CN103346265A - 一种发光器件、显示面板及其制造方法 - Google Patents
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- CN103346265A CN103346265A CN2013102506615A CN201310250661A CN103346265A CN 103346265 A CN103346265 A CN 103346265A CN 2013102506615 A CN2013102506615 A CN 2013102506615A CN 201310250661 A CN201310250661 A CN 201310250661A CN 103346265 A CN103346265 A CN 103346265A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 31
- UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N zinc;cadmium(2+);disulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[Zn+2].[Cd+2] UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 27
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 25
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 19
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 19
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 4
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 2-carbazol-9-yl-n,n-diphenylaniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C1=CC=CC=C1 RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 3
- XAILXJAVXFVNHK-UHFFFAOYSA-N 9-(1,3,5-triazin-2-yl)carbazole Chemical class C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3N(C1=2)C1=NC=NC=N1 XAILXJAVXFVNHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 19
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 16
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 16
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- FIDRAVVQGKNYQK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4-tetrahydrotriazine Chemical compound C1NNNC=C1 FIDRAVVQGKNYQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 5
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 3
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNTVTBIKSZRANH-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-(3-methylphenyl)aniline Chemical class CC1=CC=CC(C=2C(=CC=C(N)C=2)C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 DNTVTBIKSZRANH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- -1 benzidino Chemical group 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
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Abstract
本发明公开了一种发光器件、显示面板及其制造方法。发光器件包括:阴极以及阳极,其中,阴极与阳极相对设置;发光层,发光层设置于阴极与阳极之间,发光层包括有机材料与蓝光量子点材料的混合材料。通过上述方式,本发明能够提高发光器件的稳定性和亮度,并且发光器件具有超薄、透明以及易弯曲的优点。
Description
技术领域
本发明涉及领域显示技术领域,特别是涉及一种发光器件、显示面板及其制造方法。
背景技术
二极管是一种半导体电子元件,而有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)是能够发光的半导体电子元件,又称为有机电激光显示(Organic Electroluminesence Display,OELD)。OLED具有阴极射线管(CRT)和液晶显示器(LCD)的综合优点,被誉为21世纪的平板显示和第三代显示技术,已成为当前国际上的一大研究热点。
实现有机发光二极管彩色化的技术路线包括以下几种:
1、RGB三基色发光,这种方式只适用于容易升华的有机小分子材料,但是工艺简单成熟,操作简便;
2、白光+RGB滤光片,这种方式由于可利用LCD成熟的CF技术,不需要掩膜对位,极大地简化了蒸镀过程,因而能降低生产成本,可用于制备大尺寸高分辨率OLED。但是,由于滤光片吸收了大部分的光能,只有约30%的光能透过,所以需要高性能的白光材料,否则发光器件的效率较低,一般也是用于小分子的OLED显示屏;
因此,提供一种稳定性和发光效率都较高的发光器件对于有机发光二极管彩色化具有更加重要的意义。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种发光器件、显示面板及其制造方法,能够提高发光器件的稳定性和亮度,并且发光器件具有超薄、透明以及易弯曲的优点。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种发光器件,包括:阴极以及阳极,其中,所述阴极与所述阳极相对设置;发光层,所述发光层设置于所述阴极与所述阳极之间,所述发光层包括有机材料与蓝光量子点材料的混合材料。
其中,所述蓝光量子点材料为硫化锌镉、硒化镉/硫化锌、氮化硅中的任意一种。
其中,所述蓝光量子点材料为硫化锌镉、硒化镉/硫化锌、氮化硅中的任意两种或以上的量子点混合。
其中,所述量子点混合是硫化锌镉与硒化镉/硫化锌按质量比1:1~3:1的混合、硫化锌镉与氮化硅按质量比1:1~3:1的混合、硒化镉/硫化锌与氮化硅按质量比1:1~3:1的混合、硫化锌镉与硒化镉/硫化锌及氮化硅按质量比4:(1~4):(1~4)的混合中的任意一种。
其中,所述有机材料为4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或2,4,6-三(咔唑-9-基)-1,3,5-三嗪。
其中,所述发光器件还包括电子传输层,所述电子传输层设置于所述发光层与所述阴极之间,所述发光器件还包括空穴传输层、空穴注入层中的至少一层,设置于所述发光层与所述阳极之间。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种显示面板,包括:所述显示面板包括多个像素单元,每个像素单元包含多个子像素,每个子像素对应一种颜色,所述每个子像素包括相对设置的基板和透光盖板,以及上述的发光器件,所述发光器件设置于所述基板和所述盖板之间。
其中,所述每个子像素包括用于控制每个子像素对应的发光器件发光的薄膜晶体管以及相应的色转换层,所述色转换层设置于所述透光盖板的出光面,用于将所述发光器件发射的光转换为另一种颜色。
其中,所述每个像素单元包括对应显示红光的第一子像素、对应显示绿光的第二子像素和对应显示蓝光的第三子像素。
其中,所述对应显示红光的第一子像素包括红光色转换层,所述对应显示绿光的第二子像素包括绿光色转换层,所述红光色转换层和绿光色转换层设置于所述透光盖板的出光面。
其中,所述红光色转换层为铕激活的氧化钇层;所述绿光色转换层为铈、铽激活的铝酸盐层。
为解决上述技术问题,本发明的还有一个技术方案是:提供一种显示面板,所述显示面板包括多个像素单元,每个像素单元至少包含两个子像素,每个子像素对应一种颜色;每个子像素包括阴极、阳极以及发光层,所述发光层设置于所述阴极与所述阳极之间,所述发光层包括蓝光量子点材料;在一个所述像素单元中,至少一个子像素的出射光为蓝光,至少另外一个子像素包括色转换层,以将本子像素所发出的蓝光转换为另外一种颜色的光线,使得所述像素单元的出射光为所述蓝光和所述另外一种颜色的光线的合成光。
为解决上述技术问题,本发明的又一个技术方案是:提供一种发光器件的制造方法,包括:在玻璃基板上形成透明阳极,在所述透明阳极上依次形成空穴注入层和空穴传输层;在所述空穴传输层上形成含有机材料与蓝光量子点材料的混合材料的发光层;在所述发光层上形成电子传输层;在所述电子传输层上形成透明阴极。
其中,所述在所述空穴传输层上形成含有机材料与蓝光量子点材料的混合材料的发光层的步骤包括:将有机材料与蓝光量子点材料颗粒及溶剂混合,涂覆在所述空穴传输层上并挥发去除溶剂以形成发光层。
其中,所述制造方法还包括:将制造的发光器件封装在基板与透明盖板之间,在所述透明盖板的出光面形成用于进行出光颜色转换的色转换层;所述在玻璃基板上形成透明阳极的步骤包括:在玻璃基板上形成阳极以及形成与所述阳极连接的用于控制每个子像素对应的发光器件发光的薄膜晶体管。
本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明发光器件的发光层材料包含有机材料与蓝光量子点材料的混合材料,由于量子点具有稳定性好、效率高、寿命长的优点,使得本发明的发光器件稳定性更好、光效高、并且可以适用于大电流的情形,可以通过加大电流来提高发光器件的亮度。而用有机材料与蓝光量子点材料混合的方式,还能有效避免蓝光量子点材料团聚与氧化,避免氧化而使荧光淬灭。另外,采用量子点作为发光材料,使得发光器件的制造过程可以采用印刷技术,节约发光器件的生产成本,并且比现有的发光器件比如LCD、LED更容易制作在柔性基板上,其发光层只有几百纳米厚度,使本发明的发光器件同时具有超薄、透明、易弯曲的优点。
附图说明
图1是本发明发光器件一个实施方式的结构示意图;
图2是本发明显示面板一个实施方式的其中一个子像素的结构示意图;
图3是本发明显示面板一个实施方式的其中一个像素单元的结构示意图;
图4是本发明显示面板一个实施方式的像素单元的排列示意图;
图5是本发明显示面板一个实施方式的其中一个像素单元驱动电路示意图;
图6是本发明发光器件的制造方法一个实施方式的流程图。
具体实施方式
半导体纳米晶(Semiconductor Nanocrystals,NCs),是指尺寸为1-100nm的半导体纳米晶粒。由于半导体纳米晶的尺寸小于其体材料的激子波尔半径,表现出强的量子限域效应,准连续的能带演变为类似于分子的分立能级结构,呈现出新的材料性质,因此也称为量子点(Quantum Dots,QDs)。由于外部能量的激发(光致发光,电致发光,阴极射线发光等),电子从基态跃迁到激发态。处于激发态的电子和空穴可能会形成激子。电子与空穴发生复合,最终弛豫到基态。多余的能量通过复合和弛豫过程释放,可能辐射复合发出光子。因此,本发明实施方式利用量子点的这一特性,提供一种发光器件,其发光层包含蓝光量子点材料。
请参阅图1,图1是本发明发光器件一个实施方式的结构示意图,本实施方式的发光器件包括:阴极11以及阳极13,其中,阴极11与阳极13相对设置,发光层12,发光层12设置于阴极11与阳极13之间,发光层12包括有机材料与蓝光量子点材料的混合材料。
本发明实施方式中的蓝光量子点材料可以是硫化锌镉(ZnCdS)、硒化镉/硫化锌(CdSe/ZnS)、氮化硅(SiN4)中的至少一种。
当蓝光量子点材料为以上两种或两种以上的混合量子点时,通过各个量子点的混合比例将直接影响发光器件的稳定性、发光均匀程度以及发光效率等性能。本发明申请人经过长期研究发现,根据不同量子点材料的性能,研究恰当的混合比例,使得不同的量子点材料优势互补,从而使发光性能达到最优。经研究发现,当蓝光量子点材料采用ZnCdS与CdSe/ZnS的混合量子点时,ZnCdS与CdSe/ZnS按照质量比1:1~3:1混合,优选为2:1混合;当蓝光量子点材料采用ZnCdS与SiN4的混合量子点时,ZnCdS与SiN4按照质量比1:1~3:1混合,优选为2.5:1混合;当蓝光量子点材料采用CdSe/ZnS与SiN4的混合量子点时,CdSe/ZnS与SiN4按照质量比1:1~3:1混合,优选为2:1混合;而当蓝光量子点材料采用ZnCdS与CdSe/ZnS以及SiN4三种混合量子点时,ZnCdS与CdSe/ZnS以及SiN4按照质量比4:(1~4):(1~4)混合,优选为4:1:2混合。
其中,有机材料可以是能够防止蓝光量子点材料团聚与氧化的有机材料,比如有机材料4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或2,4,6-三(咔唑-9-基)-1,3,5-三嗪(TRZ)等等,其中,TCTA材料的结构为:TRZ材料的结构为:由于量子点材料是纳米颗粒,零维材料,表面活性大,容易发生团聚,从而导致氧化并使荧光淬灭。而通过有机材料与蓝光量子点材料进行混合,可以有效防止蓝光量子点材料团聚与氧化。
当然,本发明实施方式中,发光层材料也可以采用单独的蓝光量子点材料,而为防止蓝光量子点材料团聚和氧化,在涂覆发光层时,可以用表面活性剂与蓝光量子点材料混合溶于溶剂,挥发去除溶剂。可以采用的表面活性剂可以但不限于是硬脂酸、氧化三锌基膦、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。
请继续参阅图1,本发明发光器件另一实施方式中,发光器件还包括空穴注入层14、空穴传输层15以及电子传输层16,其中,也可以只包括空穴注入层14或空穴传输层15中的一层,空穴注入层与空穴传输层设置于发光层12与阳极13之间,电子传输层16设置于发光层12与阴极11之间。
其中,空穴注入层14的材料可以是聚3,4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)、酞菁蓝(CuPc)等,空穴传输层15的材料可以是聚三苯胺(poly-TPD)、N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(TPD)、4,4′,4"-三(N,N联苯氨基)三苯胺(TDATA),而电子传输层16的材料可以是萤光染料化合物如八羟基喹啉铝(Alq3)等。
上述实施方式提供的发光器件,可以是量子发光二极管(QuantumDots Light Emitting Diodes,QD-LEDs),因此,本发明的发光器件相对于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diodes,OLEDs)有以下的优势:
(1)量子点发光的线宽在20-30nm之间,相对于有机发光>50nm的发光,半峰宽(Full Width Half Maximum,FWHM)要窄,这对于现实画面的色纯度起关键的作用;
(2)量子点相对于有机材料表现出更好的热稳定性。当发光器件处于高亮度或高电流密度下,焦耳热是使器件退化的主要原因。由于优异的热稳定性,基于量子点的发光器件将表现出长的使用寿命;
(3)由于红绿蓝三基色有机材料的寿命不同,OLEDs显示器的颜色将随时间变化。然而,用同一种材料合成不同尺寸的量子点,由于量子限域效应,可以实现三基色的发光。同一种材料可以表现出相似的退化寿命;
(4)本发明基于量子点的发光器件可以实现红外光的发射,而有机材料的发光波长一般小于1微米;
(5)对于量子点没有自旋统计的限制,其外量子效率(ExternalQuantum Efficiency,EQE)有可能达到100%。QD-LED的EQE可以表示为:ηExt=ηr*ηINT*η*ηOUT。其中ηr是电子和空穴形成激子的几率,ηINT是内量子效率,即发光量子产率(PLQY),η是辐射跃迁的几率,ηOUT是外耦合的效率。有机荧光染料ηr的限制是25%,其中单重态与三重态的形成比例是1:3,只有单重态激子的复合导致发光。然而,由于自旋轨道耦合,有机磷光材料的ηr大于25%。值得一提的是,有机磷光材料导致了母体材料的退化。平面发光器件的ηOUT大约在20%左右,可以通过微腔结构提高外耦合效率。对于本发明的发光器件,其ηINT可以达到100%,同时当电子和空穴能级适合时,其ηr也可以达到100%。
本发明实施方式的发光器件可以是有机-无机杂化的器件(即以有机材料与蓝光量子点材料的混合材料作为发光层材料),也可以是全无机的器件(即以单纯以蓝光量子点材料作为发光层材料),前者可以达到高的亮度、可以柔性制作,后者因为发光器件的其他层如空穴注入层、空穴传输层以及电子传输层等都是无机材料,因此,全无机的发光器件在器件的稳定性方面更有优势。
通过上述实施方式的阐述,区别于现有技术的情况,本发明发光器件的发光层材料包含有机材料与蓝光量子点材料的混合材料,由于量子点具有稳定性好、效率高、寿命长的优点,使得本发明的发光器件稳定性更好、光效高、并且可以适用于大电流的情形,可以通过加大电流来提高发光器件的亮度。而用有机材料与蓝光量子点材料混合的方式,还能有效避免蓝光量子点材料团聚与氧化,避免氧化而使荧光淬灭。另外,采用量子点作为发光材料,使得发光器件的制造过程可以采用印刷技术,节约发光器件的生产成本,并且比现有的发光器件比如LCD、LED更容易制作在柔性基板上,其发光层只有几百纳米厚度,使本发明的发光器件同时具有超薄、透明、易弯曲的优点。
基于以上实施方式提供的发光器件,本发明进一步提供一种显示面板,请参阅图2,图2是本发明显示面板一个实施方式的其中一个子像素的结构示意图,本实施方式的显示面板包括多个像素单元,每个像素单元包括多个子像素,每个子像素对应一种颜色,每个子像素包括相对设置的基板21以及透光盖板22,以及发光器件23,其中,发光器件23设置于基板21以及透光盖板22之间,基板21与透光盖板22通过密封胶24粘结在一起,以密封与保护发光器件23。
其中,本实施方式的子像素还包括用于控制每个子像素对应的发光器件23发光的薄膜晶体管26以及相应的色转换层25,色转换层25设置于透光盖板的出光面,用于将发光器件23发射的蓝光转换为另一种颜色。薄膜晶体管26设置在基板21与发光器件23之间,分别与基板21以及发光器件23的阳极相连接。
作为一种举例,请参阅图3,图3是本发明显示面板另一个实施方式中的其中一个像素单元的结构示意图,本实施方式中像素单元300可以包括对应显示红光的第一子像素1、对应显示绿光的第二子像素2和对应显示蓝光的第三子像素3。每一个子像素包括相对设置的基板31与透光盖板32,以及用于控制子像素对应的发光器件发光的薄膜晶体管34,每个子像素还包括封装在基板31与透光盖板32之间的发光器件,发光器件分别包括阳极116、空穴注入层115、空穴传输层114、发光层113、电子传输层112以及透明阳极111(发光器件的各结构的细节描述请参阅上述实施方式的相关描述)。每个子像素的上述组成相似,图中未分别一一标识。
其中,对应显示红光的第一子像素1包括红光色转换层33,对应显示绿光的第二子像素2包括绿光色转换层35,红光色转换层33和绿光色转换层35分别设置于其对应子像素的透光盖板的出光面,用于将发光器件发射的蓝光转换为对应的红光和绿光。
红光色转换层33可以是红光荧光粉,经过发光器件发出的蓝光经红光色转换层后发出红光,红光荧光粉可以是铕激活的氧化钇(Y2O3:Eu3+);绿光色转换层35可以是绿光荧光粉,经过发光器件发出的蓝光经绿光色转换层后发出绿光,绿光荧光粉可以是铈、铽激活的铝酸盐(MgAl11O19:Ce3+,Tb3+)。
对应显示蓝光的第三子像素3不包括色转换层,以使得发光器件发射的蓝光直接通过发出蓝光。
本实施方式由蓝光发光器件,经过绿光与红光色转换方法(ColorConversion Method,简称CCM),实现彩色显示。由于可以使用与彩色滤光片相同的生产技术,因此与RGB彩色化相比,既提高了像素点密度,又可以实现较高的良品率。因此本发明的工艺具有更好的应用前景。
当然,这只是本发明实施方式的一个举例,事实上,本发明的显示面板可能包括第三子像素与第一子像素、第二子像素的其中之一。而且,第一子像素、第二子像素也不一定对应显示红光、绿光,可以通过不同的色转换层显示别的颜色。
请参阅图4,图4是本发明显示面板一个实施方式像素单元的排列示意图,显示面板401包括多个像素单元400,每个像素单元400包括多个子像素,如子像素41、子像素42、子像素43等等。这里的子像素可以是上述实施方式所述的第一子像素、第二子像素、第三子像素,也可以是另外的子像素。每个子像素的顺序并不固定,可以调整。而且,本实施方式的各个像素单元的排列也只是一种举例,可以是别的排列方式。
本实施方式其中一个像素单元的每个子像素的驱动电路示意图请参阅图5,本实施方式的像素单元包括三个子像素,分别为第一子像素、第二子像素以及第三子像素,每个子像素由两个薄膜晶体管(TFT)共同驱动,一个是开关TFT,一个是供电TFT,第一子像素包括第一开关TFT和第一供电TFT,第二子像素包括第二开关TFT和第二供电TFT,第三子像素包括第三开关TFT和第二供电TFT,每一行的子像素通过其对应的TFT与同一扫描线520连接,每一列的子像素通过其对应的TFT与同一数据线510连接。
第一开关TFT51包括第一源极511、第一栅极512、第一漏极513三个电极,其中,第一源极511与数据线510连接,第一栅极512与扫描线520连接,第一漏极513与第一供电TFT52的栅极521连接,第一供电TFT的源极522与电源线530连接,第一供电TFT的漏极523与第一子像素的发光器件的阳极连接。电源线530通过第一供电TFT52对第一子像素供电,点亮子像素,但是是否供电,由开关TFT控制。数据线510和扫描线520通过第一开关TFT51与供电TFT52共同驱动发光器件发光以使第一子像素显示对应的颜色,比如红色。
第二开关TFT与第二供电TFT、第三开关TFT与第三供电TFT的相应连接关系可同理参照上述第一开关TFT与第一供电TFT的连接关系的描述和附图,本实施方式不一一在图中标识和分别描述。
数据线510和扫描线520通过第二开关TFT与第二供电TFT共同驱动发光器件发光以使第二子像素显示对应的颜色,比如绿色。
数据线510与扫描线520通过第三开关TFT与第三供电TFT共同驱动发光器件发光以使第三子像素显示对应的颜色,比如蓝色。
上述驱动电路只是示意性的列出三个子像素,对于一个像素单元包括更多个子像素的情形,连接关系跟上述类似,在此不再赘述。
另外,本发明实施方式还提供一种显示面板,可继续参阅图3,显示面板包括多个像素单元300,每个像素单元300至少包含两个子像素比如子像素1、3或子像素2、3,每个子像素对应一种颜色,每个子像素包括阴极111、阳极116以及发光层113,发光层113设置于阴极111与阳极116之间,发光层113包括蓝光量子点材料,在一个像素单元中,至少一个子像素(比如图中的子像素3)的出射光为蓝光,至少另外一个子像素(比如图中的子像素1或子像素2)包括色转换层(如图中的33、35),以将本子像素所发出的蓝光转换为另外一种颜色的光线,使得像素单元的出射光为蓝光和另外一种颜色的光线的合成光。
也就是说,本实施方式的显示面板,每个像素单元至少包括两个子像素,其中至少一个子像素的出射光是蓝光,也就是说该子像素不包括色转换层(即图中子像素3),而至少另一个子像素是对应蓝光以外的颜色,也就是说该子像素包括色转换层,可以将发光器件发射的蓝光转换为另一种颜色的光线,如图中的发出红光的子像素1或发出绿光的子像素2。
本实施方式的显示面板中各个层结构的组成以及相应位置关系可参阅上述实施方式的描述。
请参阅图6,图6为本发明发光器件的制造方法一个实施方式的流程图,本实施方式的发光器件的制造方法包括:
步骤S101:在玻璃基板上形成透明阳极,在透明阳极上依次形成空穴注入层和空穴传输层;
在玻璃基板上形成一层ITO透明阳极层,可以用蒸镀、涂覆等方式形成透明阳极。在透明阳极上依次形成空穴注入层和空穴传输层,当然,可以根据需要形成空穴注入层和空穴传输层中的至少一层(本实施方式形成空穴注入层和空穴注入层两个结构层),当形成空穴注入层和空穴传输层时,空穴传输层远离阳极形成于空穴注入层之上。也可以采用蒸镀或涂覆的方式形成空穴注入层和空穴传输层。
其中,空穴注入层的材料可以是PEDOT、CuPc等,空穴传输层的材料可以是poly-TPD、TPD、TDATA等。
步骤S102:在空穴传输层上形成含有机材料与蓝光量子点材料的混合材料的发光层;
本发明实施方式中的蓝光量子点材料可以是ZnCdS、CdSe/ZnS、SiN4中的至少一种。
当蓝光量子点材料为以上两种或两种以上的混合量子点时,通过各个量子点的混合比例将直接影响发光器件的稳定性、发光均匀程度以及发光效率等性能。本发明申请人经过长期研究发现,当蓝光量子点材料采用ZnCdS与CdSe/ZnS的混合量子点时,ZnCdS与CdSe/ZnS按照质量比1:1~3:1混合,优选为2:1混合;当蓝光量子点材料采用ZnCdS与SiN4的混合量子点时,ZnCdS与SiN4按照质量比1:1~3:1混合,优选为2.5:1混合;当蓝光量子点材料采用CdSe/ZnS与SiN4的混合量子点时,CdSe/ZnS与SiN4按照质量比1:1~3:1混合,优选为2:1混合;而当蓝光量子点材料采用ZnCdS与CdSe/ZnS以及SiN4三种混合量子点时,ZnCdS与CdSe/ZnS以及SiN4按照质量比4:(1~4):(1~4)混合,优选为4:1:2混合。
其中,有机材料可以是能够防止蓝光量子点材料团聚与氧化的有机材料,比如有机蓝光发光材料TCTA、TRZ等等,其中,TCTA材料的结构为:TRZ材料的结构为:由于量子点材料是纳米颗粒,零维材料,表面活性大,容易发生团聚,从而导致氧化并使荧光淬灭。而通过有机材料与蓝光量子点材料进行混合,可以有效防止蓝光量子点材料团聚与氧化。
本实施方式中形成发光层的其中一种方式为:将有机材料与蓝光量子点材料颗粒及溶剂混合,涂覆在空穴传输层上并挥发去除溶剂以形成发光层。
另一种方式中,发光层材料也可以采用单独的蓝光量子点材料,而为防止蓝光量子点材料团聚和氧化,在涂覆发光层时,可以用表面活性剂与蓝光量子点材料混合溶于溶剂,挥发去除溶剂以形成发光层。可以采用的表面活性剂可以但不限于是硬脂酸、氧化三锌基膦、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。
步骤S103:在发光层上形成电子传输层;
在发光层上形成电子传输层,电子传输层的材料可以是萤光染料化合物如八羟基喹啉铝(Alq3)等。
步骤S104:在电子传输层上形成透明阴极。
在电子传输层上形成透明阴极。可以是通过蒸镀或涂覆的方式形成透明阴极。
另外,当将本发明的发光器件应用于显示面板时,本发明发光器件的制造方法还进一步包括:将制备得到的发光器件封装在基板与透明盖板之间,在透明盖板的出光面形成用于进行出光颜色转换的色转换层,为了便于分别控制每个子像素对应的发光器件发光,可以在形成阳极的时候,形成与阳极相连接的用于控制每个子像素对应的发光器件发光的薄膜晶体管。以该整体结构作为显示面板像素单元的其中一个子像素。
其中,色转换层是荧光材料,比如红光荧光粉如铕激活的氧化钇(Y2O3:Eu3+);绿光荧光粉如铈、铽激活的铝酸盐(MgAl11O19:Ce3+,Tb3+)。通过色转换层可以将出光颜色转换成荧光粉对应的颜色。
通过上述实施方式的阐述,可以理解,本发明发光器件的发光层材料包含有机材料与蓝光量子点材料的混合材料,由于量子点具有稳定性好、效率高、寿命长的优点,使得本发明的发光器件稳定性更好、光效高、并且可以适用于大电流的情形,可以通过加大电流来提高发光器件的亮度。而用有机材料与蓝光量子点材料混合的方式,还能有效避免蓝光量子点材料团聚与氧化,避免氧化而使荧光淬灭。另外,采用量子点作为发光材料,使得发光器件的制造过程可以采用印刷技术,节约发光器件的生产成本,并且比现有的发光器件比如LCD、LED更容易制作在柔性基板上,其发光层只有几百纳米厚度,使本发明的发光器件同时具有超薄、透明、易弯曲的优点。
以上所述仅为本发明的实施方式,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (15)
1.一种发光器件,其特征在于,包括:
阴极以及阳极,其中,所述阴极与所述阳极相对设置;
发光层,所述发光层设置于所述阴极与所述阳极之间,所述发光层包括有机材料与蓝光量子点材料的混合材料。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,
所述蓝光量子点材料为硫化锌镉、硒化镉/硫化锌、氮化硅中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,
所述蓝光量子点材料为硫化锌镉、硒化镉/硫化锌、氮化硅中的任意两种或以上的量子点混合。
4.根据权利要求3所述的发光器件,其特征在于,
所述量子点混合是硫化锌镉与硒化镉/硫化锌按质量比1:1~3:1的混合、硫化锌镉与氮化硅按质量比1:1~3:1的混合、硒化镉/硫化锌与氮化硅按质量比1:1~3:1的混合、硫化锌镉与硒化镉/硫化锌及氮化硅按质量比4:(1~4):(1~4)的混合中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,
所述有机材料为4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或2,4,6-三(咔唑-9-基)-1,3,5-三嗪。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,
所述发光器件还包括电子传输层,所述电子传输层设置于所述发光层与所述阴极之间,
所述发光器件还包括空穴传输层、空穴注入层中的至少一层,设置于所述发光层与所述阳极之间。
7.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括多个像素单元,每个像素单元包含多个子像素,每个子像素对应一种颜色,所述每个子像素包括相对设置的基板和透光盖板,以及权利要求1-6任一项所述的发光器件,所述发光器件设置于所述基板和所述盖板之间。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
所述每个子像素包括用于控制每个子像素对应的发光器件发光的薄膜晶体管以及相应的色转换层,所述色转换层设置于所述透光盖板的出光面,用于将所述发光器件发射的光转换为另一种颜色。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
所述每个像素单元包括对应显示红光的第一子像素、对应显示绿光的第二子像素和对应显示蓝光的第三子像素。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,
所述对应显示红光的第一子像素包括红光色转换层,所述对应显示绿光的第二子像素包括绿光色转换层,所述红光色转换层和绿光色转换层设置于所述透光盖板的出光面。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,
所述红光色转换层为铕激活的氧化钇层;所述绿光色转换层为铈、铽激活的铝酸盐层。
12.一种显示面板,其特征在于,包括:
所述显示面板包括多个像素单元,每个像素单元至少包含两个子像素,每个子像素对应一种颜色;
每个子像素包括阴极、阳极以及发光层,所述发光层设置于所述阴极与所述阳极之间,所述发光层包括蓝光量子点材料;
在一个所述像素单元中,至少一个子像素的出射光为蓝光,至少另外一个子像素包括色转换层,以将本子像素所发出的蓝光转换为另外一种颜色的光线,使得所述像素单元的出射光为所述蓝光和所述另外一种颜色的光线的合成光。
13.一种发光器件的制造方法,其特征在于,包括:
在玻璃基板上形成透明阳极,在所述透明阳极上依次形成空穴注入层和空穴传输层;
在所述空穴传输层上形成含有机材料与蓝光量子点材料的混合材料的发光层;
在所述发光层上形成电子传输层;
在所述电子传输层上形成透明阴极。
14.根据权利要求13所述的制造方法,其特征在于,
所述在所述空穴传输层上形成含有机材料与蓝光量子点材料的混合材料的发光层的步骤包括:将有机材料与蓝光量子点材料颗粒及溶剂混合,涂覆在所述空穴传输层上并挥发去除溶剂以形成发光层。
15.根据权利要求13所述的制造方法,其特征在于,还包括:
将制造的发光器件封装在基板与透明盖板之间,在所述透明盖板的出光面形成用于进行出光颜色转换的色转换层;
所述在玻璃基板上形成透明阳极的步骤包括:在玻璃基板上形成阳极以及形成与所述阳极连接的用于控制每个子像素对应的发光器件发光的薄膜晶体管。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310250661.5A CN103346265B (zh) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | 一种发光器件、显示面板及其制造方法 |
US14/006,314 US20140374697A1 (en) | 2013-06-21 | 2013-06-26 | Light-emitting element, display panel and manufacturing method thereof |
PCT/CN2013/078023 WO2014201711A1 (zh) | 2013-06-21 | 2013-06-26 | 一种发光器件、显示面板及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310250661.5A CN103346265B (zh) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | 一种发光器件、显示面板及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103346265A true CN103346265A (zh) | 2013-10-09 |
CN103346265B CN103346265B (zh) | 2016-01-06 |
Family
ID=49281049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310250661.5A Expired - Fee Related CN103346265B (zh) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | 一种发光器件、显示面板及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140374697A1 (zh) |
CN (1) | CN103346265B (zh) |
WO (1) | WO2014201711A1 (zh) |
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GB2543732A (en) * | 2015-07-20 | 2017-05-03 | Power Oleds Ltd | Heterocyclic compounds and their use in electro-optical or opto-electronic devices |
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CN111302390B (zh) * | 2020-04-13 | 2022-04-26 | Tcl华星光电技术有限公司 | 二氧化硅包覆钛酸钡纳米颗粒以及制备方法与显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140374697A1 (en) | 2014-12-25 |
WO2014201711A1 (zh) | 2014-12-24 |
CN103346265B (zh) | 2016-01-06 |
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---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
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CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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