JP2023014552A - 表示装置および電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】所定色のサブ画素の発光効率が他の色のサブ画素の発光効率よりも低下することを抑制することができる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、複数の青色サブ画素と、複数の緑色サブ画素と、複数の赤色サブ画素とを備える。青色サブ画素は、第1の発光素子と、第1の発光素子から出射された光に含まれる緑色光を青色光にアップコンバージョンすることができる第1の色変換層と、青色フィルタとを順次備える。【選択図】図2

Description

本開示は、表示装置およびそれを備える電子機器に関する。
複数色のサブ画素が基板上に2次元配置された表示装置は広く普及している。特許文献1には、このような表示装置として、全サブ画素に共通のOLED(Organic Light Emitting Diode)層を有するものが開示されている。
国際公開第2020/111202号パンフレット
しかしながら、複数色のサブ画素が2次元配置された表示装置では、所定色のサブ画素の発光効率が他の色のサブ画素の発光効率よりも低いことがある。例えばOLED表示装置では、青色サブ画素の発光効率が他の色のサブ画素の発光効率よりも低いことがある。
本開示の目的は、所定色のサブ画素の発光効率が他の色のサブ画素の発光効率よりも低下することを抑制することができる表示装置およびそれを備える電子機器を提供することにある。
上記の課題を解決するために、第1の開示は、
複数の青色サブ画素と、
複数の緑色サブ画素と、
複数の赤色サブ画素と
を備え、
青色サブ画素は、
第1の発光素子と、
第1の発光素子から出射された光に含まれる緑色光を青色光にアップコンバージョンすることができる第1の色変換層と、
青色フィルタと
を順次備える表示装置である。
第2の開示は、
複数の青色サブ画素と、
複数の緑色サブ画素と、
複数の赤色サブ画素と
を備え、
青色サブ画素は、
所定色の光を発光することができる第1の発光素子と、
第1の発光素子から出射された所定色の光を青色光にアップコンバージョンすることができる第1の色変換層と、
青色フィルタと
を順次備える表示装置である。
第3の開示は、
複数色の画素を備え、
複数色の画素のうちの少なくとも一色の画素は、
発光素子と、
発光素子から出射された光に含まれる第1色の光、または発光素子から出射された第1色の光を第2色の光にアップコンバージョンすることができる色変換層と、
第2色のフィルタと
を順次備える表示装置である。
第4の開示は、第1の開示または第2の開示の表示装置を備える電子機器である。
図1は、本開示の第1の実施形態に係る表示装置の全体構成の一例を示す概略図である。 図2は、各サブ画素の構成の一例を示す断面図である。 図3は、色変換層が備えられていないサブ画素の発光強度を説明するための概略図である。 図4は、色変換層が備えられているサブ画素の発光強度を説明するための概略図である。 図5は、本開示の第2の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図6は、本開示の第3の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図7は、本開示の第4の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図8は、本開示の第5の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図9は、本開示の第6の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図10は、本開示の第7の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図11は、モジュールの概略構成の一例を示す平面図である。 図12Aは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す正面図である。図12Bは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す背面図である。 図13は、ヘッドマウントディスプレイの外観の一例を斜視図である。 図14は、テレビジョン装置の外観の一例を示す斜視図である。
本開示の実施形態について以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
1 第1の実施形態(表示装置の例)
2 第2の実施形態(表示装置の例)
3 第3の実施形態(表示装置の例)
4 第4の実施形態(表示装置の例)
5 第5の実施形態(表示装置の例)
6 第6の実施形態(表示装置の例)
7 第7の実施形態(表示装置の例)
8 変形例
9 応用例(電子機器の例)
<1 第1の実施形態>
[表示装置の構成]
図1は、本開示の第1の実施形態に係る表示装置10の全体構成の一例を示す概略図である。表示装置10は、駆動基板11と、駆動基板11上に設けられた複数の青色サブ画素110B、複数の緑色サブ画素110Gおよび複数の赤色サブ画素110Rとを備える。なお、以下の説明において、青色サブ画素110B、緑色サブ画素110G、赤色サブ画素110Rを特に区別せず総称する場合には、サブ画素110という。
表示装置10は、表示領域50Aと、表示領域50Aの周縁に設けられた周辺領域50Bとを有している。表示領域50A内には、複数のサブ画素110がマトリクス状等の規定の配置パターンで2次元配置されている。
周辺領域50Bには、映像表示用のドライバである信号線駆動回路51および走査線駆動回路52が設けられている。信号線駆動回路51は、信号供給源(図示せず)から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線51Aを介して選択されたサブ画素110に供給するものである。走査線駆動回路52は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト(転送)するシフトレジスタ等によって構成される。走査線駆動回路52は、各サブ画素110への映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線52Aに走査信号を順次供給するものである。
表示装置10は、トップエミッション方式のOLED表示装置である。表示装置10は、マイクロディスプレイであってもよい。表示装置10は、VR(Virtual Reality)装置、MR(Mixed Reality)装置、AR(Augmented Reality)装置、電子ビューファインダ(Electronic View Finder:EVF)または小型プロジェクタ等に備えられてもよい。
以下の説明において、表示装置10を構成する各層において、表示装置10のトップ側(表示面側)となる面を第1の面といい、表示装置10のボトム側(表示面とは反対側)となる面を第2の面という。
(駆動基板)
駆動基板11は、いわゆるバックプレーンである。駆動基板11の第1の面には、複数のサブ画素110を駆動する駆動回路、および複数のサブ画素110に電力を供給する電源回路等(いずれも図示せず)が設けられている。また、駆動基板11の第1の面には、駆動回路および電源回路等を覆うように絶縁層が設けられている。これにより、駆動基板11の第1の面が平坦化されている。
駆動基板11の基板本体は、例えば、トランジスタ等の形成が容易な半導体で構成されていてもよいし、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されていてもよい。具体的には、基板本体は、半導体基板、ガラス基板または樹脂基板等であってもよい。半導体基板は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン等を含む。ガラス基板は、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラスまたは石英ガラス等を含む。樹脂基板は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートおよびポリエチレンナフタレート等からなる群より選ばれた少なくとも1種を含む。
(青色サブ画素、緑色サブ画素、赤色サブ画素)
青色サブ画素110Bは、青色光を出射することができる。緑色サブ画素110Gは、緑色光を出射することができる。赤色サブ画素110Rは、赤色光を出射することができる。青色光、緑色光、赤色光はそれぞれ、第1光、第2光、第3光の一例である。青色サブ画素110B、緑色サブ画素110G、赤色サブ画素110Rはそれぞれ、第1のサブ画素、第2のサブ画素、第3のサブ画素の一例である。隣接する青色サブ画素110B、緑色サブ画素110G、赤色サブ画素110Rの組み合わせが一つの画素(ピクセル)を構成している。図1では、行方向(水平方向)に並ぶ3つの青色サブ画素110B、緑色サブ画素110G、赤色サブ画素110Rの組み合わせが一つの画素を構成している例が示されているが、青色サブ画素110B、緑色サブ画素110G、赤色サブ画素110Rの配列はこれに限定されるものではない。
図2は、青色サブ画素110B、緑色サブ画素110Gおよび赤色サブ画素110Rの構成の一例を示す断面図である。青色サブ画素110Bは、第1の発光素子111Wと、色変換層16Bと、青色フィルタ17Bとを駆動基板11の第1の面上に順次備える。緑色サブ画素110Gは、第2の発光素子111Wと、緑色フィルタ17Gとを駆動基板11の第1の面上に順次備える。赤色サブ画素110Rは、第3の発光素子111Wと、赤色フィルタ17Rとを駆動基板11の第1の面上に順次備える。
(第1の発光素子、第2の発光素子、第3の発光素子)
第1の発光素子111W、第2の発光素子111Wおよび第3の発光素子111Wは、白色OLED素子であり、白色光を発光することができる。白色OLED素子は、白色Micro-OLED(MOLED)素子であってもよい。表示装置10におけるカラー化の方式としては、白色OLED素子とカラーフィルタとを用いる方式が用いられる。
第1の発光素子111Wは、駆動回路(図示せず)の制御に基づき、白色光を色変換層16Bに向けて出射する。第2の発光素子111Wは、駆動回路(図示せず)の制御に基づき、白色光を緑色フィルタ17Gに向けて出射する。第3の発光素子111Wは、駆動回路(図示せず)の制御に基づき、白色光を赤色フィルタ17Rに向けて出射する。
第1の発光素子111W、第2の発光素子111Wおよび第3の発光素子111Wは、第1の電極12と、OLED層14Wと、第2の電極15とを駆動基板11の第1の面上に順次備える。隣接する各発光素子111W、111W、111Wの素子間には、絶縁層13が設けられている。
(第1の電極)
複数の第1の電極12は、複数のサブ画素110と同様の配列パターンで駆動基板11の第1の面上に2次元配置されている。第1の電極12は、アノードである。第1の電極12と第2の電極15の間に電圧が加えられると、第1の電極12からOLED層14Wにホールが注入される。第1の電極12は、複数のサブ画素110で別々に設けられている。隣接する第1の電極12の間は、絶縁層13により電気的に分離されている。
第1の電極12は、例えば、金属層により構成されていてもよいし、金属層と透明導電性酸化物層により構成されていてもよい。第1の電極12が金属層と透明導電性酸化物層により構成されている場合には、高い仕事関数を有する層をOLED層14Wに隣接させる観点からすると、透明導電性酸化物層がOLED層14W側に設けられることが好ましい。
金属層は、OLED層14Wで発光された光を反射する反射層としての機能も有している。金属層は、例えば、クロム(Cr)、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、鉄(Fe)、タングステン(W)および銀(Ag)からなる群より選ばれた少なくとも1種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも1種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、アルミニウム合金または銀合金が挙げられる。アルミニウム合金の具体例としては、例えば、AlNdまたはAlCuが挙げられる。
下地層(図示せず)が、金属層の第2の面側に隣接して設けられていてもよい。下地層は、金属層の成膜時に、金属層の結晶配向性を向上するためのものである。下地層は、例えば、チタン(Ti)およびタンタル(Ta)からなる群より選ばれた少なくとも1種の金属元素を含む。下地層は、上記少なくとも1種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。
透明導電性酸化物層は、透明導電性酸化物を含む。透明導電性酸化物は、例えば、インジウムを含む透明導電性酸化物(以下「インジウム系透明導電性酸化物」という。)、錫を含む透明導電性酸化物(以下「錫系透明導電性酸化物」という。)および亜鉛を含む透明導電性酸化物(以下「亜鉛系透明導電性酸化物」という。)からなる群より選ばれた少なくとも1種を含む。
インジウム系透明導電性酸化物は、例えば、酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化インジウムガリウム(IGO)または酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO)フッ素ドープ酸化インジウム(IFO)を含む。これらの透明導電性酸化物のうちでも酸化インジウム錫(ITO)が特に好ましい。酸化インジウム錫(ITO)は、仕事関数的にOLED層14Wへのホール注入障壁が特に低いため、表示装置10の駆動電圧を特に低電圧化することができるからである。錫系透明導電性酸化物は、例えば、酸化錫、アンチモンドープ酸化錫(ATO)またはフッ素ドープ酸化錫(FTO)を含む。亜鉛系透明導電性酸化物は、例えば、酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)、ホウ素ドープ酸化亜鉛またはガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)を含む。
(絶縁層)
絶縁層13は、駆動基板11の第1の面のうち、分離された第1の電極12の間の部分に設けられている。絶縁層13は、分離された第1の電極12の間を絶縁する。絶縁層13は、複数の開口13Aを有する。複数の開口13Aはそれぞれ、各サブ画素110に対応して設けられている。より具体的には、複数の開口13Aはそれぞれ、各第1の電極12の第1の面(OLED層14W側の面)上に設けられている。開口13Aを介して、第1の電極12とOLED層14Wとが接触する。
絶縁層13は、有機絶縁層であってもよいし、無機絶縁層であってもよいし、これらの積層体であってもよい。有機絶縁層は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂およびノボラック系樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも1種を含む。無機絶縁層は、例えば、酸化シリコン(SiO)、窒化シリコン(SiN)および酸窒化シリコン(SiO)等からなる群より選ばれた少なくとも1種を含む。
(OLED層)
OLED層14Wは、複数の第1の電極12と第2の電極15の間に設けられている。OLED層14Wは、表示領域50A内において複数のサブ画素110(すなわち複数の青色サブ画素110B、複数の緑色サブ画素110Gおよび複数の赤色サブ画素110R)に亘って連続して設けられ、表示領域50A内において複数のサブ画素110に共有されている。
OLED層14Wは、発光層を含む有機層の一例である。OLED層14Wは、白色光を発光することができる。OLED層14Wは、単層の発光ユニットを備えるOLED層であってもよいし、2層の発光ユニットを備えるOLED層(タンデム構造)であってもよいし、これら以外の構造のOLED層であってもよい。単層の発光ユニットを備えるOLED層は、例えば、第1の電極12から第2の電極15に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層、電子注入層がこの順序で積層された構成を有する。2層の発光ユニットを備えるOLED層は、例えば、第1の電極12から第2の電極15に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、青色発光層、電子輸送層、電荷発生層、正孔輸送層、黄色発光層、電子輸送層と、電子注入層がこの順序で積層された構成を有する。
正孔注入層は、各発光層への正孔注入効率を高めると共に、リークを抑制するためのものである。正孔輸送層は、各発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、各発光層への電子注入効率を高めるためのものである。電子輸送層は、各発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。発光分離層は、各発光層へのキャリアの注入を調整するための層であり、発光分離層を介して各発光層に電子やホールが注入されることにより各色の発光バランスが調整される。電荷発生層は、電荷発生層を挟む2つの発光層に電子と正孔をそれぞれ供給する。
赤色発光層、緑色発光層、青色発光層、黄色発光層はそれぞれ、電界をかけることにより、第1の電極12または電荷発生層から注入された正孔と第2の電極15または電荷発生層から注入された電子との再結合が起こり、赤色光、緑色光、青色光、黄色光を発光するものである。
(第2の電極)
第2の電極15は、複数の第1の電極12に対向して設けられている。第2の電極15は、表示領域50A内において複数のサブ画素110に亘って連続して設けられ、表示領域50A内において複数のサブ画素110に共有されている。第2の電極15は、カソードである。第1の電極12と第2の電極15の間に電圧が加えられると、第2の電極15からOLED層14Wに電子が注入される。第2の電極15は、OLED層14Wで発光された光に対して透過性を有する透明電極である。第2の電極15は、できるだけ透過性が高く、かつ仕事関数が小さい材料によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。
第2の電極15は、例えば、金属層および透明導電性酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。より具体的には、第2の電極15は、金属層もしくは透明導電性酸化物層の単層膜、または金属層と透明導電性酸化物層の積層膜により構成されている。第2の電極15が積層膜により構成されている場合、金属層がOLED層14W側に設けられてもよいし、透明導電性酸化物層がOLED層14W側に設けられてもよいが、低い仕事関数を有する層をOLED層14Wに隣接させる観点からすると、金属層がOLED層14W側に設けられていることが好ましい。
金属層は、例えば、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、カルシウム(Ca)およびナトリウム(Na)からなる群より選ばれた少なくとも1種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも1種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、MgAg合金、MgAl合金またはAlLi合金等が挙げられる。透明導電性酸化物層は、透明導電性酸化物を含む。透明導電性酸化物としては、上記の第1の電極12の透明導電性酸化物と同様の材料を例示することができる。
(色変換層)
色変換層16Bは、アップコンバージョン層であり、第1の発光素子101Wから出射された白色光に含まれる緑色光を青色光にアップコンバージョン(UC)することができる。アップコンバージョンは、例えば、TTA(Triplet-Triplet Annihilation:三重項励起子同士の衝突)を利用したアップコンバージョン(TTA-UC)である。
色変換層16Bが、第1の発光素子101Wから出射された白色光に含まれる緑色光以外の成分(例えば赤色光または黄色光)を青色光にアップコンバージョンするようにしてもよい。但し、TTAを利用したアップコンバージョンでは、緑色光を青色光に変換する変換効率が最も高いため、上記のように、第1の発光素子101Wから出射された白色光に含まれる緑色光を青色光にアップコンバージョンすることが好ましい。
色変換層16Bは、TTA-UC材料等のアップコンバージョン材料を含む。アップコンバージョン材料は、増感剤と発光体とを含む。増感剤としては、例えば、白金(II)オクタエチルポルフィリン(PtOEP)が用いられる。発光体としては、例えば、9,10-ジフェニルアントラセン(DPA)が用いられる。
(カラーフィルタ)
カラーフィルタ17Fは、2次元配置された複数の第1の発光素子111W、複数の第2の発光素子111Wおよび複数の第3の発光素子111W上に設けられている。カラーフィルタ17Fは、例えば、オンチップカラーフィルタ(On Chip Color Filter:OCCF)である。カラーフィルタ17Fは、複数の青色フィルタ17Bと、複数の緑色フィルタ17Gと、複数の赤色フィルタ17Rとを備える。
複数の青色フィルタ17Bはそれぞれ、複数の第1の発光素子101Wに対応して設けられている。複数の緑色フィルタ17Gはそれぞれ、複数の第2の発光素子101Wに対応して設けられている。複数の赤色フィルタ17Rはそれぞれ、複数の第3の発光素子101Wに対応して設けられている。
青色フィルタ17Bは、色変換層16Bから出射された光のうち青色光を透過するのに対して、青色光以外の光を吸収する。緑色フィルタ17Gは、第2の発光素子101Wから出射された白色光のうち緑色光を透過するのに対して、緑色光以外の光を吸収する。赤色フィルタ17Rは、第3の発光素子101Wから出射された白色光のうち赤色光を透過するのに対して、赤色光以外の光を吸収する。
また、各色フィルタ17R、17G、17B間、すなわちサブ画素110間の領域には、遮光層が設けられていてもよい。
[青色サブ画素の発光強度]
図3は、色変換層16Bが備えられていない青色サブ画素60Bの発光強度を説明するための概略図である。図4は、色変換層16Bが備えられている青色サブ画素110Bの発光強度を説明するための概略図である。図3および図4中における各記号の意味は、以下のとおりである。
:青色光の強度
:緑色光の強度
:赤色光の強度
ΦCF層:青色フィルタ17Bの透過率(0<ΦCF層<1)
ΦUC層:色変換層16Bの透過率(0<ΦUC層<1)
ΦUC:色変換層16Bのアップコンバージョン変換効率(0<ΦUC≦0.5)
まず、図3を参照して、青色サブ画素60Bの発光強度について説明する。第1の発光素子101Wは、青色光、緑色光および赤色光を含む白色光Lを出射する。白色光Lに含まれる青色光、緑色光および赤色光の強度は、以下の式(1A)で表される。
+I+I ・・・(1A)
青色フィルタ17Bの透過率がΦCF層であると、青色フィルタ17Bを透過する青色光LFB1の強度は、以下の式(1B)で表される。
×ΦCF層 ・・・(1B)
次に、図4を参照して、青色サブ画素110Bの発光強度について説明する。色変換層16Bのアップコンバージョン変換効率がΦUCであり、色変換層16Bの透過率がΦUC層であると、色変換層16Bを透過する光LUCの強度は、以下の式(2A)で表される。
{I+I×(1-ΦUC)+(I+I×ΦUC)}ΦUC層 ・・・(2A)
青色フィルタ17Bの透過率がΦCF層であると、青色フィルタ17Bを透過する青色光LFB2の強度は、以下の式(2B)で表される。
(I+I×ΦUC)ΦUC層ΦCF層 ・・・(2B)
式(1B)と式(1B)が以下の関係を満たせば、青色サブ画素110Bの発光強度が青色サブ画素60Bの発光強度に比べて大きくなる。
(I+I×ΦUC)ΦUC層ΦCF層-I×ΦCF層
=(ΦUC層-1)ΦCF層+ΦUCΦUC層ΦCF層>0
したがって、青色サブ画素110Bの発光強度の向上の観点からすると、下記の関係式を満たすように、色変換層16Bの膜厚および特性を設定することが好ましい。
(ΦUC層-1)I+ΦUCΦUC層G>0
[各色サブ画素の出射光]
以下、青色サブ画素110B、緑色サブ画素110Gおよび赤色サブ画素110Rの出射光の一例について説明する。
(青色サブ画素の出射光)
第1の発光素子111Wが、駆動回路の制御に基づき白色光を出射する。色変換層16Bは、第1の発光素子111Wから出射された白色光に含まれる緑色光を青色光にアップコンバージョンし、青色フィルタ17Bに出射する。青色フィルタ17Bは、色変換層16Bによりアップコンバージョンされた青色光、および第1の発光素子111Wから出射された白色光に含まれる青色光を透過するのに対して、これらの青色光以外の光を吸収する。これにより、色変換層16Bによりアップコンバージョンされた青色光、および第1の発光素子111Wから出射された白色光に含まれる青色光が、青色サブ画素110Bから出射される。
(緑色サブ画素の出射光)
第2の発光素子111Wが、駆動回路の制御に基づき白色光を出射する。緑色フィルタ17Gは、第2の発光素子111Wから出射された白色光に含まれる緑色光を透過するのに対して、緑色光以外の光を吸収する。これにより、第2の発光素子111Wから出射された白色光に含まれる緑色光が、緑色サブ画素110Gから出射される。
(赤色サブ画素の出射光)
第3の発光素子111Wが、駆動回路の制御に基づき白色光を出射する。赤色フィルタ17Rは、第3の発光素子111Wから出射された白色光に含まれる赤色光を透過するのに対して、赤色光以外の光を吸収する。これにより、第3の発光素子111Wから出射された白色光に含まれる赤色光が、赤色サブ画素110Rから出射される。
[表示装置の製造方法]
以下、本開示の第1の実施形態に係る表示装置10の製造方法の一例について説明する。
まず、例えばスパッタリング法により、金属層、金属酸化物層を駆動基板11の第1の面上に順次形成したのち、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて金属層および金属酸化物層をパターニングする。これにより、複数の第1の電極12が形成される。
次に、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法により、複数の第1の電極12を覆うように駆動基板11の第1の面上に絶縁層13を形成する。次に、例えばフォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術により、絶縁層13のうち、各第1の電極12の第1の面上に位置する部分に開口13Aをそれぞれ形成する。
次に、例えば蒸着法により、正孔輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層、電子注入層を複数の第1の電極12の第1の面および絶縁層13の第1の面上にこの順序で積層することにより、OLED層14Wを形成する。次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法により、第2の電極15をOLED層14Wの第1の面上に形成する。これにより、駆動基板11の第1の面上に複数の第1の発光素子111W、複数の第2の発光素子111Wおよび複数の第3の発光素子111Wが形成される。
次に、TTA-UC材料等のアップコンバージョン材料を含む組成物を第2の電極15の第1の面上に塗布乾燥した後、塗膜をパターニングすることにより、色変換層16Bを形成する。次に、例えばフォトリソグラフィにより、色変換層16Bの第1の面上および第2の電極15の第1の面上にカラーフィルタ17を形成する。以上により、図2に示す表示装置10が得られる。
[作用効果]
第1の実施形態に係る表示装置10では、青色サブ画素110Bは、第1の発光素子101Wと、色変換層16Bと、青色フィルタ17Bとを駆動基板11の第1の面上に順次備える。これにより、第1の発光素子111Wから出射された白色光に含まれる緑色光を、色変換層16Bにより青色光にアップコンバージョンし、青色フィルタ17Bに入射させることができる。したがって、色変換層16Bによりアップコンバージョンされた青色光、および第1の発光素子111Wから出射された白色光に含まれる青色光を、青色サブ画素110Bから出射させることができる。よって、青色サブ画素110Bの発光効率が緑色サブ画素110Gおよび赤色サブ画素110Rの発光効率よりも低下することを抑制することができる。
<2 第2の実施形態>
[表示装置の構成]
図5は、本開示の第2の実施形態に係る表示装置10Aの構成の一例を示す断面図である。表示装置10Aは、複数の青色サブ画素110B、複数の緑色サブ画素110Gおよび複数の赤色サブ画素110Rに代えて、複数の青色サブ画素120B、複数の緑色サブ画素120Gおよび複数の赤色サブ画素120Rを備える点において、第1の実施形態とは異なっている。なお、第2の実施形態において、第1の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
(青色サブ画素、緑色サブ画素、赤色サブ画素)
青色サブ画素120Bは、青色光を共振させることができる第1の共振器構造を有する第1の発光素子121Bを備える点において、第1の実施形態における青色サブ画素110Bとは異なっている。
緑色サブ画素120Gは、緑色光を共振させることができる第2の共振器構造を有する第2の発光素子121Gを備える点において、第1の実施形態における緑色サブ画素110Gとは異なっている。
赤色サブ画素120Rは、赤色光を共振させることができる第3の共振器構造を有する第3の発光素子121Rを備える点において、第1の実施形態における赤色サブ画素110Rとは異なっている。
(第1の発光素子、第2の発光素子、第3の発光素子)
第1の発光素子121B、第2の発光素子121G、第3の発光素子121Rは、第1の電極12と、OLED層14WAと、第2の電極15Aとを備える。
(OLED層)
OLED層14WAは、第1の面に2段の段差構造を有している。高さが変化する段差部が、各色のサブ画素120B、120G、120R間に位置し、段差部間の平坦部が、各色のサブ画素120B、120G、120Rに位置する。すなわち、OLED層14WAの厚さは、青色サブ画素120B、緑色サブ画素120Gおよび赤色サブ画素120Rごとに異なっている。
(第2の電極)
第2の電極15Aは、OLED層14WAの第1の面の段差構造に倣うように設けられている。すなわち、駆動基板11の第1の面を基準とする第2の電極15Aの高さは、青色サブ画素120B、緑色サブ画素120Gおよび赤色サブ画素120Rごとに異なっている。
(第1の共振器構造、第2の共振器構造、第3の共振器構造)
第1の共振器構造、第2の共振器構造および第3の共振器構造は、第1の電極12と第2の電極15Aとにより構成されている。第1の電極12と第2の電極15Aとの距離は、青色サブ画素120B、緑色サブ画素120Gおよび赤色サブ画素120Rごとに異なる距離に設定されている。
青色サブ画素120Bにおける第1の電極12と第2の電極15Aとの光路長は、OLED層14WAで発光された白色光に含まれる青色光を共振させ強調することができるように設定されている。より具体的には例えば、青色サブ画素120Bにおける第1の電極12と第2の電極15Aとの光路長は、青色サブ画素120Bのスペクトルピーク波長に設定されている。
緑色サブ画素120Gにおける第1の電極12と第2の電極15Aとの光路長は、OLED層14WAで発光された白色光に含まれる緑色光を共振させ強調することができるように設定されている。より具体的には例えば、緑色サブ画素120Gにおける第1の電極12と第2の電極15Aとの光路長は、緑色サブ画素120Gのスペクトルピーク波長に設定されている。
赤色サブ画素120Rにおける第1の電極12と第2の電極15Aとの光路長は、OLED層14WAで発光された白色光に含まれる赤色光を共振させ強調することができるように設定されている。より具体的には例えば、赤色サブ画素120Rにおける第1の電極12と第2の電極15Aとの光路長は、赤色サブ画素120Rのスペクトルピーク波長に設定されている。
青色サブ画素120B、緑色サブ画素120G、赤色サブ画素120Rにおける第1の電極12と第2の電極15Aとの光路長は、青色サブ画素120B、緑色サブ画素120G、赤色サブ画素120RごとにOLED層14WAの厚さを変えることにより設定されている。
[各色サブ画素の出射光]
以下、青色サブ画素120B、緑色サブ画素120Gおよび赤色サブ画素120Rの出射光の一例について説明する。
(青色サブ画素の出射光)
駆動回路により青色サブ画素120Bの第1の電極12と第2の電極15Aとの間に電圧が印加されると、OLED層14WAが白色光を発光する。第1の共振器構造が、OLED層14WAで発光された白色光に含まれる青色光を共振させ強調し、色変換層16Bに出射する。色変換層16Bは、第1の共振器構造から出射された光に含まれる緑色光を青色光にアップコンバージョンし、青色フィルタ17Bに出射する。青色フィルタ17Bは、色変換層16Bによりアップコンバージョンされた青色光、および第1の共振器構造により強調された青色光を透過するのに対して、これらの青色光以外の光を吸収する。これにより、色変換層16Bによりアップコンバージョンされた青色光、および第1の共振器構造により強調された青色光が、青色サブ画素120Bから出射される。
(緑色サブ画素の出射光)
駆動回路により緑色サブ画素120Gの第1の電極12と第2の電極15Aとの間に電圧が印加されると、OLED層14WAが白色光を発光する。第2の共振器構造が、OLED層14WAで発光された白色光に含まれる緑色光を共振させ強調し、緑色フィルタ17Gに出射する。緑色フィルタ17Gは、第2の共振器構造から出射された光のうち緑色光を透過するのに対して、緑色光以外の光を吸収する。これにより、第2の共振器構造により強調された緑色光が、緑色サブ画素120Gから出射される。
(赤色サブ画素の出射光)
駆動回路により赤色サブ画素120Rの第1の電極12と第2の電極15Aとの間に電圧が印加されると、OLED層14WAが白色光を発光する。第3の共振器構造が、OLED層14WAで発光された白色光に含まれる赤色光を共振させ強調し、赤色フィルタ17Rに出射する。赤色フィルタ17Rは、第3の共振器構造から出射された光のうち赤色光を透過するのに対して、赤色光以外の光を吸収する。これにより、第3の共振器構造により強調された赤色光が、赤色サブ画素120Rから出射される。
[作用効果]
第2の実施形態に係る表示装置10Aでは、第1の発光素子121B、第2の発光素子121G、第3の発光素子121Rはそれぞれ、第1の共振器構造、第2の共振器構造、第3の共振器構造を有する。これにより、OLED層14WAで発光された白色光に含まれる青色光を第1の共振器構造により共振させ強調させることができ、OLED層14WAで発光された白色光に含まれる緑色光を第2の共振器構造により共振させ強調させることができ、OLED層14WAで発光された白色光に含まれる赤色光を第3の共振器構造により共振させ強調させることができる。これにより、輝度および色純度を向上させることができる。
<3 第3の実施形態>
[表示装置の構成]
図6は、本開示の第3の実施形態に係る表示装置10Bの構成の一例を示す断面図である。表示装置10Bは、複数の青色サブ画素120Bに代えて、複数の青色サブ画素130Bを備える点において、第2の実施形態に係る表示装置10Aとは異なっている。なお、第3の実施形態において、第2の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
(青色サブ画素)
青色サブ画素130Bは、青色光を共振させることができる第1の共振器構造に代えて、緑色光を共振させることができる第1の共振器構造を有する第1の発光素子131Gを備える点において、第2の実施形態における青色サブ画素120Bとは異なっている。
(第1の発光素子、第2の発光素子、第3の発光素子)
第1の発光素子131G、第2の発光素子121Gおよび第3の発光素子121Rは、第1の電極12と、OLED層14WBと、第2の電極15Bとを備える。
(OLED層)
OLED層14WBは、第1の面に1段の段差構造を有している。高さが変化する段差部が、青色サブ画素130Bと赤色サブ画素130Rとの間および緑色サブ画素130Gと赤色サブ画素130Rとの間に位置し、青色サブ画素130Bと緑色サブ画素130Gとの間には段差部が設けられず平坦になっている。すなわち、青色サブ画素120BにおけるOLED層14WBの高さと、緑色サブ画素120GにおけるOLED層14WBの厚さとは、同一である。赤色サブ画素120RにおけるOLED層14WBの厚さと、青色サブ画素120Bおよび緑色サブ画素120GにおけるOLED層14WBの厚さとは異なっている。
(第2の電極)
第2の電極15Aは、OLED層14WBの第1の面の段差に倣うように設けられている。すなわち、駆動基板11の第1の面を基準とする第2の電極15Aの高さは、青色サブ画素120Bと緑色サブ画素120Gとで同一であるのに対して、青色サブ画素120B、緑色サブ画素120Gと赤色サブ画素120Rとで異なっている。
(第1の共振器構造)
青色サブ画素130Bの第1の共振器構造は、緑色サブ画素120Gの第2の共振器構造と同様である。すなわち、青色サブ画素130Bにおける第1の電極12と第2の電極15との光路長は、OLED層14WBで発光された白色光に含まれる緑色光を共振させ強調することができるように設定されている。より具体的には例えば、青色サブ画素120Bにおける第1の電極12と第2の電極15との光路長は、緑色サブ画素120Gのスペクトルピーク波長に設定されている。第1の共振器構造および第2の共振器構造のスペクトルピーク波長は、色変換層16Bにおけるアップコンバージョンに適した波長に設定されることが好ましく、例えば約532nmに設定される。
[青色サブ画素の出射光]
駆動回路により青色サブ画素130Bの第1の電極12と第2の電極15Bとの間に電圧が印加されると、OLED層14WBが白色光を発光する。第1の共振器構造が、OLED層14WBで発光された白色光に含まれる緑色光を共振させ強調し、色変換層16Bに出射する。色変換層16Bは、第1の共振器構造から出射された光に含まれる緑色光を青色光にアップコンバージョンし、青色フィルタ17Bに出射する。青色フィルタ17Bは、色変換層16Bによりアップコンバージョンされた青色光を透過するのに対して、青色光以外の光を吸収する。これにより、色変換層16Bによりアップコンバージョンされた青色光が、青色サブ画素130Bから出射される。
[作用効果]
第3の実施形態に係る表示装置10Bでは、第1の発光素子131Gの第1の共振器構造は、第2の発光素子121Gの第2の共振器構造と同様の構成を有している。これにより、OLED層14WBの第1の面の段差数を、第2の実施形態におけるOLED層14WAの第1の面の段差数に比べて少なくすることができる。したがって、OLED層14WBの段差加工に要する工程数を、第2の実施形態におけるOLED層14WAの段差加工に要する工程数に比べて少なくすることができる。よって、生産性の低下を抑制することができる。
<4 第4の実施形態>
[表示装置の構成]
図7は、本開示の第4の実施形態に係る表示装置10Cの構成の一例を示す断面図である。表示装置10Cは、複数の青色サブ画素110B、複数の緑色サブ画素110Gおよび複数の赤色サブ画素110Rに代えて、複数の青色サブ画素140B、複数の緑色サブ画素140Gおよび複数の赤色サブ画素140Rを駆動基板11の第1の面上に備える点において第1の実施形態に係る表示装置10とは異なっている。なお、第4の実施形態において、第1の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
(青色サブ画素、緑色サブ画素、赤色サブ画素)
青色サブ画素140Bは、第1の発光素子141Gと、色変換層(第1の色変換層)16Bと、青色フィルタ17Bとを駆動基板11の第1の面上に順次備える。緑色サブ画素140Gは、第2の発光素子141Gと、色変換層(第2の色変換層)18Rとを駆動基板11の第1の面上に順次備える。赤色サブ画素140Rは、第3の発光素子141Gを駆動基板11の第1の面上に備える。
(第1の発光素子、第2の発光素子、第3の発光素子)
第1の発光素子141G、第2の発光素子141Gおよび第3の発光素子141Gは、緑色光を発光することができる。第1の発光素子141G、第2の発光素子141Gおよび第3の発光素子141Gは、緑色光を発光することができるOLED層14Gを備えること以外は、第1の実施形態における第1の発光素子101W、第2の発光素子101Wおよび第3の発光素子101Wと同様である。
(OLED層)
OLED層14Gは、例えば、単層の発光ユニットを備えるOLED層である。単層の発光ユニットを備えるOLED層は、例えば、第1の電極12から第2の電極15に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、緑色発光層、電子輸送層、電子注入層がこの順序で積層された構成を有する。
(色変換層)
色変換層18Rは、第3の発光素子141Gから出射された緑色光を赤色光に変換することができる。色変換層18Rは、例えば、量子ドット(半導体粒子)を含む量子ドット層である。量子ドットとしては、例えば、CdSe量子ドット、InP量子ドットおよびCsPb(Br/I)量子ドット等からなる群より選ばれた少なくとも1種を用いることができる。
(カラーフィルタ)
カラーフィルタ17FCは、複数の青色フィルタ17Bにより構成される。青色フィルタ17Bは、第1の発光素子141Gの上方に設けられている。カラーフィルタ17FCは、第2の発光素子141Gの上方および第3の発光素子141Gの上方に開口を有している。
[各色サブ画素の出射光]
以下、青色サブ画素140B、緑色サブ画素140Gおよび赤色サブ画素140Rの出射光の一例について説明する。
(青色サブ画素の出射光)
第1の発光素子141Gが、駆動回路の制御に基づき緑色光を出射する。色変換層16Bは、第1の発光素子141Gから出射された緑色光を青色光にアップコンバージョンする。青色フィルタ17Bは、色変換層16Bによりアップコンバージョンされた青色光を透過するのに対して、色変換層16Bにより青色光にアップコンバージョンされずに放出された光を吸収する。これにより、色変換層16Bによりアップコンバージョンされた青色光が、青色サブ画素140Bから出射される。
(緑色サブ画素の出射光)
第2の発光素子141Gが、駆動回路の制御に基づき緑色光を出射する。第2の発光素子141Gから出射された緑色光が、カラーフィルタ17FCの開口を通過する。この開口を通過した緑色光が、緑色サブ画素140Gから出射される。
(赤色サブ画素の出射光)
第3の発光素子141Gが、駆動回路の制御に基づき緑色光を出射する。色変換層18Rは、第3の発光素子141Gから出射された緑色光を赤色光に変換する。色変換層18Rにより変換された赤色光が、カラーフィルタ17FCの開口を通過する。この開口を通過した赤色光が、赤色サブ画素140Rから出射される。
[作用効果]
第1の実施形態に係る表示装置10では、OLED層として白色光を発光することができるOLED層14Wが用いられている。このOLED層14Wは、発光層として赤色発光層、緑色発光層および青色発光層の3層を含むか、もしくは、発光層として青色発光層および黄色発光層の2層を含む。青色発光層は一般的に、赤色発光層、緑色発光層および黄色発光層に比べて寿命が短いことが知られている。
これに対して、第4の実施形態に係る表示装置10Cでは、OLED層として緑色光を発光することができるOLED層14Gが用いられている。このOLED層14Gは、発光層として緑色発光層のみを含み、寿命が短い青色発光層を含まない。したがって、第4の実施形態に係る表示装置10Cは、表示装置10に比べて長い寿命を有している。
また、OLED層14Gの層数は、OLED層14Wの層数に比べて少ない。したがって、表示装置10Eの製造コストは、表示装置10の製造コストに比べて安価である。
<5 第5の実施形態>
[表示装置の構成]
図8は、本開示の第5の実施形態に係る表示装置10Dの構成の一例を示す断面図である。表示装置10Dは、複数の赤色サブ画素140Rに代えて、複数の赤色サブ画素150Rを備えて点において、第4の実施形態に係る表示装置10Cとは異なっている。なお、第5の実施形態において、第4の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
(赤色サブ画素)
赤色サブ画素150Rは、色変換層18R上に赤色フィルタ17Rをさらに備える点において、第4の実施形態における赤色サブ画素140Rとは異なっている。
(カラーフィルタ)
カラーフィルタ17FDは、複数の赤色フィルタ17Rをさらに備える点において、第4の実施形態におけるカラーフィルタ17FCとは異なっている。
[作用効果]
第5の実施形態に係る表示装置10Dは、色変換層18R上に赤色フィルタ17Rを備える。これにより、色変換層18Rにより赤色光に変換されなかった光を赤色フィルタ17Rにより吸収することができる。したがって、赤色サブ画素140Rの色純度を向上させることができる。第5の実施形態に係る表示装置10Dの構成は、色変換層18Rの変換効率が不十分である場合、もしくは色変換層18Rの厚さを薄くしたい場合に特に有効である。
<6 第6の実施形態>
[表示装置の構成]
図9は、本開示の第6の実施形態に係る表示装置10Eの構成の一例を示す断面図である。表示装置10Eは、複数の青色サブ画素110B、複数の緑色サブ画素110Gおよび複数の赤色サブ画素110Rに代えて、複数の青色サブ画素160B、複数の緑色サブ画素160Gおよび複数の赤色サブ画素160Rを備える点において、第1の実施形態に係る表示装置10とは異なっている。なお、第6の実施形態において、第1の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
(青色サブ画素、緑色サブ画素、赤色サブ画素)
青色サブ画素160Bは、第1の発光素子161Rと、色変換層(第1の色変換層)19Bと、青色フィルタ17Bとを駆動基板11の第1の面上に順次備える。緑色サブ画素160Gは、第2の発光素子161Rと、色変換層(第3の色変換層)19Gと、緑色フィルタ17Gとを駆動基板11の第1の面上に順次備える。赤色サブ画素160Rは、第3の発光素子161Rを駆動基板11の第1の面上に備える。
(第1の発光素子、第2の発光素子、第3の発光素子)
第1の発光素子161R、第2の発光素子161Rおよび第3の発光素子161Rは、赤色光を発光することができる。第1の発光素子161R、第2の発光素子161Rおよび第3の発光素子161Rは、赤色光を発光することができるOLED層14Rを備えること以外は、第1の実施形態における第1の発光素子101W、第2の発光素子101Wおよび第3の発光素子101Wと同様である。
(OLED層)
OLED層14Rは、例えば、単層の発光ユニットを備えるOLED層である。単層の発光ユニットを備えるOLED層は、例えば、第1の電極12から第2の電極15に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、赤色発光層、電子輸送層、電子注入層がこの順序で積層された構成を有する。
(色変換層)
色変換層19Bおよび色変換層19Gは、アップコンバージョン層である。色変換層19Bは、第1の発光素子161Rから出射された赤色光を青色光にアップコンバージョン(UC)することができる。色変換層19Gは、第2の発光素子161Rから出射された赤色光を緑色光にアップコンバージョン(UC)することができる。色変換層19Bおよび色変換層19Gのアップコンバージョンは、例えば、TTAを利用したアップコンバージョン(TTA-UC)である。
色変換層19Bおよび色変換層19Gは、TTA-UC材料等のアップコンバージョン材料を含む。色変換層19Bおよび色変換層19Gのアップコンバージョン材料は、増感剤と発光体とを含む。色変換層19Bの増感剤としては、例えば、白金(II)テトラフェニルテトラベンゾポルフィリン(PtTPBP)が用いられ、色変換層19Bの発光体としては、例えば、ペリレンが用いられる。色変換層19Gの増感剤としては、例えば、1,4,8,11,15,18,22,25-オクタブトキシフタロシアニン(PdPc(Obu))が用いられ、色変換層19Bの発光体としては、例えば、ルブレンが用いられる。
(カラーフィルタ)
カラーフィルタ17FEは、複数の青色フィルタ17Bと、複数の緑色フィルタ17Gとを備える。青色フィルタ17Bは、第1の発光素子161Rの上方に設けられている。緑色フィルタ17Gは、第2の発光素子161Rの上方に設けられている。カラーフィルタ17FCは、第3の発光素子161Rの上方に開口を有している。
[各色サブ画素の出射光]
以下、青色サブ画素160B、緑色サブ画素160Gおよび赤色サブ画素160Rの出射光の一例について説明する。
(青色サブ画素の出射光)
第1の発光素子161Rが、駆動回路の制御に基づき赤色光を出射する。色変換層19Bは、第1の発光素子161Rから出射された赤色光を青色光にアップコンバージョンする。青色フィルタ17Bは、色変換層19Bによりアップコンバージョンされた青色光を透過するのに対して、色変換層19Bにより青色光にアップコンバージョンされずに放出された光を吸収する。これにより、色変換層19Bによりアップコンバージョンされた青色光が、青色サブ画素160Bから出射される。
(緑色サブ画素の出射光)
第2の発光素子161Rが、駆動回路の制御に基づき赤色光を出射する。色変換層19Gは、第2の発光素子161Rから出射された赤色光を緑色光にアップコンバージョンする。緑色フィルタ17Gは、色変換層19Bによりアップコンバージョンされた緑色光を透過するのに対して、色変換層19Gにより緑色光にアップコンバージョンされずに放出された光を吸収する。これにより、色変換層19Gによりアップコンバージョンされた緑色光が、緑色サブ画素160Gから出射される。
(赤色サブ画素の出射光)
第3の発光素子161Rが、駆動回路の制御に基づき赤色光を出射する。第3の発光素子161Rから出射された赤色光は、カラーフィルタ17の開口を通過する。この開口を通過した赤色光が、赤色サブ画素160Rから出射される。
[作用効果]
第6の実施形態に係る表示装置10Eでは、OLED層として赤色光を発光することができるOLED層14Rが用いられている。このOLED層14Rは、発光層として赤色発光層のみを含み、寿命が短い青色発光層を含まない。したがって、第6の実施形態に係る表示装置10Eは、OLED層14Wが用いられる表示装置10に比べて長い寿命を有している。
また、OLED層14Rの層数は、OLED層14Wの層数に比べて少ない。したがって、表示装置10Eの製造コストは、表示装置10の製造コストに比べて安価である。
<7 第7の実施形態>
[表示装置の構成]
図10は、本開示の第7の実施形態に係る表示装置10Fの構成の一例を示す断面図である。表示装置10Fは、複数の青色サブ画素110B、複数の緑色サブ画素110Gおよび複数の赤色サブ画素110Rに代えて、複数の青色サブ画素170B、複数の緑色サブ画素170Gおよび複数の赤色サブ画素170Rを備える点において、第1の実施形態に係る表示装置10とは異なっている。なお、第7の実施形態において、第1の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
(青色サブ画素、緑色サブ画素、赤色サブ画素)
青色サブ画素170Bは、第1の発光素子171Yと、色変換層20Bと、青色フィルタ17Bとを駆動基板11の第1の面上に順次備える。緑色サブ画素170Gは、第2の発光素子171Yと、緑色フィルタ17Gとを駆動基板11の第1の面上に順次備える。赤色サブ画素170Rは、第3の発光素子171Yと、赤色フィルタ17Rとを駆動基板11の第1の面上に順次備える。
(第1の発光素子、第2の発光素子、第3の発光素子)
第1の発光素子171Y、第2の発光素子171Yおよび第3の発光素子171Yは、黄色光を発光することができる。第1の発光素子171Y、第2の発光素子171Yおよび第3の発光素子171Yは、黄色光を発光することができるOLED層14Yを備えること以外は、第1の実施形態における第1の発光素子101W、第2の発光素子101Wおよび第3の発光素子101Wと同様である。
(OLED層)
OLED層14Yは、例えば、単層の発光ユニットを備えるOLED層である。単層の発光ユニットを備えるOLED層は、例えば、第1の電極12から第2の電極15に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、黄色発光層、電子輸送層、電子注入層がこの順序で積層された構成を有する。
(色変換層)
色変換層20Bは、アップコンバージョン層であり、第1の発光素子171Yから出射された黄色光を青色光にアップコンバージョン(UC)することができる。アップコンバージョンは、例えば、TTAを利用したアップコンバージョン(TTA-UC)である。
色変換層16Bは、TTA-UC材料等のアップコンバージョン材料を含む。アップコンバージョン材料は、増感剤と発光体とを含む。増感剤としては、例えば、白金(II)オクタエチルポルフィリン(PtOEP)が用いられる。発光体としては、例えば、9,10-ジフェニルアントラセン(DPA)が用いられる。
[各色サブ画素の出射光]
以下、青色サブ画素170B、緑色サブ画素170Gおよび赤色サブ画素170Rの出射光の一例について説明する。
(青色サブ画素の出射光)
第1の発光素子171Yが、駆動回路の制御に基づき黄色光を出射する。色変換層20Bは、第1の発光素子171Yから出射された黄色光を青色光にアップコンバージョンする。青色フィルタ17Bは、色変換層20Bによりアップコンバージョンされた青色光を透過するのに対して、色変換層20Bにより青色光にアップコンバージョンされずに放出された光を吸収する。これにより、色変換層20Bによりアップコンバージョンされた青色光が、青色サブ画素170Bから出射される。
(緑色サブ画素の出射光)
第2の発光素子171Yが、駆動回路の制御に基づき黄色光を出射する。緑色フィルタ17Gは、第2の発光素子171Yから出射された黄色光に含まれる緑色光を透過するのに対して、緑色光以外の光を吸収する。これにより、第2の発光素子171Yから出射された黄色光に含まれる緑色光が、緑色サブ画素170Gから出射される。
(赤色サブ画素の出射光)
第3の発光素子171Yが、駆動回路の制御に基づき黄色光を出射する。赤色フィルタ17Rは、第3の発光素子171Yから出射された黄色光に含まれる赤色光を透過するのに対して、赤色光以外の光を吸収する。これにより、第3の発光素子171Yから出射された黄色光に含まれる赤色光が、赤色サブ画素170Rから出射される。
[作用効果]
第7の実施形態に係る表示装置10Fでは、OLED層として黄色光を発光することができるOLED層14Yが用いられている。このOLED層14Yは、発光層として黄色発光層のみを含み、寿命が短い青色発光層を含まない。したがって、第7の実施形態に係る表示装置10Fは、OLED層14Wが用いられる表示装置10に比べて長い寿命を有している。
また、OLED層14Yの層数は、OLED層14Wの層数に比べて少ない。したがって、表示装置10Fの製造コストは、表示装置10の製造コストに比べて安価である。
<8 変形例>
(変形例1)
第1から第7の実施形態では、表示装置が、発光素子としてOLED素子を備えるOLED表示装置である例について説明したが、表示装置はこの例に限定されるものではない。表示装置は、例えば、発光素子としてLED素子を備えるLED表示装置であってもよい。LED素子は、量子ドットまたはペロブスカイトを発光層とするLED素子であってもよい。
(変形例2)
第2、第3の実施形態では、OLED層の厚さにより第1の電極と第2の電極との光路長が設定される例について説明したが、第1、第2、第3の発光素子に光学調整層がさらに備えられ、光学調整層の厚さを各色のサブ画素ごとに変えることにより第1の電極と第2の電極との光路長が設定されてもよいし、第1の電極の厚さを各色のサブ画素ごとに変えることにより第1の電極と第2の電極との光路長が設定されてもよい。
(変形例3)
第2、第3の実施形態では、第1の電極と第2の電極とにより第1、第2、第3の共振器構造される例について説明したが、第1、第2、第3の共振器構造の構成はこれに限定されるものではない。例えば、第1の電極の下方に反射層が備えられ、反射層と第2の電極とにより第1、第2、第3の共振器構造が構成されてもよい。この場合、第1の電極と反射層の間に光学調整層が備えられていてもよい。
また、第2の電極の上方に半透過反射層(ハーフミラー)が備えられ、第1の電極と半透過反射層により第1、第2、第3の共振器構造が構成されてもよい。この場合、第2の電極と半透過反射層の間に光学調整層が備えられていてもよい。
また、第1の電極の下方に反射層が備えられ、かつ、第2の電極の上方に半透過反射層が備えられ、反射層と反透過反射層とにより第1、第2、第3の共振器構造が構成されてもよい。
(変形例4)
第1から第7の実施形態において、第2の電極の第1の面上に保護層が備えられていてもよい。この場合、カラーフィルタおよび色変換層は、保護層の第1の面上に備えられていてもよい。
第1から第7の実施形態において、第2の電極の第1の面上に保護層および平坦化層が順次備えられていてもよい。この場合、カラーフィルタおよび色変換層は、平坦化層の第1の面上に備えられていてもよい。
(変形例5)
第1から第7の実施形態では、カラーフィルタがオンチップカラーフィルタである例について説明したが、表示装置が、駆動基板の第1の面に対向する対向基板をさらに備え、この対向基板の第2の面にカラーフィルタが設けられていてもよい。
(その他の変形例)
以上、本開示の実施形態および変形例について具体的に説明したが、本開示は、上記の実施形態および変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上記の実施形態および変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。
上記の実施形態および変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
上記の実施形態および変形例に例示した材料は、特に断らない限り、1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。
また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
(1)
複数の青色サブ画素と、
複数の緑色サブ画素と、
複数の赤色サブ画素と
を備え、
前記青色サブ画素は、
第1の発光素子と、
前記第1の発光素子から出射された光に含まれる緑色光を青色光にアップコンバージョンすることができる第1の色変換層と、
青色フィルタと
を順次備える表示装置。
(2)
前記第1の発光素子は、白色光を発光することができる(1)に記載の表示装置。
(3)
前記第1の発光素子は、青色光を共振させることができる第1の共振器構造を有し、
前記緑色サブ画素は、第2の発光素子を備え、前記第2の発光素子は、緑色光を共振させることができる第2の共振器構造を有し、
前記赤色サブ画素は、第3の発光素子を備え、前記第3の発光素子は、赤色光を共振させることができる第3の共振器構造を有する(1)または(2)に記載の表示装置。
(4)
前記第1の発光素子は、緑色光を共振させることができる第1の共振器構造を有し、
前記緑色サブ画素は、第2の発光素子を備え、前記第2の発光素子は、緑色光を共振させることができる第2の共振器構造を有し、
前記赤色サブ画素は、第3の発光素子を備え、前記第3の発光素子は、赤色光を共振させることができる第3の共振器構造を有する(1)または(2)に記載の表示装置。
(5)
前記緑色サブ画素が、
第2の発光素子と、
緑色フィルタと
を順次備え、
前記赤色サブ画素が、
第3の発光素子と、
赤色フィルタと
を順次備える(1)から(4)のいずれか1項に記載の表示装置。
(6)
前記第1の発光素子、前記第2の発光素子および前記第3の発光素子は、OLED素子である(5)に記載の表示装置。
(7)
前記第1の発光素子、前記第2の発光素子および前記第3の発光素子はそれぞれ、第1の電極と、OLED層と、第2の電極とを備え、
前記OLED層および前記第2の電極は、前記複数の青色サブ画素、前記複数の緑色サブ画素および前記複数の赤色サブ画素で共有され、
前記第1の電極は、前記複数の青色サブ画素、前記複数の緑色サブ画素および前記複数の赤色サブ画素で別々に設けられている(5)または(6)に記載の表示装置。
(8)
複数の青色サブ画素と、
複数の緑色サブ画素と、
複数の赤色サブ画素と
を備え、
前記青色サブ画素は、
所定色の光を発光することができる第1の発光素子と、
前記第1の発光素子から出射された前記所定色の光を青色光にアップコンバージョンすることができる第1の色変換層と、
青色フィルタと
を順次備える表示装置。
(9)
前記所定色の光が、緑色光である(8)に記載の表示装置。
(10)
前記緑色サブ画素は、
緑色光を出射することができる第2の発光素子を備え、
前記赤色サブ画素は、
緑色光を出射することができる第3の発光素子と、
前記第3の発光素子から出射された前記緑色光を赤色光に色変換することができる第2の色変換層と
を順次備える(9)に記載の表示装置。
(11)
前記緑色サブ画素は、
緑色光を出射することができる第2の発光素子を備え、
前記赤色サブ画素は、
緑色光を出射することができる第3の発光素子と、
前記第3の発光素子から出射された前記緑色光を赤色光に色変換することができる第2の色変換層と、
赤色フィルタと
を順次備える(9)に記載の表示装置。
(12)
前記第2の色変換層は、量子ドット層である(11)に記載の表示装置。
(13)
前記所定色の光が、赤色光である(8)に記載の表示装置。
(14)
前記緑色サブ画素は、
赤色光を出射することができる第2の発光素子と、
前記第2の発光素子から出射された前記赤色光を緑色光にアップコンバージョンすることができる第3の色変換層と、
緑色フィルタと
を順次備え、
前記赤色サブ画素は、
赤色光を出射することができる第3の発光素子を備える(13)に記載の表示装置。
(15)
前記所定色の光が、黄色光である(8)に記載の表示装置。
(16)
前記緑色サブ画素は、
黄色光を出射することができる第2の発光素子と、
緑色フィルタと
を順次備え、
前記赤色サブ画素は、
黄色光を出射することができる第3の発光素子と、
赤色フィルタと
を順次備える(15)に記載の表示装置。
(17)
前記緑色サブ画素は、第2の発光素子を備え、
前記赤色サブ画素は、第3の発光素子を備え、
前記第1の発光素子、前記第2の発光素子および前記第3の発光素子は、OLED素子またはLED素子である(8)に記載の表示装置。
(18)
複数色の画素を備え、
前記複数色の画素のうちの少なくとも一色の画素は、
発光素子と、
前記発光素子から出射された光に含まれる第1色の光、または前記発光素子から出射された第1色の光を第2色の光にアップコンバージョンすることができる色変換層と、
第2色のフィルタと
を順次備える表示装置。
(19)
(1)から(18)のいずれかに記載の表示装置を備える電子機器。
<9 応用例>
(電子機器)
上記の第1~第7の実施形態およびそれらの変形例に係る表示装置10、10A、10B、10C、10D、10E、10F(以下「表示装置10等」という。)は、各種の電子機器に用いることが可能である。表示装置10等は、例えば、図11に示したようなモジュールとして、種々の電子機器に組み込まれてもよい。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに適する。このモジュールは、駆動基板11の一方の短辺側に、対向基板等により覆われず露出した領域210を有し、この領域210に、信号線駆動回路51および走査線駆動回路52の配線を延長して外部接続端子(図示せず)が形成されている。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(Flexible Printed Circuit:FPC)220が接続されていてもよい。
(具体例1)
図12A、図12Bは、デジタルスチルカメラ310の外観の一例を示す。このデジタルスチルカメラ310は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部(カメラボディ)311の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット(交換レンズ)312を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部313を有している。
カメラ本体部311の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ314が設けられている。モニタ314の上部には、電子ビューファインダ(接眼窓)315が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ315を覗くことによって、撮影レンズユニット312から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ315としては、表示装置10等のいずれかを用いることができる。
(具体例2)
図13は、ヘッドマウントディスプレイ320の外観の一例を示す。ヘッドマウントディスプレイ320は、例えば、眼鏡形の表示部321の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部322を有している。表示部321としては、表示装置10等のいずれかを用いることができる。
(具体例3)
図14は、テレビジョン装置330の外観の一例を示す。このテレビジョン装置330は、例えば、フロントパネル332およびフィルターガラス333を含む映像表示画面部331を有しており、この映像表示画面部331は、表示装置10等のいずれかにより構成されている。
10、10A、10B、10C、10D、10E、10F 表示装置
11 駆動基板
12 第1の電極
13 絶縁層
13A 開口
14W、14WA、14WB、14G、14R、14Y OLED層
15、15A、15B 第2の電極
16B、19B、20B 色変換層(第1の色変換層)
17F、17FC、17FD、17FE カラーフィルタ
17B 青色フィルタ
17G 緑色フィルタ
17R 赤色フィルタ
18R 色変換層(第2の色変換層)
19G 色変換層(第3の色変換層)
111W、121B、131G、141G、161R、171Y 第1の発光素子
111W、121G、141G、161R、171Y 第2の発光素子
111W、121Y、141G、161R、171Y 第3の発光素子
110B、120B、130B、140B、160B、170B 青色サブ画素
110G、120G、140G、160G、170G 緑色サブ画素
110R、120R、140R、150R、160R、170R 赤色サブ画素
50A 表示領域
50B 周辺領域
51 信号線駆動回路
51A 信号線
52 走査線駆動回路
52A 走査線
310 デジタルスチルカメラ(電子機器)
320 ヘッドマウントディスプレイ(電子機器)
330 テレビジョン装置(電子機器)

Claims (19)

  1. 複数の青色サブ画素と、
    複数の緑色サブ画素と、
    複数の赤色サブ画素と
    を備え、
    前記青色サブ画素は、
    第1の発光素子と、
    前記第1の発光素子から出射された光に含まれる緑色光を青色光にアップコンバージョンすることができる第1の色変換層と、
    青色フィルタと
    を順次備える表示装置。
  2. 前記第1の発光素子は、白色光を発光することができる請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記第1の発光素子は、青色光を共振させることができる第1の共振器構造を有し、
    前記緑色サブ画素は、第2の発光素子を備え、前記第2の発光素子は、緑色光を共振させることができる第2の共振器構造を有し、
    前記赤色サブ画素は、第3の発光素子を備え、前記第3の発光素子は、赤色光を共振させることができる第3の共振器構造を有する請求項1に記載の表示装置。
  4. 前記第1の発光素子は、緑色光を共振させることができる第1の共振器構造を有し、
    前記緑色サブ画素は、第2の発光素子を備え、前記第2の発光素子は、緑色光を共振させることができる第2の共振器構造を有し、
    前記赤色サブ画素は、第3の発光素子を備え、前記第3の発光素子は、赤色光を共振させることができる第3の共振器構造を有する請求項1に記載の表示装置。
  5. 前記緑色サブ画素が、
    第2の発光素子と、
    緑色フィルタと
    を順次備え、
    前記赤色サブ画素が、
    第3の発光素子と、
    赤色フィルタと
    を順次備える請求項1に記載の表示装置。
  6. 前記第1の発光素子、前記第2の発光素子および前記第3の発光素子は、OLED素子である請求項5に記載の表示装置。
  7. 前記第1の発光素子、前記第2の発光素子および前記第3の発光素子はそれぞれ、第1の電極と、OLED層と、第2の電極とを備え、
    前記OLED層および前記第2の電極は、前記複数の青色サブ画素、前記複数の緑色サブ画素および前記複数の赤色サブ画素で共有され、
    前記第1の電極は、前記複数の青色サブ画素、前記複数の緑色サブ画素および前記複数の赤色サブ画素で別々に設けられている請求項5に記載の表示装置。
  8. 複数の青色サブ画素と、
    複数の緑色サブ画素と、
    複数の赤色サブ画素と
    を備え、
    前記青色サブ画素は、
    所定色の光を発光することができる第1の発光素子と、
    前記第1の発光素子から出射された前記所定色の光を青色光にアップコンバージョンすることができる第1の色変換層と、
    青色フィルタと
    を順次備える表示装置。
  9. 前記所定色の光が、緑色光である請求項8に記載の表示装置。
  10. 前記緑色サブ画素は、
    緑色光を出射することができる第2の発光素子を備え、
    前記赤色サブ画素は、
    緑色光を出射することができる第3の発光素子と、
    前記第3の発光素子から出射された前記緑色光を赤色光に色変換することができる第2の色変換層と
    を順次備える請求項9に記載の表示装置。
  11. 前記緑色サブ画素は、
    緑色光を出射することができる第2の発光素子を備え、
    前記赤色サブ画素は、
    緑色光を出射することができる第3の発光素子と、
    前記第3の発光素子から出射された前記緑色光を赤色光に色変換することができる第2の色変換層と、
    赤色フィルタと
    を順次備える請求項9に記載の表示装置。
  12. 前記第2の色変換層は、量子ドット層である請求項11に記載の表示装置。
  13. 前記所定色の光が、赤色光である請求項8に記載の表示装置。
  14. 前記緑色サブ画素は、
    赤色光を出射することができる第2の発光素子と、
    前記第2の発光素子から出射された前記赤色光を緑色光にアップコンバージョンすることができる第3の色変換層と、
    緑色フィルタと
    を順次備え、
    前記赤色サブ画素は、
    赤色光を出射することができる第3の発光素子を備える請求項13に記載の表示装置。
  15. 前記所定色の光が、黄色光である請求項8に記載の表示装置。
  16. 前記緑色サブ画素は、
    黄色光を出射することができる第2の発光素子と、
    緑色フィルタと
    を順次備え、
    前記赤色サブ画素は、
    黄色光を出射することができる第3の発光素子と、
    赤色フィルタと
    を順次備える請求項15に記載の表示装置。
  17. 前記緑色サブ画素は、第2の発光素子を備え、
    前記赤色サブ画素は、第3の発光素子を備え、
    前記第1の発光素子、前記第2の発光素子および前記第3の発光素子は、OLED素子またはLED素子である請求項8に記載の表示装置。
  18. 複数色の画素を備え、
    前記複数色の画素のうちの少なくとも一色の画素は、
    発光素子と、
    前記発光素子から出射された光に含まれる第1色の光、または前記発光素子から出射された第1色の光を第2色の光にアップコンバージョンすることができる色変換層と、
    第2色のフィルタと
    を順次備える表示装置。
  19. 請求項1に記載の表示装置を備える電子機器。
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CN105590945A (zh) * 2014-11-17 2016-05-18 北京维信诺科技有限公司 一种含有量子点的有机发光显示器件、显示方法及其应用
WO2017058326A2 (en) * 2015-07-02 2017-04-06 The Regents Of The University Of California Hybrid molecule-nanocrystal photon upconversion across the visible and near-infrared
CN105161513B (zh) * 2015-08-03 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示装置及其制造方法、彩膜基板及其制造方法
CN105576004A (zh) * 2016-02-29 2016-05-11 Tcl集团股份有限公司 一种量子点彩色光转换膜、oled面板及显示装置
CN107958923A (zh) * 2017-12-12 2018-04-24 京东方科技集团股份有限公司 像素结构及其制作方法、显示面板
CN207966991U (zh) * 2018-02-08 2018-10-12 深圳柔宇显示技术有限公司 一种偏振光致发光面板及电子器件
CN109920833B (zh) * 2019-03-27 2020-11-03 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN111341811A (zh) * 2020-03-06 2020-06-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN111785850A (zh) * 2020-07-16 2020-10-16 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件以及显示装置

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