NCs)， 是指尺寸为 l-100nm的半导体纳米晶粒。由于半导体纳米晶的尺寸小于其体材料的激子 波尔半径， 表现出强的量子限域效应， 准连续的能带演变为类似于分子的 分立能级结构， 呈现出新的材料性^， 因此， 也称为量子点 （quantum dots, 縮写 QDs)。
由于外部能量的激发 （光致发光， 电致发光， 阴极射线发光等）， 电子 从基态跃迁到激发态， 处于激发态的电子和空穴可能会形成激子。 电子与 空穴发生复合， 最终弛豫到基态。 多余的能量通过复合和弛豫过程释放， 可能辐射复合发出光子。
量子点发光二极管 （Quantum Dots Light Emitting Diodes, QD-LEDs) 具有重要的商业应用的价值， 在最近十年引起人们强烈的研究兴趣。 事实 上， 量子点发光二极管相对于有机发光二极管 （Organic Light Emitting Diodes, OLEDs) 有很多的优势： （1 ) 量子点发光的线宽在 20-30nm之间， 相对于有机发光>5011111的发光，半高宽（ full width at half maximum， FWHM) 要窄， 这对于现实画面的色纯度起关键的作用； （2) 无机材料相对于有机 材料表现出更好的热稳定性。 当器件处于高亮度或高电流密度下， 焦耳热 是使器件退化的主要原因， 由于优异的热稳定性， 基于无机材料的器件将 表现出长的使用寿命； （3 ) 由于红绿蓝三基色有机材料的寿命不同， 有机 发光二极管显示器的颜色将随时间变化， 然而， 用同一种材料合成不同尺 寸的量子点， 由于量子限域效应， 可以实现三基色的发光。 同一种材料可 以表现出相似的退化寿命； （4) 量子点发光二极管可以实现红外光的发射， 而有机材料的发光波长一般小于 1 微米； （5) 对于量子点没有自旋统计的 限制， 其外量子效率（external quantum efficiency, EQE)有可能达到 100%。 量子点发光二极管的 EQE可以表示为： ilExt=i liNT*ri*riouT。 其中 ^是电子 和空穴形成激子的几率， ηΙΝΤ是内量子效率， 即发光量子产率 （PL QY) , η 是辐射跃迁的几率， ηουτ是外耦合的效率。 有机荧光染料 的限制是 25%， 其中单重态与三重态的形成比例是 1 :3， 只有单重态激子的复合导致发光。 然而， 由于自旋轨道耦合， 有机磷光材料的 大于 25%。 值得一提的是， 有机磷光材料导致了母体材料的退化。 平面发光器件的 ηουτ大约在 20%左 右， 可以通过微腔结构提高外耦合效率。 对于量子点发光二极管， 其 ηΐΝτ 可以达到 100%， 同时当电子和空穴能级适合时， 其 也可以达到 100%。
量子点发光二极管可以分为有机-无机杂化器件与全无机器件。 前者可 以达到高的亮度、 可以柔性制作， 后者在器件的稳定性方面具有优势。
有机发光二极管的彩色化有几种技术路线，第一种是 RGB三基色发光， 以三星公司为代表， 该技术只适用于容易升华的有机小分子材料， 其优点 是工艺简单成熟， 搡作简便； 但由于在制备高分辨率显示屏时需要高精度 掩膜及精确的对位， 导致低产能高成本。 第二种是白光 +RGB滤光片技术， 以 LG公司为代表， 由于可利用液晶显示器 （Liquid Crystal Display, LCD) 成熟的 CF技术， 不需要掩膜对位， 极大地简化了蒸镀过程， 因而能降低生 产成本， 可用于制备大尺寸高分辨率有机发光二极管。 但是， 由于滤光片 吸收了大部分的光能， 只有约 30%的光能透过， 所以需要高性能的白光材 料， 否则器件的效率较低， 一般也是用于小分子的有机发光二极管显示屏。 第三种是由蓝光有机发光二极管， 经过绿光与红光色转换方法 （Color conversion method, 简称 CCM)， 实现彩色显示。 由于可以使用与彩色滤光 片相同的生产技术， 因此， 与 RGB彩色化相比， 即提高了像素点密度， 又 可以实现较高的良品率。 此技术由出光兴产与富士电机开发。
对于第一种彩色化技术路线一 RGB 三基色发光来说， 由于当前的 OLED 发光层中蓝光有机材料的效率、 寿命及稳定性都很差， 导致 OLED 器件的寿命、 效率及稳定性都被降低， 因此， 亟需解决这一技术问题。 发明内容
本发明的目的在于提供一种 OLED 像素结构， 使具有该像素结构的 OLED, 与传统的 OLED相比， 在寿命、 效率、 稳定性以及亮度上都得到显 著提高。
为实现上述目的， 本发明提供一种 OLED像素结构， 一种 OLED像素 结构， 包括： 红色、 绿色及蓝色子像素， 红色子像素具有红光发光层， 绿 色子像素具有绿光发光层， 蓝色子像素具有蓝光发光层， 其特征在于， 蓝 光发光层的材料包括蓝光量子点。
还包括一白色子像素， 所述白色子像素具有白光发光层。
所述白光发光层的材料包括无机量子点， 所述无机量子点为白光量子 点， 或所述无机量子点为红光量子点、 绿光量子点与蓝光量子点的组合， 或所述无机量子点为蓝光量子点与黄光量子点的组合。
所述白光发光层的材料还包括白光有机主体材料。
所述白光量子点为 CdSe、 CdS、 CdTe、 CdMnS、 ZnSe、 或 ZnMnSe等 l l ~VI族量子点， 所述蓝光量子点为 ZnCdS、 CdSe/ZnS, 或纳米 SiN4， 所述 绿光量子点为 CdSe/ZnS、或 ZnSe: Cu2+，所述红光量子点为 CdSe/CdS/ZnS， 所述黄光量子点为 CdSe/CdS/ZnS、 或 ZnS : Mn2+。
蓝光发光层的材料还包括蓝光有机主体材料， 所述蓝光有机主体材料 与蓝光量子点颗粒及溶剂混合， 涂覆并挥发去除溶剂后得到蓝光量子点； 所述溶剂为氯仿、 甲苯、 氯苯或甲醇。
所述蓝光有机主体材料为 TCTA或 TRZ。
将蓝光量子点与表面包覆剂及溶剂混合， 涂覆并挥发去除溶剂后得到 蓝光量子点， 所述表面包覆剂包括硬脂酸、 氧化三锌基膦、 或聚甲基丙烯 酸甲酯； 所述溶剂为氯仿、 甲苯、 氯苯或甲醇。
所述蓝光量子点为 ZnCdS、 CdSe/ZnS, 或纳米 SiN4。
所述红光发光层由红光有机发光材料形成， 其为 Ir(piq)3， 所述绿光发 光层由绿光有机发光材料形成， 其为 Ir(ppy)3。
还包括基板、 及密封连接于基板上的覆盖层， 所述红色、 绿色及蓝色 子像素分别设于基板上， 且为覆盖层所覆盖， 所述基板与覆盖层的材料为 玻璃或柔性材料， 所述基板与覆盖层中至少一个是透光的； 所述红色子像 素包括： 位于基板上的阳极、 位于阳极上的薄膜晶体管、 位于薄膜晶体管 上的空穴注入层、 位于空穴注入层上的空穴传输层、 位于空穴传输层上的 红光发光层、 位于红光发光层上的电子传输层、 及位于电子传输层上的阴 极； 所述绿色子像素包括： 位于基板上的阳极、 位于阳极上的薄膜晶体管、 位于薄膜晶体管上的空穴注入层、 位于空穴注入层上的空穴传输层、 位于 空穴传输层上的绿光发光层、 位于绿光发光层上的电子传输层、 及位于电 子传输层上的阴极； 所述蓝色子像素包括： 位于基板上的阳极、 位于阳极 上的薄膜晶体管、 位于薄膜晶体管上的空穴注入层、 位于空穴注入层上的 空穴传输层、 位于空穴传输层上的蓝光发光层、 位于蓝光发光层上的电子 传输层、 及位于电子传输层上的阴极； 所述电子传输层材料为八羟基喹啉 铝， 所述空穴传输层材料为聚三苯胺， 所述空穴注入层层材料为 PEDOT。
还包括基板、 及密封连接于基板上的覆盖层， 所述红色、 绿色、 蓝色 及白色子像素分别设于基板上， 且为覆盖层所覆盖； 所述白色子像素包括： 位于基板上的阳极、 位于阳极上的薄膜晶体管、 位于薄膜晶体管上的空穴 注入层、 位于空穴注入层上的空穴传输层、 位于空穴传输层上的白光发光 层、 位于白光发光层上的电子传输层、 及位于电子传输层上的阴极； 所述 电子传输层材料为八羟基喹啉铝， 所述空穴传输层材料为聚三苯胺， 所述 空穴注入层层材料为 PEDOT。
所述红光发光层与绿光发光层采用真空蒸镀的方法制成， 且在形成蓝 光发光层后形成。
本发明还提供一种 OLED像素结构， 包括： 红色、 绿色及蓝色子像素， 红色子像素具有红光发光层， 绿色子像素具有绿光发光层， 蓝色子像素具 有蓝光发光层， 其特征在于， 蓝光发光层的材料包括蓝光量子点；
蓝光发光层的材料还包括蓝光有机主体材料， 所述蓝光有机主体材料 与蓝光量子点颗粒及溶剂混合， 涂覆并挥发去除溶剂后得到蓝光量子点； 所述溶剂为氯仿、 甲苯、 氯苯或甲醇；
所述蓝光有机主体材料为 TCTA或 TRZ;
将蓝光量子点与表面包覆剂及溶剂混合， 涂覆并挥发去除溶剂后得到 蓝光量子点， 所述表面包覆剂包括硬脂酸、 氧化三锌基膦、 或聚甲基丙烯 酸甲酯； 所述溶剂为氯仿、 甲苯、 氯苯或甲醇；
所述蓝光量子点为 ZnCdS、 CdSe/ZnS, 或纳米 SiN4;
所述红光发光层由红光有机发光材料形成， 其为 Ir(piq)3， 所述绿光发 光层由绿光有机发光材料形成， 其为 Ir(ppy)3 ; 还包括基板、 及密封连接于基板上的覆盖层， 所述红色、 绿色及蓝色 子像素分别设于基板上， 且为覆盖层所覆盖， 所述基板与覆盖层的材料为 玻璃或柔性材料， 所述基板与覆盖层中至少一个是透光的； 所述红色子像 素包括： 位于基板上的阳极、 位于阳极上的薄膜晶体管、 位于薄膜晶体管 上的空穴注入层、 位于空穴注入层上的空穴传输层、 位于空穴传输层上的 红光发光层、 位于红光发光层上的电子传输层、 及位于电子传输层上的阴 极； 所述绿色子像素包括： 位于基板上的阳极、 位于阳极上的薄膜晶体管、 位于薄膜晶体管上的空穴注入层、 位于空穴注入层上的空穴传输层、 位于 空穴传输层上的绿光发光层、 位于绿光发光层上的电子传输层、 及位于电 子传输层上的阴极； 所述蓝色子像素包括： 位于基板上的阳极、 位于阳极 上的薄膜晶体管、 位于薄膜晶体管上的空穴注入层、 位于空穴注入层上的 空穴传输层、 位于空穴传输层上的蓝光发光层、 位于蓝光发光层上的电子 传输层、 及位于电子传输层上的阴极； 所述电子传输层材料为八羟基喹啉 铝， 所述空穴传输层材料为聚三苯胺， 所述空穴注入层层材料为 PEDOT ; 所述红光发光层与绿光发光层采用真空蒸镀的方法制成， 且在形成蓝 光发光层后形成。
本发明的有益效果： 本发明 OLED像素结构， 通过蓝色子像素的蓝光 发光层材料采用蓝光量子点， 使蓝色子像素更稳定， 使用寿命更长， 从而 使得整个 OLED器件的稳定性更好， 寿命更长； 同时由于蓝光量子点的效 率更高， 使得蓝色子像素的驱动电压可以适当降低。 所述 OLED像素结构 还可以包括一白色子像素， 所述白色子像素具有白光发光层， 所述白光发 光层的材料包括无机量子点， 所述白色子像素的增加可以提高 OLED器件 的亮度。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容， 请参阅以下有关本 发明的详细说明与附图， 然而附图仅提供参考与说明用， 并非用来对本发 明加以限制。 附图说明
下面结合附图， 通过对本发明的具体实施方式详细描述， 将使本发明 的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图 1为本发明 OLED像素结构第一实施例的结构示意图；
图 2为本发明 OLED像素结构第一实施例的平面示意图；
图 3为图 2所示的像素结构用于显示面板时的示意图； 图 4为图 2所示的像素结构用于显示面板时的另一示意图；
图 5为图 2的像素结构的 TFT驱动电路结构示意图；
图 6为本发明 OLED像素结构第二实施例的结构示意图；
图 7为本发明 OLED像素结构第二实施例的平面示意图；
图 8为图 7所示的像素结构用于显示面板时的结构示意图；
图 9为图 7的像素结构的 TFT驱动电路结构示意图；
图 10为本发明 OLED像素结构第三实施例的像素结构的平面示意图； 图 11为图 10所示的像素结构用于显示面板时的结构示意图。 具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果， 以下结合本发明 的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图 1-2， 为本发明的第一实施例， 在该实施例中， 本发明提供一 种 OLED像素结构 20， 包括： 红色、 绿色及蓝色子像素 11、 22、 33， 红色 子像素 11具有红光发光层 63， 绿色子像素 22具有绿光发光层 62， 蓝色子 像素 33具有蓝光发光层 61， 所述蓝光发光层 61的材料包括蓝光量子点。
所述蓝光量子点为 ZnCdS、 CdSe/ZnS, 或纳米 SiN4。
当所述蓝光发光层 61为纯蓝光量子点时， 所述蓝光量子点的制造方法 为： 将蓝光量子点与表面包覆剂及溶剂混合， 涂覆并挥发去除溶剂后得到 蓝光量子点， 所述表面包覆剂包括硬脂酸、 氧化三锌基膦、 或聚甲基丙烯 酸甲酯； 所述溶剂为氯仿、 甲苯、 氯苯或甲醇。
所述蓝光发光层 61的材料还可以包括蓝光有机主体材料， 此时所述蓝 光量子点的制造方法为： 所述蓝光有机主体材料与蓝光量子点颗粒及溶剂 混合， 涂覆并挥发去除溶剂后得到蓝光量子点； 所述溶剂为氯仿、 甲苯、 氯苯或甲醇。
所述蓝光有机主体材料为 TCTA (4,4',4"-三 (咔唑 -9-基)三苯胺） 或 TRZ (2,4,6-三 (9H-咔唑 -9-基) -1,3,5-三嗪）。
的结构如下：
Figure imgf000008_0001
所述化合物 TRZ的结构如下：
Figure imgf000009_0001
所述有机主体材料及表面包覆剂都具有一个作用， 即防止无机量子点 团聚与氧化。 因为无机量子点是纳米颗粒， 零維材料， 表面活性大， 容易 发生团聚， 导致氧化并使荧光淬灭。
所述红光发光层 63由红光有机发光材料形成， 所述红光有机发光材料 为 Ir(piq)3， 所述绿光发光层 62由绿光有机发光材料形成， 所述绿光有机发 光材料为 Ir(ppy)3。
：
为：
Figure imgf000009_0002
所述红光发光层 63与绿光发光层 62采用真空蒸镀的方法制成， 且在 形成蓝光发光层 61后形成。
本发明的 OLED像素结构 20还包括基板 1、 及密封连接于基板 1上的 覆盖层 9， 所述红色、 绿色及蓝色子像素 11、 22、 33分别设于基板 1上， 且为覆盖层 9所覆盖， 所述基板 1与覆盖层 9的材料为玻璃或柔性材料， 所述基板 1与覆盖层 9中至少一个是透光的； 所述红色子像素 11包括： 位 于基板 1上的阳极 2、 位于阳极 2上的薄膜晶体管 3、 位于薄膜晶体管 3上 的空穴注入层 4、 位于空穴注入层 4上的空穴传输层 5、 位于空穴传输层 5 上的红光发光层 63、 位于红光发光层 63上的电子传输层 7、 及位于电子传 输层 7上的阴极 8 ; 所述绿色子像素 22包括： 位于基板 1上的阳极 2、 位 于阳极 2上的薄膜晶体管 3、 位于薄膜晶体管 3上的空穴注入层 4、 位于空 穴注入层 4上的空穴传输层 5、 位于空穴传输层 5上的绿光发光层 62、 位 于绿光发光层 62上的电子传输层 7、 及位于电子传输层 7上的阴极 8 ; 所 述蓝色子像素 33包括： 位于基板 1上的阳极 2、 位于阳极 2上的薄膜晶体 管 3、 位于薄膜晶体管 3上的空穴注入层 4、 位于空穴注入层 4上的空穴传 输层 5、 位于空穴传输层 5上的蓝光发光层 61、 位于蓝光发光层 61上的电 子传输层 7、 及位于电子传输层 7上的阴极 8 ; 所述电子传输层 7材料为八 羟基喹啉铝， 所述空穴传输层 5材料为聚三苯胺， 所述空穴注入层 4层材 料为 PEDOT (聚乙撑二氧噻吩）。
所述基板 1与覆盖层 9通过密封胶 10粘结在一起， 以密封与保护内部 电子器件。
请参阅图 3与图 4， 其为本发明第一实施例的 OLED像素结构用于显 示面板时的结构示意图。 如图 5所示， 所述红色子像素 11、 绿色子像素 22 及蓝色子像素 33均通过 TFT晶体管 3驱动。
请参阅图 6-7，为本发明的第二实施例，与图 1所示的第一实施例相比， 不同之处在于， 所述 OLED像素结构 20'还包括一白色子像素 44， 所述白 色子像素 44具有白光发光层 64。
所述白光发光层 64的材料包括无机量子点， 所述无机量子点为白光量 子点， 或所述无机量子点为红光量子点、 绿光量子点与蓝光量子点的组合， 或所述无机量子点为蓝光量子点与黄光量子点的组合。
所述白光量子点为 CdSe、 CdS、 CdTe、 CdMnS、 ZnSe、 或 ZnMnSe等 l l ~VI族量子点， 所述蓝光量子点为 ZnCdS、 CdSe/ZnS, 或纳米 SiN4， 所述 绿光量子点为 CdSe/ZnS、或 ZnSe: Cu2+，所述红光量子点为 CdSe/CdS/ZnS， 所述黄光量子点为 CdSe/CdS/ZnS、 或 ZnS : Mn2+。
所述白光发光层 64的材料还可以包括白光有机主体材料。
在该实施例中， 所述 OLED像素结构 20'还包括基板 1、 及密封连接于 基板 1上的覆盖层 9， 所述红色、 绿色、 蓝色及白色子像素 11、 22、 33、 44分别排成一行设于基板 1上， 且为覆盖层 9所覆盖； 所述白色子像素 44 包括： 位于基板 1上的阳极 2、 位于阳极 2上的薄膜晶体管 3、 位于薄膜晶 体管 3上的空穴注入层 4、 位于空穴注入层 4上的空穴传输层 5、 位于空穴 传输层 5上的白光发光层 64、 位于白光发光层 64上的电子传输层 7、 及位 于电子传输层 7上的阴极 8 ; 所述电子传输层 7材料为八羟基喹啉铝， 所述 空穴传输层 5材料为聚三苯胺， 所述空穴注入层 4层材料为 PEDOT (聚乙 撑二氧噻吩）。
请参阅图 8， 其为本发明第二实施例的 OLED像素结构用于显示面板 时的结构示意图。 如图 9所示， 所述红色子像素 11、 绿色子像素 22、 蓝色 子像素 33及白色子像素 44均通过 TFT晶体管 3驱动。
请参阅图 10至图 11， 本发明第三实施例的 OLED像素结构 20"的示意 图， 其与第二实施例不同的是红色子像素 11"、 绿色子像素 22"、 蓝色子像 素 33"及白色子像素 44"排列成两行。
综上所述， 本发明 OLED像素结构， 通过蓝色子像素的蓝光发光层材 料采用蓝光量子点， 使蓝色子像素更稳定， 使用寿命更长， 从而使得整个 OLED 器件的稳定性更好， 寿命更长； 同时由于蓝光量子点的效率更高， 使得蓝色子像素的驱动电压可以适当降低。 所述 OLED像素结构还可以包 括一白色子像素， 所述白色子像素具有白光发光层， 所述白光发光层的材 料包括无机量子点， 所述白色子像素的增加可以提高 OLED器件的亮度。
以上所述， 对于本领域的普通技术人员来说， 可以根据本发明的技术 方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形， 而所有这些改变和变形 都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims

权 利 要 求
1、 一种 OLED像素结构， 包括： 红色、 绿色及蓝色子像素， 红色子像 素具有红光发光层， 绿色子像素具有绿光发光层， 蓝色子像素具有蓝光发 光层， 蓝光发光层的材料包括蓝光量子点。
2、 如权利要求 1所述的 OLED像素结构， 还包括一白色子像素， 所述 白色子像素具有白光发光层。
3、 如权利要求 2所述的 OLED像素结构， 其中， 所述白光发光层的材 料包括无机量子点， 所述无机量子点为白光量子点， 或所述无机量子点为 红光量子点、 绿光量子点与蓝光量子点的组合， 或所述无机量子点为蓝光 量子点与黄光量子点的组合。
4、 如权利要求 3所述的 OLED像素结构， 其中， 所述白光发光层的材 料还包括白光有机主体材料。
5、 如权利要求 3 所述的 OLED像素结构， 其中， 所述白光量子点为 CdSe、 CdS、 CdTe、 CdMnS、 ZnSe、 或 ZnMnSe等 I I ~VI族量子点， 所述蓝 光量子点为 ZnCdS、 CdSe/ZnS,或纳米 SiN4，所述绿光量子点为 CdSe/ZnS、 或 ZnSe : Cu2+， 所述红光量子点为 CdSe/CdS/ZnS， 所述黄光量子点为 CdSe/CdS/ZnS、 或 ZnS : Mn2+。
6、 如权利要求 1所述的 OLED像素结构， 其中， 蓝光发光层的材料还 包括蓝光有机主体材料， 所述蓝光有机主体材料与蓝光量子点颗粒及溶剂 混合， 涂覆并挥发去除溶剂后得到蓝光量子点； 所述溶剂为氯仿、 甲苯、 氯苯或甲醇。
7、 如权利要求 6所述的 OLED像素结构， 其中， 所述蓝光有机主体材 料为 TCTA或 TRZ。
8、 如权利要求 1所述的 OLED像素结构， 其中， 将蓝光量子点与表面 包覆剂及溶剂混合， 涂覆并挥发去除溶剂后得到蓝光量子点， 所述表面包 覆剂包括硬脂酸、 氧化三锌基膦、 或聚甲基丙烯酸甲酯； 所述溶剂为氯仿、 甲苯、 氯苯或甲醇。
9、 如权利要求 1 所述的 OLED像素结构， 其中， 所述蓝光量子点为 ZnCdS、 CdSe/ZnS、 或纳米 SiN4。
10、 如权利要求 1所述的 OLED像素结构， 其中， 所述红光发光层由 红光有机发光材料形成， 其为 Ir(piq)3， 所述绿光发光层由绿光有机发光材 料形成， 其为 Ir ppy^
11、 如权利要求 1所述的 OLED像素结构， 还包括基板、 及密封连接 于基板上的覆盖层， 所述红色、 绿色及蓝色子像素分别设于基板上， 且为 覆盖层所覆盖， 所述基板与覆盖层的材料为玻璃或柔性材料， 所述基板与 覆盖层中至少一个是透光的； 所述红色子像素包括： 位于基板上的阳极、 位于阳极上的薄膜晶体管、 位于薄膜晶体管上的空穴注入层、 位于空穴注 入层上的空穴传输层、 位于空穴传输层上的红光发光层、 位于红光发光层 上的电子传输层、 及位于电子传输层上的阴极； 所述绿色子像素包括： 位 于基板上的阳极、 位于阳极上的薄膜晶体管、 位于薄膜晶体管上的空穴注 入层、 位于空穴注入层上的空穴传输层、 位于空穴传输层上的绿光发光层、 位于绿光发光层上的电子传输层、 及位于电子传输层上的阴极； 所述蓝色 子像素包括： 位于基板上的阳极、 位于阳极上的薄膜晶体管、 位于薄膜晶 体管上的空穴注入层、 位于空穴注入层上的空穴传输层、 位于空穴传输层 上的蓝光发光层、 位于蓝光发光层上的电子传输层、 及位于电子传输层上 的阴极； 所述电子传输层材料为八羟基喹啉铝， 所述空穴传输层材料为聚 三苯胺， 所述空穴注入层材料为 PEDOT。
12、 如权利要求 2所述的 OLED像素结构， 还包括基板、 及密封连接 于基板上的覆盖层， 所述红色、 绿色、 蓝色及白色子像素分别设于基板上， 且为覆盖层所覆盖； 所述白色子像素包括： 位于基板上的阳极、 位于阳极 上的薄膜晶体管、 位于薄膜晶体管上的空穴注入层、 位于空穴注入层上的 空穴传输层、 位于空穴传输层上的白光发光层、 位于白光发光层上的电子 传输层、 及位于电子传输层上的阴极； 所述电子传输层材料为八羟基喹啉 铝， 所述空穴传输层材料为聚三苯胺， 所述空穴注入层层材料为 PEDOT。
13、 如权利要求 1所述的 OLED像素结构， 其中， 所述红光发光层与 绿光发光层采用真空蒸镀的方法制成， 且在形成蓝光发光层后形成。
14、 一种 OLED像素结构， 包括： 红色、 绿色及蓝色子像素， 红色子 像素具有红光发光层， 绿色子像素具有绿光发光层， 蓝色子像素具有蓝光 发光层， 蓝光发光层的材料包括蓝光量子点；
其中， 蓝光发光层的材料还包括蓝光有机主体材料， 所述蓝光有机主 体材料与蓝光量子点颗粒及溶剂混合， 涂覆并挥发去除溶剂后得到蓝光量 子点； 所述溶剂为氯仿、 甲苯、 氯苯或甲醇；
其中， 所述蓝光有机主体材料为 TCTA或 TRZ;
其中， 将蓝光量子点与表面包覆剂及溶剂混合， 涂覆并挥发去除溶剂 后得到蓝光量子点， 所述表面包覆剂包括硬脂酸、 氧化三锌基膦、 或聚甲 基丙烯酸甲酯； 所述溶剂为氯仿、 甲苯、 氯苯或甲醇； 其中， 所述蓝光量子点为 ZnCdS、 CdSe/ZnS, 或纳米 SiN4;
其中， 所述红光发光层由红光有机发光材料形成， 其为 Ir(piq)3， 所述 绿光发光层由绿光有机发光材料形成， 其为 Ir(ppy)3 ;
所述的 OLED像素结构， 还包括基板、 及密封连接于基板上的覆盖层， 所述红色、 绿色及蓝色子像素分别设于基板上， 且为覆盖层所覆盖， 所述 基板与覆盖层的材料为玻璃或柔性材料， 所述基板与覆盖层中至少一个是 透光的； 所述红色子像素包括： 位于基板上的阳极、 位于阳极上的薄膜晶 体管、 位于薄膜晶体管上的空穴注入层、 位于空穴注入层上的空穴传输层、 位于空穴传输层上的红光发光层、 位于红光发光层上的电子传输层、 及位 于电子传输层上的阴极； 所述绿色子像素包括： 位于基板上的阳极、 位于 阳极上的薄膜晶体管、 位于薄膜晶体管上的空穴注入层、 位于空穴注入层 上的空穴传输层、 位于空穴传输层上的绿光发光层、 位于绿光发光层上的 电子传输层、 及位于电子传输层上的阴极； 所述蓝色子像素包括： 位于基 板上的阳极、 位于阳极上的薄膜晶体管、 位于薄膜晶体管上的空穴注入层、 位于空穴注入层上的空穴传输层、 位于空穴传输层上的蓝光发光层、 位于 蓝光发光层上的电子传输层、 及位于电子传输层上的阴极； 所述电子传输 层材料为八羟基喹啉铝， 所述空穴传输层材料为聚三苯胺， 所述空穴注入 层材料为 PEDOT ;
其中， 所述红光发光层与绿光发光层采用真空蒸镀的方法制成， 且在 形成蓝光发光层后形成。
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